JPH06127135A

JPH06127135A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH06127135A
Application number: JP4283133A
Authority: JP
Inventors: Kusato Hirota; 草人廣田; Gentaro Obayashi; 元太郎大林; Masami Yashiro; 雅美家城
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1992-10-21
Filing date: 1992-10-21
Publication date: 1994-05-10

Abstract

(57)【要約】【構成】本発明は、記録層の結晶状態が、実質的に単一
の結晶相からなる下記の組成式で表されるテルル合金で
あることを特徴とする光記録媒体に関する。組成式Ｐｄ_z（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．３５≦ｘ≦０．７０．２≦ｙ≦０．５０．０００５≦ｚ≦０．００５【効果】本発明によると、記録感度が高く、また消去
率、Ｃ／Ｎが高い。また、多数回の記録消去を繰り返し
ても、動作が安定しており、特性の劣化がほとんどな
い。さらに、耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。

【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。

【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。

【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００６】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅などの合金（N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 ）が知られている。

【０００７】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohota et al,Japanese Jounal of A
pplied Physics, Vol 28(1989)Suppl. 28-3 pp123 - 12
8）。

【０００８】前述のＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅などのＴｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂの３元系合金を記録層とする急冷構造の書換可
能相変化型光記録媒体における課題は、記録、消去ある
いは書換の繰返し、すなわち溶融、固化の繰り返しによ
り、記録膜の膜厚の変動や、微細な開口の発生が生じ易
く、繰返記録耐久性が不十分なことである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
のＧｅＳｂＴｅを記録膜とする光記録媒体の課題を解決
し、繰返し耐久性の改良された光記録媒体を提供するこ
とである。

【００１０】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つ、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠
陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
において、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体
層と反射層を有し、かつ前記記録層の結晶状態が、実質
的に単一の結晶相からなる下記の組成式で表されるテル
ル合金であることを特徴とする光記録媒体に関する。

【００１２】組成式Ｐｄ_z（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．３５≦ｘ≦０．７０．２≦ｙ≦０．５０．０００５≦ｚ≦０．００５ここで、Ｐｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅは
テルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。またｘ，ｙ，ｚ及
び数字は、各元素の原子の数（各元素のモル数）を表
す。

【００１３】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物であり、かつ結晶状態において、
実質的に単一の結晶相となる新規な非化学両論組成の４
元合金からなるものである。結晶状態が単一相であるた
め、結晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能
である。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏
析などによる記録特性の劣化が起き難い。

【００１４】組成式中のＰｄは、組成式中のｚで表され
る含有量の範囲において、記録、消去あるいは書換の多
数回の繰返により発生する記録層の膜厚変動や記録層の
開口の発生を抑制する。このメカニズムの詳細は十分明
らかにはなっていないが、記録層のＴｅ、Ｓｂなどの元
素とパラジウムが強固に結合を作り、記録層の高温融解
状態において粘性を高めることにより、記録時の記録層
の流動性が低くなるためと推定される。また、Ｐｄは、
記録層の記録マークのアモルファス状態の熱安定性を向
上させる効果もある。本願発明の記録層は、Ｐｄの量を
組成式に示したように、比較的少量にすることにより、
速い結晶化速度と記録の熱安定性、良好な繰返し記録耐
久性を同時に実現している。

【００１５】組成式のｚの値が、０．００５より大きい
場合には、記録層の結晶化速度が遅くなり、高速で消去
した場合の消去率が低下し、記録の書換が不完全になる
場合がある。さらにｚの値がおよそ０．０５を越えると
記録層の結晶状態が実質的に複数の相の結晶から構成さ
れるため、結晶化速度がきわめて遅く、また偏析が生じ
易く、消去、書換の繰返しが困難になる。また、ｚの値
が０．０００５未満の場合には、既に述べた有意な効果
が発現せず、書換の繰返し耐久性や、記録マークのアモ
ルファス状態の熱安定性が著しく低下する。ｚの値とし
ては、０．００１以上かつ０．００４以下が、結晶化速
度が速く、かつ記録マークのアモルファス状態の熱安定
性が良好で、かつ書換の繰返し耐久性が高いことから好
ましい。とりわけ０．００１以上、０．００２以下が結
晶化速度が速いことから好ましい。

【００１６】組成式中のｘの値は、０．３５≦ｘ≦０．
７の範囲が、結晶化速度が速く、高速で書換が可能であ
り、かつ書換の可逆性も良好である。０．７より大きい
場合には、Ｓｂ成分が多くなり過ぎ、０．３５未満の場
合には、Ｔｅ成分が多くなり過ぎ、いずれの場合も結晶
化速度が著しく遅くなると同時に、偏析が生じ易くなり
書換の繰返しが困難になる。また、ｘの値としては０．
４以上０．５以下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰
返し耐久性が高いことから好ましい。

【００１７】組成式中のｙの値は、０．２≦ｙ≦０．５
の範囲が、記録マークのアモルファス状態の熱安定性が
高く、かつ結晶化速度も速く、高速で記録の書換が可能
である。０．５より大きい場合には、アモルファス状態
の熱安定性は良好だが、書換の繰り返し耐久性が著しく
悪くなる。一方０．２未満の場合には、記録マークのア
モルファス状態の熱安定性が著しく悪くなる。ｙの値と
しては、０．３以上０．４未満が、書換の繰返し耐久性
が高く、かつアモルファス状態の熱安定性が高いことか
ら好ましい。

【００１８】本発明の光記録媒体の代表的な層構成は、
透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射
層の積層体からなる（ここで光は基板側から入射す
る）。但しこれに限定されるものではなく、反射層上に
本発明の効果を損なわない範囲でＳｉＯ₂やＺｎＳ、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ₂などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹
脂層、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設
けてもよい。

【００１９】本発明において誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。この誘電体層としては、Ｚｎ
Ｓ，ＳｉＯ₂、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機薄膜があげられる。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，などの金属の酸化物の薄
膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
などの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜
が、耐熱性が高いことから好ましい。また、これらに炭
素や、ＭｇＦ₂などのフッ化物を混合したものも、膜の
残留応力が小さいことから好ましく使用される。特にＺ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ₂と
炭素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記
録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことか
ら好ましく、とりわけＺｎＳとＳｉＯ₂と炭素の混合膜
が好ましい。

【００２０】第１および第２誘電体層の厚さとしては、
通常、およそ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層
は、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥
が生じ難いことから、１００〜４００ｎｍがより好まし
い。また第２誘電体層は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特
性、安定に多数回の書換が可能なことから１０〜３０ｎ
ｍがより好ましい。

【００２１】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ，Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くできることから好ましい。前述の合金の例としては、
ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で１原子％以上２０原子％以下加え
たものなどがある。

【００２２】特に、材料の価格が安いことから、Ａｌを
主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食性が良
好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ，
Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金属を合
計で０．５原子％以上５原子％以下添加した合金が好ま
しい。

【００２３】さらに、耐腐食性が良好でかつヒロックな
どの発生が起こりにくいことから、添加元素を合計で
０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ
合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−
Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔ
ｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌ
を主成分とする合金で構成することが好ましい。

【００２４】反射層の厚さとしては、おおむね１０ｎｍ
以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００２５】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。

【００２６】すなわち、第１誘電体層の厚さが１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍであり、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ
〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜３０
ｎｍ、反射層の厚さを３０ｎｍ〜２００ｎｍとし、誘電
体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜であり、ＳｉＯ₂の混
合比が１５〜３５モル％であり、かつ記録層の組成が次
式で表される範囲にあることが好ましい。

【００２７】組成式Ｐｄ_z（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．３５≦ｘ≦０．５０．２≦ｙ≦０．４０．０００５≦ｚ≦０．００５ここで、Ｐｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅは
テルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。またｘ，ｙ，ｚ及
び数字は、各元素の原子の数（各元素のモル数）を表
す。

【００２８】本発明の基板の材料としては、公知の透明
な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。

【００２９】ほこり、基板の傷などの影響をさけるため
に、透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記
録を行なうことが好ましく、この様な透明基板材料とし
ては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタク
リレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂などがあげられる。特に、光学的複屈折が小さ
く、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカ
ーボネート樹脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が
好ましい。

【００３０】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度をあげることが困難になる。

【００３１】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カ−ド状で使用する。リジ
ッドな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。

【００３２】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。

【００３３】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなる
ことから好ましい。

【００３４】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。

【００３５】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。

【００３６】記録層などの形成は、基板を固定したまま
の状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行なっ
てもよい。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせる
ことが、より好ましい。

【００３７】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ，ＳｉＯ₂などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けることができる。また、反射層などを形成した後、あ
るいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基
板を対向して、接着剤で張り合わせてもよい。

【００３８】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。［分析，測定方法］反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。

【００４０】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。

【００４１】実施例１厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波スパッタ法により、記
録層、誘電体層、反射層を形成した。

【００４２】まず、真空容器内を１×１０^-5Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚３００ｎｍの第１誘電体層を形成した。続いて、
約Ｇｅ_0.18Ｓｂ_0.26Ｔｅ_0.56の組成の３元合金上にＰｄ
の小片を配置した複合ターゲットをスパッタして、組成
Ｐｄ_0.002Ｇｅ_0.178Ｓｂ_0.26Ｔｅ_0.56の膜厚２５ｎｍ
の記録層を形成した。さらに前述の第２誘電体層を２０
ｎｍ形成し、この上に、Ｐｄ_0.002Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.978
合金をスパッタして膜厚１００ｎｍの反射層を形成し
た。さらにこのディスクを真空容器より取り出した後、
この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂をスピンコー
トし、紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂
層を形成し本発明の光記録媒体を得た。

【００４３】この光記録媒体に波長８２０ｎｍの半導体
レーザーのビームでディスク全面の、記録層を結晶化し
初期化した。その後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レ
ンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍ
の光学ヘッドを使用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス
幅６０ｎｓｅｃ、ピークパワー９〜１７ｍＷ、ボトムパ
ワー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で
１００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．３
ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの
条件でＣ／Ｎを測定した。

【００４４】さらにこの部分を１．４ＭＨｚで、先と同
様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワンビーム・オ
ーバーライトし、この時の３．７ＭＨｚの消去率を測定
した。

【００４５】ピークパワー１５ｍＷ以上で実用上十分な
５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー５〜
８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大３０ｄＢの消
去率が得られた。

【００４６】さらにピーク・パワー１７ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。

【００４７】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。

【００４８】比較例１実施例１の光記録媒体の記録層の組成をＧｅ_0.18Ｓｂ
_0.26Ｔｅ_0.56とした他は、実施例１と同様の構成の光記
録媒体を作製し、実施例２と同様の測定を行った。

【００４９】Ｃ／Ｎは初期が５３ｄＢであり、１５０時
間は５２ｄＢ、１０００時間経過後は４０ｄＢと、１０
００時間後には著しい劣化が見られた。この事から、記
録マークの熱的安定性が不十分であり、記録の長期保存
性に問題があることが明らかになった。

【００５０】実施例２実施例１の記録層の組成をＰｄ_0.001Ｇｅ_0.179Ｓｂ
_0.26Ｔｅ_0.56およびＰｄ_0.004Ｇｅ_0.178Ｓｂ_0.26Ｔｅ
_0.558とした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体
をそれぞれ作製した。この２つの光記録媒体を実施例１
と同様の装置で、同様の記録条件で記録特性を測定し
た。いずれもピークパワー１５ｍＷ以上で実用上十分な
５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー５〜
８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大３０ｄＢの消
去率が得られた。

【００５１】また、ピーク・パワー１７ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。

【００５２】実施例３実施例１の記録層の組成をＰｄ_0.001Ｇｅ_0.179Ｓｂ
_0.26Ｔｅ_0.56とし、第１誘電体層の厚さを２００ｎｍと
した他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体をそれぞ
れ作製した。この光記録媒体を実施例１と同様の装置
で、線速度を１５ｍ／秒、記録周波数を７．３５ＭＨ
ｚ、消去率測定時にオーバーライトする周波数を２．７
６ＭＨｚ、記録パルス幅を５０ｎｓｅｃとした他は、実
施例１と同様の方法で記録特性を測定した。ピークパワ
ー１５ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー７〜１０ｍＷで実用上十分な
２０ｄＢ以上、最大２７ｄＢの消去率が得られた。

【００５３】実施例４実施例１の光記録媒体の基板をフォーマット付きの別の
基板に替え、かつ反射層の厚さを１２０ｎｍにした他
は、実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００５４】その後、線速度８．５ｍ／秒の条件で、対
物レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長８３０
ｎｍの光学ヘッドを使用して、パルス幅５０ｎｓｅｃ、
ピークパワー２０ｍＷ、ボトムパワー９ｍＷの条件に変
調した半導体レーザー光で、２−７コード（１．５Ｔの
周波数５．３ＭＨｚ）のランダム・データ・パターンを
同一トラックに１００回、さらに１０万回オーバーライ
ト・モードで記録した。その後再生し、再生波形を観察
したところ、初期１００回記録後に比べ、殆ど劣化がな
く良好な再生波形が得られた。さらに、このトラックの
ビット・エラー率（ＢＥＲ）を測定したところ５×１０
^-5と良好な値であった。

【００５５】また、記録材料の移動による記録セクタ、
の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間
のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。

【００５６】比較例２記録層の組成をＧｅ_0.22Ｓｂ_0.23Ｔｅ_0.55とした他は実
施例４と同様の構成の本発明の範囲外の従来の光記録媒
体を作製した。この光記録媒体の記録感度を測定したと
ころ、実施例１とほぼ同じであった。この光記録媒体を
実施例１と同様に１００回、さらに１０万回繰り返しオ
ーバーライト記録を行い再生波形を観察したところ、１
０万回後は、１００回目に比べ、記録層の膜厚変動が大
きく、データ部分の信号に振幅が著しく低下した部分が
多数見られた。ビット・エラー率（ＢＥＲ）を測定した
ところ、３×１０^-1以上とエラー訂正を行っても、デー
タの再現が全く困難なレベルまで悪化していた。

【００５７】また、記録材料の移動による記録セクタの
先端部、終端部の再生波形つぶれが顕著に見られた。

【００５８】

【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定し
ており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) 記録マークの熱安定性が高く、記録の長期保存性
に優れる。 (5) スパッタ法により容易に作製できる。 (6) 高い線速度でも良好なオーバーライト特性が得ら
れる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体
が少なくとも記録層と誘電体層と反射層を有し、かつ前
記記録層の結晶状態が、実質的に単一の結晶相からなる
下記の組成式で表されるテルル合金であることを特徴と
する光記録媒体。組成式Ｐｄ_z（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．３５≦ｘ≦０．７０．２≦ｙ≦０．５０．０００５≦ｚ≦０．００５ここで、Ｐｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅは
テルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。またｘ，ｙ，ｚ及
び数字は、各元素の原子の数（各元素のモル数）を表
す。