JPH08236863A - 光学装置及び記録媒体再生装置 - Google Patents

光学装置及び記録媒体再生装置

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JPH08236863A
JPH08236863A JP7037017A JP3701795A JPH08236863A JP H08236863 A JPH08236863 A JP H08236863A JP 7037017 A JP7037017 A JP 7037017A JP 3701795 A JP3701795 A JP 3701795A JP H08236863 A JPH08236863 A JP H08236863A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型化が可能で大量生産が可能であると共
に、戻り光の状態にかかわらず一定の動作で戻り光の検
出が可能な光学装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ等のレーザ光源３から出射され
る出射光が被照射体にて反射して得られる戻り光の焦点
位置近傍に配置された反射鏡１１と、反射鏡１１の第
一、第二の反射面ＭA 、ＭB に対向して配置された受光
部としてのフォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ3A、
ＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bとを有し、反射面ＭA 、ＭB
は、上記戻り光の一部を反射するように配置され、上記
受光部において信号を検出するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光部から出射される
出射光が被照射体にて反射して得られる戻り光を受光し
て信号を検出する光学装置と、この光学装置を適用して
好ましい記録媒体再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学装置、いわゆるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）プレーヤ等の光ディスクドライブや光磁
気ディスクドライブの光ピックアップ部では、グレーテ
ィングやビームスプリッタ等の各光部品を個別に組み立
てるため、その装置構成が比較的大がかりとなり、ま
た、光学的な配置設定が煩雑なため製造工程の簡易化を
図り難いという問題がある。
【０００３】例えば、図３７にその一例の略線的拡大構
成図を示すように、半導体レーザダイオード等の光源５
１から出射された光は、グレーティング５２を介してビ
ームスプリッタ５３に導入されて透過し、コリメータレ
ンズ５４を介して対物レンズ５５により光記録媒体５６
例えばいわゆる光ディスクの表面の記録部に集光するよ
うになされる。図３７において、一点鎖線ｃは光源５１
から光記録媒体５６への光軸を示す。
【０００４】そして、光記録媒体５６から反射された光
は、対物レンズ５５、コリメータレンズ５４を介してビ
ームスプリッタ５３により反射されて、光軸ｃから分離
され、側方に設けられた凹レンズ５７及びシリンドリカ
ルレンズ５８を介してフォトダイオード（ＰＤ）等のデ
ィテクタ５９に集光されて検出される。
【０００５】あるいは、また、他の光学装置としては、
例えば図３８に反射型の光走査顕微鏡の光ピックアップ
部の一例の構成を示すように、光源５１から出射された
光を一旦ビームスプリッタ５３により反射させて、対物
レンズ５５により集光させて試料６０の表面に照射す
る。破線６１は、焦平面を示す。そして試料６０で反射
された光を、対物レンズ５５を介してビームスプリッタ
５３を透過させ、共焦点位置にディテクタを配置するか
あるいはピンホール６２を配してここを通過した光をそ
の後方に配置したディテクタ５９により検出する。この
とき矢印ｓで示すように、試料６０を配置するステージ
（載置台）か又は照射ビームを相対的に走査させて、試
料表面の状態を検出することができる。
【０００６】このように、従来のピックアップ系の装置
においては、反射光が必ず出射位置に戻ることから、光
源からのレーザ光と被照射対との間にビームスプリッタ
やホログラムを配置して、これにより入射光や戻り光を
分離するようになされており、受光素子が受ける光量は
小さくなる（例えば特開平２−２７８７７９号公開公
報、特開平１−３０３６３８号公開公報）。
【０００７】また、例えば上述の光学ピックアップ装置
等を同一のＳｉ等の半導体基板上にハイブリッドに組み
立てようとすると、厳しいアライメント精度が必要にな
る（例えば特開平２−２７８７７９号公開公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、受光素子が
受ける光量を可能な限り大きくするため、本件出願人
は、特願平５−２１０６９１号の明細書及び図面におい
て、光学装置を提案している。
【０００９】上記光学装置は、少なくとも発光部と、上
記発光部に近接した受光部とが設けられ、上記発光部か
らの直接の戻り光が上記受光部に入射されることを特徴
とするものである。
【００１０】上記光学装置は、上記発光部からの直接の
戻り光が、レンズの開口数ＮＡを０．９、出射光の波長
を７８０ｎｍ程度とした場合、１．２２λ／ＮＡにより
定められる光の回折限界が１０μｍ程度と大きくなるこ
とを利用することにより、信号の検出が可能とされる。
【００１１】また、上記光学装置によれば、上記戻り光
をビームスプリッタにより分離する必要がないため、光
学部品数を削減してその組み立てを簡単化すると共に装
置の小型化を可能とし、且つ戻り光量を増加させて検出
効率を向上させ、また、低消費電力化を図ることができ
る。
【００１２】ところで、光学装置に用いる光学素子は小
型化と大量生産が可能であって、例えばフォーカスエラ
ー信号やトラッキングエラー信号等を得るためには、例
えばディスク状記録媒体の回転動作の状態にかかわら
ず、一定動作で戻り光を検出する光学素子を用いること
が望まれる。また、偏光変調成分を伴う光磁気信号を検
出するためには、偏光分離を行った上で戻り光の検出を
行うことのできる光学素子を用いることが望まれる。
【００１３】そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて
なされたものであり、小型化が可能で大量生産が可能で
あると共に、戻り光の状態にかかわらず一定の動作で戻
り光の検出が可能な光学装置を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光学装置は、上
述の問題を解決するために、被照射体からの光の焦点位
置近傍に配置された反射部と、上記反射部の反射面に対
向して配置された受光部とを有し、上記反射面は、上記
被照射体からの光の一部を反射するように配置され、上
記受光部において信号を検出するものである。
【００１５】また、上記受光部は、少なくとも２以上の
受光素子から成り、上記反射部をナイフエッジとしてフ
ォーカスエラー信号を検出することが挙げられる。
【００１６】また、上記受光部は、少なくとも２以上の
受光素子から成り、上記２以上の受光素子の少なくとも
１つは、上記被照射体からの光を偏光分離して検出する
受光素子であることが挙げられる。
【００１７】また、本発明の光学装置は、発光部と、上
記発光部からの出射光を反射する出射光反射面及び受光
用反射面を少なくとも有する反射部と、少なくとも１以
上の受光部とを有し、上記反射部は、上記発光部から出
射される出射光が被照射体にて反射して得られる戻り光
の焦点位置近傍に配置され、上記発光部は、上記出射光
反射面に対向して配置され、上記受光部は、上記受光用
反射面に対向して配置されるものである。
【００１８】また、上記反射部の上記受光用反射面は、
第一の反射面と、第二の反射面とを有し、上記受光部
は、上記第一の反射面に対向する第一の受光部と、上記
第二の反射面に対向する第二の受光部とから成ることが
挙げられる。
【００１９】また、本発明の記録媒体再生装置は、光学
記録媒体に光を照射して得られる戻り光を検出し、再生
する記録媒体再生装置において、上記光学記録媒体に照
射する光を出射する発光部と、上記発光部から出射され
る光を上記光学記録媒体上に集光させる集光手段と、上
記戻り光の焦点位置近傍に配置された戻り光反射部と上
記戻り光反射部の反射面に対向して配置された受光部と
を有すると共に、上記反射面は上記戻り光の一部を反射
するように配置され上記受光部において信号を検出する
光学装置と、上記光学装置にて検出した信号に基づいて
上記光学記録媒体の内容を再生する再生部とを有するも
のである。
【００２０】
【作用】本発明の光学装置によれば、レーザ光を例えば
記録媒体に照射し得られる戻り光は、反射部表面に設け
られる反射面にて反射する。さらに、例えばフォトダイ
オード等の受光部にて上記戻り光を検出することで信号
が検出される。
【００２１】また、上記反射部をナイフエッジとして用
いることで、上記光磁気信号としてフォーカスエラー信
号が得られる。
【００２２】さらに、複数設けた上記受光部の受光素子
の少なくとも１つを偏光分離して検出する受光素子にす
ることで、例えば光磁気ディスク上の偏光変調成分を復
号化処理する際の光磁気信号の検出が可能である。
【００２３】また、上記受光部の構成を複数の受光素子
例えば２つで構成することで、各受光素子に対応する反
射面を上記反射部の設ければ、第一の受光部と第二の受
光部とで検出した上記戻り光から、例えばトラッキング
エラー信号を得ることができる。
【００２４】また、本発明の記録媒体再生装置によれ
ば、発光部から出射された光例えばレーザ光は集光手段
を透過し光学記録媒体上に集光する。この光学記録媒体
にて反射した戻り光は、光学素子に入射し、この光学素
子の反射面にて反射しこの反射面に対向して設けられた
受光素子にて検出され、この検出結果に基づいて、再生
部にて上記光学記録媒体の内容を再生する。
【００２５】
【実施例】以下、本発明に係る光学装置を光ピックアッ
プに適用した例について、図面を参照しながら説明す
る。
【００２６】上記光学装置の第一の実施例の要部を上方
から見た様子を模式的に表したものを図１に、側方から
見た様子を模式的に表したものを図２にそれぞれ示す。
【００２７】上記光学装置は、図１及び図２に示すよう
に、発光部である半導体レーザ等のレーザ光源３から出
射される出射光が被照射体にて反射して得られる戻り光
の焦点位置近傍に配置された反射部としての反射鏡１
と、上記反射部の反射面Ｍ2 に対向して配置された受光
部としてのフォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 とを有し、
上記反射面Ｍ2 は上記戻り光の一部を反射するように配
置され、上記受光部において信号を検出するものであ
る。
【００２８】また、図１及び図２に示す光学装置におい
て、基板５は、例えばガリウム−砒素（ＧｓＡｓ）で形
成されている。また、レーザ光源３は、この基板５上に
固定され、アルミニウム−ガリウム−砒素（ＡｌＧａＡ
ｓ）系の半導体レーザ光を発生するものである。また、
反射鏡１は例えばＧａＡｓ結晶から成る三角柱を横にし
た形状を有し、三角柱の一の側面は上記基板５の面と一
致し、他の二つの側面は出射光反射面Ｍ1 、受光用反射
面Ｍ2 となっている。また、出射光反射面Ｍ1は、上記
レーザ光源３のレーザ光出射方向と対向している。ま
た、上記基板５上の上記反射面Ｍ2 と対向する位置に
は、フォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 より成る受光素子
が設けられている。ここで、上記基板５は、結晶面（１
００）から〈０１１〉方向に略９°傾斜したものであ
る。また、図２によれば、出射光反射面Ｍ1 と、受光用
反射面Ｍ2 とを結晶面（１１１）により形成した場合、
出射光反射面Ｍ1 は、基板５に対して略４５°の角度を
有するように設けられ、これによりレーザ光源３からの
出射光はこの出射光反射面Ｍ1 にて基板５に対して略垂
直方向に反射する。
【００２９】また、上記光学装置の作製方法は、先ず、
例えば結晶面（１００）から〈０１１〉方向に略９°傾
斜した上記ｎ−ＧａＡｓ基板上に、半導体レーザの第１
クラッド層、活性層及び第２クラッド層から成る各層
を、ＡｌＧａＡｓ系半導体材料によりエピタキシャル成
長させる。このエピタキシャル成長には、例えば結晶成
長方法の１つであるＭＯＣＶＤ法が用いられる。このＭ
ＯＣＶＤ法が、比較的容易に行える結晶成長方法であ
る。結晶成長後、フォトリソグラフィ等により半導体レ
ーザが形成される部分に絶縁膜等によるパターンを形成
し、この絶縁膜をマスクとして、例えばエッチング方法
の１つであるＲＩＥ等による異方性エッチングを施し
て、半導体レーザの共振器端面を形成する。続いて、基
板上の半導体レーザの一方の共振器端面に面して、Ｇａ
Ａｓ等より成る反射鏡１となる反射部を選択的にＭＯＣ
ＶＤ法にてエピタキシャル成長させて形成する。ここ
で、出射光反射面Ｍ1 及び受光用反射面Ｍ2 は、結晶面
による成長速度の違いにより成長プロセスのみで自動的
に形成される。さらに、受光用反射面Ｍ2 に対向して、
基板上にイオン注入または結晶成長等によりｐｎ結合を
形成し、受光部であるフォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2
を分割して形成する。そして、所望のレンズ等の光学部
品を構成し、上記光学装置が形成される。
【００３０】図１及び図２に示した光学装置によれば、
レーザ光源３から出射したレーザ光は、反射鏡１の出射
光反射面Ｍ1 において基板５に対して略垂直に反射し
て、図示されないレンズ等の集光手段により集光され、
図示されない光学ディスク等の被照射体近傍で焦点を結
ぶ。
【００３１】また、上記被照射体で反射された戻り光
は、再度上記集光手段により集光され、受光用反射面Ｍ
2 により反射され受光部であるフォトダイオードＰＤ
1 、ＰＤ2 にて受光される。ここで、上記受光部は２つ
に分割されており、後述するナイフエッジ法に基づいて
フォトダイオードＰＤ1 での光電流強度Ｉ1 と、フォト
ダイオードＰＤ2 での光電流強度Ｉ2 とを比較すること
で、フォーカスエラー信号が検出可能となる。また、上
記光電流強度Ｉ1 、Ｉ2 との比較は、両光電流強度の差
分あるいは比を検出することでなされる。
【００３２】ここで、上記光学素子の動作説明に先立っ
て、ナイフエッジ法によるフォーカスエラー信号検出の
原理を説明する。
【００３３】図３のａ、ｂは、上記ナイフエッジ法を説
明する図である。
【００３４】上記ナイフエッジ法は、図３のａ、ｂに示
すように、戻り光１２３が、受光部であるフォトダイオ
ードＰＤ1 、ＰＤ2 に到達する前に、収差光路上にナイ
フエッジ１２１を立ててフォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ
2 にて検出される光電流強度を比較器１２２にて比較す
ることでフォーカスエラー信号が得られる方法である。
【００３５】ここで、上記第一の実施例では、反射鏡１
が出射光反射面Ｍ1 をもって反射させた光成分が図３に
おいて遮光された光成分となり、受光用反射面Ｍ2 で反
射された光成分がナイフエッジを介して受光部に到達す
る光成分となることから、この反射鏡１は上記ナイフエ
ッジとして作用していることになる。
【００３６】図４のａは、上記ナイフエッジ法を上記第
一の実施例に従ってモデル化した図であり、また、図４
のｂは、後述する吸収体４３にて光が吸収された残りの
光エネルギの変化を光軸方向すなわちＺ軸方向に沿って
示すグラフである。すなわち、図４のａにおいて、ＸＺ
平面より下の部分を光を吸収する吸収体４３と仮定して
おり、この吸収体４３の表面が上記受光部の表面に対応
する。また、反射面と受光面とが接する位置をＺ＝０と
している。また、Ｚ＜ＺS 及びＺ＞ＺS ＋ΔＺで示され
る位置をフォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 がそれぞれ配
置されると想定した位置とする。また、図４のｂにおい
ては、デフォーカスの大きさを変化させて得られる関係
として、それぞれデフォーカスが０の場合を実線、デフ
ォーカスが０でない場合を破線にて示している。
【００３７】図４のａでは、第一の実施例の反射鏡１に
入射する光を部分的に反射して上記フォトダイオードに
入射する構成を、ミラー４１にて全反射した光を所定形
状を有するマスク４２にて一部を遮光する構成でモデル
化している。
【００３８】記録媒体等のレーザ光の被照射体からの戻
り光は、図４のａに示すように、ミラー４１にて反射し
て、Ｚ＝０におけるＸＹ平面の範囲４４を欠切したマス
ク４２を通すことで上記第一の実施例の反射鏡１で反射
された光すなわちナイフエッジを介した光と等価な光と
なり、上記受光部である吸収体４３上の上記フォトダイ
オードＰＤ1 、ＰＤ2 が配置されると想定する位置に入
射する。この吸収体４３により吸収され残存する光エネ
ルギをＰとして、このＰをＺ＝０のときのＰの値で規格
化したＰの値とＺとの関係は、図４のｂに示す通りであ
る。
【００３９】さらに、図４のｂによれば、吸収体４３で
吸収される光のエネルギの分布は、上記フォトダイオー
ドＰＤ1 、ＰＤ2 が配置される想定される位置の範囲で
検出されるエネルギの分布と等しい。
【００４０】そこで、仮にフォトダイオードＰＤ1 、Ｐ
Ｄ2 を配置してこれらフォトダイオードが検出するとさ
れる光電流強度をそれぞれＩ1 、Ｉ2 と仮定すると、上
記光エネルギＰの分布は光電流強度Ｉ1 、Ｉ2 の分布に
等しくなる。すなわち、デフォーカスが大となる範囲で
はＩ1 が小さくなりＩ2 が大きくなり、また、デフォー
カスが小となる範囲ではＩ1 が大きくなりＩ2 が小さく
なる。従って、フォーカスエラー信号の検出は、フォト
ダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 で検出された光電流強度Ｉ
1 、Ｉ2 の値を比較することで行うことができることに
なる。
【００４１】上述したナイフエッジ法を適用するため
に、フォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2にて受光される光
量を見積もるために、光学装置における戻り光のデフォ
ーカスが＋５０μｍ、０、−５０μｍのときのビーム伝
搬の計算結果を図５及び図６に示す。なお、図５は、Ｘ
Ｚ平面について、図６はＹＺ平面について計算した結果
を示す。また、図５及び図６において、受光用反射面Ｍ
2 と戻り光中心とのオフセットを２μｍとしている。
【００４２】図５及び図６によれば、デフォーカスが小
さくなるほど、戻り光２の入射位置が反射面Ｍ2 から遠
くなることがわかる。
【００４３】また、異なるデフォーカスの大きさ毎の受
光用反射面Ｍ2 とフォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 が形
成された平面とが接する位置からの距離であるＺ［μ
ｍ］と光強度Ｐ［ａ．ｕ．］との関係を図７に、また、
各デフォーカスの大きさでの上記Ｐ[z] をＺ＝０のとき
のＰの値Ｐ[Z=0] に基づいて規格化して、この規格化し
た値とＺとの関係を図８に示す。なお、図７及び図８共
に、デフォーカスが負をとるときの曲線を実線で、正を
とるときの曲線を破線で表し、また、デフォーカスの大
きさの絶対値の大きい程、Ｐ[Z=0] が大きい。
【００４４】また、上記Ｚの値が、フォトダイオードＰ
Ｄ1 、ＰＤ2 の境界を指す範囲のデフォーカスの大きさ
［μｍ］とフォトダイオードＰＤ1 に届く光の光強度Ｉ
PD1［ａ．ｕ．］との関係を図９に、また、上記デフォ
ーカスの大きさとフォトダイオードＰＤ2 に届く光の光
強度ＩPD2 との関係を図１０に示す。なお、反射鏡の高
さを２０μｍ、ＸＺ平面の方向への反射面の傾斜を５
４．７°、計算グリッドのメッシュ幅を１λ＝７８０ｎ
ｍ、Ｚ方向へのビーム伝搬ステップをΔＺ＝５μｎｍ、
ビーム中心からのナイフエッジへのオフセットを２μｍ
とし、Ｚ＝０における初期電界をベッセル式にて算出し
た結果を用いた。
【００４５】さらに、上記ＩPD1 と上記ＩPD2 との比較
として、各Ｚの値における（ＩPD1−１．２・ＩPD2 ）
［ａ．ｕ．］と上記デフォーカスの大きさ［μｍ］との
関係を図１１に、また、各Ｚの値に対する（ＩPD1 −
１．２・ＩPD2 ）を（ＩPD1 ＋１．２・ＩPD2 ）で規格
化したものと上記デフォーカスの大きさ［μｍ］との関
係を図１２にそれぞれ示す。なお、ＩPD2 に掛けた重み
１．２は、Ｚが５０μｍ、デフォーカスが０のときのＩ
PD1 とＩPD2 との差分が０となる値である。
【００４６】図６乃至図１２によれば、具体的には、フ
ォトダイオードＰＤ1 、ＰＤ2 との境界が、２５μｍ＜
Ｚ＜７５μｍ、好ましくは４０μｍ＜Ｚ＜５５μｍに位
置するとき、フォーカスエラー信号の検出が可能とな
る。
【００４７】次に、本発明の第二の実施例となる光学装
置の要部を斜視した様子を模式的に表したものを図１３
に、フォトダイオードＰＤ3A、ＰＤ3Bを省略したものの
平面図を模式的に表したものを図１４にそれぞれ示す。
【００４８】上記第二の実施例の光学装置は、図１３及
び図１４に示すように、発光部であるレーザ光源３から
出射される出射光が被照射体にて反射して得られる戻り
光の焦点位置近傍に配置された反射部としての反射鏡１
１と、上記反射部の第一、第二の反射面ＭA 、ＭB に対
向して配置された受光部としてのフォトダイオードＰＤ
1A、ＰＤ2A、ＰＤ3A、ＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bとを有
し、上記反射面ＭA 、ＭB は、上記戻り光の一部を反射
するように配置され、上記受光部において信号を検出す
るものである。
【００４９】また、上記第二の実施例の光学装置におい
て、例えば結晶面（１００）を主面とするＧａＡｓ等で
形成された基板５上に、結晶面（１−１０）、（１１
１）及び（１１−１）を有するＧａＡｓ等より成る三角
錐形状の反射部として出射光反射面Ｍ1 と、受光用反射
面としての第一、第二の反射面ＭA 、ＭB とがそれぞれ
配置される。そして、出射光反射面Ｍ1 に対向して半導
体レーザ等より成るレーザ光源３が設けられ、また、第
一の反射面ＭA に対向して戻り光の光路に沿って第一の
反射面ＭA から順にフォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2A、
ＰＤ3Aが、また、第二の反射面ＭB に対向して戻り光の
光路に沿って第二の反射面ＭB から順にフォトダイオー
ドＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bがそれぞれ基板５上に設けら
れる。フォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2AとＰＤ1B、ＰＤ
2Bはそれぞれ上記光路の光軸に直交する向きに分割さ
れ、また、フォトダイオードＰＤ3A、ＰＤ3Bは、基板５
上にＧａＡｓ等を成長させて成る部分の結晶面（１−１
−１）及び（１−１１）にそれぞれ設けられる。なお、
第一、第二の反射面ＭA 、ＭB を結晶面（１１１）、
（１１−１）により構成した場合、戻り光２の光軸は反
射鏡１１にて互いに９０°の角度に分離される。
【００５０】さらに、上記フォトダイオードＰＤ1A、Ｐ
Ｄ2A、ＰＤ1B、ＰＤ2Bの表面には、レーザ光のＳ偏光成
分を選択的に反射させると共にＰ偏光成分を透過させる
ための被膜が被着形成されたり、または、金属グリッド
が設けられている。また、フォトダイオードＰＤ3A、Ｐ
Ｄ3Bの表面には、レーザ光のＰ偏光成分を選択的に反射
させると共にＳ偏光成分を透過させるための被膜が被着
形成されたり、または、金属グリッドが設けられてい
る。
【００５１】また、上記第二の実施例の光学装置の作製
方法は、上記第一の実施例の光学装置の作製方法と同様
であるが、図１５乃至図２５を用いて説明する。
【００５２】先ず、図１５に示すようにレーザダイオー
ドである基板５形成のためのエピタキシャル成長を行う
（第一期エピタキシャル成長）。続いて、図１６に示す
ようにストライプ状箇所２１にエッチングを行った後、
図１７に示すようにレーザダイオード形成のためのエピ
タキシャル成長を行う（第二期エピタキシャル成長）。
第二期エピタキシャル成長した基板５上に、図１８に示
すようにＲＩＥ等の異方性エッチングを行いストライプ
状箇所２１の基板５の中央側に面する端面にキャビティ
ミラー２２を形成し、図１９に示すようにこのキャビテ
ィミラー２２にコーティング処理を行い、さらに、図２
０示すようにＲＩＥ異方性エッチングを行い斜状ミラー
１１、２３、２４のベースを形成する。さらに、図２１
に示すようにエピタキシャル成長を行い反射鏡１１及び
斜状ミラー２３、２４を形成し、さらに、亜鉛拡散を行
い、図２２に示すように受光部であるフォトダイオード
ＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ3A、ＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bを形
成する。続いて、図２３に示すようにフォトダイオード
ＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ3A、ＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bの各
面に対して低反射コーティングあるいは偏光コーティン
グを行った後、図２４に示すように反射鏡１１及び斜状
ミラー２３、２４に対して鏡面形成のための金属薄膜コ
ーティングを行い、最後に図２５に示すように金属薄膜
コーティングにより電極２５、２６、２７、２８、２
９、３０を形成して、上記光学装置を作製する。
【００５３】また、図１３及び図１４に示した上記第二
の実施例の光学装置によれば、レーザ光源３から出射さ
れたレーザ光は、反射鏡１１の出射光反射面Ｍ1 にて基
板５に対して略垂直方向に反射し、図示されないレンズ
等の集光手段にて集光されて図示されない光学ディスク
等の被照射体近傍にて焦点を結ぶ。上記被照射体にて反
射された戻り光２は、再度上記集光手段にて集光されて
反射鏡１１の第一、第二の反射面ＭA 、ＭB にて反射
し、第一の反射面ＭA にて反射したレーザ光はフォトダ
イオードＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ3Aにて受光され、第二の
反射面ＭB にて反射したレーザ光はフォトダイオードＰ
Ｄ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3Bにて受光される。
【００５４】ここで、フォトダイオードＰＤ1A、Ｐ
Ｄ2A、ＰＤ1B、ＰＤ2BではＰ偏光成分が選択的に検出さ
れ、また、フォトダイオードＰＤ3A、ＰＤ3BではＳ偏光
成分が選択的に検出される。
【００５５】ここで、この偏光分離の原理を説明する。
図２６は偏光分離の原理図であり、図２７は入射面をＧ
ａＡｓとしたとき光の入射角を変化させたときのＰ偏光
成分及びＳ偏光成分の透過率を示す図であり、図２８は
上記入射面をＧａＡｓ上に設けた多層膜としたときのＰ
偏光光及びＳ偏光光の透過率を示す図である。
【００５６】なお、図２６において、ＸＹ平面を偏光分
離面として、偏光方向Ｈに対して角度Φだけ回転したと
ころに反射面Ｍを設けて、さらに、この反射面Ｍは入射
光が反射して上記偏光分離面に入射する際の入射角が角
度Θとなるように設けられる。また、被照射体からの戻
り光の光軸をＥ0 としている。
【００５７】図２６によれば、偏光方向Ｈを有する戻り
光２は、反射面Ｍにて反射すると、偏光方向Ｈ´を有す
る光となり、上記偏光分離面に入射する。また、この偏
光分離面にてＰ偏光成分及びＳ偏光成分の内どちらか一
方を透過させることで、偏光分離可能となる。また、図
２７及び図２８によれば、入射面として多層膜を設けた
ときの方が、効率的に偏光分離が行えることがわかる。
さらに、この偏光分離面に対する入射角は５０°から８
０°までの間の角度、好ましくはＰ偏光成分に対して反
射率が理想的に０となる角度いわゆるブリュースター角
近傍とするのがよいと考えられる。
【００５８】上述の偏光分離方法を用いて、この戻り光
２を偏光分離することで検出される各種信号は、以下の
（１）式乃至（４）式に示すように求められる。なお、
ここでフォトダイオードＰＤn で得られる光電流強度を
光電流強度Ｉn としている。
【００５９】 ＲＦ信号 ：(I1A+I2A+I3A)+(I1B+I2B+I3B) ・・・（１） 光磁気信号 ：(I1A+I2A-I3A)+(I1B+I2B-I3B) ・・・（２） フォーカスエラー信号 ：(I1A-I2A)+(I1B-I2B) ・・・（３） トラッキングエラー信号：(I1A+I2A+I3A)-(I1B+I2B+I3B) ・・・（４） 以上のように、戻り光２の光軸を反射鏡１１にて例えば
２つに分割し、各分割された光軸上に配設されたフォト
ダイオードの表面に入射する光を偏光分離して一方の偏
光成分のみ検出するようにする場合、上記光軸を互いに
９０°の角度に分割すると効率よく上記偏光分離を行う
ことができる。
【００６０】また、通常のナイフエッジ法や上記第一の
実施例に比べて、戻り光の内の受光用反射面で反射する
光量を多くできるという利点がある。これは、１つの反
射鏡に出射光反射面と受光用反射面とを形成しており、
出射光反射面では発光部からの出射光を効率よく反射さ
せるために、光軸中心を出射光反射面側にずらす必要が
ある。このため第一の実施例の形状の反射鏡において戻
り光の受光用反射面で反射される割合よりも、第二の実
施例の形状の反射鏡において戻り光の受光用反射面で反
射される割合の方が大きく、すなわち上記戻り光を上記
受光用反射面により多く供給できるからである。
【００６１】なお、上記第二の実施例の光学装置におい
て、光磁気ディスクからの光磁気信号を検出するために
各フォトダイオードを偏光分離することができるように
構成したが、これを光ディスクからの反射光強度信号を
検出する場合にも適用できるが、この場合には各フォト
ダイオードの表面を一方の偏光成分を選択的に反射して
他の偏光成分のみを透過させるような被膜を被着形成あ
るいは金属グリッドを形成する必要がない。
【００６２】上記第二の実施例の光学装置と同様の形状
を有する反射鏡を用いた光学装置の例を図２９に示す。
【００６３】この光学装置は、発光部から出射される出
射光が被照射体にて反射して得られる戻り光の焦点位置
近傍に配置された反射部としての反射鏡１１と、上記反
射部の第一、第二の反射面ＭA 、ＭB に対向して配置さ
れた受光部としてのフォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2A、
ＰＤ1B、ＰＤ2Bとを有し、上記第一、第二の反射面Ｍ
A 、ＭB は、上記戻り光の一部を反射するように配置さ
れ、上記受光部において信号を検出するものである。
【００６４】この図２９に示した光学装置と、図１３及
び図１４に示した光学装置とが異なる点は、各フォトダ
イオードの形状が変更されている点と、新たにフォトダ
イオードＰＤC が設けられている点である。
【００６５】これは、例えばフォトダイオードＰＤ1A、
ＰＤ2Aの境界を第一の反射面ＭA からの反射光の光軸に
対して斜めに設けることで、ディスクスキュー（disc s
kew）すなわちディスクの傾きに対応して、反射光の光
軸が矢印ｃに示す方向にぶれても、フォトダイオードＰ
Ｄ1A、ＰＤ2Aが受光する比率が変化しないようにでき
る。フォトダイオードＰＤ1B、ＰＤ2Bについても同様で
ある。
【００６６】また、上記フォトダイオードＰＤC を追加
することで、仮にフォーカスサーボシステムが領域範囲
外となり戻り光が非常に強くデフォーカスしたときに
も、戻り光を検出できるようにしている。また、このフ
ォトダイオードＰＤC にて検出した光強度に基づいた信
号は、他のフォトダイオードにて検出された光強度に基
づいた信号とは独立に、フォーカスエラー信号として用
いられるようにしている。
【００６７】次に、上記本発明の第三の実施例となる光
学装置の要部を斜視した様子を模式的に表したものを図
３０に、この第三の実施例の光学装置の平面図を模式的
に表したものを図３１にそれぞれ示す。
【００６８】上記第三の実施例の光学装置は、図３０及
び図３１に示すように、発光部であるレーザ光源３から
出射される出射光が被照射体にて反射して得られる戻り
光の焦点位置近傍に配置された反射部としての反射鏡１
２と、上記反射部の第一、第二の反射面ＭA 、ＭB に対
向して配置された受光部としてのフォトダイオードＰＤ
1A、ＰＤ2A、ＰＤ1B、ＰＤ2Bとを有し、上記第一、第二
の反射面ＭA 、ＭB は、上記戻り光の一部を反射するよ
うに配置され、上記受光部において信号を検出するもの
である。
【００６９】また、上記第三の実施例の光学装置におい
て、例えば結晶面（１００）から結晶面〈０１１〉方向
に略９°傾斜したＧａＡｓ等で構成される基板５上に結
晶面（１−１−１）、（１１−１）、（１−１１）、
（１１１）を有するＧａＡｓ等より成る反射鏡１２が配
置される。上記結晶面（１−１−１）は、レーザ光源３
と対向する出射光反射面Ｍ1 を、結晶面（１−１１）は
第一の反射面ＭA を、また、結晶面（１１−１）は第二
の反射面ＭB をそれぞれ形成している。さらに、第一の
反射面ＭA に対向して光路に沿って反射鏡１２より順に
フォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2Aが、また、第二の反射
面ＭB に対向して光路に沿って反射鏡１２より順にフォ
トダイオードＰＤ1B、ＰＤ2Bがそれぞれ配置されてい
る。さらに、フォトダイオードＰＤ2A、ＰＤ2Bは基板５
上に形成された結晶面（１１−１）及び（１−１１）部
分にそれぞれ配置されている。
【００７０】上記第三の実施例の光学装置の作製方法
は、上述した第二の実施例の光学装置の作製方法と同様
の方法で作製することが可能である。
【００７１】上記第三の実施例の光学装置によれば、レ
ーザ光源３から出射されるレーザ光は、反射鏡１２上の
出射光反射面Ｍ1 にて基板５に対して略垂直方向に反射
して、図示されないレンズ等の集光手段にて集光されて
図示されない光学ディスク等の被照射体近傍にて焦点を
結ぶ。上記被照射体にて反射された戻り光２は、再度上
記集光手段にて集光されて反射鏡１２の第一、第二の反
射面ＭA 、ＭB にて反射し、第一の反射面ＭA にて反射
したレーザ光はフォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2Aにて受
光され、第二の反射面ＭB にて反射したレーザ光はフォ
トダイオードＰＤ1B、ＰＤ2Bにて受光される。また、こ
の戻り光２により検出される各種信号は、以下の（５）
式乃至（７）式に示すように求められる。なお、ここで
も上述の通りフォトダイオードＰＤn で得られる光電流
強度を光電流強度Ｉn としている。
【００７２】 ＲＦ信号 ：(I1A+I2A)+(I1B+I2B) ・・・（５） フォーカスエラー信号 ：(I1A-I2A)+(I1B-I2B) ・・・（６） トラッキングエラー信号：(I1A+I2A)-(I1B+I2B) ・・・（７） また、第二の実施例の光学装置と同様に、第三の実施例
の光学装置は、通常のナイフエッジ法や上記第一の実施
例に比べて、戻り光の内の受光用反射面で反射する光量
を多くできるという利点がある。これは、１つの反射鏡
に出射光反射面と受光用反射面とを形成しており、出射
光反射面では発光部からの出射光を効率よく反射させる
ために、光軸中心を出射光反射面側にずらす必要があ
る。このため第一の実施例の形状の反射鏡において戻り
光の受光用反射面で反射される割合よりも、第三の実施
例の形状の反射鏡において戻り光の受光用反射面で反射
される割合の方が大きく、すなわち上記戻り光を上記受
光用反射面により多く供給できるからである。
【００７３】また、上記第三の実施例の光学装置におい
て、フォトダイオードＰＤ2A、ＰＤ2Bを立体的、すなわ
ち第一、第二の反射面ＭA 、ＭB にそれぞれ対向するよ
うに斜面を設けてこの斜面にフォトダイオードＰＤ2A、
ＰＤ2Bを設けたが、これに限らず、同一平面上に設けて
も差し支えない。すなわち、フォトダイオードＰＤ1A、
ＰＤ1Bが形成されている面と同一の面上にフォトダイオ
ードＰＤ2A、ＰＤ2Bを設けてもよい。
【００７４】また、第二の実施例の光学装置に用いた反
射鏡１１をレーザ光源から見たときの図を図３２に示
す。また、第三の実施例の光学装置に用いた反射鏡１２
をレーザ光源から見たときの図を図３３に示す。また、
この出射光が入射したときの反射面Ｍ1 で示される形状
を入射光１１１にて示している。さらに、頂点から入射
光の中心までの直線距離すなわちオフセットは距離Ｌで
示されている。
【００７５】図３１及び図３２によれば、上記オフセッ
トの範囲で入射すると反射面Ｍ1 に入射光１１１が納ま
らなくなり、この納まらない部分が記録媒体等の被照射
体への光の光量の損失分となる。従って、このオフセッ
トが大きいと戻り光を検出する効率が下がる虞があり、
改善が望まれる。ここでは、図３２に挙げた反射鏡１２
の改善が望まれる。
【００７６】ここで、上記第三の実施例の反射鏡の改善
すると考えられる反射鏡をレーザ光源から見た図を図３
４に示す。この反射鏡１４によれば、上記オフセットの
範囲でレーザ光が入射される虞がないため、効率が下が
る虞がない。
【００７７】また、本発明の第四の実施例として、図３
４に示した反射鏡１４を用いて成る光学装置を図３５に
示す。
【００７８】上記第四の実施例の光学装置は、発光部で
あるレーザ光源３から出射される出射光が被照射体にて
反射して得られる戻り光２の焦点位置近傍に配置された
反射部としての反射鏡１４と、上記反射部の第一、第二
の反射面ＭA 、ＭB に対向して配置された受光部として
のフォトダイオードＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ1B、ＰＤ2Bと
を有し、上記第一、第二の反射面ＭA 、ＭB は、上記戻
り光の一部を反射するように配置され、上記受光部にお
いて信号を検出するものである。
【００７９】上記第四の実施例の光学装置において、例
えば結晶面（１００）を主面とするＧａＡｓ等の基板５
上に、結晶面（１１１）、（１１−１）、（−１−１
１）、（１−１１）より成る水平な稜線１４ａを有する
屋根型形状の反射鏡１４が配置されている。そして、結
晶面（１１１）はレーザ光源３と対向する出射光反射面
Ｍ1 を形成し、結晶面（１１−１）は第一の反射面ＭA
を形成し、結晶面（１−１１）は第二の反射面ＭB を形
成し、結晶面（−１−１１）は第三の反射面ＭDを形成
している。また、第一の反射面ＭA に対向してフォトダ
イオードＰＤ1A、ＰＤ2Aが配設され、第二の反射面ＭB
に対向してフォトダイオードＰＤ1B、ＰＤ 2Bが配設さ
れ、さらに、第三の反射面ＭD に対向してフォトダイオ
ードＰＤD が配設されている。
【００８０】この第四の実施例の光学装置によれば、レ
ーザ光源３から出射したレーザ光としての出射光１１１
は、出射光反射面Ｍ1 にて基板５に対して略垂直な方向
に反射し、図示されない集光レンズ等の集光手段にて図
示されない記録媒体等の被照射体近傍で焦点を結ぶ。こ
の被照射体で反射した戻り光２は、再度上記集光手段に
て集光され、反射鏡１４に入射する。さらに、上記戻り
光２は第一、第二、第三の反射面ＭA 、ＭB 、ＭD にて
反射して、各反射面に対向するフォトダイオードにて受
光される。
【００８１】また、フォトダイオードＰＤn にて受光さ
れる光電流強度をＩn とすると、各信号は（８）式乃至
（１０）式に示すように求められる。
【００８２】 ＲＦ信号 ：I3又は(I1A-I2A)+(I1B-I2B)+I3 ・・・（８） フォーカスエラー信号 ：(I1A-I2A)+(I1B-I2B) ・・・（９） トラッキングエラー信号：(I1A+I2A)-(I1B+I2B) ・・・（１０） また、第二の実施例及び上記第三の実施例の光学装置と
同様に、第四の実施例の光学装置は、通常のナイフエッ
ジ法や上記第一の実施例に比べて、戻り光の内の受光用
反射面で反射する光量を多くできるという利点がある。
これは、１つの反射鏡に出射光反射面と受光用反射面と
を形成しており、出射光反射面では発光部からの出射光
を効率よく反射させるために、光軸中心を出射光反射面
側にずらす必要がある。このため第一の実施例の形状の
反射鏡において戻り光の受光用反射面で反射される割合
よりも、第四の実施例の形状の反射鏡において戻り光の
受光用反射面で反射される割合の方が大きく、すなわち
上記戻り光を上記受光用反射面により多く供給できるか
らである。
【００８３】また、本発明の記録媒体再生装置は、図３
６に示すように、光学記録媒体１００に光を照射して得
られる戻り光１０７を検出し、再生する記録媒体再生装
置において、上記光学記録媒体１００に照射する光を出
射する発光部１０２と、上記発光部１０２から出射され
る光を上記光学記録媒体１００上に集光させる集光手段
としての対物レンズ１０３と、上記戻り光１０７の焦点
位置近傍に配置された反射部としての反射鏡１０４と上
記反射部の受光用反射面に対向して配置された受光部と
してのフォトダイオードＰＤA 、ＰＤB 、ＰＤS とを有
すると共に、上記受光用反射面は上記戻り光１０７の一
部を反射するように配置され上記受光部において信号を
検出する光学装置１０１と、上記光学装置１０１にて検
出した信号に基づいて上記光学記録媒体１００の内容を
再生する再生部１０５とを有するものである。
【００８４】また、上記記録媒体再生装置において、光
学装置１０１内に配設された発光部１０２からのレーザ
光は、反射鏡１０４の出射光反射面にて反射し光学装置
１０１に対して略垂直方向に出射される。このレーザ光
は対物レンズ１０３にて光学記録媒体１００上に集光さ
れる。この光は戻り光１０７となり、上記対物レンズ１
０３にて反射鏡１０４の近傍で焦点を結ぶ。さらに、戻
り光は反射鏡１０４の受光用反射面に入射して反射し、
この反射光はフォトダイオードＰＤA 、ＰＤB、ＰＤS
に入射し、各フォトダイオードは入射した光を検出す
る。なお、例えば上記対物レンズ１０３は、光学記録媒
体がディスク形状である場合、このディスク状記録媒体
の径方向及び垂直方向へ移動可能とするアクチュエータ
いわゆる二軸デバイスを有していて、後述するサーボ信
号に応じて対物レンズ１０３の動作を制御している。
【００８５】これらフォトダイオードで検出された信号
が再生部１０５も送られて、この信号に基づいた再生処
理が行われる。そして、再生処理された信号が再生信号
出力端子１０６から出力される。
【００８６】上記記録媒体再生装置によれば、上記再生
部１０５からのサーボ信号にて上記対物レンズ１０３の
上記二軸デバイスの動作が制御されるのであるが、この
サーボ信号例えばフォーカスサーボ信号やトラッキング
サーボ信号は、例えば上記各フォトダイオードＰＤA、
ＰＤB にて検出された光強度に基づいて得られるフォー
カスエラー信号やトラッキングエラー信号等を用いて得
られる信号である。また、例えばＲＦ信号はフォトダイ
オードＰＤSにて検出される。
【００８７】なお、上記光学素子１０１は、上述した本
発明の光学素子の内、どの光学素子を用いても差し支え
ない。
【００８８】また、図３６には、記録媒体再生装置を示
したが、本発明の光学装置は、前述のフォーカスエラー
信号検出法を用いて、センサとして、被照射体との距離
を検出することも可能である。
【００８９】以上のように構成することで、各光学装置
において、発光部であるレーザ光源３と、このレーザ光
源３からの直接の戻り光を反射する反射鏡１、１１、１
２、１４と、各フォトダイオードとを同一の基板５上に
設けることで、新たにアライメントを必要とせず、ま
た、上記戻り光を上記フォトダイオードにて検出するこ
とで、ＲＦ信号、フォーカスエラー信号、トラッキング
エラー信号の検出が可能である。
【００９０】また、上記フォトダイオードを偏光分離し
て各偏光成分を検出するように構成することで、上述し
たように新たにアライメントを必要とせず、また、上記
戻り光を上記フォトダイオードにて検出することで、Ｒ
Ｆ信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信
号の他、光磁気信号の検出も可能となる。
【００９１】また、反射鏡の形状を反射鏡１１、１２、
１４で挙げた形状にすることにより、発光部であるレー
ザ光源３からの出射光が出射光反射面で反射する際の光
量を落とすことなく、また、受光用反射面にて受光部に
反射する反射光量を増やしてパワー効率を高めることが
できる。これは、１つの反射鏡に出射光反射面と受光用
反射面とを形成しており、出射光反射面では発光部から
の出射光を効率よく反射させるために、光軸中心を出射
光反射面側にずらす必要がある。このため第一の実施例
の反射鏡において戻り光の受光用反射面で反射される割
合よりも、第二、第三、第四の実施例の反射鏡で戻り光
の受光用反射面で反射される割合の方が大きく、すなわ
ち上記戻り光を上記受光用反射面により多く供給できる
からである。
【００９２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学装置
によれば、例えば光学記録媒体を読み出す際に得られる
各信号を検出するのに、外部に受光部を設けなくてもよ
いため、調整を必要とせず、また、光学装置の小型化を
図ることが可能で、さらに、比較的簡単な工程にて製造
できるため大量生産が可能になり、低価格化が期待でき
る。
【００９３】また、反射部をナイフエッジとして用いる
ことで、ナイフエッジ法によるフォーカスエラー信号の
検出するための光学装置の小型化が可能で、さらに、比
較的簡単な工程にて製造できるため大量生産が可能にな
り、低価格化が期待できる。
【００９４】さらに、複数設けた受光部の少なくとも１
つの受光素子を偏光分離可能とすることで、偏光変調成
分を伴う光磁気信号を検出するための光学装置の小型化
が可能で、さらに、比較的簡単な工程にて製造できるた
め大量生産が可能になり、低価格化が期待できる。
【００９５】また、上記受光部の構成を少なくとも２以
上の受光素子で構成することで、トラッキングエラー信
号の検出を焦点位置近傍の光を利用して行うことによ
り、レンズ等のオフセットによる検出誤差を低減でき、
さらに、この光学装置の小型化が可能で、さらに、比較
的簡単な工程にて製造できるため大量生産が可能にな
り、低価格化が期待できる。
【００９６】また、本発明の記録媒体再生装置によれ
ば、光学装置にて光学記録媒体を読み出す際に得られる
各信号を検出するのに、上記光学装置の外部に受光部を
設けなくてもよいため、調整を必要とせず、また、上記
光学装置の小型化を図ることが可能で、さらに、上記光
学装置は比較的簡単な工程にて製造できるため大量生産
が可能になり、低価格化が期待できるため、この光学装
置を用いて成る上記記録媒体再生装置の小型化及び低価
格化が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学素子を適用した第一の実施例であ
る光学装置の平面図である。
【図２】上記第一の実施例の光学装置を側面から見た図
である。
【図３】ナイフエッジ法によるフォーカスエラー信号の
検出の原理を説明する図である。
【図４】上記ナイフエッジ法をモデル化した図である。
【図５】上記第一の実施例の光学装置における戻り光の
伝搬の計算結果をＸＺ平面について求めた結果を示すグ
ラフである。
【図６】上記第一の実施例の光学装置における戻り光の
伝搬の計算結果をＹＺ平面について求めた結果を示すグ
ラフである。
【図７】上記第一の実施例の光学装置で、異なるデフォ
ーカスの大きさにおける反射面と受光面とが接する位置
からの距離Ｚと光強度との関係を示すグラフである。
【図８】上記第一の実施例の光学装置で、異なるデフォ
ーカスの大きさにおける反射面と受光面とが接する位置
からの距離Ｚと光強度との関係を規格化したグラフであ
る。
【図９】上記第一の実施例の光学装置で、一のフォトダ
イオードが検出する光強度とデフォーカスとの関係を示
すグラフである。
【図１０】上記第一の実施例の光学装置で、他のフォト
ダイオードが検出する光強度とデフォーカスとの関係を
示すグラフである。
【図１１】上記第一の実施例の光学装置で、上記一のフ
ォトダイオードと他のフォトダイオードとが検出する光
強度の比較結果を示すグラフである。
【図１２】上記第一の実施例の光学装置で、上記一のフ
ォトダイオードと他のフォトダイオードとが検出する光
強度の比較結果を規格化したグラフである。
【図１３】本発明の光学素子を適用した第二の実施例で
ある光学装置を斜視した図である。
【図１４】上記第二の実施例の光学装置の平面図を模式
的に示す図である。
【図１５】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図１６】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図１７】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図１８】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図１９】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２０】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２１】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２２】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２３】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２４】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２５】上記第二の実施例の光学装置の製造工程を説
明する図である。
【図２６】偏光分離方法の原理を説明する図である。
【図２７】入射面をＧａＡｓとしたときの光の入射角と
Ｐ偏光成分あるいはＳ偏光成分の透過率との関係を示す
グラフである。
【図２８】入射面をＧａＡｓ上に設けた多層膜としたと
きの光の入射角とＰ偏光成分あるいはＳ偏光成分の透過
率との関係を示すグラフである。
【図２９】上記第二の実施例の光学装置の反射鏡と同様
の形状を有する光学素子の例の適用例を示す図である。
【図３０】本発明の光学素子を適用した第三の実施例で
ある光学装置を斜視した図である。
【図３１】上記第三の実施例の光学装置の平面図を模式
的に示す図である。
【図３２】第二の実施例の光学装置に用いた反射鏡をレ
ーザ光源の方向から見た図である。
【図３３】第三の実施例の光学装置に用いた反射鏡をレ
ーザ光源の方向から見た図である。
【図３４】第四の実施例の光学装置に用いる反射鏡をレ
ーザ光源の方向から見た図である。
【図３５】本発明の光学素子を適用した第四の実施例で
ある光学装置の平面図を模式的に示す図である。
【図３６】本発明の記録媒体再生装置の一例を示す図で
ある。
【図３７】従来の光学素子を用いた光学装置の一例を示
す図である。
【図３８】従来の光学素子を用いた光学装置の他の例を
示す図である。
【符号の説明】
１、１１、１２、１４ 反射鏡 ３ レーザ光源 ５ 基板 Ｍ1 出射光反射面 Ｍ2 受光用反射面 ＭA 第一の反射面 ＭB 第二の反射面 ＰＤA 、ＰＤB フォトダイオード ＰＤ1A、ＰＤ2A、ＰＤ3A フォトダイオード ＰＤ1B、ＰＤ2B、ＰＤ3B フォトダイオード １０１ 光学装置 １０２ 発光部 １０３ 対物レンズ １０４ 反射鏡 １０５ 再生部

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被照射体からの光の焦点位置近傍に配置
    された反射部と、 上記反射部の反射面に対向して配置された受光部とを有
    し、 上記反射面は、上記被照射体からの光の一部を反射する
    ように配置され、上記受光部において信号を検出するこ
    とを特徴とする光学装置。
  2. 【請求項２】 上記受光部は、少なくとも２以上の受光
    素子から成り、上記戻り光反射部をナイフエッジとして
    フォーカスエラー信号を検出することを特徴とする請求
    項１記載の光学装置。
  3. 【請求項３】 上記受光部は、少なくとも２以上の受光
    素子から成り、 上記２以上の受光素子の少なくとも１つは、上記被照射
    体からの光を偏光分離して検出する受光素子であること
    を特徴とする請求項１記載の光学装置。
  4. 【請求項４】 上記２以上の受光素子により光磁気信号
    を検出することを特徴とする請求項３記載の光学装置。
  5. 【請求項５】 上記反射部は、第一の反射面と、第二の
    反射面とを有し、 上記受光部は、上記第一の反射面に対向する第一の受光
    部と、上記第二の反射面に対向する第二の受光部とから
    成ることを特徴とする請求項１記載の光学装置。
  6. 【請求項６】 上記第一の受光部と上記第二の受光部と
    での信号を比較して、トラッキングエラー信号を検出す
    ることを特徴とする請求項５記載の光学装置。
  7. 【請求項７】 発光部と、 上記発光部からの出射光を反射する出射光反射面及び受
    光用反射面を少なくとも有する反射部と、 少なくとも１以上の受光部とを有し、 上記反射部は、上記発光部から出射される出射光が被照
    射体にて反射して得られる戻り光の焦点位置近傍に配置
    され、 上記発光部は、上記出射光反射面に対向して配置され、 上記受光部は、上記受光用反射面に対向して配置される
    ことを特徴とする光学装置。
  8. 【請求項８】 上記反射部は、上記２以上の反射面が上
    記戻り光の一部を反射するように配置されることを特徴
    とする請求項７記載の光学装置。
  9. 【請求項９】 上記受光部は、少なくとも２以上の受光
    素子から成り、 上記反射部をナイフエッジとしてフォーカスエラー信号
    を検出することを特徴とする請求項８記載の光学装置。
  10. 【請求項１０】 上記受光部は、少なくとも２以上の受
    光素子から成り、 上記２以上の受光素子の少なくとも１つは、上記戻り光
    を偏光分離して検出する受光素子であることを特徴とす
    る請求項８記載の光学装置。
  11. 【請求項１１】 上記２以上の受光素子により光磁気信
    号を検出することを特徴とする請求項１０記載の光学装
    置。
  12. 【請求項１２】 上記反射部の上記受光用反射面は、第
    一の反射面と、第二の反射面とを有し、 上記受光部は、上記第一の反射面に対向する第一の受光
    部と、上記第二の反射面に対向する第二の受光部とから
    成ることを特徴とする請求項８記載の光学装置。
  13. 【請求項１３】 上記第一の受光部と上記第二の受光と
    での信号を比較して、トラッキングエラー信号を検出す
    ることを特徴とする請求項１２記載の光学装置。
  14. 【請求項１４】 光学記録媒体に光を照射して得られる
    戻り光を検出し、再生する記録媒体再生装置において、 上記光学記録媒体に照射する光を出射する発光部と、 上記発光部から出射される光を上記光学記録媒体上に集
    光させる集光手段と、 上記戻り光の焦点位置近傍に配置された戻り光反射部と
    上記戻り光反射部の反射面に対向して配置された受光部
    とを有すると共に、上記反射面は上記戻り光の一部を反
    射するように配置され上記受光部において信号を検出す
    る光学装置と、 上記光学装置にて検出した信号に基づいて上記光学記録
    媒体の内容を再生する再生部とを有することを特徴とす
    る記録媒体再生装置。
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