JPH0824568A

JPH0824568A - 排ガスの処理方法及び装置

Info

Publication number: JPH0824568A
Application number: JP6182969A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kimura; 隆志木村; Kazushige Kawamura; 和茂川村; Mamoru Iwasaki; 守岩▲崎▼; Ataru Wakabayashi; 中若林
Original assignee: Chiyoda Chemical Engineering and Construction Co Ltd; Chiyoda Corp
Current assignee: Chiyoda Corp
Priority date: 1994-07-11
Filing date: 1994-07-11
Publication date: 1996-01-30
Anticipated expiration: 2020-01-12
Also published as: JP3610437B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】排ガスの処理において、汚染物質除去率の高
められた方法及び装置を提供。【構成】（i）第１隔板２と第２隔板３とによって第
１室５と第２室６と第３室７とに区画された密閉槽１の
第２室に排ガスを供給する、（ii）第２室に供給された
排ガスを第１隔板に垂設されたガス分散管９を通して第
１室６第１吸収液中に吹込む、（iii）第１室の上部空
間の排ガスを排ガス上昇筒１０を通して第３室に導入す
る、（iv）第３室に導入された排ガスを、スプレーノズ
ル１８により形成された第２吸収液粒子と接触させる、
（v）第２隔板の上面に滞留する第２吸収液をスプレー
ノズルに循環させる、（vi）第３室の浄化排ガスを浄化
排ガス出口１１を通して排出させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、排ガス中に含まれてい
る汚染物質を高除去率でかつ経済的に除去し得る排ガス
の処理方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、隔板によってその内部が２つ又は
３つの室に区画された密閉容器と、その隔板に配設され
た多数の透孔に垂設された多数のガス分散管を備えた多
管式排ガス処理装置は知られている（特公平３−７０５
３２号、特開平３−７２９１３号、特開平３−２６２５
１０号等）。

【０００３】このような多管式排ガス処理装置は、排煙
脱硫装置として広く利用されており、その脱硫率も９０
〜９５％と比較的高いものであるが、近年においては、
地球環境保全の点等から、さらに高い脱硫率で排ガスを
処理することが要望されている。このような要望に対し
ては、ガス分散管の先端を吸収液中に沈める深度を増加
させたり、吸収液のｐＨを高めて吸収液の性能を高める
こと等により対応されているが、しかし、前者の方法で
は排ガスの圧力損失が増大するために動力費用が増大
し、一方、後者の方法では、排ガス処理の副生物として
得られる石こう中への未反応吸収剤の混入量が増大する
という問題があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、排ガスの処
理において、汚染物質除去率の高められた方法及び装置
を提供することをその課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、排ガスを吸収液と接
触させて浄化する方法において、（i）第１隔板とその
上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と
第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接す
る第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排
ガスを供給すること、（ii）第２室に供給された排ガス
を第１隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を
通して第１室に収容されている第１吸収液中に吹込むこ
と、（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガ
ス上昇筒を通して第３室に導入すること、（iv）第３室
に導入された排ガスを、第３室の上部に配設されたスプ
レーノズルにより形成された第２吸収液粒子と接触させ
ること、（v）第３室の床面を形成する第２隔板の上面
に滞留する第２吸収液を前記第３室に配設されているス
プレーノズルに循環させること、（vi）第３室で第２吸
収液粒子と接触した後の浄化排ガスを第３室に配設され
た浄化排ガス出口を通して排出させること、を特徴とす
る排ガスの処理方法が提供される。

【０００６】また、本発明によれば、第１隔板とその上
方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第
１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する
第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成さ
れた排ガス入口と、第３室に配設された浄化排ガス出口
と、第１隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設さ
れ、第１室に収容されている第１吸収液中に延びるガス
分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇筒
と、第３室の上部に配設された第２吸収液スプレーノズ
ルと、第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留す
る第２吸収液を第３室のスプレーノズルに循環させる配
管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供され
る。

【０００７】次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の排ガス処理装置の模式図を示す。この
図において、１は密閉槽、２は第１隔板、３は第２隔
板、４は天板、５は第１室、６は第２室、７は第３室、
８は排ガス導入ダクト、９はガス分散管、１０は排ガス
上昇筒、１１は浄化排ガス導出ダクト、１２はミストエ
リミネータ、１３は第２吸収液抜出し管、１４は第２吸
収液槽、１５はポンプ、１６は第２吸収液供給管、１７
は第２吸収液スプレーノズル、１８は第１吸収剤供給
管、１９は第２吸収剤供給管、２０は給水管、２１は酸
素含有ガス供給管、２２は酸素含有ガス噴出ノズル、２
３は排液管、２４は撹拌機、２５は第２吸収液導管、２
６は排ガス衝突板、３１は冷却除塵塔、３２は排ガス導
入ダクト、３３は冷却液抜出し管、３４はポンプ、３５
は冷却液供給管、３６は冷却液スプレーノズル、Ａはフ
ロス層（気液混合層）、Ｌ₁は第１吸収液、Ｌ₂は第２吸
収液、Ｌ₃は冷却液を各示す。

【０００８】図１に示す本発明の排ガス処理装置は、大
型の密閉槽１から構成され、その槽の内部は、第１隔板
２及びその上方に位置する第２隔板３によって第１室５
と第１室の上方に隣接する第２室６と第２室の上方に隣
接する第３室７とに区画されている。第３室の上部空間
は天板４によって密閉されている。第１隔板２には多数
の透孔が配設され、これらの各透孔にはガス分散管９が
垂設されている。第１隔板２は水平又はやや傾斜したも
のであることができる。第２隔板３は水平又は傾斜した
ものであることができ、その傾斜角は特に制約されな
い。第１室５の内部には、第１吸収液Ｌ₁が収容されて
いる。また、第１室には、撹拌機２４と、第１吸収液Ｌ
₁中に酸素を供給する必要がある場合に用いられる酸素
含有ガス噴出ノズル２２が配設されている。第２室６の
周壁には排ガス入口が配設され、この入口には排ガス導
入ダクト８が連結されている。第２室の空間には特別の
装置の配設は特に必要とされないが、必要に応じ、第３
室の場合と同様に、吸収液をスプレーするためのスプレ
ーノズル（図示されず）を配設することもできる。第３
室７の上部には、吸収液分散手段としてのスプレーノー
ズル１７が配設されている。第３室７の上方に配設され
た天板４には、浄化排ガス出口が配設され、この出口に
は浄化排ガス導出ダクト１１が連結されている。密閉槽
１の外部には、第３室７の床面を形成する第２隔板３上
に滞留する第２吸収液Ｌ₂を第３室のスプレーノズル１
７に循環させるための循環ラインが配設されている。こ
の循環ラインは、第２吸収液抜出し管１３、第２吸収液
槽１４、循環ポンプ１５及び第２吸収液供給管１６から
なる。第２吸収液槽１４には、補充用の第２吸収液を得
るための第２吸収剤供給管１９及び給水管２０が連結さ
れている。

【０００９】第１隔板２には、第１室５と第２室６との
間を連絡する透孔が多数配設され、各透孔にはその先端
が第１室の吸収液中に延びるガス分散管９が垂設されて
いる。また、第１隔板２及び第２隔板３には、排ガス上
昇筒１０を配設するための開口が配設され、これらの開
口には、第１室５の上部空間に存在する排ガスを第３室
７に導入させるための排ガス上昇筒１０が連結されてい
る。この場合、排ガス上昇筒１０の開口端は第２隔板の
上面より上方に突出し、第２隔板上の吸収液がこの排ガ
ス上昇筒内を流下せずに、第２隔板上に滞留するように
なっている。排ガス上昇筒１０の上方には、排ガス衝突
板２６が配設されている。排ガス上昇筒１０の横断面形
状は、円形や、正方形、長方形等の形状であることがで
きる。

【００１０】排ガス衝突板２６の形状は、平板状でもよ
いが、液膜の形成が容易で排ガス中の汚染物質が容易に
分離されるように、周端部よりも中央部が上方に突出し
た形状、例えば、陣笠状等の形状であることができる。
また、この排ガス衝突板に対しては、衝突板の中央部
に、液体を衝突板の下方に液幕状又は噴霧状で分散させ
る液分散機構を配設することができる。図３に、液体を
液幕状に分散させる液分散機構を排ガス衝突板に配設し
た例にして示す。この液分散機構は、衝突板の中央部下
方に開口する液体導入管４１と、その液体導入管の開口
部を包囲する短筒４２と、その短筒の先端開口に配設し
た液分散板４３から構成される。液分散板４３として
は、液体を放射状に分散させる構造のものであればよ
い。図４及び図５に液分散板の斜視図を示す。また液分
散板４３は、回転モータに接続し、回転させることによ
り、分散された液体の噴出し速度を高めることもでき
る。これによって、気液接触の効率を高めることができ
る。

【００１１】本発明の排ガス処理装置に対しては、必要
に応じ、その上流側に、冷却除塵塔３１を配設すること
ができる。この冷却除塵塔３１は、密閉筒体と、その天
板に連結された排ガス導入ダクト３２と、密閉筒体の下
部に形成された排ガス導出口と、密閉筒体の底部に収容
する冷却液Ｌ₃を密閉筒体の上部に供給する冷却液循環
ラインと、冷却液Ｌ₃をスプレーさせるスプレーノズル
３６から構成される。また、冷却液循環ラインは、冷却
液抜出し管３３と循環ポンプ３４と冷却液供給管３５か
ら構成される。

【００１２】図１に示した装置系を用いて排ガス処理す
るには、排ガスを排ガス導入ダクト３２を介して冷却除
塵塔３１内に導入する。冷却除塵塔３１では、冷却液Ｌ
₃が冷却液抜出し管３３、循環ポンプ３４及び冷却液供
給管３５を通してスプレーノズル３６からスプレーされ
ており、冷却除塵塔３１内に導入された排ガスは、この
スプレーされた冷却液粒子と接触し、排ガスの除塵とと
もに、排ガスの冷却増湿が行われる。冷却液としては、
水や、吸収液が用いられる。

【００１３】冷却除塵塔３１で処理された排ガスは、そ
の冷却除塵塔３１の下部に連結された本発明の排ガス処
理装置の密閉槽１に連絡する排ガス導入ダクト８を介し
て、第２室６内に導入し、ここからガス分散管９を介し
て第１室５内の第１吸収液Ｌ₁中に吹込まれる。吸収液
Ｌ₁中に吹込まれた排ガスは気泡となって上昇し、その
分散管のガス噴出孔より上方には気泡と吸収液との混合
相からなるフロス層Ａが形成される。排ガスが吸収液中
を気泡として上昇する間に排ガス中に含まれている汚染
物質は吸収液と反応し、排ガス中から除去される。この
ようにして浄化された排ガスは、フロス層Ａから上部空
間に放散され、ここから排ガス上昇筒１０を通って第３
室７に導入される。この第３室内には、その床面を形成
する第２隔板３の上面に滞留する第２吸収液Ｌ₂を抜出
すための第２吸収液抜出し管１３、第２吸収液槽１４、
ポンプ１５、第２吸収液供給管１６を通って循環される
第２吸収液がスプレーノズル１７からスプレーされてい
る。第３室に導入された排ガスはこの吸収液粒子（平均
粒子径：２００〜４０００μｍ）と接触し、排ガス中に
残存する汚染物質がその吸収液粒子と反応し、排ガス中
から除去される。また、第３室内には、排ガス上昇筒１
０の上方に、排ガス衝突板２６が配設されており、排ガ
ス上昇筒１０を上昇してきた排ガスはこの排ガス衝突板
と衝突する。排ガス衝突板２６の下面には、排ガス中に
含まれる第１吸収液Ｌ₁の粒子の衝突によって、第１吸
収液Ｌ₁の液膜が形成されている。従って、この排ガス
衝突板２６の下面に排ガスを衝突させることにより、排
ガス中に含まれていた粉塵等の固体微粒子の除去ととも
に、排ガス中に含まれていたガス状汚染物質の除去も同
時に達成することができる。

【００１４】第３室内における吸収液粒子との接触によ
り浄化された浄化排ガスは第３室の上方に配設された天
板４の開口部に連結された浄化排ガス導出ダクト１１を
通って槽外へ抜出され、ミストエリミネータ１２に導入
され、ここでそのガス中に含まれていた吸収液粒子が除
去された後、大気へ放出される。スプレーノズル１７か
ら粒子状でスプレーされた第２吸収液は第２隔板３の上
面に落下滞留し、ここから第２吸収液抜出し管１３を通
って第２吸収液槽１４へ返還される。

【００１５】ガス分散管９としては、下端部の周壁面に
ガス噴出孔を有するものや、下端がノズル構造に形成さ
れたもの等の各種のものを用いることができる。図６に
下端部の周壁面にガス噴出孔を有するガス分散管の斜視
図を示す。図６において、９はガス分散管を示し、４５
はその下端部周壁面に形成されたガス噴出孔を示す。

【００１６】第２吸収液槽１４は、第３室の床面を形成
する第２隔板３の上面に滞留する第２吸収液Ｌ₂を一時
的に貯留させる貯槽としての作用とともに、補充用の第
２吸収液の受槽としての作用を示す。補充用の第２吸収
液は、これを第２吸収液槽とは別の槽において調製し、
このあらかじめ調製された第２吸収液を第２吸収液槽１
４に供給することができる他、図１に示すように、第２
吸収液槽１４に対し、第２吸収剤供給管１９を通して第
２吸収剤及び給水管２０を通して工業用水をそれぞれ導
入し、この第２吸収液槽１４において補充用の第２吸収
液を調製することもできる。さらに、第２吸収液槽１４
からスプレーノズル１７に供給する第２吸収液がスラリ
ー状のもので、その固形分濃度が高いときには、濾過や
遠心分離等によりその固形分をあらかじめ除去した後、
スプレーノズルに循環することもできる。また、図１に
示した第２吸収液槽１４の装置は必ずも必要とはされ
ず、第２吸収液抜出し管１３は、これを循環ポンプ１５
に直接連結させることもできる。この場合には、補充用
の第２吸収液は、その第２吸収液抜出し管１３又は第２
吸収液供給管１６に連結させることができる。

【００１７】スプレーノズル１７に循環される第２吸収
液の一部は、これを循環ライン、例えば、第２吸収液抜
出し管１３や、図１に示すように第２吸収液供給管１６
から抜出し、系外へ排出させることができるが、好まし
くは図１に示すように、導管２５を通って第１吸収液Ｌ
₁中に導入させる。このような操作により、スプレーノ
ズル１７に循環される第２吸収液の成分組成を常に所定
の範囲に保持することができると共に、第２吸収液に残
存する汚染物質の除去能力を第１吸収液中に移行させる
ことができ、吸収剤全体の利用効率を高めることができ
る。スプレーノズル１７からスプレーさせる吸収液の量
は、標準状態に換算された排ガス量１ｍ³／ｈｒ当り、
通常、０．１〜１０ｋｇ/ｈｒ、好ましくは０．２〜２
ｋｇ/ｈｒである。このような吸収液量をスプレーさせ
ることにより、排ガス中に残存する極く少量の汚染物質
を効果的に除去することができる。

【００１８】本発明装置の第３室７内には、その第２隔
板３とスプレーノズル１７との間に、充填層を配設する
ことができる。この場合の装置の模式図を図２に示す。
図２において、３０は充填層を示す。図２に示した符号
において、図１に示したものと同じ符号は同じ意味を示
す。

【００１９】第３室７内に充填層３０を配設するときに
は、排ガス上昇筒１０を通って第１室５から第３室７に
上昇してきた排ガスは、スプレーノズル１７からスプレ
ーされた吸収液が流下する充填層３０を通過し、次いで
スプレーノズルからスプレーされている吸収液粒子と接
触した後、浄化排ガス導出ダクト１１から排出される。
そして、排ガスが充填層を通過する際には、排ガスは充
填層内の充填材表面を流下する吸収液と効率よく接触す
ることから、充填層を配設しない場合に比べて、より高
い汚染物除去率が得られる。なお、充填層を配設した場
合には、第２吸収液は、スプレーノズルの他に、液分散
板や液分散筒等を用いて充填層に供給することもでき
る。充填層３０に用いる充填材としては、従来公知の各
種のもの、例えば、ラシッヒリング、テラレット、ポー
ルリング、サドル、レッシングリング、木格子等を挙げ
ることができる。充填層３０の厚さは特に制約されず、
適宜決められるが、通常は０．５〜５ｍである。充填層
は、多孔板上に充填して形成されることができるし、内
面に金網を積層した多孔板上に充填して形成させること
もできる。また、図２においては、第２吸収液の一部
は、導管２７を通り、排ガス上昇筒１０内に配設したス
プレーノズル２８に供給されている。スプレーノズル２
８からスプレーされた第２吸収液粒子は、排ガス上昇筒
１０を上昇する排ガスと接触し、これによって、排ガス
中に含まれている固体微粒子やガス状汚染物質が除去さ
れる。

【００２０】本発明で用いる第１吸収液は、排ガスの種
類に応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用
いられる。このようなものとしては、例えば、排ガス中
の汚染物質がＳＯ₂、ＳＯ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ₃、ＮＯ₂、Ｎ₂
Ｏ₄、Ｎ₂Ｏ₅、ＣＯ₂、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質である
場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合
物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いら
れ、特に水酸化カルシウムスラリーや、炭酸カルシウム
スラリーが用いられる。また、吸収液として炭酸カルシ
ウムスラリーや水酸化カルシウムスラリーを用いる場
合、これらのカルシウム化合物は亜硫酸ガスと反応して
亜硫酸カルシウムを形成するが、この場合、吸収液中に
空気や酸素を導入することにより、硫酸カルシウム（石
コウ）を得ることができる。また、排ガス中の汚染物質
がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性
水溶液を吸収液として用いればよい。

【００２１】本発明で用いる第２吸収液は、排ガスの種
類に応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用
いられる。このようなものとしては、例えば、排ガス中
の汚染物質がＳＯ₂、ＳＯ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ₃、ＮＯ₂、Ｎ₂
Ｏ₄、Ｎ₂Ｏ₅、ＣＯ₂、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質である
場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合
物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いられ
る。また、排ガス中の汚染物質がアンモニア等のアルカ
リ性物質である場合には、酸性水溶液を吸収液として用
いればよい。本発明で用いる第２吸収液は、第１吸収液
と同種のものであってもよいし、異った種類のものであ
ってもよい。

【００２２】本発明において、排ガスが亜硫酸ガスを含
むものであり、第１吸収液が炭酸カルシウムのスラリー
液である場合、第２吸収液としては、ＮａＨＣＯ₃、Ｎ
ａ₂ＣＯ₃、ＫＨＣＯ₃、Ｋ₂ＣＯ₃等のアルカリ金属炭酸
塩や、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物やＣ
ａ（ＯＨ）₂等のアルカリ土類金属の水酸化物を用いる
のが好ましい。アルカリ金属水酸化物の場合、排ガス中
のＣＯ₂を吸収してその少なくとも一部は炭酸塩に変換
される。第２吸収液として、このようなアルカリ性の強
いアルカリ金属の水酸化物を用いるときには、排ガス中
に含まれているＣＯ₂を吸収して炭酸塩として吸収液中
に溶解し、ｐＨ緩衝作用を発現し、第３室内において
は、亜硫酸ガスの吸収に適した高いｐＨ条件で排ガスは
第２吸収液と接触されることから、排ガス中の亜硫酸ガ
スを効率よく、しかも排ガス中の亜硫酸ガス濃度が極め
て低濃度になるまで吸収除去することができ、その上、
その吸収液量の循環量は少なくてすむという利点が得ら
れる。さらに、アルカリ金属の炭酸塩や水酸化物等の水
溶性のものを第２吸収液として用いる場合には、カルシ
ウム系の吸収液を用いる場合に見られたような配管内面
へのスケール発生の問題を回避することができるという
利点もある。

【００２３】

【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。実施例１図１に示した構造の排ガス処理装置１を用いて、Ｓ
Ｏ₂：２５００ｖｏｌｐｐｍ、Ｏ₂：５ｖｏｌ％を含む排
煙を処理した。この場合の装置条件を示すと次の通りで
ある。（１）密閉槽１の直径：３．２ｍ（２）第１室５の高さ：４ｍ（３）第２室６の高さ：２ｍ（４）第３室７の高さ：４ｍ（５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０
本（６）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：
６本（７）第１室５における吸収液の静止液面の高さ：３ｍまた、ガス分散管９としては、図６に示す構造のものを
用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔４５の位置
は、吸収液面下３００ｍｍの位置に設定した。

【００２４】図１に示す構造の装置１の第１室５内に、
あらかじめ、第１吸収液として、石こう濃度：１５重量
％の水スラリー液を高さ３ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，
０００Ｎｍ³／ｈの供給量で第２室６内に供給した。こ
の場合、吸収液の静止液面下２５００ｍｍの位置に配設
した酸素含有ガス噴出ノズル２２から空気を３７０Ｎｍ
³／ｈで噴出させるとともに、撹拌機２４を回転させて
吸収液の撹拌を行った。また、第１室５内の第１吸収液
Ｌ₁に対しては、排液管２３を通して石こう濃度の高い
吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈで抜出し、石こうを分離
した液に炭酸カルシウムを添加混合して、ｐＨが４．５
を維持するように吸収液導入管１８より供給した。さら
に、密閉槽１の外部に設置した第２吸収液槽１４にあら
かじめ充填しておいた第２吸収液としての０．０２ｍｏ
ｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液をポンプ１５により抜出し、第
３室７内に２段に配設したスプレーノズル１７（１段目
高さ２ｍ、２段目高さ４ｍ）から８０ｍ³／ｈでスプレ
ーさせた。第２隔板上面に流下してくるスプレー吸収液
は、第３室下部に設けられた吸収液排出ノズルより吸収
液槽１４に返送した。スプレー吸収液のｐＨは排ガスの
処理と共に速やかに低下するため、２０ｗｔ％ＮａＯＨ
水溶液を吸収液槽１４に供給し、スプレー吸収液のｐＨ
を７．５に維持させると共に、吸収液の増加分は密閉槽
１の第１室５内に供給した。前記のようにして排煙を脱
硫処理した結果、９９％の高脱硫率を得ることができ
た。次に、比較のために、第３室７内のスプレーノズル
１７からのスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴出
孔４５の位置を液面下３５０ｍｍまで深くして脱硫処理
を行なったが、９９％の脱硫率を達成できないことがわ
かった。

【００２５】実施例２図２に示した構造の装置を用いて、ＳＯ２；２，５００
ｖｏｌｐｐｍ，Ｏ２；５ｖｏｌ％を含む排煙を処理し
た。この場合の装置条件を示すと次の通りである。（１）密閉槽１の直径；３．２ｍ（２）第１室５の高さ；４ｍ（３）第２室６の高さ；２ｍ（４）第３室７の高さ；４ｍ（５）ガス分散管９の直径；４インチ及び本数；１１０
本（６）排ガス上昇管１０の直径；４１０ｍｍ及び本数；
６本（７）第３室７における充填層３０層厚；２ｍ（８）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ；
３ｍなお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラ
レットを用いた。また、ガス分散管９としては、図６に
示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス
噴出孔４５の位置は、吸収液面下３００ｍｍの位置に設
定した。図２に示す構造の装置の第１室５内に、あらか
じめ石膏濃度１５重量％の水スラリー液を高さ３ｍにな
るように収容させた。次に、この装置の排ガス導入ダク
ト８から排煙を４０，０００Ｎｍ³／ｈの供給量で第２
室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下２，
５００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス供給管２１か
ら空気を３７０Ｎｍ³／ｈで噴出させると共に、撹拌機
２４を回転させて吸収液の撹拌を行なった。第１室５内
の吸収液に対しては、排液管２３を通して石膏濃度の高
い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈで抜出し、石膏を分離
した液に、炭酸カルシウムを添加混合して、ｐＨが４．
５を維持するように吸収剤導入管１８より供給した。さ
らに、密閉槽１の外部に設置した吸収液槽１４にあらか
じめ充填しておいた第２吸収液としての０．０２ｍｏｌ
／ｌのＮａＯＨ水溶液をポンプ１５により抜出し、第３
室７内に配設したスプレーノズル１７から３５ｍ³／ｈ
でスプレーさせた。第２隔板上面に流下してくるスプレ
ー吸収液は、第３室下部に設けられた吸収液排出ノズル
より吸収液槽１４に返送した。スプレー吸収液のｐＨは
排ガスの処理と共に速やかに低下するために、２０ｗｔ
％ＮａＯＨ水溶液を吸収液槽１４に供給し、スプレー吸
収液のｐＨを７以上に維持させると共に、吸収液の増加
分は導管２５により密閉槽１の第１室５内に導入した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９９．７％
の高脱硫率を得ることができた。以上の結果から、従来
法では達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わず
かな動力費の増加とわずかの別の吸収剤の使用により容
易に達成できることがわかる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、従来法では達成困難な
高脱硫率を格別の処理コストの増加を必要とせず、容易
に得ることができ、その産業的意義は多大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の排ガス処理装置の１例についての模式
図を示す。

【図２】本発明の排ガス処理装置の他の例についての模
式図を示す。

【図３】液分散機構を配設した排ガス衝突板の１例につ
いての構造説明図を示す。

【図４】液分散板の１つの例についての斜視図を示す。

【図５】液分散板の他の例についての斜視図を示す。

【図６】ガス分散管の１例についての斜視図を示す。

【符号の説明】

１密閉槽２第１隔板３第２隔板４天板５第１室６第２室７第３室８排ガス導入ダクト９ガス分散管１０排ガス上昇筒１１浄化排ガス導出ダクト１２ミストエリミネータ１３第２吸収液抜出し管１４第２吸収液槽１５ポンプ１６吸収液供給管１７第２吸収液スプレーノズル１８第１吸収剤供給管１９第２吸収剤供給管２０給水管２６排ガス衝突板３０充填層３１冷却除塵塔４５ガス噴出孔Ｌ₁ 第１吸収液Ｌ₂ 第２吸収液Ｌ₃ 冷却液

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ０１Ｄ 53/18 Ｅ 53/34 ＺＡＢＢ０１Ｄ 53/34 １２５Ｃ (72)発明者岩▲崎▼ 守神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番１号千代田化工建設株式会社内 (72)発明者若林中神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番１号千代田化工建設株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】排ガスを吸収液と接触させて浄化する方
法において、（i）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによっ
てその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と
第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽に
おけるその第２室に排ガスを供給すること、（ii）第２室に供給された排ガスを第１隔板に形成され
た透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容さ
れている第１吸収液中に吹込むこと、（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上
昇筒を通して第３室に導入すること、（iv）第３室に導入された排ガスを、第３室の上部に配
設されたスプレーノズルにより形成された第２吸収液粒
子と接触させること、（v）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留す
る第２吸収液を前記第３室に配設されているスプレーノ
ズルに循環させること、（vi）第３室で第２吸収液粒子と接触した後の浄化排ガ
スを第３室に配設された浄化排ガス出口を通して排出さ
せること、を特徴とする排ガスの処理方法。
【請求項２】第３室の空間部に充填層を存在させ、第
３室に配設されたスプレーノズルから第２吸収液をこの
充填層の上面にスプレーさせるとともに、第１室からの
排ガスをこの充填層を通して上昇させることを特徴とす
る請求項１の方法。
【請求項３】第１隔板とその上方に位置する第２隔板
とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する
第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された
密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第
３室に配設された浄化排ガス出口と、第１隔板に形成さ
れた透孔と、その透孔に垂設され、第１室に収容された
第１吸収液中に延びるガス分散管と、第１室と第３室と
を連絡する排ガス上昇筒と、第３室の上部に配設された
第２吸収液スプレーノズルと、第３室の床面を形成する
第２隔板の上面に滞留する第２吸収液を第３室のスプレ
ーノズルに循環させる配管を備えたことを特徴とする排
ガス処理装置。
【請求項４】第３室の空間部に充填層を配設したこと
を特徴とする請求項３の装置。