JPH08250046A

JPH08250046A - 画像形成装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08250046A
Application number: JP4892695A
Authority: JP
Inventors: Osamu Takamatsu; 修高松
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-03-09
Filing date: 1995-03-09
Publication date: 1996-09-27
Anticipated expiration: 2016-02-19
Also published as: JP3135813B2

Abstract

(57)【要約】【目的】画像の輝度が低下せず且つ輝度ムラが少ない
画形成装置を提供する。さらに大画面の画像形成装置を
低コストで提供する。【構成】表面伝導型電子放出素子が配列された電子源
基板を備えた画像形成装置において、絶縁膜が、一対の
素子電極の列方向の両端部を覆うように形成されている
ことを特徴とする画像形成装置及びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は画像形成装置、特に表面
伝導型電子放出素子を用いた画像形成装置及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、平面型画像形成装置としては、単
純マトリックス液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜トランジ
スタ液晶表示装置（ＴＦＴ／ＬＣＤ）、プラズマディス
プレイ（ＰＤＰ）、低速電子線蛍光表示管（ＶＦＤ）等
がある。

【０００３】これらの画像形成装置における発光方法の
一つとして、電子放出素子を用いて蛍光体を発光させる
方法がある。この電子放出素子としては表面伝導型電子
放出素子が一般的に知られている（Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓ
ｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙ
ｓ．，１０，（１９６５））。この電子放出素子は、基
板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に対して平行方
向に電流を流すと電子が放出する現象を利用するもので
ある。

【０００４】表面伝導型電子放出素子の薄膜としては、
ＳｎＯ₂薄膜（Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ
Ｅｎｇ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，（１９
６５））、Ａｕ薄膜（Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ，Ｔｈｉｎ
ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，９，３１７（１９７２）），
Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａｎ
ｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ，ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．
ＥＤＣｏｎｆ．，５１９（１９７５））、カーボン薄
膜（荒木久ほか，真空，２６，１，２２（１９８
３））等が報告されている。

【０００５】表面伝導型電子放出素子の典型的な例を図
５に示す。この電子放出素子の構成は上記のＭ．Ｈａｒ
ｔｗｅｌｌによるもので、１は絶縁性の基板、１２は電
子放出部形成用薄膜、３は電子放出部である。電子放出
部形成用薄膜（１２）の形成は、基板（１）上にＨ型形
状の金属酸化物の薄膜をスパッタで形成することによっ
て行われる。次いで、フォーミングと呼ばれる通電処理
によって電子放出部（３）が形成される。フォーミング
とは、電子放出部形成用薄膜（１２）の両端に電圧を印
加通電し、この電子放出部形成用薄膜（１２）を局所的
に破壊・変形・変質させ、電気的に高抵抗な電子放出部
（３）を形成することである。また電子の放出は、電子
放出部形成用薄膜（１２）の亀裂付近から行われる場合
もある。

【０００６】一方、本出願人は、微粒子が分散配置され
た電子放出材からなる電子放出部形成用薄膜（１２）
を、一対の素子電極間に配置することによって、新規な
表面伝導型電子放出素子を開発し、これを技術開示した
（ＵＳＰ５，０６６，８８３）。この電子放出素子は、
上記従来のものより電子放出位置を精密に制御できるた
め、より高い精度で電子放出素子を配列することができ
る。この電子放出素子の典型的な例を図６に示す。図６
において、１は絶縁性の基板、２は電気的接続のための
素子電極、１２は微粒子が分散配置された電子放出材か
らなる電子放出部形成用薄膜、３は電子放出部である。

【０００７】上記の表面伝導型電子放出素子は、基板上
に多数形成され電子源基板が作製される。この電子源基
板は蛍光体を有するプレートと組み合わされ、次いで真
空外囲器内に設置され画像形成装置を形成する。真空外
囲器内では、電子源基板から電子が放出し、その電子が
プレートの蛍光体へ照射される。

【０００８】本出願人は、上記の表面伝導型電子放出素
子を用いて、電子源基板の作製を検討している。この電
子源基板の１例を図７に示す。この図７は、行列方向に
多数形成された電子放出素子のうち、行方向に２個、列
方向に２個（行列合計３個）の電子放出素子を含む電子
源基板の一部を表わすものである。

【０００９】このような電子源基板の作製方法として
は、フォトリソグラフ法や印刷法等がある。フォトリソ
グラフ法はパターニング精度が良好である。しかし、４
０インチ以上の大面積の画像表示装置を作製する場合
は、大型の成膜装置や露光装置が必要になり、さらに用
いるプロセス材料も大量に必要となりコストが高くな
る。そのため、大面積の画像形成装置を作製する場合
は、印刷法で行うことがコスト的に望ましい。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし印刷法では、電
子放出素子を基板上に形成して電子源基板を作製する
際、パターン寸法精度および位置合わせ精度が低いとい
う問題がある。特に図７および図８において、素子電極
（２）と絶縁膜（６）とのパターン寸法精度および位置
合わせ精度に問題が発生する。すなわち、図８（ａ）に
示すように、２つの絶縁膜（６）は、その中央に素子電
極（２）を位置するように形成されるべきでものである
が（このときＰ₁＝Ｑ）、図８（ｂ）に示すように２つ
の絶縁膜（６）が位置ズレを起こす。その結果、絶縁膜
に覆われていない一対の素子電極の列方向の長さが短く
なり、その素子電極間に形成される電子放出部の列方向
の長さが短くなる（Ｐ₁＞Ｐ₂＝Ｐ₁−Ｒ₁）。これが原因
で輝度が低下したり輝度ムラが発生する。なお図８にお
いて、Ｑは素子電極（２）の列方向の長さ、Ｐ₁及びＰ₂
は絶縁膜に覆われていない素子電極の列方向の長さ、Ｒ
₁は絶縁膜（６）の位置ズレによって覆われた素子電極
の列方向の長さを示す。

【００１１】そこで本発明の目的は、電子源基板の絶縁
膜形成時に位置ズレが生じても一対の素子電極間の電子
放出部の長さが一定になるようにし、画像の輝度が低下
せず且つ輝度ムラが少ない画像形成装置を提供すること
である。さらに印刷法によって電子源基板を作製し、大
画面の画像形成装置を低コストで提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。すなわち本発明は、表面伝導型電子放出素子が
配列された電子源基板を備えた画像形成装置において、
絶縁膜が、一対の素子電極の列方向の両端部を覆うよう
に形成されていることを特徴とする画像形成装置に関す
る。また、電子源基板上の配線および絶縁膜をスクリー
ン印刷法によって形成する上記画像形成装置の製造方法
に関する。

【００１３】以下本発明を詳細に説明する。

【００１４】図１に本発明の電子源基板の平面図を示す
（同図において、Ｘ軸方向を行方向、Ｙ軸方向を列方向
とする）。この図１は、絶縁性の基板（１）上で行列方
向に多数形成された電子放出素子のうち、行方向に２
個、列方向に２個（行列合計３個）の素子電極を含む電
子源基板の一部を表わしたものである。また図２に、図
１のＡ−Ａ線断面図を示す。

【００１５】本発明はこのような電子源基板上におい
て、絶縁膜が、一対の素子電極の列方向の両端部を覆う
ように形成されていることを特徴とする。すなわち図２
（ａ）において、素子電極（２）の長さ（Ｑ）が、絶縁
膜に覆われていない素子電極の列方向の長さ、すなわち
一対の絶縁膜（６）間の距離（Ｐ₁）より長いことが特
徴である。印刷法でのパターンの位置ズレは多くとも±
３０μｍ程度であるので、６０μｍ以上長いことが望ま
しい。素子電極の長さをこのように設定することによっ
て、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜形成時の位置ズレ
（Ｒ₂）が生じても絶縁膜に覆われていない素子電極の
列方向の長さ（Ｐ₂）は一定である（Ｐ₂＝Ｐ₁）。した
がって、絶縁膜に覆われていない一対の素子電極間の全
体に電子放出部形成用薄膜（１２）を形成すると（図１
参照）、この薄膜（１２）に形成される電子放出部
（３）の長さも絶縁膜の位置ズレにかかわらず一定にな
るため、輝度の低下が抑えられ、輝度ムラも減少する。

【００１６】なお、素子電極の上記の長さの上限は、画
素ピッチ（図４参照）の長さ未満であり、実際には、印
刷の分解能によるため画素ピッチより５０μｍ程度短く
なる。

【００１７】図１において、一対の素子電極（２）の電
極間隔は数μｍ〜数百μｍが適当であり、素子電極
（２）の厚さは数百〜数千オングストロームが適当であ
る。素子電極の行方向および列方向の長さは、それぞれ
ともに数百〜１０００μｍが適当である。

【００１８】この一対の素子電極間に形成される電子放
出部形成用薄膜（１２）の厚さは、数十〜数千オングス
トロームが適当である。

【００１９】接続電極（４）および列方向配線（５）は
それぞれ素子電極（２）と接続している。これら接続電
極および列方向配線の厚さは数μｍ〜数十μｍが適当で
ある。接続電極の行方向の長さは数十〜数百μｍが適当
であり、接続電極の列方向の長さは数百μｍが適当であ
る。列方向配線の行方向の長さは１００〜３００μｍが
適当であり、列方向配線の列方向の長さは設計に基ず
き、基板の列方向の長さに従って形成される。

【００２０】絶縁膜（６）は帯状に形成され、列方向配
線（５）と交差するように設置される。この絶縁膜の厚
さは３０〜５０μｍが適当である。絶縁膜の行方向の長
さは設計に基ずき、基板の行方向の長さに従って形成さ
れ、絶縁膜の列方向の長さは２００〜６００μｍが適当
である。

【００２１】この帯状の絶縁膜（６）の上部に重ねて行
方向配線（８）が設けられる。この行方向配線（８）は
コンタクトホール（７）を通じて接続電極（４）と接続
している。行方向配線の厚さは４０〜６０μｍが適当で
ある。行方向配線の行方向の長さは設計に基ずいて基板
の行方向の長さに従って形成され、行方向配線の列方向
の長さは１００〜５００μｍが適当である。

【００２２】基板の材料としては、絶縁性材料が用いら
れ、例えば、石英ガラス、Ｎａ等の不純物の含有量を低
減したガラス、青板ガラス、スパッタ法等によりＳｉＯ
₂を積層した青板ガラス、アルミナ等のセラミック類な
どが挙げられる。

【００２３】絶縁膜の材料としては、一般的なガラスペ
ーストを用いることができる。

【００２４】素子電極、接続電極、行方向配線および列
方向配線の材料は、導電性を有するものであれば制限は
ないが、例えば、Ｎｉ・Ｃｒ・Ａｕ・Ｍｏ・Ｗ・Ｐｔ・
Ｔｉ・Ａｌ・Ｃｕ・Ｐｄ等の金属またはこれらの合金、
Ｐｄ・Ａｇ・Ａｕ・ＲｕＯ₂・Ｐｄ−Ａｇ等の金属や金
属酸化物とガラス類とから構成される印刷導体、ポリシ
リコン等の半導体材料、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透明導
電体などが挙げられる。

【００２５】電子放出部形成用薄膜の材料としては、例
えば、Ｐｔ・Ｒｕ・Ａｇ・Ａｕ・Ｔｉ・Ｉｎ・Ｃｕ・Ｃ
ｒ・Ｆｅ・Ｚｎ・Ｓｎ・Ｔａ・Ｗ・Ｐｂ・Ａｇ−Ｍｇ・
Ｎｉ−Ｃｕ等の金属、ＰｄＯ・ＳｎＯ₂・Ｉｎ₂Ｏ₃・Ｐ
ｂＯ・Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化物、ＨｆＢ₂・ＺｒＢ₂・ＬａＢ
₆・ＣｅＢ₆・ＹＢ₄・ＧｄＢ₄等のホウ化物、ＴｉＣ・Ｚ
ｒＣ・ＨｆＣ・ＴａＣ・ＳｉＣ・ＷＣ等の炭化物、Ｔｉ
Ｎ・ＺｒＮ・ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ・Ｇｅ等の半導
体、カーボンなどが挙げられる。

【００２６】電子放出部形成用薄膜は上記材料の微粒子
膜からなる。微粒子膜とは、複数の微粒子が膜状に集合
したものであり、その微細構造は、微粒子が個々に分散
配置した状態に加えて、微粒子が互いに隣接または重な
りあった状態（島状も含む）の構造を有する。

【００２７】以上の構成が１個の表面伝導型電子放出素
子単位（１個の表面伝導型電子放出素子を含む配線単
位）となり、この単位が基板（１）上に行列状に多数設
けられ、電子源基板が形成される。

【００２８】次に、本発明の電子源基板の製造方法を、
図４の（Ｉ）〜（Ｖ）を参照しながら説明する。この図
４は、３行３列で合計９個の表面伝導型電子放出素子単
位を配置した場合を表わす。

【００２９】工程（Ｉ）：よく洗浄した基板（１）の表
面上に素子電極に使用する前記導電性材料からなる導電
性薄膜を形成する。この基板をフォトリソグラフ法によ
って微細加工し、図４（Ｉ）に示すように素子電極
（２）のパターンを形成する。このとき、絶縁膜（６）
の形成時（工程（ＩＩＩ））の位置ズレを考慮してパタ
ーン寸法を設計する。すなわち、絶縁膜が、一対の素子
電極の列方向の両端部を覆うようにパターン寸法を設計
する。このとき、一対の素子電極の列方向の長さが、絶
縁膜に覆われていない一対の素子電極の列方向の長さよ
り６０μｍ以上長くなるように設計することが望まし
い。

【００３０】工程（ＩＩ）：接続電極および列方向配線
に用いられる前記導電性材料からなる導電性ペースト
を、スクリーン印刷法によって上記工程（Ｉ）の基板上
に塗布し、次いで焼成して図４（ＩＩ）に示すように接
続電極（４）及び列方向配線（５）のパターンを形成す
る。

【００３１】工程（ＩＩＩ）：絶縁性ペースト（例え
ば、ガラスペースト）を工程（Ｉ）で設計したパターン
寸法にしたがってスクリーン印刷法によって塗布し、次
いで焼成を行い、帯状の絶縁膜（６）のパターン（図４
（ＩＩＩ））を形成する。この絶縁膜（６）に、コンタ
クトホール（７）を接続電極（４）上に通じるように開
ける。

【００３２】工程（ＩＶ）：上記の絶縁膜上に、行方向
配線に用いられる前記導電性材料からなる導電性ペース
トを、スクリーン印刷法によって印刷し、次いで焼成を
行い、図４（ＩＶ）に示すように行方向配線（８）を形
成する。この行方向配線（８）はコンタクトホール
（７）を通して接続電極（４）へ通電可能となるように
形成する。

【００３３】工程（Ｖ）：前記材料からなる電子放出部
形成用薄膜を、工程（ＩＶ）で形成された基板の表面上
の全面に形成する。次いで、フォトリソグラフ法によっ
て図４（Ｖ）に示すように電子放出部形成用薄膜のパタ
ーニングを行い、これに電子放出部（３）を形成する。
このとき、電子放出部形成用薄膜は、一対の素子電極間
の全体に形成されることが望ましい。以上のようにして
本発明の電子源基板が作製される。

【００３４】さらに、このようにして作製された電子源
基板は、その上部にフェースプレーとが配置され、真空
外囲器内に設置される。図３に、図１の電子源基板のＢ
−Ｂ線断面図およびこの電子源基板の上部に組み合わさ
れたフェースプレートの断面図を示す。フェースプレー
トは、ガラス基板（９）の表面上に蛍光体層（１０）お
よびメタルバック層（１１）が積層されている。

【００３５】この真空外囲器内において、接続電極に通
電可能な行方向配線（８）、及び列方向配線（５）を通
じて素子電極（２）間に電圧を印加し、上方のメタルバ
ック層（１１）へはこれを正の電位として電圧を加え
る。この操作によって一対の素子電極（２）間の電子放
出部（３）から電子が放出される。放出された電子はメ
タルバック層（１１）を通って蛍光層（１０）に照射さ
れ、蛍光が発生し、画像が形成される。このように本発
明の電子源基板は、画像形成装置において発光素子や平
面型表示装置として適用される。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を図３および図４を参照しなが
ら、実施例によりさらに説明するが、本発明はこれらに
限定するものではない。

【００３７】実施例１工程（Ｉ）：青板ガラスからなる基板（１）を準備し、
よく洗浄した。この基板（１）の表面上にスパッタ蒸着
法によって金属薄膜を形成した。次いで、フォトリソエ
ッチング法によって図４（Ｉ）に示すように素子電極
（２）を形成した。素子電極（２）は、厚さ５０オング
ストロームのＴｉを下引層とし、厚さ１０００オングス
トロームのＮｉ薄膜から成っている。また、一対の素子
電極間の間隔を２μｍ、素子電極の列方向の長さを２６
０μｍ、行方向の長さを３００μｍとした。このときパ
ターン寸法として、完成した電子源基板上で、絶縁膜に
覆われていない一対の素子電極の列方向の長さが２００
μｍとなるように、一対の素子電極（２）の列方向の両
端からそれぞれ３０μｍの領域が絶縁膜（６）と重なる
パターンを設計した。すなわちこのパターンでは、完成
した電子源基板状で、一対の素子電極の列方向の長さ
が、絶縁膜に覆われていない一対の素子電極の列方向の
長さより６０μｍ長い。

【００３８】工程（ＩＩ）：Ａｇペーストインキをスク
リーン印刷法によって上記工程（Ｉ）の基板上に塗布
し、図４（ＩＩ）に示すように接続電極（４）および列
方向配線（５）のパターンを形成した。次いでこれを焼
成した。

【００３９】工程（ＩＩＩ）：ガラスを主成分としたペ
ーストを、工程（Ｉ）で設計したパターン寸法にしたが
ってスクリーン印刷法によって塗布し、次いで焼成を行
い、帯状の絶縁膜（６）のパターン（図４（ＩＩＩ））
を形成した。この絶縁膜（６）に、コンタクトホール
（７）を接続電極（４）へ通じるように開けた。絶縁膜
（６）の厚さは１５μｍ、列方向の長さは４００μｍで
あった。また、設計したパターン寸法に対する絶縁膜
（６）の列方向の位置ズレは２０μｍであった。

【００４０】工程（ＩＶ）：上記絶縁膜（６）の表面上
に、Ａｇペーストをスクリーン印刷法によって印刷し、
次いで焼成を行い、図４（ＩＶ）に示すように行方向配
線（８）を形成した。この行方向配線（８）はコンタク
トホール（７）を通して接続電極（４）へ通電が可能と
なるようにした。行方向配線（８）の厚さは２０μｍ、
列方向の長さは３００μｍであった。

【００４１】工程（Ｖ）：有機金属溶液の塗布・焼成に
よって、厚さ約２００オングストロームのＰｄ微粒子か
らなる電子放出部形成用薄膜を、工程（ＩＶ）で形成し
た基板の表面上の全面に形成した。次いで、フォトリソ
グラフ法によって図４（Ｖ）に示すように上記薄膜のパ
ターニングを行い、これに電子放出部（３）を形成し
た。このとき、電子放出部形成用薄膜は一対の素子電極
間の全体に形成した。

【００４２】以上の工程によって、列方向配線（５）お
よび行方向配線（８）をそれぞれ１０本ずつ形成し、１
００個の表面伝導型電子放出素子単位が行列状に配列し
た本発明の電子源基板を作製した。このとき、素子配列
のピッチを行列ともに６００μｍとなるように作製し
た。この電子源基板は、工程（ＩＩＩ）において絶縁膜
（６）の位置ズレが生じたが、電子放出部（３）の長さ
に変化はなかった（設計通り２００μｍであった。）。

【００４３】次に上記の電子源基板を、図３に示すよう
に５ｍｍの間隔でフェースプレートと対面させて組み合
せ、真空外囲器の中に設置した。フェースプレートのガ
ラス基板（９）は青板ガラスからなるものを用いた。蛍
光体層（１０）形成は、感光性樹脂に蛍光体を混合して
スラリー状とし、これをガラス基板（９）へ塗布、乾燥
した後、フォトリソグラフ法によってパターニング形成
した。メタルバック層（１１）の形成は、蛍光体層（１
０）の表面上にフィルミング処理を行った後、真空蒸着
によって厚さ約３００オングストロームのＡｌ薄膜を成
膜し、次いでこれを焼成することによりフィルム層を焼
失させて形成した。

【００４４】実施例２基板（１）を４０ｃｍ角の大きさ（１辺の長さが４０ｃ
ｍの正方形）とし、表面伝導型電子放出素子単位を行列
方向にそれぞれ３５０個ずつ（行列合計１２２５００
個）配置した以外は、実施例１と同様な電子源基板を作
製した。この電子源基板を実施例１と同様にしてフェー
スプレートと組み合せ、真空外囲器中に設置した。

【００４５】フェースプレートついては、蛍光体（２
２）をＲ、Ｇ、Ｂの各色によって塗り分けした以外は実
施例１と同様なものを使用した。

【００４６】実施例３以下の記載以外は実施例１と同様にして電子源基板を作
製した。素子電極（２）の列方向の長さを５００μｍ、
行方向の長さを２５０μｍとした。このときのパターン
寸法として、完成した電子源基板上で、絶縁膜に覆われ
ていない一対の素子電極の列方向の長さが４４０μｍと
なるように、一対の素子電極（２）の列方向の両端から
それぞれ３０μｍの領域が絶縁膜（６）と重なるパター
ンを設計した。すなわちこのパターンでは、完成した電
子源基板状で、一対の素子電極の列方向の長さが、絶縁
膜に覆われていない一対の素子電極の列方向の長さより
６０μｍ長い。

【００４７】また、基板（１）を４０ｃｍ角の大きさと
し、電子放出素子の素子配列のピッチを８４０μｍに設
定し、表面伝導型電子放出素子単位を行列方向にそれぞ
れ３５０個ずつ（行列合計１２２５００個）配置した。

【００４８】上記の電子源基板を実施例１と同様にして
フェースプレートと組み合せ、真空外囲器中に設置し
た。

【００４９】フェースプレートついては、蛍光体（２
２）をＲ、Ｇ、Ｂの各色によって塗り分けした以外は実
施例１と同様なものを使用した。

【００５０】（評価方法および評価結果）上記各実施例
の電子源基板の列方向配線（５）および行方向配線
（８）に所定の電圧を印加した。その後、フェースプレ
ートのメタルバック層（１１）をアノード電極として、
これに電子の引き出し電圧３ｋＶを印加した。列方向配
線（５）および行方向配線（８）の印加電圧を１４Ｖへ
上げたところ、電子が電子放出部（３）から放出され
た。この放出電子量を印加電圧によって調整して、蛍光
体層（１０）を任意に発光させ画像を形成した。実施例
１〜３のいずれの電子源基板においても画像は均一であ
り、画像の輝度の低下および輝度ムラは生じていなかっ
た。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、電子源基板の絶縁膜形成時において位置ズレが
生じても、絶縁膜に覆われていない一対の素子電極の列
方向の長さが一定であり、この素子電極間に形成される
電子放出部の長さも一定であるため、輝度の低下および
輝度ムラを抑えることができる。さらに、印刷法によっ
て電子源基板を作製するため、大画面の画像形成装置を
低コストで製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子源基板の平面図である。

【図２】図（ａ）は図１におけるＡ−Ａ線断面図であ
り、図（ｂ）は絶縁膜形成時に位置ズレが生じた場合の
図１におけるＡ−Ａ線断面図である。

【図３】図（ａ）は電子源基板の上部に組み合わされた
フェースプレートの断面図であり、図（ｂ）は図１にお
けるＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】本発明の電子源基板の製造工程を示した平面図
である。

【図５】図（ａ）は従来の表面伝導型電子放出素子の平
面図であり、図（ｂ）は図（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面
図である。

【図６】図（ａ）は従来の表面伝導型電子放出素子の平
面図であり、図（ｂ）は図（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面
図である。

【図７】図６の表面伝導型電子放出素子を備えた従来の
電子源基板の平面図である。

【図８】図（ａ）は図７におけるＦ−Ｆ線断面図であ
り、図（ｂ）は絶縁膜形成時に位置ズレが生じた場合の
図７におけるＦ−Ｆ線断面図である。

【符号の説明】

１基板２素子電極３電子放出部４接続電極５列方向配線６絶縁膜７コンタクトホール８行方向配線９ガラス基板１０蛍光体層１１メタルバック層１２電子放出部形成用薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面伝導型電子放出素子が配列された電
子源基板を備えた画像形成装置において、絶縁膜が、一
対の素子電極の列方向の両端部を覆うように形成されて
いることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】一対の素子電極の列方向の長さが、絶縁
膜に覆われていない一対の素子電極の列方向の長さより
６０μｍ以上長い請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】電子源基板上の配線および絶縁膜をスク
リーン印刷法によって形成する請求項１または２記載の
画像形成装置の製造方法。