JPH08242019A - チップ型発光ダイオード - Google Patents
チップ型発光ダイオードInfo
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- JPH08242019A JPH08242019A JP7045308A JP4530895A JPH08242019A JP H08242019 A JPH08242019 A JP H08242019A JP 7045308 A JP7045308 A JP 7045308A JP 4530895 A JP4530895 A JP 4530895A JP H08242019 A JPH08242019 A JP H08242019A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting diode
- type light
- chip type
- wiring
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装用基板上にチップ型発光ダイオードを半
田付けする際、半田の濡れ性を向上させることによって
半田の乗りを良くし、接合不良を無くす。 【構成】 メッキ配線による電極３，４が形成された絶
縁基板２上にＬＥＤ素子５を実装し、このＬＥＤ素子５
の表面を透光性樹脂６にて封止すると共に、実装用基板
７の配線パターン８，９上に半田付けされる上記電極
３，４の端面にメッキ配線の端面があらわれてなるチッ
プ型発光ダイオード２０において、上記電極３，４の端
面に金メッキ膜２２，２３を施し、メッキ配線の端面を
被覆することによって半田の濡れ性を向上させた。
田付けする際、半田の濡れ性を向上させることによって
半田の乗りを良くし、接合不良を無くす。 【構成】 メッキ配線による電極３，４が形成された絶
縁基板２上にＬＥＤ素子５を実装し、このＬＥＤ素子５
の表面を透光性樹脂６にて封止すると共に、実装用基板
７の配線パターン８，９上に半田付けされる上記電極
３，４の端面にメッキ配線の端面があらわれてなるチッ
プ型発光ダイオード２０において、上記電極３，４の端
面に金メッキ膜２２，２３を施し、メッキ配線の端面を
被覆することによって半田の濡れ性を向上させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型発光ダイオー
ドに係り、特にチップ型発光ダイオードの実装基板に対
して平行に発光するようにＬＥＤ素子が実装されてなる
チップ型発光ダイオードに関する。
ドに係り、特にチップ型発光ダイオードの実装基板に対
して平行に発光するようにＬＥＤ素子が実装されてなる
チップ型発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ型発光ダイオード
１としては、図４及び図５に示したようなものが知られ
ている（実開平４−６５４６５号公報参照）。このチッ
プ型発光ダイオード１は、直方体形状のプラスチック製
絶縁基板２の両側面にメッキ配線による電極３，４が形
成されている。これらの電極３，４は絶縁基板２の前後
側へも回り込むように断面略コの字状に形成されてお
り、一方側の電極３の上面にはＬＥＤ素子５が銀ペース
ト等によって固定され、さらにその表面が透光性樹脂６
によって封止された構造となっている。
１としては、図４及び図５に示したようなものが知られ
ている（実開平４−６５４６５号公報参照）。このチッ
プ型発光ダイオード１は、直方体形状のプラスチック製
絶縁基板２の両側面にメッキ配線による電極３，４が形
成されている。これらの電極３，４は絶縁基板２の前後
側へも回り込むように断面略コの字状に形成されてお
り、一方側の電極３の上面にはＬＥＤ素子５が銀ペース
ト等によって固定され、さらにその表面が透光性樹脂６
によって封止された構造となっている。
【０００３】このような構造からなるチップ型発光ダイ
オード１は、実装用基板７に対して平行に発光するよう
にマウントされ、例えば図５にも示したように、実装用
基板７に形成されている配線パターン８，９上に半田ペ
ースト１０を塗布しておき、その上に上記両側面の電極
３，４の端面１１，１２をそれぞれ乗せ、配線パターン
８，９に電極３，４の端面１１，１２を半田付けするこ
とでチップ型発光ダイオード１を固定するようにしてい
た。
オード１は、実装用基板７に対して平行に発光するよう
にマウントされ、例えば図５にも示したように、実装用
基板７に形成されている配線パターン８，９上に半田ペ
ースト１０を塗布しておき、その上に上記両側面の電極
３，４の端面１１，１２をそれぞれ乗せ、配線パターン
８，９に電極３，４の端面１１，１２を半田付けするこ
とでチップ型発光ダイオード１を固定するようにしてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来構造のチップ型発光ダイオード１にあっては、実装用
基板７にマウントしたときに半田付け不良を起こす虞れ
があった。これは、図５に示したように電極３，４を形
成するメッキ配線が銅箔層１８、ニッケルメッキ層１
９、金メッキ層１３の３層で構成されるが、その端面１
１，１２に銅箔層１８、ニッケルメッキ層１９が露出し
てしまうために半田の濡れ性が悪くなり、半田が電極
３，４の端面１１，１２から金メッキ層１３の表面側に
回り込めず、半田が十分に乗らない虞れがあったからで
ある。
来構造のチップ型発光ダイオード１にあっては、実装用
基板７にマウントしたときに半田付け不良を起こす虞れ
があった。これは、図５に示したように電極３，４を形
成するメッキ配線が銅箔層１８、ニッケルメッキ層１
９、金メッキ層１３の３層で構成されるが、その端面１
１，１２に銅箔層１８、ニッケルメッキ層１９が露出し
てしまうために半田の濡れ性が悪くなり、半田が電極
３，４の端面１１，１２から金メッキ層１３の表面側に
回り込めず、半田が十分に乗らない虞れがあったからで
ある。
【０００５】即ち、チップ型発光ダイオード１の製造過
程において、プラスチック絶縁基板２は、図６に示した
ように大きな基板１４からの多数個取りやプラスチック
成形金型による多数個取りを行ない、メッキ配線による
電極３，４の形成やＬＥＤ素子５の実装、及び透明性樹
脂６による封止工程を完了したのちに、ダイシングマシ
ンなどでカットライン１５に沿って切断し、一つ一つの
チップに分割する。その結果、図４に示したように実装
用基板７にマウントした状態では、チップ型発光ダイオ
ード１の上面１６と下面１７にカット面があらわれるこ
とになり、同様に電極３，４の各端面１１，１２もメッ
キ配線の断面があらわれることになる。そして、メッキ
配線を構成する下地の銅箔層１８、ニッケルメッキ層１
９及び表地の金メッキ層１３の断面が露出してしまい、
特に金メッキ層１３の厚みが非常に薄いために金メッキ
層１３の断面と半田との接触面積が小さく、半田の濡れ
性が著しく低下してしまう虞れがあった。
程において、プラスチック絶縁基板２は、図６に示した
ように大きな基板１４からの多数個取りやプラスチック
成形金型による多数個取りを行ない、メッキ配線による
電極３，４の形成やＬＥＤ素子５の実装、及び透明性樹
脂６による封止工程を完了したのちに、ダイシングマシ
ンなどでカットライン１５に沿って切断し、一つ一つの
チップに分割する。その結果、図４に示したように実装
用基板７にマウントした状態では、チップ型発光ダイオ
ード１の上面１６と下面１７にカット面があらわれるこ
とになり、同様に電極３，４の各端面１１，１２もメッ
キ配線の断面があらわれることになる。そして、メッキ
配線を構成する下地の銅箔層１８、ニッケルメッキ層１
９及び表地の金メッキ層１３の断面が露出してしまい、
特に金メッキ層１３の厚みが非常に薄いために金メッキ
層１３の断面と半田との接触面積が小さく、半田の濡れ
性が著しく低下してしまう虞れがあった。
【０００６】そこで本発明は、実装用基板上にチップ型
発光ダイオードを半田付けする際の半田の濡れ性を向上
し、半田が電極の表面側にも回り込み易くして半田付け
不良を無くすことである。
発光ダイオードを半田付けする際の半田の濡れ性を向上
し、半田が電極の表面側にも回り込み易くして半田付け
不良を無くすことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に係るチッ
プ型発光ダイオードは、メッキ配線による電極が形成さ
れた絶縁基板上にＬＥＤ素子を実装し、このＬＥＤ素子
の表面を透光性樹脂にて封止すると共に、実装用基板の
配線パターン上に半田付けされる上記電極の端面に再度
メッキを施し、メッキ配線の端面を被覆したことを特徴
とする。
プ型発光ダイオードは、メッキ配線による電極が形成さ
れた絶縁基板上にＬＥＤ素子を実装し、このＬＥＤ素子
の表面を透光性樹脂にて封止すると共に、実装用基板の
配線パターン上に半田付けされる上記電極の端面に再度
メッキを施し、メッキ配線の端面を被覆したことを特徴
とする。
【０００８】また、本発明に係るチップ型発光ダイオー
ドの電極を形成しているメッキ配線は、下地がニッケル
或いは銅とニッケルとの層であり、表地が金または銀で
あることを特徴とする。
ドの電極を形成しているメッキ配線は、下地がニッケル
或いは銅とニッケルとの層であり、表地が金または銀で
あることを特徴とする。
【０００９】
【作用】上述の手段によれば、実装用基板の配線パター
ン上に半田ペーストを塗布し、その上にチップ型発光ダ
イオードの電極の端面を載置すると、電極の端面に被覆
されたメッキと半田ペーストとの接触面積が大きくな
る。その結果、半田の濡れ性が良くなり、半田が電極の
表面側にも回り込み易くなって半田の乗りが良くなり接
合が確実となる。
ン上に半田ペーストを塗布し、その上にチップ型発光ダ
イオードの電極の端面を載置すると、電極の端面に被覆
されたメッキと半田ペーストとの接触面積が大きくな
る。その結果、半田の濡れ性が良くなり、半田が電極の
表面側にも回り込み易くなって半田の乗りが良くなり接
合が確実となる。
【００１０】
【実施例】以下添付図面に基づいて本発明に係るチップ
型発光ダイオードの実施例を詳細に説明する。図１乃至
図３は、本発明に係るチップ型発光ダイオード２０の一
実施例を示したものである。基本的には従来のものと同
様に、直方体形状のプラスチック製絶縁基板２の両側面
にメッキ配線による電極３，４が形成されている。この
電極３，４は前後側へも回り込むように形成され、一方
側の電極３の上面にはＬＥＤ素子５が銀ペースト等の導
電性接着剤によって固定される。このＬＥＤ素子５と他
方側の電極４とは金及びアルミなどのワイヤ２１によっ
て電気的に接続されており、更に、ＬＥＤ素子５とワイ
ヤ２１を保護するためにその表面が透光性樹脂６によっ
て封止された構造となっている。また、両側面の電極
３，４を形成するメッキ配線も上述の例と同様に３層か
らなり、下地に銅箔層１８とニッケルメッキ層１９が、
表地に薄膜の金メッキ層１３が施されている。
型発光ダイオードの実施例を詳細に説明する。図１乃至
図３は、本発明に係るチップ型発光ダイオード２０の一
実施例を示したものである。基本的には従来のものと同
様に、直方体形状のプラスチック製絶縁基板２の両側面
にメッキ配線による電極３，４が形成されている。この
電極３，４は前後側へも回り込むように形成され、一方
側の電極３の上面にはＬＥＤ素子５が銀ペースト等の導
電性接着剤によって固定される。このＬＥＤ素子５と他
方側の電極４とは金及びアルミなどのワイヤ２１によっ
て電気的に接続されており、更に、ＬＥＤ素子５とワイ
ヤ２１を保護するためにその表面が透光性樹脂６によっ
て封止された構造となっている。また、両側面の電極
３，４を形成するメッキ配線も上述の例と同様に３層か
らなり、下地に銅箔層１８とニッケルメッキ層１９が、
表地に薄膜の金メッキ層１３が施されている。
【００１１】上述の構成よりなるチップ型発光ダイオー
ド２０も、その製造過程においては図６に示したような
大きな基板１４からの多数個取りやプラスチック成形金
型による多数個取りが行われ、ダイシングマシンなどで
カットライン１５に沿って一つ一つのチップに切断され
るために、実装用基板７にマウントした状態では、チッ
プ型発光ダイオード２０の上面１６と下面１７にカット
面があらわれる。その結果、電極３，４の各端面１１，
１２にも上記メッキ配線の断面があらわれ、半田の付き
にくい銅箔層１８及びニッケルメッキ層１９の断面が出
現することになる。
ド２０も、その製造過程においては図６に示したような
大きな基板１４からの多数個取りやプラスチック成形金
型による多数個取りが行われ、ダイシングマシンなどで
カットライン１５に沿って一つ一つのチップに切断され
るために、実装用基板７にマウントした状態では、チッ
プ型発光ダイオード２０の上面１６と下面１７にカット
面があらわれる。その結果、電極３，４の各端面１１，
１２にも上記メッキ配線の断面があらわれ、半田の付き
にくい銅箔層１８及びニッケルメッキ層１９の断面が出
現することになる。
【００１２】本実施例では、電極３，４の端面１１，１
２に再度金メッキを施すことで、銅箔層１８、ニッケル
メッキ層１９の端面を金メッキ膜２２，２３で被覆し、
半田の濡れ性を向上させるものである。銅箔層１８、ニ
ッケルメッキ層１９の端面だけに金メッキ膜２２，２３
を付ける方法として、置換タイプの無電解メッキ法があ
る。これは上述の実施例では銅箔層１８やニッケルメッ
キ層１９が溶けて銅及びニッケルの原子と金の原子とが
入れ替わり、図２に示したように銅箔層１８やニッケル
メッキ層１９の端面だけに金メッキ膜２２，２３が付
き、電極の表地を形成している金メッキ層１３やその端
面、及びプラスチック絶縁基板２や透光性樹脂６などの
非金属部には上記の金メッキ膜が付かない。
２に再度金メッキを施すことで、銅箔層１８、ニッケル
メッキ層１９の端面を金メッキ膜２２，２３で被覆し、
半田の濡れ性を向上させるものである。銅箔層１８、ニ
ッケルメッキ層１９の端面だけに金メッキ膜２２，２３
を付ける方法として、置換タイプの無電解メッキ法があ
る。これは上述の実施例では銅箔層１８やニッケルメッ
キ層１９が溶けて銅及びニッケルの原子と金の原子とが
入れ替わり、図２に示したように銅箔層１８やニッケル
メッキ層１９の端面だけに金メッキ膜２２，２３が付
き、電極の表地を形成している金メッキ層１３やその端
面、及びプラスチック絶縁基板２や透光性樹脂６などの
非金属部には上記の金メッキ膜が付かない。
【００１３】従って、このように電極３，４の端面１
１，１２に再度金メッキ膜２２，２３を形成した場合に
は、メッキ配線を構成する銅箔層１８及びニッケルメッ
キ層１９の断面が金メッキ膜２２，２３によって被覆さ
れるために、電極３，４の端面１１，１２の全体が金メ
ッキで形成されることになる。そのため、このチップ型
発光ダイオード２０を実装用基板７にマウントした場合
には、図３に示したように配線パターン８，９の上に塗
布された半田ペースト１０と電極３，４の端面を構成す
る金メッキ膜２２，２３及び金メッキ層１３の端面との
接触面積が大きくなることから半田の濡れ性が飛躍的に
向上し、半田が電極３，４の表面側にも回り込み易くな
って半田の乗りが良くなり接合が確実となる。
１，１２に再度金メッキ膜２２，２３を形成した場合に
は、メッキ配線を構成する銅箔層１８及びニッケルメッ
キ層１９の断面が金メッキ膜２２，２３によって被覆さ
れるために、電極３，４の端面１１，１２の全体が金メ
ッキで形成されることになる。そのため、このチップ型
発光ダイオード２０を実装用基板７にマウントした場合
には、図３に示したように配線パターン８，９の上に塗
布された半田ペースト１０と電極３，４の端面を構成す
る金メッキ膜２２，２３及び金メッキ層１３の端面との
接触面積が大きくなることから半田の濡れ性が飛躍的に
向上し、半田が電極３，４の表面側にも回り込み易くな
って半田の乗りが良くなり接合が確実となる。
【００１４】なお、上記金メッキによる被覆は無電解メ
ッキ法のみでなく、電解メッキ法でも行うことができ
る。この電解メッキ法では、プラスチック絶縁基板２や
透光性樹脂６には金メッキは付かないが、電極３，４の
端面１１，１２だけでなく表地の金メッキ層１３にも重
ねて金メッキが付くことになる。また、上記実施例では
電極３，４の端面１１，１２に金メッキを施した場合に
ついて説明したが、本発明では金メッキのみに限定され
るものではなく、錫メッキや半田メッキなど半田濡れ性
に優れるものであれば本発明に含まれるのは勿論であ
る。更に、上述の実施例ではメッキ配線の下地が銅箔層
１８とニッケルメッキ層１９、表地が金メッキ層１３で
ある場合について説明したが、本発明では下地層や表地
層を構成する金属の種類や層の数には何ら制限を受けな
いものであり、例えば下地に銅又はニッケルの一方だ
け、表地に銀を用いた場合にも適用される。
ッキ法のみでなく、電解メッキ法でも行うことができ
る。この電解メッキ法では、プラスチック絶縁基板２や
透光性樹脂６には金メッキは付かないが、電極３，４の
端面１１，１２だけでなく表地の金メッキ層１３にも重
ねて金メッキが付くことになる。また、上記実施例では
電極３，４の端面１１，１２に金メッキを施した場合に
ついて説明したが、本発明では金メッキのみに限定され
るものではなく、錫メッキや半田メッキなど半田濡れ性
に優れるものであれば本発明に含まれるのは勿論であ
る。更に、上述の実施例ではメッキ配線の下地が銅箔層
１８とニッケルメッキ層１９、表地が金メッキ層１３で
ある場合について説明したが、本発明では下地層や表地
層を構成する金属の種類や層の数には何ら制限を受けな
いものであり、例えば下地に銅又はニッケルの一方だ
け、表地に銀を用いた場合にも適用される。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プ型発光ダイオードによれば、メッキ配線による電極の
端面を再度メッキで被覆する構成としたから、実装用基
板上にチップ型発光ダイオードを半田付けする際、上記
メッキと半田との濡れ性が向上し、半田が電極の端面か
ら表面側に回り込み易くなって半田の乗りがよくなり半
田と電極との接合が確実となって、従来のように半田付
け不良を起こすといったことがない。
プ型発光ダイオードによれば、メッキ配線による電極の
端面を再度メッキで被覆する構成としたから、実装用基
板上にチップ型発光ダイオードを半田付けする際、上記
メッキと半田との濡れ性が向上し、半田が電極の端面か
ら表面側に回り込み易くなって半田の乗りがよくなり半
田と電極との接合が確実となって、従来のように半田付
け不良を起こすといったことがない。
【図１】本発明に係るチップ型発光ダイオードの一実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図２】チップ型発光ダイオードの電極を示す図１中Ａ
−Ａ線断面図である。
−Ａ線断面図である。
【図３】チップ型発光ダイオードの電極の端面に半田が
付いている様子を示す図１中Ａ−Ａ線断面図である。
付いている様子を示す図１中Ａ−Ａ線断面図である。
【図４】従来におけるチップ型発光ダイオードの一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】チップ型発光ダイオードの電極を示す図４中Ｂ
−Ｂ線断面図である。
−Ｂ線断面図である。
【図６】チップ型発光ダイオードを多数個取りするため
の絶縁基板を示す正面図である。
の絶縁基板を示す正面図である。
２ 絶縁基板 ３ 電極 ４ 電極 ５ ＬＥＤ素子 ６ 透光性樹脂 ７ 実装用基板 ８ 配線パターン ９ 配線パターン １０ 半田ペースト １１ 電極の端面 １２ 電極の端面 ２０ チップ型発光ダイオード ２２ 金メッキ膜 ２３ 金メッキ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 メッキ配線による電極が形成された絶縁
基板上にＬＥＤ素子を実装し、このＬＥＤ素子の表面を
透光性樹脂にて封止すると共に、実装用基板の配線パタ
ーン上に半田付けされる上記電極の端面にメッキ配線の
端面があらわれてなるチップ型発光ダイオードにおい
て、 上記電極の端面にメッキを施し、メッキ配線の端面を被
覆したことを特徴とするチップ型発光ダイオード。 - 【請求項２】 上記電極を形成するメッキ配線は、下地
がニッケル或いは銅とニッケルとの層であり、表地が金
または銀であることを特徴とするチップ型発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04530895A JP3447139B2 (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | チップ型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04530895A JP3447139B2 (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | チップ型発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08242019A true JPH08242019A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3447139B2 JP3447139B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=12715695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04530895A Expired - Lifetime JP3447139B2 (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | チップ型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3447139B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101471415A (zh) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | 斯坦雷电气株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN102208515A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 日立民用电子株式会社 | Led封装体和led封装安装结构体 |
| JP2016532286A (ja) * | 2013-09-27 | 2016-10-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体エレメント及びオプトエレクトロニクス半導体エレメントの製造方法 |
| JP2019195105A (ja) * | 2012-05-09 | 2019-11-07 | ローム株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN114649458A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置 |
-
1995
- 1995-03-06 JP JP04530895A patent/JP3447139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101471415A (zh) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | 斯坦雷电气株式会社 | 半导体发光装置 |
| JP2009164176A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| CN102208515A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 日立民用电子株式会社 | Led封装体和led封装安装结构体 |
| EP2372793A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | Hitachi Consumer Electronics Co. Ltd. | LED package and LED package mounting structure |
| US8716741B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-05-06 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | LED package and LED package mounting structure |
| JP2019195105A (ja) * | 2012-05-09 | 2019-11-07 | ローム株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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