JPH07120819B2 - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH07120819B2 JPH07120819B2 JP63098620A JP9862088A JPH07120819B2 JP H07120819 B2 JPH07120819 B2 JP H07120819B2 JP 63098620 A JP63098620 A JP 63098620A JP 9862088 A JP9862088 A JP 9862088A JP H07120819 B2 JPH07120819 B2 JP H07120819B2
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- light emitting
- emitting diode
- resin
- electrode
- plating
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Mounting Components In General For Electric Apparatus (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は表面実装用の発光ダイオードに関する。
従来の技術 従来の表面実装用発光ダイオードの構造を第３図
（ａ），（ｂ）の平面図および断面図に示す。この発光
ダイオードは、その製造工程の順に説明すると、第４図
に平面図で示すように、まず、表面にニッケル／銀（Ni
/Ag）の二層メッキを施した金属薄板で形成されたリー
ドフレーム１に、インサート成形により、高耐熱の熱可
塑性樹脂の外囲構体２を形成する。なお、このときの熱
可塑性樹脂としては、表面実装時の加熱に耐えるよう
に、熱変形温度が高い液晶ポリマー等が使用されてい
る。次に、第３図（ａ），（ｂ）に示すように、リード
フレーム１の一片に発光ダイオードチップ３を銀（Ag）
ペースト４により固定した後、金（Au）線５によりリー
ドフレーム１の他の片と結線される。この後、外囲構体
２の内部は発光ダイオードチップ３および金線５の保護
および光の取り出し効率の向上のために、透明エポキシ
樹脂６で封止される。外囲構体２の外部のリードフレー
ム１は、表面実装に対応するために、例えば第３図
（ｂ）に示すような形状にカッティング及びベンディン
グが行なわれる。
（ａ），（ｂ）の平面図および断面図に示す。この発光
ダイオードは、その製造工程の順に説明すると、第４図
に平面図で示すように、まず、表面にニッケル／銀（Ni
/Ag）の二層メッキを施した金属薄板で形成されたリー
ドフレーム１に、インサート成形により、高耐熱の熱可
塑性樹脂の外囲構体２を形成する。なお、このときの熱
可塑性樹脂としては、表面実装時の加熱に耐えるよう
に、熱変形温度が高い液晶ポリマー等が使用されてい
る。次に、第３図（ａ），（ｂ）に示すように、リード
フレーム１の一片に発光ダイオードチップ３を銀（Ag）
ペースト４により固定した後、金（Au）線５によりリー
ドフレーム１の他の片と結線される。この後、外囲構体
２の内部は発光ダイオードチップ３および金線５の保護
および光の取り出し効率の向上のために、透明エポキシ
樹脂６で封止される。外囲構体２の外部のリードフレー
ム１は、表面実装に対応するために、例えば第３図
（ｂ）に示すような形状にカッティング及びベンディン
グが行なわれる。
発明が解決しようとする課題 しかし、この発光ダイオードにおいては、リードフレー
ム１と高耐熱性樹脂の外囲構体２との密着力が本質的に
弱いため、半田付けやリードフレームのベンド加工時に
外囲構体２とリードフレーム１との間に界面剥離の問題
を生じることがある。
ム１と高耐熱性樹脂の外囲構体２との密着力が本質的に
弱いため、半田付けやリードフレームのベンド加工時に
外囲構体２とリードフレーム１との間に界面剥離の問題
を生じることがある。
課題を解決するための手段 本発明は、上述の問題点を解決するために、外囲構体
を、被メッキ性を有する第１の樹脂による二分割された
一対部と前記一対部の中間に配された被メッキ性を有し
ない第２の樹脂による分離帯部とで一体に構成し、前記
一対部には、前記外囲構体の主面および裏面の前記第１
の樹脂面にのみ形成されたメッキ層による第１、第２の
各電極をそなえ、前記第１の電極上に発光ダイオードチ
ップの一電極面を導電接着し、前記発光ダイオードチッ
プの他電極面を前記第２の電極に電気的接続した構成の
発光ダイオードを提供するものである。
を、被メッキ性を有する第１の樹脂による二分割された
一対部と前記一対部の中間に配された被メッキ性を有し
ない第２の樹脂による分離帯部とで一体に構成し、前記
一対部には、前記外囲構体の主面および裏面の前記第１
の樹脂面にのみ形成されたメッキ層による第１、第２の
各電極をそなえ、前記第１の電極上に発光ダイオードチ
ップの一電極面を導電接着し、前記発光ダイオードチッ
プの他電極面を前記第２の電極に電気的接続した構成の
発光ダイオードを提供するものである。
作用 本発明によると、外囲構体に設けたボンディング用のメ
ッキ層による第１、第２の各電極が、単に発光ダイオー
ドチップのボンディングのみならず、発光ダイオードチ
ップと発光ダイオード外部との電気的な接続までの、い
わゆるリード部を実現するため、従来の金属薄板で形成
されていたリードフレームが不要となり、また、表面実
装用の端子部までを同時に形成できる。
ッキ層による第１、第２の各電極が、単に発光ダイオー
ドチップのボンディングのみならず、発光ダイオードチ
ップと発光ダイオード外部との電気的な接続までの、い
わゆるリード部を実現するため、従来の金属薄板で形成
されていたリードフレームが不要となり、また、表面実
装用の端子部までを同時に形成できる。
実施例 第１図（ａ），（ｂ）は本発明実施例の発光ダイオード
の平面図およびそのＢ−Ｂ断面図である。次に、本発明
実施例の発光ダイオードについて、第２図（ａ），
（ｂ）の平面図および断面図を用いて、その製造工程の
順に述べる。まず、第２図に示されるように、凹部とそ
の両端部のスルーホールとを多数整列し、また、前記凹
部は、その中央部を細長い開口で二分割されて、互いに
一対部をなして、この部分に発光ダイオードチップを載
置できるように、被メッキ性を有する第１の樹脂７の成
形を行ない、次に、メッキの前処理としてエッチング→
水洗→乾燥→PdCl2処理→乾燥を行なう。さらに被メッ
キ性を有しない樹脂８を、前記細長い開口を埋めて分離
帯部となるように、被メッキ性を有する樹脂７と一体成
形する。次に前記一体成形品に銅（Cu）の無電解メッキ
→ニッケル／銀（Ni/Ag）メッキ処理を施す。この結
果、被メッキ性を有する樹脂７の表面部のみメッキさ
れ、これにより、前記凹部には、前記分離帯部をはさん
で、ボンディングパッド部９および同10が互いに一対部
として設けられ、同時に、スルーホールを通じて裏面へ
連続する電極が設けられる。次に、前記成形品のボンデ
ィングパッド部９に発光ダイオードチップ３を銀ペース
ト４により固定した後、金線５によりボンディングパッ
ド部10と結線する。ワイヤーボンディングには一般的に
サーモソニックワイヤーボンダーが用いられる。つい
で、発光ダイオードチップ３の固定された外囲構体の内
部は透明エポキシ樹脂６で封止される。次に、第２図に
示す破線11に沿って、カッティングホイールでカット
し、個々の発光ダイオードに分割する。このときスルー
ホール12も２分割されるので、メッキ部は、このスルー
ホール部の内半分を通じて、表裏両面でつながってい
る。第１図はこのときの分割された発光ダイオードの形
状を示す平面図，断面図である。第１図の斜線部はメッ
キ面13を示している。14,15は発光ダイオードを表面実
装するときの電極リードの端子部である。なお、一体成
形に用いる被メッキ性を有する樹脂及び被メッキ性を有
しない樹脂としては、例えば市販の液晶ポリマーのメッ
キグレード及び非メッキグレードのものを用いることが
できる。
の平面図およびそのＢ−Ｂ断面図である。次に、本発明
実施例の発光ダイオードについて、第２図（ａ），
（ｂ）の平面図および断面図を用いて、その製造工程の
順に述べる。まず、第２図に示されるように、凹部とそ
の両端部のスルーホールとを多数整列し、また、前記凹
部は、その中央部を細長い開口で二分割されて、互いに
一対部をなして、この部分に発光ダイオードチップを載
置できるように、被メッキ性を有する第１の樹脂７の成
形を行ない、次に、メッキの前処理としてエッチング→
水洗→乾燥→PdCl2処理→乾燥を行なう。さらに被メッ
キ性を有しない樹脂８を、前記細長い開口を埋めて分離
帯部となるように、被メッキ性を有する樹脂７と一体成
形する。次に前記一体成形品に銅（Cu）の無電解メッキ
→ニッケル／銀（Ni/Ag）メッキ処理を施す。この結
果、被メッキ性を有する樹脂７の表面部のみメッキさ
れ、これにより、前記凹部には、前記分離帯部をはさん
で、ボンディングパッド部９および同10が互いに一対部
として設けられ、同時に、スルーホールを通じて裏面へ
連続する電極が設けられる。次に、前記成形品のボンデ
ィングパッド部９に発光ダイオードチップ３を銀ペース
ト４により固定した後、金線５によりボンディングパッ
ド部10と結線する。ワイヤーボンディングには一般的に
サーモソニックワイヤーボンダーが用いられる。つい
で、発光ダイオードチップ３の固定された外囲構体の内
部は透明エポキシ樹脂６で封止される。次に、第２図に
示す破線11に沿って、カッティングホイールでカット
し、個々の発光ダイオードに分割する。このときスルー
ホール12も２分割されるので、メッキ部は、このスルー
ホール部の内半分を通じて、表裏両面でつながってい
る。第１図はこのときの分割された発光ダイオードの形
状を示す平面図，断面図である。第１図の斜線部はメッ
キ面13を示している。14,15は発光ダイオードを表面実
装するときの電極リードの端子部である。なお、一体成
形に用いる被メッキ性を有する樹脂及び被メッキ性を有
しない樹脂としては、例えば市販の液晶ポリマーのメッ
キグレード及び非メッキグレードのものを用いることが
できる。
発明の効果 本発明によると、被メッキ性を有しない樹脂と被メッキ
性を有する樹脂を一体成形してメッキ処理することによ
って、配線パターン内蔵の外囲構体を形成するので、金
属薄板によるリードフレームが不要の発光ダイオードを
実現でき、同時に、従来例にみられた金属薄板のリード
フレームと樹脂による外囲構体との界面剥離に関する問
題を解決できる。また、ドットマトリクス状に多数の発
光ダイオードを形成し、ダイシング等により多数の発光
ダイオードに分割することにより、量産性を高め、低コ
スト化が可能である。
性を有する樹脂を一体成形してメッキ処理することによ
って、配線パターン内蔵の外囲構体を形成するので、金
属薄板によるリードフレームが不要の発光ダイオードを
実現でき、同時に、従来例にみられた金属薄板のリード
フレームと樹脂による外囲構体との界面剥離に関する問
題を解決できる。また、ドットマトリクス状に多数の発
光ダイオードを形成し、ダイシング等により多数の発光
ダイオードに分割することにより、量産性を高め、低コ
スト化が可能である。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明実施例装置の平面図，断
面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明実施例装置の外囲
構体形成過程での平面図，断面図、第３図（ａ），
（ｂ）は従来の実施例装置の平面図，断面図、第４図は
従来例装置のリード構体を示す平面図である。 １……リードフレーム、２……外囲構体、３……発光ダ
イオードチップ、４……Agペースト、５……金線、６…
…透明エポキシ樹脂、７……被メッキ性を有する樹脂、
８……被メッキ性を有しない樹脂、9,10……ボンディン
グパッド、11……カッティングライン、12……スルーホ
ール、13……メッキ面、14,15……端子部。
面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明実施例装置の外囲
構体形成過程での平面図，断面図、第３図（ａ），
（ｂ）は従来の実施例装置の平面図，断面図、第４図は
従来例装置のリード構体を示す平面図である。 １……リードフレーム、２……外囲構体、３……発光ダ
イオードチップ、４……Agペースト、５……金線、６…
…透明エポキシ樹脂、７……被メッキ性を有する樹脂、
８……被メッキ性を有しない樹脂、9,10……ボンディン
グパッド、11……カッティングライン、12……スルーホ
ール、13……メッキ面、14,15……端子部。
フロントページの続き (72)発明者 中村 比古夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−47692（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−239694（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−108138（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−89251（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭60−43040（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】外囲構体を、被メッキ性を有する第１の樹
脂による二分割された一対部と前記一対部の中間に配さ
れた被メッキ性を有しない第２の樹脂による分離帯部と
で一体に構成し、前記一対部には、前記外囲構体の主面
および裏面の前記第１の樹脂面にのみ形成されたメッキ
層による第１、第２の各電極をそなえ、前記第１の電極
上に発光ダイオードチップの一電極面を導電接着し、前
記発光ダイオードチップの他電極面を前記第２の電極に
電気的接続したことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098620A JPH07120819B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098620A JPH07120819B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270282A JPH01270282A (ja) | 1989-10-27 |
| JPH07120819B2 true JPH07120819B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=14224596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098620A Expired - Lifetime JPH07120819B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120819B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714272B2 (ja) * | 1991-06-04 | 1998-02-16 | シャープ株式会社 | 電子部品 |
| JPH058959U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-02-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パツケージ |
| JPH05327027A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Sharp Corp | 電圧変動表示素子 |
| JP2816629B2 (ja) * | 1992-06-12 | 1998-10-27 | シャープ株式会社 | 抵抗内蔵型発光装置 |
| US6583444B2 (en) * | 1997-02-18 | 2003-06-24 | Tessera, Inc. | Semiconductor packages having light-sensitive chips |
| MY131962A (en) | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7531844B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-05-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63098620A patent/JPH07120819B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01270282A (ja) | 1989-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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