JPH08254688A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPH08254688A JPH08254688A JP7056884A JP5688495A JPH08254688A JP H08254688 A JPH08254688 A JP H08254688A JP 7056884 A JP7056884 A JP 7056884A JP 5688495 A JP5688495 A JP 5688495A JP H08254688 A JPH08254688 A JP H08254688A
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1334—Constructional arrangements; Manufacturing methods based on polymer dispersed liquid crystals, e.g. microencapsulated liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のパーフルオロアルキル基を有する化合
物を用いた液晶表示素子の長所を有し、さらにフィルム
形成能、相分離状態の長期安定性に優れた液晶表示素子
を提供することを目的とする。 【構成】 電極が形成された１対の基板間に、非晶質を
形成する低分子化合物と、液晶物質との混合物を含む液
晶層を備えたことを特徴とする液晶表示素子である。
物を用いた液晶表示素子の長所を有し、さらにフィルム
形成能、相分離状態の長期安定性に優れた液晶表示素子
を提供することを目的とする。 【構成】 電極が形成された１対の基板間に、非晶質を
形成する低分子化合物と、液晶物質との混合物を含む液
晶層を備えたことを特徴とする液晶表示素子である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子としては、ネマチッ
ク液晶を使用したＴＮ型やＳＴＮ型のものが実用化され
ている。また、強誘電性液晶を利用したものも提案され
ている。しかし、これらの液晶を用いて素子を作製する
際には、配向処理などが必要であり、大型の素子を作製
することが困難である。
ク液晶を使用したＴＮ型やＳＴＮ型のものが実用化され
ている。また、強誘電性液晶を利用したものも提案され
ている。しかし、これらの液晶を用いて素子を作製する
際には、配向処理などが必要であり、大型の素子を作製
することが困難である。
【０００３】一方、このような配向処理を必要とせず
に、大型で安価な液晶表示素子を製造する方法として、
特開昭５８ー５０１６３２号公報、米国特許第４、４３
５、０４７号明細書に示されているような、ポリビニル
アルコール中にカプセル化された液晶滴を分散させて液
晶層を形成する方法が知られている。この素子では、液
晶分子が薄膜中で正の誘電異方性をもつものであれば、
電界の存在下でその液晶分子が電界方向に配列する。こ
のとき、液晶の屈折率ｎ0 とポリマーの屈折率ｎp が等
しいと、液晶層は透明になる。電界が除かれると、液晶
分子はランダム配向に戻り、液晶滴の屈折率ｎ0 がｎp
からずれるため、液晶滴はその境界面で光を散乱し、液
晶層は白濁する。
に、大型で安価な液晶表示素子を製造する方法として、
特開昭５８ー５０１６３２号公報、米国特許第４、４３
５、０４７号明細書に示されているような、ポリビニル
アルコール中にカプセル化された液晶滴を分散させて液
晶層を形成する方法が知られている。この素子では、液
晶分子が薄膜中で正の誘電異方性をもつものであれば、
電界の存在下でその液晶分子が電界方向に配列する。こ
のとき、液晶の屈折率ｎ0 とポリマーの屈折率ｎp が等
しいと、液晶層は透明になる。電界が除かれると、液晶
分子はランダム配向に戻り、液晶滴の屈折率ｎ0 がｎp
からずれるため、液晶滴はその境界面で光を散乱し、液
晶層は白濁する。
【０００４】このようにポリマー中に液晶を分散させる
液晶表示素子技術は、上記のもの以外にもいくつか知ら
れている。例えば、特開昭６１−５０２１８号公報には
エポキシ樹脂中に液晶を分散させたもの、特開平２−８
３５３４号公報にはウレタンアクリレート樹脂中に液晶
を分散させたものが開示されている。また、コントラス
トを向上させるための手段として、特開昭６３−９８６
３１号公報には、カプセル化液晶部に平行光供給部と選
択的透光部とを備えた液晶表示素子が開示されている。
液晶表示素子技術は、上記のもの以外にもいくつか知ら
れている。例えば、特開昭６１−５０２１８号公報には
エポキシ樹脂中に液晶を分散させたもの、特開平２−８
３５３４号公報にはウレタンアクリレート樹脂中に液晶
を分散させたものが開示されている。また、コントラス
トを向上させるための手段として、特開昭６３−９８６
３１号公報には、カプセル化液晶部に平行光供給部と選
択的透光部とを備えた液晶表示素子が開示されている。
【０００５】これらのいわゆる高分子分散型液晶は、次
のような長所を有する。すなわち、 （１）偏光板を必要としないため、明るい画像を形成で
きる。（２）視野角が広い。（３）液晶の配向処理が不
要であるため、ラビング工程に伴う発塵や静電気の発生
などを回避できる。（４）基板間に液晶を充填して封止
する従来型の液晶表示素子と比較して、構造が簡単で大
型化が容易である。
のような長所を有する。すなわち、 （１）偏光板を必要としないため、明るい画像を形成で
きる。（２）視野角が広い。（３）液晶の配向処理が不
要であるため、ラビング工程に伴う発塵や静電気の発生
などを回避できる。（４）基板間に液晶を充填して封止
する従来型の液晶表示素子と比較して、構造が簡単で大
型化が容易である。
【０００６】しかし、高分子分散型液晶表示素子には、
以下に示すいくつかの欠点がある。まず製造面における
欠点を挙げる。高分子分散型液晶表示素子は、液晶物質
を分散または溶解させた熱硬化性または光硬化性の液状
樹脂を、電極をもつ２枚の基板を用いて形成したセルの
内部に注入した後、加熱または光の照射により液状樹脂
を硬化させ、固体の樹脂の内部に液晶滴を分散させた樹
脂系を形成する。
以下に示すいくつかの欠点がある。まず製造面における
欠点を挙げる。高分子分散型液晶表示素子は、液晶物質
を分散または溶解させた熱硬化性または光硬化性の液状
樹脂を、電極をもつ２枚の基板を用いて形成したセルの
内部に注入した後、加熱または光の照射により液状樹脂
を硬化させ、固体の樹脂の内部に液晶滴を分散させた樹
脂系を形成する。
【０００７】従ってこの方法では、（１）加熱時または
光照射時のわずかな条件の違いにより液晶滴の大きさま
たは形状に差が生じ、さらには製造された表示素子の動
作電圧、コントラストが異なってくる。また（２）樹脂
が硬化してしまうので、欠陥の修復が不可能になる。こ
れはＴＮまたはＳＴＮ型液晶表示素子では、製造後にア
ニールすることにより配向欠陥などを修復できるのと対
照的である。
光照射時のわずかな条件の違いにより液晶滴の大きさま
たは形状に差が生じ、さらには製造された表示素子の動
作電圧、コントラストが異なってくる。また（２）樹脂
が硬化してしまうので、欠陥の修復が不可能になる。こ
れはＴＮまたはＳＴＮ型液晶表示素子では、製造後にア
ニールすることにより配向欠陥などを修復できるのと対
照的である。
【０００８】次に電気光学的な欠点を示す。 （１）液晶表示素子に電圧を印加した際、ヒステリシス
を生じる。このことは中間調の表示を不可能にする。
を生じる。このことは中間調の表示を不可能にする。
【０００９】このような高分子分散液晶の長所をもち、
さらに欠点を補正するような光散乱型の液晶素子も最近
報告されている。即ち、特開平５−２１６０１５号公報
ではパーフルオロアルキル基を有する化合物と液晶物質
を含有し、ゲル状態を示す混合物を構成要素とする液晶
表示素子が開示されている。
さらに欠点を補正するような光散乱型の液晶素子も最近
報告されている。即ち、特開平５−２１６０１５号公報
ではパーフルオロアルキル基を有する化合物と液晶物質
を含有し、ゲル状態を示す混合物を構成要素とする液晶
表示素子が開示されている。
【００１０】この液晶表示素子は次のような利点を有す
る。（１）ヒステリシスを生じない表示が可能である。
これはヒステリシスの主要要因である、液晶滴内部での
液晶の段階的変形のモデルが成立しないためである。
（２）１：５０〜１：８０という、ＴＮ型液晶セル並の
高いコントラストを実現できる。すなわち通常の高分子
分散液晶と比較して電圧無印加時に光の散乱が強くなる
ため、遮光性が向上しコントラストが増加する。（３）
Ｖthが２〜４Ｖであり、ＴＮ液晶セル並の定電圧での駆
動が可能である。
る。（１）ヒステリシスを生じない表示が可能である。
これはヒステリシスの主要要因である、液晶滴内部での
液晶の段階的変形のモデルが成立しないためである。
（２）１：５０〜１：８０という、ＴＮ型液晶セル並の
高いコントラストを実現できる。すなわち通常の高分子
分散液晶と比較して電圧無印加時に光の散乱が強くなる
ため、遮光性が向上しコントラストが増加する。（３）
Ｖthが２〜４Ｖであり、ＴＮ液晶セル並の定電圧での駆
動が可能である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このパ
ーフルオロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示
素子にも次のような問題があった。パーフルオロアルキ
ル基を有する化合物の分子量が低いため、この液晶表示
素子は高分子分散液晶を用いた液晶表示素子と比較する
とフィルム形成能、相分離状態の長期安定性などが劣っ
ている。
ーフルオロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示
素子にも次のような問題があった。パーフルオロアルキ
ル基を有する化合物の分子量が低いため、この液晶表示
素子は高分子分散液晶を用いた液晶表示素子と比較する
とフィルム形成能、相分離状態の長期安定性などが劣っ
ている。
【００１２】本発明は以上の問題を考慮してなされたも
ので、従来のパーフルオロアルキル基を有する化合物を
用いた液晶表示素子の長所を有し、さらにフィルム形成
能、相分離状態の長期安定性に優れた液晶表示素子を提
供することを目的とする。
ので、従来のパーフルオロアルキル基を有する化合物を
用いた液晶表示素子の長所を有し、さらにフィルム形成
能、相分離状態の長期安定性に優れた液晶表示素子を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的を達
成するため本発明は請求項１の発明として、電極が形成
された１対の基板間に、非晶質を形成する低分子化合物
と、液晶物質との混合物を含む液晶層を備えたことを特
徴とする液晶表示素子を提供する。
成するため本発明は請求項１の発明として、電極が形成
された１対の基板間に、非晶質を形成する低分子化合物
と、液晶物質との混合物を含む液晶層を備えたことを特
徴とする液晶表示素子を提供する。
【００１４】また請求項２の発明として、電極が形成さ
れた１対の基板間に、ネットワークを形成する低分子化
合物と、液晶物質との混合物を含む液晶層を備えたこと
を特徴とする液晶表示素子を提供する。
れた１対の基板間に、ネットワークを形成する低分子化
合物と、液晶物質との混合物を含む液晶層を備えたこと
を特徴とする液晶表示素子を提供する。
【００１５】そして請求項３の発明として、前記低分子
化合物のガラス転移温度が２５℃以上であることを特徴
とする請求項１または２記載の液晶表示素子を提供す
る。さらに請求項４の発明として、前記低分子化合物が
ステロイド化合物であることを特徴とする請求項１乃至
３記載の液晶表示素子液晶表示素子を提供する。
化合物のガラス転移温度が２５℃以上であることを特徴
とする請求項１または２記載の液晶表示素子を提供す
る。さらに請求項４の発明として、前記低分子化合物が
ステロイド化合物であることを特徴とする請求項１乃至
３記載の液晶表示素子液晶表示素子を提供する。
【００１６】請求項５の発明としては、前記低分子化合
物が芳香族化合物であることを特徴とする請求項１乃至
３記載の液晶表示素子を提供する。そして請求項６の発
明として、前記低分子化合物の前記混合物に対する重量
％が１０〜８０％であることを特徴とする請求項１乃至
５記載の液晶表示素子を提供する。
物が芳香族化合物であることを特徴とする請求項１乃至
３記載の液晶表示素子を提供する。そして請求項６の発
明として、前記低分子化合物の前記混合物に対する重量
％が１０〜８０％であることを特徴とする請求項１乃至
５記載の液晶表示素子を提供する。
【００１７】また請求項７の発明として、分子量１００
０以上の高分子化合物を前記液晶層に含むことを特徴と
する請求項１乃至６記載の液晶表示素子を提供する。本
発明の液晶表示素子は低分子化合物が非晶質を形成する
ので、流動性のある柔軟な固体もしくは液体の状態（以
下、ゲル状態と呼ぶ）においても低分子化合物は高分子
化合物と同様に、ネットワークを形成することができ
る。したがって、非晶質を形成しない低分子であり、ゲ
ル状態ではネットワークを形成しないパーフルオロアル
キル基を有する化合物を用いた液晶表示素子よりも、フ
ィルム形成能、相分離状態の長期安定性に優れている。
０以上の高分子化合物を前記液晶層に含むことを特徴と
する請求項１乃至６記載の液晶表示素子を提供する。本
発明の液晶表示素子は低分子化合物が非晶質を形成する
ので、流動性のある柔軟な固体もしくは液体の状態（以
下、ゲル状態と呼ぶ）においても低分子化合物は高分子
化合物と同様に、ネットワークを形成することができ
る。したがって、非晶質を形成しない低分子であり、ゲ
ル状態ではネットワークを形成しないパーフルオロアル
キル基を有する化合物を用いた液晶表示素子よりも、フ
ィルム形成能、相分離状態の長期安定性に優れている。
【００１８】なお低分子化合物がネットワークを形成す
れば良いので、本発明における非晶質とは低分子化合物
が一部結晶化していても良い。具体的には５０重量％程
度まで結晶化していることも許される。
れば良いので、本発明における非晶質とは低分子化合物
が一部結晶化していても良い。具体的には５０重量％程
度まで結晶化していることも許される。
【００１９】ここで、本発明で用いられ得る低分子化合
物を示差走査型熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定した一般
的な熱特性図を図１に示す。図中の横軸は温度、縦軸は
反応熱である。
物を示差走査型熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定した一般
的な熱特性図を図１に示す。図中の横軸は温度、縦軸は
反応熱である。
【００２０】まず図１（ａ）に示すように、低分子化合
物の結晶は融点Ｔｍで融解し、等方性液体となる。この
等方性液体を急冷することにより透明な非晶質を得るこ
とができる。
物の結晶は融点Ｔｍで融解し、等方性液体となる。この
等方性液体を急冷することにより透明な非晶質を得るこ
とができる。
【００２１】この非晶質を加熱すると図１（ｂ）に示す
ように、ガラス転移温度Ｔｇで過冷却液体となる。さら
に加熱すると結晶化温度Ｔｃで結晶化が起こり、さらに
高温では融解する。この時に結晶化温度Ｔｃは昇温速度
に依存し、Ｔｃが観測されない場合も多い。本発明で用
いられる低分子化合物においてはＴｃが観測されない方
が結晶化という点を考えると好ましい。
ように、ガラス転移温度Ｔｇで過冷却液体となる。さら
に加熱すると結晶化温度Ｔｃで結晶化が起こり、さらに
高温では融解する。この時に結晶化温度Ｔｃは昇温速度
に依存し、Ｔｃが観測されない場合も多い。本発明で用
いられる低分子化合物においてはＴｃが観測されない方
が結晶化という点を考えると好ましい。
【００２２】本発明で用いられる低分子化合物はその非
晶質状態のＴｇが２５℃以上であることが必要であり、
好ましくは５０℃以上１００℃以下である。なんとなれ
ばＴｇが２５℃以上であれば室温において非晶質は透明
なガラス状態となり、非晶質ポリマーのように分子間ネ
ットワークを形成することができる。したがって、低分
子化合物と液晶の混合物でありながら高分子分散液晶と
同様の効果を得ることができる。
晶質状態のＴｇが２５℃以上であることが必要であり、
好ましくは５０℃以上１００℃以下である。なんとなれ
ばＴｇが２５℃以上であれば室温において非晶質は透明
なガラス状態となり、非晶質ポリマーのように分子間ネ
ットワークを形成することができる。したがって、低分
子化合物と液晶の混合物でありながら高分子分散液晶と
同様の効果を得ることができる。
【００２３】またＴｇとＴｍとはほぼ比例関係にあるた
め、Ｔｇが１００℃を超えてしまうとＴｍが極めて高く
なってしまう。液晶表示素子を作製する場合には低分子
化合物と液晶物質とを加熱混合して均一な液体とする
が、Ｔｇが１００℃を超えると液晶表示素子の作製に非
常な高温処理が必要となるため好ましくない。
め、Ｔｇが１００℃を超えてしまうとＴｍが極めて高く
なってしまう。液晶表示素子を作製する場合には低分子
化合物と液晶物質とを加熱混合して均一な液体とする
が、Ｔｇが１００℃を超えると液晶表示素子の作製に非
常な高温処理が必要となるため好ましくない。
【００２４】さらに本発明の低分子化合物は通常の合成
高分子化合物とは異なり、重合度の少ない二量体や三量
体が存在することによる分子量分布がない。また合成高
分子化合物には時に未重合の単量体が含まれる。これら
が含まれると、電圧を印加したときに単量体などが動き
液晶周辺の状態が変化してしまうためにヒステリシスが
起きてしまう。しかし本発明の液晶表示素子では、これ
らの分子量分布や未重合単量体がないので、電圧印可時
のヒステリシスを防ぐことができる。
高分子化合物とは異なり、重合度の少ない二量体や三量
体が存在することによる分子量分布がない。また合成高
分子化合物には時に未重合の単量体が含まれる。これら
が含まれると、電圧を印加したときに単量体などが動き
液晶周辺の状態が変化してしまうためにヒステリシスが
起きてしまう。しかし本発明の液晶表示素子では、これ
らの分子量分布や未重合単量体がないので、電圧印可時
のヒステリシスを防ぐことができる。
【００２５】このことから本発明における低分子化合物
は分子量分布を持った重合体ではないことが重要であ
る。低分子化合物と高分子化合物の分子量による境はは
っきりとしていないが、本発明の低分子化合物では分子
量１０００以下が好ましい。
は分子量分布を持った重合体ではないことが重要であ
る。低分子化合物と高分子化合物の分子量による境はは
っきりとしていないが、本発明の低分子化合物では分子
量１０００以下が好ましい。
【００２６】本発明の低分子化合物は融点以上では粘性
の低い液体であり、また融点以下においても過冷却液体
状態をとる。そこで本発明の液晶表示素子は低分子化合
物と液晶物質とを加熱混合し均一液体として、減圧下で
セルに液晶物質を注入する通常の方法を用いることがで
きる。または、適当な溶媒に低分子化合物と液晶物質を
溶解させ、それをセル基板に塗布乾燥させてもよい。ま
たは溶媒を用いずに混合物をセル基板に乗せ、さらに上
部基板で挟みながら全体を加熱して均一に伸ばしてもよ
い。
の低い液体であり、また融点以下においても過冷却液体
状態をとる。そこで本発明の液晶表示素子は低分子化合
物と液晶物質とを加熱混合し均一液体として、減圧下で
セルに液晶物質を注入する通常の方法を用いることがで
きる。または、適当な溶媒に低分子化合物と液晶物質を
溶解させ、それをセル基板に塗布乾燥させてもよい。ま
たは溶媒を用いずに混合物をセル基板に乗せ、さらに上
部基板で挟みながら全体を加熱して均一に伸ばしてもよ
い。
【００２７】これらの方法によって作製した液晶表示素
子は製造後にアニールすることにより欠陥の修復が可能
である。これは硬化樹脂を用いる高分子分散型液晶とは
対照的である。
子は製造後にアニールすることにより欠陥の修復が可能
である。これは硬化樹脂を用いる高分子分散型液晶とは
対照的である。
【００２８】さらに本発明の液晶表示素子ではアニール
により液晶滴の大きさまたは形状についても制御が可能
であり、製造された液晶表示素子の動作電圧、コントラ
ストを一定にすることができる。
により液晶滴の大きさまたは形状についても制御が可能
であり、製造された液晶表示素子の動作電圧、コントラ
ストを一定にすることができる。
【００２９】本発明の低分子化合物と液晶物質との混合
物の形状は両者の比率によって変化する。すなわち低分
子化合物が多いと室温において流動性のないガラス状態
の固体となり、低分子化合物が少ないとゲル状態とな
る。このことは高分子分散液晶における高分子の比率に
対する変化と同様である。ガラス状態になるかゲル状態
になるかの境目の比率は低分子化合物の種類と液晶物質
の種類の両者によって変化するため一義的には決定でき
ないが、低分子化合物の重量％で３０〜５０％程度を超
えるとほぼガラス状態となる。
物の形状は両者の比率によって変化する。すなわち低分
子化合物が多いと室温において流動性のないガラス状態
の固体となり、低分子化合物が少ないとゲル状態とな
る。このことは高分子分散液晶における高分子の比率に
対する変化と同様である。ガラス状態になるかゲル状態
になるかの境目の比率は低分子化合物の種類と液晶物質
の種類の両者によって変化するため一義的には決定でき
ないが、低分子化合物の重量％で３０〜５０％程度を超
えるとほぼガラス状態となる。
【００３０】本発明の液晶表示素子がガラス状態である
と液晶層は固い固体であり、ヒステリシスも極めて小さ
く、また固体であるため、上部にＩＴＯフィルムをラミ
ネートしたりして大面積化することも可能である。
と液晶層は固い固体であり、ヒステリシスも極めて小さ
く、また固体であるため、上部にＩＴＯフィルムをラミ
ネートしたりして大面積化することも可能である。
【００３１】一方ゲル状態では液晶層は柔らかい半固体
でありラミネート化は困難であるが、光の散乱能はガラ
ス状態と比べると大きい。したがって、ガラス状態を用
いるか、ゲル状態を用いるかは目的とする液晶表示素子
の形態や用途によって選ぶことができる。
でありラミネート化は困難であるが、光の散乱能はガラ
ス状態と比べると大きい。したがって、ガラス状態を用
いるか、ゲル状態を用いるかは目的とする液晶表示素子
の形態や用途によって選ぶことができる。
【００３２】本発明において、低分子化合物と液晶物質
との混合物中における低分子化合物の重量％は０．１〜
９０％、好ましくは１０〜８０％である。これは次のよ
うな理由による。低分子化合物の量が多すぎても少なす
ぎても、白濁の度合いが小さくなる。また低分子化合物
の量が多くなりすぎると、液晶物質の量の減少による光
散乱の減少が起こってしまい、一方、量が少なくなりす
ぎると、低分子化合物がネットワークを形成しなくなっ
てしまう。
との混合物中における低分子化合物の重量％は０．１〜
９０％、好ましくは１０〜８０％である。これは次のよ
うな理由による。低分子化合物の量が多すぎても少なす
ぎても、白濁の度合いが小さくなる。また低分子化合物
の量が多くなりすぎると、液晶物質の量の減少による光
散乱の減少が起こってしまい、一方、量が少なくなりす
ぎると、低分子化合物がネットワークを形成しなくなっ
てしまう。
【００３３】本発明で用いられる低分子化合物は、非晶
質を形成しガラス転移温度が２５℃以上であって、液晶
物質を分散させることができることが必要である。本発
明者は低分子化合物の分子構造とガラス転移温度の関係
について研究を行い下記の理論式（１）を得た。
質を形成しガラス転移温度が２５℃以上であって、液晶
物質を分散させることができることが必要である。本発
明者は低分子化合物の分子構造とガラス転移温度の関係
について研究を行い下記の理論式（１）を得た。
【００３４】 Ｔｇ＝ｈｇ／（ΣΔＳtr,m／Ｎ） （１） ただしＮは低分子化合物１分子中に含まれる水素原子を
除いた原子の数、Σ△Ｓtr,mは低分子化合物の結晶の融
解エントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エ
ントロピ変化との総和（転移融解エントロピ）、ｈｇは
物質群定数を表す。
除いた原子の数、Σ△Ｓtr,mは低分子化合物の結晶の融
解エントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エ
ントロピ変化との総和（転移融解エントロピ）、ｈｇは
物質群定数を表す。
【００３５】ここで各種の低分子化合物について、市販
のＤＳＣを用い、サンプル量１０〜２０ｍｇ、昇温速度
０．０８℃／ｓの同一条件でＴｇを測定した。結果を図
２に示す。図２は、各低分子化合物についてΣ△Ｓtr,m
／Ｎを横軸、Ｔｇを縦軸として、これらの関係を示す特
性図である。低分子化合物としては、非会合性芳香族化
合物、非会合性脂肪族化合物、モノ水素結合性芳香族化
合物、モノ水素結合性脂肪族化合物、多価水素結合性化
合物を用いた。図中の実線、鎖線、破線はそれぞれｈｇ
＝０．８、１．０、１．８ｋＪ／ｍｏｌの理論曲線であ
り、図中の各点がそれぞれの低分子化合物についての測
定値である。
のＤＳＣを用い、サンプル量１０〜２０ｍｇ、昇温速度
０．０８℃／ｓの同一条件でＴｇを測定した。結果を図
２に示す。図２は、各低分子化合物についてΣ△Ｓtr,m
／Ｎを横軸、Ｔｇを縦軸として、これらの関係を示す特
性図である。低分子化合物としては、非会合性芳香族化
合物、非会合性脂肪族化合物、モノ水素結合性芳香族化
合物、モノ水素結合性脂肪族化合物、多価水素結合性化
合物を用いた。図中の実線、鎖線、破線はそれぞれｈｇ
＝０．８、１．０、１．８ｋＪ／ｍｏｌの理論曲線であ
り、図中の各点がそれぞれの低分子化合物についての測
定値である。
【００３６】図２より非会合性脂肪族化合物、モノ水素
結合性脂肪族化合物のＴｇはあまり高くならず、本発明
に用いる低分子化合物としては不適当であることが分か
る。また図２および式（１）からＴｇを高くするために
はΣ△Ｓtr,m／Ｎを小さく、ｈｇを大きくすれば良いこ
とが分かる。したがって低分子化合物のＴｇを大きくす
るためには、Ｎが大きい低分子化合物を合成してΣ△Ｓ
tr,m／Ｎを小さくすることが考えられる。しかしながら
一般にＮを大きくするとΣ△Ｓtr,mも増大するので、Ｔ
ｇを大きくするにはΣ△Ｓtr,mを増大させずに、Ｎを大
きくすることが必要となる。
結合性脂肪族化合物のＴｇはあまり高くならず、本発明
に用いる低分子化合物としては不適当であることが分か
る。また図２および式（１）からＴｇを高くするために
はΣ△Ｓtr,m／Ｎを小さく、ｈｇを大きくすれば良いこ
とが分かる。したがって低分子化合物のＴｇを大きくす
るためには、Ｎが大きい低分子化合物を合成してΣ△Ｓ
tr,m／Ｎを小さくすることが考えられる。しかしながら
一般にＮを大きくするとΣ△Ｓtr,mも増大するので、Ｔ
ｇを大きくするにはΣ△Ｓtr,mを増大させずに、Ｎを大
きくすることが必要となる。
【００３７】そこで本発明者は各低分子化合物のΣ△Ｓ
tr,mとＮとの関係についてさらに研究を進めた結果、低
分子化合物を対称性が良く、球状でかつ密な形状とすれ
ば、Σ△Ｓtr,mがさほど増大することなくＮを大きくす
ることが可能であるという知見を得た。さらにＴｇを高
くするためにはｈｇを大きくする必要があるが、これに
は低分子化合物に水素結合性置換基を複数個導入するこ
とが有効であることを見いだした。その際、エントロピ
は化合物が非対称な形をとるにつれ増加する傾向にある
ため、ΣΔＳtr,mを増加させないように水素結合性置換
基を対称的な位置に導入することが必要である。
tr,mとＮとの関係についてさらに研究を進めた結果、低
分子化合物を対称性が良く、球状でかつ密な形状とすれ
ば、Σ△Ｓtr,mがさほど増大することなくＮを大きくす
ることが可能であるという知見を得た。さらにＴｇを高
くするためにはｈｇを大きくする必要があるが、これに
は低分子化合物に水素結合性置換基を複数個導入するこ
とが有効であることを見いだした。その際、エントロピ
は化合物が非対称な形をとるにつれ増加する傾向にある
ため、ΣΔＳtr,mを増加させないように水素結合性置換
基を対称的な位置に導入することが必要である。
【００３８】一方、高温液体の冷却により非晶質を形成
するためには最大結晶成長速度ＭＣＶが小さいことが必
要である。また生成した非晶質状態が結晶化を起こさな
いためにもＭＣＶが小さい必要がある。本発明者は低分
子化合物の分子構造とＭＣＶとの関係について研究を行
い、下記の理論式（２）を得た。
するためには最大結晶成長速度ＭＣＶが小さいことが必
要である。また生成した非晶質状態が結晶化を起こさな
いためにもＭＣＶが小さい必要がある。本発明者は低分
子化合物の分子構造とＭＣＶとの関係について研究を行
い、下記の理論式（２）を得た。
【００３９】 ｌｎ（ＭＣＶ）＝ｋ0 ー（ｈｃＮ）／（ＴｍΣΔＨtr,m） （２） ただしＮは低分子化合物１分子中に含まれる水素原子を
除いた原子の数、Σ△Ｈtr,mは低分子化合物の結晶の融
解エンタルピ変化と、最大結晶成長温度から融点までの
転移エンタルピ変化との総和（転移融解エンタルピ）、
ｈｃは物質群定数、ｋ0 は定数を表す。
除いた原子の数、Σ△Ｈtr,mは低分子化合物の結晶の融
解エンタルピ変化と、最大結晶成長温度から融点までの
転移エンタルピ変化との総和（転移融解エンタルピ）、
ｈｃは物質群定数、ｋ0 は定数を表す。
【００４０】ここで図３は、各種の低分子化合物につい
て（ΣΔＨtr,m）／ＮとＭＣＶとの関係を示す特性図で
ある。低分子化合物としては、非会合性芳香族化合物、
モノ水素結合性芳香族化合物、多価水素結合性化合物を
用いた。図中、横軸はＮ／（ΣΔＨtr,m）、縦軸はｌｏ
ｇ（ＭＣＶ）を表わす。また実線、破線はそれぞれｈｃ
＝６．９×１０3 、１．７×１０4 ＫｋＪ／ｍｏｌの理
論曲線を示し、図中の各点はそれぞれの低分子化合物に
ついての測定値である。
て（ΣΔＨtr,m）／ＮとＭＣＶとの関係を示す特性図で
ある。低分子化合物としては、非会合性芳香族化合物、
モノ水素結合性芳香族化合物、多価水素結合性化合物を
用いた。図中、横軸はＮ／（ΣΔＨtr,m）、縦軸はｌｏ
ｇ（ＭＣＶ）を表わす。また実線、破線はそれぞれｈｃ
＝６．９×１０3 、１．７×１０4 ＫｋＪ／ｍｏｌの理
論曲線を示し、図中の各点はそれぞれの低分子化合物に
ついての測定値である。
【００４１】図３および式（２）からＭＣＶを小さくす
るにはΣΔＨtr,m／Ｎを小さくし、Ｔｍを高くし、ｈｃ
を大きくすればよいことがわかる。したがってＭＣＶを
小さくするためには、Ｎが大きい低分子化合物を合成し
てΣ△Ｈtr,m／Ｎを小さくすることが考えられる。しか
しながら一般にＮを大きくするとΣΔＨtr,mも増大する
ので、ＭＣＶを小さくするにはΣΔＨtr,mを増大させず
に、Ｎを大きくすることが必要である。
るにはΣΔＨtr,m／Ｎを小さくし、Ｔｍを高くし、ｈｃ
を大きくすればよいことがわかる。したがってＭＣＶを
小さくするためには、Ｎが大きい低分子化合物を合成し
てΣ△Ｈtr,m／Ｎを小さくすることが考えられる。しか
しながら一般にＮを大きくするとΣΔＨtr,mも増大する
ので、ＭＣＶを小さくするにはΣΔＨtr,mを増大させず
に、Ｎを大きくすることが必要である。
【００４２】このためには分子を対称的な球状にして分
子内ダイポールを打ち消したり、立体的に分子間相互作
用を弱めることが必要である。ＴｍとＴｇには大まかな
比例関係が成り立つことが知られており、Ｔｍを高くす
るにはΣΔＳtr,m／Ｎを小さくすることが有効である。
一方、物質群定数ｈｃを大きくするにはｈｇ同様、低分
子化合物に水素結合性置換基を複数個導入することが有
効である。
子内ダイポールを打ち消したり、立体的に分子間相互作
用を弱めることが必要である。ＴｍとＴｇには大まかな
比例関係が成り立つことが知られており、Ｔｍを高くす
るにはΣΔＳtr,m／Ｎを小さくすることが有効である。
一方、物質群定数ｈｃを大きくするにはｈｇ同様、低分
子化合物に水素結合性置換基を複数個導入することが有
効である。
【００４３】以上のことから高いＴｇ、小さいＭＣＶを
得るためには、大きな分子、対称的で球状な分子構造、
複数の水素結合性置換基の導入が有効であることがわか
った。
得るためには、大きな分子、対称的で球状な分子構造、
複数の水素結合性置換基の導入が有効であることがわか
った。
【００４４】水素結合性置換基として、具体的には水酸
基、１級及び２級アミノ基、１級及び２級アミド結合、
ウレタン結合基、尿素結合、ヒドラゾン結合、ヒドラジ
ン基、カルボキシル基等がある。
基、１級及び２級アミノ基、１級及び２級アミド結合、
ウレタン結合基、尿素結合、ヒドラゾン結合、ヒドラジ
ン基、カルボキシル基等がある。
【００４５】さらに、本発明に用いられる低分子化合物
は、透光性の良好な非晶質が容易に得られる必要があ
る。上記のことから本発明に用いられる低分子化合物は
水素結合性置換基を有するステロイド化合物のように可
視光領域に吸収をもたず、球状に近く嵩高い分子骨格を
有する化合物が好ましい。このようなステロイド化合物
として例えば下記の化学式（Ａー１）から（Ａ−１６）
で示される化合物が例示できる。
は、透光性の良好な非晶質が容易に得られる必要があ
る。上記のことから本発明に用いられる低分子化合物は
水素結合性置換基を有するステロイド化合物のように可
視光領域に吸収をもたず、球状に近く嵩高い分子骨格を
有する化合物が好ましい。このようなステロイド化合物
として例えば下記の化学式（Ａー１）から（Ａ−１６）
で示される化合物が例示できる。
【００４６】
【化１】
【００４７】
【化２】
【００４８】また、本発明に用いられる低分子化合物は
芳香族化合物であってもよい。このような芳香族化合物
として例えば下記の化学式（Ｂ−１）から（Ｂ−１２）
で示される化合物が例示できる。芳香族化合物において
は芳香環間の強い相互作用のため、特に水素結合性置換
基がなくても高いＴｇを得ることができるが、複数の水
素結合性置換基を有した方が一般的に言ってＴｇ／Ｔｍ
の値が大きい。Ｔｍが低い方が液晶表示素子を作製する
上で有利であるから、芳香族化合物においても水素結合
性置換基を有した方が好ましい。芳香族化合物を用いた
場合は、芳香環の存在のためにステロイド化合物と比べ
ると透明性の点では劣るが、ステロイド化合物よりも化
合物の合成が簡単であるという利点を有する。
芳香族化合物であってもよい。このような芳香族化合物
として例えば下記の化学式（Ｂ−１）から（Ｂ−１２）
で示される化合物が例示できる。芳香族化合物において
は芳香環間の強い相互作用のため、特に水素結合性置換
基がなくても高いＴｇを得ることができるが、複数の水
素結合性置換基を有した方が一般的に言ってＴｇ／Ｔｍ
の値が大きい。Ｔｍが低い方が液晶表示素子を作製する
上で有利であるから、芳香族化合物においても水素結合
性置換基を有した方が好ましい。芳香族化合物を用いた
場合は、芳香環の存在のためにステロイド化合物と比べ
ると透明性の点では劣るが、ステロイド化合物よりも化
合物の合成が簡単であるという利点を有する。
【００４９】
【化３】
【００５０】
【化４】
【００５１】低分子化合物が結晶質であるか非晶質であ
るかは、Ｘ線回折や電子線回折、光透過率測定等の一般
的な方法で容易に分析することができる。即ち結晶質で
あればＸ線回折や電子線回折が起こりシャープなピーク
やスポット等が観測される。しかし非晶質であればシャ
ープなピークやスポットは観測されなくなる。光透過測
定では光散乱を評価することが可能である。多結晶質で
あれば短波長の光がより強く散乱されるため、光透過率
は短波長になるほど低下する。したがって、その波長依
存性を見れば吸収による光透過減少と区別することがで
き、また結晶の粒径も推定できる。
るかは、Ｘ線回折や電子線回折、光透過率測定等の一般
的な方法で容易に分析することができる。即ち結晶質で
あればＸ線回折や電子線回折が起こりシャープなピーク
やスポット等が観測される。しかし非晶質であればシャ
ープなピークやスポットは観測されなくなる。光透過測
定では光散乱を評価することが可能である。多結晶質で
あれば短波長の光がより強く散乱されるため、光透過率
は短波長になるほど低下する。したがって、その波長依
存性を見れば吸収による光透過減少と区別することがで
き、また結晶の粒径も推定できる。
【００５２】本発明においては低分子化合物が非晶質の
ネットワークを形成することが重要であり、低分子化合
物が一部結晶化していても液晶表示素子の動作上は問題
がない。しかし、コントラスト等が低下する場合があ
り、結晶化した低分子化合物はできるだけ少ない方が好
ましい。
ネットワークを形成することが重要であり、低分子化合
物が一部結晶化していても液晶表示素子の動作上は問題
がない。しかし、コントラスト等が低下する場合があ
り、結晶化した低分子化合物はできるだけ少ない方が好
ましい。
【００５３】本発明に用いることができる液晶物質は屈
折率異方性があり、電圧によって配向が変化するもので
あればどのような液晶物質であってもよいが、好ましく
はネマチック液晶、コレステリック液晶等である。
折率異方性があり、電圧によって配向が変化するもので
あればどのような液晶物質であってもよいが、好ましく
はネマチック液晶、コレステリック液晶等である。
【００５４】光散乱を電圧でオンーオフさせ、透明ー白
濁変化を起こさせる場合には低分子化合物の屈折率を液
晶物質オン時の屈折率に合わせてやる必要がある。本発
明の液晶表示素子においては、液晶層の構成要素の一つ
として、コントラストを向上させる目的、およびカラー
化の目的で二色性色素を用いてもよい。その場合、二色
性色素としては液晶物質に溶解し、低分子化合物にはあ
まり溶解しないものを用いる必要がある。
濁変化を起こさせる場合には低分子化合物の屈折率を液
晶物質オン時の屈折率に合わせてやる必要がある。本発
明の液晶表示素子においては、液晶層の構成要素の一つ
として、コントラストを向上させる目的、およびカラー
化の目的で二色性色素を用いてもよい。その場合、二色
性色素としては液晶物質に溶解し、低分子化合物にはあ
まり溶解しないものを用いる必要がある。
【００５５】また二色性色素を用いる場合の液晶物質に
対する重量比は、０．０１〜１０％、好ましくは０．１
から５％である。重量比が低い場合、コントラストが十
分に向上しない。反対に重量比が高すぎる場合、電圧印
加時でも着色が残り、やはりコントラストが低下する。
対する重量比は、０．０１〜１０％、好ましくは０．１
から５％である。重量比が低い場合、コントラストが十
分に向上しない。反対に重量比が高すぎる場合、電圧印
加時でも着色が残り、やはりコントラストが低下する。
【００５６】二色性色素を含有させる場合には低分子化
合物と液晶物質との屈折率の選び方は目的によって異な
ってくる。すなわち、光散乱を利用してコントラストを
上げてやる場合には屈折率異方性の大きい液晶物質が望
ましい。しかし、この場合には反射光の色が白っぽくな
るという欠点が生じる。一方、屈折率異方性が小さく、
低分子化合物の屈折率に近い場合には二色性色素本来の
色が得られる。
合物と液晶物質との屈折率の選び方は目的によって異な
ってくる。すなわち、光散乱を利用してコントラストを
上げてやる場合には屈折率異方性の大きい液晶物質が望
ましい。しかし、この場合には反射光の色が白っぽくな
るという欠点が生じる。一方、屈折率異方性が小さく、
低分子化合物の屈折率に近い場合には二色性色素本来の
色が得られる。
【００５７】さらに本発明の液晶表示素子においては、
液晶層の構成要素の一つとして、反射光の増白、および
紫外線吸収剤として蛍光色素を用いてもよい。その場
合、蛍光色素は低分子化合物に溶解し、液晶物質にはあ
まり溶解しないものが好ましい。
液晶層の構成要素の一つとして、反射光の増白、および
紫外線吸収剤として蛍光色素を用いてもよい。その場
合、蛍光色素は低分子化合物に溶解し、液晶物質にはあ
まり溶解しないものが好ましい。
【００５８】なお、本発明の液晶表示素子には、分子量
１０００以上の高分子化合物を含有させることも可能で
ある。例えば、熱可塑性樹脂を含有させてもよい。ま
た、熱硬化性樹脂、硬化剤および硬化促進剤、または光
硬化性樹脂、光硬化剤および硬化促進剤を含有させても
よい。後者のように、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂
を含有させる場合、セルに混合物を注入した後、加熱す
るか光照射して樹脂を硬化させる。これらの樹脂を液晶
層の構成要素の一つとした場合には、樹脂と非晶質を形
成する低分子化合物とが組合わさったネットワークを形
成し、高分子分散液晶で見られたヒステリシスが改善さ
れると共に、場合により液晶層の長期安定性がさらに改
善される。なお高分子化合物の液晶に対する割合は０．
１〜８０％であれば良い。
１０００以上の高分子化合物を含有させることも可能で
ある。例えば、熱可塑性樹脂を含有させてもよい。ま
た、熱硬化性樹脂、硬化剤および硬化促進剤、または光
硬化性樹脂、光硬化剤および硬化促進剤を含有させても
よい。後者のように、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂
を含有させる場合、セルに混合物を注入した後、加熱す
るか光照射して樹脂を硬化させる。これらの樹脂を液晶
層の構成要素の一つとした場合には、樹脂と非晶質を形
成する低分子化合物とが組合わさったネットワークを形
成し、高分子分散液晶で見られたヒステリシスが改善さ
れると共に、場合により液晶層の長期安定性がさらに改
善される。なお高分子化合物の液晶に対する割合は０．
１〜８０％であれば良い。
【００５９】次に、本発明の液晶表示素子の製造方法を
具体的に述べる。基板としては、ＩＴＯによりパターン
が形成されたガラスもしくはプラスチック基板、ＴＦＴ
素子が形成された基板、表面にＩＴＯが形成されたカラ
ーフィルターなどが用いられる。２枚の基板間の距離、
すなわちセルの厚みは、１〜１００μｍ，好ましくは５
〜５０μｍである。セルの厚みが薄い場合、コントラス
トが十分ではない。逆にセルの厚みが厚すぎる場合、駆
動電圧が大きくなる。
具体的に述べる。基板としては、ＩＴＯによりパターン
が形成されたガラスもしくはプラスチック基板、ＴＦＴ
素子が形成された基板、表面にＩＴＯが形成されたカラ
ーフィルターなどが用いられる。２枚の基板間の距離、
すなわちセルの厚みは、１〜１００μｍ，好ましくは５
〜５０μｍである。セルの厚みが薄い場合、コントラス
トが十分ではない。逆にセルの厚みが厚すぎる場合、駆
動電圧が大きくなる。
【００６０】本発明の非晶質を形成する低分子化合物と
液晶物質の混合物は、セルに注入する直前に調整しても
よいし、前もって調整してもよい。作業の効率を考えれ
ば前もって調整しておくことが好ましい。調整後、長時
間保存した場合には、加熱によりいったん均一な等方性
の液体にして、撹拌後、用いるようにする。セルに混合
物を注入する際には、加熱により等方性液体とした後、
注入することが好ましい。注入後、熱硬化性もしくは光
硬化性樹脂により注入口を封止する。注入する代わり
に、適当な溶媒に低分子化合物と液晶物質とを溶解さ
せ、それをセル基板に塗布乾燥させてもよい。または溶
媒を用いずに加熱混合後冷却した混合物をセル基板に乗
せ、さらに上部基板で挟みながら全体を加熱して均一に
伸ばしてもよい。
液晶物質の混合物は、セルに注入する直前に調整しても
よいし、前もって調整してもよい。作業の効率を考えれ
ば前もって調整しておくことが好ましい。調整後、長時
間保存した場合には、加熱によりいったん均一な等方性
の液体にして、撹拌後、用いるようにする。セルに混合
物を注入する際には、加熱により等方性液体とした後、
注入することが好ましい。注入後、熱硬化性もしくは光
硬化性樹脂により注入口を封止する。注入する代わり
に、適当な溶媒に低分子化合物と液晶物質とを溶解さ
せ、それをセル基板に塗布乾燥させてもよい。または溶
媒を用いずに加熱混合後冷却した混合物をセル基板に乗
せ、さらに上部基板で挟みながら全体を加熱して均一に
伸ばしてもよい。
【００６１】本発明では、従来の高分子分散型液晶表示
素子の場合と同様、偏光板は不要である。また、ラビン
グによる配向処理が不要であるという大きなメリットが
ある。
素子の場合と同様、偏光板は不要である。また、ラビン
グによる配向処理が不要であるという大きなメリットが
ある。
【００６２】以上のように本発明の液晶表示素子は、高
分子分散型液晶を用いた液晶表示素子に比べ、製造方法
が極めて容易となり、工程の条件による特性のバラツキ
も減少する。
分子分散型液晶を用いた液晶表示素子に比べ、製造方法
が極めて容易となり、工程の条件による特性のバラツキ
も減少する。
【００６３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。以下の実施例では、図４（ａ）および（ｂ）に示
す液晶セルを作製した。（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図である。図４において、２枚のガラス基板１の表面に
はＩＴＯ透明電極２が形成されている。これらのガラス
基板１はＩＴＯ透明電極２を互いに対向させた状態で、
接着剤層３を介して周縁部が接着されている。これらの
ガラス基板１の間に液晶層４が設けられる。この液晶表
示素子の寸法は、縦３ｃｍ、横２ｃｍであり、セルギャ
ップｄ（μｍ）は適宜設定される。 （実施例１）低分子化合物としてガラス転移温度１１５
℃の非晶質を形成するコール酸（東京化成社製、化学式
Ａ−１）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｍ
ｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにして本
実施例に係る液晶表示素子を作製した。
する。以下の実施例では、図４（ａ）および（ｂ）に示
す液晶セルを作製した。（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図である。図４において、２枚のガラス基板１の表面に
はＩＴＯ透明電極２が形成されている。これらのガラス
基板１はＩＴＯ透明電極２を互いに対向させた状態で、
接着剤層３を介して周縁部が接着されている。これらの
ガラス基板１の間に液晶層４が設けられる。この液晶表
示素子の寸法は、縦３ｃｍ、横２ｃｍであり、セルギャ
ップｄ（μｍ）は適宜設定される。 （実施例１）低分子化合物としてガラス転移温度１１５
℃の非晶質を形成するコール酸（東京化成社製、化学式
Ａ−１）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｍ
ｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにして本
実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００６４】まずコール酸とネマチック液晶とをガラス
製試験管内で２００℃に加熱し、均一透明になるまで撹
拌した。得られた混合物を室温まで冷却すると、白濁し
たガラス状の固体が得られた。この混合物を再度２００
℃に加熱して等方性の液体とした。ｄ＝１０μｍの液晶
セルを真空中において熱板上で２００℃に加熱し、この
セル内に加熱された等方性の液体を注入した。その後、
室温まで徐冷した。
製試験管内で２００℃に加熱し、均一透明になるまで撹
拌した。得られた混合物を室温まで冷却すると、白濁し
たガラス状の固体が得られた。この混合物を再度２００
℃に加熱して等方性の液体とした。ｄ＝１０μｍの液晶
セルを真空中において熱板上で２００℃に加熱し、この
セル内に加熱された等方性の液体を注入した。その後、
室温まで徐冷した。
【００６５】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．３Ｖ、コントラストが１：３５、透過率が８３％
であった。また、実効電圧を横軸、透過率を縦軸とした
特性図は図５のようになり、本実施例のセルは図中の実
線で示すようにヒステリシスがほとんど観測されなかっ
た。そしてセルを室温下で１ヶ月間放置した後も特性は
ほとんど変化しなかった。 （比較例１）実施例に対する比較例１として、高分子分
散液晶を用いた液晶表示素子を以下のように作製した。
１０．３Ｖ、コントラストが１：３５、透過率が８３％
であった。また、実効電圧を横軸、透過率を縦軸とした
特性図は図５のようになり、本実施例のセルは図中の実
線で示すようにヒステリシスがほとんど観測されなかっ
た。そしてセルを室温下で１ヶ月間放置した後も特性は
ほとんど変化しなかった。 （比較例１）実施例に対する比較例１として、高分子分
散液晶を用いた液晶表示素子を以下のように作製した。
【００６６】ネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）
５０ｍｌを５重量％のゼラチン水溶液１００ｍｌ中に分
散乳化させ４７℃にする。４７℃の５重量％のアラビア
ゴム水溶液１００ｍｌを加えた後、１０％酢酸を滴下し
てｐＨを３．５に調整した。１７０ｍｌの温水を３ｍｌ
ずつゆっくり添加し、温度を序々に冷却して５℃まで下
げた。希薄なホルムアルデヒドを全体の濃度が６ｍＭに
なるまで加え、１０％水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ
８．５にし、膜を硬化させた。これをＩＴＯ膜がついた
基板上に塗布して厚さ１５μｍの膜を得たのち、ＩＴＯ
膜が塗布されたＰＥＴフィルムでラミネートした。
５０ｍｌを５重量％のゼラチン水溶液１００ｍｌ中に分
散乳化させ４７℃にする。４７℃の５重量％のアラビア
ゴム水溶液１００ｍｌを加えた後、１０％酢酸を滴下し
てｐＨを３．５に調整した。１７０ｍｌの温水を３ｍｌ
ずつゆっくり添加し、温度を序々に冷却して５℃まで下
げた。希薄なホルムアルデヒドを全体の濃度が６ｍＭに
なるまで加え、１０％水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ
８．５にし、膜を硬化させた。これをＩＴＯ膜がついた
基板上に塗布して厚さ１５μｍの膜を得たのち、ＩＴＯ
膜が塗布されたＰＥＴフィルムでラミネートした。
【００６７】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
２０Ｖ、コントラストが１：３０、透過率が８４％であ
った。また図５の破線で示すようにヒステリシスが観測
された。 （比較例２）実施例に対する比較例２として、パーフル
オロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示素子を
以下のように作製した。
２０Ｖ、コントラストが１：３０、透過率が８４％であ
った。また図５の破線で示すようにヒステリシスが観測
された。 （比較例２）実施例に対する比較例２として、パーフル
オロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示素子を
以下のように作製した。
【００６８】１Ｈ、１Ｈ、１Ｈ、１Ｈ−パーフルオロオ
クチル ４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニルカルボ
ン酸エステル０．３ｇとネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社
製、Ｅ−７）１ｇを用い、これらをガラス試験管内で１
００℃に加熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られ
た混合物を室温まで冷却すると白濁したゲル状の物質が
得られた。この混合物を再度１００℃に加熱して等方性
の液体とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中におい
て熱板上で１００℃に加熱し、このセル内に加熱された
等方性の液体を注入した。その後、室温まで冷却した。
クチル ４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニルカルボ
ン酸エステル０．３ｇとネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社
製、Ｅ−７）１ｇを用い、これらをガラス試験管内で１
００℃に加熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られ
た混合物を室温まで冷却すると白濁したゲル状の物質が
得られた。この混合物を再度１００℃に加熱して等方性
の液体とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中におい
て熱板上で１００℃に加熱し、このセル内に加熱された
等方性の液体を注入した。その後、室温まで冷却した。
【００６９】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
８．２Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８０％で
あった。またヒステリシスはほとんど観測されなかっ
た。しかしセルを室温下で１ヶ月放置した後、Ｖth（９
０％）が６．２Ｖ、コントラストが１：１０、透過率が
９０％とコントラストが低下し、長期保存性に劣ること
が分かった。 （実施例２）ｄ＝２５μｍの液晶セルを用いた以外は、
実施例１と同様にして液晶表示素子を作製し、特性を評
価した。
８．２Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８０％で
あった。またヒステリシスはほとんど観測されなかっ
た。しかしセルを室温下で１ヶ月放置した後、Ｖth（９
０％）が６．２Ｖ、コントラストが１：１０、透過率が
９０％とコントラストが低下し、長期保存性に劣ること
が分かった。 （実施例２）ｄ＝２５μｍの液晶セルを用いた以外は、
実施例１と同様にして液晶表示素子を作製し、特性を評
価した。
【００７０】その結果、Ｖth（９０％）が２５Ｖ、コン
トラストが１：７０、透過率が６５％であった。また実
施例１と同様に、ヒステリシスはほとんど観測されず、
放置後も特性はほとんど変化しなかった。 （実施例３）低分子化合物としてガラス転移温度７６℃
の非晶質を形成するβ−エストラジオール（東京化成社
製、化学式Ａ−２）１ｇおよび液晶物質としてネマチッ
ク液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のよ
うにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
トラストが１：７０、透過率が６５％であった。また実
施例１と同様に、ヒステリシスはほとんど観測されず、
放置後も特性はほとんど変化しなかった。 （実施例３）低分子化合物としてガラス転移温度７６℃
の非晶質を形成するβ−エストラジオール（東京化成社
製、化学式Ａ−２）１ｇおよび液晶物質としてネマチッ
ク液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のよ
うにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００７１】これらをガラス製試験管内で１８０℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００７２】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１２．５Ｖ、コントラストが１：３０、透過率が８０％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例４）低分子化合物としてコール酸の代わりにガ
ラス転移温度７１℃の非晶質を形成するメチルアンドロ
ステンジオール（東京化成社製、化学式Ａ−３）を用い
ることを除いては実施例１と同様にして液晶表示素子を
作製した。
１２．５Ｖ、コントラストが１：３０、透過率が８０％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例４）低分子化合物としてコール酸の代わりにガ
ラス転移温度７１℃の非晶質を形成するメチルアンドロ
ステンジオール（東京化成社製、化学式Ａ−３）を用い
ることを除いては実施例１と同様にして液晶表示素子を
作製した。
【００７３】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１１．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例５）低分子化合物としてコール酸０．５ｇとβ
−エストラジオール０．５ｇおよび液晶物質としてネマ
チック液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下
のようにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１１．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例５）低分子化合物としてコール酸０．５ｇとβ
−エストラジオール０．５ｇおよび液晶物質としてネマ
チック液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下
のようにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００７４】これらをガラス製試験管内で２００℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１７０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１７０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１７０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１７０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００７５】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例６）コール酸１ｇの代わりに０．２５ｇを用い
ることを除いては実施例１と同様にして液晶表示素子を
作製した。この場合には白濁したガラス状の固体ではな
く、白濁したゲル状態が得られた。
１０．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例６）コール酸１ｇの代わりに０．２５ｇを用い
ることを除いては実施例１と同様にして液晶表示素子を
作製した。この場合には白濁したガラス状の固体ではな
く、白濁したゲル状態が得られた。
【００７６】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．５Ｖ、コントラストが１：４０、透過率が８７％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例７）低分子化合物としてコール酸１ｇおよび液
晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社製、ＺＬＩ−
１８４０）１ｇを用い、さらに黒用二色性色素（三井東
圧社製、Ｓ−３４４）０．０３ｇを用い、以下のように
して本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１０．５Ｖ、コントラストが１：４０、透過率が８７％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例７）低分子化合物としてコール酸１ｇおよび液
晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社製、ＺＬＩ−
１８４０）１ｇを用い、さらに黒用二色性色素（三井東
圧社製、Ｓ−３４４）０．０３ｇを用い、以下のように
して本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００７７】これらをガラス製試験管内で２００℃に加
熱し、均一になるまで撹拌した。得られた混合物を室温
まで冷却すると、黒色のガラス状の固体が得られた。こ
の混合物を再度２００℃に加熱して等方性の液体とし
た。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板上で
２００℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性の液
体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一になるまで撹拌した。得られた混合物を室温
まで冷却すると、黒色のガラス状の固体が得られた。こ
の混合物を再度２００℃に加熱して等方性の液体とし
た。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板上で
２００℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性の液
体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００７８】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１４．８Ｖ、コントラストが１：４５、透過率が７５％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例８）低分子化合物としてコール酸１ｇおよび液
晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）
１ｇを用い、以下のようにして本実施例に係る液晶表示
素子を作製した。
１４．８Ｖ、コントラストが１：４５、透過率が７５％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例８）低分子化合物としてコール酸１ｇおよび液
晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）
１ｇを用い、以下のようにして本実施例に係る液晶表示
素子を作製した。
【００７９】これらをエタノールに加熱溶解した。得ら
れた溶液をＩＴＯがコートされたポリカーボネート基板
上に塗布し厚さ１０μｍの白濁した膜を得た。この上に
１ｃｍ2 のアルミニウム電極を蒸着した。
れた溶液をＩＴＯがコートされたポリカーボネート基板
上に塗布し厚さ１０μｍの白濁した膜を得た。この上に
１ｃｍ2 のアルミニウム電極を蒸着した。
【００８０】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．２Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例９）低分子化合物としてガラス転移温度５４℃
の非晶質を形成するヒオデオキシコール酸（東京化成社
製、化学式Ａ−４）１ｇおよび液晶物質としてネマチッ
ク液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のよ
うにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１０．２Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例９）低分子化合物としてガラス転移温度５４℃
の非晶質を形成するヒオデオキシコール酸（東京化成社
製、化学式Ａ−４）１ｇおよび液晶物質としてネマチッ
ク液晶（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のよ
うにして本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００８１】これらをガラス製試験管内で１２０℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１１０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１１０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１１０℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１１０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００８２】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１１．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８１％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１０）低分子化合物としてヒオデオキシコール
酸０．２ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｅ−
７）１ｇを用い、さらに熱可塑性樹脂としてエポキシ樹
脂（油化シェル製、エピコート８２８）０．１ｇ、トリ
エチルテトラミン３ｍｇを用い、以下のようにして本実
施例に係る液晶表示素子を作製した。
１１．５Ｖ、コントラストが１：３２、透過率が８１％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１０）低分子化合物としてヒオデオキシコール
酸０．２ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｅ−
７）１ｇを用い、さらに熱可塑性樹脂としてエポキシ樹
脂（油化シェル製、エピコート８２８）０．１ｇ、トリ
エチルテトラミン３ｍｇを用い、以下のようにして本実
施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００８３】これらをガラス製試験管内で１２０℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。図
４のセルを構成する２枚の基板のうち、下側の基板に１
０μｍの球状スペーサーを介在させ、上記ゲルを少量滴
下し後、上部基板を押さえつけ、セルを作製した。この
セルを１７０℃で１時間加熱し、エポキシ成分を硬化さ
せた。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。図
４のセルを構成する２枚の基板のうち、下側の基板に１
０μｍの球状スペーサーを介在させ、上記ゲルを少量滴
下し後、上部基板を押さえつけ、セルを作製した。この
セルを１７０℃で１時間加熱し、エポキシ成分を硬化さ
せた。
【００８４】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．５Ｖ、コントラストが１：４０、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。なお放置後の特性変化は熱可塑性樹脂を用いなかっ
た場合と比較して少なかった。 （実施例１１）低分子化合物としてヒオデオキシコール
酸０．２ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅ
ｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、さらに光硬化性樹脂の
原料となる感光性モノマーとしてブチルアクリレート
０．１ｇ、感光剤としてイルガキュア６５１（チバガイ
ギー社製商品名）を用い、以下のようにして本実施例に
係る液晶表示素子を作製した。
１０．５Ｖ、コントラストが１：４０、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。なお放置後の特性変化は熱可塑性樹脂を用いなかっ
た場合と比較して少なかった。 （実施例１１）低分子化合物としてヒオデオキシコール
酸０．２ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶（Ｍｅ
ｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、さらに光硬化性樹脂の
原料となる感光性モノマーとしてブチルアクリレート
０．１ｇ、感光剤としてイルガキュア６５１（チバガイ
ギー社製商品名）を用い、以下のようにして本実施例に
係る液晶表示素子を作製した。
【００８５】これらをガラス製試験管内で１２０℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。図
４のセルを構成する２枚の基板のうち、下側の基板に１
０μｍの球状スペーサーを介在させ、上記ゲルを少量滴
下し後、上部基板を押さえつけ、セルを作製した。この
セルに８０Ｗ／ｃｍ2 の水銀ランプ光を照射し、ブチル
アクリレートを重合させた。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。図
４のセルを構成する２枚の基板のうち、下側の基板に１
０μｍの球状スペーサーを介在させ、上記ゲルを少量滴
下し後、上部基板を押さえつけ、セルを作製した。この
セルに８０Ｗ／ｃｍ2 の水銀ランプ光を照射し、ブチル
アクリレートを重合させた。
【００８６】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．２Ｖ、コントラストが１：４２、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。なお放置後の特性変化は熱可塑性樹脂を用いなかっ
た場合と比較して少なかった。 （実施例１２）低分子化合物としてガラス転移温度７８
℃の非晶質を形成するトリフェニルアミン誘導体（化学
式Ｂ−７）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１０．２Ｖ、コントラストが１：４２、透過率が８３％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。なお放置後の特性変化は熱可塑性樹脂を用いなかっ
た場合と比較して少なかった。 （実施例１２）低分子化合物としてガラス転移温度７８
℃の非晶質を形成するトリフェニルアミン誘導体（化学
式Ｂ−７）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００８７】これらをガラス製試験管内で１８５℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８５℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８５℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８５℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８５℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００８８】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．６Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８０％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１３）低分子化合物としてガラス転移温度１３
９℃の非晶質を形成するオキサジアゾール誘導体（化学
式Ｂ−８）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１０．６Ｖ、コントラストが１：３３、透過率が８０％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１３）低分子化合物としてガラス転移温度１３
９℃の非晶質を形成するオキサジアゾール誘導体（化学
式Ｂ−８）１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００８９】これらをガラス製試験管内で１８５℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８５℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８５℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したガラス状の固体が得られ
た。この混合物を再度１８５℃に加熱して等方性の液体
とした。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板
上で１８５℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性
の液体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００９０】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１０．８Ｖ、コントラストが１：３１、透過率が８１％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１４）低分子化合物としてガラス転移温度２３
０℃の非晶質を形成するカルバゾール誘導体（化学式Ｂ
−９）０．１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
１０．８Ｖ、コントラストが１：３１、透過率が８１％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。 （実施例１４）低分子化合物としてガラス転移温度２３
０℃の非晶質を形成するカルバゾール誘導体（化学式Ｂ
−９）０．１ｇおよび液晶物質としてネマチック液晶
（Ｍｅｒｋ社製、Ｅ−７）１ｇを用い、以下のようにし
て本実施例に係る液晶表示素子を作製した。
【００９１】これらをガラス製試験管内で１８０℃に加
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。こ
の混合物を再度１８０℃に加熱して等方性の液体とし
た。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板上で
１８０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性の液
体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
熱し、均一透明になるまで撹拌した。得られた混合物を
室温まで冷却すると、白濁したゲル状態が得られた。こ
の混合物を再度１８０℃に加熱して等方性の液体とし
た。ｄ＝１０μｍの液晶セルを真空中において熱板上で
１８０℃に加熱し、このセル内に加熱された等方性の液
体を注入した。その後、室温まで徐冷した。
【００９２】得られたセルの特性は、Ｖth（９０％）が
１１．３Ｖ、コントラストが１：３９、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。
１１．３Ｖ、コントラストが１：３９、透過率が８４％
であった。また実施例１と同様に、ヒステリシスはほと
んど観測されず、放置後も特性はほとんど変化しなかっ
た。
【００９３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明は、従来のパ
ーフルオロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示
素子の長所を有し、さらにフィルム形成能、相分離状態
の長期安定性に優れた液晶表示素子を提供することが可
能である。
ーフルオロアルキル基を有する化合物を用いた液晶表示
素子の長所を有し、さらにフィルム形成能、相分離状態
の長期安定性に優れた液晶表示素子を提供することが可
能である。
【図１】 本発明に係る低分子化合物を示差走査型熱量
分析装置で測定した一般的な熱特性を示す図。
分析装置で測定した一般的な熱特性を示す図。
【図２】 各種低分子化合物におけるガラス転移温度Ｔ
ｇと転移融解エントロピΣΔＳtr,mとの関係を示す図。
ｇと転移融解エントロピΣΔＳtr,mとの関係を示す図。
【図３】 各種低分子化合物における最大結晶成長速度
ＭＣＶと転移融解エンタルピΣΔＨtr,mとの関係を示す
図
ＭＣＶと転移融解エンタルピΣΔＨtr,mとの関係を示す
図
【図４】 本発明の実施例に係る液晶表示素子の断面お
よび平面図。
よび平面図。
【図５】 本発明の実施例に係る液晶表示素子の電圧−
透過率曲線を示す図。
透過率曲線を示す図。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ透明電極、３…接着剤層、
４…液晶層。
４…液晶層。
Claims (7)
- 【請求項１】 電極が形成された１対の基板間に、非晶
質を形成する低分子化合物と、液晶物質との混合物を含
む液晶層を備えたことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 電極が形成された１対の基板間に、ネッ
トワークを形成する低分子化合物と、液晶物質との混合
物を含む液晶層を備えたことを特徴とする液晶表示素
子。 - 【請求項３】 前記低分子化合物のガラス転移温度が２
５℃以上であることを特徴とする請求項１または２記載
の液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記低分子化合物がステロイド化合物で
あることを特徴とする請求項１乃至３記載の液晶表示素
子。 - 【請求項５】 前記低分子化合物が芳香族化合物である
ことを特徴とする請求項１乃至３記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記低分子化合物の前記混合物に対する
重量％が１０〜８０％であることを特徴とする請求項１
乃至５記載の液晶表示素子。 - 【請求項７】 分子量１０００以上の高分子化合物を前
記液晶層に含むことを特徴とする請求項１乃至６記載の
液晶表示素子。
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|---|---|---|---|
| JP7056884A JPH08254688A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示素子 |
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| KR1019960006955A KR100241836B1 (ko) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | 액정 표시 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7056884A JPH08254688A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示素子 |
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|---|---|
| JPH08254688A true JPH08254688A (ja) | 1996-10-01 |
Family
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|---|---|---|---|
| JP7056884A Pending JPH08254688A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示素子 |
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- 1996-03-15 KR KR1019960006955A patent/KR100241836B1/ko not_active Expired - Fee Related
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