JPH08248613A - エッチング用ホトマスクと使用方法 - Google Patents
エッチング用ホトマスクと使用方法Info
- Publication number
- JPH08248613A JPH08248613A JP5067295A JP5067295A JPH08248613A JP H08248613 A JPH08248613 A JP H08248613A JP 5067295 A JP5067295 A JP 5067295A JP 5067295 A JP5067295 A JP 5067295A JP H08248613 A JPH08248613 A JP H08248613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mark
- mask
- photoresist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング加工されるシリコンやガラス製部品
のホトマスクの種類を減少させる。 【構成】基板の表裏のパターンが同一の時、浅掘りマス
ク１の合わせマークのＡマーク１ａとＢマーク１ｂを、
基板の表裏を透視した時のパターンの線対称の中心線か
ら線対称の位置に定め、深掘りマスク２の合わせマーク
のＡマーク２ｍとＢマーク２ｎを浅掘りマスク１と逆の
位置に定めて、ホトレジスト付着の基板１３を入れて露
光してから他の装置で変質部を除去してから、エッチン
グする。ホトレジストを再び付着させた基板１３ａに深
掘りマスク２のＡマーク２ｍとＢマーク２ｎを合わせて
同様に処理する。
のホトマスクの種類を減少させる。 【構成】基板の表裏のパターンが同一の時、浅掘りマス
ク１の合わせマークのＡマーク１ａとＢマーク１ｂを、
基板の表裏を透視した時のパターンの線対称の中心線か
ら線対称の位置に定め、深掘りマスク２の合わせマーク
のＡマーク２ｍとＢマーク２ｎを浅掘りマスク１と逆の
位置に定めて、ホトレジスト付着の基板１３を入れて露
光してから他の装置で変質部を除去してから、エッチン
グする。ホトレジストを再び付着させた基板１３ａに深
掘りマスク２のＡマーク２ｍとＢマーク２ｎを合わせて
同様に処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチングによって
シリコンやガラスの表裏に同じパターンを形成する時に
非エッチング部の保護用のホトレジストを形成させるホ
トマスクの改善と使用方法に関する。
シリコンやガラスの表裏に同じパターンを形成する時に
非エッチング部の保護用のホトレジストを形成させるホ
トマスクの改善と使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチングなどによって高い加工精度で
製作している電子部品の半導体チップや機構部品はます
ます重要性が増している。その多くの部品の中から、イ
ンク流路が深浅２種の溝で表裏に同じパターンがエッチ
ングによって形成されるインクジェット記録ヘッドの基
板を例にして説明する。
製作している電子部品の半導体チップや機構部品はます
ます重要性が増している。その多くの部品の中から、イ
ンク流路が深浅２種の溝で表裏に同じパターンがエッチ
ングによって形成されるインクジェット記録ヘッドの基
板を例にして説明する。
【０００３】実際の記録ヘッドの溝の形状は後述するよ
うに複雑なため、ノズルが５つ有る記録ヘッドの図２に
て構成と機能を説明する。(a) は一部が破断面の平面図
で、(b) は中央の流路の断面図である。インク溜め３２
および、複数の絞り３３，加圧室３４，流路３５，ノズ
ル３６が設けられている基板３１は、導電膜３８を介し
て圧電素子３９と接合されている振動板３７と接着され
ている。図示しないインク供給孔からインクをインク溜
め32経由で加圧室34まで気泡が残らないように満たし
て、図示しない手段によって電圧を印加して圧電素子39
を加圧室34内に変形させ、絞り33の流体抵抗を利用して
インクをノズル36からインク点として噴射させて印字・
描画ができるように構成していた。
うに複雑なため、ノズルが５つ有る記録ヘッドの図２に
て構成と機能を説明する。(a) は一部が破断面の平面図
で、(b) は中央の流路の断面図である。インク溜め３２
および、複数の絞り３３，加圧室３４，流路３５，ノズ
ル３６が設けられている基板３１は、導電膜３８を介し
て圧電素子３９と接合されている振動板３７と接着され
ている。図示しないインク供給孔からインクをインク溜
め32経由で加圧室34まで気泡が残らないように満たし
て、図示しない手段によって電圧を印加して圧電素子39
を加圧室34内に変形させ、絞り33の流体抵抗を利用して
インクをノズル36からインク点として噴射させて印字・
描画ができるように構成していた。
【０００４】実際の記録ヘッドは、片面に２４ケのノズ
ルが 256μｍの間隔で配置されており、裏面も同数のノ
ズルが表面のノズル間に位置するように配置されてい
る。幅が50μｍのノズル36と幅が 300μｍの流路35は深
さが40μｍであり、圧力室34の幅は 1.5mmで深さは 100
μｍとし、深さを２段にしている。この基板の材料と工
法は多種が実用化されており、ここでは、シリコンウェ
ハをドライプラズマエッチングによって加工する内容に
関し、このエッチングは特殊ガス中に置かれた電極間に
高周波の電界を印加した時に生ずるプラズマを照射して
ホトレジストが付着してないシリコン面を除去できる加
工である。
ルが 256μｍの間隔で配置されており、裏面も同数のノ
ズルが表面のノズル間に位置するように配置されてい
る。幅が50μｍのノズル36と幅が 300μｍの流路35は深
さが40μｍであり、圧力室34の幅は 1.5mmで深さは 100
μｍとし、深さを２段にしている。この基板の材料と工
法は多種が実用化されており、ここでは、シリコンウェ
ハをドライプラズマエッチングによって加工する内容に
関し、このエッチングは特殊ガス中に置かれた電極間に
高周波の電界を印加した時に生ずるプラズマを照射して
ホトレジストが付着してないシリコン面を除去できる加
工である。
【０００５】図３は基準端１１ａがある直径４インチの
基板１１に細かな凹部を略した部品輪郭１１ｂ（外形寸
法は29×44mm）の４つを形成する図で、同じパターンが
裏面の同一部にも形成されている。表裏は一体で記録ヘ
ッドとなるため、表裏の位置は良く合っている必要があ
り、図示しないホトマスクと加工前の基板11の合わせマ
ーク位置１２を基板11の中心部にしていた。
基板１１に細かな凹部を略した部品輪郭１１ｂ（外形寸
法は29×44mm）の４つを形成する図で、同じパターンが
裏面の同一部にも形成されている。表裏は一体で記録ヘ
ッドとなるため、表裏の位置は良く合っている必要があ
り、図示しないホトマスクと加工前の基板11の合わせマ
ーク位置１２を基板11の中心部にしていた。
【０００６】図４の (a)は表面の合わせマークで、斜線
部は遮光皮膜であり空白部は透明であって、この形状を
以後はＡマークと呼び、(b) は裏面の合わせマークであ
って以後はＢマークと呼ぶ。この２つを重ねてエッジ１
５を利用して、４つの透明部を等しくさせて (c)として
位置を合わせていた。図５の (a)は、両面にホトレジス
トを塗った基板１３の両面の浅溝を形成するための位置
合わせを示す図で、裏面にＡマーク２１ａや図示しない
マスクパターンがある浅掘りマスク２１とＢマーク入り
マスク２２ａがある浅掘りマスク２２の位置を図４によ
って合わせてから基板13を入れて露光させ、変質したホ
トレジストの受光部を除去してマスクを形成し、他の装
置でエッチングしてからマスクのホトレジストを除去す
る。
部は遮光皮膜であり空白部は透明であって、この形状を
以後はＡマークと呼び、(b) は裏面の合わせマークであ
って以後はＢマークと呼ぶ。この２つを重ねてエッジ１
５を利用して、４つの透明部を等しくさせて (c)として
位置を合わせていた。図５の (a)は、両面にホトレジス
トを塗った基板１３の両面の浅溝を形成するための位置
合わせを示す図で、裏面にＡマーク２１ａや図示しない
マスクパターンがある浅掘りマスク２１とＢマーク入り
マスク２２ａがある浅掘りマスク２２の位置を図４によ
って合わせてから基板13を入れて露光させ、変質したホ
トレジストの受光部を除去してマスクを形成し、他の装
置でエッチングしてからマスクのホトレジストを除去す
る。
【０００７】次に、(b) はホトレジストを塗布したＡマ
ーク付きの基板１３ｂに深掘りマスクを形成する露光図
で、裏面にＢマーク２３ａがある深掘りマスク２３を合
わせマークで位置決めし、同様にマスクを形成してエッ
チングしてからホトレジストを除去する。 (c)はホトレ
ジストを塗布したＢマーク付きの基板１３ｃに深掘りマ
スクを形成する露光図で、裏面にＡマーク２４ａがある
深掘りマスク２４を合わせマークで位置決めして同様に
処理する。
ーク付きの基板１３ｂに深掘りマスクを形成する露光図
で、裏面にＢマーク２３ａがある深掘りマスク２３を合
わせマークで位置決めし、同様にマスクを形成してエッ
チングしてからホトレジストを除去する。 (c)はホトレ
ジストを塗布したＢマーク付きの基板１３ｃに深掘りマ
スクを形成する露光図で、裏面にＡマーク２４ａがある
深掘りマスク２４を合わせマークで位置決めして同様に
処理する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べた例
では、表裏が同じで表裏を透視すると線対称のパターン
となり、両面に深浅の二種の溝を設ける部品のエッチン
グ用ホトマスクは４種であった。そのため、ホトマスク
の原版を４種も作成する必要があり、高価なホトマスク
を４種も準備しなければならず、使用時は間違わぬ配慮
が必要であった。この発明の課題は、この種類数を減少
させるホトマスクとこの使用方法を提供することであ
る。
では、表裏が同じで表裏を透視すると線対称のパターン
となり、両面に深浅の二種の溝を設ける部品のエッチン
グ用ホトマスクは４種であった。そのため、ホトマスク
の原版を４種も作成する必要があり、高価なホトマスク
を４種も準備しなければならず、使用時は間違わぬ配慮
が必要であった。この発明の課題は、この種類数を減少
させるホトマスクとこの使用方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、深さが２種
の同じパターンを基板の表裏にエッチングする時、基板
上のホトレジストから非エッチング部となる保護用マス
クを形成させるホトマスクにおいて、深浅用の２枚のホ
トマスクは、基板の表裏のパターンを透視した時の線対
称の中心線から線対称の２ケ所に互いに異なる２種の合
いマークが設けられるものである。
の同じパターンを基板の表裏にエッチングする時、基板
上のホトレジストから非エッチング部となる保護用マス
クを形成させるホトマスクにおいて、深浅用の２枚のホ
トマスクは、基板の表裏のパターンを透視した時の線対
称の中心線から線対称の２ケ所に互いに異なる２種の合
いマークが設けられるものである。
【００１０】また、この発明は、深さが２種の同じパタ
ーンを基板の表裏にエッチングさせるホトレジストを形
成させる２枚のホトマスクに深浅用の２種のマスクパタ
ーンを別々に、かつ、基板の表裏のパターンを透視した
時の線対称の中心線から線対称の２ケ所に互いに異なる
２種の合いマークを形成し、浅掘りエッチング用マスク
の２枚の１枚を裏返して異なる合いマークを合わせ、二
枚のホトマスクの間にホトレジストを付着した基板を定
置させて露光し、露光したホトレジストを除いてからエ
ッチングし、ホトレジスト付着のこの基板と深掘りエッ
チング用マスクの異なる合いマークを合わせて露光し、
露光したホトレジストを除いてからエッチングする使用
方法である。
ーンを基板の表裏にエッチングさせるホトレジストを形
成させる２枚のホトマスクに深浅用の２種のマスクパタ
ーンを別々に、かつ、基板の表裏のパターンを透視した
時の線対称の中心線から線対称の２ケ所に互いに異なる
２種の合いマークを形成し、浅掘りエッチング用マスク
の２枚の１枚を裏返して異なる合いマークを合わせ、二
枚のホトマスクの間にホトレジストを付着した基板を定
置させて露光し、露光したホトレジストを除いてからエ
ッチングし、ホトレジスト付着のこの基板と深掘りエッ
チング用マスクの異なる合いマークを合わせて露光し、
露光したホトレジストを除いてからエッチングする使用
方法である。
【００１１】
【作用】この発明によれば、基板の表裏のパターンを透
視した時の線対称を利用して、ホトマスクの２種の合い
マークを線対称の離れた２ケ所に定めるため、浅掘り用
のホトマスクの位置決めは１枚を裏返してマスクの合い
マークの透明部を合わせて位置決めできるので１種で良
く、深掘り用のホトマスクは同じ箇所に合いマークを逆
に設けて、浅掘り済みのエッチング終了品の合いマーク
をマスクの透明部に位置決めできるため１種で良い。
視した時の線対称を利用して、ホトマスクの２種の合い
マークを線対称の離れた２ケ所に定めるため、浅掘り用
のホトマスクの位置決めは１枚を裏返してマスクの合い
マークの透明部を合わせて位置決めできるので１種で良
く、深掘り用のホトマスクは同じ箇所に合いマークを逆
に設けて、浅掘り済みのエッチング終了品の合いマーク
をマスクの透明部に位置決めできるため１種で良い。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１に示し、(a) は両面
露光の説明図で、基板の表裏を透視した時に線対称であ
り図示しないパターンがある浅掘りマスク１の線対称の
位置にＡマーク１ａとＢマーク１ｂを設ける。同一品を
裏返して対向させると裏面のＡマーク１ｍとＢマーク１
ｎが、下のマスク１のＢマーク１ｂとＡマーク１ａと合
いマークになる。この合った状態でホトレジストつきの
シリコン基板１３を入れて、以降は従来の技術通りに処
理する。(b) は(a) で製してエッチングしたホトレジス
トつきの基板１３ａの表面に深掘りマスク２のマーク合
わせをする図で、基板13ａのマークにＡマーク２ｍとＢ
マーク２ｎを合わせる。(a) で製してエッチングしたホ
トレジストつきの基板13ａの裏面に深掘りマスク２のマ
ーク合わせをする図は、(b) と同一である。
露光の説明図で、基板の表裏を透視した時に線対称であ
り図示しないパターンがある浅掘りマスク１の線対称の
位置にＡマーク１ａとＢマーク１ｂを設ける。同一品を
裏返して対向させると裏面のＡマーク１ｍとＢマーク１
ｎが、下のマスク１のＢマーク１ｂとＡマーク１ａと合
いマークになる。この合った状態でホトレジストつきの
シリコン基板１３を入れて、以降は従来の技術通りに処
理する。(b) は(a) で製してエッチングしたホトレジス
トつきの基板１３ａの表面に深掘りマスク２のマーク合
わせをする図で、基板13ａのマークにＡマーク２ｍとＢ
マーク２ｎを合わせる。(a) で製してエッチングしたホ
トレジストつきの基板13ａの裏面に深掘りマスク２のマ
ーク合わせをする図は、(b) と同一である。
【００１３】ここでは深浅の二種のマスクで説明したが
より多くの種類が必要であれば、最初の合いマークを４
ケ所以上に設けて、３番目以降のホトマスクはその２ケ
所ずつを用いるようにすれば良い。
より多くの種類が必要であれば、最初の合いマークを４
ケ所以上に設けて、３番目以降のホトマスクはその２ケ
所ずつを用いるようにすれば良い。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、ドライプラズマエッ
チングで基板を深浅用の２種に溝加工できるホトマスク
の種類を従来の半分にすることができる。また、深浅の
各エッチングのための露光の時は１種ずつのホトマスク
だけを扱うため作業は容易になり、ホトマスクの取り替
えが無いため作業時間の短縮ができて、かつ、合いマー
クが離れているので位置決めが極めて良くなり、位置精
度が良く安価な製品を提供できる。
チングで基板を深浅用の２種に溝加工できるホトマスク
の種類を従来の半分にすることができる。また、深浅の
各エッチングのための露光の時は１種ずつのホトマスク
だけを扱うため作業は容易になり、ホトマスクの取り替
えが無いため作業時間の短縮ができて、かつ、合いマー
クが離れているので位置決めが極めて良くなり、位置精
度が良く安価な製品を提供できる。
【図１】この発明の実施例の斜視図で、(a) は両面露光
の説明図、(b) は深掘りマスク露光の説明図
の説明図、(b) は深掘りマスク露光の説明図
【図２】この発明に関するインクジェット記録ヘッドの
説明図で、(a) は一部が断面の平面図、(b) は(a) の中
央部の流路の断面図
説明図で、(a) は一部が断面の平面図、(b) は(a) の中
央部の流路の断面図
【図３】この発明に関する加工対象の平面略図
【図４】従来の合わせマークの拡大図で、(a) は浅掘り
マスクのＡマークの平面図、 (b)はＢマークの平面図、
(c) はＡＢマークを合わせた平面図
マスクのＡマークの平面図、 (b)はＢマークの平面図、
(c) はＡＢマークを合わせた平面図
【図５】従来の露光の斜視図で、(a) は両面露光の説明
図、(b) は深掘りマスクのＢマーク面の露光図、(c) は
深掘りマスクのＡマーク面の露光図
図、(b) は深掘りマスクのＢマーク面の露光図、(c) は
深掘りマスクのＡマーク面の露光図
１ 浅掘りマスク １ａ Ａマーク １ｍ Ａマーク（裏面） ２ 深掘りマスク ２ｎ Ｂマーク（裏面） １３ 基板 ２１ 浅掘りマスク ２３ 深掘りマスク ３４ 加圧室 ３６ ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】深さが２種の同じパターンを基板の表裏に
エッチングする時、基板上のホトレジストから非エッチ
ング部となる保護用マスクを形成させるホトマスクにお
いて、 深浅用の２枚のホトマスクは、基板の表裏のパターンを
透視した時の線対称の中心線から線対称の２ケ所に互い
に異なる２種の合いマークが設けられることを特徴とす
るエッチング用ホトマスク。 - 【請求項２】深さが２種の同じパターンを基板の表裏に
エッチングさせるホトレジストを形成させる２枚のホト
マスクに深浅用の２種のマスクパターンを別々に、か
つ、基板の表裏のパターンを透視した時の線対称の中心
線から線対称の２ケ所に互いに異なる２種の合いマーク
を形成し、 浅掘りエッチング用マスクの２枚の１枚を裏返して異な
る合いマークを合わせて、 二枚のホトマスクの間にホトレジスト付着の基板を定置
させて露光し、 露光したホトレジストを除いてからエッチングし、 ホトレジストを付着させたこの基板と深掘りエッチング
用マスクの異なる合いマークを合わせて露光し、 露光したホトレジストを除いてからエッチングすること
を特徴とするエッチング用ホトマスクの使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067295A JPH08248613A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | エッチング用ホトマスクと使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067295A JPH08248613A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | エッチング用ホトマスクと使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248613A true JPH08248613A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12865442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067295A Pending JPH08248613A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | エッチング用ホトマスクと使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102087470A (zh) * | 2011-01-04 | 2011-06-08 | 黑龙江八达通用微电子有限公司 | 一种光刻版及其实现方法 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP5067295A patent/JPH08248613A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102087470A (zh) * | 2011-01-04 | 2011-06-08 | 黑龙江八达通用微电子有限公司 | 一种光刻版及其实现方法 |
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