JPH02187080A - 薄膜熱電対 - Google Patents

薄膜熱電対

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Publication number
JPH02187080A
JPH02187080A JP1006369A JP636989A JPH02187080A JP H02187080 A JPH02187080 A JP H02187080A JP 1006369 A JP1006369 A JP 1006369A JP 636989 A JP636989 A JP 636989A JP H02187080 A JPH02187080 A JP H02187080A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
thermocouple
film thermocouple
electrode
vapor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1006369A
Other languages
English (en)
Inventor
Shusuke Gamo
秀典 蒲生
Toshiro Nagase
俊郎 長瀬
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、表面温度を測定するのに好適な薄膜熱電対に
関するものである。
〈従来技術およびその課題〉 通常の熱電対や抵抗式の感温素子では、境界層の厚みや
気泡の大きさなどの伝熱を律する特性長に比べて検出部
の大きさが必ずしも十分に小さ（ないために、伝熱現象
が影響を受けたり、正値な表面温度の測定がむずかしく
なる場合が少なくない、また、これらの検出部の熱容量
も大きいため、必要な応答速度が得られなかったり、伝
熱面に余分な熱容量を付加する結果となることも多い。
このような問題に対して熱容量の小さい薄膜感温素子が
考案されている。このうち薄膜熱電対は、金属・半導体
を用いた抵抗式よりも自己発熱がない、材料が安価であ
るなどの利点がある。しかしながら、薄膜熱電対の場合
同材質の薄膜とワイヤを接続する必要があり、電極の取
り出しが困難であるという問題があった。
〈発明の目的〉 本発明は上述の従来の薄膜熱電対の問題点に鑑みてなさ
れたもので、容易にかつ確実に電極の引出しが行える薄
膜熱電対を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 絶縁性基板上に形成された薄膜熱電対の電極引出部が、
素子部と同一材質の蒸着薄膜層、メッキ層の順で積層さ
れ、全体が絶縁性保護膜で覆われさらに電極引出部のリ
ード線が、蒸着薄膜層、メッキ層の間に挟み込まれ、か
つ絶縁性基板の溝に埋め込まれて固定された構造とした
ことで上記課題を解決した。
く作用〉 本発明による薄膜熱電対は、上述のように電極引出部の
リード線を蒸着薄膜層、メッキ層の間に挟み込み、かつ
絶縁性基板の溝に埋め込んで固定したので、電極の接続
と引出しが容易にかつ確実に行なえるものとなる。
〈実施例〉 本発明の実施例を図面を参照して詳述する。
第１図、第２図には、薄膜熱電対の素子部の平面図及び
断面図が示されている。まず、ガラス、セラミックス等
絶縁性基板工上に熱電対を形成するための第一の金属薄
膜２としてＮｉを電子ビーム蒸着法等により２０００人
程度０厚みに作製する。
このとき薄膜のパターン形成は、所定形状に形成された
金属製治具（以下メタルマスクという）を基板表面の所
定位置に密着して配置して行なう。
従って、成膜後のフォトリソグラフィー法等によるバタ
ーニング操作は必要としない１次に、第二の金属薄膜３
としてＦｅを電子ビーム蒸着法等により２０００人程度
０厚みに作製する。この場合も、上記と同櫂にメタルマ
スクを使用しパターン形成を行なう。
さらに薄膜熱電対素子部の保護のために、絶縁性保護膜
８として、プラズマＣＶＤ装置を用いて５ｉＮＸＷＡを
２０００〜５０００人程度成膜する。変色とき、電極引
出部は後の加工のために保護膜が堆積しないようにメタ
ルマスクで覆ってお（。
その後、電極引出部を加工する。その工程を第３図を用
いて説明する。絶縁性基板１は、あらかじめ電極引出し
用ワイヤを埋め込むためにエツチング等により溝が掘ら
れている。また上述の素子作製工程までに、絶縁性基板
１上の電橋用蒸着薄膜層（Ｎｉ）２．（Ｆｅ）３は、既
に作製されている。
まず、蒸着ＤＩ膜層（Ｎｉ）２の上にＮｉワイヤ４を溝
に埋め込む、ワイヤはボンディング用程度の太さのもの
、例えば３０μ程度のものを用いる。
したがって、上述の絶縁性基板１の溝の深さはこれと同
程度とする。このときのワイヤの埋め込みの形状は種々
考えられるが二個を第４図、第５図に示した。
次に、Ｎｉワイヤ４を埋め込んだ蒸着薄膜層（Ｎｉ）２
を一方の電極として、この上にＮｉを電気メッキ法によ
り３００μ程度堆積し、メッキ層（Ｎｉ）５を形成する
。もう一方の薄膜熱電対の取り出し電極についても同様
に、蒸着薄膜１１（Ｆｅ）３、Ｆｅワイヤ６埋め込み部
、メッキ層（Ｆｅ）７、を順次積層して作製する。最後
に、画電極の薄膜とワイヤの接続部全体を、補強のため
に樹脂等の絶縁性保護膜９で覆う。
実施例においては、薄膜熱電対の材質はＮ１１Ｆｅで記
述したが、使用温度範囲、使用環境等により他の材料の
組合せを用いても本発明は有効である。
〈発明の効果〉 以上、詳細に説明したように本発明により、容易にかつ
確実に、電極の接続と引出しが行える薄膜熱電対となる
ものであり、基板表面温度測定に第１図は、本発明の薄
膜熱電対の一実施例を示す平面図である。
第２図は、第１図のＡ−Ａ’線に沿って切った本発明の
薄膜熱電対の素子部の断面図である。
第３図は、第１図のＢ−Ｂ’線に沿って切った本発明の
薄膜熱電対の電極引出部の断面図である。
第４図は、本発明の薄膜熱電対の電極引出部の金属ワイ
ヤの埋め込み形状の一例を示す平面図である。
第５図は、本発明の薄膜熱電対の電極引出部の金属ワイ
ヤの埋め込み形状の一例を示す平面図である。
！・・・絶縁性基板 ２・・・熱電対第一金属１１膜 ３・・・熱電対第二金属薄膜 ４・・・第一金属ワイヤ ５・・・第一金属メッキ層 ６・・・第二金属ワイヤ ７・・・第二金属メッキ層 ８・・・素子部表面保護膜 ９・・・電極引山部保護膜 許　　　出　　　願　　　人 凸版印刷株式会社 代表者　鈴木和夫 特 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁性基板上に形成された薄膜熱電対の電極引出部が、
    素子部と同一材質の蒸着薄膜層、メッキ層の順で積層さ
    れ、全体が絶縁性保護膜で覆われ、さらに電極引出部の
    リード線が、蒸着薄膜層、メッキ層の間に挟み込まれ、
    かつ絶縁性基板の溝に埋め込まれて固定されていること
    を特徴とする薄膜熱電対。
JP1006369A 1989-01-13 1989-01-13 薄膜熱電対 Pending JPH02187080A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1006369A JPH02187080A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 薄膜熱電対

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1006369A JPH02187080A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 薄膜熱電対

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JPH02187080A true JPH02187080A (ja) 1990-07-23

Family

ID=11636455

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JP1006369A Pending JPH02187080A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 薄膜熱電対

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