JPH08236557A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置およびその製造方法Info
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- JPH08236557A JPH08236557A JP7039857A JP3985795A JPH08236557A JP H08236557 A JPH08236557 A JP H08236557A JP 7039857 A JP7039857 A JP 7039857A JP 3985795 A JP3985795 A JP 3985795A JP H08236557 A JPH08236557 A JP H08236557A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性の向上を図る樹脂封止形の半導体集積
回路装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子１を直接搭載しかつ半導体素子１
が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱拡散部材
２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａと電気的
に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材２とリー
ドフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行
う金型に接触する絶縁部材４とからなり、絶縁部材４が
粘着性を有しかつ細巾の絶縁性テープによって形成され
たダムバーであり、リードフレーム３のインナリード部
３ａが絶縁部材４を介して熱拡散部材２に取り付けら
れ、熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａだけが樹脂８
によって封止されている。
回路装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子１を直接搭載しかつ半導体素子１
が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱拡散部材
２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａと電気的
に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材２とリー
ドフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行
う金型に接触する絶縁部材４とからなり、絶縁部材４が
粘着性を有しかつ細巾の絶縁性テープによって形成され
たダムバーであり、リードフレーム３のインナリード部
３ａが絶縁部材４を介して熱拡散部材２に取り付けら
れ、熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａだけが樹脂８
によって封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造技術に関し、特に、樹脂によって封止を行
う半導体集積回路装置およびその製造方法に関するもの
である。
よびその製造技術に関し、特に、樹脂によって封止を行
う半導体集積回路装置およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】電子機器やコンピュータの小形化、軽量
化、高性能化あるいは低コスト化などに伴い、実装する
半導体集積回路装置の高速化や高集積化が図られてい
る。
化、高性能化あるいは低コスト化などに伴い、実装する
半導体集積回路装置の高速化や高集積化が図られてい
る。
【０００４】その結果、半導体集積回路装置におけるリ
ードフレームの微細ピッチ化、多ピン化、または外形形
状の多用化が急進展し、機能当たりの大きさも大幅に縮
小されつつある。
ードフレームの微細ピッチ化、多ピン化、または外形形
状の多用化が急進展し、機能当たりの大きさも大幅に縮
小されつつある。
【０００５】そこで、前記要求に対応する半導体集積回
路装置の一例として、ＱＦＰ(QuadFlat Package) と称
される樹脂封止型の半導体集積回路装置が知られてい
る。このＱＦＰに用いられるリードフレームは、半導体
素子を搭載するタブと、半導体素子の電極と電気的に接
続するインナリードと、半導体集積回路装置が実装され
るプリント基板と電気的接続を行うアウタリードとによ
って構成されている。
路装置の一例として、ＱＦＰ(QuadFlat Package) と称
される樹脂封止型の半導体集積回路装置が知られてい
る。このＱＦＰに用いられるリードフレームは、半導体
素子を搭載するタブと、半導体素子の電極と電気的に接
続するインナリードと、半導体集積回路装置が実装され
るプリント基板と電気的接続を行うアウタリードとによ
って構成されている。
【０００６】また、前記アウタリードは、外枠のフレー
ム上で前記インナリードと接続されている。
ム上で前記インナリードと接続されている。
【０００７】さらに、樹脂封止は、タブに半導体素子を
搭載し、半導体素子の電極とインナリードとをワイヤボ
ンディングによって接続した後、半導体素子とワイヤ部
とを保護するために行う。
搭載し、半導体素子の電極とインナリードとをワイヤボ
ンディングによって接続した後、半導体素子とワイヤ部
とを保護するために行う。
【０００８】なお、ＱＦＰについては、例えば、日経Ｂ
Ｐ社発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」１９９３年５月３１日発行、香山晋、成瀬邦彦
（監）、８５頁に記載されている。
Ｐ社発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」１９９３年５月３１日発行、香山晋、成瀬邦彦
（監）、８５頁に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、ＱＦＰなどの樹脂封止形の半導体集積回路
装置に用いられる樹脂は、その熱伝導率が低い場合が多
い。
術において、ＱＦＰなどの樹脂封止形の半導体集積回路
装置に用いられる樹脂は、その熱伝導率が低い場合が多
い。
【００１０】その結果、信号の高速化や配線の高集積化
が進むと、半導体素子の消費電力が増加した際に、放熱
性が問題とされる。
が進むと、半導体素子の消費電力が増加した際に、放熱
性が問題とされる。
【００１１】そこで、本発明の目的は、放熱性の向上を
図る樹脂封止形の半導体集積回路装置およびその製造方
法を提供することにある。
図る樹脂封止形の半導体集積回路装置およびその製造方
法を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１４】すなわち、本発明による半導体集積回路装
置は、半導体素子を直接搭載しかつ前記半導体素子が発
生する熱を外部に放つ熱拡散部材と、前記熱拡散部材の
外部へ延在しかつ前記半導体素子の電極と電気的に接続
されたリードフレームと、前記熱拡散部材と前記リード
フレームとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金
型に接触する絶縁部材とを有し、前記リードフレームの
インナリード部が前記絶縁部材を介して前記熱拡散部材
に取り付けられているものである。
置は、半導体素子を直接搭載しかつ前記半導体素子が発
生する熱を外部に放つ熱拡散部材と、前記熱拡散部材の
外部へ延在しかつ前記半導体素子の電極と電気的に接続
されたリードフレームと、前記熱拡散部材と前記リード
フレームとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金
型に接触する絶縁部材とを有し、前記リードフレームの
インナリード部が前記絶縁部材を介して前記熱拡散部材
に取り付けられているものである。
【００１５】また、本発明の半導体集積回路装置におけ
る絶縁部材は、粘着性を有しかつ細巾の絶縁性テープに
よって形成されたダムバーである。
る絶縁部材は、粘着性を有しかつ細巾の絶縁性テープに
よって形成されたダムバーである。
【００１６】さらに、本発明による半導体集積回路装置
は、前記熱拡散部材の半導体素子搭載面だけが樹脂によ
って封止されているものである。
は、前記熱拡散部材の半導体素子搭載面だけが樹脂によ
って封止されているものである。
【００１７】また、本発明による半導体集積回路装置
は、前記熱拡散部材が放熱フィンを有しているものであ
る。
は、前記熱拡散部材が放熱フィンを有しているものであ
る。
【００１８】なお、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、樹脂封止を行う際に、前記熱拡散部材と前
記金型と前記リードフレームと前記絶縁部材とによって
形成された密閉領域に樹脂を流し込み、硬化することに
よって前記半導体素子およびその周辺部を封止するもの
である。
製造方法は、樹脂封止を行う際に、前記熱拡散部材と前
記金型と前記リードフレームと前記絶縁部材とによって
形成された密閉領域に樹脂を流し込み、硬化することに
よって前記半導体素子およびその周辺部を封止するもの
である。
【００１９】
【作用】上記した手段によれば、半導体素子を直接搭載
しかつ半導体素子が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材
と、熱拡散部材の外部へ延在しかつ半導体素子の電極と
電気的に接続されたリードフレームと、熱拡散部材とリ
ードフレームとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行
う金型に接触する絶縁部材とを有することにより、半導
体素子が直接熱拡散部材に接触するため、半導体素子の
放熱性の向上を図ることができる。
しかつ半導体素子が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材
と、熱拡散部材の外部へ延在しかつ半導体素子の電極と
電気的に接続されたリードフレームと、熱拡散部材とリ
ードフレームとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行
う金型に接触する絶縁部材とを有することにより、半導
体素子が直接熱拡散部材に接触するため、半導体素子の
放熱性の向上を図ることができる。
【００２０】さらに、前記絶縁部材が粘着性を有しかつ
細巾の絶縁性テープによって形成されたダムバーである
ことにより、樹脂封止の際、絶縁部材が樹脂の漏れを防
止することができる。
細巾の絶縁性テープによって形成されたダムバーである
ことにより、樹脂封止の際、絶縁部材が樹脂の漏れを防
止することができる。
【００２１】また、半導体素子を熱拡散部材に直接搭載
し、さらに、リードフレームのインナリード部が絶縁部
材を介して熱拡散部材に固定されていることにより、半
導体素子とインナリード部との変位を低減することがで
き、両者の位置関係を常に安定に保つことができる。
し、さらに、リードフレームのインナリード部が絶縁部
材を介して熱拡散部材に固定されていることにより、半
導体素子とインナリード部との変位を低減することがで
き、両者の位置関係を常に安定に保つことができる。
【００２２】なお、熱拡散部材の半導体素子搭載面だけ
が樹脂によって封止されていることにより、半導体集積
回路装置の大きさを小形化することが可能になる。
が樹脂によって封止されていることにより、半導体集積
回路装置の大きさを小形化することが可能になる。
【００２３】また、熱拡散部材が放熱フィンを有するこ
とにより、半導体素子の放熱性をさらに向上させること
ができる。
とにより、半導体素子の放熱性をさらに向上させること
ができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２５】（実施例１）図１は本発明の半導体集積回
路装置の構造の一実施例を示す断面図、図２は本発明の
半導体集積回路装置の製造方法の一実施例を示す図であ
り、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は部分平面図、（ｃ）
は部分断面図である。
路装置の構造の一実施例を示す断面図、図２は本発明の
半導体集積回路装置の製造方法の一実施例を示す図であ
り、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は部分平面図、（ｃ）
は部分断面図である。
【００２６】まず、本実施例１の半導体集積回路装置の
構成について説明すると、半導体素子１を直接搭載しか
つ半導体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２
と、熱拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電
極１ａと電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡
散部材２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有
し、リードフレーム３のインナリード部３ａが絶縁部材
４を介して熱拡散部材２に取り付けられている。
構成について説明すると、半導体素子１を直接搭載しか
つ半導体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２
と、熱拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電
極１ａと電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡
散部材２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有
し、リードフレーム３のインナリード部３ａが絶縁部材
４を介して熱拡散部材２に取り付けられている。
【００２７】なお、半導体素子１は熱拡散部材２のほぼ
中央付近にペースト剤６などを介して直接固定され、さ
らに半導体素子１の電極１ａは、ボンディングワイヤ７
によってリードフレーム３のインナリード部３ａと接続
されている。
中央付近にペースト剤６などを介して直接固定され、さ
らに半導体素子１の電極１ａは、ボンディングワイヤ７
によってリードフレーム３のインナリード部３ａと接続
されている。
【００２８】ここで、熱拡散部材２は、例えば、放熱性
や加工性に優れたアルミニウムなどの金属によって形成
されているものであり、本実施例１の熱拡散部材２の形
状は、所定の厚さを有した板状のものである。
や加工性に優れたアルミニウムなどの金属によって形成
されているものであり、本実施例１の熱拡散部材２の形
状は、所定の厚さを有した板状のものである。
【００２９】また、絶縁部材４は、例えば、ポリイミド
系の絶縁材によって形成された枠状を成すものであり、
さらに粘着性を有し、かつ細巾の絶縁性テープによって
形成されたダムバーである。
系の絶縁材によって形成された枠状を成すものであり、
さらに粘着性を有し、かつ細巾の絶縁性テープによって
形成されたダムバーである。
【００３０】したがって、枠状の絶縁性テープである絶
縁部材４は、熱拡散部材２上において、樹脂成形時に金
型５に接触する箇所、つまり熱拡散部材２上の金型５と
合わさる箇所に張り付けられている。
縁部材４は、熱拡散部材２上において、樹脂成形時に金
型５に接触する箇所、つまり熱拡散部材２上の金型５と
合わさる箇所に張り付けられている。
【００３１】また、本実施例１の半導体集積回路装置
は、熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａだけがエポキ
シ系などの樹脂８によって封止されているものであり、
熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａ以外の面は露出し
ている。
は、熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａだけがエポキ
シ系などの樹脂８によって封止されているものであり、
熱拡散部材２の半導体素子搭載面２ａ以外の面は露出し
ている。
【００３２】次に、本実施例１の半導体集積回路装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３３】まず、絶縁性テープである絶縁部材４を熱
拡散部材２上の金型５と合わさる箇所に張り付ける。
拡散部材２上の金型５と合わさる箇所に張り付ける。
【００３４】さらに、リードフレーム３のインナリード
部３ａを絶縁部材４に張り付けて、リードフレーム３を
熱拡散部材２に取り付ける。
部３ａを絶縁部材４に張り付けて、リードフレーム３を
熱拡散部材２に取り付ける。
【００３５】その後、熱拡散部材２の半導体素子搭載面
２ａの中央付近にペースト剤６を用いて半導体素子１を
固定する。つまり、半導体素子１をペースト剤６を介し
て直接熱拡散部材２に搭載する。
２ａの中央付近にペースト剤６を用いて半導体素子１を
固定する。つまり、半導体素子１をペースト剤６を介し
て直接熱拡散部材２に搭載する。
【００３６】続いて、半導体素子１の電極１ａとリード
フレーム３のインナリード部３ａとを金線などのボンデ
ィングワイヤ７によってボンディングする。
フレーム３のインナリード部３ａとを金線などのボンデ
ィングワイヤ７によってボンディングする。
【００３７】その後、熱拡散部材２の半導体素子搭載面
２ａだけを樹脂８によって封止する。この時、図２
（ｃ）に示すように、熱拡散部材２と金型５とリードフ
レーム３と絶縁部材４とによって形成された密閉領域１
１に樹脂８（図１参照）を流し込み、硬化することによ
って半導体素子１およびその周辺部を封止する。
２ａだけを樹脂８によって封止する。この時、図２
（ｃ）に示すように、熱拡散部材２と金型５とリードフ
レーム３と絶縁部材４とによって形成された密閉領域１
１に樹脂８（図１参照）を流し込み、硬化することによ
って半導体素子１およびその周辺部を封止する。
【００３８】つまり、金型５をリードフレーム３のイン
ナリード部３ａと接触させ、さらに支持部材１０によっ
て支持された熱拡散部材２との間で所定の荷重を掛け
る。そこで、密閉領域１１に前記樹脂８を流し込み、硬
化させる。
ナリード部３ａと接触させ、さらに支持部材１０によっ
て支持された熱拡散部材２との間で所定の荷重を掛け
る。そこで、密閉領域１１に前記樹脂８を流し込み、硬
化させる。
【００３９】これにより、樹脂封止を終了し、続いてリ
ードフレーム３のアウタリード部３ｂの切断および曲げ
成形を行う。
ードフレーム３のアウタリード部３ｂの切断および曲げ
成形を行う。
【００４０】次に、本実施例１の半導体集積回路装置に
よって得られる効果について説明する。
よって得られる効果について説明する。
【００４１】まず、半導体素子１を直接搭載しかつ半導
体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱
拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａ
と電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材
２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂
成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有すること
により、半導体素子１が直接熱拡散部材２に接触するた
め、半導体素子１の放熱性の向上を図ることができる。
体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱
拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａ
と電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材
２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂
成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有すること
により、半導体素子１が直接熱拡散部材２に接触するた
め、半導体素子１の放熱性の向上を図ることができる。
【００４２】さらに、放熱性の向上を図ることができる
ため、消費電力が大きい半導体素子１を搭載することが
できる。
ため、消費電力が大きい半導体素子１を搭載することが
できる。
【００４３】また、半導体素子１の消費電力に合わせ
て、熱拡散部材２の大きさ、形状を変えることが容易に
できる。
て、熱拡散部材２の大きさ、形状を変えることが容易に
できる。
【００４４】なお、絶縁部材４が粘着性を有し、かつ細
巾の絶縁性テープによって形成されたダムバーであるこ
とにより、樹脂封止の際、絶縁部材４が樹脂８の漏れを
防止することができる。
巾の絶縁性テープによって形成されたダムバーであるこ
とにより、樹脂封止の際、絶縁部材４が樹脂８の漏れを
防止することができる。
【００４５】また、半導体素子１を熱拡散部材２に直接
搭載し、さらに、リードフレーム３のインナリード部３
ａが絶縁部材４を介して熱拡散部材２に固定されている
ことにより、半導体素子１とインナリード部３ａとの変
位を低減することができ、両者の位置関係を常に安定に
保つことができる。
搭載し、さらに、リードフレーム３のインナリード部３
ａが絶縁部材４を介して熱拡散部材２に固定されている
ことにより、半導体素子１とインナリード部３ａとの変
位を低減することができ、両者の位置関係を常に安定に
保つことができる。
【００４６】その結果、ボンディングワイヤの変形によ
る接続不良を低減することができる。
る接続不良を低減することができる。
【００４７】さらに、熱拡散部材２の半導体素子搭載面
２ａだけが樹脂８によって封止されることにより、半導
体集積回路装置の大きさを小形化することが可能にな
る。
２ａだけが樹脂８によって封止されることにより、半導
体集積回路装置の大きさを小形化することが可能にな
る。
【００４８】これによって、熱拡散部材２を大きくする
ことができ、放熱性を向上することができる。その結
果、前記同様に消費電力が大きな半導体素子１を搭載す
ることが可能になる。
ことができ、放熱性を向上することができる。その結
果、前記同様に消費電力が大きな半導体素子１を搭載す
ることが可能になる。
【００４９】また、樹脂封止を行う際に、熱拡散部材２
と金型５とリードフレーム３と絶縁部材４とによって形
成された密閉領域１１に樹脂８を流し込み、半導体素子
１およびその周辺部を封止することによって、金型５の
形状を簡略化し、さらに、金型５の大きさを小形化する
ことができる。その結果、半導体集積回路装置の製造コ
ストを低減することができる。
と金型５とリードフレーム３と絶縁部材４とによって形
成された密閉領域１１に樹脂８を流し込み、半導体素子
１およびその周辺部を封止することによって、金型５の
形状を簡略化し、さらに、金型５の大きさを小形化する
ことができる。その結果、半導体集積回路装置の製造コ
ストを低減することができる。
【００５０】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図、図
４は本発明の他の実施例である半導体集積回路装置の製
造方法の一例を示す図であり、（ａ）は部分断面図、
（ｂ）は部分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図、図
４は本発明の他の実施例である半導体集積回路装置の製
造方法の一例を示す図であり、（ａ）は部分断面図、
（ｂ）は部分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
【００５１】本実施例２の半導体集積回路装置の構成に
ついて説明すると、半導体素子１を直接搭載しかつ半導
体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱
拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａ
と電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材
２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂
成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有し、リー
ドフレーム３のインナリード部３ａが絶縁部材４を介し
て熱拡散部材２に取り付けられている。
ついて説明すると、半導体素子１を直接搭載しかつ半導
体素子１が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材２と、熱
拡散部材２の外部へ延在しかつ半導体素子１の電極１ａ
と電気的に接続されたリードフレーム３と、熱拡散部材
２とリードフレーム３とを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂
成形を行う金型５に接触する絶縁部材４とを有し、リー
ドフレーム３のインナリード部３ａが絶縁部材４を介し
て熱拡散部材２に取り付けられている。
【００５２】ここで、本実施例２による半導体集積回路
装置の熱拡散部材２は、その断面形状が櫛状をなす放熱
フィン９を有しているものである。さらに、熱拡散部材
２は、実施例１で説明したものと同様に、例えば、放熱
性や加工性に優れたアルミニウムなどの金属によって形
成されている。
装置の熱拡散部材２は、その断面形状が櫛状をなす放熱
フィン９を有しているものである。さらに、熱拡散部材
２は、実施例１で説明したものと同様に、例えば、放熱
性や加工性に優れたアルミニウムなどの金属によって形
成されている。
【００５３】なお、本実施例２の半導体集積回路装置の
その他の構成およびその製造方法については、実施例１
で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略
する。
その他の構成およびその製造方法については、実施例１
で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略
する。
【００５４】本実施例２の半導体集積回路装置から得ら
れる効果は、熱拡散部材２が放熱フィン９を有している
ことにより、半導体素子１の放熱性をさらに向上できる
ことである。
れる効果は、熱拡散部材２が放熱フィン９を有している
ことにより、半導体素子１の放熱性をさらに向上できる
ことである。
【００５５】なお、本実施例２の半導体集積回路装置か
ら得られるその他の効果については、実施例１で説明し
たものと同様であるため、その重複説明は省略する。
ら得られるその他の効果については、実施例１で説明し
たものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００５６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５７】例えば、前記実施例で説明した半導体集積
回路装置は、熱拡散部材の半導体素子搭載面だけが樹脂
封止されるものであったが、図５の本発明の他の実施例
の半導体集積回路装置の断面図に示すように、熱拡散部
材２の半導体素子搭載面２ａおよびそれから続く側面２
ｂが樹脂８によって封止されていてもよい。
回路装置は、熱拡散部材の半導体素子搭載面だけが樹脂
封止されるものであったが、図５の本発明の他の実施例
の半導体集積回路装置の断面図に示すように、熱拡散部
材２の半導体素子搭載面２ａおよびそれから続く側面２
ｂが樹脂８によって封止されていてもよい。
【００５８】また、前記実施例で説明した絶縁部材は、
粘着性を有した絶縁性テープであったが、粘着性を持た
ない絶縁性テープに高耐熱性の接着剤などを塗布して用
いてもよい。
粘着性を有した絶縁性テープであったが、粘着性を持た
ない絶縁性テープに高耐熱性の接着剤などを塗布して用
いてもよい。
【００５９】さらに、前記絶縁部材の代わりにエポキシ
系の樹脂などを用いてもよい。つまり、熱拡散部材に前
記エポキシ系の樹脂を塗布し、そこへリードフレームの
インナリード部を取り付けても前記実施例の半導体集積
回路装置と同様のものを製造することができる。
系の樹脂などを用いてもよい。つまり、熱拡散部材に前
記エポキシ系の樹脂を塗布し、そこへリードフレームの
インナリード部を取り付けても前記実施例の半導体集積
回路装置と同様のものを製造することができる。
【００６０】また、前記実施例で説明した熱拡散部材
は、アルミニウムによって形成されているものであった
が、銅などの他の金属によって形成されていてもよい。
は、アルミニウムによって形成されているものであった
が、銅などの他の金属によって形成されていてもよい。
【００６１】なお、前記実施例で説明した半導体集積回
路装置は、半導体素子の電極とリードフレームのインナ
リード部とがボンディングワイヤによって接続されるも
のであったが、バンプを用いたボールボンディングによ
って接続されるものであってもよい。
路装置は、半導体素子の電極とリードフレームのインナ
リード部とがボンディングワイヤによって接続されるも
のであったが、バンプを用いたボールボンディングによ
って接続されるものであってもよい。
【００６２】また、実施例２で説明した熱拡散部材の放
熱フィンの形状は、その断面形状が櫛状をなすものであ
ったが、前記放熱フィンの形状は、前記熱拡散部材の放
熱面積を拡大するものであれば他の形状であってもよ
い。
熱フィンの形状は、その断面形状が櫛状をなすものであ
ったが、前記放熱フィンの形状は、前記熱拡散部材の放
熱面積を拡大するものであれば他の形状であってもよ
い。
【００６３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６４】（１）．半導体素子を直接搭載しかつ半導
体素子が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材と、熱拡散
部材の外部へ延在しかつ半導体素子の電極と電気的に接
続されたリードフレームと、熱拡散部材とリードフレー
ムとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金型に接
触する絶縁部材とを有することにより、半導体素子が直
接熱拡散部材に接触するため、半導体素子の放熱性の向
上を図ることができる。
体素子が発生する熱を外部に放つ熱拡散部材と、熱拡散
部材の外部へ延在しかつ半導体素子の電極と電気的に接
続されたリードフレームと、熱拡散部材とリードフレー
ムとを絶縁しかつ樹脂封止時に樹脂成形を行う金型に接
触する絶縁部材とを有することにより、半導体素子が直
接熱拡散部材に接触するため、半導体素子の放熱性の向
上を図ることができる。
【００６５】（２）．前記（１）により、半導体素子の
放熱性の向上を図ることができるため、消費電力が大き
い半導体素子を搭載することができる。
放熱性の向上を図ることができるため、消費電力が大き
い半導体素子を搭載することができる。
【００６６】（３）．半導体素子の消費電力に合わせ
て、熱拡散部材の大きさ、形状を変えることが容易にで
きる。
て、熱拡散部材の大きさ、形状を変えることが容易にで
きる。
【００６７】（４）．絶縁部材が粘着性を有しかつ細巾
の絶縁性テープによって形成されたダムバーであること
により、樹脂封止の際、絶縁部材が樹脂の漏れを防止す
ることができる。
の絶縁性テープによって形成されたダムバーであること
により、樹脂封止の際、絶縁部材が樹脂の漏れを防止す
ることができる。
【００６８】（５）．半導体素子を熱拡散部材に直接搭
載し、さらに、リードフレームのインナリード部が絶縁
部材を介して熱拡散部材に固定されていることにより、
半導体素子とインナリード部との変位を低減することが
でき、両者の位置関係を常に安定に保つことができる。
その結果、ボンディングワイヤの変形による接続不良を
低減することができる。
載し、さらに、リードフレームのインナリード部が絶縁
部材を介して熱拡散部材に固定されていることにより、
半導体素子とインナリード部との変位を低減することが
でき、両者の位置関係を常に安定に保つことができる。
その結果、ボンディングワイヤの変形による接続不良を
低減することができる。
【００６９】（６）．熱拡散部材の半導体素子搭載面だ
けが樹脂によって封止されていることにより、半導体集
積回路装置の大きさを小形化することが可能になる。
けが樹脂によって封止されていることにより、半導体集
積回路装置の大きさを小形化することが可能になる。
【００７０】これにより、熱拡散部材を大きくすること
ができ、放熱性を向上することができる。その結果、消
費電力が大きな半導体素子を搭載することが可能にな
る。
ができ、放熱性を向上することができる。その結果、消
費電力が大きな半導体素子を搭載することが可能にな
る。
【００７１】（７）．熱拡散部材が放熱フィンを有する
ことにより、半導体素子の放熱性をさらに向上させるこ
とができる。
ことにより、半導体素子の放熱性をさらに向上させるこ
とができる。
【００７２】（８）．樹脂封止を行う際に、熱拡散部材
と金型とリードフレームと絶縁部材とによって形成され
た密閉領域に樹脂を流し込み、半導体素子およびその周
辺部を封止することによって、金型の形状を簡略化し、
さらに、金型の大きさを小形化することができる。その
結果、半導体集積回路装置の製造コストを低減すること
ができる。
と金型とリードフレームと絶縁部材とによって形成され
た密閉領域に樹脂を流し込み、半導体素子およびその周
辺部を封止することによって、金型の形状を簡略化し、
さらに、金型の大きさを小形化することができる。その
結果、半導体集積回路装置の製造コストを低減すること
ができる。
【図１】本発明の半導体集積回路装置の構造の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体集積回路装置の製造方法の一実
施例を示す図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は部
分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
施例を示す図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は部
分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
の構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造方法の一例を示す図であり、（ａ）は部分断面
図、（ｂ）は部分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
の製造方法の一例を示す図であり、（ａ）は部分断面
図、（ｂ）は部分平面図、（ｃ）は部分断面図である。
【図５】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
の構造の一例を示す断面図である。
１ 半導体素子 １ａ 電極 ２ 熱拡散部材 ２ａ 半導体素子搭載面 ２ｂ 側面 ３ リードフレーム ３ａ インナリード部 ３ｂ アウタリード部 ４ 絶縁部材 ５ 金型 ６ ペースト剤 ７ ボンディングワイヤ ８ 樹脂 ９ 放熱フィン １０ 支持部材 １１ 密閉領域
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂封止形の半導体集積回路装置であっ
て、 半導体素子を直接搭載し、かつ前記半導体素子が発生す
る熱を外部に放つ熱拡散部材と、 前記熱拡散部材の外部へ延在し、かつ前記半導体素子の
電極と電気的に接続されたリードフレームと、 前記熱拡散部材と前記リードフレームとを絶縁し、かつ
樹脂封止時に樹脂成形を行う金型に接触する絶縁部材と
を有し、 前記リードフレームのインナリード部が前記絶縁部材を
介して前記熱拡散部材に取り付けられていることを特徴
とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置であ
って、前記絶縁部材が粘着性を有し、かつ細巾の絶縁性
テープによって形成されたダムバーであることを特徴と
する半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体集積回路
装置であって、前記熱拡散部材の半導体素子搭載面だけ
が樹脂によって封止されていることを特徴とする半導体
集積回路装置。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体集積
回路装置であって、前記熱拡散部材が放熱フィンを有し
ていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の半導体
集積回路装置の製造方法であって、樹脂封止を行う際
に、前記熱拡散部材と前記金型と前記リードフレームと
前記絶縁部材とによって形成された密閉領域に樹脂を流
し込み、硬化することによって前記半導体素子およびそ
の周辺部を封止することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7039857A JPH08236557A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7039857A JPH08236557A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236557A true JPH08236557A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12564651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7039857A Pending JPH08236557A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137142A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 导热封装结构、制作方法及具有其的可穿戴设备 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7039857A patent/JPH08236557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110137142A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 导热封装结构、制作方法及具有其的可穿戴设备 |
| CN110137087A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 导热封装结构的制作方法及可穿戴设备 |
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