JPH0929882A - 調光材料 - Google Patents
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- JPH0929882A JPH0929882A JP7213891A JP21389195A JPH0929882A JP H0929882 A JPH0929882 A JP H0929882A JP 7213891 A JP7213891 A JP 7213891A JP 21389195 A JP21389195 A JP 21389195A JP H0929882 A JPH0929882 A JP H0929882A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B9/00—Screening or protective devices for wall or similar openings, with or without operating or securing mechanisms; Closures of similar construction
- E06B9/24—Screens or other constructions affording protection against light, especially against sunshine; Similar screens for privacy or appearance; Slat blinds
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S50/00—Arrangements for controlling solar heat collectors
- F24S50/80—Arrangements for controlling solar heat collectors for controlling collection or absorption of solar radiation
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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- Y02B10/20—Solar thermal
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 建築物の窓材等として優れた省エネルギー効
果を示す調光材料を提供する。 【構成】 少なくとも１枚の透光性基板に液晶性材料が
配された積層体で、２７３Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての
温度において、波長 ４００〜 ７５０ｎｍの光線透過
率が ５０％以上、２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の全ての
温度において、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過
率が ６０％以上、２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての
温度において、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過
率が ４０％以下、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線
反射率が ５０％以上、である性状を有する該積層体を
主構成部材とする調光材料。
果を示す調光材料を提供する。 【構成】 少なくとも１枚の透光性基板に液晶性材料が
配された積層体で、２７３Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての
温度において、波長 ４００〜 ７５０ｎｍの光線透過
率が ５０％以上、２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の全ての
温度において、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過
率が ６０％以上、２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての
温度において、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過
率が ４０％以下、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線
反射率が ５０％以上、である性状を有する該積層体を
主構成部材とする調光材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は調光材料に関し、さ
らに詳しくは室温前後で特定波長の光線透過率および光
線反射率が変化し、省エネルギー化に貢献しうる調光材
料に関するものである。
らに詳しくは室温前後で特定波長の光線透過率および光
線反射率が変化し、省エネルギー化に貢献しうる調光材
料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大きな建築物などにおいて空調に
費やされるエネルギーを低減するために、種々の機能を
有する窓を用いる傾向にある。これらは熱線反射ガラス
と熱線吸収ガラスとに大別することができる。
費やされるエネルギーを低減するために、種々の機能を
有する窓を用いる傾向にある。これらは熱線反射ガラス
と熱線吸収ガラスとに大別することができる。
【０００３】熱線反射ガラス、熱線吸収ガラスの両者
は、ガラス表面に金属酸化物を製膜し、これにより太陽
光線中の赤外線を反射あるいは吸収することにより、建
築物内の温度上昇を抑え、冷房負荷を軽減するものであ
る。しかしながら、該ガラスを用いた場合には可視光線
の透過率の低下を招き、照明に費やされるエネルギーが
増加する、さらに冬期においては室内に熱線が入らない
ために暖房負荷が増加するなどの問題点がある。
は、ガラス表面に金属酸化物を製膜し、これにより太陽
光線中の赤外線を反射あるいは吸収することにより、建
築物内の温度上昇を抑え、冷房負荷を軽減するものであ
る。しかしながら、該ガラスを用いた場合には可視光線
の透過率の低下を招き、照明に費やされるエネルギーが
増加する、さらに冬期においては室内に熱線が入らない
ために暖房負荷が増加するなどの問題点がある。
【０００４】冬期の暖房負荷を増加させないためには、
光線透過率を自在に制御できる材料を利用することが考
えられ、例えば電場印加により光線透過率を変化させら
れるエレクトロクロミック材料の利用が検討されてい
る。しかしこのためには、ガラス表面に透明電極を設け
電気配線をする必要があり、価格が高く成らざるを得な
い。また透過率の低下は光線の反射ではなく吸収でもた
らされるのでガラス自体が高温になり、２次放射が起こ
るという問題が生じる。これを避けるために室内側に低
放散ガラスを用いるなどの工夫が必要となり、さらに高
価格になる、という問題が生じる。
光線透過率を自在に制御できる材料を利用することが考
えられ、例えば電場印加により光線透過率を変化させら
れるエレクトロクロミック材料の利用が検討されてい
る。しかしこのためには、ガラス表面に透明電極を設け
電気配線をする必要があり、価格が高く成らざるを得な
い。また透過率の低下は光線の反射ではなく吸収でもた
らされるのでガラス自体が高温になり、２次放射が起こ
るという問題が生じる。これを避けるために室内側に低
放散ガラスを用いるなどの工夫が必要となり、さらに高
価格になる、という問題が生じる。
【０００５】エレクトロクロミック材料以外の材料とし
ては、近年サーモクロミック材料の利用も研究されてい
る。これはガラス表面に特殊な金属酸化物薄膜を作製
し、プラズマ周波数が温度によって変化することを利用
したもので、低温時には低反射率、高温時には光反射率
を実現しようとするものである。この方法は、理想的に
動作すれば原理的に上記の問題点を克服することが可能
であるが、実際には温度が変化した際の反射率の変化が
小さいために実用に供することができないのが現状であ
る。
ては、近年サーモクロミック材料の利用も研究されてい
る。これはガラス表面に特殊な金属酸化物薄膜を作製
し、プラズマ周波数が温度によって変化することを利用
したもので、低温時には低反射率、高温時には光反射率
を実現しようとするものである。この方法は、理想的に
動作すれば原理的に上記の問題点を克服することが可能
であるが、実際には温度が変化した際の反射率の変化が
小さいために実用に供することができないのが現状であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するものであり、液晶の温度変化による特異な性質を
利用して太陽光線中の特定波長の光線透過率および光線
反射率を調製する調光材料を提供するものである。
決するものであり、液晶の温度変化による特異な性質を
利用して太陽光線中の特定波長の光線透過率および光線
反射率を調製する調光材料を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の第１
は、少なくとも１枚の透光性基板に液晶性材料が配され
た積層体で、２７３Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度に
おいて、波長 ４００〜７５０ｎｍの光線透過率が ５
０％以上、２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の全ての温度にお
いて、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ６
０％以上、２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度にお
いて、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ４
０％以下、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線反射率が
５０％以上である性状を有する該積層体を主構成部材
とすることを特徴とする調光材料に関する。また本発明
の第２は、液晶性材料が、明澄点３１３Ｋを超えかつ結
晶化温度が２７３Ｋ未満であることを特徴とする上記第
１記載の調光材料に関する。また本発明の第３は、液晶
性材料が、明澄点３１３Ｋを超えかつ２８８Ｋ未満の温
度でガラス転移することを特徴とする上記第１記載の調
光材料に関する。また本発明の第４は、液晶性材料が、
２８８Ｋ以上２９８Ｋ未満の温度範囲においてコレステ
リックースメクティック相転移点を有することを特徴と
する上記第１乃至第３に記載の調光材料に関する。すな
わち本発明の第５は、液晶性材料が、少なくとも１種の
光学活性な液晶性化合物を含むことを特徴とする上記第
１乃至第４に記載の調光材料に関する。
は、少なくとも１枚の透光性基板に液晶性材料が配され
た積層体で、２７３Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度に
おいて、波長 ４００〜７５０ｎｍの光線透過率が ５
０％以上、２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の全ての温度にお
いて、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ６
０％以上、２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度にお
いて、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ４
０％以下、波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線反射率が
５０％以上である性状を有する該積層体を主構成部材
とすることを特徴とする調光材料に関する。また本発明
の第２は、液晶性材料が、明澄点３１３Ｋを超えかつ結
晶化温度が２７３Ｋ未満であることを特徴とする上記第
１記載の調光材料に関する。また本発明の第３は、液晶
性材料が、明澄点３１３Ｋを超えかつ２８８Ｋ未満の温
度でガラス転移することを特徴とする上記第１記載の調
光材料に関する。また本発明の第４は、液晶性材料が、
２８８Ｋ以上２９８Ｋ未満の温度範囲においてコレステ
リックースメクティック相転移点を有することを特徴と
する上記第１乃至第３に記載の調光材料に関する。すな
わち本発明の第５は、液晶性材料が、少なくとも１種の
光学活性な液晶性化合物を含むことを特徴とする上記第
１乃至第４に記載の調光材料に関する。
【０００８】以下本発明についてさらに詳しく説明す
る。本発明において光線透過率および光線反射率は、以
下の定義に従う。波長Ｘｎｍ〜Ｙｎｍでの光線透過率と
は、波長λｎｍでの透過率をＴ（λ）、波長λｎｍでの
太陽光線のエネルギー密度をＥ（λ）として、下式で定
義されるＳであり、
る。本発明において光線透過率および光線反射率は、以
下の定義に従う。波長Ｘｎｍ〜Ｙｎｍでの光線透過率と
は、波長λｎｍでの透過率をＴ（λ）、波長λｎｍでの
太陽光線のエネルギー密度をＥ（λ）として、下式で定
義されるＳであり、
【０００９】
【数１】
【００１０】また、波長Ｘｎｍ〜Ｙｎｍでの光線反射率
とは、波長λｎｍでの反射率をＲ（λ）、波長λｎｍで
の太陽光線のエネルギー密度をＥ（λ）として、下式で
定義されるＱである。
とは、波長λｎｍでの反射率をＲ（λ）、波長λｎｍで
の太陽光線のエネルギー密度をＥ（λ）として、下式で
定義されるＱである。
【００１１】
【数２】
【００１２】本発明において、かかる式を用いて該波長
領域における光線透過率および光線反射率を定義する理
由は以下の通りである。地表に到達する太陽エネルギー
は、大気による吸収や散乱の影響により複雑な波長分布
を示すが、全体的な形としては６０００Ｋの黒体輻射に
ほぼ近いことが例えば上坂ら（太陽／風力エネルギー講
演論文集、Ｐ．１５３、１９９４年）より報告されてい
る。この６０００Ｋの黒体輻射から近似された太陽光ス
ペクトルを図１に示した。ここで図２の如き光線透過ス
ペクトルを有する物体に対して太陽光を透過すると、こ
の透過スペクトルは図３における実線のスペクトルを描
くことになる。この物体を透過した波長Ｘｎｍ〜Ｙｎｍ
における光線透過率は、図１と図３の斜線部分の面積比
より求めることができる。これを式によって表したのが
式（１）であり、同様に光線反射率に関しても上記の考
え方より式（２）を導くことができる。以上のことよ
り、本発明における光線透過率および光線反射率は式
（１）および式（２）でもって定義する。
領域における光線透過率および光線反射率を定義する理
由は以下の通りである。地表に到達する太陽エネルギー
は、大気による吸収や散乱の影響により複雑な波長分布
を示すが、全体的な形としては６０００Ｋの黒体輻射に
ほぼ近いことが例えば上坂ら（太陽／風力エネルギー講
演論文集、Ｐ．１５３、１９９４年）より報告されてい
る。この６０００Ｋの黒体輻射から近似された太陽光ス
ペクトルを図１に示した。ここで図２の如き光線透過ス
ペクトルを有する物体に対して太陽光を透過すると、こ
の透過スペクトルは図３における実線のスペクトルを描
くことになる。この物体を透過した波長Ｘｎｍ〜Ｙｎｍ
における光線透過率は、図１と図３の斜線部分の面積比
より求めることができる。これを式によって表したのが
式（１）であり、同様に光線反射率に関しても上記の考
え方より式（２）を導くことができる。以上のことよ
り、本発明における光線透過率および光線反射率は式
（１）および式（２）でもって定義する。
【００１３】上記光線透過率において、一般的に太陽光
線などにおける波長４００〜７５０ｎｍの光は可視光線
領域であるため該領域の光線透過率をある一定値以上確
保しなければならない。例えば、種々の建築物に備えら
れる窓は、太陽光などの光を室内に取り込む、など一照
明手段であるために、該透過率を確保できなければ照明
に必要なエネルギーが増大し、省エネルギー効果を相対
的に得ることができない。本発明の調光材料は、該可視
光線領域の光線透過率を２７３Ｋ以上３１３以下の範囲
における全ての温度において５０％以上、好ましくは６
０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましく
は８０％以上確保することができる。可視光線領域の光
線透過率を以上のように確保すれば、照明エネルギーな
どが増加することはない。
線などにおける波長４００〜７５０ｎｍの光は可視光線
領域であるため該領域の光線透過率をある一定値以上確
保しなければならない。例えば、種々の建築物に備えら
れる窓は、太陽光などの光を室内に取り込む、など一照
明手段であるために、該透過率を確保できなければ照明
に必要なエネルギーが増大し、省エネルギー効果を相対
的に得ることができない。本発明の調光材料は、該可視
光線領域の光線透過率を２７３Ｋ以上３１３以下の範囲
における全ての温度において５０％以上、好ましくは６
０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましく
は８０％以上確保することができる。可視光線領域の光
線透過率を以上のように確保すれば、照明エネルギーな
どが増加することはない。
【００１４】また太陽光線において波長７５０ｎｍ〜２
０００ｎｍの熱線領域は、冬期などの気温の低い場合に
は、該光線が暖房手段として好適に利用できるが、夏期
などの気温の高い場合には、該光線によって、室内温度
の更なる上昇などが誘発される恐れがある。本発明の調
光材料では、波長７５０ｎｍ〜２０００ｎｍの光を２７
３Ｋ以上２８８Ｋ未満の範囲における全ての温度におい
て該光線透過率が６０％以上、好ましくは７０％以上確
保することができる。該光線透過率が６０％よりも低い
場合には、暖房などに使用するエネルギーが増大し、省
エネルギー化に繋がらない。
０００ｎｍの熱線領域は、冬期などの気温の低い場合に
は、該光線が暖房手段として好適に利用できるが、夏期
などの気温の高い場合には、該光線によって、室内温度
の更なる上昇などが誘発される恐れがある。本発明の調
光材料では、波長７５０ｎｍ〜２０００ｎｍの光を２７
３Ｋ以上２８８Ｋ未満の範囲における全ての温度におい
て該光線透過率が６０％以上、好ましくは７０％以上確
保することができる。該光線透過率が６０％よりも低い
場合には、暖房などに使用するエネルギーが増大し、省
エネルギー化に繋がらない。
【００１５】また、２９８Ｋ以上３１３Ｋ未満の範囲に
おける全ての温度においては、熱線領域、すなわち波長
７５０ｎｍ〜２０００ｎｍにおける該光線の光線透過率
は４０％以下、好ましくは３０％以下、さらに好ましく
は２０％以下に軽減することができる。４０％より高い
場合には、冷房などに使用するエネルギーが増大するの
で好ましくない。この２９８Ｋ以上３１３Ｋ未満の範囲
の全ての温度における、熱線領域の光線透過率の軽減
は、調光材料による光の吸収ではなく、該材料による光
反射によってもたらされる。吸収による軽減では、吸収
された光によって調光材料が熱を持ち、該材料からの２
次放射の問題が発生する恐れがある。本発明の調光材料
では、反射によってのみ熱線領域の光線透過が軽減され
る。この熱線領域における光線反射率は、透明性基板に
よる物理的な反射と好ましくは、以下に説明する液晶に
よる選択反射とによるものであり、波長７５０ｎｍ〜２
０００ｎｍの熱線の光線反射率は、５０％以上、好まし
くは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上である。
なお、前記光線反射率のうち８０％以上が液晶の選択反
射によるものが好ましい。
おける全ての温度においては、熱線領域、すなわち波長
７５０ｎｍ〜２０００ｎｍにおける該光線の光線透過率
は４０％以下、好ましくは３０％以下、さらに好ましく
は２０％以下に軽減することができる。４０％より高い
場合には、冷房などに使用するエネルギーが増大するの
で好ましくない。この２９８Ｋ以上３１３Ｋ未満の範囲
の全ての温度における、熱線領域の光線透過率の軽減
は、調光材料による光の吸収ではなく、該材料による光
反射によってもたらされる。吸収による軽減では、吸収
された光によって調光材料が熱を持ち、該材料からの２
次放射の問題が発生する恐れがある。本発明の調光材料
では、反射によってのみ熱線領域の光線透過が軽減され
る。この熱線領域における光線反射率は、透明性基板に
よる物理的な反射と好ましくは、以下に説明する液晶に
よる選択反射とによるものであり、波長７５０ｎｍ〜２
０００ｎｍの熱線の光線反射率は、５０％以上、好まし
くは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上である。
なお、前記光線反射率のうち８０％以上が液晶の選択反
射によるものが好ましい。
【００１６】上記熱線領域における光線透過率および光
線反射率は、透光性基板に配される液晶性材料の形成す
る配向形態の温度変化による作用によって任意に調節で
きる。
線反射率は、透光性基板に配される液晶性材料の形成す
る配向形態の温度変化による作用によって任意に調節で
きる。
【００１７】一般的に液晶には、コレステリック相、ス
メクティック相、ネマティック相の３種の分子配列が知
られている。コレステリック相は、分子が螺旋状に配列
しており、その螺旋周期と等しい波長を持つ光を反射す
るという性質がある。この性質を選択反射という。本発
明の調光材料は、例えばこの選択反射を利用し、太陽光
線中の熱線だけを反射し、省エネルギー化を図るもので
ある。
メクティック相、ネマティック相の３種の分子配列が知
られている。コレステリック相は、分子が螺旋状に配列
しており、その螺旋周期と等しい波長を持つ光を反射す
るという性質がある。この性質を選択反射という。本発
明の調光材料は、例えばこの選択反射を利用し、太陽光
線中の熱線だけを反射し、省エネルギー化を図るもので
ある。
【００１８】該選択反射において、コレステリック相の
周期と完全に等しい波長の光しか反射されないとする
と、熱線のうち反射される部分はごく一部となるが、実
際の選択反射は、ある一定領域におよぶため、熱線のう
ちほとんどの領域を反射することができる。どの程度の
領域の光を反射できるかは、液晶の光学的異方性である
複屈折と選択反射の中心波長の積で近似できることが報
告されている（Ｈ．Ｆ．Ｇｌｅｅｓｏｎ，Ｈ．Ｊ．Ｃｏ
ｌｅｓ，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，
１７０９〜１７３４（１９８９））。
周期と完全に等しい波長の光しか反射されないとする
と、熱線のうち反射される部分はごく一部となるが、実
際の選択反射は、ある一定領域におよぶため、熱線のう
ちほとんどの領域を反射することができる。どの程度の
領域の光を反射できるかは、液晶の光学的異方性である
複屈折と選択反射の中心波長の積で近似できることが報
告されている（Ｈ．Ｆ．Ｇｌｅｅｓｏｎ，Ｈ．Ｊ．Ｃｏ
ｌｅｓ，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，
１７０９〜１７３４（１９８９））。
【００１９】一方スメクチック相は、分子が方向を揃え
て配列しているのみならず、分子の重心位置に関して
も、ある程度の秩序が見られるものである。スメクティ
ック相は、重心位置の秩序の違いや、重心位置の秩序と
分子の配列方向の関係によりスメクティックＡ１、スメ
クティックＡ２、スメクティックＢ、スメクティック
Ｃ、スメクティックＥなどに細かく分類することができ
る。本発明においてはいずれのスメクティック相も好適
に用いられる。これらのスメクティック相は、コレステ
リック相とは異なり、選択反射は示さない。
て配列しているのみならず、分子の重心位置に関して
も、ある程度の秩序が見られるものである。スメクティ
ック相は、重心位置の秩序の違いや、重心位置の秩序と
分子の配列方向の関係によりスメクティックＡ１、スメ
クティックＡ２、スメクティックＢ、スメクティック
Ｃ、スメクティックＥなどに細かく分類することができ
る。本発明においてはいずれのスメクティック相も好適
に用いられる。これらのスメクティック相は、コレステ
リック相とは異なり、選択反射は示さない。
【００２０】本発明において用いられる好ましい液晶性
材料としては、上記のコレステリック相およびスメクテ
ィック相の両方の状態をとりうる１種または複数の液晶
化合物である。これらの液晶化合物のうち、多くの場
合、低温ではスメクティック相、高温においてはコレス
テリック相を形成する。したがってこの場合、コレステ
リック相の温度を下げていくとスメクティック相へと変
化、すなわち相転移する。この相転移は、可逆である場
合も不可逆である場合もあるが、本発明において用いら
れる液晶性材料は可逆であることが好ましい。該相転移
が不可逆の場合には次のような問題が生じる。例えば、
スメクティック相が昇温時にのみ出現し、降温時に出現
しないような性質を有す液晶化合物からなる液晶性材料
を用いた場合について述べる。図４において、ガラス相
から昇温し、スメクティック相を経てコレステリック相
に相転移するまでは特に問題は生じない。しかしながら
コレステリック相から降温すると直ちにガラス化が起こ
り、この状態では、低温時においてコレステリック相が
固定化されることを意味し、冬期などの熱線領域の光を
確保したい場合においても熱線領域の光を反射してしま
うことになる。このようなことが起こりうると、省エネ
ルギー効果を得ることができないので、本発明において
液晶性材料としてコレステリックースメクティック相転
移を有するものを用いる場合には、その相転移は可逆で
あることが好ましい。
材料としては、上記のコレステリック相およびスメクテ
ィック相の両方の状態をとりうる１種または複数の液晶
化合物である。これらの液晶化合物のうち、多くの場
合、低温ではスメクティック相、高温においてはコレス
テリック相を形成する。したがってこの場合、コレステ
リック相の温度を下げていくとスメクティック相へと変
化、すなわち相転移する。この相転移は、可逆である場
合も不可逆である場合もあるが、本発明において用いら
れる液晶性材料は可逆であることが好ましい。該相転移
が不可逆の場合には次のような問題が生じる。例えば、
スメクティック相が昇温時にのみ出現し、降温時に出現
しないような性質を有す液晶化合物からなる液晶性材料
を用いた場合について述べる。図４において、ガラス相
から昇温し、スメクティック相を経てコレステリック相
に相転移するまでは特に問題は生じない。しかしながら
コレステリック相から降温すると直ちにガラス化が起こ
り、この状態では、低温時においてコレステリック相が
固定化されることを意味し、冬期などの熱線領域の光を
確保したい場合においても熱線領域の光を反射してしま
うことになる。このようなことが起こりうると、省エネ
ルギー効果を得ることができないので、本発明において
液晶性材料としてコレステリックースメクティック相転
移を有するものを用いる場合には、その相転移は可逆で
あることが好ましい。
【００２１】本発明における液晶性材料層は、温度２９
８Ｋ以上において好ましくはコレステリック相を形成し
ている。該コレステリック相は、上述でも説明したよう
に選択反射という特異な性質を有する。この選択反射に
よって、温度２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の範囲にある全
ての温度において、波長７５０ｎｍ〜２０００ｎｍでの
光を反射し、該光線の透過率を軽減する。
８Ｋ以上において好ましくはコレステリック相を形成し
ている。該コレステリック相は、上述でも説明したよう
に選択反射という特異な性質を有する。この選択反射に
よって、温度２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の範囲にある全
ての温度において、波長７５０ｎｍ〜２０００ｎｍでの
光を反射し、該光線の透過率を軽減する。
【００２２】本発明に用いられる液晶性材料は、温度２
８８Ｋ以上２９８Ｋ未満の範囲において、好ましくはコ
レステリック相からスメクティック相の相転移が起こ
る。この温度領域は、熱線の影響による、暑さをほとん
ど感じることがない温度領域であり、熱線による不快感
を感じることがない。また空調設備などのエネルギーを
使用することもない。したがって波長７５０ｎｍ〜２０
００ｎｍの光線透過率は、如何なる値でも特に構わな
い。
８８Ｋ以上２９８Ｋ未満の範囲において、好ましくはコ
レステリック相からスメクティック相の相転移が起こ
る。この温度領域は、熱線の影響による、暑さをほとん
ど感じることがない温度領域であり、熱線による不快感
を感じることがない。また空調設備などのエネルギーを
使用することもない。したがって波長７５０ｎｍ〜２０
００ｎｍの光線透過率は、如何なる値でも特に構わな
い。
【００２３】温度２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の温度範囲
においては、液晶性材料はスメクティック相またはスメ
クティック相がガラス化した状態を形成しているため、
熱線領域の反射、すなわちコレステリック相による選択
反射は起こらない。
においては、液晶性材料はスメクティック相またはスメ
クティック相がガラス化した状態を形成しているため、
熱線領域の反射、すなわちコレステリック相による選択
反射は起こらない。
【００２４】一般にスメクティック相の温度を下げてい
くと、スメクティック相がガラス化し、その状態で固定
化される場合と、ある温度において結晶化が起こる場合
とがある。例えば冬期において、該液晶性材料の結晶化
が生じると、本発明の調光材料を窓材料として用いた場
合、窓が濁ってしまい透明性を失うという問題が起こり
うる。上記の如き問題が生じることを防ぐために本発明
に用いる液晶性材料は、結晶化温度が２７３Ｋ未満と十
分に低い、または結晶化を全く起こさずスメクティック
相がガラス化するものであるものが望ましい。
くと、スメクティック相がガラス化し、その状態で固定
化される場合と、ある温度において結晶化が起こる場合
とがある。例えば冬期において、該液晶性材料の結晶化
が生じると、本発明の調光材料を窓材料として用いた場
合、窓が濁ってしまい透明性を失うという問題が起こり
うる。上記の如き問題が生じることを防ぐために本発明
に用いる液晶性材料は、結晶化温度が２７３Ｋ未満と十
分に低い、または結晶化を全く起こさずスメクティック
相がガラス化するものであるものが望ましい。
【００２５】本発明の調光材料の動作原理を、本発明に
おいて好ましい態様であるコレステリック相による選択
反射によって熱線領域の光線反射が起こりうる液晶性材
料を用いた場合について、さらに詳しく説明する。
おいて好ましい態様であるコレステリック相による選択
反射によって熱線領域の光線反射が起こりうる液晶性材
料を用いた場合について、さらに詳しく説明する。
【００２６】コレステリック相では、分子が螺旋状に配
列しており、その螺旋周期と等しい波長の光を反射する
現象、すなわち選択反射という特異な性質を有し、ま
た、選択反射される光の波長範囲、すなわち反射スペク
トル幅は、選択反射の中心波長と、液晶の複屈折の積で
近似できる。該反射スペクトル幅は、コレステリック相
を形成している液晶の複屈折が大きいほど幅広く、本発
明において用いられる液晶性材料の複屈折は、０．１５
以上、好ましくは０．２０以上、より好ましくは０．２
５以上である。なお、ここでいう複屈折とは、温度３０
℃、波長１０００ｎｍでの値である。複屈折が０．１５
よりも小さい場合、熱線の反射が十分に起こらず、省エ
ネルギー化を図ることが難しくなるので望ましくない。
列しており、その螺旋周期と等しい波長の光を反射する
現象、すなわち選択反射という特異な性質を有し、ま
た、選択反射される光の波長範囲、すなわち反射スペク
トル幅は、選択反射の中心波長と、液晶の複屈折の積で
近似できる。該反射スペクトル幅は、コレステリック相
を形成している液晶の複屈折が大きいほど幅広く、本発
明において用いられる液晶性材料の複屈折は、０．１５
以上、好ましくは０．２０以上、より好ましくは０．２
５以上である。なお、ここでいう複屈折とは、温度３０
℃、波長１０００ｎｍでの値である。複屈折が０．１５
よりも小さい場合、熱線の反射が十分に起こらず、省エ
ネルギー化を図ることが難しくなるので望ましくない。
【００２７】一般に複屈折は、光学活性成分を持たない
液晶においては、Ａｂｂｅの屈折率計に偏光を入射する
ことにより容易に測定できる。また光学活性成分を持つ
液晶においては、該液晶のラセミ体を測定することによ
り複屈折を間接的に測定することができる。
液晶においては、Ａｂｂｅの屈折率計に偏光を入射する
ことにより容易に測定できる。また光学活性成分を持つ
液晶においては、該液晶のラセミ体を測定することによ
り複屈折を間接的に測定することができる。
【００２８】太陽光線のうち、波長４００ｎｍ以上７５
０ｎｍ以下は可視光線であるので、一定の光線透過率を
確保する必要がある。一方熱線領域でのエネルギー分布
は、可視光線よりの短波長領域にエネルギーが集中して
おり、波長２０００ｎｍを超える波長領域には、太陽光
線エネルギーは実質的に存在していない。したがって、
夏期など気温が高い場合には、コレステリック相の選択
反射の中心波長は、可視光線に近い、比較的短波長の赤
外線領域にある必要がある。すなわち２９８Ｋ以上３１
３Ｋ未満の範囲においては、選択反射の中心は７５０ｎ
ｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲にあることが望ましい。
この中心が上記の範囲内から外れる場合には省エネルギ
ー化が十分に達成されない恐れがある。
０ｎｍ以下は可視光線であるので、一定の光線透過率を
確保する必要がある。一方熱線領域でのエネルギー分布
は、可視光線よりの短波長領域にエネルギーが集中して
おり、波長２０００ｎｍを超える波長領域には、太陽光
線エネルギーは実質的に存在していない。したがって、
夏期など気温が高い場合には、コレステリック相の選択
反射の中心波長は、可視光線に近い、比較的短波長の赤
外線領域にある必要がある。すなわち２９８Ｋ以上３１
３Ｋ未満の範囲においては、選択反射の中心は７５０ｎ
ｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲にあることが望ましい。
この中心が上記の範囲内から外れる場合には省エネルギ
ー化が十分に達成されない恐れがある。
【００２９】選択反射波長領域は、例えば以下に説明す
る液晶性材料中の光学活性物質の混合比および光学純度
を調節することにより任意に調製することができる。具
体的には、後に説明する光学活性物質の混合比を増した
り、光学純度を上げることによって選択反射波長幅は短
くなる。
る液晶性材料中の光学活性物質の混合比および光学純度
を調節することにより任意に調製することができる。具
体的には、後に説明する光学活性物質の混合比を増した
り、光学純度を上げることによって選択反射波長幅は短
くなる。
【００３０】本発明に用いられる液晶性材料について説
明する。該液晶性材料は、１種または複数の液晶化合
物、好ましくは少なくとも１種の光学活性な液晶性化合
物を含む混合物から成る。
明する。該液晶性材料は、１種または複数の液晶化合
物、好ましくは少なくとも１種の光学活性な液晶性化合
物を含む混合物から成る。
【００３１】液晶性化合物としては、上記の如き性質を
有するものであれば特に限定はされない。化学的構造と
して、具体的には以下に示す化学式（１）および／また
は化学式（２）の構造を有する化合物が挙げられる。
有するものであれば特に限定はされない。化学的構造と
して、具体的には以下に示す化学式（１）および／また
は化学式（２）の構造を有する化合物が挙げられる。
【００３２】
【化１】
【００３３】上記化学式（１）において、Ａ環およびＢ
環は、１，４−フェニレン基、２，５−ピリジレン基、
２，６−ピリミジン−１，４−ジイル基、４，４’−ヒ
フェニレン基、シクロヘキシルベンゼン−４，４’−ジ
イル基、６−フェニルピリジン−３，４’−ジイル基、
５−フェニルピリジン−２，４’−ジイル基、２−フェ
ニルー１，３−ピリミジン−４，４’−ジイル基、２−
フェニルー１，３−ピリミジン−４，４’−ジイル基、
２，６−ナフチレル基の群から選ばれ、Ａ環およびＢ環
は互いに同一であっても異なっていてもよい。連結基Ｃ
は、単結合、エステル基、ｔｒａｎｓ−１，２−エテン
ジイル基、アセチレン基、１，３−ブタジイン−１，４
−ジイル基、アゾキシ基、アゾメチン基の群の中から選
ばれる。置換基ＭおよびＮは、水素原子、メチル基、フ
ッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基の群から選
ばれ、置換基ＭおよびＮは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ＭおよびＮの置換位置は、Ａ環およびＢ
環上のどの位置に置換されていても構わない。末端基Ｘ
およびＹは、炭素数４以上１２以下の直鎖アルキル基、
または該アルキル基の任意の位置に炭素数３以下のアル
キル基を側鎖として有するアルキル基、炭素数４以上１
２以下の直鎖アルコキシ基または該アルコキシ基の任意
の位置に炭素数３以下のアルキル基を側鎖として有する
アルコキシ基、シアノ基の群から選ばれ、ＸとＹは互い
に同一でも異なっていてもよい。
環は、１，４−フェニレン基、２，５−ピリジレン基、
２，６−ピリミジン−１，４−ジイル基、４，４’−ヒ
フェニレン基、シクロヘキシルベンゼン−４，４’−ジ
イル基、６−フェニルピリジン−３，４’−ジイル基、
５−フェニルピリジン−２，４’−ジイル基、２−フェ
ニルー１，３−ピリミジン−４，４’−ジイル基、２−
フェニルー１，３−ピリミジン−４，４’−ジイル基、
２，６−ナフチレル基の群から選ばれ、Ａ環およびＢ環
は互いに同一であっても異なっていてもよい。連結基Ｃ
は、単結合、エステル基、ｔｒａｎｓ−１，２−エテン
ジイル基、アセチレン基、１，３−ブタジイン−１，４
−ジイル基、アゾキシ基、アゾメチン基の群の中から選
ばれる。置換基ＭおよびＮは、水素原子、メチル基、フ
ッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基の群から選
ばれ、置換基ＭおよびＮは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。ＭおよびＮの置換位置は、Ａ環およびＢ
環上のどの位置に置換されていても構わない。末端基Ｘ
およびＹは、炭素数４以上１２以下の直鎖アルキル基、
または該アルキル基の任意の位置に炭素数３以下のアル
キル基を側鎖として有するアルキル基、炭素数４以上１
２以下の直鎖アルコキシ基または該アルコキシ基の任意
の位置に炭素数３以下のアルキル基を側鎖として有する
アルコキシ基、シアノ基の群から選ばれ、ＸとＹは互い
に同一でも異なっていてもよい。
【００３４】より具体的には、
【００３５】
【化３】
【００３６】
【化４】
【００３７】
【化５】
【００３８】
【化６】
【００３９】などを例示することができる。
【００４０】
【化２】
【００４１】ただし化学式（２）において、Ｚは炭素数
１以上９以下の直鎖アルキル基または炭素数１以上９以
下の直鎖アルコキシ基である。より具体的には、
１以上９以下の直鎖アルキル基または炭素数１以上９以
下の直鎖アルコキシ基である。より具体的には、
【００４２】
【化７】
【００４３】
【化８】
【００４４】
【化９】
【００４５】
【化１０】
【００４６】などを例示することができる。
【００４７】本発明においては、上記の化学式（１）を
有する化合物および化学式（２）を有する化合物が好適
に用いられる。これらの化合物は１種単独または複数を
混合して用いることができる。本発明においては、１種
単独で用いるよりも、複数を混合して用いることが好ま
しい。具体的には化学式（１）を有する少なくとも２種
の異なった化合物同士の混合物、化学式（１）を有する
少なくとも１種の化合物と化学式（２）を有する少なく
とも１種の化合物との混合物、または、化学式（２）を
有する少なくとも２種の異なった化合物同士の混合物が
挙げられるが、本発明の液晶性材料としては、化学式
（１）を有する少なくとも２種の異なった化合物同士の
混合物、化学式（１）を有する少なくとも１種の化合物
と化学式（２）を有する少なくとも１種の化合物との混
合物が好適に用いられる。また、混合物として用いる場
合、少なくとも１種は、光学活性な液晶性化合物である
ことが好ましい。光学活性な化合物としては、一般的に
液晶の成分として公知であるものなら何れも好適に使用
することができる。具体的には、４−（（ｓ）−２−メ
チルブチル）−４’−シアノビフェニルなどを挙げられ
る。
有する化合物および化学式（２）を有する化合物が好適
に用いられる。これらの化合物は１種単独または複数を
混合して用いることができる。本発明においては、１種
単独で用いるよりも、複数を混合して用いることが好ま
しい。具体的には化学式（１）を有する少なくとも２種
の異なった化合物同士の混合物、化学式（１）を有する
少なくとも１種の化合物と化学式（２）を有する少なく
とも１種の化合物との混合物、または、化学式（２）を
有する少なくとも２種の異なった化合物同士の混合物が
挙げられるが、本発明の液晶性材料としては、化学式
（１）を有する少なくとも２種の異なった化合物同士の
混合物、化学式（１）を有する少なくとも１種の化合物
と化学式（２）を有する少なくとも１種の化合物との混
合物が好適に用いられる。また、混合物として用いる場
合、少なくとも１種は、光学活性な液晶性化合物である
ことが好ましい。光学活性な化合物としては、一般的に
液晶の成分として公知であるものなら何れも好適に使用
することができる。具体的には、４−（（ｓ）−２−メ
チルブチル）−４’−シアノビフェニルなどを挙げられ
る。
【００４８】混合物として具体的には、化学式（３）と
化学式（４）との混合物、化学式（５）と化学式（９）
との混合物などが好適に本発明の液晶性材料として用い
られる。
化学式（４）との混合物、化学式（５）と化学式（９）
との混合物などが好適に本発明の液晶性材料として用い
られる。
【００４９】上記の如き液晶化合物を１種単独で用いる
こともできるが、１種単独では結晶化が起こる恐れがあ
る。また、化学式（２）を有する少なくとも２種の異な
った化合物同士の混合物では、複屈折が小さくなる恐れ
がある。
こともできるが、１種単独では結晶化が起こる恐れがあ
る。また、化学式（２）を有する少なくとも２種の異な
った化合物同士の混合物では、複屈折が小さくなる恐れ
がある。
【００５０】次に本発明に用いられる透光性基板につい
て説明する。該基板の材質としては、無機ガラス：Ｓ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、などの元素ガラス、ＨＰＯ３、Ｈ３Ｐ
Ｏ４などの水素結合ガラス、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２
Ｏ５などの酸化物ガラス、ＢｅＦ２などのフツ化物ガラ
ス、ＺｎＣｌ２などの塩化物ガラス、ＧｅＳ２、Ａｓ２
Ｓ３などの硫化物ガラス、Ｋ２ＣＯ３、ＭｇＣＯ３など
の炭酸塩ガラス、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＡｇＮＯ３な
どの硝酸塩ガラス、Ｎａ２Ｓ２Ｏ３・Ｈ２Ｏ、Ｔｉ２Ｓ
Ｏ４などの硫酸鉛ガラス、または有機ガラス：ポリメタ
クリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリフェニレンサルファイドなどが挙げられる。
て説明する。該基板の材質としては、無機ガラス：Ｓ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、などの元素ガラス、ＨＰＯ３、Ｈ３Ｐ
Ｏ４などの水素結合ガラス、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２
Ｏ５などの酸化物ガラス、ＢｅＦ２などのフツ化物ガラ
ス、ＺｎＣｌ２などの塩化物ガラス、ＧｅＳ２、Ａｓ２
Ｓ３などの硫化物ガラス、Ｋ２ＣＯ３、ＭｇＣＯ３など
の炭酸塩ガラス、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＡｇＮＯ３な
どの硝酸塩ガラス、Ｎａ２Ｓ２Ｏ３・Ｈ２Ｏ、Ｔｉ２Ｓ
Ｏ４などの硫酸鉛ガラス、または有機ガラス：ポリメタ
クリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリフェニレンサルファイドなどが挙げられる。
【００５１】上記透光性基板において、本発明において
好ましい態様であるコレステリック相による選択反射に
よって、効率よく熱線領域の光線を反射するためには、
コレステリック相の配向を制御することが必要である。
制御方法は、該透光性基板に対して配向処理を施すこと
によって制御することができる。
好ましい態様であるコレステリック相による選択反射に
よって、効率よく熱線領域の光線を反射するためには、
コレステリック相の配向を制御することが必要である。
制御方法は、該透光性基板に対して配向処理を施すこと
によって制御することができる。
【００５２】具体的な透光性基板の配向処理方法は、当
該技術分野において公知の技術を何れも用いることがで
き、例えばレシチン、ステアリン酸、ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、オクタデシルアミンハ
イドロクロライド、カーボン、ポリオキシエチレン、バ
ーサミド１２５、ポリビニルアルコール、ポリイミド、
ミリスチン酸クロム錯体、パーフルオロノナン酸クロム
錯体などの一塩基性クロム錯体、ブラシル酸クロム錯体
などの二塩基性カルボン酸クロム錯体、有機シランなど
の溶液を基板面に塗布し、加熱乾燥などで溶媒を除去す
る方法、ヘキサメチルジシロキサン、パーフルオロジメ
チルシクロヘキサン、テトラフルオロエチレン、アセチ
レンなどの配向能力有する低分子量物質をプラズマ放電
で基板面に重合付着する方法、ポリテトラフルオロエチ
レンなどの配向能力を有する高分子量物質を高電界の作
用で基板面に付着する方法、などによって薄膜を形成し
配向処理する方法が挙げられる。該薄膜は、基板面に直
接製膜しても構わないし、基板面以外の部分で製膜した
該薄膜を配向膜として基板面に積層してもよい。
該技術分野において公知の技術を何れも用いることがで
き、例えばレシチン、ステアリン酸、ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、オクタデシルアミンハ
イドロクロライド、カーボン、ポリオキシエチレン、バ
ーサミド１２５、ポリビニルアルコール、ポリイミド、
ミリスチン酸クロム錯体、パーフルオロノナン酸クロム
錯体などの一塩基性クロム錯体、ブラシル酸クロム錯体
などの二塩基性カルボン酸クロム錯体、有機シランなど
の溶液を基板面に塗布し、加熱乾燥などで溶媒を除去す
る方法、ヘキサメチルジシロキサン、パーフルオロジメ
チルシクロヘキサン、テトラフルオロエチレン、アセチ
レンなどの配向能力有する低分子量物質をプラズマ放電
で基板面に重合付着する方法、ポリテトラフルオロエチ
レンなどの配向能力を有する高分子量物質を高電界の作
用で基板面に付着する方法、などによって薄膜を形成し
配向処理する方法が挙げられる。該薄膜は、基板面に直
接製膜しても構わないし、基板面以外の部分で製膜した
該薄膜を配向膜として基板面に積層してもよい。
【００５３】さらに配向処理方法としては、基板面また
は上記の方法によって薄膜を形成した面に対して綿布、
脱脂綿などで一方向に擦するラビング法、基板面にＳｉ
Ｏなどの酸化物を斜め角度から蒸着する斜め蒸着法、基
板面にイオンビームを斜めの角度から照射エッチングす
るイオンビーム法、基板面を酵素プラズマなどでエッチ
ングするプラズマ法、ポリマーなどの溶液に基板を浸漬
し、引上げ塗布する引上げ塗布法などが挙げられ、適宜
の方法によって透光性基板面に配向処理を施す。前記配
向処理方法においては、平行配向処理が好適であり、ポ
リイミド、ポリビニルアルコールなどの薄膜を製膜しこ
れをラビング処理したものが好適に用いられる。
は上記の方法によって薄膜を形成した面に対して綿布、
脱脂綿などで一方向に擦するラビング法、基板面にＳｉ
Ｏなどの酸化物を斜め角度から蒸着する斜め蒸着法、基
板面にイオンビームを斜めの角度から照射エッチングす
るイオンビーム法、基板面を酵素プラズマなどでエッチ
ングするプラズマ法、ポリマーなどの溶液に基板を浸漬
し、引上げ塗布する引上げ塗布法などが挙げられ、適宜
の方法によって透光性基板面に配向処理を施す。前記配
向処理方法においては、平行配向処理が好適であり、ポ
リイミド、ポリビニルアルコールなどの薄膜を製膜しこ
れをラビング処理したものが好適に用いられる。
【００５４】上記の方法において配向処理を施した透光
性基板は、液晶性材料を該基板に配した際に、該材料の
分子配列がホモジニアス分子配列またはグランジャン分
子配列となるようにすることが本発明においては好まし
い。
性基板は、液晶性材料を該基板に配した際に、該材料の
分子配列がホモジニアス分子配列またはグランジャン分
子配列となるようにすることが本発明においては好まし
い。
【００５５】また透光性基板面に接していない液晶性材
料層面に対して、液晶性材料層の安定化、耐候性、配向
の安定化などを付与する目的で、例えば液晶性材料層表
面に該透光性基板と同一材質のものなど、透明で光学的
等方性であるを材質のフィルム状または板状物を保護材
として積層することができる。ただし該保護材は、透光
性基板と同様の配向処理を施し、液晶の配向を乱さない
ものでなければならない。
料層面に対して、液晶性材料層の安定化、耐候性、配向
の安定化などを付与する目的で、例えば液晶性材料層表
面に該透光性基板と同一材質のものなど、透明で光学的
等方性であるを材質のフィルム状または板状物を保護材
として積層することができる。ただし該保護材は、透光
性基板と同様の配向処理を施し、液晶の配向を乱さない
ものでなければならない。
【００５６】本発明の調光材料を製作するには、例えば
以下の方法により、製作することができる。勿論、本発
明はこれに限定されるものではない。先ず所定の大きさ
の透光性基板、例えばガラス基板の表面に、液晶配向膜
用のポリアミック酸溶液などをスピンコート法などの適
宜の塗布方法により、塗布し、薄膜を形成した後、それ
を加熱処理することによりガラス基板上にポリイミド膜
を形成する。得られたポリイミド膜に対して、フェルト
や布などを用い、適宜公知の方法によりラビング処理を
施す。該処理によりガラス基板上に形成したポリイミド
膜に対して液晶配向能を付与し、配向膜とする。このガ
ラス基板を配向膜を上にして水平に保持しながら、ホッ
トプレート、空気浴などを用いて４０〜８０℃にガラス
基板を加熱する。この加熱されている配向膜付きガラス
基板上で、適宜調製した液晶性材料を、その加熱温度で
加温する。基板上に液晶性材料を配する方法としては、
液晶性材料の物性にもよるが、室温にて液晶性材料が固
体状の場合には、固太状のまま配向膜付き基板上に載せ
る、または予め室温にて固体状の液晶性材料に熱を加え
て溶融させ、その状態で基板上に塗布する。また室温に
て十分な流動性を有している場合には、適宜の方法によ
り、基板上に塗布する。以上のような方法にて基板上に
液晶性材料を配した後、スペーサーとして、例えば所定
の大きさのガラス球などを液晶性材料層上に散布する。
その後、前記透光性基板と同様の配向処理が施され、４
０〜８０℃に余熱された透光性基板または保護材を、配
向膜を下にし、該配向膜と液晶性材料とが均一に接する
ように被せる。こうして配向膜付きの透光性基板または
該基板と保護材で持って液晶性材料を挟んだ後、基板と
もう一方の基板または保護材との間にスペーサーの幅だ
けできた周知の隙間を封止材、例えばエポキシ樹脂など
で封止することにより調光材料を得ることができる。
以下の方法により、製作することができる。勿論、本発
明はこれに限定されるものではない。先ず所定の大きさ
の透光性基板、例えばガラス基板の表面に、液晶配向膜
用のポリアミック酸溶液などをスピンコート法などの適
宜の塗布方法により、塗布し、薄膜を形成した後、それ
を加熱処理することによりガラス基板上にポリイミド膜
を形成する。得られたポリイミド膜に対して、フェルト
や布などを用い、適宜公知の方法によりラビング処理を
施す。該処理によりガラス基板上に形成したポリイミド
膜に対して液晶配向能を付与し、配向膜とする。このガ
ラス基板を配向膜を上にして水平に保持しながら、ホッ
トプレート、空気浴などを用いて４０〜８０℃にガラス
基板を加熱する。この加熱されている配向膜付きガラス
基板上で、適宜調製した液晶性材料を、その加熱温度で
加温する。基板上に液晶性材料を配する方法としては、
液晶性材料の物性にもよるが、室温にて液晶性材料が固
体状の場合には、固太状のまま配向膜付き基板上に載せ
る、または予め室温にて固体状の液晶性材料に熱を加え
て溶融させ、その状態で基板上に塗布する。また室温に
て十分な流動性を有している場合には、適宜の方法によ
り、基板上に塗布する。以上のような方法にて基板上に
液晶性材料を配した後、スペーサーとして、例えば所定
の大きさのガラス球などを液晶性材料層上に散布する。
その後、前記透光性基板と同様の配向処理が施され、４
０〜８０℃に余熱された透光性基板または保護材を、配
向膜を下にし、該配向膜と液晶性材料とが均一に接する
ように被せる。こうして配向膜付きの透光性基板または
該基板と保護材で持って液晶性材料を挟んだ後、基板と
もう一方の基板または保護材との間にスペーサーの幅だ
けできた周知の隙間を封止材、例えばエポキシ樹脂など
で封止することにより調光材料を得ることができる。
【００５７】また別の製作例としては、配向膜付きの透
光性基板と、該基板と同様の配向処理が施された配向膜
を有する透光性基板または保護材とを配向膜が内側にな
るようにして合わせる。その間にスペーサーを設けて周
囲を封止し、空セルを予め作製する。この得られた空セ
ルの外周には、相対する少なくとも２ヵ所に液晶性材料
注入用の穴を設ける。この穴から液晶性材料を注入す
る。注入する際には、液晶性材料および空セルは加温し
ておき、液晶性材料は等方相にしておくことが望まし
い。加温しない場合には、液晶性材料にもよるが、一般
的に液晶は粘度が高いために空セルへの注入が困難とな
る恐れがある。また別の注入方法としては、片方穴に減
圧ポンプなどの減圧ラインを設け、空セル内を減圧し、
もう片方の穴より液晶性材料を空セル内に吸い込ませ
る、という簡便な方法をとることもできる。液晶性材料
の注入後は、封止材などで穴を封止する。
光性基板と、該基板と同様の配向処理が施された配向膜
を有する透光性基板または保護材とを配向膜が内側にな
るようにして合わせる。その間にスペーサーを設けて周
囲を封止し、空セルを予め作製する。この得られた空セ
ルの外周には、相対する少なくとも２ヵ所に液晶性材料
注入用の穴を設ける。この穴から液晶性材料を注入す
る。注入する際には、液晶性材料および空セルは加温し
ておき、液晶性材料は等方相にしておくことが望まし
い。加温しない場合には、液晶性材料にもよるが、一般
的に液晶は粘度が高いために空セルへの注入が困難とな
る恐れがある。また別の注入方法としては、片方穴に減
圧ポンプなどの減圧ラインを設け、空セル内を減圧し、
もう片方の穴より液晶性材料を空セル内に吸い込ませ
る、という簡便な方法をとることもできる。液晶性材料
の注入後は、封止材などで穴を封止する。
【００５８】このようにして得られた調光材料を、その
ままの状態または透光性基板表面に対し、透明フィルム
などの保護膜を設け、建築物などの窓材料として利用す
る。
ままの状態または透光性基板表面に対し、透明フィルム
などの保護膜を設け、建築物などの窓材料として利用す
る。
【００５９】本発明の調光材料において、液晶性材料層
の平均的な厚さは、３μｍ以上１００μｍ以下、好まし
くは５μｍ以上６０μｍ以下である。３μｍよりも薄い
と、高温時に十分な熱線反射ができず、また１００μｍ
よりも厚いと液晶が十分に配向しない恐れがあり、熱線
反射力の低下、透明性の低下などが起こりうる危険性が
ある。
の平均的な厚さは、３μｍ以上１００μｍ以下、好まし
くは５μｍ以上６０μｍ以下である。３μｍよりも薄い
と、高温時に十分な熱線反射ができず、また１００μｍ
よりも厚いと液晶が十分に配向しない恐れがあり、熱線
反射力の低下、透明性の低下などが起こりうる危険性が
ある。
【００６０】本発明の調光材料は、種々の建築物の窓材
料として好適に用いられる。窓材料として用いた場合、
冬期および夏期ともに必要な可視光線領域の光を透過す
るので照明エネルギーを増大させることなく、冬期にお
いては暖房エネルギー、夏期においては冷房エネルギー
の軽減を図ることが可能であり、省エネルギー化に大い
に貢献しうる材料である。
料として好適に用いられる。窓材料として用いた場合、
冬期および夏期ともに必要な可視光線領域の光を透過す
るので照明エネルギーを増大させることなく、冬期にお
いては暖房エネルギー、夏期においては冷房エネルギー
の軽減を図ることが可能であり、省エネルギー化に大い
に貢献しうる材料である。
【００６１】
【効果】本発明の調光材料は、十分な可視光線を透過し
つつ室温前後で特定波長の光線透過率が変化し、例えば
気温の高い夏期においては十分に熱線を反射し、冷房負
荷の軽減が図れ、また気温の低い冬期においては熱線を
確保しつつ暖房負荷の軽減を図ることができる。したが
って該材料を建築物の窓材料などに用いた場合には、十
分な省エネルギー化が図れるという優れた効果を奏す
る。
つつ室温前後で特定波長の光線透過率が変化し、例えば
気温の高い夏期においては十分に熱線を反射し、冷房負
荷の軽減が図れ、また気温の低い冬期においては熱線を
確保しつつ暖房負荷の軽減を図ることができる。したが
って該材料を建築物の窓材料などに用いた場合には、十
分な省エネルギー化が図れるという優れた効果を奏す
る。
【００６２】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （相転移温度の測定）１Ｋ／ｍｉｎの昇降温速度でパー
キンエルマー社製ＤＳＣ７を用いて行った。 （光線透過率の測定）日本分光製Ｖ５７０に積分球ＩＳ
Ｎ−４７０を取り付けて、波長４００ｎｍ〜２０００ｎ
ｍの範囲をスキャンし、２０ｎｍ毎にデータを取得し
た。 （光線反射率の測定）光線透過率と同様の装置を用い
て、２０ｎｍ毎にデータを取得した。 （所定波長領域における光線透過率および光線反射率）
測定された透過スペクトル、反射スペクトルから、式
（１）および式（２）に従って求めるために、数学のた
めのパッケージソフトであるＭａｔｅｍａｔｉｃａ Ｖ
ｅｒ２．２を用いて、以下のプログラムより計算した。
先ず、太陽光のスペクトルを前述のように６０００Ｋの
黒体輻射のスペクトルと近似する。この６０００Ｋの黒
体輻射は、計算プログラム中の式３より求められ、これ
より図５のスペクトル波形を得ることができる。波長を
スキャンして得られた８１点の測定データを、上記パッ
ケージソフトにあるＩｎｔｅｒｐｏｌａｔｉｏｎを用い
て連続関数で補間する。この関数と、６０００Ｋの黒体
輻射に関する関数をもとに、上記パッケージソフトに用
意されている関数であるＮＩｎｔｅｇｒａｔｅを用いて
式（１）による光線透過率を容易に計算することができ
る。同様のプログラムより、光線反射率も計算できる。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （相転移温度の測定）１Ｋ／ｍｉｎの昇降温速度でパー
キンエルマー社製ＤＳＣ７を用いて行った。 （光線透過率の測定）日本分光製Ｖ５７０に積分球ＩＳ
Ｎ−４７０を取り付けて、波長４００ｎｍ〜２０００ｎ
ｍの範囲をスキャンし、２０ｎｍ毎にデータを取得し
た。 （光線反射率の測定）光線透過率と同様の装置を用い
て、２０ｎｍ毎にデータを取得した。 （所定波長領域における光線透過率および光線反射率）
測定された透過スペクトル、反射スペクトルから、式
（１）および式（２）に従って求めるために、数学のた
めのパッケージソフトであるＭａｔｅｍａｔｉｃａ Ｖ
ｅｒ２．２を用いて、以下のプログラムより計算した。
先ず、太陽光のスペクトルを前述のように６０００Ｋの
黒体輻射のスペクトルと近似する。この６０００Ｋの黒
体輻射は、計算プログラム中の式３より求められ、これ
より図５のスペクトル波形を得ることができる。波長を
スキャンして得られた８１点の測定データを、上記パッ
ケージソフトにあるＩｎｔｅｒｐｏｌａｔｉｏｎを用い
て連続関数で補間する。この関数と、６０００Ｋの黒体
輻射に関する関数をもとに、上記パッケージソフトに用
意されている関数であるＮＩｎｔｅｇｒａｔｅを用いて
式（１）による光線透過率を容易に計算することができ
る。同様のプログラムより、光線反射率も計算できる。
【００６３】
【表１】
【００６４】（プログラムの結果）図４から図６に示し
た。この結果より、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍにおけ
る光線透過率は、７４％という結果を得た。以下の実施
例はいずれもこの方法より光線透過率および光線反射率
を、スペクトルデータから求めた。
た。この結果より、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍにおけ
る光線透過率は、７４％という結果を得た。以下の実施
例はいずれもこの方法より光線透過率および光線反射率
を、スペクトルデータから求めた。
【００６５】実施例１ 下記Ａ、Ｂ、Ｃに示した化合物をＡ０．１ｇ、Ｂ０．２
ｇ、Ｃ（光学純度７０％）０．３ｇの割合で混合し、１
２０℃まで昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶
性材料を得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミ
ド薄膜を形成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、この
ガラス２枚をポリイミド面が内側になるように２０μｍ
スペーサーを挟み込みガラスセルを作製した。このガラ
スセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止
し、スペクトル測定サンプルを得た。この場合の液晶の
厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３２μｍであること
が分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサン
プルの温度による相系変化、および透過率の測定結果を
表１にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１
３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルを図
１、２に示した。
ｇ、Ｃ（光学純度７０％）０．３ｇの割合で混合し、１
２０℃まで昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶
性材料を得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミ
ド薄膜を形成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、この
ガラス２枚をポリイミド面が内側になるように２０μｍ
スペーサーを挟み込みガラスセルを作製した。このガラ
スセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止
し、スペクトル測定サンプルを得た。この場合の液晶の
厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３２μｍであること
が分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサン
プルの温度による相系変化、および透過率の測定結果を
表１にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１
３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射スペクトルを図
１、２に示した。
【００６６】
【化１１】
【００６７】
【表２】
【００６８】実施例２ 下記Ｄ、Ｅ、Ｆに示した化合物をＤ０．１５ｇ、Ｅ（光
学純度８０％）０．２２ｇ、Ｆ０．３ｇの割合で混合
し、１００℃まで昇温し、均一になるまでかくはんし
て、液晶性材料を得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面に
ポリイミド薄膜を形成しラビングした後２ｃｍ角に切断
し、このガラス２枚をポリイミド面が内側になるように
２０μｍスペーサーを挟み込みガラスセルを作製した。
このガラスセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂
で封止し、スペクトル測定サンプルを得た。この場合の
液晶の厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３７μｍであ
ることが分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、こ
のサンプルの温度による相系変化、および透過率の測定
結果を表２にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８
Ｋ、３１３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射スペク
トルを図３、４に示した。
学純度８０％）０．２２ｇ、Ｆ０．３ｇの割合で混合
し、１００℃まで昇温し、均一になるまでかくはんし
て、液晶性材料を得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面に
ポリイミド薄膜を形成しラビングした後２ｃｍ角に切断
し、このガラス２枚をポリイミド面が内側になるように
２０μｍスペーサーを挟み込みガラスセルを作製した。
このガラスセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂
で封止し、スペクトル測定サンプルを得た。この場合の
液晶の厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３７μｍであ
ることが分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、こ
のサンプルの温度による相系変化、および透過率の測定
結果を表２にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８
Ｋ、３１３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射スペク
トルを図３、４に示した。
【００６９】
【化１２】
【００７０】
【表３】
【００７１】実施例３ 下記Ｇ、Ｈに示した化合物をＧ（光学純度１００％）
０．１５ｇ、Ｈ０．２２ｇの割合で混合し、１３０℃ま
で昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を
得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリビニルアルコ
ール薄膜を形成しラヒングした後２ｃｍ角に切断し、こ
のガラス２枚をポリビニルアルコール面が内側になるよ
うに２０μｍスペーサーを挟み込みガラスセルを作製し
た。このガラスセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ
樹脂で封止し、スペクトル測定サンプルを得た。この場
合の液晶の厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３１μｍ
であることが分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈
折、このサンプルの温度による相系変化、および透過率
の測定結果を表３にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２
９８Ｋ、３１３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射ス
ペクトルを図５、６に示した。
０．１５ｇ、Ｈ０．２２ｇの割合で混合し、１３０℃ま
で昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を
得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリビニルアルコ
ール薄膜を形成しラヒングした後２ｃｍ角に切断し、こ
のガラス２枚をポリビニルアルコール面が内側になるよ
うに２０μｍスペーサーを挟み込みガラスセルを作製し
た。このガラスセルに液晶を注入した後周囲をエポキシ
樹脂で封止し、スペクトル測定サンプルを得た。この場
合の液晶の厚さは、薄膜干渉の測定結果から、３１μｍ
であることが分かった。挟み込んだ液晶性材料の複屈
折、このサンプルの温度による相系変化、および透過率
の測定結果を表３にまとめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２
９８Ｋ、３１３Ｋにおける透過スペクトルおよび反射ス
ペクトルを図５、６に示した。
【００７２】
【化１３】
【００７３】
【表４】
【００７４】実施例４ 下記Ｉ、Ｊに示した化合物をＩ０．３５ｇ、Ｊ（光学純
度１００％）０．１ｇの割合で混合し、１３０℃まで昇
温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を得
た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミド薄膜を形
成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２枚
をポリイミド面が内側になるように２０μｍスペーサー
を挟み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに液
晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペクト
ル測定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄膜
干渉の測定結果から、３０μｍであることが分かった。
挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温度に
よる相系変化、および透過率の測定結果を表４にまとめ
た。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにおける
透過スペクトルおよび反射スペクトルを図７、８に示し
た。
度１００％）０．１ｇの割合で混合し、１３０℃まで昇
温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を得
た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミド薄膜を形
成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２枚
をポリイミド面が内側になるように２０μｍスペーサー
を挟み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに液
晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペクト
ル測定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄膜
干渉の測定結果から、３０μｍであることが分かった。
挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温度に
よる相系変化、および透過率の測定結果を表４にまとめ
た。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにおける
透過スペクトルおよび反射スペクトルを図７、８に示し
た。
【００７５】
【化１４】
【００７６】
【表５】
【００７７】実施例５ 下記Ｋ、Ｌに示した化合物をＫ（光学純度８５％）０．
１５ｇ、Ｌ０．４５ｇの割合で混合し、１３０℃まで昇
温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を得
た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にシリコンを斜め蒸着
しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２枚を
シリコン面が内側になるように２０μｍスペーサーを挟
み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに液晶を
注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペクトル測
定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄膜干渉
の測定結果から、２９μｍであることが分かった。挟み
込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温度による
相系変化、および透過率の測定結果を表５にまとめた。
２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにおける透過
スペクトルおよび反射スペクトルを図９、１０に示し
た。
１５ｇ、Ｌ０．４５ｇの割合で混合し、１３０℃まで昇
温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を得
た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にシリコンを斜め蒸着
しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２枚を
シリコン面が内側になるように２０μｍスペーサーを挟
み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに液晶を
注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペクトル測
定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄膜干渉
の測定結果から、２９μｍであることが分かった。挟み
込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温度による
相系変化、および透過率の測定結果を表５にまとめた。
２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにおける透過
スペクトルおよび反射スペクトルを図９、１０に示し
た。
【００７８】
【化１５】
【００７９】
【表６】
【００８０】実施例６ 下記Ｍ、Ｎに示した化合物をＭ（光学純度１００％）
０．１５ｇ、Ｎ０．４５ｇの割合で混合し、１３０℃ま
で昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を
得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミド薄膜を
形成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２
枚をポリイミド面が内側になるように２０μｍスペーサ
ーを挟み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに
液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペク
トル測定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄
膜干渉の測定結果から、３８μｍであることが分かっ
た。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温
度による相系変化、および透過率の測定結果を表６にま
とめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにお
ける透過スペクトルおよび反射スペクトルを図１ｌ、１
２に示した。
０．１５ｇ、Ｎ０．４５ｇの割合で混合し、１３０℃ま
で昇温し、均一になるまでかくはんして、液晶性材料を
得た。厚さ１ｍｍの石英ガラス表面にポリイミド薄膜を
形成しラビングした後２ｃｍ角に切断し、このガラス２
枚をポリイミド面が内側になるように２０μｍスペーサ
ーを挟み込みガラスセルを作製した。このガラスセルに
液晶を注入した後周囲をエポキシ樹脂で封止し、スペク
トル測定サンプルを得た。この場合の液晶の厚さは、薄
膜干渉の測定結果から、３８μｍであることが分かっ
た。挟み込んだ液晶性材料の複屈折、このサンプルの温
度による相系変化、および透過率の測定結果を表６にま
とめた。２７３Ｋ、２８８Ｋ、２９８Ｋ、３１３Ｋにお
ける透過スペクトルおよび反射スペクトルを図１ｌ、１
２に示した。
【００８１】
【化１６】
【００８２】
【表７】
【図１】６０００Ｋの黒体輻射から近似された太陽光の
エネルギー分布を示すスペクトル図。
エネルギー分布を示すスペクトル図。
【図２】ある物体の光線透過率を示すスペクトル図。
【図３】図２の光線透過率を有する、ある物体に太陽光
を透過したときの透過光のエネルギー分布を示すスペク
トル図。
を透過したときの透過光のエネルギー分布を示すスペク
トル図。
【図４】液晶性材料の相転移の説明図。
【図５】計算プログラムから求めた６０００Ｋの黒体輻
射のエネルギー分布を示すスペクトル図。
射のエネルギー分布を示すスペクトル図。
【図６】計算プログラムから求めた透過率を示すスペク
トル図。
トル図。
【図７】計算プログラムから求めた透過光のエネルギー
分布を示すスペクトル図。
分布を示すスペクトル図。
【図８】本発明の調光材料の積層構成の一例を示す断面
図。
図。
【図９】本発明の調光材料の積層構成の別の一例を示す
断面図。
断面図。
【図１０】調光材料に対する太陽光線の影響の説明図。
【図１１】実施例１における透過スペクトル図。
【図１２】実施例１における反射スペクトル図。
【図１３】実施例２における透過スペクトル図。
【図１４】実施例２における反射スペクトル図。
【図１５】実施例３における透過スペクトル図。
【図１６】実施例３における反射スペクトル図。
【図１７】実施例４における透過スペクトル図。
【図１８】実施例４における反射スペクトル図。
【図１９】実施例５における透過スペクトル図。
【図２０】実施例５における反射スペクトル図。
【図２１】実施例６における透過スペクトル図。
【図２２】実施例６における反射スペクトル図。
１ 透光性基板 ２、２’ 配向膜 ３、３’ 封止材 ４ 液晶性材料 ５ スペーサ ６ 保護材
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも１枚の透光性基板に液晶性材
料が配された積層体で、 ２７３Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度において、 波長 ４００〜 ７５０ｎｍの光線透過率が ５０％以
上、 ２７３Ｋ以上２８８Ｋ未満の全ての温度において、 波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ６０％以
上、 ２９８Ｋ以上３１３Ｋ以下の全ての温度において、 波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線透過率が ４０％以
下、 波長 ７５０〜２０００ｎｍの光線反射率が ５０％以
上、である性状を有する該積層体を主構成部材とするこ
とを特徴とする調光材料。 - 【請求項２】 液晶性材料が、明澄点３１３Ｋを超えか
つ結晶化温度が２７３Ｋ未満であることを特徴とする請
求項１記載の調光材料。 - 【請求項３】 液晶性材料が、明澄点３１３Ｋを超えか
つ２８８Ｋ未満の温度でガラス転移することを特徴とす
る請求項１記載の調光材料。 - 【請求項４】 液晶性材料が、２８８Ｋ以上２９８Ｋ未
満の温度範囲においてコレステリックースメクティック
相転移点を有することを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項記載の調光材料。 - 【請求項５】 液晶性材料が、少なくとも１種の光学活
性な液晶性化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか１項記載の調光材料。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213891A JPH0929882A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 調光材料 |
| EP96305323A EP0754834A1 (en) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | Light modulating materials |
| US08/684,219 US5766518A (en) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | Light modulating materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213891A JPH0929882A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 調光材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0929882A true JPH0929882A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16646733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7213891A Pending JPH0929882A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 調光材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5766518A (ja) |
| EP (1) | EP0754834A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0929882A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH111445A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | ジアセチレン化合物、それを含む液晶組成物およびそれを用いた液晶素子 |
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