JPH08246151A - 半導体基板処理方法および半導体基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造におけるスループットを向上させる
ために、搬送により基板を損傷させない半導体基板処理
方法及び装置を提供する。 【解決手段】半導体基板処理方法において、カセットか
ら１枚毎取り出した基板３０を、真空搬送室と真空処理
室２０とが連通した状態で搬送手段により前記真空処理
室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
前記基板支持台の後方から支持部材を前進させて前記基
板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を前記真空処
理室外へ退避させ、引続き前記支持部材を後退させて前
記基板支持台に前記基板を載置し、その後、前記真空処
理室を仕切り、所定の真空処理を行い、前記真空処理が
終了した基板は前記支持部材により前記基板支持台から
離間した位置に移動させ、その後、前記搬送手段を前記
基板支持台の位置に移動させ、前記支持部材を後退させ
ることによって前記基板を前記搬送手段に受渡し、該搬
送手段によって前記基板を前記真空処理室から搬出し、
該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明はエッチング装置，プラズマ
ＣＶＤ装置，スパッタ装置等の半導体製造工程における
基板処理方法および半導体基板処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【発明の背景】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。

【０００３】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。

【０００４】また、実開昭５７−３９４３０号公報に開
示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッ
ファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるよ
うなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更
やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする
自由度がなく、使用しづらいという問題点を有してい
る。

【０００５】

【発明の目的】本発明の目的は、半導体製造におけるス
ループットを向上させるために、搬送により基板を損傷
させない半導体基板処理方法及び装置を提供することに
ある。

【０００６】

【発明の概要】本発明の特徴は、半導体基板処理方法に
おいて、カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬
送室と真空処理室とが連通した状態で搬送手段により前
記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置
へ搬送し、前記基板支持台の後方から支持部材を前進さ
せて前記基板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を
前記真空処理室外へ退避させ、引続き前記支持部材を後
退させて前記基板支持台に前記基板を載置し、その後、
前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、前記
真空処理が終了した基板は前記支持部材により前記基板
支持台から離間した位置に移動させ、その後、前記搬送
手段を前記基板支持台の位置に移動させ、前記支持部材
を後退させることによって前記基板を前記搬送手段に受
渡し、該搬送手段によって前記基板を前記真空処理室か
ら搬出し、該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収
することである。

【０００７】本発明の他の特徴は、基板に対して所定の
真空処理を行う真空処理室と、カセットと前記真空処理
室の間で前記基板の搬送を行なう搬送手段及び支持部材
を備えた半導体基板処理装置において、前記搬送手段
は、前記カセットから１枚毎取り出した基板を該基板の
裏面で保持しながら、真空搬送室と真空処理室とが連通
した状態で前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に
対向した位置へ搬送し、前記真空処理が終了した基板を
前記真空処理室から搬出し、該搬出した前記基板をカセ
ットに１枚毎回収するように構成され、前記支持部材
は、前記基板支持台の後方から前進し前記基板をその裏
面で支持し、前記搬送手段が前記真空処理室外へ退避し
た後、後退して前記基板支持台に前記基板を載置し、前
記真空処理が終了した基板をその裏面で支持ししながら
前記基板支持台から離間した位置に移動させ、後退する
ことによって前記基板を前記搬送手段に受渡すように構
成されている、ことにある。

【０００８】本発明によれば、搬送時に基板の裏面を保
持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、基
板の搬送時における基板の損傷を防止することが出来
る。

【０００９】また、搬送機構として把持手段で基板を掴
かまず、裏面から押し上げる方式としたため、これとオ
リフラ合わせを組み合わせることにより、把持手段で基
板を掴むときのような位置ずれの心配が無く、高精度の
位置決めを行うことが出来る。 搬送機構としては、真
空吸着や静電吸着方式でも良い。

【００１０】

【発明の実施例】本発明の一実施例を図１〜図５で説明
する。図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッフ
ァ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２
０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１
０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第
１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側
壁に設けられたゲート弁，仕切具等の真空開閉手段４
０，４１と、この場合、真空開閉手段４０，４１が設け
られた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで
真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等
の他の真空開閉手段５０，５１を介してバッファ室１０
に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段と
の間で他の真空開閉手段５０，５１を介して基板３０を
矢印Ｂ，Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省
略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、か
つ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段
（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間
で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段
（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予
備室６０には、基板カセット７０，７１を昇降駆動する
カセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図
示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０，５１と対
応して内設されている。

【００１１】第１〜第３の基板搬送手段，基板受渡手段
等を図２で更に詳細に説明する。図２において、第１の
基板搬送手段はベルト搬送装置８０であり、ベルト搬送
装置８０は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ８
１で昇降駆動されると共に、モータ８２でベルト８３を
回転駆動される。

【００１２】第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
５０，５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベル
ト搬送装置９０，１００とバッファ室１０に設けられた
ベルト搬送装置１１０，１２０である。ベルト搬送装置
９０のプーリ９１，９２とプーリ９１，９２に無端に巻
掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０の
カセットテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテー
ブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。

【００１３】ベルト９３はモータ９４で回転駆動され
る。ベルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１
２を回転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送
装置８０側端部は、ベルト搬送装置８０のベルト８３の
一方の昇降動を阻害しないように、この場合、Ｖ字形に
折曲され最終端のプーリ１１３は、ベルト搬送装置８０
のベルト８３間に位置するように設けられている。な
お、ベルト搬送装置９０のベルト９３とベルト搬送装置
１１０のベルト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬
送装置９０とベルト搬送装置１１０との他の真空開閉手
段５０側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大
きさとなっている。

【００１４】ベルト搬送装置１００のプーリ１０１,１
０２とプーリ１０１,１０２に無端に巻掛けられたベル
ト１０３とは、ベルト搬送装置９０と同様に配設され、
ベルト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト
搬送装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆
動され、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置８０側
端部は、ベルト搬送装置１１０の場合と同様にベルト搬
送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないよ
うにＶ字形に折曲され最終端のプーリ１２３は、ベルト
搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられ
ている。

【００１５】なお、ベルト搬送装置１００のベルト１０
３とベルト搬送装置１２０のベルト１２２とは同一レベ
ルであり、ベルト搬送装置１００とベルト搬送装置１２
０との他の真空開閉手段５１側端の間隔は、基板３０の
受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト
搬送装置１１０のプーリ１１３とプーリ１１３に対応す
るプーリ１１４との間隔は、基板３０の落下を防止して
良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置１２
０のプーリ１２３に対応するプーリ１２４との間隔も同
様の大きさである。なお、ベルト搬送装置８０は、ベル
ト８３のレベルがベルト搬送装置１１０，１２０のベル
ト１１２，１２２のレベル以下並びに以上になるように
昇降駆動される。

【００１６】基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８
０のベルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１
と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されてい
る。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０，１２０の間
の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過し
シリンダ１４２で昇降可能に設けられている。

【００１７】第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１
５０，１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板す
くい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パル
スモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５
３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、
かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心
と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一
方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５
３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム
１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられてい
る。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具１６
１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルスモータ１
６３とで構成されている。パルスモータ１６３は、ベル
ト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板
受渡手段１４０の基板テーブル141の中心と真空処理室
２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の側（図２
では右側）に設けられ、パルスモータ１６３には、アー
ム１６２の一端が設けられている。アーム１６２の他端
には、基板すくい具１６１が設けられている。この場
合、基板すくい具１５１，１６１，アーム１５２，１６
２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電極２１に
基板３０が載置されている場合、この基板３０を基板す
くい具１５１，１６１ですくい可能な寸法である。

【００１８】また、アーム１５２，１６２は、基板すく
い具１５１，１６１で基板３０を基板テーブル１４１と
基板電極２１との間で搬送可能にパルスモータ１５３，
１６３でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、ア
ーム１５２，１６２の動作平面はアーム１５２が上面、
アーム１６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置
１５０で基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２
１へ搬送する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を
基板電極２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻
害しないようになっている。

【００１９】カセット昇降装置１３０は、カセットテー
ブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３
３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し
設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合され
た歯車１３５とで構成されている。基板電極２１は、ラ
ック・ピニオン機構２２を介しモータ２３の回動により
昇降駆動される。また、基板電極２１の中心部には、基
板支持用の爪２４が昇降装置、例えば、シリンダ２５で
昇降可能に設けられている。爪２４は、その表面が基板
電極２１の表面以下になる位置と、アーム搬送装置１５
０，１６０の基板すくい具１５１，１６１と基板３０を
受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。

【００２０】図１，図２で示される真空処理装置では、
次のような基板処理を行うことができる。

【００２１】まず、他の真空開閉手段５０に対応するカ
セットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省
略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５
０，５１が、例えば、シリンダ５２，５３の駆動により
閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段４０，４１が閉止
又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置
（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。

【００２２】一方、真空予備室６０には、外部が大気側
である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気
真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の
基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセッ
トと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、
回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット
７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブ
ル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。

【００２３】その後、大気真空開閉手段は閉止され真空
予備室６０は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室
１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その
後、シリンダ５２の駆動により他の真空開閉手段５０が
開放され、これによりバッファ室１０と真空予備室６０
とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を駆
動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させるこ
とで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填され
た基板３０はベルト９３に載置される。

【００２４】その後、モータ９４によりベルト９３を回
転駆動することで載置された基板３０は他の真空開閉手
段５０側へ搬送され、モータ１１１により回転駆動され
ているベルト１１２に他の真空開閉手段５０を介して渡
される。ベルト１１２に渡された基板３０はベルト搬送
装置８０側へ搬送される。なお、このときベルト８３の
レベルがベルト１１２のレベル以下となるようにベルト
搬送装置８０全体はシリンダ８１により降下させられて
いる。

【００２５】その後、基板３０がプーリ１１３，１１４
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベ
ルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送
装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これ
により基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡され
る。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の駆
動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇
させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テ
ーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフ
ラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。

【００２６】その後、基板３０は、例えば、基板のせ具
１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真
空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０
を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送され
る。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させること
で、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られ
る。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５
１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させら
れる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表
面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、
基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置され
る。

【００２７】その後、仕切り用のフランジ１８０と、フ
ランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設さ
れたベローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切
り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基
板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられ
た対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動によ
り真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。

【００２８】その後、例えば、基板電極２１に接続され
た電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極
２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上
記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置
１１０，８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡され
る。

【００２９】真空処理室２０での処理が終了した後に仕
切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０
の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０
と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定
位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇さ
せることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から
除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１
を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させるこ
とで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡され
る。

【００３０】その後、基板のせ具１５１に渡された基板
３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、ま
た、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は
基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した
操作により所定処理される。この間、基板テーブル１４
１に搬送された処理済みの基板３０は、基板テーブル１
４１をシリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装
置８０のベルト８３に渡され、その後、ベルト８３，１
２２のモータ８２，１２１による回転駆動で他の真空開
閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト８３からベル
ト１２２への処理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１
１２からベルト８３への基板３０の受渡しと逆操作によ
り行われる。シリンダ５３の駆動により他の真空開閉手
段５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を
回転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送さ
れてきた処理済みの基板３０は他の真空開閉手段５１を
介して真空予備室６０に搬入され、その後、カセットテ
ーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１
に回収される。

【００３１】また、供給カセット７０からは上記した操
作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０，
８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。

【００３２】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出さ
れ、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理
室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、
処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室
１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセ
ット７１に回収される。

【００３３】図３は、図１，図２で示される真空処理装
置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介し
て２モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であ
り、したがって、構成，作用等の説明は省略する。図３
で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）
に示すような基板処理を行うことができる。

【００３４】即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリ
ーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３
０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０で
パラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基
板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０
でパラレル処理することもできる。

【００３５】なおこのような基板処理モードで図４
（ａ),（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段の
真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省
略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置の
真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なくと
も１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示さ
れる基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備
室６０に供給カセット（図示省略），回収カセット（図
示省略）を各１個セットするようにする。

【００３６】また、図１，図２で示される真空処理装置
を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して
２モジュール連設した場合、各真空処理装置における基
板３０の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。

【００３７】更に、図１，図２で示される真空処理装置
を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して
３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基
板処理モードに加えて図５（ａ),（ｂ）に示すような基
板処理を行うことができる。

【００３８】即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０
を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空
処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空
処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の
真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すること
も、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真
空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２
０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装
置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。

【００３９】なお、このような基板処理モードの場合、
前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット
（図示省略）を２個セットし、後段の真空処理装置の真
空予備室６０に回収カセット（図示省略）を２個セット
するようにする。

【００４０】また、各真空処理装置の真空処理室２０で
基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セ
ットするようにする。

【００４１】また、各真空処理装置の真空処理室で基板
３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の
真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セットし後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なく
とも１個セットするようにする。

【００４２】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各１個セットするようにする。また、図１，図２で示
される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段
４０，４１を介して３モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッフ
ァ室１０を経ることで行われる。

【００４３】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。 (2）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の真
空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理室
へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用で
きる。 (3）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行
とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ、
多モジュール構成がし易くなっている。 (4）真空予備室を真空排気可能なカセット室としている
ので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることがで
き、多モジュールシステムでは、１モジュールに２個の
カセットをセットすることも可能でスループット向上時
のカセットセット時間間隔を長くすることができる。 (5）第３の基板搬送手段として動作平面の異なるアーム
搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬
入，搬出を同時に行うことができるので、スループット
を向上できる。 (6）多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレル
処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わせ
床面積当りのスループットを向上させることができる。 (7）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積
は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。

【００４４】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開
閉手段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、
矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段
４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２
の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真
空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。

【００４５】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット，回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット，回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。

【００４６】また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置，アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、搬送時に基板の裏面を
保持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、
基板の搬送時における基板の損傷を防止することが出来
るという効果がある。

【００４８】また、搬送機構として把持手段で基板を掴
かまず、裏面から押し上げる方式としたため、これとオ
リフラ合わせを組み合わせることにより、把持手段で基
板を掴むときのような位置ずれの心配が無く、高精度の
位置決めを行うことが出来るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。

【図２】図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。

【図３】図１の真空処理装置を２モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。

【図４】（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。

【図５】（ａ),（ｂ）は、３モジュール真空処理装置で
の他の基板処理モード図。

【図６】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。

【符号の説明】

１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４
０，４１…真空開閉手段、５０，５１…他の真空開閉手
段、６０，６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベ
ルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０，１６０
…アーム搬送装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】カセットから１枚毎取り出した基板を、真
   空搬送室と真空処理室とが連通した状態で搬送手段によ
   り前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した
   位置へ搬送し、 前記基板支持台の後方から支持部材を前進させて前記基
   板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を前記真空処
   理室外へ退避させ、引続き前記支持部材を後退させて前
   記基板支持台に前記基板を載置し、 その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行
   い、 前記真空処理が終了した基板は前記支持部材により前記
   基板支持台から離間した位置に移動させ、 その後、前記搬送手段を前記基板支持台の位置に移動さ
   せ、 前記支持部材を後退させることによって前記基板を前記
   搬送手段に受渡し、該搬送手段によって前記基板を前記
   真空処理室から搬出し、 該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを
   特徴とする半導体基板処理方法。
2. 【請求項２】カセットから１枚毎取り出した基板を、真
   空搬送室と真空処理室とが連通した状態で第一の搬送手
   段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対
   向した位置へ搬送し、 前記基板支持台の後方から支持部材を前進させて前記基
   板を支持部材で支持した後、前記第一の搬送手段を前記
   真空処理室外へ退避させ、引続き前記支持部材を後退さ
   せて前記基板支持台に前記基板を載置し、 その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行
   い、 前記真空処理が終了した基板は前記支持部材により前記
   基板支持台から離間した位置に移動させ、 その後、前記第一の搬送手段が設けられた前記真空搬送
   室と同室に設けられた第二の搬送手段を前記基板支持台
   の位置に移動させ、 前記支持部材を後退させることによって前記基板を前記
   第二の搬送手段に受渡し、該第二の搬送手段によって前
   記真空処理室から搬出し、 該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを
   特徴とする半導体基板処理方法。
3. 【請求項３】基板に対して所定の真空処理を行う真空処
   理室と、カセットと前記真空処理室の間で前記基板の搬
   送を行なう搬送手段及び支持部材を備えた半導体基板処
   理装置において、 前記搬送手段は、前記カセットから１枚毎取り出した基
   板を該基板の裏面で保持しながら、真空搬送室と真空処
   理室とが連通した状態で前記真空処理室の基板支持台の
   基板支持面に対向した位置へ搬送し、前記真空処理が終
   了した基板を前記真空処理室から搬出し、該搬出した前
   記基板をカセットに１枚毎回収するように構成され、 前記支持部材は、前記基板支持台の後方から前進し前記
   基板をその裏面で支持し、前記搬送手段が前記真空処理
   室外へ退避した後、後退して前記基板支持台に前記基板
   を載置し、前記真空処理が終了した基板をその裏面で支
   持ししながら前記基板支持台から離間した位置に移動さ
   せ、後退することによって前記基板を前記搬送手段に受
   渡すように構成されている、 ことを特徴とする半導体基板処理装置。