JPH08250628A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびその製造方法

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JPH08250628A
JPH08250628A JP7047366A JP4736695A JPH08250628A JP H08250628 A JPH08250628 A JP H08250628A JP 7047366 A JP7047366 A JP 7047366A JP 4736695 A JP4736695 A JP 4736695A JP H08250628 A JPH08250628 A JP H08250628A
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semiconductor integrated
circuit device
bumps
ball
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Hiroyuki Takahashi
裕之 高橋
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 優れた放熱特性を有する安価な半導体集積回
路装置と簡単で安価に製造できる優れた放熱特性を有す
る半導体集積回路装置の製造技術を提供する。 【構成】 半導体集積回路が形成されているＩＣチップ
１の放熱用パッド３の上にボールボンディング法により
金属材料からなるボール状のバンプ４を形成する工程
と、バンプ４の上にボールボンディング法により金属材
料からなるボール状のバンプ４を複数個積み重ねて形成
する工程とを有するものとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造方法に関し、特に、優れた放熱特性の高発
熱デバイスである半導体集積回路装置の製造技術に適用
して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置は、高集積度
化、微細加工化および高パワー化が行われており、それ
に含まれている素子が高発熱化するようになっている。
【０００３】その対策として、フィンまたはファンなど
を用いて半導体集積回路装置の放熱を行い、さらに高温
になる場合には水冷式を採用してそのパッケージを冷却
することが考えられる。
【０００４】高発熱の素子を含んでいる半導体集積回路
装置におけるパッケージを設計する際に、通常のダイボ
ンディングを採用した実装方式とすることにより、半導
体素子の発熱を半導体基板を介してパッケージに逃が
し、パッケージからフィンを用いて放熱することが考え
られる。
【０００５】また、フリップチップ方式を採用した実装
方式とすることにより、放熱用のダミーバンプをあらか
じめチップの内部に配置して、ダミーバンプを介してパ
ッケージに熱を逃がすことが考えられる。
【０００６】なお、フィンを備えている半導体集積回路
装置について記載されている文献としては、例えば特開
昭６０−２０２９５５号公報に記載されているものがあ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た高発熱の素子を含んでいる半導体集積回路装置を冷却
する方式は、フィンなどの部材が高価であることによ
り、販売価格が１０％程度高騰すると共に実装面積が大
きくなるという問題点が発生することを本発明者は見い
出した。
【０００８】本発明の目的は、優れた放熱特性を有する
安価な半導体集積回路装置を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、簡単で安価に製造で
きる優れた放熱特性を有する半導体集積回路装置の製造
技術を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の
通りである。
【００１２】（１）本発明の半導体集積回路装置は、半
導体集積回路が形成されているＩＣチップの放熱用パッ
ドの上に金属材料からなるボール状のバンプが設けられ
ているものとする。
【００１３】（２）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、半導体集積回路が形成されているＩＣチップの
放熱用パッドの上にボールボンディング法により金属材
料からなるボール状のバンプを形成する工程と、バンプ
の上にボールボンディング法により金属材料からなるボ
ール状のバンプを複数個積み重ねて形成する工程とを有
するものとする。
【００１４】
【作用】
（１）前記した本発明の半導体集積回路装置によれば、
ＩＣチップの放熱用パッドの上に金属材料からなるボー
ル状のバンプが設けられているものであることにより、
ＩＣチップに設けられている半導体素子から発生する熱
をバンプを通して外部に放熱させることができるので、
半導体集積回路装置の放熱性を優れたものとすることが
できる。
【００１５】また、前記した本発明の半導体集積回路装
置によれば、ＩＣチップの放熱用パッドの上の金属材料
からなるボール状のバンプを放熱用のバンプとすること
ができることにより、ＩＣチップに設けられている半導
体素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱させ
ることができるので、フィンなどの高価でしかも実装面
積が大きくなる部材を使用する必要がないので、小面積
の実装面積を有する半導体集積回路装置を従来に比較し
て例えば販売価格を１０％程度低減することができる。
【００１６】（２）前記した本発明の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、半導体集積回路が形成されてい
るＩＣチップの放熱用パッドの上にボールボンディング
法により金属材料からなるボール状のバンプを形成する
工程と、バンプの上にボールボンディング法により金属
材料からなるボール状のバンプを複数個積み重ねて形成
する工程とを有するものであることにより、ボールボン
ディング法により簡単な製造工程により必要に応じた放
熱特性を有する多段の放熱用のバンプを形成することが
できる。
【００１７】そのため、ＩＣチップに設けられている半
導体素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱さ
せることができるので、半導体集積回路装置の放熱性を
優れたものとすることができる。
【００１８】また、ＩＣチップに設けられている半導体
素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱させる
ことができるので、フィンなどの高価でしかも実装面積
が大きくなる部材を使用する必要がないので、小面積の
実装面積を有する半導体集積回路装置を従来に比較して
例えば販売価格を１０％程度低減することができると共
に簡単な製造技術を用いているので安価に製作できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。
【００２０】（実施例１）図１〜図６は、本発明の一実
施例である半導体集積回路装置の製造工程を示す図であ
り、図１および図４は平面図、図２、図３、図５および
図６は断面図である。同図を用いて、本発明の半導体集
積回路装置およびその具体的な製造方法について説明す
る。
【００２１】まず、図１に示すように、半導体集積回路
（以下、必要に応じてＩＣと略称する）が形成されてい
るＩＣチップ１を用意する。
【００２２】ＩＣチップ１を製作するには、例えばＧａ
Ａｓなどの化合物半導体を有する半導体基板に例えばＭ
ＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor)などの半導体素子を複数個形成した後に、
半導体基板の上に形成された絶縁膜の上に電極用パッド
２と放熱用パッド３を最上層膜が金（Ａｕ）薄膜からな
る導電膜を用いて形成する。
【００２３】次に、ウエハ状態の半導体基板における各
ＩＣにプローブ検査を行って、良品のＩＣと不良品のＩ
Ｃとを識別する。次に、ダイシング作業を行ってウエハ
状態のＩＣを分割して個別のＩＣチップ１にし、プロー
ブ検査工程によって識別されている不良品のＩＣチップ
を取り除いて良品のＩＣチップ１のみを次に述べる工程
に移す。
【００２４】次に、図２に示すように、ＩＣチップ１に
おける放熱用パッド電極３に、ボールボンディング法に
より金（Ａｕ）からなるボールを接着させ、バンプ４を
形成する。
【００２５】具体的には、図７から図９に示すように、
ワイヤボンディング装置のキャピラリ９の軸心に通され
ている金（Ａｕ）を主材料とするボンディングワイヤ１
０の先端に形成されている金（Ａｕ）を主材料としてい
るボール１１をキャピラリ９を使用して放熱用パッド３
に熱と超音波を利用して接着する（図７および図８）。
次に、キャピラリ９の先端を利用してボンディングワイ
ヤ９をボール１１のネック部で切断することにより、放
熱用パッド３の上にボール１１からなるバンプ４を形成
する（図９）。この際、バンプ４の上端部には、先端が
尖ったアンカー部４ａが形成される。なお、符号１２は
ボール１１を形成するためのトーチである。
【００２６】次に、前述したバンプ４の形成方法を繰り
返すことにより、各放熱用パッド３にバンプ４を形成す
る。
【００２７】続いて、バンプ４の形成方法を繰り返すこ
とにより、各バンプ４の上にバンプ４を接合する。この
際、バンプ４は優れた展延性を有する金（Ａｕ）を主材
料としているボール１１により形成されていることによ
り、下段のバンプ４に形成されているアンカー部４ａは
上段のバンプ４の低部に食い込むので、下段のバンプ４
と上段のバンプ４とを圧着操作により確実に接着するこ
とができる。
【００２８】また、バンプ４は、金（Ａｕ）を主材料と
しているボール１１により形成されていることにより、
耐腐食性に優れている。金（Ａｕ）は、展延性および耐
腐食性ならびに熱伝導性が優れていることにより、バン
プ４およびバンプ４が接着される放熱用パッド３の最上
層膜の材料として優れた特性を有するものである。
【００２９】続いて、バンプ４の形成方法を繰り返すこ
とにより、図３に示すように、各バンプ４の上にバンプ
４を多段に積み重ねた形態にする。
【００３０】図３に示す本実施例１の半導体集積回路装
置は、５段のバンプ４としているが、例えば２段、３
段、４段または６段以上などの必要に応じて複数の多段
のバンプ４を重ね合わせた態様とすることができる。
【００３１】前述したボンディングワイヤ１０として
は、金（Ａｕ）を主材料とするボンディングワイヤの他
に、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）または鉛
（Ｐｂ）などの展延性を有する金属を主材料とするボン
ディングワイヤを用いることができる。
【００３２】また、ボールボンディング法としては、加
熱、超音波または超音波併用の加熱のエネルギーを用い
たボールボンディング法を使用して行うことができる。
すなわち、ボールボンディング法としては、圧力と熱を
利用して行う熱圧着ワイヤボンディング装置、圧力と超
音波エネルギを加えて行う超音波ワイヤボンディング装
置または圧力と熱と超音波振動とを利用して行う超音波
併用熱圧着ワイヤボンディング装置などの種々の態様の
ものを使用することができる。
【００３３】次に、図４に示すようなプリント配線基板
５を用意し、図５に示すように、プリント配線基板５に
おけるチップ搭載部５ａにＩＣチップ１を接着剤６を用
いて接着させる。プリント配線基板５は、例えばガラス
繊維、セラミックなどの基板の表面に溝形状のチップ搭
載部５ａおよび配線５ｂが形成されている。配線５ｂ
は、スクリーン印刷法により印刷された例えばタングス
テン（Ｗ）などの厚膜の表面に金（Ａｕ）からなる薄膜
がメッキされている。
【００３４】次に、ＩＣチップ１の外周部に形成されて
いる電極用パッド２とプリント配線基板５における配線
５ｂとをワイヤボンディング法を用いて例えば金（Ａ
ｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの金属からなるボ
ンディングワイヤ７により電気的に接続する。
【００３５】次に、図６に示すように、バンプ４の一部
とＩＣチップ１の本体およびボンディングワイヤ７を覆
い込むように例えばエポキシ樹脂などの封止用樹脂８に
より封止する。この際、重ね合わされているバンプ４の
高さは、封止用樹脂８により被覆されている領域のバン
プ４の高さよりも２倍以上となっていることにより、バ
ンプ４による放熱性を優れたものにできる。
【００３６】本実施例１の半導体集積回路装置は、ＩＣ
チップ１をプリント配線基板５に直接接着させて、封止
用樹脂８により樹脂封止したものであるが、他の態様と
して、ＱＦＰ（Quad Flat Package)などの種々のＩＣパ
ッケージにＩＣチップ１をダイボンディングすることに
より実装したものとすることができる。
【００３７】前述した本実施例１の半導体集積回路装置
によれば、ＩＣチップ１における放熱用パッド３の上に
多段化したバンプ４を設けていることにより、ＩＣチッ
プ１内部の半導体素子から発生する熱をバンプ４を通し
て放熱することができる。
【００３８】また、前述した本実施例１の半導体集積回
路装置によれば、ＩＣチップ１の放熱用パッド３の上に
金属材料からなるボール状のバンプ４が設けられている
ものであることにより、ＩＣチップ１に設けられている
半導体素子から発生する熱をバンプ４を通して外部に放
熱させることができるので、半導体集積回路装置の放熱
性を優れたものとすることができる。
【００３９】また、ＩＣチップ１の放熱用パッド３の上
の金属材料からなるボール状のバンプ４を放熱用のバン
プ４とすることができることにより、ＩＣチップ４に設
けられている半導体素子から発生する熱をバンプを通し
て外部に放熱させることができるので、フィンなどの高
価でしかも実装面積が大きくなる部材を使用する必要が
ないので、小面積の実装面積を有する半導体集積回路装
置を従来に比較して例えば販売価格を１０％程度低減す
ることができる。
【００４０】前述した本実施例１の半導体集積回路装置
の製造方法によれば、半導体集積回路が形成されている
ＩＣチップ１の放熱用パッド３の上にボールボンディン
グ法により金属材料からなるボール状のバンプ４を形成
する工程と、バンプ４の上にボールボンディング法によ
り金属材料からなるボール状のバンプ４を複数個積み重
ねて形成する工程とを有するものであることにより、ボ
ールボンディング法により簡単な製造工程により必要に
応じた放熱特性を有する多段の放熱用のバンプ４を形成
することができる。
【００４１】そのため、ＩＣチップ１に設けられている
半導体素子から発生する熱をバンプ４を通して外部に放
熱させることができるので、半導体集積回路装置の放熱
性を優れたものとすることができる。
【００４２】また、ＩＣチップ１に設けられている半導
体素子から発生する熱をバンプ４を通して外部に放熱さ
せることができるので、フィンなどの高価でしかも実装
面積が大きくなる部材を使用する必要がないので、小面
積の実装面積を有する半導体集積積回路装置を従来に比
較して例えば販売価格を１０％程度低減することができ
ると共に簡単な製造技術を用いているので安価に製作で
きる。
【００４３】（実施例２）図１０は、本発明の他の実施
例である半導体集積回路装置を示す断面図である。
【００４４】図１０において、１３は薄い金属板を示す
ものであり、例えば熱放散性の優れている銅を主材とし
ていて、その表面に耐腐食性の金（Ａｕ）からなる薄膜
が形成されている金属板などの金属膜を適用することが
できる。
【００４５】前述した実施例１の半導体集積回路装置に
おいては、放熱用パッド３の上に５段のバンプ４を設け
たものであったが、本実施例２においては、放熱用パッ
ド３の上に２段のバンプ４を形成し、それらのバンプ４
の上に金属板１３を接着した後、金属板１３の上に２段
のバンプ４を形成し、それらのバンプ４の上に再び金属
板１３を形成した後、再度２段のバンプ４を形成してい
るものである。
【００４６】図１０に示す本実施例２の半導体集積回路
装置は、２段のバンプ４としているが、例えば３段、４
段などの必要に応じて複数の多段のバンプ４を重ね合わ
せた態様とすることができる。
【００４７】本実施例２の半導体集積回路装置の他の構
成要素は、前述した実施例１の半導体集積回路装置と同
様であることにより、説明を省略する。
【００４８】本実施例２の半導体集積回路装置は、多段
のバンプ４の間に金属板１３を形成しているものである
ことにより、多段のバンプ４を容易に整列させて積み重
ねることができるので放熱性を高めるために多段のバン
プ４を積み重ねることができると共に金属板１３の放熱
性を活用できるので放熱性が優れたものにできる。
【００４９】（実施例３）図１１は、本発明の他の実施
例である半導体集積回路装置を示す断面図である。
【００５０】図１１において、１４は金属を材料として
いるピンを示すものであり、例えばＰＧＡ（Pin Grid A
rray）パッケージに用いられている４２アロイなどの金
属からなるピンを適用することができる。
【００５１】前述した実施例１の半導体集積回路装置に
おいては、放熱用パッド３の上に５段のバンプ４を設け
たものであったが、本実施例３においては、放熱用パッ
ド３の上に２段のバンプ４を形成し、それらのバンプ４
の上にピン１４を接続しているものである。
【００５２】図１１に示す本実施例３の半導体集積回路
装置は、２段のバンプ４としているが、例えば３段、４
段などの必要に応じて複数の多段のバンプ４を重ね合わ
せた態様とすることができる。また、ピン１４の太さ、
長さおよび形状は、放熱性および機械的強度などを条件
として種々の態様とすることができる。
【００５３】本実施例３の半導体集積回路装置の他の構
成要素は、前述した実施例１の半導体集積回路装置と同
様であることにより、説明を省略する。
【００５４】本実施例３の半導体集積回路装置は、ＩＣ
チップ１における放熱用バンプ３の上にバンプ４とそれ
らのバンプ４にピン１４を設けていることにより、ＩＣ
チップ１内部の半導体素子から発生する熱をバンプ４お
よびピン１４を通して放熱することができる。
【００５５】（実施例４）図１２は、本発明の他の実施
例である半導体集積回路装置を示す断面図である。
【００５６】本実施例４の半導体集積回路装置は、フリ
ップチップ方式の実装を行うＩＣチップ１の裏面に前述
した実施例１と同様なバンプ４が放熱用のバンプ４とし
て形成されているものである。
【００５７】なお、図１２において、１５は配線基板、
１５ａは配線基板１５の内部の配線、１５ｂは配線基板
１５の表面の配線、１６はフリップリップ方式のＩＣチ
ップ１における電極用バンプを示すものである。
【００５８】本実施例４の半導体集積回路装置の他の構
成要素は、前述した実施例１の半導体集積回路装置と同
様であることにより、説明を省略する。
【００５９】本実施例４の放熱用のバンプ４は、前述し
た実施例１の半導体集積回路装置におけるバンプ４を適
用したものであるが、前述した実施例２または実施例３
の半導体集積回路装置におけるバンプ４などを適用する
ことができる。
【００６０】（実施例５）図１３は、本発明の他の実施
例である半導体集積回路装置を示す断面図である。
【００６１】本実施例５の半導体集積回路装置は、前述
した実施例２の半導体集積回路装置と同様に放熱用パッ
ド３の上に２段のバンプ４を形成し、それらのバンプ４
の上にフィン１７を接着しているものである。
【００６２】図１３に示す本実施例５の半導体集積回路
装置は、２段のバンプ４としているが、例えば３段、４
段などの必要に応じて複数の多段のバンプ４を重ね合わ
せた態様とすることができる。
【００６３】本実施例５の半導体集積回路装置の他の構
成要素は、前述した実施例１の半導体集積回路装置と同
様であることにより、説明を省略する。
【００６４】本実施例５の半導体集積回路装置は、多段
のバンプ４の上にフィン１７を形成しているものである
ことにより、放熱性を高めるために多段のバンプ４を積
み重ねることができると共にフィン１７の放熱性を活用
できるので放熱性が優れたものにできる。
【００６５】また、本実施例５の半導体集積回路装置
は、多段のバンプ４の上にフィン１７を形成しているも
のであることにより、放熱性を高めるために多段のバン
プ４を積み重ねることができるので、小さな形状で安価
なフィン１７を使用しても放熱性が優れたものとするこ
とができる。その結果、小さな実装面積であって安価な
半導体集積回路装置とすることができる。
【００６６】本発明は、前記実施例１〜５に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、図１４に示す
ように配線基板１８の上に放熱用のバンプ４を有するＩ
Ｃチップ１を配置した態様などの小さな実装面積であっ
て放熱性の優れている安価な半導体集積回路装置および
その製造技術に適用できるものである。
【００６７】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００６８】（１）本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、ＩＣチップの放熱用パッドの上に金属材料からなる
ボール状のバンプが設けられているものであることによ
り、ＩＣチップに設けられている半導体素子から発生す
る熱をバンプを通して外部に放熱させることができるの
で、半導体集積回路装置の放熱性を優れたものとするこ
とができる。
【００６９】また、前記した本発明の半導体集積回路装
置によれば、ＩＣチップの放熱用パッドの上の金属材料
からなるボール状のバンプを放熱用のバンプとすること
ができることにより、ＩＣチップに設けられている半導
体素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱させ
ることができるので、フィンなどの高価でしかも実装面
積が大きくなる部材を使用する必要がないので、小面積
の実装面積を有する半導体集積回路装置を従来に比較し
て例えば販売価格を１０％程度低減することができる。
【００７０】（２）本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、多段のバンプの間に金属板を形成しているものであ
ることにより、多段のバンプを容易に整列させて積み重
ねることができるので放熱性を高めるために多段のバン
プを積み重ねることができると共に金属板の放熱性を活
用できるので放熱性が優れたものにできる。
【００７１】（３）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法によれば、半導体集積回路が形成されているＩＣチ
ップの放熱用パッドの上にボールボンディング法により
金属材料からなるボール状のバンプを形成する工程と、
バンプの上にボールボンディング法により金属材料から
なるボール状のバンプを複数個積み重ねて形成する工程
とを有するものであることにより、ボールボンディング
法により簡単な製造工程により必要に応じた放熱特性を
有する多段の放熱用のバンプを形成することができる。
【００７２】そのため、ＩＣチップに設けられている半
導体素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱さ
せることができるので、半導体集積回路装置の放熱性を
優れたものとすることができる。
【００７３】また、ＩＣチップに設けられている半導体
素子から発生する熱をバンプを通して外部に放熱させる
ことができるので、フィンなどの高価でしかも実装面積
が大きくなる部材を使用する必要がないので、小面積の
実装面積を有する半導体集積回路装置を従来に比較して
例えば販売価格を１０％程度低減することができると共
に簡単な製造技術を用いているので安価に製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程に使用するプリント配線基板を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程に用いるボールボンディング法を示す概略側面
図である。
【図８】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程に用いるボールボンディング法を示す概略側面
図である。
【図９】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程に用いるボールボンディング法を示す概略側面
図である。
【図１０】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ＩＣチップ ２ 電極用パッド ３ 放熱用パッド ４ バンプ ４ａ アンカー部 ５ プリント配線基板 ５ａ チップ搭載部 ５ｂ 配線 ６ 接着剤 ７ ボンディングワイヤ ８ 封止用樹脂 ９ キャピラリ １０ ボンディングワイヤ １１ ボール １２ トーチ １３ 金属板 １４ ピン １５ 配線基板 １５ａ 配線 １５ｂ 配線 １６ 電極用バンプ １７ フィン １８ 配線基板

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路が形成されているＩＣチ
    ップの放熱用パッドの上に金属材料からなるボール状の
    バンプが設けられていることを特徴とする半導体集積回
    路装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
    いて、前記金属材料からなるボール状のバンプは、少な
    くとも２段以上重ね合わせられていることを特徴とする
    半導体集積回路装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体集積回路
    装置において、前記金属材料からなるボール状のバンプ
    は、少なくとも２段以上重ね合わせられており、それら
    の間に金属板が介装されていることを特徴とする半導体
    集積回路装置。
  4. 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体集積回路
    装置において、前記金属材料からなるボール状のバンプ
    の上に金属からなるピンが設けられていることを特徴と
    する半導体集積回路装置。
  5. 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の半導体
    集積回路装置において、前記金属材料からなるボール状
    のバンプは、展延性を有する金属を主材料としているこ
    とを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の半
    導体集積回路装置において、前記金属材料からなるボー
    ル状のバンプは、金を主材料としていることを特徴とす
    る半導体集積回路装置。
  7. 【請求項７】 半導体集積回路が形成されているＩＣチ
    ップの放熱用パッドの上にボールボンディング法により
    金属材料からなるボール状のバンプを形成する工程と、
    前記バンプの上にボールボンディング法により金属材料
    からなるボール状のバンプを積み重ねて形成する工程と
    を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 半導体集積回路が形成されているＩＣチ
    ップの放熱用パッドの上にボールボンディング法により
    金属材料からなるボール状のバンプを形成する工程と、
    前記バンプの上に放熱用のピンを形成する工程とを有す
    ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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