JPH08247981A

JPH08247981A - ガスセンサ及びガス検出装置

Info

Publication number: JPH08247981A
Application number: JP5216495A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sato; 康弘佐藤; Etsuko Fujisawa; 悦子藤沢; Tsutomu Ishida; 力石田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1995-03-13
Filing date: 1995-03-13
Publication date: 1996-09-27

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体式のガスセンサの構造を簡略化すると
共に消費電力を軽減する。【構成】基板２の表面の空洞３上に薄板状の支持部１
６を位置させ、その表面に金属酸化物の幅狭の薄膜によ
り半導体１７を形成し、この半導体１７にリード電極１
８により発熱駆動用の駆動回路と抵抗検出用の検出回路
とを接続し、抵抗変化によりガスを検出する半導体１７
を直接に発熱させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体式のガスセンサ
及びガス検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ガスセンサに駆動回路と検出回路
とを接続したガス検出装置が実用化されている。ガスセ
ンサには、接触燃焼式と半導体式とがあるが、半導体式
では、特定の半導体はガスに反応して電気抵抗が変化す
ることを利用し、この抵抗変化によりガスを検出する。

【０００３】ここで、特開昭59−143946号公報に開示さ
れたガスセンサ１を一従来例として図１４ないし図１６
に基づいて以下に説明する。まず、単結晶シリコン製の
基板２の表面に空洞３が凹穴により形成されており、こ
の空洞３上にセンサ部４が突出して位置する。このセン
サ部４は、前記空洞３上に位置する片持梁状の支持部５
と、この支持部５上に形成された半導体６及びヒータ７
からなる。

【０００４】前記半導体６は、金属酸化物である酸化錫
の厚膜からなり、前記支持部５の先端に位置している。
前記ヒータ７は、Ｐｔ等の金属の厚膜からなり、前記半
導体６の近傍に位置している。前記ヒータ７と前記半導
体６とには、Ｐｔ等の金属からなるリード電極８，９が
接続されており、これらのリード電極８，９は、前記基
板２の角部まで形成されている。

【０００５】なお、前記支持部５は、前記基板２の表面
に形成された絶縁層１０からなり、前記ヒータ７と前記
リード電極８，９は保護層１１に被覆されている。この
保護層１１が選択的に除去されて前記半導体６と前記リ
ード電極８，９の末端とが露出しており、この露出した
リード電極８，９により接続パッド１２，１３が形成さ
れている。

【０００６】そこで、上述のような構造のガスセンサ１
を使用したガス検出装置（図示せず）では、前記半導体
６の接続パッド１２に抵抗変化を検出する検出回路が接
続され、前記ヒータ７の接続パッド１３に駆動電力を出
力する駆動回路が接続される。

【０００７】このような構成において、ガスセンサ１
は、ガス管の周囲などに配置され、ガス漏れの検知に利
用される。このようなガスセンサ１を利用したガス検出
装置によりガス漏れを監視する場合、駆動回路の出力電
力によりガスセンサ１のヒータ７を発熱させて半導体６
を“ 300〜450(℃）”に常時加熱しておき、この半導体
６の抵抗変化を検出回路により常時監視する。このよう
な状態で、もしも雰囲気にガスが混入すると、加熱され
た酸化錫からなる半導体６はガスを良好に吸着して電気
抵抗が変化するので、この抵抗変化を検出回路が検出す
ることにより、ガスの発生が検知される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のようなガス検出
装置は、ガスセンサ１のヒータ７を常時高温に発熱駆動
させて半導体６の抵抗変化を常時監視することにより、
ガスを検知することができる。

【０００９】しかし、このようにガスセンサ１のヒータ
７により半導体６を加熱する場合、図１７に示すよう
に、半導体６の温度を450(℃）とするためには、ヒータ
７に20(mA)もの電流を通電する必要があり、消費電力が
大きい。つまり、上述のようなガスセンサ１では、半導
体６を別体のヒータ７により加熱しているので、その熱
効率が良好でない。このような課題を解決するため、ヒ
ータに絶縁層を介して半導体を積層したガスセンサ（図
示せず）も存在するが、これでも熱効率は充分ではなく
消費電力が大きい。

【００１０】現在、ガス検出装置を乾電池により駆動す
ることが要望されており、これはガスセンサ１のヒータ
７をパルス電流で駆動することにより実現できる。しか
し、ヒータ７は半導体６を良好に加熱するために大型に
形成されており、温度応答が低くなっている。このた
め、ヒータ７の駆動電流を20(mA)とするとパルス幅を50
(ms)以上とする必要があり、パルス幅を50(ms)以下とす
るには駆動電流を20(mA)以上とする必要がある。従っ
て、ガス検出装置を乾電池により駆動した場合、その寿
命が極端に短く実用的でない。

【００１１】また、上述のようなガスセンサ１では、半
導体６にヒータ７を並設し、これらの各々にリード電極
８，９を接続しているので、これらの占有面積が大きく
小型軽量化が困難である。また、ヒータ７やリード電極
８，９は一つの金属により一度に形成することができる
が、半導体６は金属酸化物により別個に形成する必要が
あるため、その製造において工程や材料が多く生産性が
低い。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板の表面に空洞を形成し、この空洞上に薄板状の支持
部を位置させ、この支持部の表面に金属酸化物の幅狭の
薄膜により半導体を形成し、この半導体の両端に前記半
導体を発熱駆動する駆動回路と前記半導体の抵抗変化を
検出する検出回路とが接続されるリード電極を形成し
た。

【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、一つの金属酸化物の薄膜の一部を幅狭とし
て半導体を形成すると共に一部を幅広としてリード電極
を形成した。

【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、半導体にバイアス電圧を印加するためのバ
イアス電極を形成した。

【００１５】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、バイアス電極を支持部の表面の半導体の近
傍に形成した。

【００１６】請求項５記載の発明は、請求項３記載の発
明において、バイアス電極に絶縁層を介して半導体を積
層させた。

【００１７】請求項６記載の発明は、請求項１，２，
３，４又は５記載のガスセンサのリード電極にパルス幅
が50(ms)以下のパルス電流を出力する駆動回路を接続し
た。

【００１８】

【作用】請求項１記載の発明では、基板の表面の空洞上
に位置する薄板状の支持部の表面に、金属酸化物の幅狭
の薄膜により半導体を形成したので、検出回路が抵抗変
化を検出する半導体を駆動回路が高温に発熱駆動するこ
とができる。

【００１９】請求項２記載の発明では、一つの金属酸化
物の薄膜により半導体とリード電極とを形成することが
できる。

【００２０】請求項３記載の発明では、バイアス電極に
より半導体にバイアス電圧を印加することができるの
で、半導体の出力電圧をバイアス電圧により調節するこ
とができる。

【００２１】請求項４記載の発明では、バイアス電極を
支持部の表面の半導体の近傍に形成したので、半導体に
バイアス電圧を良好に印加することができる。

【００２２】請求項５記載の発明では、バイアス電極に
絶縁層を介して半導体を積層させたので、半導体にバイ
アス電圧を良好に印加することができる。

【００２３】請求項６記載の発明では、請求項１，２，
３，４又は５記載のガスセンサのリード電極に、パルス
幅が50(ms)以下のパルス電流を駆動回路が出力するの
で、半導体を高温に発熱駆動することができる。

【００２４】

【実施例】本発明の第一の実施例を図１ないし図５に基
づいて以下に説明する。なお、本実施例で示すガスセン
サ１４に関し、一従来例として前述したガスセンサ１と
同一の部分は、同一の名称及び符号を利用して詳細な説
明は省略する。

【００２５】まず、図１に示すように、基板２の表面に
空洞３が凹穴により形成されており、この空洞３上にセ
ンサ部１５が突出して位置する。このセンサ部１５は、
前記空洞３上に位置する架橋構造の薄板状の支持部１６
と、この支持部１６の表面に形成された半導体１７から
なる。

【００２６】この半導体１７は、金属酸化物である酸化
錫の幅狭の薄膜からなり、前記支持部１６の中央に位置
している。前記半導体１７には、Ｐｔ等の金属からなる
リード電極１８が接続されており、このリード電極１８
の末端には接続パッド１９が形成されている。

【００２７】そこで、上述のような構造のガスセンサ１
４を使用したガス検出装置２０では、図３に示すよう
に、前記ガスセンサ１４の接続パッド１９に駆動検出回
路２１が接続されており、この駆動検出回路２１は、駆
動回路である定電流電源２２と検出回路である直流電圧
計２３とを有している。

【００２８】このような構成において、本実施例のガス
センサ１４は、ガス管の周囲などに配置され、ガス漏れ
の検知に利用される。このようなガスセンサ１４を利用
したガス検出装置２０によりガス漏れを監視する場合、
駆動検出回路２１の定電流電源２２が出力する一定の駆
動電流“Ｉ_S ”によりガスセンサ１４の半導体１７を
“ 300〜450(℃）”に常時加熱しておき、この半導体１
７の両端に発生する検出電圧“Ｖ_S”を駆動検出回路２
１の直流電圧計２３により常時監視する。このような状
態で、もしも雰囲気にガスが混入すると、発熱する酸化
錫からなる半導体１７はガスを良好に吸着して電気抵抗
が変化するので、この抵抗変化を駆動検出回路２１が電
圧変化として検出することにより、ガスの発生が検知さ
れる。

【００２９】本実施例のガスセンサ１４は、上述のよう
にガスを検出するために半導体１７を高温にする必要が
あるが、半導体１７が幅狭の薄膜により形成されている
ので、微小な駆動電流“Ｉ_S”で必要な発熱温度を実現
することができる。しかも、ガスを検出する半導体１７
が直接に発熱して別個のヒータによる加熱などを要しな
いので、熱効率が良好で消費電力が軽減されている。こ
のため、ガス検出装置２０を乾電池により駆動しても、
充分な寿命を実現することができ、実用的なガス検出装
置２０を実現することができる。さらに、本実施例のガ
スセンサ１４は、上述のように半導体１７にヒータを並
設する必要がないので、この部分の占有面積が小さく小
型軽量化が容易である。

【００３０】ここで、ガスセンサ１４の製作方法と共に
各部の材料や寸法を以下に順次説明する。まず、Ｓi(10
0)の基板２を用意する。この基板２は、アンダーカット
エッチングが容易で高温でも変形しない材料であれば良
く、Ａl ，Ｃu ，Ｎi ，Ｃr等が利用できる。

【００３１】つぎに、基板２の表面にＴa Ｏ₂ のスパッ
タリングにより層厚0.5(μm)の絶縁層を形成する。この
絶縁層としても、他の構成材料とエッチング選択性を有
して耐熱性の材料であれば良く、Ｓi Ｏ₂ ，Ａl₂Ｏ₃ ，
Ｓi₃Ｎ₄，Ｍg Ｆ₂、フォトフォーム、フォトセラム（共
にコーニング社製）、エポキシ、アクリル、ポリイミド
等が利用できる。

【００３２】つぎに、絶縁層の表面にＰt のスパッタリ
ングにより層厚0.5(μm)の金属層を形成する。この金属
層としても、導電性が良好な材料であれば良く、Ａu ，
Ｒh，Ｉr ，Ｎi ，Ｃr ，Ｍo ，Ｗ等が利用でき、その
形成方法としても蒸着などが可能である。そして、金属
層の表面にフォトレジストをコーティングし、このフォ
トレジストをフォトリソグラフィーによりパターン露光
する。このパターン露光後に不用部分をエッチングして
フォトレジストパターンを形成し、このフォトレジスト
パターンをマスクとして金属層をエッチングすることに
よりリード電極１８を形成する。

【００３３】つぎに、酸化錫のスパッタリングにより層
厚 0.3(mm)の半導体層を形成する。この半導体層として
も、ガスに反応する各種の金属酸化物であれば良く、亜
鉛、鉄、チタン、インジウム、ニッケル、タングステ
ン、カドミウム、バナジウム等の酸化物が利用できる。
その形成方法としても、蒸着、イオンプレーティング等
の物理的方法の他、ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositio
n）法等の気相化学反応法、Ｓol−Ｇel法等の液相を利
用した薄膜技術、なども利用できる。このように形成し
た半導体層をフォトリソグラフィーによりパターニング
し、横幅10(μm)全長50(μm)の半導体１７を形成する。

【００３４】そして、絶縁層の開口から基板２をアンダ
ーカットエッチングし、絶縁層により支持部１６を横幅
100(μm)の架橋構造に形成する。このエッチングとして
も基板２の材料に対応した方法が選択でき、化学的エッ
チング、イオンビームエッチング、スパッタエッチン
グ、プラズマエッチングなどが利用できる。

【００３５】なお、本実施例のガスセンサ１４は、上述
のように半導体１７を薄膜により幅狭に形成すること
で、半導体１７の発熱温度を実現するが、その寸法は仕
様などにより各種に設定される。

【００３６】上述のようにして製作したガスセンサ１４
を、空気中と濃度 3500(ppm)のi-Ｃ₄ Ｈ₁₀中とに配置し
て駆動電流と検出電圧との関係を調査したところ、図４
に示すように、駆動電流“Ｉ_S”が約 1.3(mA)以上で検
出電圧“Ｖ_S”にガス感度が発現した。さらに、ガスセ
ンサ１４の半導体１７の発熱温度を微小点赤外線放射温
度計により測定したところ、図５に示すように、駆動電
流“Ｉ_S”が 2.0(mA)で発熱温度が450(℃）に到達し
た。

【００３７】つまり、本実施例のガスセンサ１４は、ガ
スを検出するために半導体１７を高温にする必要がある
が、これを別個のヒータによる加熱などではなく自身の
発熱で実現しているので熱効率が良好である。このた
め、消費電力も従来の十分の一と極めて小さく、ガス検
出装置２０を乾電池により駆動しても、充分な寿命を実
現することができる。さらに、本実施例のガスセンサ１
４は、上述のように半導体１７にヒータを並設する必要
がないので、構造が単純で生産性が良好であり、小型軽
量化も容易である。

【００３８】なお、本実施例のガス検出装置２０では、
ガスセンサ１４の半導体１７を発熱駆動する駆動回路と
して駆動検出回路２１に定電流電源２２を設けることを
例示したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、図６に示すように、駆動回路として駆動検出回路
２４にパルス電源２５を設けたガス検出装置２６なども
実現可能である。

【００３９】このガス検出装置２６では、ガスセンサ１
４の半導体１７は自身で発熱するので、熱効率が良好で
小型化されており、温度応答も良好である。このため、
パルス電源２５は、駆動電流“Ｉ_S”を 2.0(mA)として
もパルス幅が50(ms)以下のパルス電流でガスセンサ１４
を駆動することができ、消費電力を低減することができ
る。このため、ガス検出装置２６を乾電池により駆動し
ても、長寿命を実現することができ、実用的なガス検出
装置２６を得ることができる。

【００４０】さらに、本実施例のガスセンサ１４では、
リード電極１８を半導体１７とは相違する金属により形
成し、幅狭で低抵抗にリード電極１８を形成することを
例示したが、本発明は上記実施例に限定されるものでも
ない。例えば、図７に示すように、一つの金属酸化物の
薄膜の一部を幅狭として半導体１７を形成すると共に一
部を幅広としてリード電極２７と接続パッド２８を形成
したガスセンサ２９なども実現可能である。

【００４１】このようなガスセンサ２９では、リード電
極２７は、抵抗を低下させるために幅広とする必要があ
るが、リード電極２７と半導体１７とが一つの金属酸化
物の薄膜で形成されるので、その製造において工程や材
料が削減されて生産性が良好である。なお、リード電極
２７は、例えば、全長が数100(μm)以上の場合、横幅は
20(μm)以上とすることが好ましい。また、このような
リード電極２７に連続する接続パッド２８も、直径25〜
50(μm)のＡｕワイヤを容易にボンディングできるよ
う、例えば、100(μm)角に形成することが好ましい。

【００４２】つぎに、本発明の第二の実施例を図８ない
し図１０に基づいて以下に説明する。なお、本実施例で
示すガスセンサ３０及びガス検出装置３１に関し、第一
の実施例として上述したガスセンサ１４及びガス検出装
置２０と同一の部分は、同一の名称及び符号を利用して
詳細な説明は省略する。

【００４３】まず、本実施例のガスセンサ３０では、支
持部１６の表面の半導体１７の近傍に、数μｍから数十
μｍの間隔を介してバイアス電極３２が形成されてい
る。このバイアス電極３２は、半導体１７と平行に細長
く形成されており、その中央に連続するリード電極３３
の末端には接続パッド３４が形成されている。また、ガ
スセンサ３０に接続された駆動検出回路３５には、バイ
アス電源３６が設けられており、このバイアス電源３６
が直流抵抗３７を介して前記ガスセンサ３０の接続パッ
ド３４に接続されている。なお、前記バイアス電極３２
は、半導体１７のリード電極１８と同一工程において同
時に形成されるので、前記バイアス電極３２の付加によ
りガスセンサ３０の生産性が低下することはない。

【００４４】このような構成において、本実施例のガス
検出装置３１によりガス漏れを監視する場合、駆動検出
回路３５の定電流電源２２が出力する一定の駆動電流
“Ｉ_S”によりガスセンサ３０の半導体１７を“ 300〜4
50(℃）”に常時加熱すると共に、バイアス電源３６が
出力する正のバイアス電圧“Ｖ_B ”をバイアス電極３２
から半導体１７に印加する。すると、図１０に示すよう
に、半導体１７の検出電圧“Ｖ_S”は、バイアス電圧
“Ｖ_B ”の増加により、空気中では増加するが、ガス中
では変化しない。つまり、半導体１７にバイアス電圧
“Ｖ_B ”を印加することにより、ガスセンサ３０のガス
感度が向上する。なお、この場合の駆動電流“Ｉ_S”は
2.0(mA)である。

【００４５】なお、本実施例のガスセンサ３０では、バ
イアス電極３２が半導体１７に可能な限り近接すること
が好ましいが、これらは同一面上に位置しているので、
あまり近接させると短絡が発生する。そこで、このこと
が課題となる場合には、図１１及び図１２に示すよう
に、ガスセンサ３８のバイアス電極３２に絶縁層３９を
介して半導体１７を積層させることが好ましい。

【００４６】この場合、バイアス電極３２と半導体１７
とを極度に近接させることができ、その対向する面積も
拡大することができるので、バイアス電極３２から半導
体１７にバイアス電圧を良好に印加することができ、図
１３に示すように、より良好にガスセンサ３８のガス感
度を向上させることができる。なお、絶縁層３９は、例
えば、層厚0.3(μm)のＴa₂Ｏ₅ からなる。

【００４７】つまり、上述のようなガスセンサ３０，３
８では、半導体１７の検出電圧“Ｖ_S”をバイアス電圧
“Ｖ_B ”により変化させることができるので、例えば、
抵抗値の相違するサンプルにおいてバイアス電圧“Ｖ
_B ”により検出電圧“Ｖ_S”を同等にすることができ
る。

【００４８】なお、上述のようにバイアス電極３２に半
導体１７を積層させたガスセンサ３８は、バイアス電極
３２を半導体１７に同一面上で近接させたガスセンサ３
０よりガス感度が良好であるが、これは積層構造が増加
するために生産性はガスセンサ３０より低下する。つま
り、上述したガスセンサ３０，３８は、ガス感度と生産
性との要望により選択されるものである。

【００４９】なお、上述のようなガスセンサ３０，３８
の半導体１７を発熱駆動する駆動回路としてパルス電源
２５を設けることも可能である。

【００５０】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、基板の表面に空
洞を形成し、この空洞上に薄板状の支持部を位置させ、
支持部の表面に金属酸化物の幅狭の薄膜により半導体を
形成し、この半導体の両端に半導体を発熱駆動する駆動
回路と半導体の抵抗変化を検出する検出回路とが接続さ
れるリード電極を形成したことにより、ガスを検出する
半導体が直接に発熱して別個のヒータによる加熱などを
要しないので、熱効率が良好で消費電力を軽減すること
ができ、ガスセンサを乾電池により駆動しても、長寿命
を実現することができ、さらに、半導体にヒータを並設
する必要がないので、構造が単純で生産性も良好であ
り、小型軽量化も容易である。

【００５１】請求項２記載の発明は、一つの金属酸化物
の薄膜の一部を幅狭として半導体を形成すると共に一部
を幅広としてリード電極を形成したことにより、リード
電極と半導体とが一つの金属酸化物の薄膜で形成される
ので、その製造において工程や材料を削減して生産性を
向上させることができる。

【００５２】請求項３記載の発明は、半導体にバイアス
電圧を印加するためのバイアス電極を形成したことによ
り、バイアス電圧により半導体のガス感度を向上させる
ことができ、ガスセンサの検出電圧の製品格差をバイア
ス電圧により解消することもできる。

【００５３】請求項４記載の発明は、バイアス電極を支
持部の表面の半導体の近傍に形成したことにより、バイ
アス電極を半導体のリード線と同一工程で同時に形成す
ることができるので、バイアス電極の付加によりガスセ
ンサの生産性が低下することを防止できる。

【００５４】請求項５記載の発明は、バイアス電極に絶
縁層を介して半導体を積層させたことにより、バイアス
電極を半導体に短絡させることなく近接配置することが
できるので、バイアス電圧を半導体に良好に印加してガ
ス感度を高効率に向上させることができる。

【００５５】請求項６記載の発明は、請求項１，２，
３，４又は５記載のガスセンサのリード電極にパルス幅
が50(ms)以下のパルス電流を出力する駆動回路を接続し
たことにより、ガスセンサが省電力であるため、パルス
幅を50(ms)以下としてもパルス電流を 2.0(mA)とするこ
とが可能であり、省電力で乾電池駆動でも長寿命のガス
検出装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例のガスセンサを示す平面
図である。

【図２】縦断面図である。

【図３】ガス検出装置を示す回路図である。

【図４】ガスセンサの駆動電流と検出電圧との関係を示
す特性図である。

【図５】ガスセンサの駆動電流と発熱温度との関係を示
す特性図である。

【図６】ガス検出装置の一変形例を示す回路図である。

【図７】ガスセンサの一変形例を示す平面図である。

【図８】本発明の第二の実施例のガスセンサを示す平面
図である。

【図９】ガス検出装置を示す回路図である。

【図１０】ガスセンサの検出電圧とバイアス電圧との関
係を示す特性図である。

【図１１】ガスセンサの一変形例を示す平面図である。

【図１２】縦断面図である。

【図１３】ガスセンサの検出電圧とバイアス電圧との関
係を示す特性図である。

【図１４】ガスセンサの一従来例を示す平面図である。

【図１５】図１４をＡ−Ａ線で切断した状態を示す縦断
面図である。

【図１６】図１４をＢ−Ｂ線で切断した状態を示す縦断
面図である。

【図１７】ガスセンサの駆動電流と発熱温度との関係を
示す特性図である。

【符号の説明】

２基板３空洞１４，２９，３０，３８ガスセンサ１６支持部１７半導体１８，２７リード電極２２，２５駆動回路２３検出回路３２バイアス電極３９絶縁層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に空洞を形成し、この空洞上
に薄板状の支持部を位置させ、この支持部の表面に金属
酸化物の幅狭の薄膜により半導体を形成し、この半導体
の両端に前記半導体を発熱駆動する駆動回路と前記半導
体の抵抗変化を検出する検出回路とが接続されるリード
電極を形成したことを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】一つの金属酸化物の薄膜の一部を幅狭と
して半導体を形成すると共に一部を幅広としてリード電
極を形成したことを特徴とする請求項１記載のガスセン
サ。
【請求項３】半導体にバイアス電圧を印加するための
バイアス電極を形成したことを特徴とする請求項１記載
のガスセンサ。
【請求項４】バイアス電極を支持部の表面の半導体の
近傍に形成したことを特徴とする請求項３記載のガスセ
ンサ。
【請求項５】バイアス電極に絶縁層を介して半導体を
積層させたことを特徴とする請求項３記載のガスセン
サ。
【請求項６】請求項１，２，３，４又は５記載のガス
センサのリード電極にパルス幅が50(ms)以下のパルス電
流を出力する駆動回路を接続したことを特徴とするガス
検出装置。