JPH08252980A

JPH08252980A - 光ディスク

Info

Publication number: JPH08252980A
Application number: JP8067844A
Authority: JP
Inventors: Toshiharu Nakanishi; 俊晴中西; Kazuo Sumio; 一夫角尾; Gentaro Obayashi; 元太郎大林
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1996-03-25
Filing date: 1996-03-25
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【課題】記録の感度が良好であり、かつ実用性のある消
去特性を持つ、線速度６ｍ／秒程度の低線速度域で用い
られる、動画、画、文字等の情報記録用として良好な特
性を備えた、信頼性の高い光ディスクを提供する。【解決手段】記録薄膜が銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）およびテルル（Ｔｅ）の３元素から主としてなり、
かつその主としてなる３元素の組成が、一般式Ａｇ_xＳ
ｂ_yＴｅ_zと表した場合、ｚの範囲が２０≦ｚ≦３８の
場合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦５０、３２
≦ｙ≦６０であり、ｚの範囲が３８＜ｚ≦５５の場合に
は、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦２５、４２≦ｙ≦
６０であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴
とする光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクに関する
もので、特にレーザ光や電子線などのエネルギービーム
の照射により、低線速度域で情報の記録および消去を行
う光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】光情報記録媒体の記録方式で、結晶と非
晶のような媒体の相変化に伴う光学特性の差を記録に利
用する方式は、媒体自体の変形、蒸発による汚染などの
問題がなく、保護膜により耐久性を向上させることも可
能であり、Ｉｎ−Ｓｅ系薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、Ｓｂ
−Ｔｅ系薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ系薄膜など種々の材料が提案
されている。例えば、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ薄膜（特開昭６
１−３３２４号公報など）、Ｔｅを主成分とするＴｅ₈₀
Ｓｂ₁₀Ｓｅ₁₀記録薄膜（特開昭６１−１４５７３７号公
報など）、Ｓｂ₂Ｓｅなどの組成のＳｂ−Ｓｅ膜（特開
昭６０−１５５４９号など）、またＴｅ−Ｓｂの２元合
金記録膜（８６年応用物理学会講演集２９ａ−ＺＥ−
３、４）などが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術による記録媒体には次のような問題点があった。
すなわち、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎを記録膜としたものでは、
適切な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが
困難で実用性に乏しく、またＴｅ₈₀Ｓｂ₁₀Ｓｅ₁₀記録薄
膜、Ｓｂ₂Ｓｅなどの組成のＳｂ−Ｓｅ合金膜などで
は、実用的な消去速度範囲で満足できる消去特性を実現
することが容易でなかったり、記録と消去の繰返しに伴
ってノイズが増加し記録の信号品質が低下する等の問題
があった。またＳｂ₂Ｔｅ₃合金を記録膜に用いたもの
は、結晶化温度が低く記録の保存性に問題があるなど実
用性に乏しいものであった。

【０００４】さらに、このような記録媒体では用途によ
り、かなり異なる特性が要求されるため、例えば線速度
６ｍ／秒位の低線速度域で最適な特性を出す媒体組成を
見出すことは、容易ではない。

【０００５】特に、Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅの３元系に限定す
ると、特開昭６２−１５２７８６号公報や特開昭６４−
１０４３７号公報の提案が見られるが、必ずしも低線速
度域で情報の記録および消去を行う光ディスクとして好
ましい特性を持つとは言えない。

【０００６】すなわち、特開昭６２−１５２７８６号公
報では、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素も含む多数の元素の
組み合わせ、即ち結果的にほぼ全元素の可能な組み合わ
せを全て網羅した材料で、良好な特性が得られると主張
しているが、実際の記録媒体では元素の種類とその組成
を最適化することにより初めて優れた特性を付与できる
ものであり、かつごく一部の実施例を除き、実際にどの
様な優れた特性が発現できるのかの具体的な検討や開示
が何等なされていない。また本公報の趣旨では、高速で
の記録消去が可能な媒体として重要な特性である高速結
晶化速度を実現することを主要な目的としているため、
比較的低線速度で非晶化記録を行おうとする場合、せっ
かく形成した非晶状態が残った熱で再結晶されるのを助
長する方向にあるため、好ましいとは言い難い。

【０００７】また特開昭６４−１０４３７号公報では、
Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ３元系としているものの、組成を限定
しない場合には前述したような特性の最適化が十分行わ
れているとは言い難く、組成を限定したとしても高速結
晶化速度実現を目的とした最適化であり、前述と同様な
意味で低線速度で良好な非晶化記録を得るのに適した媒
体とは言い難い。

【０００８】本発明は、かかる問題点を改善し、記録の
感度が良好であり、かつ実用性のある消去特性を持つ、
線速度６ｍ／秒程度の低線速度域で用いられる、動画、
画、文字等の情報記録用として良好な特性を備えた、信
頼性の高い光ディスクを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成された記録薄膜にエネルギービームを照射
し、直接または間接に発生する熱により、該記録薄膜の
光学特性を変化せしめて、情報の記録および消去を行う
光ディスクにおいて、上記記録薄膜が銀（Ａｇ）、アン
チモン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）の３元素から主と
してなり、かつその主としてなる３元素の組成が、一般
式Ａｇ_xＳｂ_yＴｅ_z ｘ：薄膜中のＡｇの原子数ｙ：薄膜中のＳｂの原子数ｚ：薄膜中のＴｅの原子数と表した場合、ｚの範囲が２０≦ｚ≦３８の場合には、
ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦５０、３２≦ｙ≦６０
であり、ｚの範囲が３８＜ｚ≦５５の場合には、ｘ、ｙ
の範囲がそれぞれ５≦ｘ≦２５、４２≦ｙ≦６０であ
り、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする光
ディスクにより達成される。

【００１０】

【発明の実施の形態】すなわち、本発明において使用さ
れる記録薄膜は、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）およ
びテルル（Ｔｅ）の３元素から主としてなり、かつその
主としてなる３元素の組成が、一般式Ａｇ_xＳｂ_yＴｅ_z ｘ：薄膜中のＡｇの原子数ｙ：薄膜中のＳｂの原子数ｚ：薄膜中のＴｅの原子数と表した場合、ｚの範囲が２０≦ｚ≦３８の場合には、
ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦５０、３２≦ｙ≦６０
であり、ｚの範囲が３８＜ｚ≦５５の場合には、ｘ、ｙ
の範囲がそれぞれ５≦ｘ≦２５、４２≦ｙ≦６０であ
り、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足してなるものであ
る。

【００１１】これら３元素の原子数の比について本発明
者らが鋭意検討したところ、２０≦ｚ≦３８の場合に
は、Ｓｂ₂ＴｅとＡｇ₂Ｔｅを結ぶ線上の組成を中心と
した領域が良好であり、３８＜ｚ≦５５の場合には、Ｓ
ｂＴｅとＡｇとを結ぶ線上の組成を中心とした領域が低
線速度域で用いる光ディスクとして優れた特性を持つと
の結論に至った。ｘやｙの適切な範囲はｚの各々の範囲
に応じ異なるが、いずれも程度の差があれ、ｘが範囲外
で多い場合には消去が困難になるなど本発明で述べるよ
うな優れた記録特性が発現しにくくなり好ましくなく、
またｙが多い場合には過剰なＳｂが析出するなど不可逆
的な特性変化が生じ易く、記録と消去の繰返し性が低下
するなどして好ましくない。またｘやｙが少ない場合に
は適切な結晶化温度が得られなくなったりして好ましく
ない。

【００１２】本発明の効果をより好ましく発現させるに
は、ｚの範囲は２５≦ｚ≦３８および３８＜ｚ≦５０と
したほうがより好ましい。２５≦ｚ≦３８の場合には、
７≦ｘ≦４０、３２≦ｙ≦５５の範囲であることがより
好ましい。３８＜ｚ≦５０の場合には、ｘの範囲は７≦
ｘ≦２５の範囲であることがより好ましい。

【００１３】本発明において使用される記録薄膜は、主
として銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）およびテルル
（Ｔｅ）の３元素からなるものではあるが、本発明の効
果を損なわない範囲において、これら３元素以外の元素
を含んでもかまわない。

【００１４】なお、本発明における低線速度域とは、
０．５〜１２ｍ／秒程度、特に０．５〜６ｍ／秒程度の
線速度のことを言う。

【００１５】記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、
例えば記録膜の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する
場合には、７０〜１２０ｎｍの範囲に設定できる。ま
た、記録膜に隣接して、例えばその裏面側に反射層とし
ての役割も持つ冷却層を設ける場合には、約半分の膜厚
で同様な効果が得られる。

【００１６】記録薄膜に隣接して、好ましくはその裏面
側に冷却層を設けることができる。

【００１７】この冷却層は、記録層から生じる熱の拡散
を容易にし、記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶
マークの形成を容易にするのに有効である。さらには、
金属や金属合金などの光学的に高い反射率を有する材料
を用いれば、反射層としての役割も付与することが可能
であり、記録層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高
めるなどの効果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定
されないが、１０〜８０ｎｍが実用的にも好ましい。冷
却層の材料としては、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＰｂおよびＨｆ等の金属またはそれ
らの合金、あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物、カ
ルコゲン化物等のいずれかと金属との混合物などが使用
できる。特にＡｕ、Ａｌ、Ｈｆ、ＮｉおよびＣｒやそれ
らの合金等は、膜の形成が容易であり、材料選択により
熱伝導度を広範囲に調整可能であるため、本発明の光記
録媒体を種々の目的に沿って設計する場合にその本来の
優れた特性を発現させるのに有効である。

【００１８】本発明に用いられる基板としてはポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポ
リエステル樹脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラ
ス板、あるいはＡｌ等の金属板が挙げられる。

【００１９】本発明の記録媒体は本来の特性を効果的に
発現させるため、基板と記録層の間や媒体の表面等に保
護層や、記録層と冷却層の間に拡散防止層が形成でき
る。

【００２０】保護層は、ＳｉＯ₂、ＺｒＣ、ＩＴＯ、Ｚ
ｎＳ、ＭｇＦ₂等の無機膜やそれらの混合膜、紫外線硬
化膜等を、蒸着、スパッタ、スピンコート等の方法を用
いて形成したり、エポキシやポリカーボネイトなどの樹
脂、フィルム、ガラスなどを張合わせたり、ラミネート
しても良い。拡散防止層は耐湿熱性や耐酸化性などの効
果のみならず、記録層と反射層の間での元素拡散を抑制
し特性劣化を押さえる効果があり、保護層と同様な材料
が使用できる。

【００２１】このような保護層および拡散防止層として
は、例えば、ＺｎＳとＭｇＦ₂の混合膜は、耐熱性が良
好で、湿熱下での耐久性が優れており、さらには記録と
消去の繰返しによる記録層の劣化を抑制し、消去特性を
改善するなどの効果があり好ましいものである。また、
Ｚｒ、Ｔａ、ＴｉおよびＷから選ばれた少なくとも一種
の金属と、ケイ素、酸素および炭素を含む成分で構成さ
れる膜は、各成分の好ましい含有量を上記金属が３〜４
０原子％、Ｓｉが５〜３０原子％、Ｏが５〜７０原子
％、Ｃが３〜４０原子％の範囲となすことにより、記録
層の膜質劣化や性能劣化を抑制できると共に記録層との
接着力を高める効果が期待でき好ましい。これらの保護
層および拡散防止層により、耐久性や耐吸湿性の向上、
記録層の保護コート、基板からの剥離や盛り上がり等の
変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒体の消失防止、
等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化を利用する場合
の繰返し性の向上等の効果が期待できる。

【００２２】［製造方法］本発明の記録媒体の作製法に
は種々の方法が挙げられるが、ここでは一例としてマグ
ネトロンスパッタ法について説明する。

【００２３】本発明の記録媒体は、パイレックスガラ
ス、ＰＭＭＡ、ポリカーボネイト（以下ＰＣという）な
どからなる基板を１０〜１５０ｒｐｍで回転させ、組成
や膜厚の均一化を図りながら、例えば、保護層、記録
層、拡散防止層あるいは冷却層を各々目的に応じて順次
積層形成する。スパッタ条件は、例えばスパッタガスに
アルゴンガスを用い、ＲＦ出力数十〜１ｋＷ、真空度８
×１０^-1Ｐａ〜１×１０^-1Ｐａ程度の条件範囲で行なう
ことができる。

【００２４】保護層や拡散防止層は、ＳｉＯ₂、Ｚｒ
Ｃ、ＩＴＯ、ＺｎＳおよびＭｇＦ₂や、それらの混合組
成のターゲットを用いて、水晶振動子膜厚計でモニター
しながら、単独または同時スパッタして形成すれば良
い。ここで、ＩＴＯ膜の場合にはスパッタガスをＡｒ：
Ｏ＝９：１（モル比）の混合ガスとし、ＲＦまたはＤＣ
のスパッタ法を用いた。ＤＣスパッタ法では、出力を２
００〜４００Ｗとした。

【００２５】記録層は、例えば、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅおよ
びＡｇ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金などを水晶膜厚計で
モニターしながら同時スパッタして所定組成の記録膜と
する。あるいは、所定薄膜組成となるように勘案した
（Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ）の３元素を主成分とするターゲッ
トを用いてスパッタしても良い。

【００２６】冷却層はＡｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｒおよびＨｆ等の金属やそれらの
合金を記録薄膜と同様に形成すれば良い。

【００２７】これらのスパッタ条件は当然ながら装置に
より一定ではなく上記以外の条件で作製しても良いこと
は言うまでもなく、作製方法としても、例えば真空蒸着
法や電子ビーム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良い
ことは言うまでもない。

【００２８】［用途］このようにして得られた本発明の
光ディスクは、特に、低線速度域での情報の記録および
消去に好ましい特性を備えたものである。

【００２９】［測定法］転移温度ガラス基板上に作製した記録薄膜上に一対の電極を設
け、その一端に３０ｋΩの抵抗を直列に接続する。残る
電極と抵抗の両端に５Ｖの一定電圧を印加し、電圧計で
抵抗の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電
流を求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制
御器で約１０℃／分の速度で基板全体を均一に加熱昇温
しながら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温
度を求め転移温度とする。

【００３０】組成ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸等で溶解
させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法（セイコー電子（株）
ＳＰＳ−１１００型）により、各元素の含有量を求め、
組成比を算出した。

【００３１】動的記録・消去特性１．２ｍｍ厚、１３ｃｍ直径、１．６μｍピッチのスパ
イラルグルーブ付きのＰＣ基板上に記録薄膜を形成した
ものを試料とした。評価装置は波長８３０ｎｍの半導体
レーザを組み込んだ光ヘッドとディスク回転装置および
それらの制御回路で主に構成されている。光ヘッドは回
転するディスク基板を通して記録膜上に開口数０．５の
対物レンズでレーザ光を集光し、基板に刻まれたグルー
ブに沿ってトラッキングするよう制御されている。記録
は１〜１５ｍＷの記録パワーで、周波数が０．２〜５Ｍ
Ｈｚ、信号のデューティを１０〜９０％とし、消去パワ
ーは１〜１５ｍＷの範囲で測定した。線速度は０．５〜
１２ｍ／秒とした。ＣＮＲは、記録信号を０．７ｍＷで
再生し、３０ｋＨｚのバンド幅としたスペクトラルアナ
ライザを用いＲＦ信号から求めた。消去率は記録と消去
後のキャリア信号の差から求めた。またキャリア周波数
位置でのノイズはその前後のノイズ値より補間で求め
た。

【００３２】静的記録・消去特性１．２ｍｍ厚パイレックスガラス、ＰＭＭＡ、０．４ｍ
ｍ厚ＰＣの各基板上に記録薄膜を形成したものを試料と
した。評価装置は波長８３０ｎｍの半導体レーザを組み
込んだ光ヘッドとその制御回路で主に構成されている。
光ヘッドはＸ−Ｙステージ上に保持された基板を通して
記録膜上に開口数０．５の対物レンズでレーザ光を集光
するよう制御されている。光ヘッドに印加する記録また
は消去パルスで生じた、非晶と結晶間の可逆的相転移に
伴う反射光量の変化をＲＦ信号として取出し、繰返し耐
久性や記録のコントラストを評価するようになってい
る。記録と消去のパワーは１〜２０ｍＷ範囲で測定し、
再生パワーは０．５ｍＷとした。コントラストはＲＦ出
力の結晶と非晶でのレベル差と結晶状態との比として求
めた。

【００３３】

【実施例】本発明を更に実施例に基づいて、詳細に説明
する。

【００３４】実施例１製造方法で述べたスパッタ法により、パイレックスガラ
ス基板およびＰＭＭＡ基板の各々に保護層、記録層、拡
散防止層、冷却層および保護層をこの順に形成した。基
板は毎分４０回転させて組成と膜厚の均一化を図った。

【００３５】真空度５Ｘ１０^-1Ｐａで、基板上にＳｉＯ
₂保護層を約９５ｎｍ形成し、その上にＡｇ、Ｓｂ、Ｔ
ｅとそれらの合金を水晶振動子膜厚計でモニタしながら
同時スパッタしＡｇ₂₅Ｓｂ₃₈Ｔｅ₃₇組成の記録層を約９
５ｎｍ形成した。次いで約９０ｎｍのＳｉＯ₂拡散防止
層、約２０ｎｍのＡｕ冷却層を順次形成し、最後にＳｉ
Ｏ₂を約７０ｎｍ形成した。この記録媒体の結晶化温度
は約１３０℃であった。パイレックスガラス基板で測定
法で述べた静止記録・消去特性を評価した。１５ｍ
Ｗ、２８０ｎ秒の記録パルスと、４．７ｍＷ、２．５μ
秒の消去パルスで試料の同一箇所を繰返し交互に照射
し、再生パワー０．５ｍＷでのＲＦ信号の変化を評価し
たところ、約３３％のコントラストで、１０⁴回以上安
定して記録・消去を繰返すことができた。次に記録を
８．６ｍＷ、２μ秒、消去を４ｍＷ、３μ秒として同様
に評価したところ、コントラストが約３４％で、１０⁴
回以上の記録・消去繰返しが可能であった。次にＰＭＭ
Ａ基板でも記録を９．２ｍＷ、２８０ｎ秒、消去を３．
２ｍＷ、２．５μ秒とした条件と、記録を５．２ｍＷ、
１．５μ秒、消去を２ｍＷ、１０μ秒とした条件のそれ
ぞれで同様に評価したところ、いずれもコントラストが
２５％以上得られ、繰返しも１０⁴回以上か可能であっ
た。このように本発明の記録媒体は、記録のコントラス
トが良好で再生信号振幅が大きくとれ、記録のパルス幅
を大きくしても非晶マーク部の再結晶が生じにくく安定
な記録が可能であり、繰返し性も良好である。

【００３６】実施例２基板をスパイラルグルーブ付きＰＣ基板とし、記録層を
（イ）はＡｇ₁₀Ｓｂ₅₀Ｔｅ₄₀、（ロ）はＡｇ₃₀Ｓｂ₃₃Ｔ
ｅ₃₇、（ハ）はＡｇ₃₇Ｓｂ₃₃Ｔｅ₃₀、とした以外は実施
例１と同じ構成と組成の試料を作製し測定法の動的記
録・消去特性を評価した。

【００３７】先ず、線速度０．５ｍ／秒で結晶化による
初期化を試みた。試料（イ）と（ハ）は３．６ｍＷ、試
料（ロ）は２．７ｍＷとしたパワーでトラックに沿って
２回走査し、０．７ｍＷで再生した所、ＲＦ信号レベル
は明らかに高反射率に変化し、良好な初期化ができた。
ノイズの増加は数ｄＢ以下でほとんどなかった。次いで
試料（イ）は線速度６ｍ／秒、１３ｍＷ、２．５ＭＨ
ｚ、デューティ５０％で記録し、消去は線速度０．５ｍ
／秒、２．４ｍＷで行なった。線速度６ｍ／秒で再生し
たところ、記録のＣＮＲが５０ｄＢ、消去率が２５ｄＢ
以上が得られた。次に線速度を０．５ｍ／秒とし、記録
を７ｍＷ、０．２ＭＨｚ、デューティ１０％、消去を３
ｍＷの条件として各々記録消去したところ、線速度６ｍ
／秒の再生でほぼ同様な記録のＣＮＲが得られ、消去も
可能であった。更に、試料（ロ）、（ハ）は線速度を
０．５ｍ／秒とし、（ロ）は記録を５．５ｍＷ、０．２
ＭＨｚ、デューティ２０％、消去を２．７ｍＷの条件
で、（ハ）は記録を７ｍＷ、０．２ＭＨｚ、デューティ
１０％、消去を３ｍＷの条件として各々記録消去した。
線速度６ｍ／秒で再生したところ、（ロ）は記録のＣＮ
Ｒが４４ｄＢ、消去率が３２ｄＢ以上、（ハ）は記録の
ＣＮＲが４５ｄＢ、消去率が２６ｄＢ以上であった。い
ずれもノイズはほとんど増加せず数ｄＢ以内であった。
これらの試料の同一トラックで更に記録・消去の繰返し
を試みたところ、同様な特性での繰返しが可能であっ
た。この様に、本発明の記録媒体は安定な非晶化記録が
可能で消去特性も良好であり、特に低線速度としても良
好な記録・消去特性を持ち、低線速度で用いられる光デ
ィスクとして適用可能な優れた記録と消去の特性を持つ
ものである。

【００３８】比較例１記録層をＡｇを除いたＳｂ₅₉Ｔｅ₄₁とした以外は実施例
２と同様な構成でパイレックスガラス基板およびＰＣの
ディスク基板の各々に媒体を形成した。

【００３９】パイレックスガラス基板で静止記録・消去
特性を評価したところ、記録を８．４ｍＷ、５００ｎ
秒、消去を４．６ｍＷ、１μ秒とした場合、コントラス
トは少し低下し約２５％であったが、記録パルスの幅を
広げ７ｍＷ、１μ秒とし、消去を４．８ｍＷ、１μ秒と
して評価すると、コントラストが大巾に低下し１４％と
なった。またこの媒体の結晶化温度は７０℃程度であ
り、記録の安定性も低下していた。

【００４０】次にＰＣ基板で動的記録・消去特性を評価
した。線速度０．５ｍ／秒、３．３ｍＷのパワーで２回
走査し初期化を行った後、線速度０．５ｍ／秒で記録を
６ｍＷ、０．２ＭＨｚ、デューティ２０％として記録後
線速度６ｍ／秒で再生したところ、再生信号（キャリ
ア）が低下しており十分な記録のＣＮＲが得られなかっ
た。そこで、線速度を１ｍ／秒とし記録を８ｍＷ、０．
３ＭＨｚ、デューティ２０％、消去を２．５ｍＷとして
記録消去を行ったところ、この線速度でも非晶マークの
再結晶と思われるキャリアの低下が見られ、線速度６ｍ
／秒の再生で消去率は２３ｄＢ程度得られたものの、記
録のＣＮＲは３６ｄＢと小さかった。

【００４１】実施例３基板を厚み０．４ｍｍのＰＣ板とし、保護層および拡散
防止層を試料（ニ）はＳｉＯ₂膜とし、試料（ホ）はＤ
Ｃスパッタ法でＩＴＯ膜とし、試料（ヘ）はＺｎＳにＭ
ｇＦ₂を１０mol ％添加した膜とした以外は、実施例１
と同様の構成で記録媒体を形成した。静止記録・消去特
性の評価装置を用いて、Ｘ−ＹステージをＸ方向に走査
し、ＰＣ基板側からの記録・消去を試みた。先ず、５〜
１０ｃｍ／秒程度の線速度で消去パワーを３〜４ｍＷと
し、Ｙ方向に微小送りを行いながらＸ方向に繰返し走査
しまとまった領域を初期化した。その結果、いずれの試
料もＲＦ出力から、高反射率となる結晶化が確認でき
た。この初期化した領域を線速度５〜１０ｃｍ／秒程度
で走査しながら、５〜７ｍＷ、１ｋＨｚ、パルス幅１μ
秒の条件で記録した所、試料（ニ）〜（ヘ）のいずれも
顕微鏡で明瞭な非晶マークが観測され、良好かつ安定し
て記録できることが確認できた。次いでＸ方向に戻し、
同じ線速度で消去パワーを２．５〜３．５ｍＷとして連
続照射しながら、記録マーク上をなぞるように走査した
所、顕微鏡で見てオーバラップした箇所の非晶マークが
結晶化しているのが試料（ニ）〜（ヘ）全てで確認でき
た。これより本発明の記録媒体が良好かつ安定した記録
・消去が可能であることが分かる。

【００４２】実施例４パイレックスガラス基板で記録層をＡｇ₃₅Ｓｂ₃₃Ｔｅ₃₂
とし、冷却層を（ト）はＡｕを約２０ｎｍ、（チ）はＨ
ｆを約４０ｎｍ、（リ）はＡｌを約４０ｎｍ、（ヌ）は
Ｎｉ₈₀Ｃｒ₂₀合金を約４０ｎｍとした以外は実施例１と
同様な構成の試料を作製した。この試料の結晶化温度は
約１４３℃であり、記録の保存安定性には十分であっ
た。測定法で述べた静止記録・消去特性を、記録を６
〜９ｍＷ、１μ秒、消去を３．５〜４．５ｍＷ、１μ秒
として評価したところ、コントラストがいずれも２５％
以上が得られ、記録・消去の繰返しも１０⁴回以上が可
能であった。

【００４３】実施例５パイレックスガラス基板で記録層を（ル）はＡｇ₂₃Ｓｂ
₄₄Ｔｅ₃₃、（オ）はＡｇ₁₅Ｓｂ₅₂Ｔｅ₃₃、（ワ）はＡｇ
₁₅Ｓｂ₄₃Ｔｅ₄₂、とした以外は実施例１と同様な構成の
試料を作製した。測定法で述べた静止記録・消去特性
を、記録を６〜９ｍＷ、１μ秒、消去を３．５〜４．５
ｍＷ、１μ秒として評価したところ、コントラストがい
ずれも２５％以上が得られ、記録・消去の繰返しも１０
⁴回以上が可能であった。

【００４４】

【発明の効果】本発明による光ディスクは以下に述べる
ような優れた効果を奏するものである。

【００４５】低線速度としても、記録のＣＮＲ特性
や消去率の良好な、媒体のノイズが小さい光ディスクが
得られる。

【００４６】記録のパルス幅を大きくしても良好な
記録・消去の繰返し特性を持ち、記録のコントラストが
良好な光ディスクが得られる。

【００４７】冷却層を設けることにより、記録マー
ク形成の安定性が増し、マーク端部のきれが良好でＣＮ
Ｒの優れた光ディスクが得られる。

【００４８】結晶化転移温度が適切であり、既記録
情報の長期保存性に優れた光ディスクが得られる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された記録薄膜にエネルギー
ビームを照射し、直接または間接に発生する熱により、
該記録薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記録およ
び消去を行う光ディスクにおいて、上記記録薄膜が銀
（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）の
３元素から主としてなり、かつその主としてなる３元素
の組成が、一般式Ａｇ_xＳｂ_yＴｅ_z ｘ：薄膜中のＡｇの原子数ｙ：薄膜中のＳｂの原子数ｚ：薄膜中のＴｅの原子数と表した場合、ｚの範囲が２０≦ｚ≦３８の場合には、
ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦５０、３２≦ｙ≦６０
であり、ｚの範囲が３８＜ｚ≦５５の場合には、ｘ、ｙ
の範囲がそれぞれ５≦ｘ≦２５、４２≦ｙ≦６０であ
り、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする光
ディスク。
【請求項２】記録薄膜に隣接して冷却層を設けてなる請
求項１記載の光ディスク。
【請求項３】記録薄膜と冷却層の間に拡散防止層を有し
てなる請求項２記載の光ディスク。
【請求項４】冷却層がＡｕ、Ｈｆ、Ａｌ、ＮｉおよびＣ
ｒの少なくとも一種から主として構成されてなる請求項
２または３記載の光ディスク。