JPS6368840A - マスクの保護防塵体 - Google Patents
マスクの保護防塵体Info
- Publication number
- JPS6368840A JPS6368840A JP61211487A JP21148786A JPS6368840A JP S6368840 A JPS6368840 A JP S6368840A JP 61211487 A JP61211487 A JP 61211487A JP 21148786 A JP21148786 A JP 21148786A JP S6368840 A JPS6368840 A JP S6368840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- butyral resin
- thin film
- protective
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路の製造におけるリソグラフィ一
工程で用いるフォトマスクおよびレチクル（以下マスク
と略す。）の保護防塵体に関するものである。
工程で用いるフォトマスクおよびレチクル（以下マスク
と略す。）の保護防塵体に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路の製造において、レジスト材を塗布した
半導体ウェハーを光露光によりパターニングする二［稈
は、集積回路の歩留りを左右する重要な工程である。こ
の際パターン原版であるマスク上にキズあるいは塵埃か
存在すると、パターンとともにキズあるいは異物がウェ
ハー上に印刷され、生産される回路の短絡、断線の原因
となる。
半導体ウェハーを光露光によりパターニングする二［稈
は、集積回路の歩留りを左右する重要な工程である。こ
の際パターン原版であるマスク上にキズあるいは塵埃か
存在すると、パターンとともにキズあるいは異物がウェ
ハー上に印刷され、生産される回路の短絡、断線の原因
となる。
このためマスクの保護および防塵は生産性向上の上で極
めて重要な課題である。特に同一のレチクルを用いて一
枚のウェハー上に繰返しパターン形成を行うステッパ一
方式では、レチクル上にキズあるいは助埃が存在すると
発生する欠陥がウェハー上のすべての回路に及ぶため、
レチクル上のキズあるいは塵埃の（＝１着は極力ぎりな
くてはならない。
めて重要な課題である。特に同一のレチクルを用いて一
枚のウェハー上に繰返しパターン形成を行うステッパ一
方式では、レチクル上にキズあるいは助埃が存在すると
発生する欠陥がウェハー上のすべての回路に及ぶため、
レチクル上のキズあるいは塵埃の（＝１着は極力ぎりな
くてはならない。
そこで最近マスクの保護、防塵を目的として、マスクの
片面あるいは両面を透明なプラスチック薄膜でカバーす
ることが提案され、実施されつつある。この際、マスク
とプラスチック薄膜の間隔を十分大きくとっておくこと
により、たとえプラスデック薄膜上に塵埃が付着しても
露光装置の光学系の焦点からずれているため、塵埃はウ
ェハー上には結像されない。さらに、従来の様にマスク
に付着した塵埃の洗浄除去工程が不要になるため、生産
工程の簡略化にもつながり、その有用性が明らかになっ
てきている。
片面あるいは両面を透明なプラスチック薄膜でカバーす
ることが提案され、実施されつつある。この際、マスク
とプラスチック薄膜の間隔を十分大きくとっておくこと
により、たとえプラスデック薄膜上に塵埃が付着しても
露光装置の光学系の焦点からずれているため、塵埃はウ
ェハー上には結像されない。さらに、従来の様にマスク
に付着した塵埃の洗浄除去工程が不要になるため、生産
工程の簡略化にもつながり、その有用性が明らかになっ
てきている。
マスクの保護、防塵に用いるプラスチック薄膜として必
要な性能は、使用する露光装置の光源波長領域において
実質的に吸収を持たず透明でおり、かつ着色や劣化を生
じない十分な耐久性を有することでおる。特に近年半導
体回路の微細化に伴い露光光源の短波長化が進行してお
り、従来の近紫外領域のみでなく遠紫外領域においても
高い透明性と耐久性を有する薄膜が求められている。
要な性能は、使用する露光装置の光源波長領域において
実質的に吸収を持たず透明でおり、かつ着色や劣化を生
じない十分な耐久性を有することでおる。特に近年半導
体回路の微細化に伴い露光光源の短波長化が進行してお
り、従来の近紫外領域のみでなく遠紫外領域においても
高い透明性と耐久性を有する薄膜が求められている。
ざらに、プラスチック薄膜の膜厚は１０μｍ以下であり
、このような極めて薄い膜厚においても、保護防塵体を
ハンドリングする際、あるいはエアーカン等による除塵
の際に容易に変形、破損することのない十分な強度が必
要である。
、このような極めて薄い膜厚においても、保護防塵体を
ハンドリングする際、あるいはエアーカン等による除塵
の際に容易に変形、破損することのない十分な強度が必
要である。
現在までにマスクの保護、防塵に用いるプラスチック薄
膜素材としては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、パリレ
ン、ポリメチルメタクリレート等が知られており、中で
も二１〜口セルロースが主として使用されてきている。
膜素材としては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、パリレ
ン、ポリメチルメタクリレート等が知られており、中で
も二１〜口セルロースが主として使用されてきている。
しかし、これらの素材は従来の近紫外領域では使用でき
るものの、いずれも遠紫外領域に吸収を持ち、遠紫外線
の照射下で急速に着色あるいは劣化してしまう。
るものの、いずれも遠紫外領域に吸収を持ち、遠紫外線
の照射下で急速に着色あるいは劣化してしまう。
以上のように現在に至るまで、近紫外から遠紫外の広い
波長領域において良好な透明性、耐久性を持ち、かつ十
分な薄膜強度を有するプラスチック薄膜は見い出されて
いない。
波長領域において良好な透明性、耐久性を持ち、かつ十
分な薄膜強度を有するプラスチック薄膜は見い出されて
いない。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は上に述べた、従来のマスクの保護防塵体の透明
性、耐久性の欠点を改善し、近紫外から遠紫外の広い波
長領域において透明性、耐久性が極めて良好であり、優
れた機械的強度の保護防塵体を提供するものである。
性、耐久性の欠点を改善し、近紫外から遠紫外の広い波
長領域において透明性、耐久性が極めて良好であり、優
れた機械的強度の保護防塵体を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明者等は透明性、耐久性および強度の優れたマスク
の保護防塵体を得るべく鋭意検討を行った。その結果、
驚くべきことにある限られた組成範囲のポリビニルブチ
ラール樹脂を用いることにより近紫外から遠紫外の広い
波長領域において極めて優れた透明性、耐久性、および
強度を備えたマスクの保護防塵体が得られることを見い
出し本発明に到達した。
の保護防塵体を得るべく鋭意検討を行った。その結果、
驚くべきことにある限られた組成範囲のポリビニルブチ
ラール樹脂を用いることにより近紫外から遠紫外の広い
波長領域において極めて優れた透明性、耐久性、および
強度を備えたマスクの保護防塵体が得られることを見い
出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、半導体集積回路の製造用マスクの
基板表面の保護、防塵を目的として、基板表面より一定
の距離をおいて設置する透明薄膜状カバー体において、
透明薄膜として残存酢酸ビニル成分の含量が１０モル％
以下であり、かつブチラール化度が５０モル％以上８０
モル％以下であるポリビニルブチラール樹脂を用いるこ
とを特徴とするマスクの保護防塵体に関するものである
。
基板表面の保護、防塵を目的として、基板表面より一定
の距離をおいて設置する透明薄膜状カバー体において、
透明薄膜として残存酢酸ビニル成分の含量が１０モル％
以下であり、かつブチラール化度が５０モル％以上８０
モル％以下であるポリビニルブチラール樹脂を用いるこ
とを特徴とするマスクの保護防塵体に関するものである
。
本発明において用いるポリビニルブチラール樹脂（以下
ブチラール樹脂と略することがある。）を合成するため
のポリビニルアルコールとブチルアルデヒドの縮合反応
は、特に限定することなく広く公知の方法を用いること
ができる。例えば、ポリ酢酸ビニルを出発物質として、
そのアルコ−ル、酢酸、塩酸溶液もしくは水懸濁液をケ
ン化した後、連続して硫酸、塩酸等の酸触媒下でブチル
アルデヒドと反応させる方法、おるいはポリビニルアル
コールを出発物質として、その水溶液もしくはアルコー
ル分散液にブチルアルデヒドを添加し、硫酸、塩酸等の
酸触媒上反応させる方法を挙げることができる。得られ
るブチラール樹脂の透明性が良いこと、分子量の調節お
よび残存酢酸ビニル成分含量の調節が容易なことから、
ポリビニルアルコールを出発物質とする方法がより好ま
しい。この場合、ブチラール樹脂中の残存酢酸ビニル成
分の含量は出発物質のポリビニルアルコール中の酢酸ビ
ニル成分を調節することによりコントロールすることが
できる。
ブチラール樹脂と略することがある。）を合成するため
のポリビニルアルコールとブチルアルデヒドの縮合反応
は、特に限定することなく広く公知の方法を用いること
ができる。例えば、ポリ酢酸ビニルを出発物質として、
そのアルコ−ル、酢酸、塩酸溶液もしくは水懸濁液をケ
ン化した後、連続して硫酸、塩酸等の酸触媒下でブチル
アルデヒドと反応させる方法、おるいはポリビニルアル
コールを出発物質として、その水溶液もしくはアルコー
ル分散液にブチルアルデヒドを添加し、硫酸、塩酸等の
酸触媒上反応させる方法を挙げることができる。得られ
るブチラール樹脂の透明性が良いこと、分子量の調節お
よび残存酢酸ビニル成分含量の調節が容易なことから、
ポリビニルアルコールを出発物質とする方法がより好ま
しい。この場合、ブチラール樹脂中の残存酢酸ビニル成
分の含量は出発物質のポリビニルアルコール中の酢酸ビ
ニル成分を調節することによりコントロールすることが
できる。
また、ポリビニルアルコールとブチルアルデヒドのモル
比、反応時間、反応温度、および触媒量等をコントロー
ルすることにより、種々の異なるブチラール化度を有す
るブチラール樹脂を得ることができる。
比、反応時間、反応温度、および触媒量等をコントロー
ルすることにより、種々の異なるブチラール化度を有す
るブチラール樹脂を得ることができる。
本発明において用いるブチラール樹脂の残存酢酸ビニル
成分の含量は１０モル％以下、より好ましくは５モル％
以下である。酢酸ビニル成分の含量かこれより多いと遠
紫外領域の透明性が減少し、長時間の紫外線暴露に対す
る耐久性が劣る。
成分の含量は１０モル％以下、より好ましくは５モル％
以下である。酢酸ビニル成分の含量かこれより多いと遠
紫外領域の透明性が減少し、長時間の紫外線暴露に対す
る耐久性が劣る。
本発明において用いるブチラール樹脂のブチラール化度
は５０モル％以上８０モル％以下の範囲にある必要があ
る。これよりブチラール化度の低いブチラール樹脂から
なるマスクの保護防塵体は、遠紫外領域の透明性が劣る
と同時に薄膜の柔軟性に欠け、エアーガンによる除塵の
際に欠陥を生じやすい。また、これよりブチラール化度
の高いブチラール樹脂からなるマスクの保護防塵体は透
明性、耐久性は問題ないものの、機械的強度が劣り、し
わ、たるみ等の欠陥なしに歩留り良り１ｑることが難し
い。また、エアーガンによる除塵あるいはハンドリング
の際にのびを生じやすい。
は５０モル％以上８０モル％以下の範囲にある必要があ
る。これよりブチラール化度の低いブチラール樹脂から
なるマスクの保護防塵体は、遠紫外領域の透明性が劣る
と同時に薄膜の柔軟性に欠け、エアーガンによる除塵の
際に欠陥を生じやすい。また、これよりブチラール化度
の高いブチラール樹脂からなるマスクの保護防塵体は透
明性、耐久性は問題ないものの、機械的強度が劣り、し
わ、たるみ等の欠陥なしに歩留り良り１ｑることが難し
い。また、エアーガンによる除塵あるいはハンドリング
の際にのびを生じやすい。
本発明のマスクの保護防塵体薄膜の膜厚は０．５〜１０
μｍの範囲である。これより膜厚を薄クシても膜の機械
的強度を減少させるのみで意味がない。また、これより
厚い膜厚では透明性を減少させるばかりでなく、マスク
を通過した光の収差が大きくなるため、ウェハーのバタ
ーニングに悪影響を及ぼす。
μｍの範囲である。これより膜厚を薄クシても膜の機械
的強度を減少させるのみで意味がない。また、これより
厚い膜厚では透明性を減少させるばかりでなく、マスク
を通過した光の収差が大きくなるため、ウェハーのバタ
ーニングに悪影響を及ぼす。
保護防塵体薄膜はブチラール樹脂を適当な揮発性溶媒、
例えばメタノール、エタノール、塩化メヂレン、メチル
エチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ジオキサン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン等
の溶液とした後、シリコンウェハー、ガラス板、金属板
等の平滑な基材上に流延し溶媒を蒸発させる、あるいは
流延１麦基材を回転させながら溶媒を蒸発させる、もし
くは溶液を清浄な水面上に展延させる等の方法により製
膜することができる。
例えばメタノール、エタノール、塩化メヂレン、メチル
エチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ジオキサン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン等
の溶液とした後、シリコンウェハー、ガラス板、金属板
等の平滑な基材上に流延し溶媒を蒸発させる、あるいは
流延１麦基材を回転させながら溶媒を蒸発させる、もし
くは溶液を清浄な水面上に展延させる等の方法により製
膜することができる。
本発明において用いるブチラール樹脂の平均分均−でム
ラのない薄膜を得ることが難しい。
ラのない薄膜を得ることが難しい。
［発明の効果］
以上のように本発明のポリビニルブチラール樹脂からな
るマスクの保護防塵体は、近紫外から遠紫外の広い波長
領域において透明性、耐久性が極めて良好であり、かつ
優れた機械的強度を有しているために、たるみ、しわ、
破れ等の欠陥が発生しにくく、付着した塵埃の除去も容
易であることから、マスクへの塵埃の付着による歩留り
低下を防止し、半導体集積回路の生産性向上に有用であ
る。
るマスクの保護防塵体は、近紫外から遠紫外の広い波長
領域において透明性、耐久性が極めて良好であり、かつ
優れた機械的強度を有しているために、たるみ、しわ、
破れ等の欠陥が発生しにくく、付着した塵埃の除去も容
易であることから、マスクへの塵埃の付着による歩留り
低下を防止し、半導体集積回路の生産性向上に有用であ
る。
［実施例］
以下、実施例により本発明をざらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例のみに限定されるブチラール樹脂
１．ＯＱをエタノール６０ｍ１に溶解し、Ｎ／１ＯＮａ
ＯＨ水溶液１２．！Ｍを加え加熱後、Ｎ／１０ＨＣＩ
１２．５ｍｌを添加し、フェノールフタレインを指示薬
としてＮ／１０ＮａＯＨ水溶液で滴定して求めた。
本発明はこれら実施例のみに限定されるブチラール樹脂
１．ＯＱをエタノール６０ｍ１に溶解し、Ｎ／１ＯＮａ
ＯＨ水溶液１２．！Ｍを加え加熱後、Ｎ／１０ＨＣＩ
１２．５ｍｌを添加し、フェノールフタレインを指示薬
としてＮ／１０ＮａＯＨ水溶液で滴定して求めた。
（ブチラール化度の定量）
ブチラール樹脂の元素分析を行い、得られたＣ１Ｈ含有
量と別に求めたブチラール樹脂中の残存酢酸ビニル成分
の含有量から、ブチラール樹脂のブチラール化度を求め
た。
量と別に求めたブチラール樹脂中の残存酢酸ビニル成分
の含有量から、ブチラール樹脂のブチラール化度を求め
た。
（マスクの保護防塵体の性能評価）
ブチラール樹脂をエチルセロソルブに溶解し、６インチ
シリコンウェハーを基材としてスピンコーターを用いて
回転塗布し、膜厚２μｍの樹脂薄膜とした。次にこの薄
膜を外辺９１＃、幅２Ｉｒｕｎ１高ざ５＃のアルミニウ
ムフレーム上に、エポキシ系接着剤を用いて固定し、マ
スクの保護防塵体とした。
シリコンウェハーを基材としてスピンコーターを用いて
回転塗布し、膜厚２μｍの樹脂薄膜とした。次にこの薄
膜を外辺９１＃、幅２Ｉｒｕｎ１高ざ５＃のアルミニウ
ムフレーム上に、エポキシ系接着剤を用いて固定し、マ
スクの保護防塵体とした。
得られた保護防塵体の１９０ｎｍ〜７００ｎｍの紫外線
透過率を分光光度計（島津製作所製Ｕｖ−２６０＞によ
り測定し、観測されるエタロニングの極大値と極小値の
中心値をとり、薄膜の平均透過率とした。
透過率を分光光度計（島津製作所製Ｕｖ−２６０＞によ
り測定し、観測されるエタロニングの極大値と極小値の
中心値をとり、薄膜の平均透過率とした。
次に保護防塵体薄膜から１ ｃｍの距離をおいて設置し
たエアーガン（ノズル径２．０ｍ＞よりＮ２ガスを薄膜
表面に吹き付け、薄膜の破損圧力を求（１０〉 めた。
たエアーガン（ノズル径２．０ｍ＞よりＮ２ガスを薄膜
表面に吹き付け、薄膜の破損圧力を求（１０〉 めた。
保護防塵体の紫外線耐久性は保護防塵体薄膜から１０ｃ
ｍの間隔をおいて５００Ｗキセノン−水銀ランプを設置
し、連続して６時間紫外線暴露を行い、薄膜の変化を観
察した。
ｍの間隔をおいて５００Ｗキセノン−水銀ランプを設置
し、連続して６時間紫外線暴露を行い、薄膜の変化を観
察した。
実施例１〜３
分散し、３５％塩酸およびブチルアルデヒドを添加した
のち、６０’Ｃにてブチラール化反応を行った。反応終
了後酢酸ナトリウムを加えて中和したのち、反応液を水
中に投じ析出した白色固体をろ過回収した。反応条件お
よび得られたポリビニルブチラール樹脂の残存酢酸ビニ
ル成分の含量、ブチラール化度を表１に示す。
のち、６０’Ｃにてブチラール化反応を行った。反応終
了後酢酸ナトリウムを加えて中和したのち、反応液を水
中に投じ析出した白色固体をろ過回収した。反応条件お
よび得られたポリビニルブチラール樹脂の残存酢酸ビニ
ル成分の含量、ブチラール化度を表１に示す。
得られたブチラール樹脂から作製したマスクの保護防塵
体の２１０ｎｍにお（プる平均透過率、エアーカンによ
る破損圧力、および紫外線暴露後の変化を表２に示した
。
体の２１０ｎｍにお（プる平均透過率、エアーカンによ
る破損圧力、および紫外線暴露後の変化を表２に示した
。
比較例１
ポリビニルアルコール８Ｂ％けん化物（平均重合度１０
００）を用いた以外は実施例３と全く同様にしてブチラ
ール化反応を行った。１ｑられたブチラール樹脂の残存
酢酸ビニル成分の含量は１０゜８モル％、ブチラール化
度は６５モル％であった。
００）を用いた以外は実施例３と全く同様にしてブチラ
ール化反応を行った。１ｑられたブチラール樹脂の残存
酢酸ビニル成分の含量は１０゜８モル％、ブチラール化
度は６５モル％であった。
このブチラール樹脂から作製した保護防塵体の性能評価
結果を表２に示した。
結果を表２に示した。
比較例２．３
それぞれ塩酸添加量を２０ｄ、４０ｍ１、ブチルアルデ
ヒド添加量を６０Ｑ、１９０Ω、あにび反応時間を２ｈ
ｒ、３ｈｒとした以外は実施例１と同様にしてブチラー
ル樹脂を合成した。得られたブチラール樹脂の残存酢酸
ビニル成分の含量はそれぞれ１．３モル％、０．７モル
％、ブチラール化度はそれぞれ４５モル％、８２モル％
であった。
ヒド添加量を６０Ｑ、１９０Ω、あにび反応時間を２ｈ
ｒ、３ｈｒとした以外は実施例１と同様にしてブチラー
ル樹脂を合成した。得られたブチラール樹脂の残存酢酸
ビニル成分の含量はそれぞれ１．３モル％、０．７モル
％、ブチラール化度はそれぞれ４５モル％、８２モル％
であった。
このブチラール樹脂から得られたマスクの保護防塵体の
性能評価結果を同じく表２に示した。
性能評価結果を同じく表２に示した。
以上のように本発明の組成範囲のブチラール樹脂のみが
すべての必要性能を備えた極めて優れたマスクの保護防
塵体となることが明らかである。
すべての必要性能を備えた極めて優れたマスクの保護防
塵体となることが明らかである。
図１、図２、図３にそれぞれ実施例１．２．３で得たマ
スクの保護防塵体の紫外線透過率曲線を示す。図から明
らかなように１９０ｎｍ〜７００ｎｍの広い波長範囲に
おいていずれも極めて優れた透明性を有していた。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 ン１′１
スクの保護防塵体の紫外線透過率曲線を示す。図から明
らかなように１９０ｎｍ〜７００ｎｍの広い波長範囲に
おいていずれも極めて優れた透明性を有していた。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 ン１′１
Claims (1)
- 半導体集積回路の製造用マスクの基板表面の保護、防塵
を目的として、基板表面より一定の距離をおいて設置す
る透明薄膜状カバー体において、透明薄膜として残存酢
酸ビニル成分の含量が１０モル％以下であり、かつブチ
ラール化度が５０モル％以上８０モル％以下であるポリ
ビニルブチラール樹脂を用いることを特徴とするマスク
の保護防塵体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61211487A JPS6368840A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マスクの保護防塵体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61211487A JPS6368840A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マスクの保護防塵体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6368840A true JPS6368840A (ja) | 1988-03-28 |
Family
ID=16606767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61211487A Pending JPS6368840A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マスクの保護防塵体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6368840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138352A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ペリクル用高分子薄膜 |
| JP2008532595A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ラッシュ・アンパルトセルスカブ | 人の頭頸部を支持するためのサポート |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP61211487A patent/JPS6368840A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138352A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ペリクル用高分子薄膜 |
| JP2008532595A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ラッシュ・アンパルトセルスカブ | 人の頭頸部を支持するためのサポート |
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