JPH0824108B2 - 半導体製造用チューブ装置 - Google Patents
半導体製造用チューブ装置Info
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造用チューブ
装置に係り、特に半導体製造工程で膜を成長させるた
め、またはドーパントを拡散させるのに用いられるチュ
ーブ装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程で膜を成長させるた
め、またはドーパントを拡散させるのに用いられるチュ
ーブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、各種の膜成長
はドーパントを拡散させるために石英から構成されたチ
ューブを用いている。石英チューブは通常的に工程を進
ませるためシリコンウェーハを有するプロセス石英チュ
ーブ（以下「プロセスチューブ」と称する）と、工程完
了後に残留ガスを排出させるための模造チューブ（dumm
y tube）から構成されている。
はドーパントを拡散させるために石英から構成されたチ
ューブを用いている。石英チューブは通常的に工程を進
ませるためシリコンウェーハを有するプロセス石英チュ
ーブ（以下「プロセスチューブ」と称する）と、工程完
了後に残留ガスを排出させるための模造チューブ（dumm
y tube）から構成されている。
【０００３】プロセスチューブはガス流入口を通じて入
った反応ガスがシリコンウェーハ上で反応して希望する
膜を成長させるかドーピングされた不純物を拡散させる
のに用いられる。また、前記模造チューブは前記プロセ
スチューブに装着されており、前記プロセスチューブで
反応し、残った未反応ガスや反応により生成された副産
物等を排出させるための排出管が備えられている。前記
模造チューブには、窒素カーテン管を通じて窒素ガスを
流入させプロセスチューブ内の一定の圧力を保たせ、外
部からの汚染物質がプロセスチューブ内に流入すること
を防止する。
った反応ガスがシリコンウェーハ上で反応して希望する
膜を成長させるかドーピングされた不純物を拡散させる
のに用いられる。また、前記模造チューブは前記プロセ
スチューブに装着されており、前記プロセスチューブで
反応し、残った未反応ガスや反応により生成された副産
物等を排出させるための排出管が備えられている。前記
模造チューブには、窒素カーテン管を通じて窒素ガスを
流入させプロセスチューブ内の一定の圧力を保たせ、外
部からの汚染物質がプロセスチューブ内に流入すること
を防止する。
【０００４】図１は拡散工程時の前記従来のチューブ装
置の断面図を示し、図２は図１のチューブ装置のＡ−
Ａ’線の断面図を示す。図１および図２で、符号１はプ
ロセスチューブ、２は模造チューブ、３はガス排出口、
４はプロセスチューブ１と模造チューブ２との接合部、
５は窒素カーテン管（Ｎ2 Curtain tube ）、６は反応
ガス流入口、７は模造チューブ内に残っている残留物
（residue ）、８は反応ガスの流れを示す。
置の断面図を示し、図２は図１のチューブ装置のＡ−
Ａ’線の断面図を示す。図１および図２で、符号１はプ
ロセスチューブ、２は模造チューブ、３はガス排出口、
４はプロセスチューブ１と模造チューブ２との接合部、
５は窒素カーテン管（Ｎ2 Curtain tube ）、６は反応
ガス流入口、７は模造チューブ内に残っている残留物
（residue ）、８は反応ガスの流れを示す。
【０００５】まず、半導体ウェーハ（図示せず）をプロ
セスチューブ１に装着させ、反応ガス８をガス流入口６
を通じて流入する。このとき、模造チューブ２には窒素
カーテン管５を通じて窒素ガスを導入してプロセスチュ
ーブ１内に窒素カーテンを形成させる。ガス流入口６を
通じて流入した反応ガス８はウェーハ上で希望する膜を
成長させるかドーピングされた不純物を拡散させる。窒
素カーテン管５を通じて導入された窒素ガスはプロセス
チューブ１内の圧力を一定に保ち、反応ガスと外部との
接触を遮断させ汚染物質がプロセスチューブ１内に流入
することを防止する。工程を終えると、未反応ガスおよ
び反応副産物は模造チューブ２のガス排出口３を通じて
外部に排出される。
セスチューブ１に装着させ、反応ガス８をガス流入口６
を通じて流入する。このとき、模造チューブ２には窒素
カーテン管５を通じて窒素ガスを導入してプロセスチュ
ーブ１内に窒素カーテンを形成させる。ガス流入口６を
通じて流入した反応ガス８はウェーハ上で希望する膜を
成長させるかドーピングされた不純物を拡散させる。窒
素カーテン管５を通じて導入された窒素ガスはプロセス
チューブ１内の圧力を一定に保ち、反応ガスと外部との
接触を遮断させ汚染物質がプロセスチューブ１内に流入
することを防止する。工程を終えると、未反応ガスおよ
び反応副産物は模造チューブ２のガス排出口３を通じて
外部に排出される。
【０００６】前記した従来のチューブ装置においては、
プロセスチューブ１と模造チューブ２が接合されており
互いに異なる温度分布を有する。すなわち、模造チュー
ブ２の方の温度がプロセスチューブ１の方の温度より低
い。従って、プロセスチューブ１での高温反応ガスと反
応副産物は模造チューブ２の内壁に凝縮して残留物７を
形成し、この残留物７はウェーハをプロセスチューブ１
にローディングするかアンローディングする場合に汚染
源として作用する。また、プロセスチューブ１と模造チ
ューブ２は互いに接合しているので微細な隙間が形成さ
れており、この隙間から熱が放出されるだけではなく、
反応ガスが漏れ外部の空気中の水蒸気と反応して強い酸
性物質を形成して凝固しながら、プロセスチューブ１と
模造チューブ２を固く結合させ分離できなくなり再使用
が困難になる。また、プロセスチューブ１と模造チュー
ブ２の接合が非常に重要なので工程維持上慎重を期しな
ければならなく、装置処理時には長時間を要する。
プロセスチューブ１と模造チューブ２が接合されており
互いに異なる温度分布を有する。すなわち、模造チュー
ブ２の方の温度がプロセスチューブ１の方の温度より低
い。従って、プロセスチューブ１での高温反応ガスと反
応副産物は模造チューブ２の内壁に凝縮して残留物７を
形成し、この残留物７はウェーハをプロセスチューブ１
にローディングするかアンローディングする場合に汚染
源として作用する。また、プロセスチューブ１と模造チ
ューブ２は互いに接合しているので微細な隙間が形成さ
れており、この隙間から熱が放出されるだけではなく、
反応ガスが漏れ外部の空気中の水蒸気と反応して強い酸
性物質を形成して凝固しながら、プロセスチューブ１と
模造チューブ２を固く結合させ分離できなくなり再使用
が困難になる。また、プロセスチューブ１と模造チュー
ブ２の接合が非常に重要なので工程維持上慎重を期しな
ければならなく、装置処理時には長時間を要する。
【０００７】前述した問題点を解決するために本発明者
は鋭意検討した結果本発明を完成した。
は鋭意検討した結果本発明を完成した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、チュ
ーブの接合不良による工程の不安定化を防止し、取り扱
いが容易な半導体装置製造用の新規なチューブ装置を提
供することにある。
ーブの接合不良による工程の不安定化を防止し、取り扱
いが容易な半導体装置製造用の新規なチューブ装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的を達成
するために、本発明によると、半導体装置製造用チュー
ブ装置において、前記チューブ装置は、 (1) 一端は閉鎖されておりその付近に半導体装置製造工
程において使用された反応ガスの残留ガスを工程終了後
に外部へ排出するために用いられるガス排出口および前
記反応ガスと外部の空気との接触を防止する不活性ガス
カーテンを形成するために前記円筒型チューブ内への不
活性ガスを導入する不活性ガス流入口が形成されてお
り、他の一端は円錐状に構成されておりその円錐の端に
は前記反応ガスを導入する反応ガス流入口が形成されて
おり、かつ半導体ウェーハを搭載するためのドアが形成
された円筒型チューブと、 (2) 前記円筒型チューブに装着されており、前記円筒型
チューブの前記ガス排出口および前記不活性ガス流入口
とそれぞれ一致する２か所の開口部を有するサドルと、
を備えることを特徴とするチューブ装置を提供する。
するために、本発明によると、半導体装置製造用チュー
ブ装置において、前記チューブ装置は、 (1) 一端は閉鎖されておりその付近に半導体装置製造工
程において使用された反応ガスの残留ガスを工程終了後
に外部へ排出するために用いられるガス排出口および前
記反応ガスと外部の空気との接触を防止する不活性ガス
カーテンを形成するために前記円筒型チューブ内への不
活性ガスを導入する不活性ガス流入口が形成されてお
り、他の一端は円錐状に構成されておりその円錐の端に
は前記反応ガスを導入する反応ガス流入口が形成されて
おり、かつ半導体ウェーハを搭載するためのドアが形成
された円筒型チューブと、 (2) 前記円筒型チューブに装着されており、前記円筒型
チューブの前記ガス排出口および前記不活性ガス流入口
とそれぞれ一致する２か所の開口部を有するサドルと、
を備えることを特徴とするチューブ装置を提供する。
【００１０】半導体装置製造時、チューブ装置には円筒
型チューブ内に不活性ガスを導入するための不活性ガス
引込管および工程終了後の残留ガスを外部に排出するた
めのガス排出用管などのチューブが取付けられる。本発
明のチューブ装置は、これらのチューブの着脱を容易に
するために、チューブ保持用の固定装置としてのサドル
を備える。
型チューブ内に不活性ガスを導入するための不活性ガス
引込管および工程終了後の残留ガスを外部に排出するた
めのガス排出用管などのチューブが取付けられる。本発
明のチューブ装置は、これらのチューブの着脱を容易に
するために、チューブ保持用の固定装置としてのサドル
を備える。
【００１１】また、前記サドルは、前記サドルの２か所
の開口部が前記円筒型チューブの前記ガス排出口および
前記不活性ガス流入口とそれぞれ一致するように前記円
筒型チューブ上に装着されている。これにより、サドル
の開口部から円筒型チューブの不活性ガス流入口へ不活
性ガスを供給し、また円筒型チューブのガス排出口から
サドルの開口部を経て残留ガスを外部へ排出できる。
の開口部が前記円筒型チューブの前記ガス排出口および
前記不活性ガス流入口とそれぞれ一致するように前記円
筒型チューブ上に装着されている。これにより、サドル
の開口部から円筒型チューブの不活性ガス流入口へ不活
性ガスを供給し、また円筒型チューブのガス排出口から
サドルの開口部を経て残留ガスを外部へ排出できる。
【００１２】
【作用】本発明のチューブ装置によると拡散工程が容易
である。また、プロセスチューブと模造チューブとから
チューブ装置を構成する従来技術とは異なり、本発明の
チューブ装置は単一のプロセスチューブとしての円筒型
チューブを用いるので、プロセスチューブの温度が全体
的に均一に保たれる。このため、反応ガスの残留物がプ
ロセスチューブに残留しない。
である。また、プロセスチューブと模造チューブとから
チューブ装置を構成する従来技術とは異なり、本発明の
チューブ装置は単一のプロセスチューブとしての円筒型
チューブを用いるので、プロセスチューブの温度が全体
的に均一に保たれる。このため、反応ガスの残留物がプ
ロセスチューブに残留しない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図３は拡散工程時サドルが装着された本発明のチ
ューブ装置の模式図であり、図４は前記図３のチューブ
装置の閉鎖された一端のＢ−Ｂ’線の断面図である。図
３および図４で符号１１はプロセスチューブ、１２は窒
素ガス流入口、１３はガス排出口、１４はサドル、１５
は反応ガス流入口、１６は反応ガスを示す。
する。図３は拡散工程時サドルが装着された本発明のチ
ューブ装置の模式図であり、図４は前記図３のチューブ
装置の閉鎖された一端のＢ−Ｂ’線の断面図である。図
３および図４で符号１１はプロセスチューブ、１２は窒
素ガス流入口、１３はガス排出口、１４はサドル、１５
は反応ガス流入口、１６は反応ガスを示す。
【００１４】本発明のチューブ装置は半導体ウェーハを
搭載するためのドア部が（図示せず）備えられた円筒型
のプロセスチューブ１１から構成されており、このプロ
セスチューブ１１の一端は閉鎖されており、他端は円錐
状に構成されており、前記円錐状の他端には開口部１５
が形成されており、前記閉鎖された一端の付近に２か所
の開口部１２’、１３’が形成されている。前記円錐の
一端に形成された開口部１５は反応ガス流入口であり、
これを通じて反応ガスがプロセスチューブ１１内に流入
される。本発明のプロセスチューブ１１は耐熱性、耐薬
品性等が優れた石英からなる。
搭載するためのドア部が（図示せず）備えられた円筒型
のプロセスチューブ１１から構成されており、このプロ
セスチューブ１１の一端は閉鎖されており、他端は円錐
状に構成されており、前記円錐状の他端には開口部１５
が形成されており、前記閉鎖された一端の付近に２か所
の開口部１２’、１３’が形成されている。前記円錐の
一端に形成された開口部１５は反応ガス流入口であり、
これを通じて反応ガスがプロセスチューブ１１内に流入
される。本発明のプロセスチューブ１１は耐熱性、耐薬
品性等が優れた石英からなる。
【００１５】本発明のチューブ装置はサドル１４を含ん
でいる。図５は前記サドル１４の断面図であり、図６は
前記サドル１４の右側面図である。前記サドル１４に
は、プロセスチューブ１１の閉鎖された一端に位置する
開口部１２’、１３’にそれぞれ対応する２か所の開口
部１２、１３が形成されている。サドル１４は、開口部
１２がプロセスチューブ１１の開口部１２’に密着し、
開口部１３がプロセスチューブ１１の開口部１３’に密
着するようにしてプロセスチューブ１１上に装着されて
いる。そして、サドル１４の開口部１２には図示しない
不活性ガス引込管が連結され、サドル１４の開口部１３
には図示しない排気管が連結される。
でいる。図５は前記サドル１４の断面図であり、図６は
前記サドル１４の右側面図である。前記サドル１４に
は、プロセスチューブ１１の閉鎖された一端に位置する
開口部１２’、１３’にそれぞれ対応する２か所の開口
部１２、１３が形成されている。サドル１４は、開口部
１２がプロセスチューブ１１の開口部１２’に密着し、
開口部１３がプロセスチューブ１１の開口部１３’に密
着するようにしてプロセスチューブ１１上に装着されて
いる。そして、サドル１４の開口部１２には図示しない
不活性ガス引込管が連結され、サドル１４の開口部１３
には図示しない排気管が連結される。
【００１６】サドル１４の開口部１２とプロセスチュー
ブ１１の開口部１２’とが密着して形成された窒素ガス
流入口１２は、プロセスチューブ１１全体の内部圧力を
均一にするための不活性ガス引込口である。この窒素ガ
ス流入口１２を通じてプロセスチューブ１１内に窒素ガ
スを注入することにより、反応ガスが外部の空気と接触
するのを防止し、またプロセスチューブ１１全体の内部
圧力を一定に保つ。一方、サドル１４の開口部１３とプ
ロセスチューブ１１の開口部１３’とが密着して形成さ
れたガス流出口１３は、プロセスチューブ１１内の工程
で発生する残留ガスの排出口として用いられる。
ブ１１の開口部１２’とが密着して形成された窒素ガス
流入口１２は、プロセスチューブ１１全体の内部圧力を
均一にするための不活性ガス引込口である。この窒素ガ
ス流入口１２を通じてプロセスチューブ１１内に窒素ガ
スを注入することにより、反応ガスが外部の空気と接触
するのを防止し、またプロセスチューブ１１全体の内部
圧力を一定に保つ。一方、サドル１４の開口部１３とプ
ロセスチューブ１１の開口部１３’とが密着して形成さ
れたガス流出口１３は、プロセスチューブ１１内の工程
で発生する残留ガスの排出口として用いられる。
【００１７】このように、本実施例ではサドル１４の開
口部１２とプロセスチューブ１１の 開口部１２’とが密
着するように連結されており不活性ガスを外部からサド
ル１４の開口部１２を通じてプロセスチューブ１１の開
口部１２’に供給し、またサドル１４の開口部１３とプ
ロセスチューブ１１の開口部１３’とが密着するように
連結されておりプロセスチューブ１１内の工程で発生す
る残留ガスをプロセスチューブ１１の開口部１３’から
サドル１４の開口部１３を経て外部へ排出する。このた
め、サドル接合部の残留物がチューブ１１内に入り込ま
ない。
口部１２とプロセスチューブ１１の 開口部１２’とが密
着するように連結されており不活性ガスを外部からサド
ル１４の開口部１２を通じてプロセスチューブ１１の開
口部１２’に供給し、またサドル１４の開口部１３とプ
ロセスチューブ１１の開口部１３’とが密着するように
連結されておりプロセスチューブ１１内の工程で発生す
る残留ガスをプロセスチューブ１１の開口部１３’から
サドル１４の開口部１３を経て外部へ排出する。このた
め、サドル接合部の残留物がチューブ１１内に入り込ま
ない。
【００１８】また、不活性ガス引込管および排気管はサ
ドル１４の開口部１２および開口部１３にそれぞれ連結
されるので、排気管および不活性ガス引込管のチューブ
装置への着脱が容易である。図７は従来のチューブ装置
を用いて拡散工程を実施した時収得した工程能力指数を
示したグラフであり、図８は本発明によるチューブ装置
を用いて拡散工程を実施したとき収得した工程能力指数
を示したグラフである。図７および図８において、縦軸
はウェーハの面抵抗の測定単位の数を示し、横軸は拡散
工程以後測定したウェーハの面抵抗（Ω／□）を示し
た。拡散工程の設定面抵抗値は２４Ω／□であった。
ドル１４の開口部１２および開口部１３にそれぞれ連結
されるので、排気管および不活性ガス引込管のチューブ
装置への着脱が容易である。図７は従来のチューブ装置
を用いて拡散工程を実施した時収得した工程能力指数を
示したグラフであり、図８は本発明によるチューブ装置
を用いて拡散工程を実施したとき収得した工程能力指数
を示したグラフである。図７および図８において、縦軸
はウェーハの面抵抗の測定単位の数を示し、横軸は拡散
工程以後測定したウェーハの面抵抗（Ω／□）を示し
た。拡散工程の設定面抵抗値は２４Ω／□であった。
【００１９】前記ウェーハの面抵抗の測定値の平均は従
来のチューブ装置を用いたときは２３．５７３（Ω／
□）であり、本発明のチューブ装置を用いたときは２
３．８４５（Ω／□）であった。また、標準偏差は従来
のチューブ装置においては０．６５であり、本発明のチ
ューブ装置においては０．３９であった。前記標準偏差
値から下記の式を利用してＣP 値を出す。
来のチューブ装置を用いたときは２３．５７３（Ω／
□）であり、本発明のチューブ装置を用いたときは２
３．８４５（Ω／□）であった。また、標準偏差は従来
のチューブ装置においては０．６５であり、本発明のチ
ューブ装置においては０．３９であった。前記標準偏差
値から下記の式を利用してＣP 値を出す。
【００２０】
【数１】
【００２１】前記ＣP 値を決めた後工程能力指数ＣPKを
次の通りに決める。
次の通りに決める。
【００２２】
【数２】
【００２３】前記数１の式により工程能力指数ＣPKを計
算すると、従来のチューブ装置を用いた場合にはＣPK＝
０．８３であり、本発明のチューブ装置を用いた場合に
はＣPK＝１．５９であった。前記結果を下記表１に示し
た。
算すると、従来のチューブ装置を用いた場合にはＣPK＝
０．８３であり、本発明のチューブ装置を用いた場合に
はＣPK＝１．５９であった。前記結果を下記表１に示し
た。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【発明の効果】前記から明らかになったように、本発明
のチューブ装置を用いて拡散工程を遂行した場合に工程
が非常に安定化することが判る。また、サドルはプロセ
スチューブ上に簡単に装着できるので取り扱いが容易で
ある。さらに、従来のチューブ装置においては模造チュ
ーブとプロセスチューブの接合部で反応ガス残留物が残
留するので模造チューブとプロセスチューブを分離でき
なくなり従来のチューブ装置はそれ以上使用が不可能で
あったが、本発明のチューブ装置はサドルとプロセスチ
ューブの分離が容易で、前記した残留物が存在しない。
プロセスチューブの内面に残留物が形成されるとして
も、容易に除去できる。従って、本発明のチューブ装置
は半永久的に使用可能である。
のチューブ装置を用いて拡散工程を遂行した場合に工程
が非常に安定化することが判る。また、サドルはプロセ
スチューブ上に簡単に装着できるので取り扱いが容易で
ある。さらに、従来のチューブ装置においては模造チュ
ーブとプロセスチューブの接合部で反応ガス残留物が残
留するので模造チューブとプロセスチューブを分離でき
なくなり従来のチューブ装置はそれ以上使用が不可能で
あったが、本発明のチューブ装置はサドルとプロセスチ
ューブの分離が容易で、前記した残留物が存在しない。
プロセスチューブの内面に残留物が形成されるとして
も、容易に除去できる。従って、本発明のチューブ装置
は半永久的に使用可能である。
【００２６】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の改
変をなし得ることはもちろんである。
のではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の改
変をなし得ることはもちろんである。
【図１】拡散工程時の従来のチューブ装置を示す断面図
である。
である。
【図２】図１に示すチューブ装置のＡ−Ａ’線断面図で
ある。
ある。
【図３】拡散工程時サドルが装着された本発明のチュー
ブ装置を示す模式図である。
ブ装置を示す模式図である。
【図４】図３に示すチューブ装置のＢ−Ｂ’線断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明のチューブ装置に装着されたサドルの断
面図である。
面図である。
【図６】図５の部分断面VI方向矢視図である。
【図７】従来のチューブ装置を用いて収得した工程能力
指数を示したグラフである。
指数を示したグラフである。
【図８】本発明のチューブ装置を用いて収得した工程能
力指数を示したグラフである。
力指数を示したグラフである。
１１ プロセスチューブ（円筒型チューブ） １２ 窒素ガス流入口 １３ ガス排出口 １４ サドル １５ 反応ガス流入口 １６ 反応ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安 俊根 大韓民国 京幾道 水原市 勸善区 梅灘 ２洞 205−３番地 (56)参考文献 特開 平２−133919（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−71674（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−57380（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置製造用チューブ装置におい
て、 前記チューブ装置は、 (1) 一端は閉鎖されておりその付近に半導体装置製造工
程において使用された反応ガスの残留ガスを工程終了後
に外部へ排出するために用いられるガス排出口および前
記反応ガスと外部の空気との接触を防止する不活性ガス
カーテンを形成するために前記円筒型チューブ内への不
活性ガスを導入する不活性ガス流入口が形成されてお
り、他の一端は円錐状に構成されておりその円錐の端に
は前記反応ガスを導入する反応ガス流入口が形成されて
おり、かつ半導体ウェーハを搭載するためのドアが形成
された円筒型チューブと、 (2) 前記円筒型チューブに装着されており、前記円筒型
チューブの前記ガス排出口および前記不活性ガス流入口
とそれぞれ一致する２か所の開口部を有するサドルと、 を備えることを特徴とするチューブ装置。 - 【請求項２】 半導体ウェーハを搭載するためのドアが
形成された円筒型チューブから構成されており、前記円
筒型チューブの一端は閉鎖されており、その付近に２か
所の開口部が形成されており、他の一端は円錐状に構成
されており、円錐の端には開口部が形成されている円筒
型チューブと、前記円筒型チューブに装着されており、前記円筒型チュ
ーブの２か所の開口部に一致する位置に ２か所の開口部
を有するサドルとを有し、 前記円筒型チューブの２か所の開口部のうち、一つは半
導体製造工程における反応ガスの残留ガスを工程終了後
に外部へ排出するために用いられ、他の一つは前記反応
ガスと外部の空気との接触を防止する不活性ガスカーテ
ンを形成する不活性ガスを前記円筒型チューブ内へ導入
するために用いられる ことを特徴とする半導体装置製造
用チューブ装置。
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684815A JPH0684815A (ja) | 1994-03-25 |
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Family
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH0824108B2 (ja) |
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| US4732110A (en) * | 1983-04-29 | 1988-03-22 | Hughes Aircraft Company | Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition reactor chamber |
| US4640223A (en) * | 1984-07-24 | 1987-02-03 | Dozier Alfred R | Chemical vapor deposition reactor |
| JPS62166624U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | ||
| US4753192A (en) * | 1987-01-08 | 1988-06-28 | Btu Engineering Corporation | Movable core fast cool-down furnace |
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| US4793283A (en) * | 1987-12-10 | 1988-12-27 | Sarkozy Robert F | Apparatus for chemical vapor deposition with clean effluent and improved product yield |
| JPH02133919A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ウエハの拡散装置 |
| JPH0311623A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用炉芯管 |
| US5064367A (en) * | 1989-06-28 | 1991-11-12 | Digital Equipment Corporation | Conical gas inlet for thermal processing furnace |
-
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- 1992-01-06 KR KR1019920000054A patent/KR950006969B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-12 TW TW081109976A patent/TW257880B/zh not_active IP Right Cessation
- 1992-12-17 DE DE69209478T patent/DE69209478T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-17 EP EP92121506A patent/EP0550859B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-06 JP JP5000621A patent/JPH0824108B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-01-06 US US08/000,870 patent/US5352293A/en not_active Expired - Lifetime
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