JPH08255803A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
半導体モジュール及びその製造方法Info
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- JPH08255803A JPH08255803A JP7056930A JP5693095A JPH08255803A JP H08255803 A JPH08255803 A JP H08255803A JP 7056930 A JP7056930 A JP 7056930A JP 5693095 A JP5693095 A JP 5693095A JP H08255803 A JPH08255803 A JP H08255803A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップ交換のための補修作業を簡易に行うこ
とができる半導体モジュールの製造方法を提供する。 【構成】 先ず、モジュール基板１の開口部１ａに半導
体チップ３を真空吸着力により仮固定し、この状態で半
導体チップ３とモジュール基板１の導体パターンとをワ
イヤ４にて接続する。その後、半導体チップ４のワイヤ
接続面側をチップコート剤５により樹脂封止してモジュ
ール基板１に半導体チップ３を本固定する。
とができる半導体モジュールの製造方法を提供する。 【構成】 先ず、モジュール基板１の開口部１ａに半導
体チップ３を真空吸着力により仮固定し、この状態で半
導体チップ３とモジュール基板１の導体パターンとをワ
イヤ４にて接続する。その後、半導体チップ４のワイヤ
接続面側をチップコート剤５により樹脂封止してモジュ
ール基板１に半導体チップ３を本固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モジュール基板上に半
導体チップを実装してなる半導体モジュール及びその製
造方法に関するものである。
導体チップを実装してなる半導体モジュール及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体モジュールの実装形態の中には、
ウエハから個片に分割された半導体チップ（ベアチッ
プ）を直に基板上に実装するダイレクトボンディングと
呼ばれるタイプがある。従来、この種の半導体モジュー
ルを製造するにあたっては、図４に示すように、基板１
上のボンディングパッド（不図示）にダイボンド剤２を
介して半導体チップ３を接合する。次に、モジュール基
板１上に形成された導体パターン（不図示）と半導体チ
ップ３とを金線等のワイヤ４にて接続し、その後、チッ
プコート樹脂５によって半導体チップ３を封止する。
ウエハから個片に分割された半導体チップ（ベアチッ
プ）を直に基板上に実装するダイレクトボンディングと
呼ばれるタイプがある。従来、この種の半導体モジュー
ルを製造するにあたっては、図４に示すように、基板１
上のボンディングパッド（不図示）にダイボンド剤２を
介して半導体チップ３を接合する。次に、モジュール基
板１上に形成された導体パターン（不図示）と半導体チ
ップ３とを金線等のワイヤ４にて接続し、その後、チッ
プコート樹脂５によって半導体チップ３を封止する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の製造方法においては、モジュール基板１にダイボンド
剤２で半導体チップ３を固定したのち、モジュール基板
１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４にて接
続するため、以下のような不都合があった。すなわち、
マルチチップモジュール等の如きモジュール基板１上に
複数個の半導体チップ３を実装する場合では、１個の不
良チップによってモジュール全体が不良となるため、ワ
イヤボンディング後の特性測定で不良チップが検出され
た場合、不良チップを良品チップに交換するための補修
作業が行われることがある。こうした補修作業では、既
にダイボンド剤２によって固定された不良チップをモジ
ュール基板１から強引に引き剥がすことになるため、作
業中に誤ってモジュール基板１や他の半導体チップ３を
傷つけるなどの二次不良を引き起こす虞れがあった。ま
た、不良チップの引き剥がしは勿論のこと、チップ剥離
後のボンディングパッド部を平坦化するためモジュール
基板１に残ったダイボンド剤２を除去しなければなら
ず、一連の補修作業がきわめて煩雑なものとなってい
た。
の製造方法においては、モジュール基板１にダイボンド
剤２で半導体チップ３を固定したのち、モジュール基板
１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４にて接
続するため、以下のような不都合があった。すなわち、
マルチチップモジュール等の如きモジュール基板１上に
複数個の半導体チップ３を実装する場合では、１個の不
良チップによってモジュール全体が不良となるため、ワ
イヤボンディング後の特性測定で不良チップが検出され
た場合、不良チップを良品チップに交換するための補修
作業が行われることがある。こうした補修作業では、既
にダイボンド剤２によって固定された不良チップをモジ
ュール基板１から強引に引き剥がすことになるため、作
業中に誤ってモジュール基板１や他の半導体チップ３を
傷つけるなどの二次不良を引き起こす虞れがあった。ま
た、不良チップの引き剥がしは勿論のこと、チップ剥離
後のボンディングパッド部を平坦化するためモジュール
基板１に残ったダイボンド剤２を除去しなければなら
ず、一連の補修作業がきわめて煩雑なものとなってい
た。
【０００４】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、主としてチップ
交換のための補修作業を簡易に行うことができる半導体
モジュールの製造方法を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、主としてチップ
交換のための補修作業を簡易に行うことができる半導体
モジュールの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、導体パターンが形成され
たモジュール基板の所定位置に半導体チップを実装して
なる半導体モジュールの製造方法であり、先ず、モジュ
ール基板の所定位置に半導体チップを真空吸着力により
仮固定した状態で半導体チップと導体パターンとをワイ
ヤにて接続する。その後、半導体チップのワイヤ接続面
側を樹脂封止してモジュール基板に半導体チップを本固
定する。
成するためになされたもので、導体パターンが形成され
たモジュール基板の所定位置に半導体チップを実装して
なる半導体モジュールの製造方法であり、先ず、モジュ
ール基板の所定位置に半導体チップを真空吸着力により
仮固定した状態で半導体チップと導体パターンとをワイ
ヤにて接続する。その後、半導体チップのワイヤ接続面
側を樹脂封止してモジュール基板に半導体チップを本固
定する。
【０００６】
【作用】本発明に係わる半導体モジュールの製造方法に
おいては、モジュール基板の所定位置に真空吸着力によ
って半導体チップが仮固定され、この状態でモジュール
基板の導体パターンと半導体チップとがワイヤにて接続
される。ワイヤボンディング後には半導体チップのワイ
ヤ接続面側が樹脂封止され、これによってモジュール基
板の所定位置に半導体チップが本固定される。したがっ
て、ワイヤボンディング後の特性測定において不良チッ
プが検出された場合には、基板表面と直交する方向に不
良チップを押し出すだけでモジュール基板から不良チッ
プを取り外すことが可能となり、しかも不良チップを取
り外した後は従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業
を要することなく、交換用の良品チップを実装すること
が可能となる。
おいては、モジュール基板の所定位置に真空吸着力によ
って半導体チップが仮固定され、この状態でモジュール
基板の導体パターンと半導体チップとがワイヤにて接続
される。ワイヤボンディング後には半導体チップのワイ
ヤ接続面側が樹脂封止され、これによってモジュール基
板の所定位置に半導体チップが本固定される。したがっ
て、ワイヤボンディング後の特性測定において不良チッ
プが検出された場合には、基板表面と直交する方向に不
良チップを押し出すだけでモジュール基板から不良チッ
プを取り外すことが可能となり、しかも不良チップを取
り外した後は従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業
を要することなく、交換用の良品チップを実装すること
が可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わる半導体モ
ジュールの製造方法の第１実施例を説明する図である。
本第１実施例においては、先ず図１（ａ）に示すよう
に、真空引き用の貫通孔６ａを有する治具ボード６の上
面にモジュール基板１を載置する。その際、モジュール
基板１には、予めチップ実装位置に対応して例えばチッ
プ径よりも大きな開口部１ａを設けておく。また、治具
ボード６にはモジュール基板１の位置決め手段（例え
ば、図示はしないが位置決めピン等）を設けておき、ボ
ード上面にモジュール基板１を載置したときに開口部１
ａの略中央に貫通孔６ａが位置するようにする。
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わる半導体モ
ジュールの製造方法の第１実施例を説明する図である。
本第１実施例においては、先ず図１（ａ）に示すよう
に、真空引き用の貫通孔６ａを有する治具ボード６の上
面にモジュール基板１を載置する。その際、モジュール
基板１には、予めチップ実装位置に対応して例えばチッ
プ径よりも大きな開口部１ａを設けておく。また、治具
ボード６にはモジュール基板１の位置決め手段（例え
ば、図示はしないが位置決めピン等）を設けておき、ボ
ード上面にモジュール基板１を載置したときに開口部１
ａの略中央に貫通孔６ａが位置するようにする。
【０００８】次に、吸着コレット等によって移送した半
導体チップ３をモジュール基板１の開口部１ａに配置す
る。これにより、治具ボード６の貫通孔６ａの上端は半
導体チップ３の裏面によって閉塞される。このとき、治
具ボード６上に図中点線で示す如きチップ位置決め用の
突起６ｂを形成しておけば、モジュール基板１の開口部
１ａに半導体チップ３を精度良く位置決めできるととも
に、開口部１ａでの半導体チップ３の横ずれを確実に防
止できるといったメリットが得られる。
導体チップ３をモジュール基板１の開口部１ａに配置す
る。これにより、治具ボード６の貫通孔６ａの上端は半
導体チップ３の裏面によって閉塞される。このとき、治
具ボード６上に図中点線で示す如きチップ位置決め用の
突起６ｂを形成しておけば、モジュール基板１の開口部
１ａに半導体チップ３を精度良く位置決めできるととも
に、開口部１ａでの半導体チップ３の横ずれを確実に防
止できるといったメリットが得られる。
【０００９】続いて、治具ボード６の貫通孔６ａを介し
て真空引きを行う。これにより、半導体チップ３は治具
ボード６上に吸着されるため、その真空吸着力をもって
モジュール基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置
となる開口部１ａに半導体チップ３を仮固定する。次い
で、上述の如く半導体チップ３を仮固定しつつ、図示せ
ぬワイヤボンディングツール（キャピラリ等）によって
モジュール基板１の導体パターンと半導体チップ３とを
ワイヤ４にて接続する。
て真空引きを行う。これにより、半導体チップ３は治具
ボード６上に吸着されるため、その真空吸着力をもって
モジュール基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置
となる開口部１ａに半導体チップ３を仮固定する。次い
で、上述の如く半導体チップ３を仮固定しつつ、図示せ
ぬワイヤボンディングツール（キャピラリ等）によって
モジュール基板１の導体パターンと半導体チップ３とを
ワイヤ４にて接続する。
【００１０】その後、真空引きを止めて治具ボード６か
らモジュール基板１を取り外す。このとき、半導体チッ
プ３が多数のワイヤ４によって機械的にモジュール基板
１に接続され、しかもチップ自体がきわめて軽いことか
ら、半導体チップ３の位置はワイヤ４によって保持され
る。続いて、図１（ｂ）に示すように、治具ボード６か
ら取り外したモジュール基板１の下面側に補助基板７を
重ね合わせて両者を密着させる。さらに、この状態でモ
ジュール基板１の上方からペースト状のチップコート剤
（例えば熱硬化性樹脂）５を滴下して、半導体チップ３
のワイヤ接続面側を樹脂封止する。その後、チップコー
ト剤５を完全に硬化させ、モジュール基板１の開口部１
ａに半導体チップ３を本固定する。
らモジュール基板１を取り外す。このとき、半導体チッ
プ３が多数のワイヤ４によって機械的にモジュール基板
１に接続され、しかもチップ自体がきわめて軽いことか
ら、半導体チップ３の位置はワイヤ４によって保持され
る。続いて、図１（ｂ）に示すように、治具ボード６か
ら取り外したモジュール基板１の下面側に補助基板７を
重ね合わせて両者を密着させる。さらに、この状態でモ
ジュール基板１の上方からペースト状のチップコート剤
（例えば熱硬化性樹脂）５を滴下して、半導体チップ３
のワイヤ接続面側を樹脂封止する。その後、チップコー
ト剤５を完全に硬化させ、モジュール基板１の開口部１
ａに半導体チップ３を本固定する。
【００１１】このように本第１実施例においては、モジ
ュール基板１の開口部１ａに半導体チップ３を配置した
のち、治具ボード６に設けた貫通孔６ａを介して真空引
きを行うことにより、半導体チップ３を真空吸着力によ
って仮固定した状態でワイヤ４の接続を行うため、ワイ
ヤボンディング後の特性測定において不良チップが検出
された場合でも、基板表面と直交する方向に不良チップ
を押し出すだけで、モジュール基板１から簡単に不良チ
ップを取り外すことができる。また、不良チップを取り
外した後は、従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業
を要することなく、上記同様の手順をもって再びモジュ
ール基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置となる
開口部１ａに交換用の良品チップを実装することができ
る。
ュール基板１の開口部１ａに半導体チップ３を配置した
のち、治具ボード６に設けた貫通孔６ａを介して真空引
きを行うことにより、半導体チップ３を真空吸着力によ
って仮固定した状態でワイヤ４の接続を行うため、ワイ
ヤボンディング後の特性測定において不良チップが検出
された場合でも、基板表面と直交する方向に不良チップ
を押し出すだけで、モジュール基板１から簡単に不良チ
ップを取り外すことができる。また、不良チップを取り
外した後は、従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業
を要することなく、上記同様の手順をもって再びモジュ
ール基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置となる
開口部１ａに交換用の良品チップを実装することができ
る。
【００１２】ここで、上述の如くモジュール基板１に半
導体チップ３を本固定した後は、補助基板７を取り外し
て最終製品形態としてもよいが、そのまま半導体モジュ
ールの一構成部品として補助基板７を残す場合は、予め
熱伝導率の高い材料（例えば銅、アルミ、セラミックな
ど）で補助基板７を構成し、これを放熱板として半導体
チップ３のワイヤ接続面と反対側の面、つまり発熱量の
多いチップ裏面に接合しておくとより好適である。すな
わち、こうして得られるモジュール構造にあっては、そ
の製造過程において不良チップの検出に伴う補修作業が
容易になるだけでなく、モジュール動作時に半導体チッ
プ３で発生した熱が放熱板７に伝導され、そこから効率
良く外部に放散されるようになるため、モジュール全体
の放熱効果が格段に高まる。また、放熱板７にフィン構
造を採用すれば、より大きな放熱面積が得られるため、
さらなる放熱効果の向上が図られる。ちなみに、放熱板
７の接合にあたっては、個々の半導体チップ３に対して
個片の放熱板７をそれぞれ接合してもよいが、モジュー
ル基板１の全面にわたって放熱板７を接合した方が組立
工数や放熱効果の点で有利である。
導体チップ３を本固定した後は、補助基板７を取り外し
て最終製品形態としてもよいが、そのまま半導体モジュ
ールの一構成部品として補助基板７を残す場合は、予め
熱伝導率の高い材料（例えば銅、アルミ、セラミックな
ど）で補助基板７を構成し、これを放熱板として半導体
チップ３のワイヤ接続面と反対側の面、つまり発熱量の
多いチップ裏面に接合しておくとより好適である。すな
わち、こうして得られるモジュール構造にあっては、そ
の製造過程において不良チップの検出に伴う補修作業が
容易になるだけでなく、モジュール動作時に半導体チッ
プ３で発生した熱が放熱板７に伝導され、そこから効率
良く外部に放散されるようになるため、モジュール全体
の放熱効果が格段に高まる。また、放熱板７にフィン構
造を採用すれば、より大きな放熱面積が得られるため、
さらなる放熱効果の向上が図られる。ちなみに、放熱板
７の接合にあたっては、個々の半導体チップ３に対して
個片の放熱板７をそれぞれ接合してもよいが、モジュー
ル基板１の全面にわたって放熱板７を接合した方が組立
工数や放熱効果の点で有利である。
【００１３】図２は本発明に係わる半導体モジュールの
製造方法の第２実施例を説明する図である。本第２実施
例においては、先ず図２（ａ）に示すように、基板製作
段階でチップ実装位置に対応するモジュール基板１の所
定位置に平面矩形状の凹部１ｂを形成し、さらに凹部１
ｂの中央には真空引き用の通孔１ｃを形成しておく。そ
してチップ実装時には、吸着コレット等により移送した
半導体チップ３をモジュール基板１の凹部１ｂに配置す
る。このとき、図示はしないが、予め凹部１ｂの底面に
チップ位置決め用の突起を形成しておくか、或いはモジ
ュール基板１の凹部１ｂをチップ径よりも僅かに大きく
形成しておけば、モジュール基板１に対して半導体チッ
プ３を精度良く位置決めできるうえ、凹部１ｂでのチッ
プの横ずれも確実に防止できる。
製造方法の第２実施例を説明する図である。本第２実施
例においては、先ず図２（ａ）に示すように、基板製作
段階でチップ実装位置に対応するモジュール基板１の所
定位置に平面矩形状の凹部１ｂを形成し、さらに凹部１
ｂの中央には真空引き用の通孔１ｃを形成しておく。そ
してチップ実装時には、吸着コレット等により移送した
半導体チップ３をモジュール基板１の凹部１ｂに配置す
る。このとき、図示はしないが、予め凹部１ｂの底面に
チップ位置決め用の突起を形成しておくか、或いはモジ
ュール基板１の凹部１ｂをチップ径よりも僅かに大きく
形成しておけば、モジュール基板１に対して半導体チッ
プ３を精度良く位置決めできるうえ、凹部１ｂでのチッ
プの横ずれも確実に防止できる。
【００１４】続いて、モジュール基板１に設けた通孔１
ｃを介して真空引きを行い、その真空吸着力をもって半
導体チップ３をモジュール基板１の所定位置、すなわち
チップ実装位置となる開口部１ａに仮固定する。次い
で、半導体チップ３を仮固定しつつ、図示せぬワイヤボ
ンディングツール（キャピラリ等）によってモジュール
基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４に
て接続する。
ｃを介して真空引きを行い、その真空吸着力をもって半
導体チップ３をモジュール基板１の所定位置、すなわち
チップ実装位置となる開口部１ａに仮固定する。次い
で、半導体チップ３を仮固定しつつ、図示せぬワイヤボ
ンディングツール（キャピラリ等）によってモジュール
基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４に
て接続する。
【００１５】その後、真空引きを止めてモジュール基板
１の通孔１ｃをシール材８によって塞ぎ、この状態でモ
ジュール基板１の上方からペースト状のチップコート剤
５を滴下して半導体チップ３のワイヤ接続面側を樹脂封
止する。さらに、チップコート剤５を完全に硬化させ、
モジュール基板１の凹部１ｂに半導体チップ３を本固定
する。
１の通孔１ｃをシール材８によって塞ぎ、この状態でモ
ジュール基板１の上方からペースト状のチップコート剤
５を滴下して半導体チップ３のワイヤ接続面側を樹脂封
止する。さらに、チップコート剤５を完全に硬化させ、
モジュール基板１の凹部１ｂに半導体チップ３を本固定
する。
【００１６】このように本第２実施例においては、モジ
ュール基板１の凹部１ｂに半導体チップ３を配置したの
ち、基板の通孔１ｃを介して真空引きを行うことによ
り、半導体チップ３を真空吸着力によって仮固定した状
態でワイヤ４の接続を行うため、ワイヤボンィング後の
特性測定において不良チップが検出された場合でも、通
孔１ｃを介して基板表面と直交する方向に不良チップを
押し出すだけで、モジュール基板１から簡単に不良チッ
プを取り外すことができる。また、不良チップを取り外
した後は、従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業を
要することなく、上記同様の手順をもって再びモジュー
ル基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置となる凹
部１ｂに交換用の良品チップを実装することができる。
ュール基板１の凹部１ｂに半導体チップ３を配置したの
ち、基板の通孔１ｃを介して真空引きを行うことによ
り、半導体チップ３を真空吸着力によって仮固定した状
態でワイヤ４の接続を行うため、ワイヤボンィング後の
特性測定において不良チップが検出された場合でも、通
孔１ｃを介して基板表面と直交する方向に不良チップを
押し出すだけで、モジュール基板１から簡単に不良チッ
プを取り外すことができる。また、不良チップを取り外
した後は、従来の如くダイボンド剤等の取り除き作業を
要することなく、上記同様の手順をもって再びモジュー
ル基板１の所定位置、すなわちチップ実装位置となる凹
部１ｂに交換用の良品チップを実装することができる。
【００１７】図３は本発明に係わる半導体モジュールの
製造方法の第３実施例を説明する図である。本第３実施
例においては、先に述べた第１及び第２の各実施例に比
較して、特にワイヤボンディング後に行われる樹脂封止
の方法に違いがある。
製造方法の第３実施例を説明する図である。本第３実施
例においては、先に述べた第１及び第２の各実施例に比
較して、特にワイヤボンディング後に行われる樹脂封止
の方法に違いがある。
【００１８】すなわち、図３（ａ）に示す方法では、上
記第１実施例の如くモジュール基板１の開口部１ａに半
導体チップ３を真空吸着力により仮固定した状態でモジ
ュール基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイ
ヤ４にて接続したのち、箱型のケース９に入れたペース
ト状のチップコート剤５にモジュール基板１を下向きに
して浸す。これにより、半導体チップ３のワイヤ接続面
側をチップコート剤５によって樹脂封止し、さらにチッ
プコート剤５を完全に硬化させてモジュール基板１の開
口部１ａに半導体チップ３を本固定する。
記第１実施例の如くモジュール基板１の開口部１ａに半
導体チップ３を真空吸着力により仮固定した状態でモジ
ュール基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイ
ヤ４にて接続したのち、箱型のケース９に入れたペース
ト状のチップコート剤５にモジュール基板１を下向きに
して浸す。これにより、半導体チップ３のワイヤ接続面
側をチップコート剤５によって樹脂封止し、さらにチッ
プコート剤５を完全に硬化させてモジュール基板１の開
口部１ａに半導体チップ３を本固定する。
【００１９】また、図３（ｂ）に示す方法では、上記第
２実施例の如くモジュール基板１の凹部１ｂに半導体チ
ップ３を真空吸着力により仮固定した状態でモジュール
基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４に
て接続したのち、箱型のケース９に入れたペースト状の
チップコート剤５にモジュール基板１を下向きにして浸
す。これにより、半導体チップ３のワイヤ接続面側をチ
ップコート剤５によって樹脂封止し、さらにチップコー
ト剤５を完全に硬化させてモジュール基板１の凹部１ｂ
に半導体チップ３を本固定する。
２実施例の如くモジュール基板１の凹部１ｂに半導体チ
ップ３を真空吸着力により仮固定した状態でモジュール
基板１の導体パターンと半導体チップ３とをワイヤ４に
て接続したのち、箱型のケース９に入れたペースト状の
チップコート剤５にモジュール基板１を下向きにして浸
す。これにより、半導体チップ３のワイヤ接続面側をチ
ップコート剤５によって樹脂封止し、さらにチップコー
ト剤５を完全に硬化させてモジュール基板１の凹部１ｂ
に半導体チップ３を本固定する。
【００２０】このように本第３実施例においては、上記
第１及び第２実施例の如く樹脂封止の際に補助基板７や
シール材８等の樹脂漏れ防止手段を講じることなく、モ
ジュール基板１に実装された複数（図例では２個）の半
導体チップ３を一括して樹脂封止し、且つ所定の位置
（開口部１ａ、凹部１ｂ等）に本固定することができる
ため、工程の簡略化が図られる。なお、ケース９はチッ
プコート剤５が硬化した後で取り外してもよいし、その
ままモジュール基板１に取り付けて最終製品形態として
もよい。
第１及び第２実施例の如く樹脂封止の際に補助基板７や
シール材８等の樹脂漏れ防止手段を講じることなく、モ
ジュール基板１に実装された複数（図例では２個）の半
導体チップ３を一括して樹脂封止し、且つ所定の位置
（開口部１ａ、凹部１ｂ等）に本固定することができる
ため、工程の簡略化が図られる。なお、ケース９はチッ
プコート剤５が硬化した後で取り外してもよいし、その
ままモジュール基板１に取り付けて最終製品形態として
もよい。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
モジュール基板の所定位置に真空吸着力によって半導体
チップを仮固定し、この状態でモジュール基板の導体パ
ターンと半導体チップとをワイヤにて接続するととも
に、ワイヤボンディング後は半導体チップのワイヤ接続
面側を樹脂封止してモジュール基板の所定位置に半導体
チップを本固定するため、ワイヤボンディング後の特性
測定において不良チップが検出された場合であっても、
基板表面と直交する方向に不良チップを押し出すといっ
た簡単な作業でモジュール基板から不良チップを取り外
すことが可能となる。また、モジュール基板から不良チ
ップを取り外した後においても、従来の如くダイボンド
剤等を除去するなどの煩雑な作業を要することなく、交
換用の良品チップを実装することが可能となる。その結
果、チップ不良に伴うマルチチップモジュール等の補修
作業（チップ交換作業）においては、不良チップをモジ
ュール基板から取り外す際にモジュール基板や他の半導
体チップを傷つけるなどの二次不良の発生が皆無となる
ため、半導体モジュールとしてのトータル的な歩留りの
向上並びにコストの低減が図られる。さらに、上述の如
く補修作業がきわめて簡易なものとなるため、作業を標
準化して効率アップを図ることもできる。
モジュール基板の所定位置に真空吸着力によって半導体
チップを仮固定し、この状態でモジュール基板の導体パ
ターンと半導体チップとをワイヤにて接続するととも
に、ワイヤボンディング後は半導体チップのワイヤ接続
面側を樹脂封止してモジュール基板の所定位置に半導体
チップを本固定するため、ワイヤボンディング後の特性
測定において不良チップが検出された場合であっても、
基板表面と直交する方向に不良チップを押し出すといっ
た簡単な作業でモジュール基板から不良チップを取り外
すことが可能となる。また、モジュール基板から不良チ
ップを取り外した後においても、従来の如くダイボンド
剤等を除去するなどの煩雑な作業を要することなく、交
換用の良品チップを実装することが可能となる。その結
果、チップ不良に伴うマルチチップモジュール等の補修
作業（チップ交換作業）においては、不良チップをモジ
ュール基板から取り外す際にモジュール基板や他の半導
体チップを傷つけるなどの二次不良の発生が皆無となる
ため、半導体モジュールとしてのトータル的な歩留りの
向上並びにコストの低減が図られる。さらに、上述の如
く補修作業がきわめて簡易なものとなるため、作業を標
準化して効率アップを図ることもできる。
【図１】本発明の第１実施例を説明する図である。
【図２】本発明の第２実施例を説明する図である。
【図３】本発明の第３実施例を説明する図である。
【図４】従来例を説明する図である。
１ モジュール基板 １ａ 開口部 ３ 半導体チップ ４ ワイヤ ５ チップコート剤 ７ 補助基板（放熱板）
Claims (2)
- 【請求項１】 導体パターンが形成されたモジュール基
板の所定位置に半導体チップを実装してなる半導体モジ
ュールの製造方法において、 前記モジュール基板の所定位置に前記半導体チップを真
空吸着力により仮固定した状態で前記半導体チップと前
記導体パターンとをワイヤにて接続し、 その後、前記半導体チップのワイヤ接続面側を樹脂封止
して前記モジュール基板に前記半導体チップを本固定す
ることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項２】 チップ実装位置を開口してなるモジュー
ル基板と、 前記モジュール基板の開口部に配置され且つ該モジュー
ル基板の導体パターンにワイヤを介して接続された半導
体チップと、 前記開口部に配置された前記半導体チップを固定するチ
ップコート剤と、 前記半導体チップのワイヤ接続面と反対側の面に接合さ
れた放熱板とを備えたことを特徴とする半導体モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7056930A JPH08255803A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7056930A JPH08255803A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255803A true JPH08255803A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13041236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7056930A Pending JPH08255803A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255803A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332383A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法 |
| DE10213879C1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil |
| US7232709B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-06-19 | Nitto Denko Corporation | Process for producing a semiconductor device |
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9153556B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-10-06 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP7056930A patent/JPH08255803A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332383A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-30 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法 |
| DE10213879C1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil |
| US7232709B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-06-19 | Nitto Denko Corporation | Process for producing a semiconductor device |
| US9153556B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-10-06 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method |
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
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