JPH08236835A - 磁電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子およびその製造方法Info
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- JPH08236835A JPH08236835A JP7042073A JP4207395A JPH08236835A JP H08236835 A JPH08236835 A JP H08236835A JP 7042073 A JP7042073 A JP 7042073A JP 4207395 A JP4207395 A JP 4207395A JP H08236835 A JPH08236835 A JP H08236835A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 11
- -1 borosilicate Chemical compound 0.000 claims description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 239000010445 mica Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 16
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐湿性を有する磁電変換素子を提供する。
【構成】磁気抵抗素子パタ−ンが形成された基板に、有
機材料、無機材料、あるいは有機材料と無機材料との組
み合わせて、遮蔽膜を形成する。
機材料、無機材料、あるいは有機材料と無機材料との組
み合わせて、遮蔽膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁電変換素子とくにＩｎ
Ｓｂからなる感磁部を有する磁電変換素子およびその製
造方法に関する。
Ｓｂからなる感磁部を有する磁電変換素子およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁界の変化を電気抵抗値の変
化に変換する磁電変換素子が測長素子、回転角度検知素
子などとして実用化されている。このような素子は、磁
気抵抗効果を呈する感磁部が磁性体基板に形成され、さ
らに感磁部に電気抵抗値の変化を取り出すための接続電
極が形成された構造を有している。
化に変換する磁電変換素子が測長素子、回転角度検知素
子などとして実用化されている。このような素子は、磁
気抵抗効果を呈する感磁部が磁性体基板に形成され、さ
らに感磁部に電気抵抗値の変化を取り出すための接続電
極が形成された構造を有している。
【０００３】従来の磁電変換素子６０を、図７の断面図
と、図８の平面図を用いて説明する。なお図８は、図７
に示すＡ−Ａ線で切断したときの内部を示す図である。
と、図８の平面図を用いて説明する。なお図８は、図７
に示すＡ−Ａ線で切断したときの内部を示す図である。
【０００４】図において磁電変換素子６０は、マイカ基
板１に形成された磁気抵抗素子パタ−ン４と、接続電極
５、５が、保護膜６と共に、樹脂層７、７により、磁性
体基板８ａ、８ｂに接着、挟持され、端面に外部接続用
電極９、９が形成されている。以下に磁電変換素子６０
の構造を詳しく説明する。
板１に形成された磁気抵抗素子パタ−ン４と、接続電極
５、５が、保護膜６と共に、樹脂層７、７により、磁性
体基板８ａ、８ｂに接着、挟持され、端面に外部接続用
電極９、９が形成されている。以下に磁電変換素子６０
の構造を詳しく説明する。
【０００５】磁気抵抗素子パタ−ン４は、ミアンダライ
ン形状を有しＩｎＳｂからなる感磁部２ａと、感磁部２
ａ上に断続的に形成されたショ−トバ−３ａ．．．３ａ
とが、マイカ基板１に形成された構造を有している。磁
気抵抗素子パタ−ン４の両端には、ＩｎＳｂ膜からなる
電極膜２ｂ、２ｂ上に、ＡｌとＴｉからなる電導性膜３
ｂ、３ｂが形成された接続電極５、５が接続されてい
る。ショ−トバ−３ａ．．．３ａは感磁部２ａの折り返
し部分および途中の何ヶ所かに、電気良導性薄膜として
作用するように形成されている。このショ−トバ−３
ａ．．．３ａおよび電導性膜３ｂ、３ｂは、上層をＡ
ｌ、下層をＴｉとした二層構造を有しており、真空蒸着
法およびフォトリソグラフィ−により形成されている。
さらにまた、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５
とを保護するための保護膜６が、スパッタリングまたは
ＳＯＧ（スピンオングラス）法などにより被覆されてい
る。なお保護膜６に用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係
数がほぼ等しいシリカ、アルミナ、窒化シリコン、窒化
アルミニウムなどが用いられる。保護膜６には磁性体基
板８ａが、またマイカ基板１には磁性体基板８ｂがそれ
ぞれ樹脂層７により接着されている。さらにまた接続電
極５、５と電気的に接続するように、電極材料により外
部接続用電極９、９が形成されている。
ン形状を有しＩｎＳｂからなる感磁部２ａと、感磁部２
ａ上に断続的に形成されたショ−トバ−３ａ．．．３ａ
とが、マイカ基板１に形成された構造を有している。磁
気抵抗素子パタ−ン４の両端には、ＩｎＳｂ膜からなる
電極膜２ｂ、２ｂ上に、ＡｌとＴｉからなる電導性膜３
ｂ、３ｂが形成された接続電極５、５が接続されてい
る。ショ−トバ−３ａ．．．３ａは感磁部２ａの折り返
し部分および途中の何ヶ所かに、電気良導性薄膜として
作用するように形成されている。このショ−トバ−３
ａ．．．３ａおよび電導性膜３ｂ、３ｂは、上層をＡ
ｌ、下層をＴｉとした二層構造を有しており、真空蒸着
法およびフォトリソグラフィ−により形成されている。
さらにまた、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５
とを保護するための保護膜６が、スパッタリングまたは
ＳＯＧ（スピンオングラス）法などにより被覆されてい
る。なお保護膜６に用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係
数がほぼ等しいシリカ、アルミナ、窒化シリコン、窒化
アルミニウムなどが用いられる。保護膜６には磁性体基
板８ａが、またマイカ基板１には磁性体基板８ｂがそれ
ぞれ樹脂層７により接着されている。さらにまた接続電
極５、５と電気的に接続するように、電極材料により外
部接続用電極９、９が形成されている。
【０００６】なお外部環境から保護するために、磁電変
換素子６０の外部接続用電極９、９を除くほぼ全体に外
装樹脂１０が塗布される場合もある。
換素子６０の外部接続用電極９、９を除くほぼ全体に外
装樹脂１０が塗布される場合もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁電変換素子
は、長時間にわたって使用すると、水や水に含まれる塩
類が、その構成部品である磁性体基板を介して、感磁部
にまで侵入し、磁性体基板から感磁部を剥離させたり、
もしくは感磁部や内部の電極を腐食させることがあっ
た。従来の磁電変換素子にあっては、このような不具合
を防止するために、外部接続用電極を除いて、磁電変換
素子のほぼ全体に樹脂を塗布したり、セラミック製ある
いはステンレススチ−ルなどの金属製の容器に密封して
収納する必要があった。その結果、磁電変換素子が大型
化すると共に、感磁部と共に用いる磁石と感磁部との距
離が大きくなるため、感度が低下するという問題があっ
た。
は、長時間にわたって使用すると、水や水に含まれる塩
類が、その構成部品である磁性体基板を介して、感磁部
にまで侵入し、磁性体基板から感磁部を剥離させたり、
もしくは感磁部や内部の電極を腐食させることがあっ
た。従来の磁電変換素子にあっては、このような不具合
を防止するために、外部接続用電極を除いて、磁電変換
素子のほぼ全体に樹脂を塗布したり、セラミック製ある
いはステンレススチ−ルなどの金属製の容器に密封して
収納する必要があった。その結果、磁電変換素子が大型
化すると共に、感磁部と共に用いる磁石と感磁部との距
離が大きくなるため、感度が低下するという問題があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するためになされたものであり、遮蔽膜を形成した基
板を用いて、耐湿性に優れた磁電変換素子を提供するも
のである。
決するためになされたものであり、遮蔽膜を形成した基
板を用いて、耐湿性に優れた磁電変換素子を提供するも
のである。
【０００９】本発明の請求項１に係る磁電変換素子は、
基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接続電極とが
形成され、前記感磁部と接続電極が保護膜で被覆された
磁電変換素子において、基板に遮蔽膜が形成されている
ことを特徴とする。
基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接続電極とが
形成され、前記感磁部と接続電極が保護膜で被覆された
磁電変換素子において、基板に遮蔽膜が形成されている
ことを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に係る磁電変換素子は、
前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アク
リル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有機
材料により形成されたことを特徴とする。
前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アク
リル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有機
材料により形成されたことを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項３に係る磁電変換素子は、
前記遮蔽膜が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケ
イ素のいずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは
硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛
のいずれかにより形成された非晶質薄膜からなる無機材
料により形成されたことを特徴とする。
前記遮蔽膜が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケ
イ素のいずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは
硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛
のいずれかにより形成された非晶質薄膜からなる無機材
料により形成されたことを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項４に係る磁電変換素子は、
前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アク
リル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかにより形成された
有機遮蔽膜と、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケ
イ素のいずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは
硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛
のいずれかにより形成された非晶質薄膜である無機遮蔽
膜とからなる二層構造を有することを特徴とする。
前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アク
リル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかにより形成された
有機遮蔽膜と、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケ
イ素のいずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは
硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛
のいずれかにより形成された非晶質薄膜である無機遮蔽
膜とからなる二層構造を有することを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に係る磁電変換素子の製
造方法は、基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接
続電極とを形成し、前記感磁部と接続電極とを保護膜で
被覆してなる磁電変換素子の製造方法において、基板に
遮蔽膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
造方法は、基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接
続電極とを形成し、前記感磁部と接続電極とを保護膜で
被覆してなる磁電変換素子の製造方法において、基板に
遮蔽膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項６に係る磁電変換素子の製
造方法は、前記遮蔽膜が酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、窒化ケイ素のいずれかから選択された多結晶薄膜か
らなり、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯ
Ｇ（スピンオングラス）法のいずれかから選択される方
法により形成することを特徴とする。
造方法は、前記遮蔽膜が酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、窒化ケイ素のいずれかから選択された多結晶薄膜か
らなり、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯ
Ｇ（スピンオングラス）法のいずれかから選択される方
法により形成することを特徴とする。
【００１５】本発明の請求項７に係る磁電変換素子の製
造方法は、前記遮蔽膜が硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミ
ニウム、硼酸アルカリ鉛のいずれかから選択された非晶
質薄膜からなり、基板に塗布しさらに熱処理して形成す
ることを特徴とする。
造方法は、前記遮蔽膜が硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミ
ニウム、硼酸アルカリ鉛のいずれかから選択された非晶
質薄膜からなり、基板に塗布しさらに熱処理して形成す
ることを特徴とする。
【００１６】
【作用】請求項１記載の磁電変換素子は、基板に遮蔽膜
が形成されているので、水や水に含まれる塩類が基板か
ら感磁部に侵入する事を防止できる。
が形成されているので、水や水に含まれる塩類が基板か
ら感磁部に侵入する事を防止できる。
【００１７】請求項２記載の磁電変換素子は、前記遮蔽
膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる緻密な有機
材料により形成されているので、水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入する事を確実に防止できる。
膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる緻密な有機
材料により形成されているので、水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入する事を確実に防止できる。
【００１８】請求項３記載の磁電変換素子は、前記遮蔽
膜が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素のい
ずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは硼酸鉛、
硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛のいずれ
かにより形成された非晶質薄膜からなる無機材料により
形成されているので、水や水に含まれる塩類が磁性体基
板から感磁部に侵入する事を確実に防止できる。
膜が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素のい
ずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは硼酸鉛、
硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛のいずれ
かにより形成された非晶質薄膜からなる無機材料により
形成されているので、水や水に含まれる塩類が磁性体基
板から感磁部に侵入する事を確実に防止できる。
【００１９】請求項４記載の磁電変換素子は、前記遮蔽
膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかにより形成された有機遮
蔽膜と、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素の
いずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは硼酸
鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛のい
ずれかにより形成された非晶質薄膜である無機遮蔽膜と
からなる二層構造を有するので、水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入する事をさらに確実に防止でき
る。
膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかにより形成された有機遮
蔽膜と、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素の
いずれかにより形成された多結晶薄膜、あるいは硼酸
鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛のい
ずれかにより形成された非晶質薄膜である無機遮蔽膜と
からなる二層構造を有するので、水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入する事をさらに確実に防止でき
る。
【００２０】請求項５記載の磁電変換素子の製造方法
は、基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接続電極
とを形成し、前記感磁部と接続電極とを保護膜で被覆し
てなる磁電変換素子の製造方法において、基板に遮蔽膜
を形成する工程を含むので、水や水に含まれる塩類が基
板から感磁部に侵入する事を確実に防止する遮蔽膜を有
する磁電変換素子を製造することができる。
は、基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、接続電極
とを形成し、前記感磁部と接続電極とを保護膜で被覆し
てなる磁電変換素子の製造方法において、基板に遮蔽膜
を形成する工程を含むので、水や水に含まれる塩類が基
板から感磁部に侵入する事を確実に防止する遮蔽膜を有
する磁電変換素子を製造することができる。
【００２１】請求項６記載の磁電変換素子の製造方法
は、前記遮蔽膜が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化
ケイ素のいずれかから選択された多結晶薄膜からなり、
スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯＧ（スピ
ンオングラス）法のいずれかの方法により形成するの
で、水や水に含まれる塩類が基板から感磁部に侵入する
事を確実に防止する遮蔽膜を有する磁電変換素子を製造
することができる。
は、前記遮蔽膜が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化
ケイ素のいずれかから選択された多結晶薄膜からなり、
スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯＧ（スピ
ンオングラス）法のいずれかの方法により形成するの
で、水や水に含まれる塩類が基板から感磁部に侵入する
事を確実に防止する遮蔽膜を有する磁電変換素子を製造
することができる。
【００２２】請求項７記載の磁電変換素子の製造方法
は、前記遮蔽膜が硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウ
ム、硼酸アルカリ鉛のいずれかから選択された非晶質薄
膜からなり、基板に塗布しさらに熱処理して形成するの
で、水や水に含まれる塩類が基板から感磁部に侵入する
事を確実に防止する遮蔽膜を有する磁電変換素子を製造
することができる。
は、前記遮蔽膜が硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウ
ム、硼酸アルカリ鉛のいずれかから選択された非晶質薄
膜からなり、基板に塗布しさらに熱処理して形成するの
で、水や水に含まれる塩類が基板から感磁部に侵入する
事を確実に防止する遮蔽膜を有する磁電変換素子を製造
することができる。
【００２３】
（実施例１）本発明の実施例に係る磁電変換素子２０を
図１〜図３を用いて説明する。図１は磁電変換素子２０
の断面図、図２は図１に示す磁電変換素子２０をＡ−Ａ
で切断した時の平面図、図３は磁電変換素子２０の製造
工程の途中を示す図である。なお図２の平面図は従来例
とほぼ同一である。また以下の説明において従来例と同
一の部分については同一の符号を付してその説明を省略
する。
図１〜図３を用いて説明する。図１は磁電変換素子２０
の断面図、図２は図１に示す磁電変換素子２０をＡ−Ａ
で切断した時の平面図、図３は磁電変換素子２０の製造
工程の途中を示す図である。なお図２の平面図は従来例
とほぼ同一である。また以下の説明において従来例と同
一の部分については同一の符号を付してその説明を省略
する。
【００２４】磁電変換素子２０は、マイカ基板１に、ミ
アンダライン形状を有するＩｎＳｂ膜からなる感磁部２
ａと、感磁部２ａの途中に断続的に多数形成されたショ
−トバ−３ａ．．．３ａとにより構成された磁気抵抗素
子パタ−ン４と、磁気抵抗素子パタ−ン４の両端に電気
的に接続し電極膜２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、３ｂとか
らなり二層構造を有する接続電極５、５と、磁気抵抗素
子パタ−ン４と接続電極５、５とを保護するための保護
膜６とが形成され、マイカ基板１の両面には表面に遮蔽
膜１３が形成された磁性体基板８ａ、８ｂが樹脂層７、
７により接着され、端面に露出した接続電極５、５に外
部用接続電極９、９が接続された構造を有している。
アンダライン形状を有するＩｎＳｂ膜からなる感磁部２
ａと、感磁部２ａの途中に断続的に多数形成されたショ
−トバ−３ａ．．．３ａとにより構成された磁気抵抗素
子パタ−ン４と、磁気抵抗素子パタ−ン４の両端に電気
的に接続し電極膜２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、３ｂとか
らなり二層構造を有する接続電極５、５と、磁気抵抗素
子パタ−ン４と接続電極５、５とを保護するための保護
膜６とが形成され、マイカ基板１の両面には表面に遮蔽
膜１３が形成された磁性体基板８ａ、８ｂが樹脂層７、
７により接着され、端面に露出した接続電極５、５に外
部用接続電極９、９が接続された構造を有している。
【００２５】上記構造の磁電変換素子２０の製造方法を
工程順に図３を参照して説明する。まず、図３（１）に
示すように、マイカ基板１にＩｎＳｂ膜１１を三温度法
により蒸着方法を用いて形成する。次に、図３（２）に
示すように、ＩｎＳｂ膜１１をフォトリソグラフィ−に
よりミアンダライン状にパタ−ン化し、感磁部２ａおよ
び電極膜２ｂ、２ｂを形成する。次に図３（３）に示す
ように、感磁部２ａおよび電極膜２ｂ、２ｂが形成され
た面にＡｌを上層、Ｔｉを下層として電気伝導性薄膜を
真空蒸着法により成膜し、これを電気良導性薄膜として
作用するショ−トバ−３ａ．．．３ａおよび電導性膜３
ｂ、３ｂとして、フォトリソグラフィ−により同時にパ
タ−ン形成する。感磁部２ａとショ−トバ−３ａ．．．
３ａにより磁気抵抗素子パタ−ン４が形成され、電極膜
２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、３ｂにより接続電極５、５
が形成される。さらにまた、図３（４）に示すように、
磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５とを保護する
ための保護膜６を、スパッタリングまたはＳＯＧ（スピ
ンオングラス）法などにより形成する。なお保護膜６に
用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係数がほぼ等しいシリ
カ、アルミナ、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどを
用いることができる。次に、図３（５）に示すように、
あらかじめ遮蔽膜１３を形成した磁性体基板８ａを、保
護膜６に樹脂層７により接着する。前記遮蔽膜１３はシ
ラノ−ル化合物溶液を表面に塗布し、オ−ブンを用いて
２００〜４５０℃で焼成し、ケイ素化合物からなる遮蔽
膜１３に形成したものであり、水分や水分に含まれる塩
類を遮蔽するように作用する。次に図３（６）に示すよ
うに、マイカ基板１に、遮蔽膜１３を形成した磁性体基
板８ｂをエポキシ樹脂からなる樹脂層７により接着す
る。
工程順に図３を参照して説明する。まず、図３（１）に
示すように、マイカ基板１にＩｎＳｂ膜１１を三温度法
により蒸着方法を用いて形成する。次に、図３（２）に
示すように、ＩｎＳｂ膜１１をフォトリソグラフィ−に
よりミアンダライン状にパタ−ン化し、感磁部２ａおよ
び電極膜２ｂ、２ｂを形成する。次に図３（３）に示す
ように、感磁部２ａおよび電極膜２ｂ、２ｂが形成され
た面にＡｌを上層、Ｔｉを下層として電気伝導性薄膜を
真空蒸着法により成膜し、これを電気良導性薄膜として
作用するショ−トバ−３ａ．．．３ａおよび電導性膜３
ｂ、３ｂとして、フォトリソグラフィ−により同時にパ
タ−ン形成する。感磁部２ａとショ−トバ−３ａ．．．
３ａにより磁気抵抗素子パタ−ン４が形成され、電極膜
２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、３ｂにより接続電極５、５
が形成される。さらにまた、図３（４）に示すように、
磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５とを保護する
ための保護膜６を、スパッタリングまたはＳＯＧ（スピ
ンオングラス）法などにより形成する。なお保護膜６に
用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係数がほぼ等しいシリ
カ、アルミナ、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどを
用いることができる。次に、図３（５）に示すように、
あらかじめ遮蔽膜１３を形成した磁性体基板８ａを、保
護膜６に樹脂層７により接着する。前記遮蔽膜１３はシ
ラノ−ル化合物溶液を表面に塗布し、オ−ブンを用いて
２００〜４５０℃で焼成し、ケイ素化合物からなる遮蔽
膜１３に形成したものであり、水分や水分に含まれる塩
類を遮蔽するように作用する。次に図３（６）に示すよ
うに、マイカ基板１に、遮蔽膜１３を形成した磁性体基
板８ｂをエポキシ樹脂からなる樹脂層７により接着す
る。
【００２６】以上の工程までは、一枚の磁性体基板の母
基板を用い多数個の磁電変換素子２０を同時に製造して
も良い。この場合次の工程の前に個々の磁電変換素子に
切り離す。
基板を用い多数個の磁電変換素子２０を同時に製造して
も良い。この場合次の工程の前に個々の磁電変換素子に
切り離す。
【００２７】次に、図１に示すように、個々に切断され
た磁電変換素子２０の端面に、接続電極５、５に接続す
るように外部接続用電極９、９を形成する。
た磁電変換素子２０の端面に、接続電極５、５に接続す
るように外部接続用電極９、９を形成する。
【００２８】以上の工程により磁電変換素子２０が製造
される。
される。
【００２９】なお本実施例においては、外部の素子と接
続するための外部接続用電極９、９を形成した例につい
て述べたが、リ−ド部材からなる外部接続用端子が接続
電極５、５に接続されていてもよい。
続するための外部接続用電極９、９を形成した例につい
て述べたが、リ−ド部材からなる外部接続用端子が接続
電極５、５に接続されていてもよい。
【００３０】さらに本実施例においては、磁性体基板８
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
【００３１】さらに本実施例においては、基板に形成す
る遮蔽膜はシラノ−ル樹脂を用いてケイ素化合物からな
る膜に形成する場合についてのべたが、緻密で水や水に
含まれる塩類が基板から感磁部に侵入することを防止で
きるならば、次に述べるように別の有機材料あるいは無
機材料から形成されていても良い。さらにまた二種以上
の有機材料あるいは無機材料を多層に形成した遮蔽膜を
形成しても良い。
る遮蔽膜はシラノ−ル樹脂を用いてケイ素化合物からな
る膜に形成する場合についてのべたが、緻密で水や水に
含まれる塩類が基板から感磁部に侵入することを防止で
きるならば、次に述べるように別の有機材料あるいは無
機材料から形成されていても良い。さらにまた二種以上
の有機材料あるいは無機材料を多層に形成した遮蔽膜を
形成しても良い。
【００３２】遮蔽膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有機材料
や、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、硼ケ
イ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛、マイカのい
ずれかから選ばれる無機材料を用いて形成することがで
きる。
脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有機材料
や、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、硼ケ
イ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛、マイカのい
ずれかから選ばれる無機材料を用いて形成することがで
きる。
【００３３】ポリイミド樹脂により遮蔽膜を形成する場
合は、シラノ−ル樹脂膜を形成する場合と同様に市販の
ポリイミド溶液を磁性体基板に塗布し、オ−ブンを用い
て９０〜３５０℃の温度により加熱すればよい。
合は、シラノ−ル樹脂膜を形成する場合と同様に市販の
ポリイミド溶液を磁性体基板に塗布し、オ−ブンを用い
て９０〜３５０℃の温度により加熱すればよい。
【００３４】またポリイミド樹脂に換えて、アクリル樹
脂やフェノ−ル樹脂を用いる場合にはポリイミド樹脂と
同様にすれば良い。
脂やフェノ−ル樹脂を用いる場合にはポリイミド樹脂と
同様にすれば良い。
【００３５】多結晶薄膜により遮蔽膜を形成する場合
は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素のいず
れかから選ばれる無機材料を用いて、スパッタリング、
ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯＧ（スピンオングラス）法
のいずれかから選ばれる方法により形成することができ
る。また非晶質薄膜による遮蔽膜を形成するには、硼ケ
イ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛いずれかから
選ばれる無機材料を塗布したのち、軟化点よりも高い温
度に昇温し、ガラス化して遮蔽膜とすることができる。
このときの熱処理温度は、６００〜８００℃が良い。
は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素のいず
れかから選ばれる無機材料を用いて、スパッタリング、
ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯＧ（スピンオングラス）法
のいずれかから選ばれる方法により形成することができ
る。また非晶質薄膜による遮蔽膜を形成するには、硼ケ
イ酸、硼酸アルミニウム、硼酸アルカリ鉛いずれかから
選ばれる無機材料を塗布したのち、軟化点よりも高い温
度に昇温し、ガラス化して遮蔽膜とすることができる。
このときの熱処理温度は、６００〜８００℃が良い。
【００３６】なお多結晶薄膜を形成せずに、マイカ基板
を遮蔽膜として作用するように樹脂により接着しても良
い。
を遮蔽膜として作用するように樹脂により接着しても良
い。
【００３７】さらに無機材料による遮蔽膜の上層には、
例えば紫外線硬化型のアクリル樹脂をさらに形成しても
よい。その形成条件は、例えば、アクリル樹脂モノマ−
を無機材料による遮蔽膜に塗布し、紫外線を２分間照射
し、２００℃で１０分間硬化して、遮蔽膜とする方法が
良い。
例えば紫外線硬化型のアクリル樹脂をさらに形成しても
よい。その形成条件は、例えば、アクリル樹脂モノマ−
を無機材料による遮蔽膜に塗布し、紫外線を２分間照射
し、２００℃で１０分間硬化して、遮蔽膜とする方法が
良い。
【００３８】さらにまた遮蔽膜は樹脂層で接着する面に
形成しなくてもよく、最外面に形成しても同様の効果が
得られる。
形成しなくてもよく、最外面に形成しても同様の効果が
得られる。
【００３９】（実施例２）本発明の別の実施例に係る磁
電変換素子３０の製造方法を図４を用いて説明する。な
お本実施例に係る磁電変換素子３０は実施例１と同一の
構造を有するが、感磁部がＩｎＳｂバルクウェハ−を用
いて製造されたものである。
電変換素子３０の製造方法を図４を用いて説明する。な
お本実施例に係る磁電変換素子３０は実施例１と同一の
構造を有するが、感磁部がＩｎＳｂバルクウェハ−を用
いて製造されたものである。
【００４０】まず図４（１）に示すように、磁性体基板
８ａを準備し、シラノ−ル化合物溶液を表面に塗布し、
オ−ブンを用いて２００〜４５０℃で焼成することによ
り、ケイ素化合物からなる遮蔽膜１３を形成する。この
ケイ素化合物は、水分や外部環境に含まれる気体が磁性
体基板８ａから磁気抵抗素子パタ−ン４に侵入すること
を防ぐように作用する。次に図４（２）に示すように、
磁性体基板８ａに遮蔽膜１３を形成した面にＩｎＳｂバ
ルクウェハ１４を樹脂層７を介して接着する。次に図４
（３）に示すように、ＩｎＳｂバルクウェハ１４を厚さ
５μｍとなるまでラッピング加工またはエッチング加工
を施しＩｎＳｂ膜１１とする。次に図４（４）に示すよ
うに、フォトリソグラフィによりＩｎＳｂ膜１１を感磁
部２ａと電極膜２ｂ、２ｂに形成する。次に図４（５）
に示すように、基板表面にＡｌを上層、Ｔｉを下層とし
て真空蒸着法により成膜し、これをショ−トバ−３
ａ．．．３ａと電導性膜３ｂ、３ｂとしてフォトリソグ
ラフィ−により同時にパタ−ン形成する。感磁部２ａと
ショ−トバ−３ａ．．．３ａとにより磁気抵抗素子パタ
−ン４が構成され、電極膜２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、
３ｂとにより接続電極５、５が構成される。磁性体基板
８ａ上に形成された一対の感磁部２ａの両端はそれぞれ
接続電極５、５に接続されている。次に、図４（６）に
示すように、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５
とを保護するための保護膜６を、スパッタリングまたは
ＳＯＧ（スピンオングラス）法などにより形成する。な
お保護膜６に用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係数がほ
ぼ等しいシリカ、アルミナ、窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムなどを用いることができる。次に図４（７）に示
すように、樹脂層７を介して、保護膜６に、あらかじめ
遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ｂを接着する。
８ａを準備し、シラノ−ル化合物溶液を表面に塗布し、
オ−ブンを用いて２００〜４５０℃で焼成することによ
り、ケイ素化合物からなる遮蔽膜１３を形成する。この
ケイ素化合物は、水分や外部環境に含まれる気体が磁性
体基板８ａから磁気抵抗素子パタ−ン４に侵入すること
を防ぐように作用する。次に図４（２）に示すように、
磁性体基板８ａに遮蔽膜１３を形成した面にＩｎＳｂバ
ルクウェハ１４を樹脂層７を介して接着する。次に図４
（３）に示すように、ＩｎＳｂバルクウェハ１４を厚さ
５μｍとなるまでラッピング加工またはエッチング加工
を施しＩｎＳｂ膜１１とする。次に図４（４）に示すよ
うに、フォトリソグラフィによりＩｎＳｂ膜１１を感磁
部２ａと電極膜２ｂ、２ｂに形成する。次に図４（５）
に示すように、基板表面にＡｌを上層、Ｔｉを下層とし
て真空蒸着法により成膜し、これをショ−トバ−３
ａ．．．３ａと電導性膜３ｂ、３ｂとしてフォトリソグ
ラフィ−により同時にパタ−ン形成する。感磁部２ａと
ショ−トバ−３ａ．．．３ａとにより磁気抵抗素子パタ
−ン４が構成され、電極膜２ｂ、２ｂと電導性膜３ｂ、
３ｂとにより接続電極５、５が構成される。磁性体基板
８ａ上に形成された一対の感磁部２ａの両端はそれぞれ
接続電極５、５に接続されている。次に、図４（６）に
示すように、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極５、５
とを保護するための保護膜６を、スパッタリングまたは
ＳＯＧ（スピンオングラス）法などにより形成する。な
お保護膜６に用いる材料にはＩｎＳｂと熱膨脹係数がほ
ぼ等しいシリカ、アルミナ、窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムなどを用いることができる。次に図４（７）に示
すように、樹脂層７を介して、保護膜６に、あらかじめ
遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ｂを接着する。
【００４１】以上の工程までは、一枚の磁性体基板の母
基板を用い多数個の磁電変換素子３０を同時に製造して
も良い。この場合次の工程の前に個々の磁電変換素子に
切り離す。
基板を用い多数個の磁電変換素子３０を同時に製造して
も良い。この場合次の工程の前に個々の磁電変換素子に
切り離す。
【００４２】次に図４（８）に示すように、個々に切断
された磁電変換素子３０の端面に、接続電極５、５に接
続するように外部接続用電極９、９を形成する。
された磁電変換素子３０の端面に、接続電極５、５に接
続するように外部接続用電極９、９を形成する。
【００４３】以上の工程により磁電変換素子３０が製造
される。
される。
【００４４】なお本実施例においては、外部の素子と接
続するための外部接続用電極９、９を形成した例につい
て述べたが、リ−ド部材からなる外部接続用端子が接続
電極５、５に接続されていてもよい。
続するための外部接続用電極９、９を形成した例につい
て述べたが、リ−ド部材からなる外部接続用端子が接続
電極５、５に接続されていてもよい。
【００４５】さらに本実施例においては、磁性体基板８
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
【００４６】さらにまた本実施例においては、基板に形
成する遮蔽膜は、シラノ−ル樹脂を用いてケイ素化合物
で形成する場合についてのべたが、緻密で水や水に含ま
れる塩類を通さないものであれば、ポリイミド樹脂、ア
クリル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有
機材料、あるいは酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化
ケイ素、硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸ア
ルカリ鉛のいずれかから選ばれる無機材料から形成され
ていても良いし、有機材料と無機材料とを複数層形成し
てもよい。
成する遮蔽膜は、シラノ−ル樹脂を用いてケイ素化合物
で形成する場合についてのべたが、緻密で水や水に含ま
れる塩類を通さないものであれば、ポリイミド樹脂、ア
クリル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから選ばれる有
機材料、あるいは酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化
ケイ素、硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼酸ア
ルカリ鉛のいずれかから選ばれる無機材料から形成され
ていても良いし、有機材料と無機材料とを複数層形成し
てもよい。
【００４７】なお多結晶薄膜を形成せずに、マイカ基板
を遮蔽膜として作用するように樹脂により接着しても良
い。
を遮蔽膜として作用するように樹脂により接着しても良
い。
【００４８】さらに遮蔽膜は樹脂層で接着する面に形成
しなくてもよく、最外面に形成しても同様の効果が得ら
れる。
しなくてもよく、最外面に形成しても同様の効果が得ら
れる。
【００４９】（実施例３）本発明の別の実施例に係る磁
電変換素子４０を図５を用いて説明する。
電変換素子４０を図５を用いて説明する。
【００５０】図５は磁電変換素子４０の断面図である。
なお実施例１で説明した磁電変換素子２０と同一の部分
については同一の符号を用いその説明を省略する。
なお実施例１で説明した磁電変換素子２０と同一の部分
については同一の符号を用いその説明を省略する。
【００５１】図５に示すように、磁電変換素子４０は、
マイカ基板１に、ミアンダライン形状を有するＩｎＳｂ
膜からなる感磁部２ａと、その感磁部２ａの表面に断続
的に多数形成されたショ−トバ−３ａ．．．３ａとによ
り構成された磁気抵抗素子パタ−ン４と、磁気抵抗素子
パタ−ン４の両端に電気的に接続された電極膜２ｂ、２
ｂと電導性膜３ｂ、３ｂとからなる二層構造を有する接
続電極５、５と、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極
５、５とを保護するための保護膜６とを有している。保
護膜６には遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ａが、
マイカ基板１には磁性体基板８ｂが、それぞれ樹脂層７
により接着され、さらに端面に露出した接続電極５、５
に外部用接続電極９、９が接続されている。なお磁性体
基板８ｂには遮蔽膜は形成されていない。
マイカ基板１に、ミアンダライン形状を有するＩｎＳｂ
膜からなる感磁部２ａと、その感磁部２ａの表面に断続
的に多数形成されたショ−トバ−３ａ．．．３ａとによ
り構成された磁気抵抗素子パタ−ン４と、磁気抵抗素子
パタ−ン４の両端に電気的に接続された電極膜２ｂ、２
ｂと電導性膜３ｂ、３ｂとからなる二層構造を有する接
続電極５、５と、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続電極
５、５とを保護するための保護膜６とを有している。保
護膜６には遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ａが、
マイカ基板１には磁性体基板８ｂが、それぞれ樹脂層７
により接着され、さらに端面に露出した接続電極５、５
に外部用接続電極９、９が接続されている。なお磁性体
基板８ｂには遮蔽膜は形成されていない。
【００５２】本実施例に係る磁電変換素子４０において
も、磁性体基板８ａに形成された遮蔽膜１３が、水や水
に含まれる塩類が外部から磁性体基板を通過して、磁気
抵抗素子パタ−ン４に浸透する事を防止する。なおマイ
カ基板１は水を通過させないので、磁性体基板８ｂに遮
蔽膜が形成されていなくても、水が磁気抵抗素子パタ−
ンにまで浸透することはない。
も、磁性体基板８ａに形成された遮蔽膜１３が、水や水
に含まれる塩類が外部から磁性体基板を通過して、磁気
抵抗素子パタ−ン４に浸透する事を防止する。なおマイ
カ基板１は水を通過させないので、磁性体基板８ｂに遮
蔽膜が形成されていなくても、水が磁気抵抗素子パタ−
ンにまで浸透することはない。
【００５３】さらに本実施例においては、磁性体基板８
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
ａ、８ｂを用いて磁電変換素子を形成する場合について
述べたが、アルミナ、フォルステライト、ムライトなど
のセラミック基板を用いてもよい。
【００５４】さらにまた遮蔽膜１３を形成する材料やそ
の形成方法は、実施例１に示したように有機材料や無機
材料だけでなくそれらを多層に形成することにより遮蔽
膜１３を構成しても良いことはいうまでもない。
の形成方法は、実施例１に示したように有機材料や無機
材料だけでなくそれらを多層に形成することにより遮蔽
膜１３を構成しても良いことはいうまでもない。
【００５５】（実施例４）本発明に係る別の実施例に係
る磁電変換素子５０を図６を用いて説明する。
る磁電変換素子５０を図６を用いて説明する。
【００５６】図６は磁電変換素子５０の断面図である。
なお実施例１と同一の部分については同一の符号を用い
その説明を省略する。
なお実施例１と同一の部分については同一の符号を用い
その説明を省略する。
【００５７】磁電変換素子５０は、マイカ基板１に、ミ
アンダライン形状を有するＩｎＳｂ膜からなる感磁部２
ａと、感磁部２ａの途中に断続的に多数形成されたショ
−トバ−３ａ．．．３ａとにより構成された磁気抵抗素
子パタ−ン４と、磁気抵抗素子パタ−ン４の両端に接続
する接続電極５、５と、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続
電極５、５とを保護するための保護膜６とが形成され、
マイカ基板１の、磁気抵抗素子パタ−ン４が形成されて
いない面に遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ａが樹
脂層７により接着され、端面に露出した接続電極５、５
に外部用接続電極９、９が接続された構造を有してい
る。
アンダライン形状を有するＩｎＳｂ膜からなる感磁部２
ａと、感磁部２ａの途中に断続的に多数形成されたショ
−トバ−３ａ．．．３ａとにより構成された磁気抵抗素
子パタ−ン４と、磁気抵抗素子パタ−ン４の両端に接続
する接続電極５、５と、磁気抵抗素子パタ−ン４と接続
電極５、５とを保護するための保護膜６とが形成され、
マイカ基板１の、磁気抵抗素子パタ−ン４が形成されて
いない面に遮蔽膜１３が形成された磁性体基板８ａが樹
脂層７により接着され、端面に露出した接続電極５、５
に外部用接続電極９、９が接続された構造を有してい
る。
【００５８】磁電変換素子５０を構成する各部分の材料
やその形成方法は、実施例１、実施例２もしくは実施例
３と同様である。
やその形成方法は、実施例１、実施例２もしくは実施例
３と同様である。
【００５９】このような構成の磁電変換素子５０は、マ
イカ基板１が緻密で水や水に含まれる塩類を通さないの
で遮蔽膜として作用する。さらに磁気抵抗素子パタ−ン
４と被検出体との距離を小さくできるので、感度が向上
する。
イカ基板１が緻密で水や水に含まれる塩類を通さないの
で遮蔽膜として作用する。さらに磁気抵抗素子パタ−ン
４と被検出体との距離を小さくできるので、感度が向上
する。
【００６０】
【発明の効果】本発明の磁電変換素子は、有機材料、無
機材料、あるいは有機材料と無機材料とを組み合わせた
材料を用いて、あらかじめ遮蔽膜を形成した基板を用い
た構成を有している。そのために水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入することがなくなるので、耐湿
性に優れた感磁部を有する磁気抵抗素子を得る事ができ
る。
機材料、あるいは有機材料と無機材料とを組み合わせた
材料を用いて、あらかじめ遮蔽膜を形成した基板を用い
た構成を有している。そのために水や水に含まれる塩類
が基板から感磁部に侵入することがなくなるので、耐湿
性に優れた感磁部を有する磁気抵抗素子を得る事ができ
る。
【図１】本発明に係る一実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る一実施例磁電変換素子の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係る一実施例磁電変換素子の製造途中
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明に係る別の実施例磁電変換素子の製造途
中の断面図である。
中の断面図である。
【図５】本発明に係る別の実施例磁電変換素子の断面図
である。
である。
【図６】本発明に係る別の実施例磁電変換素子の断面図
である。
である。
【図７】従来の磁電変換素子の断面図である。
【図８】従来の磁電変換素子の平面図である。
１ マイカ基板 １ａ 保護膜 ２ａ 感磁部 ２ｂ 電極膜 ３ａ ショ−トバ− ３ｂ 電導性膜 ４ 磁気抵抗素子パタ
−ン ５ 接続電極 ６ 保護膜 ７ 樹脂層 ８ａ、８ｂ 磁性体基板 ９ 外部接続用電極 １０ 外装樹脂 １１ ＩｎＳｂ膜 １３ 遮蔽膜 １４ ＩｎＳｂバルクウ
ェハ ２０、３０、４０、５０、６０ 磁電変換素子
−ン ５ 接続電極 ６ 保護膜 ７ 樹脂層 ８ａ、８ｂ 磁性体基板 ９ 外部接続用電極 １０ 外装樹脂 １１ ＩｎＳｂ膜 １３ 遮蔽膜 １４ ＩｎＳｂバルクウ
ェハ ２０、３０、４０、５０、６０ 磁電変換素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木曽 美文 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (7)
- 【請求項１】基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、
接続電極とが形成され、前記感磁部と接続電極が保護膜
で被覆された磁電変換素子において、基板に遮蔽膜が形
成されていることを特徴とする磁電変換素子。 - 【請求項２】前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミ
ド樹脂、アクリル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかから
選ばれる有機材料により形成されたことを特徴とする請
求項１記載の磁電変換素子。 - 【請求項３】前記遮蔽膜が、酸化ケイ素、酸化アルミニ
ウム、窒化ケイ素のいずれかにより形成された多結晶薄
膜、あるいは硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼
酸アルカリ鉛のいずれかにより形成された非晶質薄膜か
らなる無機材料により形成されたことを特徴とする請求
項１記載の磁電変換素子。 - 【請求項４】前記遮蔽膜が、シラノ−ル樹脂、ポリイミ
ド樹脂、アクリル樹脂、フェノ−ル樹脂のいずれかによ
り形成された有機遮蔽膜と、酸化ケイ素、酸化アルミニ
ウム、窒化ケイ素のいずれかにより形成された多結晶薄
膜、あるいは硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アルミニウム、硼
酸アルカリ鉛のいずれかにより形成された非晶質薄膜で
ある無機遮蔽膜とからなる二層構造を有することを特徴
とする請求項１記載の磁電変換素子。 - 【請求項５】基板に、磁気抵抗効果を有する感磁部と、
接続電極とを形成し、前記感磁部と接続電極とを保護膜
で被覆してなる磁電変換素子の製造方法において、基板
に遮蔽膜を形成する工程を含むことを特徴とする磁電変
換素子の製造方法。 - 【請求項６】前記遮蔽膜が酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、窒化ケイ素のいずれかから選択された多結晶薄膜か
らなり、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、ＳＯ
Ｇ（スピンオングラス）法のいずれかから選択される方
法により形成することを特徴とする請求項５記載の磁電
変換素子の製造方法。 - 【請求項７】前記遮蔽膜が硼酸鉛、硼ケイ酸、硼酸アル
ミニウム、硼酸アルカリ鉛のいずれかから選択された非
晶質薄膜からなり、基板に塗布しさらに熱処理して形成
することを特徴とする請求項５記載の磁電変換素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7042073A JPH08236835A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 磁電変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7042073A JPH08236835A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 磁電変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236835A true JPH08236835A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12625898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7042073A Pending JPH08236835A (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 磁電変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026425A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 磁電変換素子およびそれを用いた磁器センサおよび磁電変換素子の製造方法 |
| JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
| JP2013174542A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Alps Green Devices Co Ltd | 電流センサ及びその作製方法 |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP7042073A patent/JPH08236835A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026425A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 磁電変換素子およびそれを用いた磁器センサおよび磁電変換素子の製造方法 |
| JP2012163369A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁気センサ、磁気センサモジュール、磁気センサの製造方法 |
| JP2013174542A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Alps Green Devices Co Ltd | 電流センサ及びその作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060228 |