JPH0193121A - 半導体ウェハベーキング装置 - Google Patents
半導体ウェハベーキング装置Info
- Publication number
- JPH0193121A JPH0193121A JP62249716A JP24971687A JPH0193121A JP H0193121 A JPH0193121 A JP H0193121A JP 62249716 A JP62249716 A JP 62249716A JP 24971687 A JP24971687 A JP 24971687A JP H0193121 A JPH0193121 A JP H0193121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- heater
- temperature
- time
- heated
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハのベーキング装置に関する。
(従来の技術とその問題点)
半導体ウェハのベーキング装置としては従来、露光・現
像後のハードベークを、ウェハ25枚あるいは50枚を
一度にバッチ炉で行っていた。この方式によれば、処理
は約30〜50分で終了するが、バッチ炉の性質上、炉
内の位置によって昇温速度、温度分布が違うため、ウェ
ハ間でベーキング条件が異なり、製品品質のばらつきの
一因となっていた。上記欠点を回避するため、特開昭5
8−78629号のように、ウェハ加熱をホットプレー
トで行い、均一の温度で、しかも温度の立ち上がりをも
良好にする方法がある。しかしながら、この方法はうエ
バ裏面をプレートに接触させ加熱する方法であり、ウェ
ハ上面のレジストが加熱されるまで若干の時間を要する
こと、そして接触式の性質上、1枚ずつプレート上で処
理するため、つ亙ハ25枚あるいは50枚を処理するた
めには長時間要し、スルー・プツトが低下すると言う問
題があった。
像後のハードベークを、ウェハ25枚あるいは50枚を
一度にバッチ炉で行っていた。この方式によれば、処理
は約30〜50分で終了するが、バッチ炉の性質上、炉
内の位置によって昇温速度、温度分布が違うため、ウェ
ハ間でベーキング条件が異なり、製品品質のばらつきの
一因となっていた。上記欠点を回避するため、特開昭5
8−78629号のように、ウェハ加熱をホットプレー
トで行い、均一の温度で、しかも温度の立ち上がりをも
良好にする方法がある。しかしながら、この方法はうエ
バ裏面をプレートに接触させ加熱する方法であり、ウェ
ハ上面のレジストが加熱されるまで若干の時間を要する
こと、そして接触式の性質上、1枚ずつプレート上で処
理するため、つ亙ハ25枚あるいは50枚を処理するた
めには長時間要し、スルー・プツトが低下すると言う問
題があった。
本発明の目的は、加熱されるまでの時間を短縮し、多数
のウェハを処理しても均一な温度分布を保ちながら、短
時間で操作できるベーキング装置を提供することである
。
のウェハを処理しても均一な温度分布を保ちながら、短
時間で操作できるベーキング装置を提供することである
。
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体ウェハベーキング装置は、温度コントロ
ーラを備えた棒状ヒーターを平行に複数本並べ、少な(
とも半導体ウェハを2枚以上加熱できる長さを有するヒ
ーター部を形成し、さらに同ヒーター部の下部に連続的
に該ウェハを搬送する搬送部を備えたことを特徴とする
。
ーラを備えた棒状ヒーターを平行に複数本並べ、少な(
とも半導体ウェハを2枚以上加熱できる長さを有するヒ
ーター部を形成し、さらに同ヒーター部の下部に連続的
に該ウェハを搬送する搬送部を備えたことを特徴とする
。
本発明の装置は、ベーキング温度と時間の設定により、
ヒーター部は温度コントローラを中継してウェハ温度を
所定温度に保持して、ウェハをベーキングし、搬送部は
搬送系コントローラを中継してウェハを所定時間でヒー
ター部を通過するようにする。
ヒーター部は温度コントローラを中継してウェハ温度を
所定温度に保持して、ウェハをベーキングし、搬送部は
搬送系コントローラを中継してウェハを所定時間でヒー
ター部を通過するようにする。
以下、本発明を図面に基づき説明する。
第1図において、ヒーター部1は赤外線ヒーター、ハロ
ゲンランプ等の昇温速度の高い棒状ヒーター2を平行に
複数本並べ、少なくとも半導体ウェハ3を2枚以上加熱
できる長さにする。同ヒーター部1の下部に連続的にウ
ェハ3を搬送する搬送部には、テーブルローラー等の搬
送ローラー4を配置する。ヒーター部1は温度コントロ
ーラ5を備え、搬送ローラー4は搬送系コントローラ6
を備える。制御装置7は予め設定されたベーキング温度
および時間を、温度コントローラ5および搬送系コント
ローラ6に信号で送出し、コントローラ5および6から
の情報を入力すると共に制御する。ここでは、搬送ロー
ラー4の回転数制御によりウェハの通過時間を制御して
いる。ローグー部8からヒーター部の下部を通過して加
熱された半導体ウェハ3は、冷却帯9を通過して冷却さ
れ、アンローダ一部10に達する。
ゲンランプ等の昇温速度の高い棒状ヒーター2を平行に
複数本並べ、少なくとも半導体ウェハ3を2枚以上加熱
できる長さにする。同ヒーター部1の下部に連続的にウ
ェハ3を搬送する搬送部には、テーブルローラー等の搬
送ローラー4を配置する。ヒーター部1は温度コントロ
ーラ5を備え、搬送ローラー4は搬送系コントローラ6
を備える。制御装置7は予め設定されたベーキング温度
および時間を、温度コントローラ5および搬送系コント
ローラ6に信号で送出し、コントローラ5および6から
の情報を入力すると共に制御する。ここでは、搬送ロー
ラー4の回転数制御によりウェハの通過時間を制御して
いる。ローグー部8からヒーター部の下部を通過して加
熱された半導体ウェハ3は、冷却帯9を通過して冷却さ
れ、アンローダ一部10に達する。
(実施例)
本発明法として前記第1図に示したような装置を用いて
、ヒーター部の全長をウェハが5枚程入る長さにした。
、ヒーター部の全長をウェハが5枚程入る長さにした。
従来法の装置として上述の接触式の装置を用い、ホット
プレートを用いて1枚ずつ処理した。
プレートを用いて1枚ずつ処理した。
上記2法につき、ウェハ(6インチウェハ)50枚を処
理し、処理時間と温度分布を比較した。
理し、処理時間と温度分布を比較した。
それぞれ1枚のウェハにつき、130℃で5分間ずつ加
熱した。
熱した。
50枚のウェハを全部処理した時間は、本発明法では5
6分、従来法では256分であった。本発明法は従来法
に比べ約115である。
6分、従来法では256分であった。本発明法は従来法
に比べ約115である。
第2図は本発明法(○)と従来法(・)によるウェハ中
心からの距離(横軸)と温度(縦軸)との関係を示す温
度分布測定図である。
心からの距離(横軸)と温度(縦軸)との関係を示す温
度分布測定図である。
本発明法も、従来法も、温度分布は良好であるが(く±
2℃)である。しかし、本発明法が目標の130℃付近
であるのに対し、従来法では127〜128℃である。
2℃)である。しかし、本発明法が目標の130℃付近
であるのに対し、従来法では127〜128℃である。
これは、ホットプレートが130℃であっても電熱し、
ウェハ表面に達するまでに温度降下するためである。
ウェハ表面に達するまでに温度降下するためである。
(発明の効果)
本発明によれば、
■ 赤外線ヒーター、ハロゲンランプ等の急熱可能なヒ
ーターを用いることができ、この加熱により、ベーキン
グ温度まで5秒以内で昇温可能となる。
ーターを用いることができ、この加熱により、ベーキン
グ温度まで5秒以内で昇温可能となる。
■ 棒状ヒーター列を直角にウェハが進むのでヒーター
とヒーター間の温度低下を防止することができる。
とヒーター間の温度低下を防止することができる。
■ さらにウェハ直径の1.5倍以上の長さを有するヒ
ーターを用いることにより、ウェハのヒーター軸方向の
温度分布を±2℃以内に納めることが可能となる。
ーターを用いることにより、ウェハのヒーター軸方向の
温度分布を±2℃以内に納めることが可能となる。
■ 多数のウェハについて、処理時間を大幅に短縮する
ことができる。
ことができる。
第1図は、本発明実施例によるベーキング装置を説明す
2概路線図、 第2図は、本発明法(○)と従来法(・)によるウェハ
中心からの距離(横軸)と温度(縦軸)との関係を示す
温度分布を示すグラフである。 1・・・ヒーター部 2・・・棒状ヒーター3・
・・半導体ウェハ 4・・・搬送ローラー5・・・
温度コントローラ 6・・・搬送系コントローラ7・・
・制御装置 ゛ 8・・・ローダ一部9・・・冷
却帯 10・・・アンローダ一部。
2概路線図、 第2図は、本発明法(○)と従来法(・)によるウェハ
中心からの距離(横軸)と温度(縦軸)との関係を示す
温度分布を示すグラフである。 1・・・ヒーター部 2・・・棒状ヒーター3・
・・半導体ウェハ 4・・・搬送ローラー5・・・
温度コントローラ 6・・・搬送系コントローラ7・・
・制御装置 ゛ 8・・・ローダ一部9・・・冷
却帯 10・・・アンローダ一部。
Claims (1)
- (1)温度コントローラを備えた棒状ヒーターを平行に
複数本並べ、少なくとも半導体ウェハを2枚以上加熱で
きる長さを有するヒーター部を形成し、さらに同ヒータ
ー部の下部に連続的に該ウェハを搬送する搬送部を備え
た半導体ウェハベーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249716A JPH0193121A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249716A JPH0193121A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193121A true JPH0193121A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17197137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62249716A Pending JPH0193121A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193121A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248626A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Fujitsu Ltd | ウエハー熱処理装置 |
| JPH023910A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 |
| US5191451A (en) * | 1990-04-20 | 1993-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having drain electrodes of the pair of tfts being symmetrically formed with respect to the central plane to prevent the flicker due to the different parasitic capacitances |
| JPH06104269A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-04-15 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの熱処理装置 |
| JP2007158253A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
| JP2007158088A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| CN102468200A (zh) * | 2010-11-16 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 加热处理装置 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62249716A patent/JPH0193121A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248626A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Fujitsu Ltd | ウエハー熱処理装置 |
| JPH023910A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及び加熱処理装置及び加熱処理方法 |
| US5191451A (en) * | 1990-04-20 | 1993-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having drain electrodes of the pair of tfts being symmetrically formed with respect to the central plane to prevent the flicker due to the different parasitic capacitances |
| JPH06104269A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-04-15 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの熱処理装置 |
| JP2007158088A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2007158253A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
| CN102468200A (zh) * | 2010-11-16 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 加热处理装置 |
| JP2012109324A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
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