JPH0826165B2 - ペリクル膜の製造方法 - Google Patents
ペリクル膜の製造方法Info
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- JPH0826165B2 JPH0826165B2 JP33293787A JP33293787A JPH0826165B2 JP H0826165 B2 JPH0826165 B2 JP H0826165B2 JP 33293787 A JP33293787 A JP 33293787A JP 33293787 A JP33293787 A JP 33293787A JP H0826165 B2 JPH0826165 B2 JP H0826165B2
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- Japan
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- film
- pellicle
- pellicle film
- polyvinyl
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路の製造におけるリングラフィ
ー工程で用いるフォトマスクおよびレチクル（以下単に
「マスク」と略する。）の保護防塵体であるペリクル膜
を製造する方法に関する。
ー工程で用いるフォトマスクおよびレチクル（以下単に
「マスク」と略する。）の保護防塵体であるペリクル膜
を製造する方法に関する。
半導体集積回路の製造において、レジスト材を塗布し
た半導体ウエハーを露光によりパターンニングする工程
は、集積回路の歩留りを左右する重量な工程である。こ
の際パターン原板であるマスク上にキズあるいは塵埃が
存在すると、パターンとともにキズあるいは異物がウエ
ハー上に印刷され、生産される回路の短絡、断線等の原
因となる。このためマスクの保護及び防塵は生産性向上
の上で極めて重要な課題である。特に同一のレチクルを
用いて一枚のウエハー上に繰返しパターン形成を行うス
テッパー方式では、レチクル上にキズあるいは塵埃が存
在すると発生する欠陥がウエハー上のすべての回路に及
ぶため、レチクル上のキズあるいは塵埃の付着は極力さ
けなくてはならない。
た半導体ウエハーを露光によりパターンニングする工程
は、集積回路の歩留りを左右する重量な工程である。こ
の際パターン原板であるマスク上にキズあるいは塵埃が
存在すると、パターンとともにキズあるいは異物がウエ
ハー上に印刷され、生産される回路の短絡、断線等の原
因となる。このためマスクの保護及び防塵は生産性向上
の上で極めて重要な課題である。特に同一のレチクルを
用いて一枚のウエハー上に繰返しパターン形成を行うス
テッパー方式では、レチクル上にキズあるいは塵埃が存
在すると発生する欠陥がウエハー上のすべての回路に及
ぶため、レチクル上のキズあるいは塵埃の付着は極力さ
けなくてはならない。
そこで最近マスクの保護、防塵を目的として、マスク
の片面あるいは画面を透明なプラスチック薄膜でカバー
することが提案され、実施されつつある。この際、マス
クとプラスチック薄膜の間隔を十分大きくとっておくこ
とにより、たとえプラスチック薄膜上に塵埃が付着して
も露光装置の光学系の焦点からずれているため、塵埃は
ウエハー上には結像されない。さらに、従来のようにマ
スクに付着した塵埃の洗浄除去工程が不要になるため、
生産工程の簡略化にもつながり、その有用性が明らかに
なってきている。
の片面あるいは画面を透明なプラスチック薄膜でカバー
することが提案され、実施されつつある。この際、マス
クとプラスチック薄膜の間隔を十分大きくとっておくこ
とにより、たとえプラスチック薄膜上に塵埃が付着して
も露光装置の光学系の焦点からずれているため、塵埃は
ウエハー上には結像されない。さらに、従来のようにマ
スクに付着した塵埃の洗浄除去工程が不要になるため、
生産工程の簡略化にもつながり、その有用性が明らかに
なってきている。
このようにマスクの保護防塵体として使用されるペリ
クル膜は使用する露光装置の光源波長領域において吸収
を持たず透明であるとともに、膜厚が均一である必要が
ある。というのは膜厚にムラが存在すると、たとえ膜が
吸収を持たなくても膜面内の場所により反射の強度に変
化を生じるため、露光時の露光ムラの原因となるからで
ある。ペリクル膜面内の膜厚ムラは少ない程良く、望ま
しくは１％以下が良い。
クル膜は使用する露光装置の光源波長領域において吸収
を持たず透明であるとともに、膜厚が均一である必要が
ある。というのは膜厚にムラが存在すると、たとえ膜が
吸収を持たなくても膜面内の場所により反射の強度に変
化を生じるため、露光時の露光ムラの原因となるからで
ある。ペリクル膜面内の膜厚ムラは少ない程良く、望ま
しくは１％以下が良い。
現在までにペリクルとして使用可能な薄膜素材として
は、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリエチレン
テレフタレート、ポリプロピレン、パリレン、ポリメチ
ルメタクリレート等が知られており、特にニトロセルロ
ースが主として使用されている。
は、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリエチレン
テレフタレート、ポリプロピレン、パリレン、ポリメチ
ルメタクリレート等が知られており、特にニトロセルロ
ースが主として使用されている。
しかし、これらの膜は、従来の近紫外領域では使用で
きるものの、遠紫外領域に吸収を持つため透明性が悪
く、また遠紫外線の照射により急速に着色あるいは劣化
してしまい、耐久性にも問題がある。
きるものの、遠紫外領域に吸収を持つため透明性が悪
く、また遠紫外線の照射により急速に着色あるいは劣化
してしまい、耐久性にも問題がある。
これに対してポリビニルプロピオナール、ポリビニル
ブチラール等のポリビニルアセタールは近、遠紫外領域
において吸収を持たないため、透明性に優れ、耐久性も
著しく良好であり、ペリクル膜として極めて優れた素材
である。このようなポリビニルアセタールからなるペリ
クル膜として種々の提案がなされた。
ブチラール等のポリビニルアセタールは近、遠紫外領域
において吸収を持たないため、透明性に優れ、耐久性も
著しく良好であり、ペリクル膜として極めて優れた素材
である。このようなポリビニルアセタールからなるペリ
クル膜として種々の提案がなされた。
特開昭59−164356号は式： （式中ｘは≦0.13、ｙは≦0.02及びｚは≦0.88）のポリ
ビニルブチラールと、シラノール部分縮合物の低級脂肪
族アルコール水溶液中におけるコロイド状シリカの分散
液との混合物からつくられるフィルムからなる投射焼付
用ペリクルであって、部分縮合物の主要部はCH3Si（O
H）３の縮合によって得られ、少量部はC2H5Si（O
H）３、C3H7Si（OH）３、 及びそれらの混合物からなる群から選ばれる一成員との
縮合から得られるペリクルを開示している。
ビニルブチラールと、シラノール部分縮合物の低級脂肪
族アルコール水溶液中におけるコロイド状シリカの分散
液との混合物からつくられるフィルムからなる投射焼付
用ペリクルであって、部分縮合物の主要部はCH3Si（O
H）３の縮合によって得られ、少量部はC2H5Si（O
H）３、C3H7Si（OH）３、 及びそれらの混合物からなる群から選ばれる一成員との
縮合から得られるペリクルを開示している。
また特開昭59−206406号は次の構造単位 （式中ｘは≦0.12、ｙは≦0.02、及びｚは≧0.88であ
り、Ｒはメチル又はエチルであり、ｍは1,2又は３の整
数、ｎは４−ｍに等しい整数であり、Ｇは−（CH2）Ｐ
−Ｑであって、ここでｐは0,1,2,3又は４であり、Ｑは
ｐが1,2,3又は４の時には、−R1、OR1、 からなる群から選ばれる一員であり、ｐがゼロの時には
Ｑは からなる群から選ばれ、ここでR1は１〜４個の炭素原子
のアルキルであり、R2とR4とR5は水素とR1からなる群か
ら選ばれ、またR3は１〜４個の炭素原子のアルキレンで
ある。）をもつフィルム形成重合体でつくられるフィル
ムからなる、投射焼付用のペリクルフィルムを開示して
いる。
り、Ｒはメチル又はエチルであり、ｍは1,2又は３の整
数、ｎは４−ｍに等しい整数であり、Ｇは−（CH2）Ｐ
−Ｑであって、ここでｐは0,1,2,3又は４であり、Ｑは
ｐが1,2,3又は４の時には、−R1、OR1、 からなる群から選ばれる一員であり、ｐがゼロの時には
Ｑは からなる群から選ばれ、ここでR1は１〜４個の炭素原子
のアルキルであり、R2とR4とR5は水素とR1からなる群か
ら選ばれ、またR3は１〜４個の炭素原子のアルキレンで
ある。）をもつフィルム形成重合体でつくられるフィル
ムからなる、投射焼付用のペリクルフィルムを開示して
いる。
しかしながら、ポリビニルアセタールは溶液にした場
合著しく粘度が高いために、セルロース系ペリクルに比
べて製膜が難しく、ペリクルとして必要な膜厚均一性を
得ることが極めて難しかった。
合著しく粘度が高いために、セルロース系ペリクルに比
べて製膜が難しく、ペリクルとして必要な膜厚均一性を
得ることが極めて難しかった。
従って本発明の目的は、上記ポリビニルアセタールか
らなるペリクル膜の作製時の問題点を解決し、膜厚の均
一性が極めて良好であり、かつ透明性、耐久性に優れた
ペリクル膜を製造する方法を提供することである。
らなるペリクル膜の作製時の問題点を解決し、膜厚の均
一性が極めて良好であり、かつ透明性、耐久性に優れた
ペリクル膜を製造する方法を提供することである。
膜厚均一性に優れ、かつ透明性、耐久性に優れたポリ
ビニルアセタールからなるペリクル膜を得るべく鋭意研
究を行った結果、本発明者は所定の沸点範囲内にある脂
肪族ケトンを製膜溶媒として用いると、上記所望の特性
を有するペリクル膜が得られることを発見し、本発明に
想到した。
ビニルアセタールからなるペリクル膜を得るべく鋭意研
究を行った結果、本発明者は所定の沸点範囲内にある脂
肪族ケトンを製膜溶媒として用いると、上記所望の特性
を有するペリクル膜が得られることを発見し、本発明に
想到した。
すなわち本発明の方法は実質的に下記一般式： （但し、R1は炭素数１〜３の直鎖又は分岐アルキル基で
あり、酢酸ビニル成分の含量ｙが10モル％以下で、アセ
タール化度z/（ｘ＋ｙ＋ｚ）が60モル％以上であるポリ
ビニルアセタールからなるペリクル膜を作製するにあた
り、下記一般式： で表され、かつ沸点が110〜170℃の範囲にある脂肪族ケ
トンを製膜溶媒として用いることを特徴とするものであ
る。
あり、酢酸ビニル成分の含量ｙが10モル％以下で、アセ
タール化度z/（ｘ＋ｙ＋ｚ）が60モル％以上であるポリ
ビニルアセタールからなるペリクル膜を作製するにあた
り、下記一般式： で表され、かつ沸点が110〜170℃の範囲にある脂肪族ケ
トンを製膜溶媒として用いることを特徴とするものであ
る。
以下本発明について詳細に説明する。
本発明において用いるポリビニルアセタールは、下記
一般式（Ｉ）： （但し、R1は炭素数１〜３までの直鎖又は分岐アルキル
基である。）で示されるものである。
一般式（Ｉ）： （但し、R1は炭素数１〜３までの直鎖又は分岐アルキル
基である。）で示されるものである。
上記一般式（Ｉ）で表されるポリビニルアセタールを
合成するために、ポリビニルアルコールとアセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、イソブチルアルデヒド、
ｎ−ブチルアルデヒド等とを公知の方法により縮合反応
させることができる。例えば、ポリ酢酸ビニルを出発物
質として、そのアルコール、酢酸、塩酸溶液もしくは水
懸濁液をケン化した後、連続して硫酸、塩酸等の酸触媒
下でアルデヒドと反応させる方法、あるいはポリビニル
アルコールを出発物質として、その水溶液もしくはアル
コール分散液にアルデヒドを添加し、硫酸、塩酸等の酸
触媒の存在下で反応させる方法を挙げることができる。
得られるポリビニルアセタールの透明性が良いこと、分
子量の調節及び酢酸ビニル成分含量の調節が容易なこと
から、ポリビニルアルコールを出発物質とする方法が好
ましい。この場合、ポリビニルアセタール中の酢酸ビニ
ル成分の含量は出発物質のポリビニルアルコール中の酢
酸ビニル成分含量を調節することによりコントロールす
ることができる。また、ポリビニルアルコールとアルデ
ヒドのモル比、反応時間、反応温度及び触媒量等をコン
トロールすることにより、種々の異なるアセタール化度
を有するポリビニルアセタールを得ることができる。
合成するために、ポリビニルアルコールとアセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、イソブチルアルデヒド、
ｎ−ブチルアルデヒド等とを公知の方法により縮合反応
させることができる。例えば、ポリ酢酸ビニルを出発物
質として、そのアルコール、酢酸、塩酸溶液もしくは水
懸濁液をケン化した後、連続して硫酸、塩酸等の酸触媒
下でアルデヒドと反応させる方法、あるいはポリビニル
アルコールを出発物質として、その水溶液もしくはアル
コール分散液にアルデヒドを添加し、硫酸、塩酸等の酸
触媒の存在下で反応させる方法を挙げることができる。
得られるポリビニルアセタールの透明性が良いこと、分
子量の調節及び酢酸ビニル成分含量の調節が容易なこと
から、ポリビニルアルコールを出発物質とする方法が好
ましい。この場合、ポリビニルアセタール中の酢酸ビニ
ル成分の含量は出発物質のポリビニルアルコール中の酢
酸ビニル成分含量を調節することによりコントロールす
ることができる。また、ポリビニルアルコールとアルデ
ヒドのモル比、反応時間、反応温度及び触媒量等をコン
トロールすることにより、種々の異なるアセタール化度
を有するポリビニルアセタールを得ることができる。
本発明において用いるポリビニルアセタールの平均分
子量の好ましい範囲は、１万以上20万以下である。分子
量が１万未満のポリビニルアセタールから得られるペリ
クル膜は強度が十分でない。また、分子量が20万を超え
るポリビニルアセタールはその溶液粘度が高く、製膜す
る上で好ましくない。
子量の好ましい範囲は、１万以上20万以下である。分子
量が１万未満のポリビニルアセタールから得られるペリ
クル膜は強度が十分でない。また、分子量が20万を超え
るポリビニルアセタールはその溶液粘度が高く、製膜す
る上で好ましくない。
本発明において用いるポリビニルアセタールの酢酸ビ
ニル成分の含量（式（Ｉ）においてｙで表される）は10
モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。酢酸
ビニル成分の含量がこれより多いと遠紫外領域の透明性
が減少し、長時間の紫外線暴露に対する耐久性が劣る。
ニル成分の含量（式（Ｉ）においてｙで表される）は10
モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。酢酸
ビニル成分の含量がこれより多いと遠紫外領域の透明性
が減少し、長時間の紫外線暴露に対する耐久性が劣る。
本発明において用いるポリビニルアセタールのアセタ
ール化度（z/（ｘ＋ｙ＋ｚ）により表される）は60モル
％以上である必要がある。これより低いアセタール化度
のポリビニルアセタールからなる薄膜は、その製膜基材
からの剥離性が十分でない。また、含水率が高いために
水洗による除塵の際に不可逆性の伸びや曇りを生じやす
い。
ール化度（z/（ｘ＋ｙ＋ｚ）により表される）は60モル
％以上である必要がある。これより低いアセタール化度
のポリビニルアセタールからなる薄膜は、その製膜基材
からの剥離性が十分でない。また、含水率が高いために
水洗による除塵の際に不可逆性の伸びや曇りを生じやす
い。
本発明において用いる製膜溶媒は、下記一般式： で表され、かつ沸点が110〜170℃の範囲にある脂肪族ケ
トンである。
トンである。
110℃よりも低沸点の脂肪族ケトンからなる溶媒を用
いた場合、製膜中の溶媒の蒸発が早すぎるために膜厚の
均一な膜が得られにくい。また、170℃よりも高沸点の
溶媒を用いた場合、膜厚の均一性は良好であるものの、
製膜後の溶媒の完全な除去が非常に困難である。
いた場合、製膜中の溶媒の蒸発が早すぎるために膜厚の
均一な膜が得られにくい。また、170℃よりも高沸点の
溶媒を用いた場合、膜厚の均一性は良好であるものの、
製膜後の溶媒の完全な除去が非常に困難である。
上記要件を満たす脂肪族ケトンとしては、例えば２−
ヘキサノン、３−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタ
ノン、2,4−ジメチル−３−ペンタノン、２−ヘプタノ
ン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、５−メチル−２
−ヘキサノン、２−メチル−５−ヘプタノン、３−オク
タノン、2,6−ジメチル−４−ヘプタノン、シクロヘキ
サノン等が挙げられる。
ヘキサノン、３−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタ
ノン、2,4−ジメチル−３−ペンタノン、２−ヘプタノ
ン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、５−メチル−２
−ヘキサノン、２−メチル−５−ヘプタノン、３−オク
タノン、2,6−ジメチル−４−ヘプタノン、シクロヘキ
サノン等が挙げられる。
本発明において製膜溶液のポリビニルアセタール濃度
の好ましい範囲は、５重量％以上20重量％以下である。
の好ましい範囲は、５重量％以上20重量％以下である。
ペリクル膜は製膜溶液をシリコンウエハー、ガラス
板、金属板、清浄な水面等の平滑な基材上に流延し、溶
媒を蒸発させる方法、あるいは流延後基材を回転させな
がら溶媒を蒸発させる方法等により製膜することができ
る。製膜中の環境温度は特に制限ないが、室温付近が望
ましい。
板、金属板、清浄な水面等の平滑な基材上に流延し、溶
媒を蒸発させる方法、あるいは流延後基材を回転させな
がら溶媒を蒸発させる方法等により製膜することができ
る。製膜中の環境温度は特に制限ないが、室温付近が望
ましい。
本発明のポペリクル膜の膜厚は0.5〜10μｍの範囲で
ある。これより膜厚を薄くしても膜の機械的強度が低下
し、また、これより厚い膜厚では透明性が低減するばか
りでなく、マスクを通過した光の収差が大きくなるた
め、ウエハーのパターニングに悪影響を及ぼす。
ある。これより膜厚を薄くしても膜の機械的強度が低下
し、また、これより厚い膜厚では透明性が低減するばか
りでなく、マスクを通過した光の収差が大きくなるた
め、ウエハーのパターニングに悪影響を及ぼす。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
実施例 １ ポリビニルアルコールの完全ケン化物（平均重合度10
00）50gを95％メタノール１中に分散し、36％塩酸50m
l及びプロピオンアルデヒド250gを添加した後、60℃に
てプロピオナール化反応を行った。反応終了後、酢酸ナ
トリウムを加えて中和した後、反応液を水中に投じ、析
出した白色固体をろ過回収した。得られたポリビニルプ
ロピオナールの酢酸ビニル成分の含量は0.62モル％であ
り、アセタール化度は82モル％であった。
00）50gを95％メタノール１中に分散し、36％塩酸50m
l及びプロピオンアルデヒド250gを添加した後、60℃に
てプロピオナール化反応を行った。反応終了後、酢酸ナ
トリウムを加えて中和した後、反応液を水中に投じ、析
出した白色固体をろ過回収した。得られたポリビニルプ
ロピオナールの酢酸ビニル成分の含量は0.62モル％であ
り、アセタール化度は82モル％であった。
得られたポリビニルプロピオナールをそれぞれ４−メ
チル−２−ペンタノン（沸点116℃）、３−オクタノン
（沸点165℃）及びシクロヘキサノン（沸点156℃）に10
重量％の濃度で溶解し、製膜溶液とした。
チル−２−ペンタノン（沸点116℃）、３−オクタノン
（沸点165℃）及びシクロヘキサノン（沸点156℃）に10
重量％の濃度で溶解し、製膜溶液とした。
次にそれぞれの溶液を直径６インチのシリコンウエハ
ーを基材としてスピンコーターを用いて回転塗布し、シ
リコンウエハー上に薄膜を形成させた。各薄膜を真空乾
燥した後、外辺91mm、肉厚2mm、高さ5mmのアルミニウム
枠とウエハー上の薄膜をエポキシ系接着剤を用いて接着
し、続いてアルミニウム枠上に接着された薄膜をウエハ
ーから剥離してペリクルを得た。
ーを基材としてスピンコーターを用いて回転塗布し、シ
リコンウエハー上に薄膜を形成させた。各薄膜を真空乾
燥した後、外辺91mm、肉厚2mm、高さ5mmのアルミニウム
枠とウエハー上の薄膜をエポキシ系接着剤を用いて接着
し、続いてアルミニウム枠上に接着された薄膜をウエハ
ーから剥離してペリクルを得た。
作製したそれぞれのペリクル膜の膜厚を全面にわたり
1cmごとに91点についてレーザー多重干渉膜厚計により
測定し、膜厚平均値及び膜厚ムラを求めた。得られた結
果をまとめて表１に示す。
1cmごとに91点についてレーザー多重干渉膜厚計により
測定し、膜厚平均値及び膜厚ムラを求めた。得られた結
果をまとめて表１に示す。
実施例 ２ ポリビニルアルコール完全ケン化物（平均重合度100
0）50gを95％エタノール１中に分散し、36％塩酸30ml
及びブチルアルデヒド140gを添加した後、60℃にて６時
間ブチラール化反応を行った。反応終了後酢酸ナトリウ
ムを加えて中和した後、反応液を水中に投じ、析出した
白色固体をろ過回収した。得られたポリビニルブチラー
ルの酢酸ビニル成分の含量は0.90モル％、アセタール化
度は79モル％であった。
0）50gを95％エタノール１中に分散し、36％塩酸30ml
及びブチルアルデヒド140gを添加した後、60℃にて６時
間ブチラール化反応を行った。反応終了後酢酸ナトリウ
ムを加えて中和した後、反応液を水中に投じ、析出した
白色固体をろ過回収した。得られたポリビニルブチラー
ルの酢酸ビニル成分の含量は0.90モル％、アセタール化
度は79モル％であった。
得られたポリビニルブチラールをそれぞれ４−メチル
−２−ペンタノン及びシクロヘキサノンに10重量％の濃
度で溶解した後、実施例１と同様にして製膜し、ポリビ
ニルブチラールからなるペリクル膜を得た。得られたペ
リクル膜の膜厚平均値及び膜厚ムラを表１に示す。
−２−ペンタノン及びシクロヘキサノンに10重量％の濃
度で溶解した後、実施例１と同様にして製膜し、ポリビ
ニルブチラールからなるペリクル膜を得た。得られたペ
リクル膜の膜厚平均値及び膜厚ムラを表１に示す。
実施例 ３ ブチルアルデヒドの代わりにイソブチルアルデヒド14
0gを添加し、反応時間を13時間とした以外は実施例２と
全く同様にして、酢酸ビニル成分の含量0.52モル％、ア
セタール化度81モル％のポリビニルイソブチラールを得
た。
0gを添加し、反応時間を13時間とした以外は実施例２と
全く同様にして、酢酸ビニル成分の含量0.52モル％、ア
セタール化度81モル％のポリビニルイソブチラールを得
た。
得られたポリビニルイソブチラールをそれぞれ４−メ
チル−２−ペンタノン及びシクロヘキサノンに10重量％
の濃度で溶解した後、実施例１と同様にして製膜し、ポ
リビニルイソブチラールからなるペリクル膜を得た。得
らえたペリクル膜の膜厚平均値及び膜厚ムラを表１に示
す。
チル−２−ペンタノン及びシクロヘキサノンに10重量％
の濃度で溶解した後、実施例１と同様にして製膜し、ポ
リビニルイソブチラールからなるペリクル膜を得た。得
らえたペリクル膜の膜厚平均値及び膜厚ムラを表１に示
す。
比較例 １ 実施例１で得たポリビニルプロピオナールを３−ノナ
ノン（沸点190℃）に10重量％の濃度で溶解し、実施例
１と同様にして製膜後ペリクル膜とした。
ノン（沸点190℃）に10重量％の濃度で溶解し、実施例
１と同様にして製膜後ペリクル膜とした。
得られたペリクル膜の膜厚平均値は1.475μｍ、膜厚
ムラは0.85％であった。しかし、この膜の赤外吸収スペ
クトルを測定した結果、膜中に残存している３−ノナノ
ンに帰因する強いカルボニル基の吸収が観測され、遠紫
外線露光下での耐久性も実施例１で得たペリクル膜に比
べて約1/10以下と劣っていた。比較のために、結果を表
１に示す。
ムラは0.85％であった。しかし、この膜の赤外吸収スペ
クトルを測定した結果、膜中に残存している３−ノナノ
ンに帰因する強いカルボニル基の吸収が観測され、遠紫
外線露光下での耐久性も実施例１で得たペリクル膜に比
べて約1/10以下と劣っていた。比較のために、結果を表
１に示す。
比較例 ２ 実施例２で得たボリビニルブチラールをそれぞれメチ
ルプロピルケトン（沸点101℃）、キシレン（沸点106.2
℃）及びエチルセロソロブ（沸点135℃）に10重量％の
濃度で溶解し、実施例１と同様にして製膜後ペリクルと
した。比較のために、得られたペリクル膜の膜厚平均値
及び膜厚ムラを表１に示す。
ルプロピルケトン（沸点101℃）、キシレン（沸点106.2
℃）及びエチルセロソロブ（沸点135℃）に10重量％の
濃度で溶解し、実施例１と同様にして製膜後ペリクルと
した。比較のために、得られたペリクル膜の膜厚平均値
及び膜厚ムラを表１に示す。
以上の結果から明らかなように、沸点が110〜170℃の
脂肪族ケトンからなる溶媒を用いてポリビニルアセター
ルからペリクル膜を製造することにより、ペリクル膜の
膜厚ムラが著しく低減できることがわかる。これに対し
て沸点が高すぎる溶媒を用いて製膜した場合（比較例
１）はペリクル膜中に溶媒が残存し、耐久性が低下す
る。また沸点が低すぎる溶媒や脂肪族ケトン以外の溶媒
を用いた場合（比較例２）は、ペリクル膜の膜厚ムラが
大きくなることがわかる。
脂肪族ケトンからなる溶媒を用いてポリビニルアセター
ルからペリクル膜を製造することにより、ペリクル膜の
膜厚ムラが著しく低減できることがわかる。これに対し
て沸点が高すぎる溶媒を用いて製膜した場合（比較例
１）はペリクル膜中に溶媒が残存し、耐久性が低下す
る。また沸点が低すぎる溶媒や脂肪族ケトン以外の溶媒
を用いた場合（比較例２）は、ペリクル膜の膜厚ムラが
大きくなることがわかる。
以上のように本発明のペリクル膜の作製法を用いるこ
とにより、ポリビニルアタールの優れた透明性、耐久性
を生かし、かつ極めて膜厚均一性の優れたペリクル膜を
得ることができるため、マスクへの塵埃の付着による歩
留り低下を防止し、半導体集積回路の生産性向上に有用
である。
とにより、ポリビニルアタールの優れた透明性、耐久性
を生かし、かつ極めて膜厚均一性の優れたペリクル膜を
得ることができるため、マスクへの塵埃の付着による歩
留り低下を防止し、半導体集積回路の生産性向上に有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０８Ｌ 29/14 ＬＨＡ Ｂ２９Ｋ 29:00 Ｂ２９Ｌ 7:00
Claims (1)
- 【請求項１】実質的に下記一般式： （但し、R1は炭素数１〜３の直鎖又は分岐アルキル基で
あり、酢酸ビニル成分の含量ｙが10モル％以下であり、
アセタール化度z/（ｘ＋ｙ＋ｚ）が60モル％以上であ
る。）により表されるポリビニルアセタールからなるペ
リクル膜を製造する方法において、下記一般式： で表され、かつ沸点が110〜170℃の範囲にある脂肪族ケ
トンを製膜溶媒として用いることを特徴とするペリクル
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33293787A JPH0826165B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ペリクル膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33293787A JPH0826165B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ペリクル膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172430A JPH01172430A (ja) | 1989-07-07 |
| JPH0826165B2 true JPH0826165B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=18260479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33293787A Expired - Lifetime JPH0826165B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ペリクル膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826165B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2548729A1 (de) * | 2011-07-22 | 2013-01-23 | Kuraray Europe GmbH | Folien aus weichmacherhaltigem Polyvinyl(iso)acetal |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33293787A patent/JPH0826165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01172430A (ja) | 1989-07-07 |
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