JPH04211254A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH04211254A JPH04211254A JP3047693A JP4769391A JPH04211254A JP H04211254 A JPH04211254 A JP H04211254A JP 3047693 A JP3047693 A JP 3047693A JP 4769391 A JP4769391 A JP 4769391A JP H04211254 A JPH04211254 A JP H04211254A
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Abstract
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Description
含有する感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳しくは
紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シン
クロトロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応す
る高集積回路作成用レジストとして好適な感放射線性樹
脂組成物に関する。
パターンが得られるので、集積回路の製造において多く
用いられているが、近年における集積回路の高集積化に
伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ
型レジストによって微細なレジストパターンを形成する
場合、露光により形成される潜像をアルカリ性水溶液か
らなる現像液で現像する際に、露光部がウェハーと接し
ている部分(パターンの裾)まで速やかに現像されるこ
とが必要である。
のポジ型レジストの場合、形成すべきレジストパターン
の間隔が0.8μm以下になると、スカムと呼ばれる現
像残りを発生しやすく、現像性に問題があった。さらに
集積回路の集積度の向上とともに、ウェハーのエッチン
グ方式が、従来のサイドエッチングの大きいウェットエ
ッチングから、サイドエッチングの小さいドライエッチ
ングに移行している。このドライエッチングでは、エッ
チング時にレジストパターンが変化しないことが必要で
あるため、耐熱性のよいことが必要である。したがって
本発明の目的は、レジストパターンの形成に際してのス
カムの発生が有効に抑制され、現像性に優れているとと
もに、高感度で、かつ耐熱性、残膜率に優れたポジ型レ
ジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
カリ可溶性樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物であっ
て、下記一般式(1):
アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、あるいは
OD基(但し、Dは水素原子または1,2−キノンジア
ジド基を含有する有機基)の何れかを示し、これらR1
〜R4 の各々は、それぞれ2種以上の異なる基とし
て各ベンゼン環に結合していてもよく、かつR1 ,R
2 およびR4 の何れかには、少なくとも1個のOD
基が含まれているものとし、R5 およびR6 は、そ
れぞれ、水素原子、置換もしくは非置換アルキル基の何
れかを示し、a,bおよびdは、それぞれ0〜5の整数
を示し、cは0〜4の整数を示す、(但し、a,bおよ
びdのうち少なくとも1つは0でない)で表わされるポ
リヒドロキシ化合物(以下、「化合物(A)」と称する
)およびその誘導体(以下、「化合物(B)」と称する
)の少なくとも何れかを含有していることを特徴とする
感放射線性樹脂組成物が提供される。
の発生が有効に抑制され現像性に優れているとともに、
高感度で、かつ耐熱性、残膜性に優れたポジ型レジスト
として好適に使用できる。
「樹脂(A)」と称する)としては、例えばノボラック
樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノールもしくはそ
の誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビ
ニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基含有メタ
アクリル酸系樹脂等を挙げることができ、特にノボラッ
ク樹脂が好適に使用される。またノボラック樹脂のうち
でも、下記一般式(2):
ール類とアルデヒド類とを重縮合することによって得ら
れたものが、特に好適である。
o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2
,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−
キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレ
ノール、3,5−キシレノール、2,3,4−トリメチ
ルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3
,4,5−トリメチルフェノール等を挙げることができ
、中でもo−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾ
ール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノールお
よび2,3,5−トリメチルフェノールが好ましい。 これらのフェノール類は、単独でまたは2種以上組み合
わせて用いられる。また上記フェノール類と重縮合させ
るアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、ト
リオキサン、バラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド
、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルア
セトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β
−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール
等を挙げることができ、特にホルムアルデヒドが好適に
用いることができる。これらのアルデヒド類も単独でま
たは2種以上組み合わせて用いることができる。上記ア
ルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対し、0
.7〜3モルが好ましく、より好ましくは0.8〜1.
5モルである。
は、通常、酸性触媒が使用される。該酸性触媒としては
、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸
等の有機酸を挙げることができる。これら酸性触媒の使
用量は、通常、フェノール類1モルに対し、1×10−
5〜5×10−1モルである。重縮合反応においては、
通常、反応媒質として水が用いられるが、重縮合に用い
られるフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず
、反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質として
親水性溶媒を使用することもできる。これらの親水性溶
媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール等のアルコール類;テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の環状エーテル類;が挙げられる。こ
れらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料100重量
部当たり、20〜1000重量部である。重縮合の温度
は、反応原料の反応性に応じて、適宜調整することがで
きるが、通常、10〜200℃、好ましくは70〜13
0℃である。重縮合反応の方法としては、フェノール類
、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕込む方法、お
よび酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド類等
を反応の進行とともに加えていく方法を採用することが
できる。重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料
、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、一般的には
、反応系の温度を130〜230℃に上昇させ、減圧下
、例えば20〜50mmHg程度で揮発分を留去し、得
られた樹脂(A)を回収する。
スチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」と称する
)は、2,000〜20,000であることが好ましく
、3,000〜15,000であることがさらに好まし
い。Mwが20,000を越えると、本発明の組成物を
ウェハーに均一に塗布することが困難な場合があり、さ
らに現像性および感度が低下する傾向がみられ、またM
wが2,000未満であると、耐熱性が低下する傾向が
みられる。なお、Mwの高い樹脂(A)を得るためには
、上記で得られた樹脂を、エチルセロソルブアセテート
、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶
解したのち、水、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶
媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高分
子量の樹脂(A)を回収すればよい。
の組成物においては、前述した一般式(1)、即ち、
化1】で表わされる化合物(A)または化合物(B)の
少なくとも1種が配合される。
〜R4は、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしく
は非置換アリール基、あるいはOD基(但し、Dは水素
原子または1,2−キノンジアジド基を含有する有機基
を示す)の何れかを示すものであり、置換もしくは非置
換アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチ
ル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、クロロ
メチル基、ブロモメチル基、2−クロロメチル基、トリ
メチルシリルメチル基、ベンジル基、クミル基等を挙げ
ることができ、その中でもメチル基、エチル基、ヒドロ
キシメチル基等が好ましく、置換もしくは非置換アリー
ル基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−
ナフチル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−トリメチ
ルシロキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−
アセチルフェニル基等を挙げることができ、その中でも
フェニル基、4−ヒドロキシフェニル基等が好ましい。
有機基の例としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−
4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホニル基等が挙げられ、その中で1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニル基等が好ましい。これらの基R
1 〜R4 の各々は、それぞれ2種以上の異なる基と
して各ベンゼン環に結合していてもよく、かつR1 ,
R2 およびR4 の何れかには、少なくとも1個のO
D基が含まれているものである。
素原子、置換もしくは非置換アルキル基を示すものであ
り、かかる置換もしくは非置換アルキル基の例としては
、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、
ヒドロキシメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基
、2−クロロメチル基、トリメチルシリルメチル基、ベ
ンジル基、クミル基等を挙げることができ、その中でも
メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基等が好ましい
。
A)(即ち、前記基ODが水酸基である場合)の具体例
としては、以下のものを挙げることができる。
−1−〔4−(4−ヒドロキシベンジル)フェニル〕エ
タン
ドロキシフェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベン
ジル)フェニル〕エタン
ドロキシフェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベン
ジル)フェニル〕エタン
ルフェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベンジル)
フェニル〕エタン
ドロキシフェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベン
ジル)フェニル〕エタン
ニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベンジル)フェニ
ル〕エタン
シフェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベンジル)
フェニル〕エタン
−1−〔4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−
メチルエチル}フェニル〕エタン
ドロキシフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
化11】
ドロキシフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
化12】
ルフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
】
ドロキシフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
化14】
ニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)
−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
シフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタン
】
許第1,930,333号明細書に開示されているよう
に、置換もしくは非置換フェノール類と、置換もしくは
非置換アセトフェノン類とを、酸性触媒の存在下で縮合
することによって得られる。反応生成物は、一般に油状
の混合物として得られるが、再結晶等の手段により精製
することもできる。
)中の一部または全部の水酸基の水素原子を1,2−キ
ノンジアジド基を含有する有機基で置換した化合物であ
り、例えば前述した化合物(A)と1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホニルクロライドあるいは1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド等
の1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルハライドと
のエステル化反応により得ることができる。ここで、本
発明において、化合物(B)の現像性改良のための機能
を十分に発揮させるためには、上記エステル化反応の平
均縮合率〔(エステル化されたフェノール性水酸基の数
/反応前のフェノール性水酸基の数)×100〕(以下
「平均縮合率」と称する)は、通常100%以下、好ま
しくは50%以下、さらに好ましくは30%以下である
。本発明においては、上述した化合物(A)または化合
物(B)は、樹脂(A)100重量部当り、0.5〜9
0重量部、特に2〜50重量部の割合で使用することが
好適である。
いては、化合物(B)を用いない場合は化合物(B)以
外の1,2−キノンジアジド化合物を配合することが必
要であり、化合物(B)を用いた場合にも化合物(B)
以外の1,2−キノンジアジド化合物を配合することが
できる。このような1,2−キノンジアジド化合物とし
ては、例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル等が挙げられる。
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル、2,3,4,4′−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、2,3,4,4′−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、3′−メトキシ−2,3,4
,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3′−
メトキシ−2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル等のポリヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、1,1
,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テルおよびノボラック樹脂またはレゾール樹脂(以下こ
れらを単に「樹脂(B)」と称する)の水酸基の水素原
子を、例えば水素原子当たり20〜100モル%、好ま
しくは40〜100モル%の割合で1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニル基等の1,2−キノンジアジ
ドスルホニル基で置換した1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルが挙げられる。
デヒド類の縮合によって得られるが、フェノール類とし
ては、前記樹脂(A)の合成に用いられるフェノール類
として例示したものの他、フェノール、1−ナフトール
、2−ナフトール等を使用することができる。またアル
デヒド類としても、前記樹脂(A)の合成に用いられる
ものを使用することができる。アルデヒド類の使用量は
、フェノール類1モルに対して0.1〜3モルが好まし
く、より好ましくは0.2〜1.5モルである。またこ
の縮合においては、樹脂(A)の合成に用いる酸性触媒
の他、アルカリ性触媒も用いることができる。
易さおよび溶剤への溶解性の点から、通常、10,00
0以下であることが好ましく、200〜2,000であ
ることがさらに好ましい。300〜1,000であるこ
とが特に好ましい。このような樹脂(B)の1,2−キ
ノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えばフェ
ノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−ク
レゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、p−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、o
−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、
m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒド縮
合ノボラック樹脂等の1,2−ベンゾキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルが挙げられる。
ジアジド化合物の配合量は、樹脂(A)100重量部に
対して、通常、3〜100重量部、好ましくは5〜50
重量部であるが、組成物中の1,2−キノンジアジドス
ルホニル基の総量は、通常、5〜25重量%、好ましく
は10〜20重量%となるように調節される。
促進剤等の各種配合剤を配合することができる。増感剤
は、組成物の感度を向上させるために配合されるもので
あり、このような増感剤としては、例えば2H−ピリド
−(3,2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−
オン類、10H−ピリド−(3,2−b)−(1,4)
−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、
パルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシ
ベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等
が挙げられる。これらの増感剤の配合量は、樹脂(A)
100重量部に対し通常、50重量部以下である。
性を改良するために配合されるものであり、このような
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウ
レート、ポリエチレングリコールジステアレート、エフ
トップEF301,EF303,EF352(商品名、
新秋田化成社製)、メガファックスF171,F172
,F173(商品名、大日本インキ社製)、フロラード
FC430,FC431(商品名、住友スリーエム社製
)、アサヒガードAG710,サーフロンS−382,
SC−101,SC−102,SC−103,SC−1
04,SC−105,SC−106(商品名、旭硝子社
製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(商品名
、信越化学工業社製)、アクリル酸系またはメタクリル
酸系(共)重合体ポリフロー No.75, No.9
5(商品名、共栄社油脂化学工業社製)が挙げられる。 これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分100
重量部当たり、通常、2重量部以下である。
解性を促進させ、感度及び現像性を改良するために配合
されるものである。このような溶解促進剤としては、例
えば1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、3,5−ジメチル−4,4′−ジヒド
ロキシジフェニルメタン、ビスフェノールA、3,5−
ジメチル−2′,4−ジヒドロキシジフェニルメタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−メ
チルシクロヘキサン、ポリスチレン換算重量平均分子量
(Mw)が2000以下のアルカリ可溶性ノボラック樹
脂等が挙げられる。これら溶解促進剤の配合量は、樹脂
(A)100重量部に対し通常50重量部以下である。
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするために、染料や顔料を配合することがで
き、また接着性を改善するために、接着助剤を配合する
こともできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。
組成物は、前述した樹脂(A)および化合物(A)もし
くは化合物(B)ならびに必要に応じて1,2−キノン
ジアジド化合物および各種の配合剤を、例えば固形分濃
度が20〜40重量%となるように溶剤に溶解させ、孔
径0.2μm程度のフィルターで濾過することによって
調製される。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテ
ート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2
−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキ
シ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ
−3−メチルブタン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル
、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロ
ピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3
−エトキシプロピオン酸メチルを用いることができる。 これらの有機溶剤は単独で、または2種以上の組合せで
使用される。さらに、N−メチルホルムアミド、N,N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、
N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニ
ルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1
−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール
、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、
マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレ
ン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等
の高沸点溶剤を添加することもできる。
塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコンウェハー
またはアルミニウム等が被覆されたウェハーに塗布する
ことにより感光層を形成し、所定のマスクパターンを介
して該感光層に放射線を照射し、現像液で現像すること
によりパターンの形成が行われる。また本発明の組成物
をポジ型レジストとして使用する際には、ウェハー等の
上に該組成物を塗布し、プレベークおよび露光を行った
後、70〜140℃で加熱する操作を行い、その後に現
像することによって、本発明の効果をさらに向上させる
こともできる。
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウ
ム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン
、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロ
ピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ
ジン、1,8−ジアザビシクロ−(5,4,0)−7−
ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−(4,3,0)
−5−ノナン等のアルカリ性化合物を、濃度が、通常、
1〜10重量%、好ましくは2〜5重量%となるように
溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また該現
像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノ
ール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用
することもできる。なお、このようなアルカリ性水溶液
からなる現像液を用いて現像を行った場合は、一般的に
は引き続き水でリンスを行う。
が、本発明はこれらの実施例によって、何ら制約される
ものではない。なお、実施例中のMwの測定およびレジ
ストの評価は、以下の方法により行った。
000H6 2本、G3000H6 1本、G4000
H6 1本)を用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テ
トラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単
分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションク
ロマトグラフ法により測定した。
D縮小投影露光機(レンズの開口数;0.45)で露光
時間を変化させ、波長436nmのg線を用いて露光を
行うか、またはニコン社製−NSR−1505i6A縮
小投影露光機(レンズの開口数;0.45)で露光時間
を変化させ、波長365nmのi線を用いて露光を行い
、次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4
重量%水溶液を現像液として用い、25℃で60秒間現
像し、水でリンスし、乾燥してウェハー上にレジストパ
ターンを形成させ、0.6μmのライン・アンド・スペ
ースパターン(1LIS)を1対1の幅に形成する露光
時間(以下、これを「最適露光時間」という)を求めた
。
像されている最少のレジストパターンの寸法を測定した
。
ターンの厚さを現像前のレジスト膜の厚さで割り、この
値を100倍して%の単位を付けて表わした。
。
ターンを形成したウェハーを入れて、パターンが崩れ始
めたときの温度を測定した。
0.6μmのレジストパターンの現像後の方形状断面の
下辺Aと上辺Bを測定し、0.85≦B/A≦1である
場合を、パターン形状が良好であると判定した。但し、
パターン形状が裾を引いていたり、逆テーパー状になっ
ている場合は、B/Aが上記範囲に入っていても不良と
判定した。
および温度計を装着したフラスコに、 m−クレゾー
ル 67
.6g(0.63モル) 2,3,5−トリメチルフ
ェノール 10.0g(0.073モル) p
−クレゾール
31.8g(0.29モル) 37重量%ホル
ムアルデヒド水溶液 107.1g
(ホルムア
ルデヒド:1.32モル)および シュウ酸2水和物
1.33g(1.06×10−2モル)を仕
込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
て攪拌しながら30分間重縮合を行ったのちに、 m
−クレゾール
17.5g(0.16モル)および 2,3,5−トリメチルフェノール 40.0g
(0.29モル)を加えてさらに40分間重縮合を行っ
た。次いで油浴温度を180℃まで上昇させ、同時にフ
ラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、m−クレゾール
、p−クレゾールおよび2,3,5−トリメチルフェノ
ールを除去した。ついで溶融した樹脂を室温に戻して回
収した。この樹脂を、樹脂(A1)という。
20重量%になるように溶解したのち、この樹脂溶液の
重量に対し、2倍のメタノールおよび等量の水を加えて
攪拌し、放置した。放置することによって2層に分離し
たのち、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水
し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(A2
)という。
69.2g(0.64モル) 2,3,5−
トリメチルフェノール 21.8g(0.16モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 61.0g
(ホルムアルデヒド:0.75モル) シュウ
酸2水和物
6.3g(0.05モル) 水
52.
6gおよび ジオキサン
182gを仕込み、オートクレーブを
油浴に浸し、内温を130℃に保持して攪拌しながら6
時間縮合を行ない、反応後、室温まで戻し、内容物をビ
ーカーに取り出した。このビーカー中で2層に分離した
のち、下層を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂
を回収した。この樹脂を、樹脂(A3)という。
ゾール 13
.0g(0.12モル) p−クレゾール
32.4g(0.3モ
ル) 3,5−キシレノール
39.0g(0.32モル) 37重量%ホル
ムアルデヒド水溶液 56.9g
(ホルムアル
デヒド:0.70モル)および シュウ酸2水和物
0.083g(6.59×10−4モル)を仕込み、
フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しながら
攪拌して30分間重縮合させた後、さらに m−クレ
ゾール 51
.9g(0.48モル)および 3,5−ジメチルフェノール 9.
77g(0.08モル)を、反応の進行とともに連続的
にフラスコに仕込み、45分間重縮合を行った。その後
、合成例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂を、
樹脂(A4)という。
69.2g(0.64モル) 3,5−
キシレノール 19.
5g(0.16モル) 37重量%ホルムアルデヒド
水溶液 58.4g
(ホルムアルデヒ
ド:0.72モル) シュウ酸2水和物
0.90g(7.14×
10−3モル) 水
54.4gお
よび ジオキサン
228gを仕込み、10時間重縮
合を行ない、合成例3と同様にして樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂(A5)という。
ゾール 26
.0g(0.24モル) 3,5−キシレノール
78.2g(0.64モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 14.6g
(ホルムアルデヒド:1.80モル)および シュウ酸2水和物
0.164g(1.30×10−3モル)を仕込み、
フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持して攪拌
しながら30分間重縮合を行った後、さらに m−ク
レゾール
104g(0.96モル)および 3,5−キシレノール
20.0g(0.16モル)を加えてさらに70分間
反応させた。次いで油浴温度を180℃まで上昇させ、
同時にフラスコ内の圧力を30〜40mmHgまで減圧
し、水、シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、m−ク
レゾールおよび3,5−キシレノールを除去した。次い
で、合成例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂を
、樹脂(A6)という。
ゾール
95.2g(0.88モル) 2,3,5−トリメチ
ルフェノール 24.4g(0.18モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 154g
(ホルムアルデヒド:1.90モル)および シュウ酸2水和物
1.82g(0.014モル)を仕込み
、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持しなが
ら攪拌して90分間重縮合させ、その後さらに m−
クレゾール
23.8g(0.22モル)および 2,3,5−トリメチルフェノール 97.
6g(0.72モル)を加えてさらに60分間重縮合を
行った。次いで油浴温度を180℃まで上昇させ、同時
にフラスコ内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、
水、シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、m−クレゾ
ールおよび2,3,5−トリメチルフェノールを除去し
た。次いで、合成例1と同様にして樹脂を回収した。こ
の樹脂を、樹脂(A7)という。
20重量%になるように溶解したのち、この樹脂溶液の
重量に対し、1.8倍のメタノールおよび等量の水を加
えて攪拌し、放置した。放置することによって2層に分
離したのち、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、
脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(
A8)という。
たのと同様なフラスコに、 m−クレゾール
108.0g(1.00
モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 24
.3g
(ホルムアルデヒド:0.30モル)
および シュウ酸2水和物
0.30g(2.40×10−3モル)を仕
込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
ながら40分間重縮合を行った。次いで、樹脂(A1)
の合成と同様にして樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂
(B1)という。
ゾール 64
.9g(0.06モル) p−クレゾール
43.3g(0.40
モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 20
.3g
(ホルムアルデヒド:0.25モル)およ
び シュウ酸2水和物
0.30g(2.40×10−3モル)を仕
込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
ながら30分間重縮合を行った。次いで、合成例1と同
様にして樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(B2)と
いう。
−ヒドロキシフェニル)−1−〔4−{1−(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル〕エタ
ンを化合物(A1)、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−〔4−(4−ヒドロキシベンジル)フェ
ニル〕エタンを化合物(A2)と略称する。
で、攪拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラスコ
に、 化合物(A1) 42.5
g(0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド
53.7g(0.20
モル)および ジオキサン 100g
を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いでフラスコを
30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が30
℃一定となった時点で、この溶液に トリエチルアミン 22.3g
(0.22モル)を、内温が35℃を越えないように滴
下ロートを用いてゆっくり滴下した。その後、析出した
トリエチルアミン塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を
大量の希塩酸中に注ぎこんで析出させ、次いで、析出物
を濾取し、40℃にコントロールされた加熱真空乾燥器
で一昼夜乾燥して化合物を得た。得られた化合物を化合
物(B1)という。
g(0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド
67.2g(0.25
モル)および トリエチルアミン 27.8g
(0.275モル)を使用した他は合成例11と同様に
して化合物(B2)を得た。
g(0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸クロリド
53.7g(0.20
モル)および トリエチルアミン 22.3g
(0.22モル)を使用した他は合成例11と同様にし
て化合物(B3)を得た。
g(0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド
53.7g(0.20
モル)および トリエチルアミン 22.3g
(0.22モル)を使用した他は合成例11と同様にし
て化合物(B4)を得た。
合成例15 樹脂(B1) 10.0g
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリ
ド 13.9g および トリエチルアミン 5.75g
を使用した他は合成例11と同様にしてキノンジアジド
化合物(I)を得た。
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド 16.6g および トリエチルアミン 6.86g
を使用した他は合成例11と同様にしてキノンジアジド
化合物(II)を得た。
ノンジアジド化合物、化合物(A)ないし化合物(B)
および浴剤を混合し、均一溶液としたのち、孔径0.2
μmのメンブランフィルターで濾過し、本発明の組成物
の溶液を調製した。得られた溶液を、シリコン酸化膜を
有するシリコンウエハー上にスピンナーを用いて塗布し
たのち、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベー
クして厚さ1.2μmのレジスト膜を形成し、レクチル
を介して前記のように波長436nm(g線)または3
65nm(i線)を用いて露光し、現像し、リンスし、
乾燥したのち、該レジスト膜の感度、解像度、残膜率、
現像性、耐熱性およびパターン形状についての評価を行
った。結果を、使用した樹脂等と併せて表1に示す。な
お、実施例1〜11および比較例1〜2は、g線を照射
し、実施例12〜15および比較例3は、i線を照射し
た。
た。 注■ : キノンジアジド化合物(III)〜(V
I)は、次のものである。 (III);2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン1モルと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸クロリド3.0モルとの縮合物。 (IV);2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン1モルと、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド3.6モルとの縮合物。 (V);2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン1モルと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸クロリド4.0モルとの縮合物。 注■ : 溶解促進剤は次のものである。 (S1);1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン (S2);1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−フェニルエタン (S3);m−クレゾール108.0g(1.00モル
)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液20.3g(ホ
ルムアルデヒド:0.25モル)およびシュウ酸2水和
物0.30g(2.40×10−3モル)を仕込み内温
を100℃に保持し、30分間縮合した他は合成例1と
同様に合成したアルカリ可溶性ノボラック樹脂(Mw=
520) 注■ : 溶剤の種類は、次の通りである。 (α);エチルセロソルブアセテート。 (β);2−ヒドロキシプロピオン酸エチル。
ムの発生が有効に抑制され現像性に優れているとともに
、高感度で、かつ耐熱性、残膜性に優れたポジ型レジス
トとして好適に使用できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂を含有する感放射
線性樹脂組成物であって、下記一般式(1):【化1】 式中、R1 〜R4 は、置換もしくは非置換アルキル
基、置換もしくは非置換アリール基、あるいはOD基(
但し、Dは水素原子または1,2−キノンジアジド基を
含有する有機基)の何れかを示し、これらR1 〜R4
の各々は、それぞれ2種以上の異なる基として各ベン
ゼン環に結合していてもよく、かつR1 ,R2 およ
びR4 の何れかには、少なくとも1個のOD基が含ま
れているものとし、R5 およびR6 は、それぞれ、
水素原子、置換もしくは非置換アルキル基の何れかを示
し、a,bおよびdは、それぞれ0〜5の整数を示し、
cは0〜4の整数を示す、(但し、a,bおよびdのう
ち少なくとも1つは0でない)で表わされるポリヒドロ
キシ化合物およびその誘導体の少なくとも何れかを含有
していることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047693A JP2927013B2 (ja) | 1990-02-20 | 1991-02-20 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2-39409 | 1990-02-20 | ||
| JP3940990 | 1990-02-20 | ||
| JP3047693A JP2927013B2 (ja) | 1990-02-20 | 1991-02-20 | 感放射線性樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|
| JP34700597A Division JP2888236B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 1,2−ナフトキノンジアジド化合物の製造方法 |
| JP9347006A Division JP2921518B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH04211254A true JPH04211254A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2927013B2 JP2927013B2 (ja) | 1999-07-28 |
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ID=26378784
Family Applications (1)
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412357A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH0436751A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| WO2001002909A1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-01-11 | Clariant International Ltd. | Composition de resine photosensible et procede d'amelioration de la resistance a la gravure a sec de cette composition |
| WO2003029898A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Clariant International Ltd. | Photosensitive resin composition |
| WO2004086144A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
| WO2005010615A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-03 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP2008069312A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348249A (ja) * | 1989-04-19 | 1991-03-01 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03200252A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3047693A patent/JP2927013B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348249A (ja) * | 1989-04-19 | 1991-03-01 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH03200252A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412357A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH0436751A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| WO2001002909A1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-01-11 | Clariant International Ltd. | Composition de resine photosensible et procede d'amelioration de la resistance a la gravure a sec de cette composition |
| WO2003029898A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Clariant International Ltd. | Photosensitive resin composition |
| KR100869040B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2008-11-17 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
| WO2004086144A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
| WO2005010615A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-03 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPWO2005010615A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2006-09-14 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP4591351B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-12-01 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US7847003B2 (en) | 2003-07-28 | 2010-12-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive type photosensitive resin composition |
| JP2008069312A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
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