JPH08249602A - 磁気式記憶再生方法ならびにそれに用いる磁気再生装置、磁気記憶媒体およびその製法 - Google Patents

磁気式記憶再生方法ならびにそれに用いる磁気再生装置、磁気記憶媒体およびその製法

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JPH08249602A
JPH08249602A JP7045523A JP4552395A JPH08249602A JP H08249602 A JPH08249602 A JP H08249602A JP 7045523 A JP7045523 A JP 7045523A JP 4552395 A JP4552395 A JP 4552395A JP H08249602 A JPH08249602 A JP H08249602A
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magnetic
storage medium
pattern
magnetoelectric conversion
conversion element
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Shigehisa Suzuki
栄久 鈴木
Tatsuya Fukami
達也 深見
Yoshio Fujii
善夫 藤井
Yuji Kawano
裕司 川野
Yoshinobu Maeda
善信 前田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気を用いながら光ディスクと同様に簡単
に、しかも大量に複製することができるとともに高密度
の情報を記憶し、かつ、再生することができる磁気式記
憶再生方法を提供する。 【構成】 磁気記憶媒体１に軟磁性体のパターン３を形
成することにより情報信号を記憶し、該記憶媒体の前記
パターン形成面に近接して磁電変換素子７を設けるとと
もに磁界を印加し、該磁電変換素子と前記記憶媒体とを
相対的に移動させながら前記記憶媒体の軟磁性体のパタ
ーンによる磁界の変化を前記磁電変換素子により検出す
ることにより前記記憶媒体に記憶された情報を再生す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁化の方向を記憶とし
て用いないで、軟磁性体を用いた磁気式記憶再生方法に
関する。さらに詳しくは、軟磁性体のパターンにより情
報信号を記憶し、同一情報を簡単に多数複製することが
できる磁気式の記憶再生方法ならびにそれに用いる再生
装置、磁気記憶媒体およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報技術の発展に伴ない、光ディスクや
磁気記憶装置の分野においては、大容量のデータを複製
する技術がきわめて重要になってきている。またデータ
を高密度に記録しようとすると、記録ヘッドを位置決め
するためのトラッキングサーボ技術も不可欠になってき
ている。
【０００３】これらを低コストで達成している例として
は光ディスクがある。光ディスク装置においては、あら
かじめ必要なデータやサーボのための案内溝や案内用ピ
ットと呼ばれる凹凸を有するマスターディスクをマスタ
リング工程において高精度なレーザ直描技術で作製し、
それを射出成形によりプラスチックディスクへ転写する
ことで大量生産を可能にしている。光ディスクが前記の
凹凸を良好に再生できる、あるいは凹凸を利用してサー
ボを良好に行える理由は、回折現象により凹凸から反射
される光の強度が大きく変化するためである。
【０００４】また磁気記憶装置においても、ＶＴＲ、フ
ロッピーディスクなどに見られるように大容量データの
複製が行われている。しかし磁気記録では情報を記録す
るために磁気ヘッドで微小な磁石からなる磁化パターン
を１つ１つ書いていかなければならない。したがって光
ディスクで行われているような大量複製技術を使うこと
は不可能である。したがって磁気記録における複製品は
どうしても高価になる。さらに磁気ヘッドのトラッキン
グサーボにはあらかじめ磁気媒体に磁気ヘッドで高精度
に書かれたパターンを用いるのがふつうであるため、サ
ーボパターンを書く際に振動などによりパターンが適正
な位置からずれるという問題がある。
【０００５】一方、磁気ディスクにおいても凹凸を磁気
ヘッドで再生しようという検討は行われている。たとえ
ば、ダイジェスト オブ インターマグ コンファレン
ス、講演予稿集ＦＤ−１０号、ストックホルム スウェ
ーデン（Digest of the Intermag Conference, Paper #
FD-10, Stockholm Sweden）（１９９３年４月）や日本
学術振興会磁気記録第１４４委員会資料番号１０４（平
成５年１１月２５日）に示されているように、アドレス
マークや位置決め用のピットを光ディスクと同様の方法
で作製し、その凹凸を磁気ヘッドで読むことが行われて
いる（図１６参照）。
【０００６】この方式においては、磁気ヘッド４１で基
板４２上の凹凸表面の磁化からのわずかな磁束変化を読
むためにつぎの２つの工夫が行われている。第１に凹凸
上でも安定に０．１μｍ程度のヘッド浮上量（以下、ス
ペーシングという）がえられるようにヘッド部を搭載す
る図示しないスライダの形状を最適化している。第２に
図１７に示されるように、凹部と凸部の磁化方向が互い
に反平行（磁化の向きが同じ面内で互いに反対方向であ
ることをいう）になるように磁気ヘッドを用いて記録し
ている。たとえば、図１７（ａ）に示されるように、最
初に強い磁界で凹部、凸部の磁化ともにある方向にそろ
える。つぎに、図１７（ｂ）に示されるように、凸部の
み磁化の方向を反転させるように小さな磁界を磁気ヘッ
ドで印加する（凹部と凸部の高さの差と同程度のスペー
シングでヘッドを浮上させることにより、凸部には強い
磁界が印加され、凹部には磁化反転しない程度の磁界し
か印加されないようにすることが可能）。このように凹
部と凸部の磁化方向を互いに反平行にすることにより磁
気ヘッドでも大きな信号振幅がえられる。
【０００７】以上の方法を用いると、サーボパターンを
書く際に振動などにより適正な位置からパターンがずれ
るといった問題はなく、良好なサーボが可能になる。し
かし、この凹凸を用いる方法でも、その表面に硬磁性体
を用い、磁界を印加して磁化パターンを記録しなければ
ならない。
【０００８】また、特開昭４９−７７６１５号公報には
さらに別の装置が示されている。この装置は、図１８に
示されているように、永久磁石４３、ホール素子４４、
高透磁率片４５およびカード上にある高透磁率薄膜４６
よりなっている。この装置は、磁気カードの再生に用い
るもので、情報のパターンが数百μｍ〜１ｍｍ程度の大
きなパターンを再生するものである。そのため、この装
置では、磁気回路に２つのギャップを有しており、ホー
ル素子は永久磁石と高透磁率片とのあいだの第１のギャ
ップに挟まれている。永久磁石と高透磁率片の他端には
高透磁率薄膜を検出する第２のギャップが形成されてお
り、これらのギャップを介して磁気回路が形成されてい
る。この他端側であるカード側の第２のギャップに記録
媒体の高透磁率薄膜が近づくと全体として磁気回路の磁
気抵抗が減少し、ホール素子には多くの磁束が流れる。
一方、高透磁率薄膜が近くに存在しないときには、磁気
回路の磁気抵抗が大きくホール素子に流れる磁束は少な
い。このホール素子を流れる磁束の大小をホール電圧の
大小として電気信号に変換している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気ディスクの
表面に凹凸を設けた装置は、磁気ヘッドが０．１μｍ程
度の浮上量を保つ必要があり、ごみの影響を避けるため
に記憶媒体と磁気ヘッドを密閉型にしなければならず、
記憶媒体を交換することは不可能である。また凹部と凸
部の磁化方向を互いに反平行にするために磁化を書き込
む磁気ヘッドを用いることが必須であり、同じ情報を記
録した複製物を多数複製するばあいに、複製時のコスト
アップは避けられないという問題がある。さらに、記憶
媒体上に書かれた磁化パターンを情報とするため、外部
からの磁界の影響により磁化パターンが誤って消去され
るというトラブルが発生するという問題もある。
【００１０】一方、ホール素子を用いた従来の装置は、
ホール素子の両端にはある程度の厚さを有する絶縁膜を
有し、また引き出し線を設けるために少なくとも１００
μｍ〜数百μｍの第１のギャップが必要となる。したが
って、磁気回路の磁気抵抗が大きくなり、カード側の第
２のギャップが小さいと高透磁率薄膜の有無によるホー
ル電圧の変化は小さく、ＳＮ比がわるい。そのため、カ
ード側のギャップは数百μｍから１ｍｍ程度は必要とな
る。したがってパターンの間隔が数μｍ程度という高密
度の情報を再生することはできないという問題がある。
【００１１】本発明はこのような問題を解決し、磁気を
用いながら光ディスクと同様に簡単に、しかも大量に複
製することができるとともに高密度の情報を記憶し、か
つ、再生することができる磁気式記憶再生方法を提供す
ることにある。
【００１２】本発明の他の目的は前記磁気式記憶再生方
法に用いる高密度の情報を記憶した磁気記憶媒体から確
実に情報を再生することができる磁気再生装置を提供す
ることにある。
【００１３】本発明のさらに他の目的は前記記憶再生方
法に用いるための、大量に複製することができるととも
に高密度の情報を記憶することができる磁気記憶媒体お
よびその製法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の磁気式記
憶再生方法は、磁気記憶媒体に軟磁性体のパターンを形
成することにより情報信号を記憶し、該磁気記憶媒体の
前記パターン形成面に近接して磁電変換素子を設けると
ともに磁界を印加し、該磁電変換素子と前記磁気記憶媒
体とを相対的に移動させながら前記磁気記憶媒体の軟磁
性体のパターンによる磁界の変化を前記磁電変換素子に
より検出することにより前記磁気記憶媒体に記憶された
情報を再生することを特徴とする。
【００１５】請求項２記載の磁気式記憶再生方法は、磁
石および磁気ギャップを有する磁気回路と前記磁気ギャ
ップ部に設けられた磁電変換素子とからなる磁気ヘッド
を、該磁気ヘッドの磁気ギャップ部が前記磁気記憶媒体
に近接するように設け、前記相対的移動による前記軟磁
性体のパターンの前記磁気ギャップ部への接近により変
化する前記磁気ギャップ部における磁束の変化を前記磁
気ヘッドにより検出して情報信号を再生するものであ
る。
【００１６】請求項３記載の磁気式記憶再生方法は、前
記磁界を前記磁気記憶媒体と垂直方向に印加し、前記相
対的移動による前記軟磁性体のパターンの前記磁電変換
素子への接近により変化する該磁電変換素子を横切る磁
界の向きの変化を前記磁電変換素子により検出して記憶
情報を再生するものである。
【００１７】請求項４記載の磁気式記憶再生方法は、前
記磁電変換素子を前記軟磁性体のパターンのトラック方
向と垂直方向に複数個設け、複数のトラックの記憶情報
を同時に再生するものである。
【００１８】請求項５記載の磁気式記憶再生方法は、前
記磁電変換素子を前記軟磁性体のパターンのトラック方
向と垂直方向に複数個設け、該複数個の磁電変換素子の
少なくとも１個はトラッキングサーボ用に用い、記憶情
報の再生と同時にトラッキングサーボを行うものであ
る。
【００１９】請求項６記載の磁気式記憶再生方法は、前
記磁電変換素子を２分割し、それぞれからえられる磁界
の変化の信号を比較することによりトラッキングサーボ
を行いながら前記記憶情報を再生するものである。
【００２０】請求項７記載の磁気再生装置は、情報を記
録した磁気記憶媒体を載置する載置台と、該載置台に載
置される磁気記憶媒体に近接するように設けられた磁電
変換素子と、少なくとも該磁電変換素子部分に磁界を印
加する磁石と、前記載置台および前記磁電変換素子を相
対的に移動させる移動手段とを有するものである。
【００２１】請求項８記載の磁気再生装置は、前記磁界
を印加する磁石と磁電変換素子とが、磁気ギャップおよ
び磁石を含む磁気回路と該磁気ギャップ内に設けられた
磁電変換素子とからなる磁気ヘッドで構成され、該磁気
ヘッドは磁気ギャップ部が前記載置台に載置される磁気
記憶媒体と近接するように設けられている。
【００２２】請求項９記載の磁気再生装置は、前記磁界
を印加する磁石と磁電変換素子とが、前記磁石の一方の
磁極側に前記磁界変換素子が設けられた磁気ヘッドで構
成され、該磁気ヘッドは前記磁電変換素子が前記載置台
に載置される磁気記憶媒体に近接するように設けられて
いる。
【００２３】請求項１０記載の磁気再生装置は、前記磁
界を印加する磁石が前記載置台に載置される磁気記憶媒
体の広い範囲にわたって、かつ、該磁気記憶媒体に垂直
方向に磁界を印加するように設けられ、前記磁電変換素
子が前記磁石による磁界内で、かつ、前記磁気記憶媒体
と近接して設けられている。
【００２４】請求項１１記載の磁気再生装置は、前記磁
電変換素子が複数のトラックの記憶情報または記憶情報
およびトラッキングサーボ信号を同時に再生できるよう
に複数個設けられている。
【００２５】請求項１２記載の磁気再生装置は、前記磁
電変換素子が磁気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子
およびホール素子よりなる群から選ばれた少なくとも１
種からなっている。
【００２６】請求項１３記載の磁気再生装置は、前記磁
電変換素子がトラック幅の記憶情報を２分してそれぞれ
別々に検出できるように２分割して設けられている。
【００２７】請求項１４記載の磁気再生装置は、前記磁
電変換素子が磁気抵抗効果（以下、ＭＲという）膜また
は巨大磁気抵抗効果（以下、ＧＭＲという）膜からな
り、該磁気抵抗効果膜または巨大磁気抵抗効果膜が前記
載置台の面と垂直方向になるように設けられている。
【００２８】請求項１５記載の磁気記憶媒体は、基板表
面に情報信号に対応した軟磁性体によるパターンが形成
されている。
【００２９】請求項１６記載の磁気記憶媒体は、前記情
報信号に対応したパターンのほかにトラッキングサーボ
用の信号に対応した軟磁性体によるパターンがさらに設
けられている。
【００３０】請求項１７記載の磁気記憶媒体は、前記パ
ターンが非磁性体からなる基板上に軟磁性体の有無によ
り形成されている。
【００３１】請求項１８記載の磁気記憶媒体は、前記パ
ターンが基板表面の軟磁性体部に設けられた凹凸により
形成されている。
【００３２】請求項１９記載の磁気記憶媒体は、前記基
板表面の軟磁性体が基板表面に成膜された薄膜、基板表
面に固着された微粒子粉、箔体およびバルク材のうちの
いずれかからなっている。
【００３３】請求項２０記載の磁気記憶媒体は、前記軟
磁性体によるパターンが形成された基板表面に非磁性体
からなる保護膜が設けられて表面が平らにされている。
【００３４】請求項２１記載の磁気記憶媒体の製法は、
非磁性体からなる基板表面に軟磁性体薄膜、微粒子粉お
よび箔体のいずれかからなる軟磁性膜を設け、該軟磁性
膜をエッチングすることにより情報信号に対応した軟磁
性体のパターンを形成することにある。
【００３５】請求項２２記載の磁気記憶媒体の製法は、
表面に情報信号に対応する凹凸を設けたプラスチック基
板を射出成形により形成し、該凹凸が設けられた基板表
面の全面に軟磁性体材料を被膜するものである。
【００３６】請求項２３記載の磁気記憶媒体の製法は、
少なくとも表面が軟磁性体である基板の該表面にスタン
ピングにより情報信号に対応した凹凸を形成することに
ある。
【００３７】
【作用】請求項１記載の磁気式記憶再生方法によれば、
磁気記憶媒体への記憶方法を軟磁性体のパターンにより
形成し、該磁気記憶媒体に近接して磁電変換素子を設け
るとともに磁界を印加し、磁気記憶媒体と磁電変換素子
とを相対移動させている。そのため、相対移動により軟
磁性体のパターンが次々と磁電変換素子（たとえばＭＲ
膜）に近づいたり遠ざかったりする。印加されている磁
界は軟磁性体が近くにあると軟磁性体の方が磁気抵抗が
小さいため、磁束が集中しやすく、磁界が曲げられる。
ＭＲ膜に磁界が印加されるばあい、ＭＲ膜と垂直方向に
磁界が印加されても磁気抵抗はほとんど変化ないが、Ｍ
Ｒ膜と水平方向の成分の磁界が印加されると磁気抵抗が
変化する。そのため、ＭＲ膜両端の電圧または電流を測
定していれば磁界の変化を知ることができる。その結
果、磁気記憶媒体に形成された軟磁性体のパターンの間
隔などの情報を読みとることができ、情報を再生するこ
とができる。さらに記憶は軟磁性体のパターンで形成さ
れているため、外部磁界による影響を全然受けず、信頼
性が高くなる。
【００３８】請求項２記載の方法によれば、磁気回路の
磁気ギャップに設けられた磁電変換素子が磁気記憶媒体
の軟磁性体のパターンと近接して設けられている。その
ため、軟磁性体のパターンが磁気ギャップの近くにない
ときは磁束は磁気ギャップ間の磁電変換素子を完全に横
切るが、相対移動により軟磁性体のパターンが磁気ギャ
ップの下側にくると磁束の多くが磁気抵抗の小さい軟磁
性体を経由して磁電変換素子を横切らない。その結果、
磁電変換素子の抵抗の変化を検知することができ、軟磁
性体パターンの情報を再生することができる。
【００３９】請求項３記載の方法によれば、磁気記憶媒
体に直角方向に印加された磁界が、軟磁性体のパターン
の近くでは軟磁性体のパターン側に磁束が曲げられるた
め、軟磁性体のパターンが磁電変換素子と離れていると
きは磁電変換素子を横切る磁束は磁気記憶媒体に直角方
向に一定であるが、軟磁性体のパターンが近づくと磁束
の一部が軟磁性体のパターン側に曲げられ、磁電変換素
子の抵抗が変化し、軟磁性体のパターンの情報を再生す
ることができる。
【００４０】請求項４記載の方法によれば、磁電変換素
子を複数個設けて複数のトラックの記憶情報を同時に再
生するため、再生スピードを複数倍速くすることができ
る。なお、後行するトラックの再生信号はメモリなどに
記憶しておき、先行のトラックの全ての情報を再生した
のちに出力することにより情報の連続的出力は維持され
る。
【００４１】請求項５記載の方法によれば、記憶情報の
再生を行いながらトラッキングサーボを行うため、軌道
の修正が常に行われ、トラック上を正しく検出すること
ができる。その結果ノイズの少ない正しい情報を再生で
きる。
【００４２】請求項６記載の方法によれば、磁電変換素
子を２分割して情報の検出を行っているため、たとえば
トラックの半分ずつを検出することができ、磁電変換素
子がトラック上に正しく位置しておれば、各々の出力が
等しくなるが、トラックをはずれると２つの検出信号に
差が生じる。そのため、２分した磁電変換素子のそれぞ
れの検出信号を等しくなるように軌道を修正することに
よりトラッキングサーボを行うことができる。さらに両
者の和の信号を用いれば記憶情報を再生することができ
る。
【００４３】請求項７記載の装置によれば磁気記憶媒体
に近接して磁電変換素子を設置し、磁界を印加できると
ともに、磁気記憶媒体と磁電変換素子とを相対移動させ
ることができるため、前述の作用により磁気記憶媒体に
軟磁性体のパターンにより記録された情報を正確に再生
することができる。
【００４４】請求項８記載の装置によれば、磁気ギャッ
プ内に磁電変換素子が設けられた磁気ヘッドが該磁気ギ
ャップ部が磁気記憶媒体と近接するように設けられるた
め、前述の作用により磁気記憶媒体の情報を正確に再生
することができる。
【００４５】請求項９記載の装置によれば、磁気ヘッド
が磁石と該磁石の一方の磁極に設けられた磁電変換素子
とからなっているため、同様に磁気記憶媒体の軟磁性体
のパターンによる磁界の変化を検出し、再生することが
できる。
【００４６】請求項１０記載の装置によれば、磁石を離
して設けることができ、磁気ヘッドとしては磁電変換素
子のみで構成できるが、離れた磁石からの磁界の変化を
検出することができ、同様に磁気記憶媒体の情報を再生
することができる。
【００４７】請求項１１記載の装置によれば、磁電変換
素子が複数個設けられているため、複数のトラックの記
憶情報を同時に再生したり、再生しながらトラッキング
サーボをしたりすることができる。
【００４８】請求項１２記載の装置によれば、磁電変換
素子としてＭＲ素子、ＧＭＲ素子またはホール素子を用
いているため、僅かな磁界の変化でも確実に検出するこ
とができる。
【００４９】請求項１３記載の装置によれば、磁電変換
素子がトラック幅の記録信号を２分してそれぞれ検出で
きるように２分割されているため、両信号を比較するこ
とにより簡単にトラッキングサーボを行うことができ
る。
【００５０】請求項１４記載の装置によれば、ＭＲ膜ま
たはＧＭＲ膜の膜方向と引き出し線の方向を同じに形成
できるため、磁気ヘッドの製造が容易になる。
【００５１】請求項１５記載の磁気記憶媒体によれば、
軟磁性体のパターンにより情報が記憶されているため、
磁電変換素子と磁界の印加により容易に、かつ、確実に
情報を再生することができる。さらに軟磁性体により情
報を記憶しているため、外部磁界による誤った消去や変
動がなく、磁化による書込みでないため、複製が容易で
ある。
【００５２】請求項１６記載の媒体によれば、トラッキ
ングサーボ用のパターンが形成されているため、情報の
再生とは別に再生しながらトラッキングサーボをするこ
とができる。
【００５３】請求項１７記載の媒体によれば、軟磁性体
の有無によりパターンが形成されているため、パターン
による磁界の変化を確実にうることができる。
【００５４】請求項１８記載の媒体によれば、軟磁性体
表面の凹凸によりパターンが形成されているため、凹部
は磁電変換素子から離れて遠くなるため、磁束の影響が
なく、凸部は磁電変換素子に近いため、磁電変換素子を
横切る磁束が曲げられて変化を生じる。また凹凸による
パターンはスタンピング加工やプレス加工などにより大
量に複製することができ、大量生産に適している。
【００５５】請求項１９記載の媒体によれば基板表面に
軟磁性体膜が設けられることによりパターンが形成され
るため、基板として凹凸を設け易いプラスチックスなど
を使うことができる。また軟磁性体のバルク材を用いる
ばあいにはスタンピング加工や金型などで簡単にパター
ンを形成できる。
【００５６】請求項２０記載の媒体によれば、表面に保
護膜が設けられて平らになっているため、軟磁性体のパ
ターンによる凹凸がなくなり、ゴミなどが付着しにく
い。
【００５７】請求項２１記載の磁気記録媒体の製法によ
れば、エッチングにより軟磁性体パターンが形成される
ため、非常に細かいパターンでも正確に形成できる。
【００５８】請求項２２記載の磁気記憶媒体の製法によ
れば、表面に凹凸が設けられたプラスチック基板は射出
成形により簡単に形成され、その表面に軟磁性体材料を
スパッタ法や蒸着などにより設けるだけでよいため、凹
凸のパターンを簡単に形成することができる。
【００５９】請求項２３記載の磁気記憶媒体の製法によ
れば、スタンピングにより凹凸を設けるため、簡単に、
かつ、精度よく形成することができる。
【００６０】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明の磁気式
記憶再生方法、磁気再生装置、磁気記録媒体およびその
製法について説明する。
【００６１】図１は本発明の磁気式記憶再生方法の実施
例１を説明する斜視図、図２はその動作原理を説明する
図、図３は実施例１の磁電変換素子と磁気記憶媒体との
ギャップに対する磁電変換素子の出力の関係を示す図、
図４は本発明の磁気式記憶再生方法の実施例２を説明す
る斜視図、図５はその動作原理を説明する図、図６は本
発明の磁気式記憶再生方法の実施例３を説明する斜視
図、図７はその動作原理を説明する図、図８は磁電変換
素子とトラックとの関係を示す図、図９は磁電変換素子
を２分した磁気再生装置の実施例の斜視図、図１０はト
ラッキングサーボ信号および再生信号の処理回路例の
図、図１１〜１３は磁気記憶媒体の各実施例を示す図、
図１４〜１５は本発明の磁気再生装置のそれぞれ他の実
施例を示す斜視図である。
【００６２】本発明の磁気式記憶再生方法は、磁気記憶
媒体に軟磁性体のパターンを形成することにより情報信
号を記憶し、該記憶媒体の前記パターン形成面に近接し
て磁電変換素子を設けるとともに磁界を印加し、該磁電
変換素子と前記記憶媒体とを相対的に移動させながら前
記記憶媒体の軟磁性体のパターンによる磁界の変化を前
記磁電変換素子により検出することにより前記記憶媒体
に記憶された情報を再生することを特徴としている。
【００６３】また、本発明の磁気再生装置は、情報を記
憶した磁気記憶媒体を載置する載置台と、該載置台に載
置される磁気記憶媒体に近接するように設けられた磁電
変換素子と、少なくとも該磁電変換素子部分に磁界を印
加する磁石と、前記載置台および前記磁電変換素子を相
対的に移動させる移動手段とを有するものである。
【００６４】さらに、本発明の磁気記憶媒体は、基板表
面に情報信号に対応した軟磁性体によるパターンが形成
されているものである。なお、さらにトラッキングサー
ボ用の信号を同時に書き込むこともできる。
【００６５】本発明では、磁電変換素子を磁気記憶媒体
に近接して設け、磁気記憶媒体に形成された軟磁性体の
パターンの移動に伴なう磁電変換素子を通る磁界の変化
を検知して磁気記憶媒体に記録されている情報を磁電変
換素子で変換された電気信号として読みとることに特徴
がある。すなわち、軟磁性体のパターンによる磁界の変
化を直接その近辺に設けた磁電変換素子により検出して
いるため、非常に高感度で細かいパターンでも正確に読
みとることができる。この点において、磁性体のパター
ン部を磁気回路の一部として該磁気回路の他の部分にさ
らに設けられたギャップにホール素子を設けて磁気回路
の磁束の変化を読みとる従来の方法では前述のように、
ホール素子を設ける磁気回路のギャップ以上のギャップ
で磁性体のパターンの有無を変化させなければならず、
少なくとも数百μｍ以上のパターンでなければ検出でき
ないのと大きく異なる。また、本発明では磁電変換素子
が磁気記憶媒体に近接させて設けられているため、磁気
回路を経て離れたところに磁電変換素子を設ける必要が
なく、磁気回路による減衰の影響も生ぜず高感度に検出
することができる。
【００６６】さらに本発明では軟磁性体のパターンを磁
気回路の一部として利用するものではないため、必ずし
も閉じた磁気回路を形成した磁気ヘッドを用いなくて
も、磁界が印加されておれば記憶情報を検知することが
できる。
【００６７】磁界の印加方法としては、図１に示される
ように磁気回路の一部に設けたギャップ部分に磁電変換
素子を設け、磁気記憶媒体と平行方向の磁束を形成し、
ギャップ部での軟磁性体のパターンに基づく磁束の変化
を検出するようにしてもよいし、図４または図６に示さ
れるように、磁気記憶媒体と垂直方向に磁界を印加して
おき、軟磁性体のパターンによりその近辺での磁束の曲
がりに基づく変化を検出するようにしてもよい。
【００６８】磁石としては永久磁石でも電磁石でも使用
することができるが、永久磁石は電力を必要としない点
で優れ、電磁石は磁界強度が調整可能な点で優れてい
る。
【００６９】磁電変換素子としては磁界の変化を電気的
信号に変換するもので、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ホール
素子などを用いることができるが、磁界感度（単位磁界
変化に対する抵抗変化率）の点からはＭＲ素子またはＧ
ＭＲ素子が好ましい。
【００７０】また磁電変換素子と磁気記憶媒体とを相対
的に移動させる手段は、たとえば磁気記憶媒体が円形の
ディスクのばあいは磁気記憶媒体を回転させるモータと
媒体中心をモータの駆動軸に固定する機構などからな
り、磁気記憶媒体が四角形状のカード形式のものであれ
ば、媒体またはヘッドを移動するリニアモータなどから
なる一般的な移動手段が用いられる。
【００７１】磁気記憶媒体１は、たとえば図１や図４に
示されるように、プラスチック、アルミニウム、ガラス
などの非磁性体基板の表面に軟磁性体材料を情報信号に
合わせて部分的にパターン状に設け、軟磁性体のパター
ン３を形成したり、図１１や図１３に示されるように媒
体表面全体が軟磁性体で形成され、その表面に凹凸が設
けられることにより、凸状部の形状を軟磁性体のパター
ンとして使用することもできる。このばあい、凸部と凹
部の段差は１μｍ程度あれば、凹部では磁電変換素子か
ら遠くなり、軟磁性体材料がないのと同様に作用する。
【００７２】また、前述の非磁性体基板の表面に部分的
に軟磁性体を設けるばあい、図１または図４では非磁性
体基板に設けられた凹部内に軟磁性体材料が埋め込まれ
た形状になっているが、基板表面に凸状になるように軟
磁性体を設けてもよい。このばあい図１２に示されるよ
うに、非磁性体基板までエッチングしてパターン部が凸
状になってもよい。これらの凹部は表面に保護膜を設け
て平らにすることができる。
【００７３】情報信号のパターンを形成する軟磁性体材
料とは、一般に比透磁率が大きい材料を意味し、ここで
は比透磁率として５０以上の材料が適当である。このよ
うな軟磁性体としては、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ
−Ｎなどの組成のものを使用することができる。つぎに
具体的な実施例により、さらに詳細に説明する。
【００７４】［実施例１］図１において、１は磁気記憶
媒体である。磁気記憶媒体１はプラスチック基板２、軟
磁性体のパターン３および保護膜４（ただし保護膜はな
くてもよい）より構成されている。５は磁気ヘッドであ
り、ヨーク型の永久磁石６、ＭＲ膜７およびＭＲ膜７の
抵抗変化を検知するための引き出し線８より構成されて
いる。
【００７５】本実施例では、ＭＲ膜７が設けられる部分
に磁気ギャップが形成された磁気回路が形成され、磁界
は磁気ギャップ部で磁気記憶媒体１およびＭＲ膜７と平
行方向に印加され、ＭＲ膜７を貫通して磁束が印加され
る。
【００７６】磁気再生装置としてはこのヨーク型の磁石
と磁電変換素子とからなる磁気ヘッドと、磁電変換素子
が磁気記憶媒体に近接するように設けられた磁気記憶媒
体の載置台（図示せず）と載置台および前記磁電変換素
子を相対的に移動させる移動手段（図示せず）とからな
っている。
【００７７】なおヨーク型永久磁石６の両側面である磁
気ヘッド５の両側面に軟磁性体膜などを設けて磁気シー
ルドとすることにより、隣接する軟磁性体のパターンの
影響を抑制したり、外部磁界の影響を防止することがで
き、磁気ヘッドの分解能を高めたり、外来のノイズを減
少させることができる。
【００７８】つぎに動作について説明する。図１におい
て、図示されていない移動手段により、静止した磁気ヘ
ッド５の下を磁気記憶媒体１は移動する。このばあい、
静止した磁気記憶媒体１の上を磁気ヘッド５が移動する
ばあいも原理的に同様であり、また双方が移動してもよ
く、要は、磁気ヘッド５と磁気記憶媒体１とが相対的に
運動すればよい。このとき、磁気記憶媒体１の表面に設
けられた軟磁性体のパターン３は磁気ヘッド５の下を次
々に通過する。
【００７９】磁気ヘッド５と軟磁性体のパターン３の相
対的位置関係によりＭＲ膜７に印加される永久磁石６か
らの磁束密度の大きさは図２のように変化する。まず、
図２（ａ）のように磁気ヘッド５の真下に軟磁性体のパ
ターン３があるときには、永久磁石６からの磁束のほと
んどは軟磁性体のパターン３を流れる。これは磁気記憶
媒体１の表面の軟磁性体のパターン３が磁束を通しやす
い材料であるためである。一方図２（ｂ）のように磁気
ヘッド５から遠くはなれて軟磁性体のパターン３が存在
するときには、永久磁石６からの磁束の多くはＭＲ膜７
を流れる。以上のように磁気ヘッド５と軟磁性体のパタ
ーン３との相対位置関係が変化するとＭＲ膜７を通過す
る磁束密度、すなわち磁界が大きく変化する。ＭＲ膜７
は磁束密度の大小に応じて抵抗が変化するので、これを
引き出し線８の両端に印加された電圧または電流の変化
により検知することができる。すなわち磁気記憶媒体１
の表面にある軟磁性体のパターン３の有無を電気信号と
して取り出せる。
【００８０】図３に、この装置においてえられる信号振
幅（出力）の相対値と、磁気ヘッド５および軟磁性体の
パターン３間のスペーシングＳの関係を示す。このとき
の軟磁性体のパターン３は、周期が２μｍの完全な周期
パターンとしている。磁気ヘッド５と磁気記憶媒体１と
の相対線速度は１ｍ／秒であり、信号は５００ｋＨｚの
ほぼ正弦波としてえられる。図３からわかるように、ス
ペーシングが軟磁性体のパターン３の有無の周期の半分
程度まで大きな信号振幅がえられ、１μｍ程度の大きな
スペーシングを実現できた。
【００８１】本実施例によれば、高密度に記録された媒
体を大きなスペーシングで良好に再生できるという効果
がある。
【００８２】本実施例１において、磁石として永久磁石
６を用いたが、永久磁石６の代わりに電磁石を用いても
同様の特性がえられる。さらに磁界（磁束密度）の変化
を検知する検知素子としてＭＲ膜７を用いたが、ＭＲ膜
７の代わりにＧＭＲ膜を設けてもよいし、ホール素子な
どを設けても軟磁性体のパターン３による磁界の変化を
検知することができる。
【００８３】磁気記憶媒体１はスタンパーと呼ばれるマ
スターディスクより安価に複製できる。つぎにこのスタ
ンパーの作製方法を簡単に説明する。
【００８４】たとえば高い表面平坦度をもつガラス基板
にスピンコートにより５００ｎｍ程度のフォトレジスト
を塗る。プリベーク後、集光したレーザビームを用いて
これを露光する。レーザビームはサブミクロン程度に集
光でき、またガルバノミラーや精度のよい基板送り機構
を備えているため、極めて微細なパターンも露光可能で
ある。露光後は適切な時間現像することで所望の深さを
もつパターンがガラス基板上にえられる。たとえば現像
中のガラスディスクのある部分に弱いレーザ光を照射し
ておく。現像が進むとパターンが現われるので、それに
伴ないレーザ光の回折光が徐々に強くなる。１次の回折
光の出る方向はパターンのピッチから計算できるのでそ
の方向に光センサをあらかじめ配置しておく。この１次
の回折光の強度とパターンの深さは１対１に対応するの
で、１次の回折光の強度をモニターしておけば任意のパ
ターン深さがえられたところで現像をストップすること
ができる。つぎにこのパターン上に１０ｎｍ程度の厚さ
にＮｉあるいはＣｕなどの導体を蒸着し、その後Ｎｉや
Ｃｕなどの導体を５００μｍ程度電界メッキする。そし
て、メッキした部分とガラス基板を剥がせば、メッキ部
分がスタンパーとなる。メッキ条件を慎重に選ぶこと
で、ガラス基板上に作製した微細なパターンを正確にス
タンパーに転写することができる。必要ならば、スタン
パーの外径加工や内径打抜きなどを施す。
【００８５】このスタンパーを用いて磁気記憶媒体１を
複製するばあい、つぎのいくつかの方法がある。
【００８６】プラスチック基板上にＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏなどの組成の材料からなる軟磁
性箔体を張りつけたものや軟磁性薄膜を蒸着やスパッタ
により被膜したものに直接スタンパーを高圧でスタンピ
ングする。プラスチック基板を用いずに、軟磁性板に直
接スタンピングでピットを作り、凹凸のパターンにより
情報が書き込まれた記憶媒体を用いても良好な特性がえ
られた。
【００８７】また後の実施例で詳述するように、光ディ
スクと同様にスタンパーから、射出成形により凹凸を設
けたプラスチック基板を作製し、その上に軟磁性膜を塗
布、蒸着またはスパッタなどで０．０３〜３．０μｍ程
度の厚さに設けて作製することも可能である。また軟磁
性微粒子粉を付着させる方法も可能である。
【００８８】このような方法で作製することにより、低
コストで大量に媒体を複製できるという利点がある。
【００８９】さらに別の方法としてプラスチックなどの
非磁性体の基板上に設けられた軟磁性箔体や軟磁性薄膜
などをパターニングして軟磁性体の有無のパターンを形
成して磁気記憶媒体を作製することも可能である。
【００９０】［実施例２］本実施例２は、図４に示され
るように、磁気ヘッド１１が、直方体あるいは楕円柱な
どの形状で図４において上下方向に磁化された永久磁石
１２およびその永久磁石１２の一方の磁極側に絶縁膜１
３を介して設けられたＭＲ膜７から構成されていること
に特徴がある。ＭＲ膜７は、永久磁石１２の磁気記憶媒
体１の面側に設けられている。
【００９１】この構成では閉じた磁気回路は形成されて
いないが、永久磁石の一端側から磁気記憶媒体１側に磁
界が印加され、その一端側にＭＲ膜７が設けられ、磁束
がＭＲ膜７を直角方向に貫通している。
【００９２】磁気再生装置としてはこの磁石と該磁石の
一端側に設けられたＭＲ膜７などの磁電変換素子からな
る磁気ヘッドと、磁電変換素子が磁気記憶媒体に近接す
るように設けられた磁気記憶媒体の載置台（図示せず）
と該載置台および前記磁電変換素子を相対的に移動させ
る移動手段（図示せず）とからなっている。
【００９３】つぎに動作について、図５を参照しながら
説明する。本実施例２においても磁気ヘッド１１と軟磁
性体のパターン３の位置関係によりＭＲ膜７の面内方向
に印加される永久磁石１２からの磁束密度が変化する。
図５（ａ）に示されるように、ＭＲ膜７のちょうど真下
に軟磁性体のパターン３があるときには、ＭＲ膜７にお
ける永久磁石１２からの磁束はＭＲ膜７の面に対してほ
ぼ垂直成分のみである。一方、軟磁性体のパターン３の
位置が左右にずれた図５（ｂ）あるいは（ｃ）のばあい
にはＭＲ膜７の面内に左向きあるいは右向きの成分の磁
界が印加される。ＭＲ膜７は膜面に垂直な磁界に対して
はほとんど抵抗変化を生じないが、膜面内の磁界に対し
ては小さな変化でも大きな抵抗変化を示し、このばあい
も軟磁性体のパターン３の有無を判定できる。すなわち
磁気記憶媒体１に軟磁性体のパターン３として記憶され
た情報を良好に再生できる。
【００９４】本実施例によれば、ＭＲ膜に印加される面
内磁界変化を高感度で再生でき、大きなスぺーシングが
実現できるという効果がある。
【００９５】［実施例３］本実施例３は図６に示される
ように、磁気ヘッド１１ａが引き出し線８を有するＭＲ
膜７および基板９のみからなっており、永久磁石（ある
いは電磁石）１２ａは磁気ヘッド１１ａと少し距離（た
とえば数ｍｍから１ｃｍ程度）をおいた磁気ヘッド１１
ａの真上あるいは磁気記憶媒体１を挟んだ位置に設けら
れたものである。このばあいには永久磁石１２ａはかな
り大きな形状になり、永久磁石１２ａから発生する磁界
もかなり広い範囲、たとえば、１ｃｍ程度の範囲に亘っ
て一様に印加される。この磁界の向きは、磁気記憶媒体
１にほぼ垂直方向である。
【００９６】本実施例３は永久磁石１２ａが磁気ヘッド
１１ａとは別に設けられている点で実施例２と異なる
が、閉じた磁気回路が形成されておらず、磁気記憶媒体
１に垂直方向に磁界が印加されている点では実施例２と
同じである。
【００９７】本実施例による磁気再生装置としては、Ｍ
Ｒ膜７などの磁電変換素子からなる磁気ヘッドと、磁気
記憶媒体を載置する載置台（図示せず）と垂直方向に磁
界を印加することができる磁石および実施例１〜２と同
様の載置台および移動手段（ともに図示せず）とからな
っている。
【００９８】つぎに、図７を参照しながら本実施例の動
作について説明する。本実施例の永久磁石１２ａは磁気
ヘッド１１ａに比して大きいため、図７に示されるよう
に、磁気ヘッド１１ａ部分のみならず、その周囲に亘っ
て均一な磁界が磁気記憶媒体１と垂直方向に印加される
（図７の矢印をつけた直線が磁束を表わす）。しかし、
磁気記憶媒体１の軟磁性体のパターン３の近傍ではその
パターン部分に磁束が集中し、図７のＱで示されるよう
に磁束の方向が曲がる。一方、軟磁性体のパターン３が
ない部分では図７のＰで示されるように磁束の変化は生
じない。そのため、磁気記憶媒体１と磁気ヘッド１１ａ
とを相対的に移動すると軟磁性体のパターン３が順次磁
気ヘッド１１ａの下側を通過し、その都度変化する磁界
を検出することができ、磁気記憶媒体１に形成された軟
磁性体のパターン３による情報を再生することができ
る。
【００９９】本実施例によれば、軟磁性のパターン３が
設けられた磁気記憶媒体１に常に一様な磁界が印加され
ているため、軟磁性体の磁化状態が動くときに発生する
ノイズがなく実施例２に比べてさらに良好なＳ／Ｎの再
生が可能という効果がある。
【０１００】［実施例４］つぎにトラッキングサーボを
かけるばあいについて述べる。実施例１〜３に示された
どのタイプの磁気ヘッドにおいてもトラッキングサーボ
特性は同等であるので、ここでは実施例２に示したタイ
プの磁気ヘッドを用いて検討した。
【０１０１】この検討で用いた磁気記憶媒体１上の軟磁
性体のパターン３および磁気ヘッド１４がトラック上に
あるばあいＡとトラック上からはずれているばあいＢの
位置関係を図８に示す。パターン幅（すなわちトラック
幅）Ｗは１０μｍ、パターンは完全な周期パターンでそ
の周期Ｔは２μｍである。図９に示されるように、磁気
ヘッド１４は永久磁石１２、等しく２分割されたＭＲ膜
１５、１６およびＭＲ膜１５、１６から引き出された引
き出し線１７、１８、１９で構成されている。引き出し
線１７と１９には定電流Ｉ0が印加されている。それぞ
れの引き出し線は図１０に示されるように、アンプ２５
ａ〜２５ｅを介して接続されている。ＭＲ膜１５、１６
の抵抗値をそれぞれＲａ、Ｒｂとすると、和出力２１と
して（Ｒａ＋Ｒｂ）Ｉ0が、差出力２２として（Ｒａ−
Ｒｂ）Ｉ0がえられる。和出力２１はデータ用アンプ２
３に、差出力２２はサーボ用アンプ２４につながってい
る。データ用アンプ２３は１ＭＨｚ以上の高周波領域ま
で帯域をもち、軟磁性体のパターン３の周期（２μｍ）
からえられる磁束変化（すなわちデータピット情報）を
充分に検知できる帯域である。これに対してサーボ用ア
ンプ２４は１ｋＨｚ程度の領域までしか帯域がなく、軟
磁性体のパターン３の周期（２μｍ）からえられる磁束
変化はこの帯域よりも充分に高周波であるため時間平均
化される。サーボ用アンプ２４で検知できるのは、磁気
ヘッド１４のＲＯＭピット列の帯上からのずれである。
このずれは周波数としては数十Ｈｚから数百Ｈｚ程度で
あり、サーボ用アンプ２４で充分に検知できる。
【０１０２】つぎにトラッキングサーボ動作について説
明する。正確に磁気ヘッド１４が軟磁性体のパターン３
の列の帯の直上にあるとき（図８のＡ）には、永久磁石
１２から２つのＭＲ膜１５、１６に流れる磁束密度は等
しく、差出力２２は０になる。磁気ヘッド１４が軟磁性
体のパターン３の列の帯の直上からずれる（図８のＢ）
ほど、差出力２２も０からずれる。たとえば左側にずれ
れば差出力２２は正に、右にずれれば負になる。この差
出力２２はサーボ用アンプ２４で観測され、図では省略
されたトラッキングアクチュエーターと協力して、差出
力２２を０にするように、すなわち磁気ヘッド１４が軟
磁性体のパターン３の列の帯の直上になるように位置決
めを行うことができる。
【０１０３】［実施例５］図１１は磁気記憶媒体１の表
面上に設けられる軟磁性体のパターンの一実施例の断面
説明図である。図１１で２６はプラスチック、ガラスな
どの上に光硬化性樹脂でパターンを形成した基板、２７
は軟磁性体、２８はＳｉＯ2、ＳｉＮなどからなる保護
膜である。このばあい、軟磁性体２７は媒体表面全体に
亘って存在するが、基板２６の凹凸により磁気ヘッド
（図示されていないが、保護膜２８の表面に近接して設
けられる）からの距離が異なり、実効的に軟磁性体の有
無のパターンと同様の作用を果す。
【０１０４】保護膜２８は、たとえばＢＰＳＧ（ホウケ
イ酸鉛ガラス）、フォトレジストなどの粘性の低い流動
性材料をコーティングすることにより形成され、保護膜
２８が設けられることにより磁気記憶媒体１の表面は凹
凸のない平坦な形状となる。これにより、磁気ヘッドと
磁気記憶媒体との接触などによる破損や劣化を防ぐこと
が可能であり、より信頼性の高い装置がえられる。この
ように保護膜２８は信頼性の向上に重要な役割を果たす
が、再生特性の点では保護膜２８が無くても本発明の効
果は失われない。
【０１０５】本実施例のような形状のパターンは射出成
形などにより情報信号に対応した凹凸が表面に形成され
た基板２６の表面全面にスパッタ法または蒸着などによ
りＦｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉなどからなる軟磁性体膜を成
膜することにより容易に形成でき、安価に大量複製した
基板に磁性膜を成膜するだけの安価な媒体がえられる。
また保護膜２８により表面を平坦化することで信頼性の
向上、さらに安定なヘッドと媒体間のスペーシングを実
現できる。
【０１０６】［実施例６］図１２は磁気記憶媒体１の表
面上に設けられる軟磁性体のパターンの他の実施例を示
す断面説明図である。図１２で３０はプラスチック、ガ
ラスなどからなる基板、３１は軟磁性体膜で、保護膜を
示していないがあっても無くてもよい。この磁気記憶媒
体１は基板３０の表面に、たとえばＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏなどの組成の材料を蒸着またはスパッタリン
グなどにより軟磁性体膜３１を成膜し、または基板３０
の表面に薄い軟磁性板を貼りつけ、パターニングしてエ
ッチングすることにより、凹部が形成された場所の軟磁
性体膜３１を除去したものである。本実施例では基板３
０までエッチングしているが、軟磁性体膜３１の除去を
確実にするためのもので、必ずしも基板３０までエッチ
ングする必要はない。
【０１０７】本実施例によれば、凹部に軟磁性体がない
ため、より強く凸部に磁束が曲げられ、信号が大きくな
るという利点がある。
【０１０８】［実施例７］図１３は磁気記憶媒体１のさ
らに他の実施例を示す断面説明図である。図１３で磁気
記憶媒体１は全体が軟磁性体で構成されており、表面に
形成された凸部３２により軟磁性体のパターンとなり、
表面の凹凸はプレスやエッチングなどにより形成されて
いる。保護膜は示していないがあっても無くてもよい。
【０１０９】本実施例によれば、スタンピングなどの簡
単な工程のみで磁気記憶媒体を作製でき、媒体コスト低
減の利点がある。
【０１１０】以上で示した本発明における磁気記憶媒体
はディスク、カード、テープなどすべてに使用可能であ
り、媒体表面上には情報を表わす信号のほかにサーボ信
号が書き込まれることもある。
【０１１１】［実施例８］図１４は本発明の磁気再生装
置の磁気ヘッド部の構造を変えた実施例で、本実施例８
では、図１４に示されるように、複数個の磁電変換素子
を有する一体型のマルチ磁気ヘッド３３を用いるもの
で、より高度な機能がえられる。図１４において、３４
は永久磁石、３５ａ、３５ｂ、３５ｃはそれぞれ磁電変
換素子、たとえばＭＲ膜である。３６ａ、３６ｂ、３６
ｃはそれぞれ磁電変換素子３５ａ、３５ｂ、３５ｃの引
き出し線である。１個の永久磁石３４に対して、複数個
の磁電変換素子３５ａ、３５ｂ、３５ｃと引き出し線３
６ａ、３６ｂ、３６ｃの組でマルチ磁気ヘッド３３が構
成されている。このマルチ磁気ヘッド３３により、複数
個のトラックの情報を同時に再生できる。
【０１１２】その結果、単位時間あたりの再生情報が多
くなり、再生時間を短縮することができる。また、１個
の磁電変換素子３５ａをトラッキングサーボ専用とし、
残りの磁電変換素子３５ｂ、３５ｃは情報再生と機能分
担することも可能であり、これにより、さらに安定な再
生動作が可能になる。
【０１１３】［実施例９］図１５は本発明の磁気再生装
置のさらに他の実施例で、実施例１のＭＲ膜７を磁気記
憶媒体１と平行ではなく垂直方向にしたものである。他
の構成、動作は実施例１と同じである。
【０１１４】本実施例の構成によれば、ＭＲ膜７と引き
出し線８とを同一面上に成膜して形成することができる
ため、製造、組立が容易となり、コストダウンを達成で
きる。
【０１１５】
【発明の効果】本発明の磁気式記憶再生方法によれば、
軟磁性体のパターンにより情報を記録することができる
ため、磁気記憶媒体の複製を機械的に大量生産すること
ができ、安価に製造できる。さらに軟磁性体で記憶をし
ているため、外部磁界による誤った消滅などの影響がな
く、信頼性の高い磁気記憶媒体になる。
【０１１６】また、磁気記憶媒体に近接して設けられた
磁電変換素子により軟磁性体のパターンを検出するた
め、サブミクロン単位の細かいパターンでも低い磁界で
正確に読みとることができ、情報の高密度化、ノイズの
少ない正確な再生をすることができる。
【０１１７】その結果、光ディスクや半導体メモリなど
高価で複雑な機械を使用しないで、高密度の情報が記録
されたＲＯＭの磁気装置による記憶再生を実用化するこ
とができる。
【０１１８】本発明の磁気再生装置によれば、磁電変換
素子の両端の信号の変化だけを検出すればよいため、印
加電圧（または電流）は一定のままでよく、簡単な構成
で細かいパターンでも正確に検出できる。
【０１１９】さらに本発明の磁気記憶媒体およびその製
法によれば、軟磁性体のパターニングだけで情報の記憶
をできるため、スタンピング加工やプレス加工などによ
る凹凸や射出成形による凹凸形成後の軟磁性体膜の成
膜、またはエッチングなどにより簡単に軟磁性体のパタ
ーンを形成することができ、安価に大量複製をすること
ができる。また高密度に情報を記憶することができると
ともに記憶された情報が外部磁界により誤って消される
ことがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の磁気式記憶再生方法の実施例１を説
明する斜視図である。
【図２】 図１の動作原理を説明する図である。
【図３】 実施例１の磁電変換素子と磁気記憶媒体との
ギャップに対する磁電変換素子の出力の関係を示す図で
ある。
【図４】 本発明の磁気式記憶再生方法の実施例２を説
明する斜視図である。
【図５】 図４の動作原理を説明する図である。
【図６】 本発明の磁気式記憶再生方法の実施例３を説
明する斜視図である。
【図７】 図６の動作原理を説明する図である。
【図８】 磁電変換素子とトラックとの関係を示す図で
ある。
【図９】 磁電変換素子を２分した実施例の斜視図であ
る。
【図１０】 トラッキングサーボ信号および再生信号の
処理回路例を示す図である。
【図１１】 磁気記憶媒体の実施例を示す図である。
【図１２】 磁気記憶媒体の実施例を示す図である。
【図１３】 磁気記憶媒体の実施例を示す図である。
【図１４】 本発明の再生装置の他の実施例を示す斜視
図である。
【図１５】 本発明の再生装置の他の実施例を示す斜視
図である。
【図１６】 従来の磁気記憶媒体の表面に凹凸を設けた
磁気式記憶再生方法の説明図である。
【図１７】 図１６の書き込み方法を説明する図であ
る。
【図１８】 従来のホール素子を用いた磁気式記憶再生
方法の説明図である。
【符号の説明】
１ 磁気記憶媒体、２ 基板、３ 軟磁性のパターン、
４ 保護膜、５ 磁気ヘッド、６ 永久磁石、７ ＭＲ
膜、８ 引き出し線、１１ 磁気ヘッド、１２ 永久磁
石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 裕司 尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 前田 善信 尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気記憶媒体に軟磁性体のパターンを形
    成することにより情報信号を記憶し、該磁気記憶媒体の
    前記パターン形成面に近接して磁電変換素子を設けると
    ともに磁界を印加し、該磁電変換素子と前記磁気記憶媒
    体とを相対的に移動させながら前記磁気記憶媒体の軟磁
    性体のパターンによる磁界の変化を前記磁電変換素子に
    より検出することにより前記記憶媒体に記憶された情報
    を再生する磁気式記憶再生方法。
  2. 【請求項２】 磁石および磁気ギャップを有する磁気回
    路と前記磁気ギャップ部に設けられた磁電変換素子とか
    らなる磁気ヘッドを、該磁気ヘッドの磁気ギャップ部が
    前記磁気記憶媒体に近接するように設け、前記相対的移
    動による前記軟磁性体のパターンの前記磁気ギャップ部
    への接近により変化する前記磁気ギャップ部における磁
    束の変化を前記磁気ヘッドにより検出して情報信号を再
    生する請求項１記載の磁気式記憶再生方法。
  3. 【請求項３】 前記磁界を前記磁気記憶媒体と垂直方向
    に印加し、前記相対的移動による前記軟磁性体のパター
    ンの前記磁電変換素子への接近により変化する該磁電変
    換素子を横切る磁界の向きの変化を前記磁電変換素子に
    より検出して記憶情報を再生する請求項１記載の磁気式
    記憶再生方法。
  4. 【請求項４】 前記磁電変換素子を前記軟磁性体のパタ
    ーンのトラック方向と垂直方向に複数個設け、複数のト
    ラックの記憶情報を同時に再生する請求項１、２または
    ３記載の磁気式記憶再生方法。
  5. 【請求項５】 前記磁電変換素子を前記軟磁性体のパタ
    ーンのトラック方向と垂直方向に複数個設け、該複数個
    の磁電変換素子の少なくとも１個はトラッキングサーボ
    用に用い、記憶情報の再生と同時にトラッキングサーボ
    を行う請求項１、２または３記載の磁気式記憶再生方
    法。
  6. 【請求項６】 前記磁電変換素子を２分割し、それぞれ
    からえられる磁界の変化の信号を比較することによりト
    ラッキングサーボを行いながら前記記憶情報を再生する
    請求項１、２または３記載の磁気式記憶再生方法。
  7. 【請求項７】 情報を記録した磁気記憶媒体を載置する
    載置台と、該載置台に載置される磁気記憶媒体に近接す
    るように設けられた磁電変換素子と、少なくとも該磁電
    変換素子部分に磁界を印加する磁石と、前記載置台およ
    び前記磁電変換素子を相対的に移動させる移動手段とを
    有する磁気再生装置。
  8. 【請求項８】 前記磁界を印加する磁石と磁電変換素子
    とが、磁気ギャップおよび磁石を含む磁気回路と該磁気
    ギャップ内に設けられた磁電変換素子とからなる磁気ヘ
    ッドで構成され、該磁気ヘッドは磁気ギャップ部が前記
    載置台に載置される磁気記憶媒体と近接するように設け
    られてなる請求項７記載の磁気再生装置。
  9. 【請求項９】 前記磁界を印加する磁石と磁電変換素子
    とが、前記磁石の一方の磁極側に前記磁電変換素子が設
    けられた磁気ヘッドで構成され、該磁気ヘッドは前記磁
    電変換素子が前記載置台に載置される磁気記憶媒体に近
    接するように設けられてなる請求項７記載の磁気再生装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記磁界を印加する磁石が前記載置台
    に載置される磁気記憶媒体の広い範囲にわたって、か
    つ、該磁気記憶媒体に垂直方向に磁界を印加するように
    設けられ、前記磁電変換素子が前記磁石による磁界内
    で、かつ、前記磁気記憶媒体と近接して設けられてなる
    請求項７記載の磁気再生装置。
  11. 【請求項１１】 前記磁電変換素子が複数のトラックの
    記憶情報または記憶情報およびトラッキングサーボ信号
    を同時に再生できるように複数個設けられてなる請求項
    ７、８、９または１０記載の磁気再生装置。
  12. 【請求項１２】 前記磁電変換素子が磁気抵抗効果素
    子、巨大磁気抵抗効果素子およびホール素子よりなる群
    から選ばれた少なくとも１種である請求項７、８、９、
    １０または１１記載の磁気再生装置。
  13. 【請求項１３】 前記磁電変換素子がトラック幅の記憶
    情報を２分してそれぞれ別々に検出できるように２分割
    して設けられてなる請求項７、８、９または１０記載の
    磁気再生装置。
  14. 【請求項１４】 前記磁電変換素子が磁気抵抗効果膜ま
    たは巨大磁気抵抗効果膜からなり、該磁気抵抗効果膜ま
    たは巨大磁気抵抗効果膜が前記載置台の面と垂直方向に
    なるように設けられてなる請求項８記載の磁気再生装
    置。
  15. 【請求項１５】 基板表面に情報信号に対応した軟磁性
    体によるパターンが形成されてなる磁気式再生用の磁気
    記憶媒体。
  16. 【請求項１６】 前記情報信号に対応したパターンのほ
    かにトラッキングサーボ用の信号に対応した軟磁性体に
    よるパターンがさらに設けられてなる請求項１５記載の
    磁気記憶媒体。
  17. 【請求項１７】 前記パターンが非磁性体からなる基板
    上に軟磁性体の有無により形成されてなる請求項１５ま
    たは１６記載の磁気記憶媒体。
  18. 【請求項１８】 前記パターンが基板表面の軟磁性体部
    に設けられた凹凸により形成されてなる請求項１５また
    は１６記載の磁気記憶媒体。
  19. 【請求項１９】 前記基板表面の軟磁性体が基板表面に
    成膜された薄膜、基板表面に固着された微粒子粉、箔体
    およびバルク材のうちのいずれかである請求項１５、１
    ６、１７または１８記載の磁気記憶媒体。
  20. 【請求項２０】 前記軟磁性体によるパターンが形成さ
    れた基板表面に非磁性体からなる保護膜が設けられて表
    面が平らにされてなる請求項１５、１６、１７、１８ま
    たは１９記載の磁気記憶媒体。
  21. 【請求項２１】 非磁性体からなる基板表面に軟磁性体
    薄膜、微粒子粉および箔体のいずれかからなる軟磁性膜
    を設け、該軟磁性膜をエッチングすることにより情報信
    号に対応した軟磁性体のパターンを形成する磁気記憶媒
    体の製法。
  22. 【請求項２２】 表面に情報信号に対応する凹凸を設け
    たプラスチック基板を射出成形により形成し、該凹凸が
    設けられた基板表面の全面に軟磁性体材料を被膜する磁
    気記憶媒体の製法。
  23. 【請求項２３】 少なくとも表面が軟磁性体である基板
    の該表面にスタンピングにより情報信号に対応した凹凸
    を形成する磁気記憶媒体の製法。
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