JPH08250048A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH08250048A JPH08250048A JP7077105A JP7710595A JPH08250048A JP H08250048 A JPH08250048 A JP H08250048A JP 7077105 A JP7077105 A JP 7077105A JP 7710595 A JP7710595 A JP 7710595A JP H08250048 A JPH08250048 A JP H08250048A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/92—Means forming part of the tube for the purpose of providing electrical connection to it
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/86—Vessels
- H01J2329/8625—Spacing members
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表示装置の各電極からの引き出し配線と駆動
回路との接続工程を短縮するとともに、画面サイズに対
し外形寸法の小さな表示装置を提供すること 【構成】 アノード基板とカソード基板との間隔を所定
間隔に保持するために設けられている支柱の内の一部の
支柱を導体支柱とし、該導体支柱をアノード電極とカソ
ード基板上に形成した引き出し配線との間に介在させる
ことにより、カソード基板上にアノード電極に対する引
き出し配線を形成する。このように構成することによ
り、アノード引き出し配線をカソード引き出し配線また
はゲート引き出し配線と同方向に設けることができるた
め、配線の接続工程が２回ですむ。また、アノード基板
の大きさも、アノード引き出し配線のための領域が不要
となるため小さくできる。カラー表示装置においては、
アノード基板上で立体配線をすることが不要となる。
回路との接続工程を短縮するとともに、画面サイズに対
し外形寸法の小さな表示装置を提供すること 【構成】 アノード基板とカソード基板との間隔を所定
間隔に保持するために設けられている支柱の内の一部の
支柱を導体支柱とし、該導体支柱をアノード電極とカソ
ード基板上に形成した引き出し配線との間に介在させる
ことにより、カソード基板上にアノード電極に対する引
き出し配線を形成する。このように構成することによ
り、アノード引き出し配線をカソード引き出し配線また
はゲート引き出し配線と同方向に設けることができるた
め、配線の接続工程が２回ですむ。また、アノード基板
の大きさも、アノード引き出し配線のための領域が不要
となるため小さくできる。カラー表示装置においては、
アノード基板上で立体配線をすることが不要となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対向して配置されるカ
ソード基板とアノード基板とから構成されており、両基
板の間隔が所定間隔に保持されるようその内部に支柱を
備えた表示装置に関するものであり、特に電子源として
微小冷陰極を備える表示装置に適用して好適なものであ
る。
ソード基板とアノード基板とから構成されており、両基
板の間隔が所定間隔に保持されるようその内部に支柱を
備えた表示装置に関するものであり、特に電子源として
微小冷陰極を備える表示装置に適用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体微細加工技術を駆使して半
導体などの基板に冷陰極を内蔵したミクロンサイズの真
空微構造を集積する真空マイクロエレクトロニクスが注
目を集めている。この真空マイクロエレクトロニクスの
応用の一つとして表示装置が考えられており、一つの画
素に複数の微小冷陰極を対応させた、高輝度でちらつき
のない、超薄型フラットパネルディスプレイの研究開発
が行われている。
導体などの基板に冷陰極を内蔵したミクロンサイズの真
空微構造を集積する真空マイクロエレクトロニクスが注
目を集めている。この真空マイクロエレクトロニクスの
応用の一つとして表示装置が考えられており、一つの画
素に複数の微小冷陰極を対応させた、高輝度でちらつき
のない、超薄型フラットパネルディスプレイの研究開発
が行われている。
【０００３】真空マイクロエレクトロニクスにおいて最
も重要な構成要素は電子を真空中に放出する微小冷陰極
であるが、この微小冷陰極として、電界放出素子、ＭＩ
Ｍ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子、ＰＮ接合
型電子放出素子など各種のものが提案されている。金属
または半導体表面の印加電界を１０9 ［V/m ］程度にす
ると、トンネル効果により電子が障壁を通過して常温で
も真空中に電子放出が行われる。この現象は電界放出
（Field Emission ）現象と呼ばれるが、これを利用し
て電子を放出する冷陰極が電界放出素子である。ＭＩＭ
型電子放出素子は、金属層、薄い絶縁層および薄い金属
層を積層した構造を有しており、両金属層間に電圧を印
加することにより、薄い金属層側から電子が放出される
ものである。表面伝導型電子放出素子は、絶縁基板上に
設けられた第１および第２の電極の間の絶縁基板上に高
抵抗薄膜が形成されたものであり、両電極間に電圧を印
加することにより、高抵抗薄膜層から電子が放出される
ものである。ＰＮ接合型電子放出素子としては、ＰＮ接
合のなだれ降伏を利用するもの、あるいは、ＰＮ接合に
順方向電圧を印加することによりＰ層に注入された電子
がＰ層表面から放出されるようにするものがある。
も重要な構成要素は電子を真空中に放出する微小冷陰極
であるが、この微小冷陰極として、電界放出素子、ＭＩ
Ｍ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子、ＰＮ接合
型電子放出素子など各種のものが提案されている。金属
または半導体表面の印加電界を１０9 ［V/m ］程度にす
ると、トンネル効果により電子が障壁を通過して常温で
も真空中に電子放出が行われる。この現象は電界放出
（Field Emission ）現象と呼ばれるが、これを利用し
て電子を放出する冷陰極が電界放出素子である。ＭＩＭ
型電子放出素子は、金属層、薄い絶縁層および薄い金属
層を積層した構造を有しており、両金属層間に電圧を印
加することにより、薄い金属層側から電子が放出される
ものである。表面伝導型電子放出素子は、絶縁基板上に
設けられた第１および第２の電極の間の絶縁基板上に高
抵抗薄膜が形成されたものであり、両電極間に電圧を印
加することにより、高抵抗薄膜層から電子が放出される
ものである。ＰＮ接合型電子放出素子としては、ＰＮ接
合のなだれ降伏を利用するもの、あるいは、ＰＮ接合に
順方向電圧を印加することによりＰ層に注入された電子
がＰ層表面から放出されるようにするものがある。
【０００４】これらのうち、最も代表的なものは電界放
出素子であり、図８にその一例であるスピント（ Spind
t ）型と呼ばれる電界放出素子を示す。この図８におい
て、ガラス等のカソード基板１上にアルミニウム等の金
属で形成されたカソード電極２が設けられており、この
カソード電極２上にモリブデン等の金属からなるコーン
状のエミッタ５が形成されている。カソード電極２上の
エミッタ５が形成されていない部分には二酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）等からなる絶縁層３が形成されており、さ
らにその上にゲート電極４が形成されている。ゲート電
極４および絶縁層３には開口部６が設けられており、そ
の中に上記コーン状のエミッタ５が位置している。すな
わち、このコーン状のエミッタ５の先端部分が開口部６
から臨む構成とされている。
出素子であり、図８にその一例であるスピント（ Spind
t ）型と呼ばれる電界放出素子を示す。この図８におい
て、ガラス等のカソード基板１上にアルミニウム等の金
属で形成されたカソード電極２が設けられており、この
カソード電極２上にモリブデン等の金属からなるコーン
状のエミッタ５が形成されている。カソード電極２上の
エミッタ５が形成されていない部分には二酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）等からなる絶縁層３が形成されており、さ
らにその上にゲート電極４が形成されている。ゲート電
極４および絶縁層３には開口部６が設けられており、そ
の中に上記コーン状のエミッタ５が位置している。すな
わち、このコーン状のエミッタ５の先端部分が開口部６
から臨む構成とされている。
【０００５】このコーン状のエミッタ５間のピッチは１
０ミクロン以下とすることができ、数万から数１０万個
のエミッタ５を１枚の基板上に設けることができる。さ
らに、ゲート電極４とエミッタ５のコーンの先端との距
離をサブミクロンとすることができるため、ゲート電極
４とエミッタ５との間にわずか数１０ボルトのゲート・
エミッタ間電圧ＶGEを印加することにより、電子をエミ
ッタ５から電界放出することができる。ゲート電極４上
に離隔して正の電圧ＶA が印加されたアノード電極７を
対向して設けておくと、エミッタ５から電界放出された
電子をこのアノード電極７により捕集することができ
る。この場合、アノード電極７に蛍光体を設けておくと
エミッタ５から電界放出された電子が捕集されるアノー
ド電極７の蛍光体の部分を発光させることができる。こ
のような原理を利用することにより、電界放出素子を用
いた表示装置とすることができる。この表示装置を電界
放出型表示装置（ Field Emission Display ，ＦＥＤ）
と呼ぶ。
０ミクロン以下とすることができ、数万から数１０万個
のエミッタ５を１枚の基板上に設けることができる。さ
らに、ゲート電極４とエミッタ５のコーンの先端との距
離をサブミクロンとすることができるため、ゲート電極
４とエミッタ５との間にわずか数１０ボルトのゲート・
エミッタ間電圧ＶGEを印加することにより、電子をエミ
ッタ５から電界放出することができる。ゲート電極４上
に離隔して正の電圧ＶA が印加されたアノード電極７を
対向して設けておくと、エミッタ５から電界放出された
電子をこのアノード電極７により捕集することができ
る。この場合、アノード電極７に蛍光体を設けておくと
エミッタ５から電界放出された電子が捕集されるアノー
ド電極７の蛍光体の部分を発光させることができる。こ
のような原理を利用することにより、電界放出素子を用
いた表示装置とすることができる。この表示装置を電界
放出型表示装置（ Field Emission Display ，ＦＥＤ）
と呼ぶ。
【０００６】上記原理を用いた従来のモノクロームＦＥ
Ｄを模式的に記載した斜視図を図９に示す。図９におい
て、１はガラス等からなるカソード基板、２はカソード
基板１上にストライプ状に設けられたカソード電極、３
はカソード基板１およびカソード電極２上に設けられた
二酸化シリコン膜等からなる絶縁層、４は絶縁層３上に
カソード電極２と直交する方向にストライプ状に形成さ
れたゲート電極、６は、カソード電極２の各ストライプ
とゲート電極４の各ストライプとが交差する部分におけ
る絶縁層３およびゲート電極４に設けられた開口部であ
り、その中に前記カソード電極２上に形成されたコーン
状のエミッタが配置されている。７はアノード電極であ
り、該アノード電極には蛍光体層が設けられている。８
はアノード電極７がその上に形成されている透明ガラス
等からなるアノード基板である。また、Ａはアノード電
極７に図示しない駆動回路からアノード電圧ＶA を供給
するために配設されているアノード引き出し配線、Ｃ１
〜Ｃｎはカソード電極２の各ストライプに図示しない駆
動回路から駆動信号を供給するために配設されているカ
ソード引き出し配線、Ｇ１〜Ｇｍはゲート電極４の各ス
トライプに図示しない駆動回路から画像信号を供給する
ために配設されているゲート引き出し配線である。
Ｄを模式的に記載した斜視図を図９に示す。図９におい
て、１はガラス等からなるカソード基板、２はカソード
基板１上にストライプ状に設けられたカソード電極、３
はカソード基板１およびカソード電極２上に設けられた
二酸化シリコン膜等からなる絶縁層、４は絶縁層３上に
カソード電極２と直交する方向にストライプ状に形成さ
れたゲート電極、６は、カソード電極２の各ストライプ
とゲート電極４の各ストライプとが交差する部分におけ
る絶縁層３およびゲート電極４に設けられた開口部であ
り、その中に前記カソード電極２上に形成されたコーン
状のエミッタが配置されている。７はアノード電極であ
り、該アノード電極には蛍光体層が設けられている。８
はアノード電極７がその上に形成されている透明ガラス
等からなるアノード基板である。また、Ａはアノード電
極７に図示しない駆動回路からアノード電圧ＶA を供給
するために配設されているアノード引き出し配線、Ｃ１
〜Ｃｎはカソード電極２の各ストライプに図示しない駆
動回路から駆動信号を供給するために配設されているカ
ソード引き出し配線、Ｇ１〜Ｇｍはゲート電極４の各ス
トライプに図示しない駆動回路から画像信号を供給する
ために配設されているゲート引き出し配線である。
【０００７】このような構成において、アノード電極７
にアノード引き出し配線Ａを介してアノード電圧ＶA を
供給しておき、カソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを介し
てカソード電極２の各ストライプを順次走査しつつ、ゲ
ート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍを介してゲート電極４の各
ストライプにそれぞれ画像信号を供給することにより、
開口部６内に設置されたコーン状のエミッタから電子が
放出され、対向するアノード電極７に設けられた蛍光体
が発光することにより表示動作が行われるものである。
にアノード引き出し配線Ａを介してアノード電圧ＶA を
供給しておき、カソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを介し
てカソード電極２の各ストライプを順次走査しつつ、ゲ
ート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍを介してゲート電極４の各
ストライプにそれぞれ画像信号を供給することにより、
開口部６内に設置されたコーン状のエミッタから電子が
放出され、対向するアノード電極７に設けられた蛍光体
が発光することにより表示動作が行われるものである。
【０００８】図１０はこのようなモノクロームＦＥＤの
上面図である。この図において、１はカソード基板、７
はアノード基板８に形成されているアノード電極、８は
アノード基板、９はカソード基板１とアノード基板８と
のあいだに設けられて両基板間を所定間隔に保持すると
ともに内部を高真空に封止するためのガラス等からなる
封止部材（以下、「シールガラス」という）、１０はカ
ソード基板１とアノード基板８との間隔を大気圧に抗し
て所定の間隔に保持するために両基板間に所定間隔毎に
所定数配設されている絶縁体からなる支柱（以下、「絶
縁支柱」という）である。また、Ａはアノード基板８上
に設けられているアノード引き出し配線、Ｃはカソード
基板１上に設けられているカソード引き出し配線群であ
り、図９におけるカソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを包
括的に示すものである。さらに、Ｇはカソード基板１上
に設けられているゲート引き出し配線群であり、図９に
おけるゲート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍを包括的に示すも
のである。
上面図である。この図において、１はカソード基板、７
はアノード基板８に形成されているアノード電極、８は
アノード基板、９はカソード基板１とアノード基板８と
のあいだに設けられて両基板間を所定間隔に保持すると
ともに内部を高真空に封止するためのガラス等からなる
封止部材（以下、「シールガラス」という）、１０はカ
ソード基板１とアノード基板８との間隔を大気圧に抗し
て所定の間隔に保持するために両基板間に所定間隔毎に
所定数配設されている絶縁体からなる支柱（以下、「絶
縁支柱」という）である。また、Ａはアノード基板８上
に設けられているアノード引き出し配線、Ｃはカソード
基板１上に設けられているカソード引き出し配線群であ
り、図９におけるカソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを包
括的に示すものである。さらに、Ｇはカソード基板１上
に設けられているゲート引き出し配線群であり、図９に
おけるゲート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍを包括的に示すも
のである。
【０００９】このように構成されたモノクロームＦＥＤ
において、シールガラス９の内側にあるアノード電極７
が形成されている領域が実際に画像が表示される領域と
なるが、図から明らかなように、カソード基板１および
アノード基板８は、いずれも、シールガラス９の外側に
もいくらかの領域を有している。すなわち、カソード基
板１はシールガラス９の外側に、図示されていないカソ
ード電極の各ストライプから引き出されたカソード引き
出し配線群Ｃが形成されている領域および図示されてい
ないゲート電極の各ストライプから引き出されたゲート
引き出し配線群Ｇが形成されている領域を有しており、
また、アノード基板８はシールガラス９の外側にアノー
ド電極７から引き出されたアノード引き出し配線Ａが形
成されている領域を有している。そして、これらの引き
出し配線（群）Ａ、ＣおよびＧは、それぞれ異なる方向
に形成されている。
において、シールガラス９の内側にあるアノード電極７
が形成されている領域が実際に画像が表示される領域と
なるが、図から明らかなように、カソード基板１および
アノード基板８は、いずれも、シールガラス９の外側に
もいくらかの領域を有している。すなわち、カソード基
板１はシールガラス９の外側に、図示されていないカソ
ード電極の各ストライプから引き出されたカソード引き
出し配線群Ｃが形成されている領域および図示されてい
ないゲート電極の各ストライプから引き出されたゲート
引き出し配線群Ｇが形成されている領域を有しており、
また、アノード基板８はシールガラス９の外側にアノー
ド電極７から引き出されたアノード引き出し配線Ａが形
成されている領域を有している。そして、これらの引き
出し配線（群）Ａ、ＣおよびＧは、それぞれ異なる方向
に形成されている。
【００１０】このように各引き出し配線（群）が異なる
方向に形成されているのは、この種表示装置においては
カソード基板１とアノード基板８とが約２００ミクロン
程度と非常に狭い間隔をもって対向配置されているの
で、上方のアノード基板８においてなされるアノード引
き出し配線Ａと図示しない駆動回路との接続と、下方の
カソード基板１においてなされるカソード引き出し配線
群Ｃあるいはゲート引き出し配線群Ｇと図示しない駆動
回路との接続とを同一位置において行うことが物理的に
困難なためである。
方向に形成されているのは、この種表示装置においては
カソード基板１とアノード基板８とが約２００ミクロン
程度と非常に狭い間隔をもって対向配置されているの
で、上方のアノード基板８においてなされるアノード引
き出し配線Ａと図示しない駆動回路との接続と、下方の
カソード基板１においてなされるカソード引き出し配線
群Ｃあるいはゲート引き出し配線群Ｇと図示しない駆動
回路との接続とを同一位置において行うことが物理的に
困難なためである。
【００１１】また、このようなモノクロームＦＥＤを拡
張することにより構成された三原色カラーＦＥＤが知ら
れている。図１１に三原色カラーＦＥＤを模式的に記載
した斜視図を示す。図１１において図９と同じ符号は同
じものを表わしているが、アノード基板８に設けられる
アノード電極７は、図９に記載されたモノクロームＦＥ
Ｄの場合とは異なり、ストライプ状に構成されている。
アノード電極７のストライプには、順次、赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する蛍光体が設けられて
おり、設けられている蛍光体の発光色に対応して、異な
るアノード引き出し配線Ａ１〜Ａ３に接続されている。
図１１においては、Ｒを発光する各ストライプはアノー
ド引き出し配線Ａ１に、Ｇを発光する各ストライプはア
ノード引き出し配線Ａ２に、そして、Ｂを発光する各ス
トライプはアノード引き出し配線Ａ３に、それぞれ、接
続されている。そして、このアノード電極７のＲ、Ｇ、
Ｂの３色のストライプが一組として発光されるように、
ゲート電極４の各ストライプは、アノード電極７のＲ、
Ｇ、Ｂに対応する３つのストライプにまたがるように形
成されている。
張することにより構成された三原色カラーＦＥＤが知ら
れている。図１１に三原色カラーＦＥＤを模式的に記載
した斜視図を示す。図１１において図９と同じ符号は同
じものを表わしているが、アノード基板８に設けられる
アノード電極７は、図９に記載されたモノクロームＦＥ
Ｄの場合とは異なり、ストライプ状に構成されている。
アノード電極７のストライプには、順次、赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する蛍光体が設けられて
おり、設けられている蛍光体の発光色に対応して、異な
るアノード引き出し配線Ａ１〜Ａ３に接続されている。
図１１においては、Ｒを発光する各ストライプはアノー
ド引き出し配線Ａ１に、Ｇを発光する各ストライプはア
ノード引き出し配線Ａ２に、そして、Ｂを発光する各ス
トライプはアノード引き出し配線Ａ３に、それぞれ、接
続されている。そして、このアノード電極７のＲ、Ｇ、
Ｂの３色のストライプが一組として発光されるように、
ゲート電極４の各ストライプは、アノード電極７のＲ、
Ｇ、Ｂに対応する３つのストライプにまたがるように形
成されている。
【００１２】このように構成された三原色カラーＦＥＤ
においては以下のように駆動することにより、カラーの
画像が表示される。まず、アノード引き出し配線Ａ１を
介してＲを発光するアノードストライプ群にアノード電
圧を供給する。この状態で、カソード引き出し配線Ｃ１
を選択し、Ｒの色の画像信号をゲート引き出し配線Ｇ１
〜Ｇｍを介してゲート電極４の各ストライプに供給する
ことにより、カソード引き出し配線Ｃ１に対応するカソ
ードストライプの１ラインにＲの色の画像を表示させ
る。続いて、カソード引き出し配線Ｃ２を選択し、同様
にＲの色の画像信号をゲート電極４に供給する。続い
て、同様にＣ３〜Ｃｎまで順次走査していくことによ
り、Ｒの色の画像を表示装置に表示する。次に、アノー
ド引き出し配線Ａ２を介してＧを発光するアノードスト
ライプ群にアノード電圧を供給し、上記したＲの場合と
同様に、カソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを順次選択し
つつ、Ｇの色のデータをゲート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍ
を介してゲート電極４に供給することにより、Ｇの色の
画像を表示させる。続いて、アノード引き出し配線Ａ３
を介してＢを発光するアノードストライプ群にアノード
電圧を供給し、上記と同様にして、カソード引き出し配
線Ｃ１〜Ｃｎを走査しながら、ゲート引き出し配線Ｇ１
〜ＧｍからＢの色のデータを供給することにより、Ｂの
色の画像を表示させる。以下、同様の走査を繰り返すこ
とにより、カラーの画像を表示するものである。
においては以下のように駆動することにより、カラーの
画像が表示される。まず、アノード引き出し配線Ａ１を
介してＲを発光するアノードストライプ群にアノード電
圧を供給する。この状態で、カソード引き出し配線Ｃ１
を選択し、Ｒの色の画像信号をゲート引き出し配線Ｇ１
〜Ｇｍを介してゲート電極４の各ストライプに供給する
ことにより、カソード引き出し配線Ｃ１に対応するカソ
ードストライプの１ラインにＲの色の画像を表示させ
る。続いて、カソード引き出し配線Ｃ２を選択し、同様
にＲの色の画像信号をゲート電極４に供給する。続い
て、同様にＣ３〜Ｃｎまで順次走査していくことによ
り、Ｒの色の画像を表示装置に表示する。次に、アノー
ド引き出し配線Ａ２を介してＧを発光するアノードスト
ライプ群にアノード電圧を供給し、上記したＲの場合と
同様に、カソード引き出し配線Ｃ１〜Ｃｎを順次選択し
つつ、Ｇの色のデータをゲート引き出し配線Ｇ１〜Ｇｍ
を介してゲート電極４に供給することにより、Ｇの色の
画像を表示させる。続いて、アノード引き出し配線Ａ３
を介してＢを発光するアノードストライプ群にアノード
電圧を供給し、上記と同様にして、カソード引き出し配
線Ｃ１〜Ｃｎを走査しながら、ゲート引き出し配線Ｇ１
〜ＧｍからＢの色のデータを供給することにより、Ｂの
色の画像を表示させる。以下、同様の走査を繰り返すこ
とにより、カラーの画像を表示するものである。
【００１３】このようなカラーＦＥＤにおけるアノード
基板８の構成を図１２に示す。この図に示すように、ア
ノード基板８の中央部には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体
が設けられたストライプ状に形成されたアノード電極が
配列されており、Ｒ色のアノードストライプはアノード
引き出し配線Ａ１に接続され、Ｇ色のアノードストライ
プはアノード引き出し配線Ａ２に接続され、Ｂ色のアノ
ードストライプストライプはアノード引き出し配線Ａ３
に接続されている。ここで、アノードストライプがＲ、
Ｇ、Ｂの三種類存在しているので、アノード基板上にお
いてそれぞれの種類のストライプを対応するアノード引
き出し配線Ａ１〜Ａ３と接続するためには、いずれか一
つの種類のアノードストライプをそれに対応するアノー
ド引き出し配線に接続するための導体配線を他の種類の
アノードストライプに対応するアノード引き出し配線と
交差させることが必要となる。この図においては、Ｂの
色のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ３と
を結ぶ導体配線とアノード引き出し配線Ａ２とが交差す
る例が記載されている。そして、このような交差を行う
ために、たとえば、( ａ）アノード引き出し配線Ａ２を
形成した上に絶縁層を形成し、その絶縁層の上にＢの色
のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ３とを
接続するための導体配線を形成する、あるいは、（ｂ）
Ｂの色のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ
３とを導電性フィルムを用いて接続する等の立体配線の
手法が採用されている。
基板８の構成を図１２に示す。この図に示すように、ア
ノード基板８の中央部には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体
が設けられたストライプ状に形成されたアノード電極が
配列されており、Ｒ色のアノードストライプはアノード
引き出し配線Ａ１に接続され、Ｇ色のアノードストライ
プはアノード引き出し配線Ａ２に接続され、Ｂ色のアノ
ードストライプストライプはアノード引き出し配線Ａ３
に接続されている。ここで、アノードストライプがＲ、
Ｇ、Ｂの三種類存在しているので、アノード基板上にお
いてそれぞれの種類のストライプを対応するアノード引
き出し配線Ａ１〜Ａ３と接続するためには、いずれか一
つの種類のアノードストライプをそれに対応するアノー
ド引き出し配線に接続するための導体配線を他の種類の
アノードストライプに対応するアノード引き出し配線と
交差させることが必要となる。この図においては、Ｂの
色のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ３と
を結ぶ導体配線とアノード引き出し配線Ａ２とが交差す
る例が記載されている。そして、このような交差を行う
ために、たとえば、( ａ）アノード引き出し配線Ａ２を
形成した上に絶縁層を形成し、その絶縁層の上にＢの色
のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ３とを
接続するための導体配線を形成する、あるいは、（ｂ）
Ｂの色のアノードストライプとアノード引き出し配線Ａ
３とを導電性フィルムを用いて接続する等の立体配線の
手法が採用されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】モノクローム、カラー
を問わず、上記したような従来の表示装置においては、
図１０に示すように、カソード引き出し配線群Ｃが形成
される領域、アノード引き出し配線Ａが形成される領域
およびゲート引き出し配線群Ｇが形成される領域が表示
装置のそれぞれ異なる辺に設けられていた。したがっ
て、駆動回路と表示装置における各引き出し配線との接
続を表示装置の３辺において行わなければならず、製造
工程において配線の接続作業を３回行うことが必要であ
った。また、アノード基板８が、アノード引き出し配線
Ａを形成するための領域を得るために、シールガラス９
よりも右方に拡張された大きさのものとなっていた。こ
の拡張された部分は実際に画像が表示される領域ではな
く、表示画面の面積に比べ表示装置全体の外形寸法が大
きなものとなるという問題点があった。
を問わず、上記したような従来の表示装置においては、
図１０に示すように、カソード引き出し配線群Ｃが形成
される領域、アノード引き出し配線Ａが形成される領域
およびゲート引き出し配線群Ｇが形成される領域が表示
装置のそれぞれ異なる辺に設けられていた。したがっ
て、駆動回路と表示装置における各引き出し配線との接
続を表示装置の３辺において行わなければならず、製造
工程において配線の接続作業を３回行うことが必要であ
った。また、アノード基板８が、アノード引き出し配線
Ａを形成するための領域を得るために、シールガラス９
よりも右方に拡張された大きさのものとなっていた。こ
の拡張された部分は実際に画像が表示される領域ではな
く、表示画面の面積に比べ表示装置全体の外形寸法が大
きなものとなるという問題点があった。
【００１５】さらにまた、上記したような従来のカラー
表示装置においては、図１２に関して説明したように、
アノード電極のストライプとアノード引き出し配線とを
接続するための導体配線を立体配線により行うことが必
要であった。このような立体配線は、アノード基板上に
形成された一方の配線の上に絶縁層を設け、その絶縁層
の上に他方の配線を形成する方法、あるいは、一方の導
体配線は基板上に形成し、他方の導体配線は導電性フィ
ルムを用いて行う方法などにより行われているが、いず
れの方法を採用した場合においても、製造工程が複雑に
なるという問題点、および、比較的高いアノード電圧を
用いているために配線の交差部に電界集中が生じ絶縁破
壊が発生し易いという問題点があった。
表示装置においては、図１２に関して説明したように、
アノード電極のストライプとアノード引き出し配線とを
接続するための導体配線を立体配線により行うことが必
要であった。このような立体配線は、アノード基板上に
形成された一方の配線の上に絶縁層を設け、その絶縁層
の上に他方の配線を形成する方法、あるいは、一方の導
体配線は基板上に形成し、他方の導体配線は導電性フィ
ルムを用いて行う方法などにより行われているが、いず
れの方法を採用した場合においても、製造工程が複雑に
なるという問題点、および、比較的高いアノード電圧を
用いているために配線の交差部に電界集中が生じ絶縁破
壊が発生し易いという問題点があった。
【００１６】そこで本発明は、駆動回路と表示装置との
接続を容易に行うことができるようにすることを目的と
している。また、表示画面の面積に対し外形寸法の小さ
な表示装置を提供することを目的としている。さらに、
アノード基板上において立体配線を行わないカラー表示
装置を提供することを目的としている。
接続を容易に行うことができるようにすることを目的と
している。また、表示画面の面積に対し外形寸法の小さ
な表示装置を提供することを目的としている。さらに、
アノード基板上において立体配線を行わないカラー表示
装置を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、蛍光体を備えるアノード電極
が設けられているアノード基板と、少なくともゲート電
極とカソード電極が設けられているカソード基板と、前
記アノード基板と前記カソード基板とを所定間隔をもっ
て対向配置するとともに内部を高真空に封止するための
封止部材と、前記アノード基板と前記カソード基板とが
所定間隔を保持するよう、前記アノード基板と前記カソ
ード基板との間に配設される複数本の支柱とを備え、前
記複数本の支柱の内の一部の支柱は導電性を有する支柱
としたものである。また、前記カソード基板にはさらに
少なくとも一つの導体配線が形成されており、前記導電
性を有する支柱は前記導体配線と前記アノード電極とに
当接するように配設されているようにしたものである。
さらに、前記導体配線は前記封止部材の外部に引き出さ
れており、該導体配線を介して前記アノード電極に駆動
電圧を供給することができるようにされているものであ
る。さらにまた、前記導体配線は、前記カソード電極か
ら引き出された導体配線または前記ゲート電極から引き
出された導体配線と同一の方向に引き出されているよう
にしたものである。
に、本発明の表示装置は、蛍光体を備えるアノード電極
が設けられているアノード基板と、少なくともゲート電
極とカソード電極が設けられているカソード基板と、前
記アノード基板と前記カソード基板とを所定間隔をもっ
て対向配置するとともに内部を高真空に封止するための
封止部材と、前記アノード基板と前記カソード基板とが
所定間隔を保持するよう、前記アノード基板と前記カソ
ード基板との間に配設される複数本の支柱とを備え、前
記複数本の支柱の内の一部の支柱は導電性を有する支柱
としたものである。また、前記カソード基板にはさらに
少なくとも一つの導体配線が形成されており、前記導電
性を有する支柱は前記導体配線と前記アノード電極とに
当接するように配設されているようにしたものである。
さらに、前記導体配線は前記封止部材の外部に引き出さ
れており、該導体配線を介して前記アノード電極に駆動
電圧を供給することができるようにされているものであ
る。さらにまた、前記導体配線は、前記カソード電極か
ら引き出された導体配線または前記ゲート電極から引き
出された導体配線と同一の方向に引き出されているよう
にしたものである。
【００１８】さらにまた本発明のカラー表示装置は、前
記アノード電極が、各ストライプ毎に、赤、青、緑の発
光色が得られるように蛍光体が設けられたストライプ状
に構成されており、前記各ストライプは発光色に応じて
対応する引き出し配線に接続されるものであり、前記各
発光色に対応する引き出し配線は、アノード基板上にお
いて交差することなく、前記導電性を有する支柱を介し
て、それぞれ、前記カソード基板に形成された前記導体
配線に接続されているようにしたものである。
記アノード電極が、各ストライプ毎に、赤、青、緑の発
光色が得られるように蛍光体が設けられたストライプ状
に構成されており、前記各ストライプは発光色に応じて
対応する引き出し配線に接続されるものであり、前記各
発光色に対応する引き出し配線は、アノード基板上にお
いて交差することなく、前記導電性を有する支柱を介し
て、それぞれ、前記カソード基板に形成された前記導体
配線に接続されているようにしたものである。
【００１９】
【作用】本発明によれば、大気圧に抗してアノード基板
とカソード基板との間隔を所定間隔に保持するために設
けられる支柱の一部を導体支柱とすることにより、アノ
ード電極をカソード基板上に設けられた導体配線と電気
的に接続することができるため、アノード引き出し配線
をカソード基板上に形成することができるようになる。
したがって、アノード引き出し配線を、カソード基板上
に設けられたカソード引き出し配線もしくはゲート引き
出し配線と同じ辺に設けることができるようになる。ま
た、三原色カラー表示装置においては、カソード基板上
に形成されたアノード引き出し配線から導体支柱を通じ
てアノード電極ストライプにアノード電圧を供給するこ
とができるため、アノード基板上において立体配線を行
うことが不要になる。
とカソード基板との間隔を所定間隔に保持するために設
けられる支柱の一部を導体支柱とすることにより、アノ
ード電極をカソード基板上に設けられた導体配線と電気
的に接続することができるため、アノード引き出し配線
をカソード基板上に形成することができるようになる。
したがって、アノード引き出し配線を、カソード基板上
に設けられたカソード引き出し配線もしくはゲート引き
出し配線と同じ辺に設けることができるようになる。ま
た、三原色カラー表示装置においては、カソード基板上
に形成されたアノード引き出し配線から導体支柱を通じ
てアノード電極ストライプにアノード電圧を供給するこ
とができるため、アノード基板上において立体配線を行
うことが不要になる。
【００２０】
【実施例】図１〜４により、本発明をモノクロームＦＥ
Ｄに適用した場合の実施例について説明する。図１は、
本発明のモノクロームＦＥＤにおけるアノード基板８を
示す図である。図示するように、本発明のアノード基板
８は、点線で示されている従来技術におけるアノード基
板８１よりも図の右側の部分が縮小された大きさとなっ
ている。また、斜線で表わされている部分はアノード基
板８上に形成されるアノード電極であり、従来技術にお
けるアノード電極領域７１と本発明により拡張された領
域７２とからなる。このように本発明のアノード電極は
従来技術の場合におけるアノード電極７１よりも７２で
示す部分だけ拡張されたものとなっている。
Ｄに適用した場合の実施例について説明する。図１は、
本発明のモノクロームＦＥＤにおけるアノード基板８を
示す図である。図示するように、本発明のアノード基板
８は、点線で示されている従来技術におけるアノード基
板８１よりも図の右側の部分が縮小された大きさとなっ
ている。また、斜線で表わされている部分はアノード基
板８上に形成されるアノード電極であり、従来技術にお
けるアノード電極領域７１と本発明により拡張された領
域７２とからなる。このように本発明のアノード電極は
従来技術の場合におけるアノード電極７１よりも７２で
示す部分だけ拡張されたものとなっている。
【００２１】図２は、本発明におけるカソード基板１を
示す図である。本発明のカソード基板１は従来技術にお
けるカソード基板と同じ大きさである。図において点線
で示されている領域は、カソード基板上に形成されてい
るカソード電極、絶縁層およびゲート電極からなる領域
を簡単化して示したものであり、Ｃはカソード引き出し
配線群、Ｇはゲート引き出し配線群を表わしている。１
１はカソード基板の下部余白に形成された導体配線であ
り、本発明により設けられるものである。この導体配線
１１は、カソード基板１とアノード基板８とを重ね合せ
たときに、拡張されたアノード電極７２の下に位置する
場所に形成される。なお、この導体配線１１はゲート電
極を形成するときに同時に形成することが望ましい。
示す図である。本発明のカソード基板１は従来技術にお
けるカソード基板と同じ大きさである。図において点線
で示されている領域は、カソード基板上に形成されてい
るカソード電極、絶縁層およびゲート電極からなる領域
を簡単化して示したものであり、Ｃはカソード引き出し
配線群、Ｇはゲート引き出し配線群を表わしている。１
１はカソード基板の下部余白に形成された導体配線であ
り、本発明により設けられるものである。この導体配線
１１は、カソード基板１とアノード基板８とを重ね合せ
たときに、拡張されたアノード電極７２の下に位置する
場所に形成される。なお、この導体配線１１はゲート電
極を形成するときに同時に形成することが望ましい。
【００２２】図３は、図１のアノード基板８と図２のカ
ソード基板１とを重ね合せてなる本発明のモノクローム
ＦＥＤの上面図である。図３において、１はカソード基
板、８はアノード基板、９はシールガラスである。黒丸
で表わされている１０は絶縁支柱であり、図１０に示し
た従来技術の場合と同様に、大気圧に抗してアノード基
板８とカソード基板１との間隔を所定間隔に保持するた
めに両基板間に所定間隔毎に所定数配設されている。白
丸で表わされている１２は本発明により設けられた導電
性を有する支柱（以下、「導体支柱」という）であり、
アノード電極の拡張された領域７２とカソード基板１に
形成された導体配線１１との間に配設されて、絶縁支柱
１０と同様に大気圧に抗して両基板間の間隔を保持する
とともに、導体配線１１とアノード電極とを電気的に接
続するためのものである。本発明はこのように構成され
ているので、カソード基板１上に形成された導体配線１
１を介してアノード電極に駆動信号を供給することがで
きる。すなわち、導体配線１１がアノード引き出し配線
Ａとなっている。なお、この実施例においては、導体支
柱として、たとえば、直径５０ミクロン、高さ２００ミ
クロン程度のガラス製の円柱に金、銀、銅、インジウ
ム、ニッケルなどの金属を蒸着またはメッキしたものが
使用されている。
ソード基板１とを重ね合せてなる本発明のモノクローム
ＦＥＤの上面図である。図３において、１はカソード基
板、８はアノード基板、９はシールガラスである。黒丸
で表わされている１０は絶縁支柱であり、図１０に示し
た従来技術の場合と同様に、大気圧に抗してアノード基
板８とカソード基板１との間隔を所定間隔に保持するた
めに両基板間に所定間隔毎に所定数配設されている。白
丸で表わされている１２は本発明により設けられた導電
性を有する支柱（以下、「導体支柱」という）であり、
アノード電極の拡張された領域７２とカソード基板１に
形成された導体配線１１との間に配設されて、絶縁支柱
１０と同様に大気圧に抗して両基板間の間隔を保持する
とともに、導体配線１１とアノード電極とを電気的に接
続するためのものである。本発明はこのように構成され
ているので、カソード基板１上に形成された導体配線１
１を介してアノード電極に駆動信号を供給することがで
きる。すなわち、導体配線１１がアノード引き出し配線
Ａとなっている。なお、この実施例においては、導体支
柱として、たとえば、直径５０ミクロン、高さ２００ミ
クロン程度のガラス製の円柱に金、銀、銅、インジウ
ム、ニッケルなどの金属を蒸着またはメッキしたものが
使用されている。
【００２３】本発明のモノクロームＦＥＤの構成をさら
に明瞭にするために、図４に要部断面図を示す。図４に
おいて、１はカソード基板、２はカソード基板１上にス
トライプ状に形成されたカソード電極、３はカソード基
板１もしくはカソード電極２上に形成されたＳｉＯ2 か
らなる絶縁層、４は絶縁層３の上にストライプ状に形成
されたゲート電極、５はカソード電極２上に形成された
コーン状のエミッタ、６はその内部にコーン状のエミッ
タが配置されるように絶縁層３およびゲート電極４に設
けられた開口部、７はアノード基板８上に形成されたア
ノード電極、８は透明ガラス等からなるアノード基板、
９はカソード基板１とアノード基板８との間に設けられ
て両基板間を所定間隔に保持するとともに内部を高真空
に封止するためのシールガラス、１０はカソード基板１
とアノード基板８との間隔を大気圧に抗して所定間隔に
保持するために両基板間に所定間隔毎に所定数配設され
ているガラスなどの絶縁体からなる絶縁支柱である。な
お、この絶縁支柱１０は、その上端がアノード電極７に
当接し、下端が絶縁層３あるいはゲート電極４に当接す
るように配設されている。１１はカソード基板１の下部
余白に形成された導体配線、１２は導体配線１１とアノ
ード電極７との間に配設され、カソード基板１とアノー
ド基板８との間隔を大気圧に抗して所定間隔に保持する
とともにアノード電極７と導体配線１１とを電気的に接
続する導体支柱である。この導体支柱１２の数は、１個
でもよいが、その数が少ないときは電界集中が生じて絶
縁破壊が発生しやすくなるので、導体配線１１上の所定
間隔毎に所定数設けるのが望ましい。
に明瞭にするために、図４に要部断面図を示す。図４に
おいて、１はカソード基板、２はカソード基板１上にス
トライプ状に形成されたカソード電極、３はカソード基
板１もしくはカソード電極２上に形成されたＳｉＯ2 か
らなる絶縁層、４は絶縁層３の上にストライプ状に形成
されたゲート電極、５はカソード電極２上に形成された
コーン状のエミッタ、６はその内部にコーン状のエミッ
タが配置されるように絶縁層３およびゲート電極４に設
けられた開口部、７はアノード基板８上に形成されたア
ノード電極、８は透明ガラス等からなるアノード基板、
９はカソード基板１とアノード基板８との間に設けられ
て両基板間を所定間隔に保持するとともに内部を高真空
に封止するためのシールガラス、１０はカソード基板１
とアノード基板８との間隔を大気圧に抗して所定間隔に
保持するために両基板間に所定間隔毎に所定数配設され
ているガラスなどの絶縁体からなる絶縁支柱である。な
お、この絶縁支柱１０は、その上端がアノード電極７に
当接し、下端が絶縁層３あるいはゲート電極４に当接す
るように配設されている。１１はカソード基板１の下部
余白に形成された導体配線、１２は導体配線１１とアノ
ード電極７との間に配設され、カソード基板１とアノー
ド基板８との間隔を大気圧に抗して所定間隔に保持する
とともにアノード電極７と導体配線１１とを電気的に接
続する導体支柱である。この導体支柱１２の数は、１個
でもよいが、その数が少ないときは電界集中が生じて絶
縁破壊が発生しやすくなるので、導体配線１１上の所定
間隔毎に所定数設けるのが望ましい。
【００２４】このように構成された本発明のモノクロー
ムＦＥＤにおいては、図示しない駆動回路からカソード
基板１上に形成されたアノード引き出し配線Ａとして機
能する導体配線１１に供給されるアノード電圧は、導体
支柱１２を介してアノード電極７に印加される。したが
って、アノード引き出し配線Ａはカソード基板１上に形
成されることとなり、カソード引き出し配線群Ｃあるい
はゲート引き出し配線群Ｇと同じ辺に設けることができ
るようになった。
ムＦＥＤにおいては、図示しない駆動回路からカソード
基板１上に形成されたアノード引き出し配線Ａとして機
能する導体配線１１に供給されるアノード電圧は、導体
支柱１２を介してアノード電極７に印加される。したが
って、アノード引き出し配線Ａはカソード基板１上に形
成されることとなり、カソード引き出し配線群Ｃあるい
はゲート引き出し配線群Ｇと同じ辺に設けることができ
るようになった。
【００２５】次に、本発明を三原色カラーＦＥＤに適用
した実施例について、図５〜７に基づいて説明する。図
５は本発明の三原色カラーＦＥＤのアノード基板８を示
す図である。図において、アノード基板８の中央部に、
順次Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体が設けられたストライプ
状に形成されたアノード電極が配列されている。各アノ
ードストライプのうち、Ｒ色のアノードストライプは図
の上部に形成された導体配線に接続され、Ｂ色のアノー
ドストライプストライプは図の下部に形成された導体配
線に接続されているが、Ｇ色のアノードストライプはい
ずれにも接続されていない。
した実施例について、図５〜７に基づいて説明する。図
５は本発明の三原色カラーＦＥＤのアノード基板８を示
す図である。図において、アノード基板８の中央部に、
順次Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体が設けられたストライプ
状に形成されたアノード電極が配列されている。各アノ
ードストライプのうち、Ｒ色のアノードストライプは図
の上部に形成された導体配線に接続され、Ｂ色のアノー
ドストライプストライプは図の下部に形成された導体配
線に接続されているが、Ｇ色のアノードストライプはい
ずれにも接続されていない。
【００２６】図６は本発明の三原色カラーＦＥＤのカソ
ード基板１を示す図である。図６において点線で示され
ている領域は、カソード基板上に形成されているカソー
ド電極、絶縁層およびゲート電極からなる領域を簡単化
して示したものであり、Ｃはカソード引き出し配線群、
Ｇはゲート引き出し配線群を示している。１３〜１５は
カソード基板１上の余白部に形成された導体配線であ
り、アノード基板８とカソード基板１とを重ねたとき
に、導体配線１３は図５に示すアノード基板８の上部に
形成されたＲ色のアノードストライプに接続された導体
配線と重なりあうように左上余白部に形成され、導体配
線１４はＧ色の全てのアノードストライプと重なりあう
ように下部余白部にカソード電極とほぼ同じ長さを有す
るように形成され、１５はアノード基板８の下部に形成
されたＢ色のアノードストライプに接続された導体配線
と重なりあうように前記導体配線１４よりもさらに下部
の余白部に形成されている。なお、これらの導体配線１
３〜１５はゲート配線と同時に形成するのが効率的であ
る。
ード基板１を示す図である。図６において点線で示され
ている領域は、カソード基板上に形成されているカソー
ド電極、絶縁層およびゲート電極からなる領域を簡単化
して示したものであり、Ｃはカソード引き出し配線群、
Ｇはゲート引き出し配線群を示している。１３〜１５は
カソード基板１上の余白部に形成された導体配線であ
り、アノード基板８とカソード基板１とを重ねたとき
に、導体配線１３は図５に示すアノード基板８の上部に
形成されたＲ色のアノードストライプに接続された導体
配線と重なりあうように左上余白部に形成され、導体配
線１４はＧ色の全てのアノードストライプと重なりあう
ように下部余白部にカソード電極とほぼ同じ長さを有す
るように形成され、１５はアノード基板８の下部に形成
されたＢ色のアノードストライプに接続された導体配線
と重なりあうように前記導体配線１４よりもさらに下部
の余白部に形成されている。なお、これらの導体配線１
３〜１５はゲート配線と同時に形成するのが効率的であ
る。
【００２７】図７は、図６に示したカソード基板１と図
５に示したアノード基板８を重ねて配置することにより
構成される本発明の三原色カラーＦＥＤの上面図であ
る。図７において、１はカソード基板、８はアノード基
板、９はシールガラスである。黒丸で表わされている１
０は絶縁支柱であり、大気圧に抗してアノード基板８と
カソード基板１との間隔を所定間隔に保持するために両
基板間に所定間隔毎に所定数配設されている。白丸で表
わされている１２は導体支柱であり、アノード基板８と
カソード基板１との間の所定位置に配設されて、絶縁支
柱１０と同様に大気圧に抗して両基板間の間隔を保持す
るとともに、アノード基板８に形成された導体配線とカ
ソード基板１に形成された導体配線とを電気的に接続す
るためのものである。
５に示したアノード基板８を重ねて配置することにより
構成される本発明の三原色カラーＦＥＤの上面図であ
る。図７において、１はカソード基板、８はアノード基
板、９はシールガラスである。黒丸で表わされている１
０は絶縁支柱であり、大気圧に抗してアノード基板８と
カソード基板１との間隔を所定間隔に保持するために両
基板間に所定間隔毎に所定数配設されている。白丸で表
わされている１２は導体支柱であり、アノード基板８と
カソード基板１との間の所定位置に配設されて、絶縁支
柱１０と同様に大気圧に抗して両基板間の間隔を保持す
るとともに、アノード基板８に形成された導体配線とカ
ソード基板１に形成された導体配線とを電気的に接続す
るためのものである。
【００２８】この実施例においては、アノード基板８の
上部に形成されたＲ色のアノードストライプが接続され
ている導体配線とカソード基板１の左上余白部に形成さ
れた導体配線１３とが重なりあった位置に導体支柱１２
が配設されている。このことによって、導体配線１３が
Ｒ色のアノードストライプに駆動信号を供給するための
アノード引き出し配線Ａ１として機能する。また、アノ
ード基板８上に形成されたＧ色の各アノードストライプ
とカソード基板１の下部余白部にカソード電極とほぼ同
じ長さを有するように形成された導体配線１４とが重な
りあうそれぞれの位置に導体支柱１２が配設されてい
る。このことにより、導体配線１４がＧ色のアノードス
トライプに対応するアノード引き出し配線Ａ２として機
能する。さらに、アノード基板８の下部に形成されたＢ
色のアノードストライプが接続されている導体配線とカ
ソード基板１の下部の余白部に形成された導体配線１５
とが重なりあう位置に導体支柱１２が配設されている。
このことにより、導体配線１５がＢ色のアノードストラ
イプに対応するアノード引き出し電極Ａ３として機能す
る。
上部に形成されたＲ色のアノードストライプが接続され
ている導体配線とカソード基板１の左上余白部に形成さ
れた導体配線１３とが重なりあった位置に導体支柱１２
が配設されている。このことによって、導体配線１３が
Ｒ色のアノードストライプに駆動信号を供給するための
アノード引き出し配線Ａ１として機能する。また、アノ
ード基板８上に形成されたＧ色の各アノードストライプ
とカソード基板１の下部余白部にカソード電極とほぼ同
じ長さを有するように形成された導体配線１４とが重な
りあうそれぞれの位置に導体支柱１２が配設されてい
る。このことにより、導体配線１４がＧ色のアノードス
トライプに対応するアノード引き出し配線Ａ２として機
能する。さらに、アノード基板８の下部に形成されたＢ
色のアノードストライプが接続されている導体配線とカ
ソード基板１の下部の余白部に形成された導体配線１５
とが重なりあう位置に導体支柱１２が配設されている。
このことにより、導体配線１５がＢ色のアノードストラ
イプに対応するアノード引き出し電極Ａ３として機能す
る。
【００２９】このようにして、アノード基板８上に形成
されたすべてのアノード電極は導体支柱１２を介してカ
ソード基板１上に形成された各導体配線に接続され、各
アノード引き出し配線はすべてカソード基板上に形成さ
れることとなった。また、三原色カラーＦＥＤのアノー
ド基板上において立体配線を行うことなく、各アノード
電極をアノード引き出し配線に接続することができた。
なお、図７においては、Ｇの色に対応する各アノード電
極ストライプとカソード基板上に形成されたＧの色の引
き出し配線とを接続する導体支柱が、各アノード電極ス
トライプにつき一つだけ図示されているが、これに限る
ことはなく、カソード基板上に形成される導体配線１４
の幅を広くして複数本の導体支柱を配設することもでき
る。また、このようにすることにより電界集中を防ぐこ
とができ、絶縁破壊を未然に防ぐことが期待できる。
されたすべてのアノード電極は導体支柱１２を介してカ
ソード基板１上に形成された各導体配線に接続され、各
アノード引き出し配線はすべてカソード基板上に形成さ
れることとなった。また、三原色カラーＦＥＤのアノー
ド基板上において立体配線を行うことなく、各アノード
電極をアノード引き出し配線に接続することができた。
なお、図７においては、Ｇの色に対応する各アノード電
極ストライプとカソード基板上に形成されたＧの色の引
き出し配線とを接続する導体支柱が、各アノード電極ス
トライプにつき一つだけ図示されているが、これに限る
ことはなく、カソード基板上に形成される導体配線１４
の幅を広くして複数本の導体支柱を配設することもでき
る。また、このようにすることにより電界集中を防ぐこ
とができ、絶縁破壊を未然に防ぐことが期待できる。
【００３０】なお、上記各実施例においては導体支柱と
してガラス製の円柱に金属をメッキまたは蒸着したもの
を採用しているが、導体支柱の形は円柱に限られること
はなく、材質についても金属製のものとするなど各種の
変更をすることができることは明らかである。要は、ア
ノード基板上に形成された導体配線とカソード基板上に
形成された導体配線とを電気的に接続することができ、
かつ、アノード基板とカソード基板との間隔を所定の間
隔に保持することができる程度の剛性を有するものであ
れば、導体支柱として用いることができるのであり、た
とえば、両基板間の間隔に相当する直径を有する金属線
などを導体配線１１上に配置することにより導体支柱と
して用いることもできる。また、上記各実施例において
は、アノード引き出し配線をカソード引き出し配線群と
同じ方向に導出しているが、これに限られることはな
く、ゲート引き出し配線群と同一の方向に導出するよう
にしてもよい。
してガラス製の円柱に金属をメッキまたは蒸着したもの
を採用しているが、導体支柱の形は円柱に限られること
はなく、材質についても金属製のものとするなど各種の
変更をすることができることは明らかである。要は、ア
ノード基板上に形成された導体配線とカソード基板上に
形成された導体配線とを電気的に接続することができ、
かつ、アノード基板とカソード基板との間隔を所定の間
隔に保持することができる程度の剛性を有するものであ
れば、導体支柱として用いることができるのであり、た
とえば、両基板間の間隔に相当する直径を有する金属線
などを導体配線１１上に配置することにより導体支柱と
して用いることもできる。また、上記各実施例において
は、アノード引き出し配線をカソード引き出し配線群と
同じ方向に導出しているが、これに限られることはな
く、ゲート引き出し配線群と同一の方向に導出するよう
にしてもよい。
【００３１】さらにまた、上記各実施例における表示装
置は微小冷陰極として電界放出素子を用いたものである
が、これに限られることはなく、微小冷陰極として、Ｍ
ＩＭ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子あるいは
ＰＮ接合型電子放出素子のいずれを用いたものであって
もよい。
置は微小冷陰極として電界放出素子を用いたものである
が、これに限られることはなく、微小冷陰極として、Ｍ
ＩＭ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子あるいは
ＰＮ接合型電子放出素子のいずれを用いたものであって
もよい。
【００３２】なお、以上の説明においては、電界放出型
表示装置（ＦＥＤ）に本発明を適用した場合について説
明したが、本発明はこれに限られることはなく、内部に
支柱が設けられている表示装置、例えば蛍光表示管など
に適用することができるものである。
表示装置（ＦＥＤ）に本発明を適用した場合について説
明したが、本発明はこれに限られることはなく、内部に
支柱が設けられている表示装置、例えば蛍光表示管など
に適用することができるものである。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、一部の支柱を導体支柱
としたので、アノード引き出し配線をカソード基板上に
設けることができ、表示装置内の各電極からの引き出し
配線を２辺に配置することが可能となる。したがって、
表示装置と駆動回路とを接続する作業工程を短縮するこ
とができ、かつ、外形寸法の小さい表示装置を提供する
ことができる。また、アノード基板上において立体配線
を行う必要がない三原色カラー表示装置を提供すること
ができる。
としたので、アノード引き出し配線をカソード基板上に
設けることができ、表示装置内の各電極からの引き出し
配線を２辺に配置することが可能となる。したがって、
表示装置と駆動回路とを接続する作業工程を短縮するこ
とができ、かつ、外形寸法の小さい表示装置を提供する
ことができる。また、アノード基板上において立体配線
を行う必要がない三原色カラー表示装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明をモノクロームＦＥＤに適用した一実施
例におけるアノード基板の構成を示す図である。
例におけるアノード基板の構成を示す図である。
【図２】本発明をモノクロームＦＥＤに適用した一実施
例におけるカソード基板の構成を示す図である。
例におけるカソード基板の構成を示す図である。
【図３】本発明をモノクロームＦＥＤに適用した一実施
例の上面図である。
例の上面図である。
【図４】本発明をモノクロームＦＥＤに適用した一実施
例の要部断面図である。
例の要部断面図である。
【図５】本発明を三原色カラーＦＥＤに適用した一実施
例におけるアノード基板の構成を示す図である。
例におけるアノード基板の構成を示す図である。
【図６】本発明を三原色カラーＦＥＤに適用した一実施
例におけるカソード基板の構成を示す図である。
例におけるカソード基板の構成を示す図である。
【図７】本発明を三原色カラーＦＥＤに適用した実施例
の上面図である。
の上面図である。
【図８】スピント型の電界放出カソードを示す図であ
る。
る。
【図９】従来のモノクローム電界放出型表示装置を模式
的に記載した斜視図である。
的に記載した斜視図である。
【図１０】従来のモノクローム電界放出型表示装置の上
面図である。
面図である。
【図１１】従来の三原色カラー電界放出型表示装置を模
式的に記載した斜視図である。
式的に記載した斜視図である。
【図１２】従来の三原色カラー電界放出型表示装置の上
面図である。
面図である。
１ カソード基板 ２ カソード電極 ３ 絶縁層 ４ ゲート電極 ５ エミッタ ６ 開口部 ７ アノード電極 ８ アノード基板 ９ シールガラス １０ 絶縁支柱 １１，１３，１４，１５ 導体配線 １２ 導体支柱 ７１ 従来のアノード電極 ７２ 拡張されたアノード電極 ８１ 従来のアノード基板 Ａ，Ａ１，Ａ２，Ａ３ アノード引き出し配線 Ｃ カソード引き出し配線群 Ｃ１〜Ｃｎ カソード引き出し配線 Ｇ ゲート引き出し配線群 Ｇ１〜Ｇｍ ゲート引き出し配線
Claims (7)
- 【請求項１】 蛍光体を備えるアノード電極が設けられ
ているアノード基板と、 少なくとも微小冷陰極が設けられているカソード基板
と、 前記アノード基板と前記カソード基板とを所定間隔をも
って対向配置するとともに内部を高真空に封止するため
の封止部材と、 前記アノード基板と前記カソード基板とが所定間隔を保
持するよう、前記アノード基板と前記カソード基板との
間に配設される複数本の支柱とを備えた表示装置におい
て、 前記複数本の支柱の内の一部の支柱は導電性を有する支
柱であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記カソード基板にはさらに少なくとも
一つの導体配線が形成されており、 前記導電性を有する支柱は前記導体配線と前記アノード
電極とに当接するように配設されていることを特徴とす
る請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記導体配線は前記封止部材の外部に引
き出されており、該導体配線を介して前記アノード電極
に駆動電圧を供給することができるように構成されてい
ることを特徴とする請求項２記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記導体配線は、前記微小冷陰極から引
き出された導体配線と同一の方向に引き出されているこ
とを特徴とする請求項３記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記アノード電極は、各ストライプ毎
に、赤、青、緑の発光色が得られるように蛍光体が設け
られたストライプ状に構成されており、 前記各ストライプは発光色に応じて対応する引き出し配
線に接続されるものであり、 前記各発光色に対応する引き出し配線は、アノード基板
上において交差することなく、前記導電性を有する支柱
を介して、それぞれ、前記カソード基板に形成された前
記導体配線に接続されていることを特徴とする請求項２
〜４のいずれか１項に記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記微小冷陰極として電界放出素子が用
いられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記微小冷陰極として、ＭＩＭ型電子放
出素子、表面伝導型電子放出素子あるいはＰＮ型電子放
出素子が用いられていることを特徴とする請求項１〜５
のいずれか１項に記載の表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077105A JP2852357B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表示装置 |
| TW085102469A TW436756B (en) | 1995-03-09 | 1996-03-01 | Display device |
| US08/612,681 US5747927A (en) | 1995-03-09 | 1996-03-08 | Display device |
| KR1019960006102A KR100256107B1 (ko) | 1995-03-09 | 1996-03-08 | 표시장치 |
| FR9603049A FR2731555B1 (fr) | 1995-03-09 | 1996-03-11 | Dispositif d'affichage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077105A JP2852357B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250048A true JPH08250048A (ja) | 1996-09-27 |
| JP2852357B2 JP2852357B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=13624510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7077105A Expired - Fee Related JP2852357B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2852357B2 (ja) |
| KR (1) | KR100256107B1 (ja) |
| FR (1) | FR2731555B1 (ja) |
| TW (1) | TW436756B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002025477A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Ise Electronics Corp | 平面ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2006216386A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sonac Kk | 電子放出装置およびその駆動方法 |
| JP2007080696A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Futaba Corp | 蛍光表示管等の電子管 |
| US7492087B2 (en) | 1997-03-21 | 2009-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission apparatus comprising electron-emitting devices, image forming apparatus and voltage application apparatus for applying voltage between electrodes |
| US12046461B2 (en) | 2020-06-05 | 2024-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power generation element |
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| JP2000268706A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子及びそれを用いた画像描画装置 |
| FR2799575B1 (fr) * | 1999-10-08 | 2001-12-14 | Pixtech Sa | Anode d'ecran de visualisation |
| JP2002202732A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Pioneer Electronic Corp | フラットパネル表示装置 |
| JP2002334670A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| JP3684216B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2005-08-17 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP2003249182A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| JP2006126260A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| US7431628B2 (en) * | 2005-11-18 | 2008-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CA2073923C (en) * | 1991-07-17 | 2000-07-11 | Hidetoshi Suzuki | Image-forming device |
| US5532548A (en) * | 1992-04-10 | 1996-07-02 | Silicon Video Corporation | Field forming electrodes on high voltage spacers |
| US5477105A (en) * | 1992-04-10 | 1995-12-19 | Silicon Video Corporation | Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes |
| US5424605A (en) * | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
| US5329207A (en) * | 1992-05-13 | 1994-07-12 | Micron Technology, Inc. | Field emission structures produced on macro-grain polysilicon substrates |
| KR0134167B1 (ko) * | 1992-11-19 | 1998-04-18 | 호소야 레이지 | 양면발광형 형광표시관 |
| AU6163494A (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-29 | Silicon Video Corporation | Flat panel device with internal support structure and/or raised black matrix |
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-
1995
- 1995-03-09 JP JP7077105A patent/JP2852357B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-01 TW TW085102469A patent/TW436756B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-03-08 KR KR1019960006102A patent/KR100256107B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-08 US US08/612,681 patent/US5747927A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-11 FR FR9603049A patent/FR2731555B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| US7791264B2 (en) | 1997-03-21 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission apparatus comprising electron-emitting devices, image-forming apparatus and voltage application apparatus for applying voltage between electrodes |
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| US12046461B2 (en) | 2020-06-05 | 2024-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power generation element |
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| FR2731555B1 (fr) | 2003-09-19 |
| TW436756B (en) | 2001-05-28 |
| US5747927A (en) | 1998-05-05 |
| KR960035704A (ko) | 1996-10-24 |
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| FR2731555A1 (fr) | 1996-09-13 |
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