JPH08254392A - 基板の熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents
基板の熱処理方法及び熱処理装置Info
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- JPH08254392A JPH08254392A JP7058391A JP5839195A JPH08254392A JP H08254392 A JPH08254392 A JP H08254392A JP 7058391 A JP7058391 A JP 7058391A JP 5839195 A JP5839195 A JP 5839195A JP H08254392 A JPH08254392 A JP H08254392A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板の温度を均等に推移させて熱処理工程の歩
留りを高めるとともに、温度プロファイルの最適化を容
易にすることを目的とする。 【構成】被処理基板Ｗを温度条件の異なる複数の熱処理
ゾーンＥ１１〜Ｅ１５に順に搬送することによって、特
定の温度履歴が得られるように被処理基板Ｗの温度を推
移させる際に、各熱処理ゾーンＥ１１〜Ｅ１５を互いに
熱的に独立させて隣接配置しておき、１つの当該熱処理
ゾーンＥ１１〜Ｅ１４における熱処理が終了した後に、
当該熱処理の所要時間に比べて十分に短い時間内に被処
理基板Ｗを次段の熱処理ゾーンＥ１２〜Ｅ１５に移して
次の熱処理を行う。
留りを高めるとともに、温度プロファイルの最適化を容
易にすることを目的とする。 【構成】被処理基板Ｗを温度条件の異なる複数の熱処理
ゾーンＥ１１〜Ｅ１５に順に搬送することによって、特
定の温度履歴が得られるように被処理基板Ｗの温度を推
移させる際に、各熱処理ゾーンＥ１１〜Ｅ１５を互いに
熱的に独立させて隣接配置しておき、１つの当該熱処理
ゾーンＥ１１〜Ｅ１４における熱処理が終了した後に、
当該熱処理の所要時間に比べて十分に短い時間内に被処
理基板Ｗを次段の熱処理ゾーンＥ１２〜Ｅ１５に移して
次の熱処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に対して特定の熱
処理を加える熱処理方法、及びそのための熱処理装置に
関し、基板上に印刷された厚膜層又は基板自体の焼成な
どに利用される。
処理を加える熱処理方法、及びそのための熱処理装置に
関し、基板上に印刷された厚膜層又は基板自体の焼成な
どに利用される。
【０００２】一対の基板からなるＰＤＰ（プラズマディ
スプレイパネル）は、大画面表示用の薄型表示デバイス
として注目されている。このため、大型のＰＤＰに適し
た製造技術の開発が進められている。
スプレイパネル）は、大画面表示用の薄型表示デバイス
として注目されている。このため、大型のＰＤＰに適し
た製造技術の開発が進められている。
【０００３】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、一対の
基板を対向配置して周囲を封止し、内部に放電空間を形
成した表示デバイスである。従来において、プラズマデ
ィスプレイパネルの製造に際しては、基板上への厚膜電
極、誘電体層、隔壁などの形成に、ベルト式焼成装置が
用いられていた。
基板を対向配置して周囲を封止し、内部に放電空間を形
成した表示デバイスである。従来において、プラズマデ
ィスプレイパネルの製造に際しては、基板上への厚膜電
極、誘電体層、隔壁などの形成に、ベルト式焼成装置が
用いられていた。
【０００４】ベルト式焼成装置は、ベルトによって処理
物を搬送しながら焼成するインライン形式の焼成装置で
ある。筒状の焼成炉の内部にはベルトの移動方向に沿っ
て複数のヒーターが並べられており、各ヒーターの温度
制御及び搬送速度の調整によって処理物の温度プロファ
イル（温度履歴）を設定することができる。
物を搬送しながら焼成するインライン形式の焼成装置で
ある。筒状の焼成炉の内部にはベルトの移動方向に沿っ
て複数のヒーターが並べられており、各ヒーターの温度
制御及び搬送速度の調整によって処理物の温度プロファ
イル（温度履歴）を設定することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ベルト式焼成装置は、
焼成炉の内部に処理物を固定配置するバッチ式焼成装置
と比べて、プラズマディスプレイパネルの量産性の面で
有利である。
焼成炉の内部に処理物を固定配置するバッチ式焼成装置
と比べて、プラズマディスプレイパネルの量産性の面で
有利である。
【０００６】しかし、ベルト式焼成装置による場合は、
焼成炉内の温度が処理物である基板の搬送方向に沿って
変化するので、すなわち焼成炉内の温度分布方向と基板
面とが平行であるので、基板が大型になるにつれて基板
における搬送方向の前方側と後方側との間の温度差が大
きくなり、熱収縮の影響が顕著になるという問題があっ
た。例えば下層の電極と上層の隔壁との位置関係が基板
面内で不均一になり、そのために表示の高精細化が制限
されていた。
焼成炉内の温度が処理物である基板の搬送方向に沿って
変化するので、すなわち焼成炉内の温度分布方向と基板
面とが平行であるので、基板が大型になるにつれて基板
における搬送方向の前方側と後方側との間の温度差が大
きくなり、熱収縮の影響が顕著になるという問題があっ
た。例えば下層の電極と上層の隔壁との位置関係が基板
面内で不均一になり、そのために表示の高精細化が制限
されていた。
【０００７】また、温度プロファイルの設定のための制
御が複雑であり、温度プロファイルの最適化が難しいと
いう問題もあった。なお、基板の温度を一様に変化させ
る手法として、特開昭６１−６８７５号のように、基板
面と温度分布方向とが直交するいわゆる縦型の焼成炉を
用いることが考えられる。ただし、その場合も処理対象
に応じて温度プロファイルを容易に最適化することはで
きない。
御が複雑であり、温度プロファイルの最適化が難しいと
いう問題もあった。なお、基板の温度を一様に変化させ
る手法として、特開昭６１−６８７５号のように、基板
面と温度分布方向とが直交するいわゆる縦型の焼成炉を
用いることが考えられる。ただし、その場合も処理対象
に応じて温度プロファイルを容易に最適化することはで
きない。
【０００８】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
ので、基板の温度を均等に推移させて熱処理工程の歩留
りを高めるとともに、温度プロファイルの最適化を容易
にすることを目的としている。
ので、基板の温度を均等に推移させて熱処理工程の歩留
りを高めるとともに、温度プロファイルの最適化を容易
にすることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の基板の
熱処理方法は、図１及び図２に示すように、被処理基板
を温度条件の異なる複数の熱処理ゾーンに順に搬送する
ことによって、特定の温度履歴が得られるように当該被
処理基板の温度を推移させる際に、前記各熱処理ゾーン
を互いに熱的に独立させて隣接配置しておき、１つの当
該熱処理ゾーンにおける熱処理が終了した後に、当該熱
処理の所要時間に比べて十分に短い時間内に前記被処理
基板を次段の前記熱処理ゾーンに移して次の熱処理を行
う方法である。
熱処理方法は、図１及び図２に示すように、被処理基板
を温度条件の異なる複数の熱処理ゾーンに順に搬送する
ことによって、特定の温度履歴が得られるように当該被
処理基板の温度を推移させる際に、前記各熱処理ゾーン
を互いに熱的に独立させて隣接配置しておき、１つの当
該熱処理ゾーンにおける熱処理が終了した後に、当該熱
処理の所要時間に比べて十分に短い時間内に前記被処理
基板を次段の前記熱処理ゾーンに移して次の熱処理を行
う方法である。
【００１０】請求項２の発明の方法は、前記熱処理ゾー
ンとして、第１、第２及び第３のゾーンを互いに熱的に
独立させて隣接配置しておき、前記第１のゾーン内で前
記被処理基板を特定温度まで加熱して前記第２のゾーン
に移し、当該第２のゾーン内で一定時間にわたって当該
被処理基板の温度を前記特定温度に保ち、その後に当該
被処理基板を当該第２のゾーンから前記第３のゾーンに
移し、当該第３のゾーン内で当該被処理基板の温度を降
下させる方法である。
ンとして、第１、第２及び第３のゾーンを互いに熱的に
独立させて隣接配置しておき、前記第１のゾーン内で前
記被処理基板を特定温度まで加熱して前記第２のゾーン
に移し、当該第２のゾーン内で一定時間にわたって当該
被処理基板の温度を前記特定温度に保ち、その後に当該
被処理基板を当該第２のゾーンから前記第３のゾーンに
移し、当該第３のゾーン内で当該被処理基板の温度を降
下させる方法である。
【００１１】請求項３の発明の方法は、前記前記各熱処
理ゾーンの処理時間を互いに同一の時間に設定するもの
である。請求項４の発明の装置は、被処理基板を均等に
特定温度まで加熱するための加熱ゾーンと、前記被処理
基板の温度を前記特定温度に保持するための熱処理ゾー
ンであり、前記加熱ゾーンと隣接し且つ熱的に独立した
恒温ゾーンと、前記被処理基板の温度を前記特定温度か
ら降下させるための熱処理ゾーンであり、前記恒温ゾー
ンと隣接し且つ熱的に独立した冷却ゾーンと、前記加熱
ゾーンから前記恒温ゾーンを経て前記冷却ゾーンへ前記
被処理基板を移動させるためのゾーン間搬送手段と、を
備えてなる。
理ゾーンの処理時間を互いに同一の時間に設定するもの
である。請求項４の発明の装置は、被処理基板を均等に
特定温度まで加熱するための加熱ゾーンと、前記被処理
基板の温度を前記特定温度に保持するための熱処理ゾー
ンであり、前記加熱ゾーンと隣接し且つ熱的に独立した
恒温ゾーンと、前記被処理基板の温度を前記特定温度か
ら降下させるための熱処理ゾーンであり、前記恒温ゾー
ンと隣接し且つ熱的に独立した冷却ゾーンと、前記加熱
ゾーンから前記恒温ゾーンを経て前記冷却ゾーンへ前記
被処理基板を移動させるためのゾーン間搬送手段と、を
備えてなる。
【００１２】請求項５の発明の装置は、前記加熱ゾーン
及び冷却ゾーンが、上下方向に沿って内部温度の変化す
る縦型の熱処理ゾーンであり、前記被処理基板を水平配
置した状態で上下方向に移動させるゾーン内搬送手段を
有した装置である。
及び冷却ゾーンが、上下方向に沿って内部温度の変化す
る縦型の熱処理ゾーンであり、前記被処理基板を水平配
置した状態で上下方向に移動させるゾーン内搬送手段を
有した装置である。
【００１３】
【作用】各熱処理ゾーン毎に被処理基板内で温度むらが
生じないように温度条件が設定される。被処理基板は、
特定の温度履歴を経るための一連の熱処理に際して、各
熱処理ゾーンでの熱処理が終了する毎に間欠移動の形式
で、現時点で被処理基板を収納している熱処理ゾーンか
ら次段の熱処理ゾーンへ移される。
生じないように温度条件が設定される。被処理基板は、
特定の温度履歴を経るための一連の熱処理に際して、各
熱処理ゾーンでの熱処理が終了する毎に間欠移動の形式
で、現時点で被処理基板を収納している熱処理ゾーンか
ら次段の熱処理ゾーンへ移される。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の実施に係る焼成装置１の立面
視による模式図である。焼成装置１は、焼成炉１１と、
焼成炉１１の内部を貫通するワーク搬送用のベルト１２
とを有している。焼成炉１１の内部は断熱壁などによっ
てベルト１２の搬送方向に沿って並ぶ５つのゾーンＥ１
１〜１５に区画されている。ただし、各ゾーンＥ１１〜
１５の互いの間には、各ゾーンＥ１１〜１５を互いに熱
的に分離し且つベルト１２による基板Ｗの搬送を可能に
するため、エアーカーテンなどの断熱ゲート機構１３が
設けられている。また、焼成炉１１の入口及び出口にも
断熱ゲート機構１３が設けられている。
視による模式図である。焼成装置１は、焼成炉１１と、
焼成炉１１の内部を貫通するワーク搬送用のベルト１２
とを有している。焼成炉１１の内部は断熱壁などによっ
てベルト１２の搬送方向に沿って並ぶ５つのゾーンＥ１
１〜１５に区画されている。ただし、各ゾーンＥ１１〜
１５の互いの間には、各ゾーンＥ１１〜１５を互いに熱
的に分離し且つベルト１２による基板Ｗの搬送を可能に
するため、エアーカーテンなどの断熱ゲート機構１３が
設けられている。また、焼成炉１１の入口及び出口にも
断熱ゲート機構１３が設けられている。
【００１５】各ゾーンＥ１１〜１５は、例えば画面サイ
ズが４０インチのＰＤＰの基板Ｗに比べて、温度の均一
化の上で十分に大きい平面積を有している。そして、各
ゾーンＥ１１〜１５には、基板Ｗの温度を部位に係わら
ず均等に推移させ又は保持するためのヒーターＨが配置
されている。焼成装置１では各ヒーターＨをゾーンＥ１
１〜１５毎に独立に制御することができる。
ズが４０インチのＰＤＰの基板Ｗに比べて、温度の均一
化の上で十分に大きい平面積を有している。そして、各
ゾーンＥ１１〜１５には、基板Ｗの温度を部位に係わら
ず均等に推移させ又は保持するためのヒーターＨが配置
されている。焼成装置１では各ヒーターＨをゾーンＥ１
１〜１５毎に独立に制御することができる。
【００１６】次に焼成装置１による焼成の手順を説明す
る。ここでは、低融点ガラスペーストを焼成して誘電体
層を形成するものとする。図２は温度プロファイルの一
例を示す図である。
る。ここでは、低融点ガラスペーストを焼成して誘電体
層を形成するものとする。図２は温度プロファイルの一
例を示す図である。
【００１７】低融点ガラスペーストを印刷して乾燥させ
た状態の基板Ｗを、焼成炉１１の外部でベルト１２に印
刷面を上方に向けて載置し、ベルト１２を一定距離だけ
移動させて第１番目のゾーンＥ１１の中央に素早く配置
する。そして、ゾーンＥ１１内で、基板Ｗの温度を室温
Ｔｒから所定の焼成温度（例えば６００℃）Ｔ１まで徐
々に加熱する。このとき、所要時間が一定時間ｔとなる
ようにヒーターＨの出力を設定しておく。
た状態の基板Ｗを、焼成炉１１の外部でベルト１２に印
刷面を上方に向けて載置し、ベルト１２を一定距離だけ
移動させて第１番目のゾーンＥ１１の中央に素早く配置
する。そして、ゾーンＥ１１内で、基板Ｗの温度を室温
Ｔｒから所定の焼成温度（例えば６００℃）Ｔ１まで徐
々に加熱する。このとき、所要時間が一定時間ｔとなる
ようにヒーターＨの出力を設定しておく。
【００１８】基板Ｗの温度が焼成温度Ｔ１に達すると、
すなわちゾーンＥ１１での処理が終了すると、直ちにベ
ルト１２を移動させて基板ＷをゾーンＥ１１から次段の
ゾーンＥ１２へ処理時間（一定時間）ｔよりも十分に短
い時間ｔｘ（ｔｘ≪ｔ）内に移す。ゾーンＥ１２では、
基板Ｗの温度を一定時間ｔにわたって焼成温度Ｔ１に保
つ。
すなわちゾーンＥ１１での処理が終了すると、直ちにベ
ルト１２を移動させて基板ＷをゾーンＥ１１から次段の
ゾーンＥ１２へ処理時間（一定時間）ｔよりも十分に短
い時間ｔｘ（ｔｘ≪ｔ）内に移す。ゾーンＥ１２では、
基板Ｗの温度を一定時間ｔにわたって焼成温度Ｔ１に保
つ。
【００１９】一定時間ｔが経過してゾーンＥ１２での処
理が終了すると、再びベルト１２を移動させて基板Ｗを
ゾーンＥ１２から次段のゾーンＥ１３へ移す。ゾーンＥ
１３では、一定時間ｔをかけて基板Ｗの温度を焼成温度
Ｔ１からそれより低い所定の温度Ｔ２まで徐々に降下さ
せる。
理が終了すると、再びベルト１２を移動させて基板Ｗを
ゾーンＥ１２から次段のゾーンＥ１３へ移す。ゾーンＥ
１３では、一定時間ｔをかけて基板Ｗの温度を焼成温度
Ｔ１からそれより低い所定の温度Ｔ２まで徐々に降下さ
せる。
【００２０】ゾーンＥ１３での処理が終了すると、基板
ＷをゾーンＥ１３から次段のゾーンＥ１４へ移す。ゾー
ンＥ１４では、一定時間ｔにわたって基板Ｗの温度を所
定の温度Ｔ２に保つ。その後は、基板ＷをゾーンＥ１４
からゾーンＥ１５へ移し、一定時間ｔをかけて基板Ｗを
温度Ｔ２からそれより低い温度Ｔ３まで徐々に冷却し、
焼成炉１１から排出する。
ＷをゾーンＥ１３から次段のゾーンＥ１４へ移す。ゾー
ンＥ１４では、一定時間ｔにわたって基板Ｗの温度を所
定の温度Ｔ２に保つ。その後は、基板ＷをゾーンＥ１４
からゾーンＥ１５へ移し、一定時間ｔをかけて基板Ｗを
温度Ｔ２からそれより低い温度Ｔ３まで徐々に冷却し、
焼成炉１１から排出する。
【００２１】このように焼成装置１では、各ゾーンＥ１
１〜１５での処理が終わる毎に間欠的に基板Ｗを移動さ
せる。つまり、いわゆるタクト送りの形式で各ゾーンＥ
１１〜１５の処理を行う。移動時間ｔｘは基板Ｗの温度
変化が無視できるように時間ｔより十分に短い時間とす
る。上述したように各ゾーンＥ１１〜１５の処理の所要
時間を一定時間ｔに設定することにより、一定時間ｔ毎
に基板Ｗを焼成炉１１に搬入し、多数枚の基板Ｗについ
て連続的（厳密には間欠的に）に焼成を行うことができ
る。そして、各ゾーンＥ１１〜１５において処理中は基
板Ｗの移動が行われないので、基板Ｗの温度を部位に係
わらず均等に推移させ又は保持することができる。
１〜１５での処理が終わる毎に間欠的に基板Ｗを移動さ
せる。つまり、いわゆるタクト送りの形式で各ゾーンＥ
１１〜１５の処理を行う。移動時間ｔｘは基板Ｗの温度
変化が無視できるように時間ｔより十分に短い時間とす
る。上述したように各ゾーンＥ１１〜１５の処理の所要
時間を一定時間ｔに設定することにより、一定時間ｔ毎
に基板Ｗを焼成炉１１に搬入し、多数枚の基板Ｗについ
て連続的（厳密には間欠的に）に焼成を行うことができ
る。そして、各ゾーンＥ１１〜１５において処理中は基
板Ｗの移動が行われないので、基板Ｗの温度を部位に係
わらず均等に推移させ又は保持することができる。
【００２２】図３は本発明の実施に係る他の焼成装置２
の立面視による模式図である。焼成装置２において、焼
成炉２１の内部は断熱壁などによって５つのゾーンＥ２
１〜２５に区画されている。
の立面視による模式図である。焼成装置２において、焼
成炉２１の内部は断熱壁などによって５つのゾーンＥ２
１〜２５に区画されている。
【００２３】焼成炉２１の入口からみて第１番目のゾー
ンＥ２１、第３番目のゾーンＥ２３、及び第５番目の最
終段のゾーンＥ２５は、上下方向にヒーターＨを配列し
た縦型の熱処理ゾーンである。つまり、ゾーンＥ２１，
Ｅ２３，Ｅ２５においては、上下方向に沿って内部温度
が変化する温度分布を得ることができる。このようなゾ
ーンＥ２１，Ｅ２３，Ｅ２５の内部には、基板Ｗを水平
に配置した状態で上下方向に移動させるための垂直搬送
機構２６，２７，２８が配置されている。また、ゾーン
Ｅ２１の下端側には、基板Ｗを焼成炉２１内に搬入する
ための水平搬送機構２２が設けられ、ゾーンＥ２５の上
端側には、基板Ｗを焼成炉２１から搬出するための水平
搬送機構２５が設けられている。
ンＥ２１、第３番目のゾーンＥ２３、及び第５番目の最
終段のゾーンＥ２５は、上下方向にヒーターＨを配列し
た縦型の熱処理ゾーンである。つまり、ゾーンＥ２１，
Ｅ２３，Ｅ２５においては、上下方向に沿って内部温度
が変化する温度分布を得ることができる。このようなゾ
ーンＥ２１，Ｅ２３，Ｅ２５の内部には、基板Ｗを水平
に配置した状態で上下方向に移動させるための垂直搬送
機構２６，２７，２８が配置されている。また、ゾーン
Ｅ２１の下端側には、基板Ｗを焼成炉２１内に搬入する
ための水平搬送機構２２が設けられ、ゾーンＥ２５の上
端側には、基板Ｗを焼成炉２１から搬出するための水平
搬送機構２５が設けられている。
【００２４】一方、第２番目のゾーンＥ２２及び第４番
目のゾーンＥ２４は、ヒーターＨによって基板Ｗの温度
を一定に保つ恒温ゾーンである。ゾーンＥ２２はゾーン
Ｅ２１，Ｅ２３の上端側に設けられ、ゾーンＥ２４はゾ
ーンＥ２２，Ｅ２５の下端側に設けられている。なお、
焼成装置２は、ゾーンＥ２１からゾーンＥ２３まで基板
Ｗを搬送する水平搬送機構２３と、ゾーンＥ２３からゾ
ーンＥ２５まで基板Ｗを搬送する水平搬送機構２４とを
備えている。
目のゾーンＥ２４は、ヒーターＨによって基板Ｗの温度
を一定に保つ恒温ゾーンである。ゾーンＥ２２はゾーン
Ｅ２１，Ｅ２３の上端側に設けられ、ゾーンＥ２４はゾ
ーンＥ２２，Ｅ２５の下端側に設けられている。なお、
焼成装置２は、ゾーンＥ２１からゾーンＥ２３まで基板
Ｗを搬送する水平搬送機構２３と、ゾーンＥ２３からゾ
ーンＥ２５まで基板Ｗを搬送する水平搬送機構２４とを
備えている。
【００２５】また、焼成炉２１の入口、出口、及び各ゾ
ーンＥ２１〜２５の間には、各ゾーンＥ１１〜１５を互
いに熱的に分離し且つ基板Ｗの搬送を可能にするため、
エアーカーテンなどの断熱ゲート機構２９が設けられて
いる。各ゾーンＥ２１〜２５は、いずれも基板Ｗに比べ
て温度の均一化の上で十分に大きい平面積を有してい
る。
ーンＥ２１〜２５の間には、各ゾーンＥ１１〜１５を互
いに熱的に分離し且つ基板Ｗの搬送を可能にするため、
エアーカーテンなどの断熱ゲート機構２９が設けられて
いる。各ゾーンＥ２１〜２５は、いずれも基板Ｗに比べ
て温度の均一化の上で十分に大きい平面積を有してい
る。
【００２６】焼成装置２の使用に際しては、一定時間ｔ
をかけて基板ＷをゾーンＥ２１の下端側から上端側へ移
動させて、その間に基板Ｗを焼成温度Ｔ１（図２参照）
まで加熱する。
をかけて基板ＷをゾーンＥ２１の下端側から上端側へ移
動させて、その間に基板Ｗを焼成温度Ｔ１（図２参照）
まで加熱する。
【００２７】基板Ｗの温度が焼成温度Ｔ１に達すると、
直ちに水平搬送機構２３によって基板ＷをゾーンＥ２１
から次段のゾーンＥ２２へ移す。ゾーンＥ２２では、基
板Ｗの温度を一定時間ｔにわたって焼成温度Ｔ１に保
つ。
直ちに水平搬送機構２３によって基板ＷをゾーンＥ２１
から次段のゾーンＥ２２へ移す。ゾーンＥ２２では、基
板Ｗの温度を一定時間ｔにわたって焼成温度Ｔ１に保
つ。
【００２８】一定時間ｔが経過してゾーンＥ２２での処
理が終了すると、再び水平搬送機構２３を用いて基板Ｗ
をゾーンＥ２２から次段のゾーンＥ２３へ移す。ゾーン
Ｅ２３では、一定時間ｔをかけて基板Ｗを上端側から下
端側へ移動させて、その間に基板Ｗの温度を温度Ｔ２ま
で降下させる。
理が終了すると、再び水平搬送機構２３を用いて基板Ｗ
をゾーンＥ２２から次段のゾーンＥ２３へ移す。ゾーン
Ｅ２３では、一定時間ｔをかけて基板Ｗを上端側から下
端側へ移動させて、その間に基板Ｗの温度を温度Ｔ２ま
で降下させる。
【００２９】ゾーンＥ２３での処理が終了すると、直ち
に基板Ｗを水平搬送機構２４によってゾーンＥ２３から
次段のゾーンＥ２４へ移す。ゾーンＥ２４では、一定時
間ｔにわたって基板Ｗを温度Ｔ２に保つ。その後は、基
板ＷをゾーンＥ２４からゾーンＥ２５へ移し、一定時間
ｔをかけて基板Ｗを温度Ｔ２からそれより低い温度Ｔ３
まで徐々に冷却し、焼成炉２１から排出する。
に基板Ｗを水平搬送機構２４によってゾーンＥ２３から
次段のゾーンＥ２４へ移す。ゾーンＥ２４では、一定時
間ｔにわたって基板Ｗを温度Ｔ２に保つ。その後は、基
板ＷをゾーンＥ２４からゾーンＥ２５へ移し、一定時間
ｔをかけて基板Ｗを温度Ｔ２からそれより低い温度Ｔ３
まで徐々に冷却し、焼成炉２１から排出する。
【００３０】このように焼成装置２においても、各ゾー
ンＥ２１〜２５の間の基板Ｗの移動は間欠的に行われ、
各回の移動時間は基板Ｗの温度変化が無視できるように
時間ｔより十分に短い時間である。各ゾーンＥ２１〜２
５の処理の所要時間を一定時間ｔに設定することによ
り、多数枚の基板Ｗについて連続的に焼成を行うことが
できる。また、各ゾーンＥ２１〜２５は熱的には独立で
あるので、各ゾーンＥ２１〜２５の温度制御が容易であ
り、基板Ｗの大きさや焼成対象に応じて温度プロファイ
ルを最適化することができる。
ンＥ２１〜２５の間の基板Ｗの移動は間欠的に行われ、
各回の移動時間は基板Ｗの温度変化が無視できるように
時間ｔより十分に短い時間である。各ゾーンＥ２１〜２
５の処理の所要時間を一定時間ｔに設定することによ
り、多数枚の基板Ｗについて連続的に焼成を行うことが
できる。また、各ゾーンＥ２１〜２５は熱的には独立で
あるので、各ゾーンＥ２１〜２５の温度制御が容易であ
り、基板Ｗの大きさや焼成対象に応じて温度プロファイ
ルを最適化することができる。
【００３１】上述の図１の実施例において、基板Ｗの移
動中にゾーンＥ１１の急冷却をして内部温度を室温に戻
し、新たな基板ＷをゾーンＥ１１に搬入したときの基板
内の温度差の発生を防ぐようにしてもよい。
動中にゾーンＥ１１の急冷却をして内部温度を室温に戻
し、新たな基板ＷをゾーンＥ１１に搬入したときの基板
内の温度差の発生を防ぐようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】請求項１乃至請求項３の発明によれば、
基板の温度を均等に推移させて熱処理工程の歩留りを高
めることができるとともに、最適の温度プロファイルの
熱処理を容易に実現することができる。
基板の温度を均等に推移させて熱処理工程の歩留りを高
めることができるとともに、最適の温度プロファイルの
熱処理を容易に実現することができる。
【００３３】請求項３の発明によれば、複数の被処理基
板に対して順に連続的に熱処理を行うことができ、量産
に適した熱処理を実現することができる。請求項４及び
請求項５の発明によれば、基板の温度を均等に推移させ
ることができるとともに、温度プロファイルを容易に最
適化することができる。
板に対して順に連続的に熱処理を行うことができ、量産
に適した熱処理を実現することができる。請求項４及び
請求項５の発明によれば、基板の温度を均等に推移させ
ることができるとともに、温度プロファイルを容易に最
適化することができる。
【図１】本発明の実施に係る焼成装置の立面視による模
式図である。
式図である。
【図２】温度プロファイルの一例を示す図である。
【図３】本発明の実施に係る他の焼成装置の立面視によ
る模式図である。
る模式図である。
１，２ 焼成装置（熱処理装置） １２ ベルト（ゾーン間搬送手段） ２３ 水平搬送機構（ゾーン間搬送手段） ２６ 垂直搬送機構（ゾーン内搬送手段） Ｅ１１ ゾーン（第１のゾーン、加熱ゾーン） Ｅ１２ ゾーン（第２のゾーン、恒温ゾーン） Ｅ１３ ゾーン（第３のゾーン、冷却ゾーン） Ｅ２１ ゾーン（第１のゾーン、加熱ゾーン） Ｅ２２ ゾーン（第２のゾーン、恒温ゾーン） Ｅ２３ ゾーン（第３のゾーン、冷却ゾーン） ｔ 一定時間 Ｔ１ 焼成温度（特定温度） Ｗ 基板（被処理基板）
Claims (5)
- 【請求項１】被処理基板を温度条件の異なる複数の熱処
理ゾーンに順に搬送することによって、特定の温度履歴
が得られるように当該被処理基板の温度を推移させるた
めの方法であって、 前記各熱処理ゾーンを互いに熱的に独立させて隣接配置
しておき、１つの当該熱処理ゾーンにおける熱処理が終
了した後に、当該熱処理の所要時間に比べて十分に短い
時間内に前記被処理基板を次段の前記熱処理ゾーンに移
して次の熱処理を行うことを特徴とする基板の熱処理方
法。 - 【請求項２】前記熱処理ゾーンとして、第１、第２及び
第３のゾーンを互いに熱的に独立させて隣接配置してお
き、 前記第１のゾーン内で前記被処理基板を特定温度まで加
熱して前記第２のゾーンに移し、当該第２のゾーン内で
一定時間にわたって当該被処理基板の温度を前記特定温
度に保ち、その後に当該被処理基板を当該第２のゾーン
から前記第３のゾーンに移し、当該第３のゾーン内で当
該被処理基板の温度を降下させる請求項１記載の基板の
熱処理方法。 - 【請求項３】前記各熱処理ゾーンの処理時間を互いに同
一の時間に設定する請求項１又は請求項２記載の基板の
熱処理方法。 - 【請求項４】被処理基板を均等に特定温度まで加熱する
ための加熱ゾーンと、 前記被処理基板の温度を前記特定温度に保持するための
熱処理ゾーンであり、前記加熱ゾーンと隣接し且つ熱的
に独立した恒温ゾーンと、 前記被処理基板の温度を前記特定温度から降下させるた
めの熱処理ゾーンであり、前記恒温ゾーンと隣接し且つ
熱的に独立した冷却ゾーンと、 前記加熱ゾーンから前記恒温ゾーンを経て前記冷却ゾー
ンへ前記被処理基板を移動させるためのゾーン間搬送手
段と、を備えてなることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】前記加熱ゾーン及び冷却ゾーンは、上下方
向に沿って内部温度の変化する縦型の熱処理ゾーンであ
り、前記被処理基板を水平配置した状態で上下方向に移
動させるゾーン内搬送手段を有する請求項４記載の熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7058391A JPH08254392A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7058391A JPH08254392A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08254392A true JPH08254392A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13083056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7058391A Withdrawn JPH08254392A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08254392A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10367115B2 (en) | 2016-01-29 | 2019-07-30 | Lg Electronics Inc. | Method of manufacturing solar cell |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP7058391A patent/JPH08254392A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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