JPH08246138A - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JPH08246138A JPH08246138A JP7044573A JP4457395A JPH08246138A JP H08246138 A JPH08246138 A JP H08246138A JP 7044573 A JP7044573 A JP 7044573A JP 4457395 A JP4457395 A JP 4457395A JP H08246138 A JPH08246138 A JP H08246138A
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- crucible
- chamber
- electrons
- plasma
- ion plating
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ルツボ部分における放電を防止し、精密な成
膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装
置を実現する。 【構成】 チャンバー１内で形成されたプラズマ中の電
子がルツボ２の方向に向かうが、この電子は、アース電
極２３に衝突して放電し、ルツボ２の表面がプラズマ中
の電子によってチャージアップすることは防止される。
また、フィラメント４から発生した電子ビームが材料３
に衝突し、材料３から反射電子や２次電子が発生する
が、これら反射電子や２次電子はルツボ２に接近して設
けられたアース電極２３に向かうことになり、ルツボ２
の表面がチャージアップすることはない。
膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装
置を実現する。 【構成】 チャンバー１内で形成されたプラズマ中の電
子がルツボ２の方向に向かうが、この電子は、アース電
極２３に衝突して放電し、ルツボ２の表面がプラズマ中
の電子によってチャージアップすることは防止される。
また、フィラメント４から発生した電子ビームが材料３
に衝突し、材料３から反射電子や２次電子が発生する
が、これら反射電子や２次電子はルツボ２に接近して設
けられたアース電極２３に向かうことになり、ルツボ２
の表面がチャージアップすることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸発した材料粒子に電
子を照射してイオン化し、イオン化粒子を基板に付着さ
せるようにしたイオンプレーティング装置に関する。
子を照射してイオン化し、イオン化粒子を基板に付着さ
せるようにしたイオンプレーティング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来のイオンプレーティング装
置を示しており、１は真空チャンバーである。真空チャ
ンバー１の下部には、ルツボ２が配置され、その中に被
蒸発材料３が入れられている。４はフィラメント、５は
高圧電源であり、このフィラメント４から発生した電子
ビームは、図示していない磁石により２７０°偏向さ
れ、ルツボ２中の被蒸発材料３に照射される。チャンバ
ー１の上部には、イオン化された蒸発材料が付着させら
れる基板６ａが取り付けられている基板ホルダー６ｂが
配置される。チャンバー１の側部には、ニードルバルブ
７を有した反応ガス供給管８が備えられている。
置を示しており、１は真空チャンバーである。真空チャ
ンバー１の下部には、ルツボ２が配置され、その中に被
蒸発材料３が入れられている。４はフィラメント、５は
高圧電源であり、このフィラメント４から発生した電子
ビームは、図示していない磁石により２７０°偏向さ
れ、ルツボ２中の被蒸発材料３に照射される。チャンバ
ー１の上部には、イオン化された蒸発材料が付着させら
れる基板６ａが取り付けられている基板ホルダー６ｂが
配置される。チャンバー１の側部には、ニードルバルブ
７を有した反応ガス供給管８が備えられている。
【０００３】更に、チャンバー１には、プラズマ電子銃
９が設けられている。このプラズマ電子銃９には、ラン
タニウムヘキサボライドの如き熱陰極１０、中間電極１
１、放電電極１２、環状直流コイル１３、ニードルバル
ブ１４を有したアルゴンガス供給管１５、熱陰極電源１
６、放電安定化抵抗１７、放電電源１８、中間電極負荷
抵抗１９より構成されている。なお、基板ホルダー６ｂ
と接地電位の蒸発源（ルツボ２）との間には、直流ある
いは高周波電源２０が設けられ、イオン化蒸発粒子を効
率良く基板６ａ方向に導くようにしている。また、２１
はチャンバー１内を排気するための排気ポンプに接続さ
れた排気管である。
９が設けられている。このプラズマ電子銃９には、ラン
タニウムヘキサボライドの如き熱陰極１０、中間電極１
１、放電電極１２、環状直流コイル１３、ニードルバル
ブ１４を有したアルゴンガス供給管１５、熱陰極電源１
６、放電安定化抵抗１７、放電電源１８、中間電極負荷
抵抗１９より構成されている。なお、基板ホルダー６ｂ
と接地電位の蒸発源（ルツボ２）との間には、直流ある
いは高周波電源２０が設けられ、イオン化蒸発粒子を効
率良く基板６ａ方向に導くようにしている。また、２１
はチャンバー１内を排気するための排気ポンプに接続さ
れた排気管である。
【０００４】上記した構成において、まず、チャンバー
１内部とプラズマ電子銃９の内部を１０-5Torr以下にま
で排気する。その後、プラズマ電子銃９のアルゴンガス
供給管１５に設けられているニードルバルブ１４を徐々
に開け、アルゴンガスを電子銃９内に導入する。そし
て、熱陰極電源１６をオンにし、熱陰極電流を熱陰極定
格温度にまで徐々に増加させ、熱陰極１６から電子を放
出させる。次に、放電電源１８をオンとし、放電電圧を
中間電極１１と放電電極１２との間に印加すると、両電
極間に放電が発生し、放電電流が流れる。
１内部とプラズマ電子銃９の内部を１０-5Torr以下にま
で排気する。その後、プラズマ電子銃９のアルゴンガス
供給管１５に設けられているニードルバルブ１４を徐々
に開け、アルゴンガスを電子銃９内に導入する。そし
て、熱陰極電源１６をオンにし、熱陰極電流を熱陰極定
格温度にまで徐々に増加させ、熱陰極１６から電子を放
出させる。次に、放電電源１８をオンとし、放電電圧を
中間電極１１と放電電極１２との間に印加すると、両電
極間に放電が発生し、放電電流が流れる。
【０００５】この放電による電子がアルゴンガス分子と
衝突し、アルゴンガス分子を電離し、この電離が進行す
ることにより電子励起のプラズマＰが発生する。なお、
この時のアルゴンガスの流量と放電電圧とは、パッショ
ンの法則に従った放電が開始される値に調整される。ま
た、プラズマ電子銃９内で発生したプラズマＰは、環状
の直流コイル１３による磁場により発散が防止され、中
心方向に集束される。
衝突し、アルゴンガス分子を電離し、この電離が進行す
ることにより電子励起のプラズマＰが発生する。なお、
この時のアルゴンガスの流量と放電電圧とは、パッショ
ンの法則に従った放電が開始される値に調整される。ま
た、プラズマ電子銃９内で発生したプラズマＰは、環状
の直流コイル１３による磁場により発散が防止され、中
心方向に集束される。
【０００６】このプラズマＰ中で生成した電子は、直進
し、真空チャンバー１の内部に向け加速される。なお、
図示していないが、放電電極１２とチャンバー１との間
には加速電極が設けられ、プラズマＰ中の電子を効率良
く引き出すようにしている。真空チャンバー１内では、
フィラメント４を加熱させて電子を放出させ、ルツボ２
中の被蒸発材料３に電子が照射されている。材料３は電
子の照射によって加熱され、蒸発させられる。
し、真空チャンバー１の内部に向け加速される。なお、
図示していないが、放電電極１２とチャンバー１との間
には加速電極が設けられ、プラズマＰ中の電子を効率良
く引き出すようにしている。真空チャンバー１内では、
フィラメント４を加熱させて電子を放出させ、ルツボ２
中の被蒸発材料３に電子が照射されている。材料３は電
子の照射によって加熱され、蒸発させられる。
【０００７】この蒸発した材料は、真空チャンバー１内
でプラズマ電子銃９からの電子と衝突し、イオン化，活
性化されプラズマが生成される。このプラズマ中のイオ
ン化された材料は、基板６ａに引き寄せられて該基板６
ａに付着しイオンプレーティングが行われる。なお、ル
ツボ２内の材料３の蒸発と同時に、供給管８より反応ガ
スを供給すれば、蒸発材料と反応ガスとの反応に基づく
物質を基板に付着させることができる。例えば、蒸発物
質がシリコンで、反応ガスが酸素ガスの場合、基板に
は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）がイオンプレーティン
グされる。
でプラズマ電子銃９からの電子と衝突し、イオン化，活
性化されプラズマが生成される。このプラズマ中のイオ
ン化された材料は、基板６ａに引き寄せられて該基板６
ａに付着しイオンプレーティングが行われる。なお、ル
ツボ２内の材料３の蒸発と同時に、供給管８より反応ガ
スを供給すれば、蒸発材料と反応ガスとの反応に基づく
物質を基板に付着させることができる。例えば、蒸発物
質がシリコンで、反応ガスが酸素ガスの場合、基板に
は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）がイオンプレーティン
グされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したイオンプレー
ティング装置で、ルツボ２内の材料３の一か所にフイラ
メント４からの電子ビームが照射されるのを防ぐため、
ルツボ２を回転させた状態で電子ビームを材料３に照射
する方式が用いられている。この方式において、装置の
動作中にルツボ２にチャージアップが発生し、その結
果、ルツボ２と他の箇所との間で放電が生じ、銅製のル
ツボ２が蒸発する現象が発生することが判明した。
ティング装置で、ルツボ２内の材料３の一か所にフイラ
メント４からの電子ビームが照射されるのを防ぐため、
ルツボ２を回転させた状態で電子ビームを材料３に照射
する方式が用いられている。この方式において、装置の
動作中にルツボ２にチャージアップが発生し、その結
果、ルツボ２と他の箇所との間で放電が生じ、銅製のル
ツボ２が蒸発する現象が発生することが判明した。
【０００９】この銅製のルツボ材料が蒸発すると、銅の
蒸気が成膜材料の蒸気の中に含まれてしまい、純粋な成
膜ができなくなる。また、ルツボ２と他の箇所との放電
により、プラズマが乱され、成膜の安定性に悪影響を及
ぼす。
蒸気が成膜材料の蒸気の中に含まれてしまい、純粋な成
膜ができなくなる。また、ルツボ２と他の箇所との放電
により、プラズマが乱され、成膜の安定性に悪影響を及
ぼす。
【００１０】上記ルツボ２のチャージアップの原因であ
るが、ルツボを導電性の銅などの材料で形成し、接地電
位としているものの、ルツボ自体が回転する構造である
ため、十分にアースが取れず、ルツボがフローティング
電位に近い状態となることが考えられる。また、成膜材
料として、ＳｉＯ2 などの絶縁性物質を用いた場合、こ
の物質の蒸気が銅製のルツボ２に付着し、ルツボ表面が
絶縁物質で覆われることも考えられる。
るが、ルツボを導電性の銅などの材料で形成し、接地電
位としているものの、ルツボ自体が回転する構造である
ため、十分にアースが取れず、ルツボがフローティング
電位に近い状態となることが考えられる。また、成膜材
料として、ＳｉＯ2 などの絶縁性物質を用いた場合、こ
の物質の蒸気が銅製のルツボ２に付着し、ルツボ表面が
絶縁物質で覆われることも考えられる。
【００１１】そのため、プラズマ中の電子がルツボ２の
表面に引き寄せられてチャージアップしたり、材料３へ
電子ビームを照射した結果生じた反射電子や２次電子が
ルツボに向かい衝突してチャージアップすることが考え
られる。
表面に引き寄せられてチャージアップしたり、材料３へ
電子ビームを照射した結果生じた反射電子や２次電子が
ルツボに向かい衝突してチャージアップすることが考え
られる。
【００１２】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ルツボ部分における放電を防止
し、精密な成膜を安定的に行うことができるイオンプレ
ーティング装置を実現するにある。
もので、その目的は、ルツボ部分における放電を防止
し、精密な成膜を安定的に行うことができるイオンプレ
ーティング装置を実現するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
イオンプレーティング装置は、チャンバーと、チャンバ
ー内に設けられその上に蒸発材料が載せられるルツボ
と、ルツボを回転させる手段と、蒸発材料に向け電子ビ
ームを照射するための電子銃と、蒸発しイオン化された
材料が付着される基板と、チャンバーの側部に設けら
れ、チャンバー内の蒸発材料をイオン化するための電子
ビームを発生するプラズマ電子銃と、チャンバー内のル
ツボの周囲に配置されたアース電極とを備えたことを特
徴としている。
イオンプレーティング装置は、チャンバーと、チャンバ
ー内に設けられその上に蒸発材料が載せられるルツボ
と、ルツボを回転させる手段と、蒸発材料に向け電子ビ
ームを照射するための電子銃と、蒸発しイオン化された
材料が付着される基板と、チャンバーの側部に設けら
れ、チャンバー内の蒸発材料をイオン化するための電子
ビームを発生するプラズマ電子銃と、チャンバー内のル
ツボの周囲に配置されたアース電極とを備えたことを特
徴としている。
【００１４】請求項２の発明に基づくイオンプレーティ
ング装置は、ルツボの深さが、その上に載せる蒸発材料
の厚さの１／２以上であることを特徴としている。請求
項３の発明に基づくイオンプレーティング装置は、チャ
ンバー内に形成されるプラズマを覆うようにフローティ
ング電位板が設けられたことを特徴としている。
ング装置は、ルツボの深さが、その上に載せる蒸発材料
の厚さの１／２以上であることを特徴としている。請求
項３の発明に基づくイオンプレーティング装置は、チャ
ンバー内に形成されるプラズマを覆うようにフローティ
ング電位板が設けられたことを特徴としている。
【００１５】
【作用】請求項１の発明に基づくイオンプレーティング
装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子を吸
収する。
装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子を吸
収する。
【００１６】請求項２の発明に基づくイオンプレーティ
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、ルツボの深さを材料の厚さの１／２
以上とする。
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、ルツボの深さを材料の厚さの１／２
以上とする。
【００１７】請求項３の発明に基づくイオンプレーティ
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、チャンバー内のプラズマを覆うよう
にフローティング電位板を配置する。
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、チャンバー内のプラズマを覆うよう
にフローティング電位板を配置する。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は、本発明に基づくイオンプレーティ
ング装置を示しており、図１の従来装置と同一部分は同
一番号が付されている。この実施例において、ルツボ２
は回転台２２上に載せられており、図示していないが、
チャンバー１外部に設けられたモータによって回転させ
られるように構成されている。ルツボ２上には蒸発材料
（例えばＳｉＯ2 ）３が載せられており、この材料３に
はフィラメント４からの電子ビームが照射される。ま
た、ルツボ２の周囲には、アース電極２３が配置されて
いる。
に説明する。図２は、本発明に基づくイオンプレーティ
ング装置を示しており、図１の従来装置と同一部分は同
一番号が付されている。この実施例において、ルツボ２
は回転台２２上に載せられており、図示していないが、
チャンバー１外部に設けられたモータによって回転させ
られるように構成されている。ルツボ２上には蒸発材料
（例えばＳｉＯ2 ）３が載せられており、この材料３に
はフィラメント４からの電子ビームが照射される。ま
た、ルツボ２の周囲には、アース電極２３が配置されて
いる。
【００１９】図３はこのルツボ部分の平面図を示してお
り、ルツボ２を取り囲むようにアース電極２３が配置さ
れている。この図３で２４はフィラメント４からの電子
ビームＥを２７０°回転させるための永久磁石の磁極片
である。また、２５は冷却パイプであり、アース電極２
３の裏面にろう付けされている。パイプ２５には冷却水
が流され、アース電極２３は冷却される。図４はルツボ
２と材料３の断面を示しており、ルツボ２の材料３を載
せる部分の側壁部の高さ（ルツボ２の深さ）Ｈは、８ｍ
ｍとされている。また、材料３の高さｈは７ｍｍあるい
は１５ｍｍである。
り、ルツボ２を取り囲むようにアース電極２３が配置さ
れている。この図３で２４はフィラメント４からの電子
ビームＥを２７０°回転させるための永久磁石の磁極片
である。また、２５は冷却パイプであり、アース電極２
３の裏面にろう付けされている。パイプ２５には冷却水
が流され、アース電極２３は冷却される。図４はルツボ
２と材料３の断面を示しており、ルツボ２の材料３を載
せる部分の側壁部の高さ（ルツボ２の深さ）Ｈは、８ｍ
ｍとされている。また、材料３の高さｈは７ｍｍあるい
は１５ｍｍである。
【００２０】再び図２において、チャンバー１内のプラ
ズマ発生領域を囲むように、円筒状のフローティング電
位板２６が配置されている。フローティング電位板２６
は、発生したプラズマを一定の領域内に閉じ込めること
に効果を有し、チャンバー１の壁部に碍子２７を介して
取り付けられている。また、この円筒状のフローティン
グ電位板２６には、ルツボ２上の材料からの蒸気が通過
でき、プラズマ電子銃９からの電子ビームがチャンバー
１の中心部に向かえるように、更には、チャンバー１内
の排気を効率良く行うなどのために、数箇所に開口が設
けられている。このような構成の動作を次に説明する。
ズマ発生領域を囲むように、円筒状のフローティング電
位板２６が配置されている。フローティング電位板２６
は、発生したプラズマを一定の領域内に閉じ込めること
に効果を有し、チャンバー１の壁部に碍子２７を介して
取り付けられている。また、この円筒状のフローティン
グ電位板２６には、ルツボ２上の材料からの蒸気が通過
でき、プラズマ電子銃９からの電子ビームがチャンバー
１の中心部に向かえるように、更には、チャンバー１内
の排気を効率良く行うなどのために、数箇所に開口が設
けられている。このような構成の動作を次に説明する。
【００２１】まず、基板６ａへのイオンプレーティング
の動作は、図１の従来装置と同様に行われる。この際、
チャンバー１内で形成されたプラズマ中の電子がルツボ
２の方向に向かうが、この電子は、アース電極２３に衝
突して放電し、ルツボ２の表面がプラズマ中の電子によ
ってチャージアップすることは防止される。また、フィ
ラメント４から発生した電子ビームが材料３に衝突し、
材料３から反射電子や２次電子が発生するが、これら反
射電子や２次電子はルツボ２に接近して設けられたアー
ス電極２３に向かうことになり、ルツボ２の表面がチャ
ージアップすることはない。
の動作は、図１の従来装置と同様に行われる。この際、
チャンバー１内で形成されたプラズマ中の電子がルツボ
２の方向に向かうが、この電子は、アース電極２３に衝
突して放電し、ルツボ２の表面がプラズマ中の電子によ
ってチャージアップすることは防止される。また、フィ
ラメント４から発生した電子ビームが材料３に衝突し、
材料３から反射電子や２次電子が発生するが、これら反
射電子や２次電子はルツボ２に接近して設けられたアー
ス電極２３に向かうことになり、ルツボ２の表面がチャ
ージアップすることはない。
【００２２】また、ルツボ２の深さＨをその上に載せる
蒸発材料３の厚さｈの１／２以上とすると、ルツボ２と
他の箇所との間のグロー放電が極端に少なくなることが
確かめられた。蒸発材料として良く用いられるオプトロ
ン社製のＳｉＯ2 を用いる場合、その厚さは７ｍｍある
いは１５ｍｍであるため、ルツボ２の深さＨは８ｍｍ以
上とすれば良い。
蒸発材料３の厚さｈの１／２以上とすると、ルツボ２と
他の箇所との間のグロー放電が極端に少なくなることが
確かめられた。蒸発材料として良く用いられるオプトロ
ン社製のＳｉＯ2 を用いる場合、その厚さは７ｍｍある
いは１５ｍｍであるため、ルツボ２の深さＨは８ｍｍ以
上とすれば良い。
【００２３】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、単一のルツボの
中に材料を載せ、そのルツボを回転させる構造について
説明したが、ターレット式の円形のルツボ支持体上に複
数のルツボを取り付けると共に、各ルツボ自体をそれぞ
れ独立に回転させる構造にも本発明を適用することがで
きる。その場合、複数のルツボを支持体を回転させるこ
とによって順に電子ビームが照射される位置に配置し、
支持体の回転を停止させて電子ビームが照射されるルツ
ボをその照射される間回転させる。また、図２のプラズ
マ電子銃は、図１に示した構造以外のプラズマ電子銃を
用いることができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、単一のルツボの
中に材料を載せ、そのルツボを回転させる構造について
説明したが、ターレット式の円形のルツボ支持体上に複
数のルツボを取り付けると共に、各ルツボ自体をそれぞ
れ独立に回転させる構造にも本発明を適用することがで
きる。その場合、複数のルツボを支持体を回転させるこ
とによって順に電子ビームが照射される位置に配置し、
支持体の回転を停止させて電子ビームが照射されるルツ
ボをその照射される間回転させる。また、図２のプラズ
マ電子銃は、図１に示した構造以外のプラズマ電子銃を
用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
基づくイオンプレーティング装置は、ルツボの周囲にア
ース電極を配置し、電子を吸収するように構成したの
で、ルツボにチャージアップが発生することを防止で
き、ルツボが蒸発することはない。従って、イオンプレ
ーティングによる成膜に不純物が混入せず、形成される
膜の質を向上させることができる。また、ルツボと他の
箇所との間の放電が生じないので、チャンバー内のプラ
ズマを安定に維持することができる。
基づくイオンプレーティング装置は、ルツボの周囲にア
ース電極を配置し、電子を吸収するように構成したの
で、ルツボにチャージアップが発生することを防止で
き、ルツボが蒸発することはない。従って、イオンプレ
ーティングによる成膜に不純物が混入せず、形成される
膜の質を向上させることができる。また、ルツボと他の
箇所との間の放電が生じないので、チャンバー内のプラ
ズマを安定に維持することができる。
【００２５】更に、異常放電を気にする必要がなくなっ
たので、高いレートで成膜を行うことができる。例え
ば、従来であれば、２ｎｍ／ｓｅｃまでの成膜レートが
限界であったが、本発明により、１０ｎｍ／ｓｅｃまで
の成膜が可能となった。
たので、高いレートで成膜を行うことができる。例え
ば、従来であれば、２ｎｍ／ｓｅｃまでの成膜レートが
限界であったが、本発明により、１０ｎｍ／ｓｅｃまで
の成膜が可能となった。
【００２６】請求項２の発明に基づくイオンプレーティ
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、ルツボの深さを材料の厚さの１／２
以上とするように構成したので、よりルツボのチャージ
アップを防ぐことができる。
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、ルツボの深さを材料の厚さの１／２
以上とするように構成したので、よりルツボのチャージ
アップを防ぐことができる。
【００２７】請求項３の発明に基づくイオンプレーティ
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、チャンバー内のプラズマを覆うよう
にフローティング電位板を配置するように構成したの
で、プラズマ密度を高めることができる。
ング装置は、ルツボの周囲にアース電極を配置し、電子
を吸収すると共に、チャンバー内のプラズマを覆うよう
にフローティング電位板を配置するように構成したの
で、プラズマ密度を高めることができる。
【図１】従来のイオンプレーティング装置を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に基づくイオンプレーティング装置の一
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図３】図２の実施例に用いられたルツボ、アース電極
部分の平面図である。
部分の平面図である。
【図４】図２の実施例に用いられたルツボと材料の断面
図である。
図である。
１ 真空チャンバー ２ ルツボ ３ 被蒸発材料 ４ フィラメント ６ａ 基板 ８ 反応ガス供給管 ９ プラズマ電子銃 ２２ 回転台 ２３ アース電極 ２４ 磁極片 ２５ 冷却パイプ ２６ フローティング電位板 ２７ 碍子
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバーと、チャンバー内に設けられ
その上に蒸発材料が載せられるルツボと、ルツボを回転
させる手段と、蒸発材料に向け電子ビームを照射するた
めの電子銃と、蒸発しイオン化された材料が付着される
基板と、チャンバーの側部に設けられ、チャンバー内の
蒸発材料をイオン化するための電子ビームを発生するプ
ラズマ電子銃と、チャンバー内のルツボの周囲に配置さ
れたアース電極とを備えたイオンプレーティング装置。 - 【請求項２】 ルツボの深さは、その上に載せる蒸発材
料の厚さの１／２以上である請求項１記載のイオンプレ
ーティング装置。 - 【請求項３】 チャンバー内には、その中に形成される
プラズマを覆うようにフローティング電位板が設けられ
た請求項１あるいは請求項２記載のイオンプレーティン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044573A JPH08246138A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044573A JPH08246138A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | イオンプレーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08246138A true JPH08246138A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12695256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7044573A Pending JPH08246138A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08246138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026723A3 (en) * | 1999-02-01 | 2001-03-28 | Chugai Ro Co., Ltd. | Vacuum coating forming device |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP7044573A patent/JPH08246138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026723A3 (en) * | 1999-02-01 | 2001-03-28 | Chugai Ro Co., Ltd. | Vacuum coating forming device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020514 |