JPH11307614A - 半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム - Google Patents

半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム

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JPH11307614A
JPH11307614A JP10293387A JP29338798A JPH11307614A JP H11307614 A JPH11307614 A JP H11307614A JP 10293387 A JP10293387 A JP 10293387A JP 29338798 A JP29338798 A JP 29338798A JP H11307614 A JPH11307614 A JP H11307614A
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奎煥 郭
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数個の工程チャンバーを備えた設備の面積
を最小化する半導体素子製造用エッチング設備のマルチ
チャンバーシステムを提供する。 【解決手段】 ウェーハを積載したカセット４１が安着
されるカセットステージ４２と、カセットステージ４２
に面してウェーハの移送に必要な空間を有する長方形移
送通路と、移送通路の側面に並んで配列される多数個の
工程チャンバー４５及び移送通路に設置され、カセット
ステージに積載されたウェーハを多数個の工程チャンバ
ーにそれぞれローディング及びアンローディングさせる
ウェーハ移送装置５２とを備える。従って、多数個の工
程チャンバー４５を多層に直列配置して設備の面積及び
設備幅を画期的に縮小することができ、不必要な真空面
積を縮小することで装置費及び設置費を最小化すること
ができ、他工程設備との連結及び空間活用が容易であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体エッチング工程では、工
程の効率及び空間設置効率を向上させるため、多数個の
チャンバーでいくつかの種類のウェハ加工作業が同時に
進行されることが可能であるマルチチャンバーシステム
が採択されている。
【０００３】特に、プラズマを利用した乾式エッチング
工程で使用するマルチチャンバーシステムは、プラズマ
生成のために高真空環境が要求される多数個の工程チャ
ンバーを備え、低真空状態の中央チャンバー内で多数個
の真空チャンバーにウェハをローディング及びアンロー
ディングするチャンバー内移送装置を備える集中型マル
チチャンバーシステムである。
【０００４】従来の一般的な半導体素子製造用エッチン
グ設備のマルチチャンバーシステムを図１に示す。図１
に示すように、従来の半導体素子製造用エッチング設備
の集中型マルチチャンバーシステムは、中央に６角柱型
の中央チャンバー１６が設置され、中央チャンバー１６
の側面にそれぞれ工程が行われる４つの工程チャンバー
１５が連結される構成である。中央チャンバー１６とそ
れぞれの工程チャンバー１５の間には、ぞれぞれウェハ
の選択的な出入が自由である図示しない多数個のゲート
が設置される。そのゲートを通じ中央チャンバー１６に
設置されたチャンバー内移送装置１４がウェハを選択的
にそれぞれの工程チャンバー１５にローディング及びア
ンローディングすることが可能である。
【０００５】中央チャンバー１６は、連結された工程チ
ャンバー１５の個数によって四角形、五角形、七角形等
の形態が可能で、図１では最も一般的な六角形構造の中
央チャンバーを示した。
【０００６】また、それぞれの工程チャンバー１５と中
央チャンバー１６は図示しない真空圧形成装置を備え
る。従って、チャンバー内移送装置１４は、真空の環境
下でウェハを工程チャンバー１５に移送する。
【０００７】また、このようなマルチチャンバーシステ
ムの中央チャンバー１６には、中央チャンバー１６にカ
セット１１内のウェハを移送することができるようにウ
ェハの環境を大気圧で低真空状態に転換し、ウェハの中
間待機場所としてローディング前、またはアンローディ
ング後のウェハが積載されるロードロックチャンバー１
３が設置される。通常このようなロードロックチャンバ
ー１３は、加工前のウェハが積載される入力側のロード
ロックチャンバー及び加工を終えた後のウェハが積載さ
れる出力側ロードロックチャンバーによって構成され
る。
【０００８】また、このような２つのロードロックチャ
ンバー１３には、大気中でカセット単位のウェハ運搬が
容易であるようにカセット１１が安着されるカセットス
テージ１２が連結されて設置される。
【０００９】従って、従来の半導体素子製造用エッチン
グ設備のマルチチャンバーシステムは、カセットステー
ジ１２にカセット１１が安着されると、ロードロックチ
ャンバー１３の内部に設置された自動移送装置または作
業者等がウェハを積載したカセット１１をロードロック
チャンバー１３に供給し、ロードロックチャンバー１３
は密閉された後低真空状態になる。ロードロックチャン
バー１３が所定水準の真空状態に到達すると、ロードロ
ックチャンバー１３のゲートが開放され、中央チャンバ
ー１６のチャンバー内の移送装置１４が低真空状態でウ
ェハを個別または一定な個数単位に図示しない移送アー
ムに安着させた後、特定角度に水平回転しながら特定角
度線上に位置した特定工程チャンバーに先進して移送す
る。
【００１０】工程チャンバー１５内にウェハが移送され
ると、工程チャンバー１５のゲートが密閉された後に工
程が遂行され、工程を終えたウェハは、再びチャンバー
内移送装置１４によって逆方向に移送されてロードロッ
クチャンバー１３内のカセットに再積載される。
【００１１】ここで、特定チャンバーで工程が進行され
る途中に、チャンバー内移送装置１４は連続して他の工
程チャンバー１５にウェハをローディング及びアンロー
ディングすることが可能である。従って、多数個の工程
チャンバーで同時に多数個のウェハを加工することが可
能である。
【００１２】しかし、このような従来の集中型マルチチ
ャンバーシステムは、前述したように六角形型の中央チ
ャンバーを構成することにおいて（基本的に４つの工程
チャンバーと２つのロードロックチャンバーで構成され
る場合）、六角形型の中央チャンバーが占める面積のた
め、設備全体の面積は勿論、製造ライン内の設備配置に
おいて重視される設備幅“ｗ”が必要以上に増大し、中
央チャンバーを真空状態に維持するのに必要な真空設備
の規模が増大し設備費用及び設置費用が増加する。
【００１３】また、このような中央チャンバーの面積
は、設置される工程チャンバーの個数の増加に伴って増
加するものである。例えば、設置される同一の大きさの
工程チャンバーを４つから６つに増加させようとする
と、中央チャンバーを正八角形型に構成しなければなら
ない。この場合中央チャンバーの面積増加はさらに増大
される。従って、必要な工程チャンバーの個数が増加す
ると、前述のような集中型マルチチャンバーシステムを
さらに一つ追加して設置するようになる。
【００１４】しかし、集中型マルチチャンバーシステム
を購入する購入費が増加し、また設置費が過重に所要さ
れ、必要以上に設備の面積が広くなるので設備の設置面
積が増加し、高価な維持費が所要される清浄室を広く占
有し、工程チャンバーやロードロックチャンバーに付設
される各種の工程ガス及び真空関連装置が重複するなど
の問題があった。従って、マルチチャンバーシステムの
工程チャンバの個数を増やす方法が多角度から考えられ
た。
【００１５】このような集中型マルチチャンバーシステ
ムにおいて工程チャンバーの個数を増加に伴う設置面積
の増加を抑制する方法の一つは、図２に示すようにそれ
ぞれ３個の工程チャンバー１５と連結された２つの中央
チャンバー１６を互いに連結し、２つの中央チャンバー
を互いに連結するための連結ロードロックチャンバー１
３を間に設置し、従来の集中型マルチチャンバーシステ
ム１０を互いに連結して結合させるものである。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法にお
いても、７個の工程チャンバー１５を設置する場合、集
中型マルチチャンバーシステム１０を一つさらに購入し
て設置することに比べ、高価の維持費が所要される清浄
室内の占有面積を効果的に削減し、工程チャンバーやロ
ードロックチャンバーに付設される各種の工程ガス及び
真空関連装置が重複する等の問題点を克服することがで
きなかった。
【００１７】また、図３に示すように構造的にカセット
ステージが設備の前方に配置される従来の集中型マルチ
チャンバーシステム１０が、半導体製造ライン内に他工
程設備２０と一緒に設置されると、集中型マルチチャン
バーシステムを始めとした他工程設備２０のカセットス
テージが全て前方に向くようになるので設備から設備に
カセットを運搬する自動カセット運搬車または作業者等
が必要になり、附随的なカセット運搬装置を備えなけれ
ばならないという問題点があった。
【００１８】また、前述の集中型マルチチャンバーシス
テムは、チャンバー内の移送装置が真空の環境下でウェ
ハを移送するためウェハを真空吸着することができな
い。このため移送アームがウェハを単純に重力支持する
構成であり、移動時ウェハの慣性によってウェハが離脱
しないようにウェハの移送速度を非常に低速にしなけれ
ばならないという問題点があった。
【００１９】本発明は、上述の問題点を解決するために
創作されたものであり、多数個の工程チャンバーを多層
に直列配置して、設備の面積及び設備の幅を画期的に縮
小し、不必要な真空面積を縮小することで装置費及び設
置費を最小化させ、他工程設備との連結及び空間活用が
容易で、ウェハの移送速度を向上させる半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを提供す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシ
ステムによると、ウェハを積載したカセットが安着され
るカセットステージと、カセットステージに面しウェハ
の移送に必要な空間を有する長方形の移送通路と、移送
通路の側面に並んで配列される多数個の工程チャンバー
と、移送通路に設置され、カセットステージに積載され
たウェハを多数個の工程チャンバーにそれぞれローディ
ング及びアンローディングさせることが可能なウェハ移
送装置とを備える。
【００２１】本発明の請求項２記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
工程チャンバーは、多層をなす。本発明の請求項３記載
の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバー
システムによると、工程チャンバーは、移送通路方向
に、ウェハの出入が可能で選択的に開閉が可能なゲート
が形成される。
【００２２】本発明の請求項４記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
工程チャンバーは、一側面にウェハの待機場所であるロ
ードロックチャンバーを連結して備える。
【００２３】本発明の請求項５記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
ロードロックチャンバーは、内部にウェハ移送装置から
ウェハを引受け、これを工程チャンバーに移送するよう
にウェハが安着される移送アーム及び移送アームを移動
させるチャンバー内移送装置を備え、移送通路側の一面
と工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入が可
能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成される。
【００２４】本発明の請求項６記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
ロードロックチャンバーは、同時に多数個のウェハを個
別移送するための多数個の移送アームを備える。
【００２５】本発明の請求項７記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
ロードロックチャンバーは、内部の真空圧を形成するた
めの真空圧形成装置を備える。
【００２６】本発明の請求項８記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
工程チャンバーは、多数個の工程チャンバーが１個のロ
ードロックチャンバーを共有する。
【００２７】本発明の請求項９記載の半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、
工程チャンバーは、工程の連続する工程チャンバー間で
ウェハが直接移送されるようにゲートを通じて互いに連
結される。
【００２８】本発明の請求項１０記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、工程チャンバーは、内部の真空圧を形成するための
真空圧形成装置を備える。
【００２９】本発明の請求項１１記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、ウェハを選択的に把持する移送
アームと、移送アームを移動させることにより工程チャ
ンバーにウェハをローディング及びアンローディングさ
せることが可能な移送ロボットと、移送ロボットを水平
移動させる水平移動駆動部と、移送ロボット及び水平移
動駆動部に制御信号を与えてこれらを制御する制御部と
を備える。
【００３０】本発明の請求項１２記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、制御部から制御信号を与えられ
て制御され、移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部
を備える。
【００３１】本発明の請求項１３記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、移送アームは、ウェハを真空吸着可能な真空ライン
を備える。
【００３２】本発明の請求項１４記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、多数個のウェハを同時に個別移
送するための多数個の移送アームを備える。
【００３３】本発明の請求項１５記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、水平移動駆動部は、モータまたは空圧シリンダーを
備える。本発明の請求項１６記載の半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、昇
下降駆動部は、モータまたは空圧シリンダーを備える。
【００３４】本発明の請求項１７記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、移送通路の長さが長い場合、ウェハを互いに引受
け、引き継ぐことが可能な複数個のウェハ移送装置を備
える。
【００３５】本発明の請求項１８記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、工程が行われる前のウェハを積
載したカセットが安着される第１カセットステージによ
りウェハを工程チャンバーに移送し、その工程チャンバ
ーで工程を終えたウェハを次の工程のためのウェハ移送
に適した位置に設置された第２カセットステージに移送
する。
【００３６】本発明の請求項１９記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハを積載したカセットが安着されるカセットス
テージと、カセットステージに面し、ウェハの移送に必
要な空間を有する長方形の移送通路と、移送通路の側面
に多層をなして並んで配列され、ウェハの加工が行われ
る多数個の工程チャンバーと、移送通路に設置され、垂
直及び水平方向の往復移動が可能で、カセットステージ
に積載されたウェハを多数個の工程チャンバーにそれぞ
れローディング及びアンローディングすることが可能な
ウェハ移送装置とを備える。
【００３７】本発明の請求項２０記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、工程チャンバーは、２層から５層構造である。本発
明の請求項２１記載の半導体素子製造用エッチング設備
のマルチチャンバーシステムによると、工程チャンバー
は、一側面にウェハの待機場所であるロードロックチャ
ンバーを連結して備える。
【００３８】本発明の請求項２２記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ロードロックチャンバーは、内部にウェハ移送装置
からウェハを引受け、これを工程チャンバーに移送する
ようにウェハが安着される移送アーム及び移送アームを
移動させるチャンバー内移送装置を備え、移送通路側の
一面と工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入
が可能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成される。
【００３９】本発明の請求項２３記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ロードロックチャンバーは、多数個のウェハを同時
に個別移送するための多数個の移送アームを備える。
【００４０】本発明の請求項２４記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、ウェハを選択的に真空吸着して
把持するための真空ラインを有する移送アームと、移送
アームを移動させることにより工程チャンバーにウェハ
をローディング及びアンローディングさせることが可能
な移送ロボットと、移送ロボットを昇下降させる昇下降
駆動部と、移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動
部と、移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部
に制御信号を与えて制御する制御部とを備える。
【００４１】本発明の請求項２５記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、多数個のウェハを同時に個別移
送するための多数個の移送アームを備える。
【００４２】本発明の請求項２６記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、昇下降駆動部及び水平移動駆動部は、モータまたは
空圧シリンダーを備える。
【００４３】本発明の請求項２７記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、移送通路の長さが長い場合、ウェハを互いに引受
け、引き継ぐことが可能である複数個のウェハ移送装置
を備える。
【００４４】本発明の請求項２８記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、工程が行われる前のウェハを積
載したカセットが安着される第１カセットステージによ
りウェハを工程チャンバーに移送し、工程チャンバーで
工程を終えたウェハを次の工程のためのウェハ移送に適
した位置に設置された第２カセットステージに移送す
る。
【００４５】本発明の請求項２９記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、工程以前にウェハを積載したカセットが安着される
第１カセットステージと、第１カセットステージに面
し、ウェハの移送に必要な空間を有する長方形の移送通
路と、移送通路の側面に多層をなして並んで配列され、
ウェハの工程が行われる多数個の工程チャンバーと、移
送通路に設置され、垂直及び水平方向の往復運動が可能
で、第１カセットステージに積載されたウェハを多数個
の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンロー
ディングすることが可能なウェハ移送装置と、第１カセ
ットステージに対向し移送通路に面し、工程後のウェハ
を積載するカセットが安着される第２カセットステージ
とを備える。
【００４６】本発明の請求項３０記載の半導体素子製造
用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによる
と、ウェハ移送装置は、ウェハを選択的に真空吸着して
把持するための真空ラインを有する移送アームと、移送
アームを移動させることにより工程チャンバーにウェハ
をローディング及びアンローディングさせることが可能
な移送ロボットと、移送ロボットを昇下降させる昇下降
駆動部と、移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動
部と、移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部
に制御信号を与えて制御する制御部とを備える。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
複数の実施例を添付した図面に基づき詳細に説明する。 （第１実施例）本発明の第１実施例による半導体素子製
造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを図４
に示す。
【００４８】まず、図４を参照して説明すると、本発明
の第１実施例による半導体素子製造用エッチング設備の
マルチチャンバーシステムは、前方にウェハを積載した
カセット４１が安着されるカセットステージ４２と、ウ
ェハの移送に必要な空間である長方形移送通路の両側面
に並んで多層に配列されウェハの加工が行われる８つの
工程チャンバー４５と、前記移送通路に設置され、前記
カセットステージ４２に積載されたウェハを前記８つの
工程チャンバー４５にそれぞれローディング及びアンロ
ーディングさせることが可能なウェハ移送装置５２とを
備える。
【００４９】カセットステージ４２は、前記カセットが
昇下降することができるようにカセットエレベーターが
設置され得るし、カセット間の位置を交代することがで
きるように左右に水平移動され得る。
【００５０】前記工程チャンバー４５は、単層構造も可
能であるが、空間の効率性を考慮して図５に図示された
ように２層をなし、各層にはそれぞれ４つの工程チャン
バー４５が直列で並んで配列される構成である。
【００５１】マルチチャンバーシステム４０が単層にな
る構成である場合、図１の従来の集中型マルチチャンバ
ーシステム１０と比べると、従来のような規格の４つの
工程チャンバー４５と２つのロードロック４３を設置す
るとき、図４でのように、本発明のマルチチャンバーシ
ステム４０の設備幅“Ｗ”は２つの工程チャンバー４５
の幅と１つの移送通路の幅を合わせたものと同じであ
る。必要以上に肥大化した従来の中央チャンバーの幅を
ウェハ１枚の幅を超える最小の幅に製作することができ
る移送通路の幅に代置することができる。このため、設
備の幅“Ｗ”を最小化するようになることは勿論であ
り、このような設備の幅Ｗの縮小は設備の長さにも適用
することができ、従来の中央チャンバーの長さをロード
ロックチャンバー４３の長さに代置することができ、そ
の中でロードロックチャンバー４３の形態も１辺の長さ
がウェハ１枚の直径を超える範囲で薄い正四角柱型に最
小化して全体設備の幅及び長さを最小化することができ
るようになる。
【００５２】従って、設備の幅“Ｗ”と設備の長さを積
算した設備面積は、本発明の単層構造であるマルチチャ
ンバーシステムの場合、従来と比べ大幅に縮小され、さ
らに複層構造が可能な本発明の多層構造のマルチチャン
バーは、設備をさらにコンパクトに構成することができ
るものである。
【００５３】また、ロードロックチャンバー４３の空間
を最小化することによって真空設備等付設装置の容量を
減らすようになり装置費及び設置費を最小化することが
できる。
【００５４】また、前記移送通路には、前記ウェハ移送
装置５２が真空圧を利用して把持することでウェハを高
速移動させることが可能であるように別途の真空圧形成
装置を設置する必要がない構成である。
【００５５】このように前記ウェハ移送装置５２が設置
される移送通路が従来の中央チャンバーのように真空環
境が形成されたものではないので、前記工程チャンバー
の多層構造が可能で、中央チャンバー内で移送アームが
ウェハを単純に重力支持して移動時、ウェハの慣性によ
ってウェハが離脱しないように低速で移動させる従来の
場合より高速なウェハの移送が可能である。
【００５６】一方、ベースオーブン（Base Oven）工
程、アシング（Ashig）工程等エッチング工程の前後工
程で比較的低真空状態が要求される前記工程チャンバー
の場合、ウェハの出入が可能で、選択的に開閉されるよ
うに前記移送通路方向にゲート（図示しない）が形成さ
れることが可能である。
【００５７】しかし、一般的に乾式エッチング工程が遂
行される前記工程チャンバー４５は、内部の真空圧を形
成するための真空圧形成装置が設置されるので、プラズ
マを形成するために内部に高真空環境を形成することが
可能な高真空用工程チャンバーを設置する場合が多い。
【００５８】従って、大気圧環境に工程チャンバーの内
部が直接露出されて再び高真空状態に真空圧が形成され
るのにかかる時間及びエネルギーの浪費を最小化するた
めに前記工程チャンバー４５の一側面にウェハの待機場
所として低真空が形成されるロードロックチャンバー４
３を連結し、ロードロックチャンバー４３の一面に移送
通路方向にゲート４６、４９を形成する。
【００５９】即ち、このような前記ロードロックチャン
バー４３は、内部に前記ウェハ移送装置５２からウェハ
を引受け、これを前記工程チャンバーに移送するように
ウェハが安着される図６の移送アーム５４及び前記移送
アーム５４を移動させるチャンバー内移送装置４４が設
置され、移送通路側の一面にウェハの出入が可能で、選
択的な開閉が可能な図４のゲート４６、４９が形成さ
れ、それぞれ２つの工程チャンバー側の一面にウェハの
出入が可能で、選択的な開閉が可能なゲート４７、４
８、５０、５１が形成される構成である。
【００６０】前記ロードロックチャンバー４３の移送ア
ーム及びチャンバー内移送装置４４は、２つの工程チャ
ンバーにそれぞれ１枚ずつのウェハを同時に個別移送す
ることができるように前記ロードロックチャンバー内に
２つが設置され得る。
【００６１】また、前記ロードロックチャンバー４３に
は、前記高真空環境の工程チャンバー４５の間に設置さ
れたゲート４７、４８、５０、５１が開いてウェハが移
送される時、前記工程チャンバー内部の急激な真空圧相
殺形状が起こらないように前記ロードロックチャンバー
４３内部の低真空圧を形成するための真空圧形成装置
（図示しない）が設置される。
【００６２】このような真空圧形成装置は、多様な形態
が可能で、真空ポンプを利用する一般的な真空圧形成装
置として、当業者にとって実施が容易なものなので詳し
い説明は省略する。
【００６３】また、前記工程チャンバー４５は、図４及
び図５に図示されるように、２つの工程チャンバー４５
がロードロックチャンバー４３の前後に位置して１つの
ロードロックチャンバー４３を共有する構成であるが、
３つまたは多数個の工程チャンバーが１つのロードロッ
クチャンバーを供給するようにする構成も可能である。
【００６４】また、前記工程チャンバーは、工程チャン
バーで加工を終えたウェハが次の工程が行われる工程チ
ャンバーに直接移送することができるようにゲートを通
じて工程チャンバーと工程チャンバーがお互い連結され
る形態として、工程チャンバーと工程チャンバーの間の
ウェハ移送が可能な形態に製作されることも可能であ
る。
【００６５】一方、前記移送通路に設置される本発明の
前記ウェハ移送装置５２は、ウェハを選択的に把持する
図６の移送アーム５３と、前記移送アーム５３を移動さ
せることで前記工程チャンバーにウェハをローディング
及びアンローディングさせることが可能な移送ロボット
（図示しない）と、前記移送ロボットを水平移動させる
水平移動駆動部（図示しない）と、前記移送ロボットを
昇下降させる昇下降駆動部（図示しない）及び前記移送
ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に制御信号
を与えてこれらを制御する制御部（図示しない）を備え
る。
【００６６】前記移送アーム５３は、ウェハを選択的に
真空吸着することが可能であるように真空ライン（図示
しない）が設置される。また、前記移送アーム５３は、
図５に図示されたように、一度に一枚のウェハを移送す
るように設置されることも可能であるがウェハの移送時
間を短縮させるために各層にそれぞれ２つずつ設置され
たロードロックチャンバーに、それぞれ２枚ずつのウェ
ハを同時に個別移送することができるように４つが連結
されて設置されるフォーアームシステム（４-Arm Syste
m）であることが可能である。
【００６７】４つのウェハを独自的に移送するフォーア
ームシステムを始めとして２枚及び３枚のウェハを同時
に移送することができるツーアームシステム（２-Arm S
ystem）、スリーアームシステム（３-Arm System）など
は、半導体工程で常用化された技術で、当業者にとって
多様な形態の変更及び実施が可能であることは当然なも
のである。
【００６８】前記水平移動駆動部（図示しない）及び昇
下降駆動部（図示しない）は、モータまたは空圧シリン
ダーを駆動源として移動する経路を案内するレールまた
はガイド棒に沿って水平移動する水平移動駆動部に再び
移動する経路を案内するレールまたはガイド棒に沿って
昇下降移動する昇下降駆動部に前記移送アーム及び移送
ロボットが設置されるものである。これもまた、半導体
工程で常用化された技術で、当業者において多様な形態
の変更及び実施が容易であることは当然なことであるの
で詳しい説明は省略する。
【００６９】従って、前述したような構成を有する本発
明の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバ
ーシステムは、図６に示すように、多数個のウェハを積
載したカセット４１が前記カセットステージ４２に安着
されると、制御部の制御信号を受けた前記ウェハ移送装
置５２の水平移動駆動部及び昇下降駆動部が駆動して前
記移送ロボットを前記カセット４１内に積載されたウェ
ハに接近させる。
【００７０】前記ウェハにウェハ移送装置５２が十分に
接近すると、前記移送ロボットは、制御部の制御信号を
受け前記移送アーム５３を前記ウェハに接触させ、真空
ラインが設置された前記移送アーム５３は前記ウェハを
真空吸着して一側面に固定させる。
【００７１】前記移送アーム５３に固定されたウェハが
１層の特定工程チャンバー４５に移送されるウェハであ
る場合には、制御部が前記水平移動駆動部を制御して１
層の特定工程チャンバー４５と連結されたロードロック
チャンバー４３に移送する。
【００７２】このとき、前記ロードロックチャンバー４
３の移送通路方向に形成されたゲート４６が開き、前記
ウェハ移送装置５２の移送アーム５３が挿入された後、
真空ラインの真空圧が切れると前記ウェハが前記ロード
ロックチャンバー４３の内部の移送アーム５４に安着さ
れる。
【００７３】前記ウェハ移送装置５２の移送アーム５３
が前記ロードロックチャンバー４３を抜けると、前記ゲ
ート４６が閉じられ、前記ロードロックチャンバー４３
の真空圧形成装置が稼動してロードロックチャンバー４
３の内部を低真空状態にする。
【００７４】前記ロードロックチャンバー４３が所定水
準の低真空状態に到達すると、前記ロードロックチャン
バー４３の工程チャンバー側のゲート５０が開き、前記
ロードロックチャンバー４３のチャンバー内移送装置４
４は、前記移送アーム５４に安着されたウェハを前記工
程チャンバー４５内に移送する。
【００７５】このとき、ロードロックチャンバー４３の
低真空状環境によってウェハの真空吸着は難しいが、前
記ロードロックチャンバー４３の面積が従来の場合のよ
うに広くないので、移送アームがウェハを安着させ、低
速移動される区間が相対的に非常に短い。
【００７６】前記移送アーム５４が前記工程チャンバー
４５から抜けると、前記ゲート４６が閉じられ、前記工
程チャンバー４５に設置された真空圧形成装置が稼動し
て前記工程チャンバー４５内に高真空を形成してエッチ
ング工程が遂行されるようにする。
【００７７】一方、前記把持したウェハが２層の特定工
程チャンバー４５に移送されるウェハである場合には、
制御部が前記水平移動駆動部及び昇下降駆動部を制御し
て２層の特定工程チャンバー４５と連結されたロードロ
ックチャンバー４３に移送する。
【００７８】このときのウェハは前記移送ロボットの移
送アーム５３に真空吸着された状態に昇降して前記ロー
ドロックチャンバー４３内に挿入された後、以後の過程
は前述された１層の移送経路と同一である。
【００７９】このように多数個の工程チャンバー４５内
にウェハを移送するウェハローディング作業が終ると、
前記ウェハ移送装置５２が工程が完了される順にウェハ
をアンローディングして、再び前記カセットステージ４
２に移送するか、次の工程が遂行される特定層の特定工
程チャンバーに制御部の制御信号を受けて前記ウェハを
移送する過程を経るようになる。
【００８０】本発明のウェハ移送装置５２にフォーアー
ムシステムを設置する場合には、前記ウェハ移送装置５
２は、前記カセット内に積載されたウェハを４枚ずつ移
送して特定工程チャンバーと連結されたロードロックチ
ャンバーにそれぞれ２枚ずつ移送するようになり、前記
チャンバー内移送装置及び移送アームはツーアームシス
テムに設置され２つの工程チャンバーにそれぞれ１枚ず
つウェハを移送した後、工程が終ると、再びウェハ移送
装置５２に２枚または１枚のウェハを伝達して後続加工
が行われるようにする。
【００８１】（第２実施例）本発明の第２実施例による
半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシ
ステムは、図７に示すように、加工前のウェハを積載す
るカセットが安着される第１カセットステージ６０と、
加工後のウェハを積載するカセットが安着される第２カ
セットステージ７０と、ウェハの移送に必要な空間であ
る長方形移送通路の両側面に多層をなして並んで配列さ
れウェハの加工が行われる多数個の工程チャンバー４５
と、前記移送通路に設置されて垂直及び水平往復運動が
可能で、前記第１カセットステージ６０に積載されたウ
ェハを前記多数個の工程チャンバー４５にそれぞれ移送
し、加工を終えたウェハを前記第２カセットステージ７
０に移送することが可能な移送ロボットを含むウェハ移
送装置５２とを備える。
【００８２】本発明の第２実施例によるマルチチャンバ
ーシステムは前述した第１実施例のウェハ加工を全て終
えたウェハが前記第２カセットステージ７０に積載され
て図８に示すように他工程設備２０と連結されることが
容易であるように形成された構成である。
【００８３】即ち、図８に示すように、設備の前方に設
置された第１カセットステージ６０を通じて本発明のマ
ルチチャンバーシステムに供給されて多数個の工程チャ
ンバー４５内で工程を終えたウェハが設備の後方に設置
された第２カセットステージ７０に積載された後、再び
他工程設備２０の自動移送装置によって他工程設備２０
で他工程が遂行された後、前記他工程設備２０の側方に
移送され、また異なる他工程設備２０を経た後、本発明
のマルチチャンバーシステムの右側前方の他工程設備カ
セットステージに積載されるウェハ経路を構成すること
ができるものである。これは本実施例が半導体製造ライ
ン内に設置される一例であって、本実施例が製造ライン
内に設置される場合、多様な形態の適用が可能であるこ
とを示している。
【００８４】従って、構造的にカセットステージが設備
の前方に配置される従来の集中型マルチチャンバーシス
テムのカセットステージが全て前方に向くようになるの
で、設備から設備にカセットを運搬する作業者または自
動カセット運搬車等が必ず必要になり、付随的なカセッ
ト運搬装置を備えなければならないという事とは別に、
本発明の第２実施例によると、設備から設備にカセット
を運搬する作業者または自動カセット運搬車等の付随的
なカセット運搬装置をなくすか、または大幅に減らすこ
とができるという利点がある。
【００８５】また、図９に示すように本実施例によるマ
ルチチャンバーシステムを延長させて設置される工程チ
ャンバー４５の個数をさらに増加させる場合には、前記
移送通路を延長し、また、いくつかの工程チャンバー４
５とロードロックチャンバー４３を前記移送通路の両側
面に直列に並んでさらに配置させることが可能である。
【００８６】この場合、前記移送通路の長さが長くなる
とき、互いに引受け、引継ぐことが可能な２つの第１ウ
ェハ移送装置６２及び第２ウェハ移送装置７２を設置す
る事が可能である。
【００８７】従って、従来の集中型マルチチャンバーシ
ステムとは別に、設備幅は変わらず、理論的に設置され
る工程チャンバーを無限に増加させることが可能なもの
である。しかし、このような場合、設備の長さの限界
と、設備制御の限界等の制約がある。
【００８８】（第３実施例）本発明の第３実施例による
半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシ
ステムは、図１０に示すように、ウェハを積載したカセ
ットが安着されるカセットステージ４２と、ウェハの移
送に必要な空間である長方形移送通路の一側面に多層を
なして並んで配列されウェハの加工が行われる多数個の
工程チャンバー４５と、前記移送通路に設置されて垂直
及び水平往復運動が可能で、前記カセットステージに積
載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞ
れローディング及びアンローディングさせる事が可能で
あるウェハ移送装置５２とを備える。
【００８９】即ち、前記工程チャンバー４５は、前記移
送通路の一側面にのみ多層に配列される構成で、やはり
一側面にウェハの待機場所であるロードロックチャンバ
ー４３が連結される。
【００９０】また、前記ロードロックチャンバー４３
は、内部に前記ウェハ移送装置５２からウェハを引受
け、これを前記工程チャンバーに移送するようにウェハ
が安着される移送アーム及び前記移送アームを移動させ
るチャンバー内移送装置が設置され、移送通路側の一面
と工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入が可
能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成される。
【００９１】ここで、本実施例による前記ウェハ移送装
置５２の構成は、第１実施例や第２実施例と実質的に同
じであり、前記工程チャンバー４５及びロードロックチ
ャンバー４３が前記移送通路の一側面にのみ配置されて
いるので、前記ウェハ移送装置５２は前記カセットステ
ージ４２でウェハを真空吸着して９０度水平回転した
後、一側の方向にのみ前記ウェハをローディングするよ
うになるという点で異なる。
【００９２】また、前記ウェハ移送装置５２は、工程が
行われる前のウェハを積載したカセットが安着される第
１カセットステージ６０で前記ウェハを前記工程チャン
バー４５に移送し、前記工程チャンバーで工程を終えた
ウェハを次の工程のためのウェハの移送が便利な位置に
設置された第２カセットステージ７０に移送する。
【００９３】即ち、このような第２カセットステージ７
０は、図１０に図示されるように前記工程チャンバー４
５及びロードロックチャンバー４３が設置された移送通
路の一側方向に対向する方向に設置されて工程を終えた
ウェハが前記他工程設備２０に供給されることが容易で
あるように形成される。
【００９４】従って、本発明の第３実施例の半導体素子
製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによ
ると、半導体製造ラインを設置するとき、多様な形態と
面積を有する各種設備を清浄室に設置し、残りの清浄室
の空き地に効果的に配置して空間効率を高める利点があ
る。
【００９５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による半導
体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステ
ムによると、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置
して設備の面積及び設備の幅を画期的に縮小することが
できる。また、不要な真空面積を縮小することにより設
備費用及び設置費用を最小化する事ができる。さらに、
他工程設備との連結及び空間活用が容易であり、また、
ウェハの移送速度が向上する。
【００９６】以上、本発明は記載された具体例に対して
のみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体素子製造用エッチング設備の集中
型マルチチャンバーシステムを示す模式的な平面図であ
る。
【図２】図１の半導体素子製造用エッチング設備の集中
型マルチチャンバーシステムを連結して結合させた状態
を示す模式的な平面図である。
【図３】図１の半導体素子製造用エッチング設備の集中
型マルチチャンバーシステムが半導体製造ライン内に設
置された状態を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例による半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す模式的
な平面図である。
【図５】本発明の第１実施例による半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す斜視図
である。
【図６】本発明の第１実施例においてウェハの移送状態
を概略的に示した側面図である。
【図７】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す模式的
な平面図である。
【図８】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムが半導体製造
ライン内に設置された一例を示す平面図である。
【図９】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エ
ッチング設備のマルチチャンバーシステムが延長された
状態を示した模式的な平面図である。
【図１０】本発明の第３実施例による半導体素子製造用
エッチング設備のマルチチャンバーシステムが半導体製
造ライン内に設置された一例を示す平面図である。
【符号の説明】 １ ウェハ １０ 集中型マルチチャンバーシステム １１、４１ カセット １２、４２ カセットステージ １３、４３ ロードロックチャンバー １４、４４ チャンバー内移送装置 １５、４５ 工程チャンバー １６ 中央チャンバー １７ 連結ロードロックチャンバー ２０ 他工程設備 ４０ 直列型マルチチャンバーシステム ４６、４７、４８、４９、５０、５１ ゲート ５２ ウェハ移送装置 ５３ 真空吸着移送アーム ５４ 移送アーム ６０ 第１カセットステージ ６２ 第１ウェハ移送装置 ７０ 第２カセットステージ ７２ 第２ウェハ移送装置 ｗ、Ｗ 設備幅

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハを積載したカセットが安着される
    カセットステージと、 前記カセットステージに面しウェハの移送に必要な空間
    を有する長方形の移送通路と、 前記移送通路の側面に並んで配列される多数個の工程チ
    ャンバーと、 前記移送通路に設置され、前記カセットステージに積載
    されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれ
    ローディング及びアンローディングさせることが可能な
    ウェハ移送装置と、 を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング
    設備のマルチチャンバーシステム。
  2. 【請求項２】 前記工程チャンバーは、多層をなすこと
    を特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチ
    ング設備のマルチチャンバーシステム。
  3. 【請求項３】 前記工程チャンバーは、前記移送通路方
    向に、ウェハの出入が可能で選択的に開閉が可能なゲー
    トが形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステ
    ム。
  4. 【請求項４】 前記工程チャンバーは、一側面にウェハ
    の待機場所であるロードロックチャンバーを連結して備
    えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造
    用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  5. 【請求項５】 前記ロードロックチャンバーは、内部に
    前記ウェハ移送装置からウェハを引受け、これを前記工
    程チャンバーに移送するようにウェハが安着される移送
    アーム及び前記移送アームを移動させるチャンバー内移
    送装置を備え、前記移送通路側の一面と前記工程チャン
    バー側の一面にそれぞれウェハの出入が可能で、選択的
    な開閉が可能なゲートが形成されることを特徴とする請
    求項４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマル
    チチャンバーシステム。
  6. 【請求項６】 前記ロードロックチャンバーは、同時に
    多数個のウェハを個別移送するための多数個の前記移送
    アームを備えることを特徴とする請求項５に記載の半導
    体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステ
    ム。
  7. 【請求項７】 前記ロードロックチャンバーは、内部の
    真空圧を形成するための真空圧形成装置を備えることを
    特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用エッチン
    グ設備のマルチチャンバーシステム。
  8. 【請求項８】 前記工程チャンバーは、多数個の工程チ
    ャンバーが１個の前記ロードロックチャンバーを共有す
    ることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用
    エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  9. 【請求項９】 前記工程チャンバーは、工程の連続する
    工程チャンバー間でウェハが直接移送されるようにゲー
    トを通じて互いに連結されることを特徴とする請求項１
    に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャ
    ンバーシステム。
  10. 【請求項１０】 前記工程チャンバーは、内部の真空圧
    を形成するための真空圧形成装置を備えることを特徴と
    する請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備
    のマルチチャンバーシステム。
  11. 【請求項１１】 前記ウェハ移送装置は、 ウェハを選択的に把持する移送アームと、 前記移送アームを移動させることにより前記工程チャン
    バーにウェハをローディング及びアンローディングさせ
    ることが可能な移送ロボットと、 前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、 前記移送ロボット及び水平移動駆動部に制御信号を与え
    てこれらを制御する制御部と、 を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子
    製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  12. 【請求項１２】 前記ウェハ移送装置は、前記制御部か
    ら制御信号を与えられて制御され、前記移送ロボットを
    昇下降させる昇下降駆動部を備えることを特徴とする請
    求項１１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマ
    ルチチャンバーシステム。
  13. 【請求項１３】 前記移送アームは、ウェハを真空吸着
    可能な真空ラインを備えることを特徴とする請求項１１
    に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャ
    ンバーシステム。
  14. 【請求項１４】 前記ウェハ移送装置は、多数個のウェ
    ハを同時に個別移送するための多数個の前記移送アーム
    を備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素
    子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  15. 【請求項１５】 前記水平移動駆動部は、モータまたは
    空圧シリンダーを備えることを特徴とする請求項１１に
    記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャン
    バーシステム。
  16. 【請求項１６】 前記昇下降駆動部は、モータまたは空
    圧シリンダーを備えることを特徴とする請求項１２に記
    載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバ
    ーシステム。
  17. 【請求項１７】 前記移送通路の長さが長い場合、ウェ
    ハを互いに引受け、引き継ぐことが可能な複数個の前記
    ウェハ移送装置を備えることを特徴とする請求項１に記
    載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバ
    ーシステム。
  18. 【請求項１８】 前記ウェハ移送装置は、工程が行われ
    る前のウェハを積載したカセットが安着される第１カセ
    ットステージにより前記ウェハを前記工程チャンバーに
    移送し、その工程チャンバーで工程を終えたウェハを次
    の工程のためのウェハ移送に適した位置に設置された第
    ２カセットステージに移送することを特徴とする請求項
    １に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチ
    ャンバーシステム。
  19. 【請求項１９】 ウェハを積載したカセットが安着され
    るカセットステージと、 前記カセットステージに面し、ウェハの移送に必要な空
    間を有する長方形の移送通路と、 前記移送通路の側面に多層をなして並んで配列され、ウ
    ェハの加工が行われる多数個の工程チャンバーと、 前記移送通路に設置され、垂直及び水平方向の往復移動
    が可能で、前記カセットステージに積載されたウェハを
    前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及
    びアンローディングすることが可能なウェハ移送装置
    と、 を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング
    設備のマルチチャンバーシステム。
  20. 【請求項２０】 前記工程チャンバーは、２層から５層
    構造であることを特徴とする請求項１９に記載の半導体
    素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステ
    ム。
  21. 【請求項２１】 前記工程チャンバーは、一側面にウェ
    ハの待機場所であるロードロックチャンバーを連結して
    備えることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子
    製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  22. 【請求項２２】 前記ロードロックチャンバーは、内部
    に前記ウェハ移送装置からウェハを引受け、これを前記
    工程チャンバーに移送するようにウェハが安着される移
    送アーム及び前記移送アームを移動させるチャンバー内
    移送装置を備え、移送通路側の一面と工程チャンバー側
    の一面にそれぞれウェハの出入が可能で、選択的な開閉
    が可能なゲートが形成されることを特徴とする請求項２
    １に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチ
    ャンバーシステム。
  23. 【請求項２３】 前記ロードロックチャンバーは、多数
    個のウェハを同時に個別移送するための多数個の前記移
    送アームを備えることを特徴とする請求項２２に記載の
    半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシ
    ステム。
  24. 【請求項２４】 前記ウェハ移送装置は、 ウェハを選択的に真空吸着して把持するための真空ライ
    ンを有する移送アームと、 前記移送アームを移動させることにより前記工程チャン
    バーにウェハをローディング及びアンローディングさせ
    ることが可能な移送ロボットと、 前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部と、 前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、 前記移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に
    制御信号を与えて制御する制御部と、 を備えることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素
    子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  25. 【請求項２５】 前記ウェハ移送装置は、多数個のウェ
    ハを同時に個別移送するための多数個の前記移送アーム
    を備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体素
    子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
  26. 【請求項２６】 前記昇下降駆動部及び水平移動駆動部
    は、モータまたは空圧シリンダーを備えることを特徴と
    する請求項２４に記載の半導体素子製造用エッチング設
    備のマルチチャンバーシステム。
  27. 【請求項２７】 前記移送通路の長さが長い場合、ウェ
    ハを互いに引受け、引き継ぐことが可能である複数個の
    前記ウェハ移送装置を備えることを特徴とする請求項１
    ９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチ
    ャンバーシステム。
  28. 【請求項２８】 前記ウェハ移送装置は、工程が行われ
    る前のウェハを積載したカセットが安着される第１カセ
    ットステージにより前記ウェハを前記工程チャンバーに
    移送し、前記工程チャンバーで工程を終えたウェハを次
    の工程のためのウェハ移送に適した位置に設置された第
    ２カセットステージに移送することを特徴とする請求項
    １９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチ
    チャンバーシステム。
  29. 【請求項２９】 工程以前にウェハを積載したカセット
    が安着される第１カセットステージと、 前記第１カセットステージに面し、ウェハの移送に必要
    な空間を有する長方形の移送通路と、 前記移送通路の側面に多層をなして並んで配列され、ウ
    ェハの工程が行われる多数個の工程チャンバーと、 前記移送通路に設置され、垂直及び水平方向の往復運動
    が可能で、前記第１カセットステージに積載されたウェ
    ハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディン
    グ及びアンローディングすることが可能なウェハ移送装
    置と、 前記第１カセットステージに対向し前記移送通路に面
    し、工程後のウェハを積載するカセットが安着される第
    ２カセットステージと、 を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング
    設備のマルチチャンバーシステム。
  30. 【請求項３０】 前記ウェハ移送装置は、 ウェハを選択的に真空吸着して把持するための真空ライ
    ンを有する移送アームと、 前記移送アームを移動させることにより前記工程チャン
    バーにウェハをローディング及びアンローディングさせ
    ることが可能な移送ロボットと、 前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部と、 前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、 前記移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に
    制御信号を与えて制御する制御部と、 を備えることを特徴とする請求項２９に記載の半導体素
    子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
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