JPH08263834A - 磁気カード及びその記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 改ざん防止と改ざんされた磁気カードの使用
を無効にする処置と暗証番号が不一致で無効にされた磁
気カードの再発行を不要にする措置と過って高磁力磁石
に近づけても記録情報の読み取りができ、一方キュリー
温度近くまで加熱すると情報記録が可能になり、記録情
報の読み取りは従来の再生専用機でもできる磁気カード
及びその記録再生装置を提供する。 【構成】 保磁力の異なる２つの磁性層を基板に積層し
た磁気カードで、第１及び第２の磁性層へ同一の情報を
記録する場合は、記録電流Ｉａにより磁気ヘッドから発
生する磁界で情報の記録が可能となるよう、まず第１の
磁性層をいったんキュリー温度前後に加熱し、次に磁気
ヘッドとの接触や自然放熱などで第１の磁性層の温度が
キュリー温度より低く、かつ第１の磁性層の保磁力が低
下している状態で該磁気ヘッドで情報の記録を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、クレジット、ＣＤ（キ
ャッシュディスペンサ）、ＩＤ（認証）など通常の使用
では情報の書き換えを行わない用途に適した磁気カード
及びその記録再生装置に関する。特に本発明は、従来の
磁気カード記録再生装置では改ざんできない磁気カード
及びその記録再生装置、並びに高磁力磁石など強い磁界
が近づいても記録情報に悪影響が少ない磁気カード及び
その記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁気カードは、不正使用防止のた
め暗証番号が不一致の場合に、磁気カードの情報を消去
あるいは書き換えて、その後の磁気カードの使用を無効
にしている。しかし、従来の記録再生装置で情報の改ざ
んが可能なため、情報が消去あるいは書き換えられた磁
気カードの記録情報を、使用可能な状態に書き直し不正
使用される恐れがある。さらに、適正な磁気カードの情
報を読み取り、この情報を他の磁気カードに書き写すこ
とで、不正なカードが使用される恐れもあった。

【０００３】一方、暗証番号の間違いなど単純なミス
で、磁気カードの記録情報が消去あるいは書き換えられ
てしまった場合は、使用を再開するためカードの再発行
を行っている。また、従来の磁気カードの保磁力は、２
００Ｏｅから３ｋＯｅであるため、ハンドバッグや眼鏡
ケースの止め磁石あるいはマグネットクリップなどが近
づくと情報が消去されやすい。このような消去事故によ
って磁気カードが使用不能となった場合も、同様に磁気
カードの再発行を行っている。

【０００４】特開平６―１８７６３６号公報には、異な
るキュリー温度及び保磁力を有する２つの磁性層が積層
された磁気記録媒体において、保磁力の高い磁性層と保
磁力の低い磁性層に異なる２つの情報を記録し、再生時
には保磁力の低い磁性層を消去し、保磁力の高い磁性層
のみの情報を読み取る方法が提案されている。この場
合、保磁力の高い磁性層に記録されている情報を読み取
るには、保磁力の低い磁性層の磁気データを消去する必
要があるので、従来の記録再生装置では処理できない。
また、使用を無効にするには、保磁力の高い磁性層の情
報を書き換える記録再生装置が必要になる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、改ざ
んの防止と、改ざんされた磁気カードの使用を無効にす
る処置と、暗証番号が不一致で無効にされた磁気カード
の再発行を不要にする措置と、過って高磁力磁石に近づ
けても記録情報の読み取りができ、一方、キュリー温度
近くまで加熱すると情報記録が可能になり、記録情報の
読み取りは従来の再生専用機でもでき、必要があればカ
ードの使用を無効とする処置を行うための記録が加熱手
段を持たない従来の記録再生装置でも可能である磁気カ
ード及びその記録再生装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明では所定の状態において保磁力の異なる２つ
の磁性層を基板に積層した磁気カードであって、保磁力
の高い第１の磁性層のキュリー温度は１００℃以上２０
０℃以下の範囲であり、かつ保磁力の低い第２の磁性層
の再生出力が第１の磁性層の再生出力の１／１０以上１
／２以下の範囲であることを特徴とする。

【０００７】前記磁気カードへ情報を記録する本発明の
記録再生装置において、第１及び第２の磁性層へ同一の
情報を記録する場合は、記録電流Ｉａにより磁気ヘッド
から発生する磁界で情報の記録が可能となるよう、まず
前記第１の磁性層をいったんキュリー温度前後に加熱
し、次に磁気ヘッドとの接触や自然放熱などで第１の磁
性層の温度がキュリー温度より低く、かつ第１の磁性層
の保磁力が低下している状態で該磁気ヘッドで情報の記
録を行う。なお記録電流Ｉａは、第２の磁性層に対し十
分な記録が可能な値以上の範囲に設定しておく。

【０００８】一方、第２の磁性層のみに記録をする場合
は、前記第１の磁性層の記録情報に影響を与えない記録
電流Ｉｂにより発生する前記磁気ヘッドの記録磁界によ
って記録を行う。

【０００９】さらに前記記録再生装置において、第１の
磁性層を加熱する手段としてランプを用い、ランプ光に
より磁気カードを非接触で加熱する。また前記第２の磁
性層に記録された情報及び従来の磁気カードに不正に記
録された情報を消去するため、前記第１の磁性層の記録
情報が消失しない範囲の磁界発生手段を有する記録再生
装置を提供する。

【００１０】

【作用】本発明の磁気カードの保磁力の高い第１の磁性
層に記録された情報は、磁気カードが高磁力磁石に近づ
いても減磁がほとんど無く、保磁力の低い第２の磁性層
に記録された情報が消去されても第１の磁性層の情報が
残っているため、情報の読み取りが可能である。さらに
第１及び第２の磁性層に同一の情報が記録されている場
合、あるいは第１の磁性層に情報が記録され第２の磁性
層が消去されている状態において、従来の再生専用機で
も情報の読み取りが可能である。また加熱手段を持たな
い従来の記録再生装置では第１の磁性層の情報を書き換
えることができず、改ざんを防止できる。

【００１１】一方、従来の記録再生装置を用い、正常に
情報が記録された前記磁気カードの情報を書き換えよう
とした場合、書き換えられるのは第２の磁性層のみで読
み取れる出力は第１及び第２の磁性層に記録された情報
が混在し、正しい情報が得られずその磁気カードを無効
にできる。また暗証番号の不一致があり不正使用の疑い
がある場合は、第２の磁性層のみに記録を行うことで、
同様に読み取れる出力は第１及び第２の磁性層に記録さ
れた情報が混在し、その後の磁気カードの使用を無効に
するなどの処置ができる。さらに第１の磁性層にはもと
の情報が残っているため、第２の磁性層のみを消去する
ことで再度使用可能な磁気カードを作製することも可能
である。

【００１２】一方、従来の磁気カードに本発明の磁気カ
ードの情報をそのまま書き写した不正カードに対して
は、前記第１の磁性層の記録情報が消失しない範囲の磁
界を印加することで本発明の磁気カードの情報は読み取
り不可能にはならないが、不正カードの情報は消去され
情報の読み取りができず不正使用を防止することができ
る。

【００１３】

【実施例】添付図面に基づいて本発明の実施例について
詳細に説明する。図１は、本発明による磁気カードの一
実施例の部分断面図である。本発明による磁気カード１
ａは、プラスチック材料から成る基板２ａの上に保磁力
の高い第１の磁性層３ａと保磁力の低い第２の磁性層４
ａ及び保護層５が積層されている。第１の磁性層３ａと
第２の磁性層４ａは、どちらを上に積層してもよい。保
磁力が高い第１の磁性層３ａを加熱して保磁力を低下さ
せた状態で情報の記録を行うには、加熱効率の点で、図
１に示すように第１の磁性層３ａを第２の磁性層４ａの
上層に設けることが好ましい。なお磁性層の作製は塗布
法が好ましいが、蒸着法、スパッタ法、メッキ法など特
に限定されない。

【００１４】磁性層の保磁力は、第１の磁性層３ａが第
２の磁性層４ａより高く、第１の磁性層３ａの保磁力は
常温で７ｋＯｅ以上１５ｋＯｅ以下、第２の磁性層４ａ
の保磁力は常温で２００Ｏｅ以上６ｋＯｅ以下の値で、
第１の磁性層３ａのキュリー温度は１００℃以上２００
℃以下の範囲が望ましい。キュリー温度が１００℃より
低いと、自動車内放置などで磁気カード温度が上がった
ときに磁気特性の劣化が大きく、特に減磁による出力低
下が発生しやすい。また、キュリー温度が２００℃より
高いと、第１の磁性層３ａをキュリー温度前後に加熱し
た際にカード基材に使用されるプラスチック材料の耐熱
性から熱変形が発生しやすいほか、磁性層や保護層５が
熱劣化する問題も発生する。なお、第２の磁性層４ａの
キュリー温度は特に問わないが、第１の磁性層３ａと同
様に磁気カード温度が上がった際の磁気特性の劣化が小
さくなるよう、１００℃以上が望ましい。また第２の磁
性層４ａの保磁力は、２００Ｏｅ未満は記録情報の長期
に渡る保持が困難となり、６ｋＯｅを越えると従来の記
録再生装置での記録が困難となることから、２００Ｏｅ
以上６ｋＯｅ以下が望ましい。図２に第１の磁性層３ａ
と第２の磁性層４ａの磁性粉の材質、キュリー温度、保
磁力、再生出力比（相対値）の一例を示す。

【００１５】図３は、本発明に係わる磁気カード（保護
層は略）及び磁気カード記録再生装置の基本構成を示す
概念図である。記録再生装置は、磁気カード１ａの第１
の磁性層３ａを非接触で加熱するランプとしてハロゲン
ランプ６ａと、コア材にセンダスト合金を使用した磁気
ヘッド７ａを備えている。ハロゲンランプ６ａは、発光
直後から加熱が行え、熱ローラや熱ヘッドなど他の加熱
方式で必要なウォーミングアップ時間や、待機時の高温
保持といった動作が不要なうえ、接触加熱方式に比べ磁
気カードの表面に傷を付けない長所を有する。磁気ヘッ
ド７ａは、第１の磁性層３ａ及び第２の磁性層４ａに、
４ｋＯｅないし５ｋＯｅの記録磁界を発生する。磁気ヘ
ッド７ａのコア材としては、センダスト合金の他、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系アモルファス合金の何れ
か、もしくは同等の特性を持つ材質を用いても良い。

【００１６】本発明に係わる磁気カード及び磁気カード
記録再生装置の動作について、図３を参照して説明す
る。記録再生装置のハロゲンランプ６ａを発光させ、磁
気カード１ａの第１の磁性層３ａのキュリー温度（１５
０℃）前後の１４０℃から１６０℃に加熱する。その
後、第１の磁性層３ａは、磁気ヘッド７ａとの接触や自
然放熱でキュリー温度より低い温度に冷却される。磁気
ヘッド７ａとの接触による温度低下量が特に大きいた
め、磁気ヘッド７ａをＰＴＣサーミスタ（図では略）
で、事前に５０℃から７０℃に昇温しておく。これによ
って、磁気ヘッド７ａを昇温しないときに比べ、第１の
磁性層３ａの温度ばらつきが抑えられ安定した記録特性
が得られる。また、第１の磁性層３ａの温度低下を緩和
し、ハロゲンランプによる第１の磁性層３ａの加熱温度
を低く設定できることから、磁気カードの熱ダメージを
軽減する効果もある。昇温された第１の磁性層３ａの保
磁力を、磁気ヘッド７ａで記録可能でかつ記録情報が保
持できる２００Ｏｅから４ｋＯｅの範囲に保ち、この状
態で記録電流Ｉａを流した磁気ヘッド７ａにより第１の
磁性層３ａに情報の記録を行う。この時、第２の磁性層
４ａにも同様の記録磁界が印加される。第２の磁性層４
ａのキュリー温度は４５０℃と高いため保磁力の低下は
ほとんどなく、また保磁力が１．５ｋＯｅであるため第
２の磁性層４ａにも第１の磁性層３と同一の情報が記録
され、図３に示した磁化状態になる。記録電流Ｉａは、
第１の磁性層３ａに十分な記録のできるよう設定され
る。このため第２の磁性層４ａの保磁力が低い場合、記
録電流Ｉａにより記録減磁が発生することもあるが、本
発明の効果にはなんら問題とはならない。なお、磁気ヘ
ッド７の昇温手段には、ＰＴＣサーミスタの他、セラミ
ックヒータ等を用いても良い。一方、磁気カード１ａの
情報を読み取るには、磁気カードを加熱したり、第２の
磁性層４ａを消去する必要がないため、従来の再生専用
機の使用も可能である。

【００１７】情報の記録後に第１の磁性層３ａが常温ま
でに下がると、第１の磁性層３ａの保磁力は９ｋＯｅと
いう高い保磁力に回復する。このため、ハンドバッグや
眼鏡ケースの止め磁石、マゲネットクリップなどは勿
論、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の高磁力磁石に近づいても、第２
の磁性層４ａの磁化は消失するものの、第１の磁性層３
ａの磁化はほとんど影響を受けない。このとき、磁気カ
ード１ａから得られる再生出力は、図２の再生出力比か
らわかるように、第２の磁性層４ａの情報消去前の８割
が得られるため、情報の読み出しにはなんら影響を受け
ない。

【００１８】図４は、本発明に係わる磁気カード１ａの
正規の情報を改ざんしたときの磁化状態を示す。磁気カ
ード１ａの情報を書き換えるためには、第１の磁性層３
ａの保磁力以上の磁界を印加する必要がある。しかし、
従来の記録再生装置に用いられている磁気ヘッドでは６
ｋＯｅ程度の記録磁界を発生するのが限度で、第１の磁
性層３ａを十分磁化できる９ｋＯｅ以上の記録磁界は発
生できない。このため、保磁力が低い第２の磁性層４ａ
の情報は書き換えられても、第１の磁性層３ａには正規
の情報が残り、図４に示すような磁化状態となる。この
磁気カード１ａを再生して得られる情報は、第１の磁性
層３ａの正規の情報と、第２の磁性層４ａの改ざんされ
た情報とが混在し、改ざんされた磁気カードとして処理
される。

【００１９】暗証番号の不一致があり不正使用の疑いが
ある場合、従来の記録再生装置では磁気カードの情報を
消去あるいは書き換えることで対応している。本発明に
係わる磁気カード及び記録再生装置によれば、暗証番号
の不一致で不正使用の疑いがある場合、保磁力の高い第
１の磁性層３ａの記録情報に影響を与えず、第２の磁性
層４ａを磁化可能な記録電流Ｉｂによる磁気ヘッド７の
記録磁界によって、磁気カードを加熱することなく保磁
力の低い第２の磁性層４ａのみに記録を行う。このとき
の磁化状態は、正規の記録を行った本発明に係わる磁気
カード１ａの情報を従来の記録再生装置を用いて改ざん
しようとした場合と全く同様に図４のようになる。この
磁気カード１ａでは、正確な情報が読めなくなり、その
後の磁気カード１ａの使用を無効にするなどの処置を行
える。第２の磁性層４ａのみに記録を行い不正使用を防
止することは、従来の記録再生装置を用いても可能であ
ることは明白である。

【００２０】さらに、このように第２の磁性層４ａが書
き換えられた磁気カード１ａは、本来の信号が第１の磁
性層３ａに残されているため、第２の磁性層４ａを消去
することで再びもとの情報が読み取れるため、特に再発
行を行わなくとも磁気カードの再利用が可能になる。

【００２１】また保磁力が２００Ｏｅ以上６ｋＯｅ以下
の従来の磁気カードに本発明に係わる磁気カード１ａの
情報をそのまま書き写した不正カードに対しては、第１
の磁性層４ａの記録情報が消失しない範囲の磁界を、高
磁力磁石や直流電磁石及び磁気ヘッド等で印加すること
のできる本発明に係わる記録再生装置ならば、磁気カー
ド１ａの情報は読み取り不可能にはならないが、不正カ
ードの情報は消去され情報の読み取りができず不正使用
を防止することができる。

【００２２】第１の磁性層３ａの常温での保磁力は、既
存のＦｅ−Ｎｉ系合金やＦｅ−Ｃｏ系アモルファス合金
よりなる磁気ヘッドで十分に磁化できない大きさであれ
ばよく、７ｋＯｅ以上の保磁力の磁性層が好ましい。第
１の磁性層３ａの材質は、図２及び表５に示すＳｍ−Ｃ
ｏ系磁性粉の他、Ｓｒフェライト系磁性粉、Ｎｄ−Ｆｅ
−Ｂ系磁性粉などであっても良い。また、キュリー温度
が１００℃以上２００℃以下で実現されている磁性粉の
保磁力の上限は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁性粉で１５ｋＯｅ
である。従って、第１の磁性層３ａの常温での保磁力は
７ｋＯｅ以上１５ｋＯｅ以下である。これに対し、第２
の磁性層４ａの常温での保磁力は、磁気カードとして記
録を保持できる下限が２００Ｏｅで、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
やＦｅ−Ｃｏ系アモルファス合金などからなる従来の磁
気ヘッドで情報を記録できる保磁力の上限が６ｋＯｅで
あることから、第２の磁性層の常温での保磁力は２００
Ｏｅ以上６ｋＯｅ以下の範囲が望ましい。

【００２３】図５は、本発明に係わる磁気カードの他の
実施例として、保磁力の高い第１の磁性層３ｂと保磁力
の低い第２の磁性層４ｂの磁性粉の材質、キュリー温
度、保磁力、再生出力比（相対値）を示す。

【００２４】図６は、図５に示す特性を持つ磁気カード
１ｂと本発明に係わる磁気カードの記録再生装置の基本
構成の概念図である。図２に示す特性を持つ磁気カード
１ａと本発明に係わる磁気カードの記録再生装置の実施
例と同様に、磁気カード１ｂを加熱し、第１の磁性層３
ｂの保磁力を磁気ヘッド７ｂで記録可能で、かつ記録情
報が保持可能な２００Ｏｅから４ｋＯｅの範囲に保つ。
この状態で記録電流Ｉｃを流した磁気ヘッド７ｂにより
第１の磁性層３ｂに情報の記録を行う。このとき第２の
磁性層４ｂの温度が第２の磁性層４ｂのキュリー温度以
上の場合は、保磁力はほぼ零であるので、第２の磁性層
４ｂの磁化状態は図４へ示すように何も情報が記録され
ない。第２の磁性層４ｂの温度が下がり、保磁力が数十
Ｏｅ程度に戻り始めたころから、情報が記録された第１
の磁性層３ｂの生ずる磁界によって、第２の磁性層４ｂ
が磁化され、常温に戻るまでに第１の磁性層３ｂに記録
された情報が転写される。

【００２５】図７は、第２の磁性層４ｂに第１の磁性層
３ｂの情報が転写された磁化状態を示す。磁気カード１
ｂの再生出力は転写が行われているため第１の磁性層３
ｂと第２の磁性層４ｂの再生出力の差分となる。第１の
磁性層３ｂの再生出力を１としたとき第２の磁性層４ｂ
の再生出力は１／５であり、磁気カード１ｂを再生して
得られる出力は４／５となり、情報の読み取りにはなん
ら支障はない。また不正カードや第２の磁性層４ｂの情
報が消去された場合の対応において、図２の特性を持つ
磁気カード１ａと同様の効果が得られることは明らかで
ある。

【００２６】磁気カードの第１の磁性層と第２の磁性層
の再生出力比を考える。磁気カード１ａの第１の磁性層
３ａの再生出力を１として、第１の磁性層３ａに対し第
２の磁性層４ａの再生出力比を１／１０未満にすると、
磁気カード１ａの使用が無効になるよう第２の磁性層４
ａに記録を行っても、情報読み取り時に第１の磁性層３
ａの再生出力が支配的となり、第１の磁性層３ａの情報
だけが得られてしまい磁気カード１ａの使用を無効にで
きなくなる。また、第２の磁性層４ａの再生出力の比が
１／２を越えると、第１の磁性層３ａと第２の磁性層４
ａに同一の情報を記録したとき、磁気カード１ａの再生
出力が１．５を越え不正カードと判断される。これは一
般に、磁気カードの再生装置が、正規の磁気カードより
再生出力が大きいため不正カードと判断するレベルが、
正規のカードの再生出力を１として１．５以上となって
いるためである。

【００２７】次に、磁気カード１ｂの第１の磁性層３ｂ
の再生出力を１として、第１の磁性層３ｂに対し第２の
磁性層４ｂの再生出力比を１／１０未満にすると、磁気
カード１ｂの使用が無効になるよう第２の磁性層４ｂに
記録を行っても、磁気カード１ａと同様に読み取り時に
第１の磁性層３ｂの情報が支配的になり、磁気カード１
ｂの使用を無効にできなくなる。一方、磁気カード１ｂ
は、第１の磁性層３ｂと第２の磁性層４ｂに同一の情報
を記録すると転写が発生する。従って、磁気カード１ｂ
の再生出力は両磁性層の出力の差分として得られる。一
般に磁気カードの記録再生装置が正規の磁気カードの再
生出力より小さいため不正カードとして判断するレベル
は、正規のカードの再生出力を１として０．５である。
よって、表２に示されるキュリー温度及び保磁力の特性
をもつ磁気カードは、第１の磁性層３ｂに対し第２の磁
性層４ｂの再生出力の上限は１／２以下が好ましい。

【００２８】以上から、磁気カードの第１の磁性層と第
２の磁性層の再生出力比は、第１の磁性層の再生出力を
１にすると、第２の磁性層の再生出力比は１／１０以上
１／２以下であることが好ましい。

【００２９】一方、カード基材には加工性が要求され
る。一般にはエンボス加工性などを考慮し、基材には塩
化ビニルが用いられている。しかし本発明の磁気カード
は、保磁力の高い第１の磁性層を記録する際、キュリー
温度前後の１００℃から２００℃の範囲に加熱するた
め、軟化温度が７０℃程度の塩化ビニルを基材に用いた
場合は熱変形が発生し、以後の記録・再生時にヘッドタ
ッチの悪化等の問題が発生する。よって基材には軟化温
度が高く、かつエンボスの加工性が良好であることが望
まれる。しかしこのような条件を満たすプラスチック材
料の選定は困難であり、図８〜図１０の一例に示すよう
な磁気カード構造が考えられる。

【００３０】図８〜図１０は磁気カードの磁気ストライ
プ垂直方向の断面図である。図８は、４ブロックを接着
した磁気カードの一例である。磁性層８は第１の磁性
層、第２の磁性層及び保護層を含み、高耐熱基材９上に
積層されたものであり１ブロック構造として扱う。高耐
熱基材９は、磁性層８の直下にあり最も耐熱性が要求さ
れるため、ポリイミドやポリエーテルイミドなどを用い
ることが好ましい。磁性層８が積層された高耐熱基材９
は、耐熱基材１０上に積層される。耐熱基材１０は磁性
層８とは高耐熱基材９を介するため高い耐熱性は要求さ
れないが、一方でエンボス領域にかかるため加工性が要
求される。そこで軟化温度が高耐熱基材９よりは低いが
熱可塑性のポリカーボネートなどが好適である。一方基
材１１の耐熱及び加工性は従来と同等でよく塩化ビニル
などが好適である。図９はエンボス領域の加工性を向上
させるため、耐熱基材１０の一部を基材１１に変更した
５ブロック構造の一例を示す。図１０は両面に磁気スト
ライプを設けた際の７ブロック構造の一例を示す。

【００３１】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次の
ような効果を得ることができる。

【００３２】（１）磁気カードの保磁力は、第１の磁性
層が第２の磁性層より高い。しかも第１の磁性層は、好
ましくは常温で７ｋＯｅないし１５ｋＯｅであるため、
従来の記録再生装置での改ざんを防止できる。また、保
磁力の高い第１の磁性層に記録された情報は、過って高
磁力磁石に近づけても、情報の読み取りには何等影響を
受けない。

【００３３】（２）上記のように構成された磁気カード
は、キュリー温度近くまで加熱して、保磁力を２００Ｏ
ｅないし４ｋＯｅにすると、従来の磁気ヘッドを使用し
て、第１の磁性層に情報の記録が可能になる。磁気カー
ド加熱手段として用いるハロゲンランプは、発光直後か
ら加熱が行え立ち上がり時間が早く、待機時の高温保持
が不要である。そのうえ、接触加熱方式に比べ磁気カー
ドの表面に傷を付けることがない。また、磁気ヘッドを
昇温手段によって５０℃から７０℃にしておくと、第１
の磁性層の温度ばらつきが抑えられ安定した記録特性が
得られ、温度低下を緩和できることから、ハロゲンラン
プによる第１の磁性層の加熱温度を低く設定でき磁気カ
ードの熱ダメージを軽減することができる。

【００３４】（３）この種の磁気カードで重要なよう
に、必要に応じて第２の磁性層に記録を行うことで、磁
気カードの使用を無効とする処置が可能である。また第
２の磁性層を消去するのみで、磁気カードの再発行する
ことなく再利用することも可能である。

【００３５】（４）磁性層の保磁力が２００Ｏｅから６
０００Ｏｅの従来の磁気カードに、本発明による磁気カ
ードの情報をそのまま書き写して偽造しようとしても、
直流電磁石や高磁力磁石及び磁気ヘッド等を有する本発
明による磁気カードの記録再生装置ならば、改ざんの疑
いが強いと判別された従来の磁気カードの情報を消去で
きるので、従来の磁気カードによる偽造を防止できる。

【００３６】（５）第２の磁性層にキュリー点の高い材
料を使用すれば、第１の磁性層と第２の磁性層の同時記
録によって、第１の磁性層と第２の磁性層の出力を合わ
せた高い出力が得られるため、第１の磁性層を残留磁束
密度の低い材料で形成したとしても十分な出力を得るこ
とが可能となり、安価な材料を選択できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる磁気カードの一実施例を示す部
分断面図である。

【図２】本発明に係わる磁気カードの一実施例の第１の
磁性層と第２の磁性層の磁性粉の材質、キュリー温度、
保磁力、再生出力比（相対値）の一例を示す。

【図３】図１に示す磁気カード（保護層は略）及びその
記録再生装置の基本構成を示す概念図である。

【図４】図１に示す磁気カードの正規の情報を改ざんし
たときの磁化状態を示す図である。

【図５】本発明に係わる磁気カードの他の実施例の第１
の磁性層と第２の磁性層の磁性粉の材質、キュリー温
度、保磁力、再生出力比（相対値）を示す。

【図６】図５に示す磁気カード（保護層は略）及びその
記録再生装置の基本構成を示す概念図である。

【図７】図５に示す磁気カードの第２の磁性層に第１の
磁性層の情報が転写後の磁化状態を示す図である。

【図８】磁気カードの磁気ストライプ垂直方向の断面図
で、４ブロックを接着した磁気カードの一例を示す図で
ある。

【図９】磁気カードの磁気ストライプ垂直方向の断面図
で、エンボス領域の加工性を向上させるため耐熱基材の
一部を基材に変更した５ブロック構造の一例を示す図で
ある。

【図１０】磁気カードの磁気ストライプ垂直方向の断面
図で、両面に磁気ストライプを設けたときの７ブロック
構造の一例をしめす図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ 磁気カード ２ａ、２ｂ プラスチック基板 ３ａ、３ｂ 第１の磁性層 ４ａ、４ｂ 第２の磁性層 ５ 保護層 ６ａ、６ｂ ハロゲンランプ ７ａ、７ｂ 磁気ヘッド ８ 磁性層 ９ 高耐熱基材 １０ 耐熱基材 １１ 基材

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の状態において保磁力の異なる２つ
   の磁性層が基板に積層された磁気カードにおいて、保磁
   力の高い第１の磁性層のキュリー温度は１００℃以上２
   ００℃以下の範囲であり、かつ保磁力の低い第２の磁性
   層の再生出力が前記第１の磁性層の再生出力の１／１０
   以上１／２以下の範囲であることを特徴とする磁気カー
   ド。
2. 【請求項２】 請求項１にかかる磁気カードへの記録に
   おいて、すくなくとも前記第１の磁性層を加熱し情報記
   録を行う手段を有することを特徴とする磁気カードの記
   録再生装置。
3. 【請求項３】 請求項１にかかる磁気カードへの記録に
   おいて、前記第１の磁性層の記録情報に影響を与えない
   磁気ヘッドの記録磁界によって、前記第２の磁性層のみ
   に情報を記録する手段を有することを特徴とする磁気カ
   ードの記録再生装置。
4. 【請求項４】 請求項２にかかる磁気カードの記録再生
   装置において、加熱手段としてランプを装備することを
   特徴とする磁気カードの記録再生装置。
5. 【請求項５】 請求項２にかかる磁気カードの記録再生
   装置において、前記第１の磁性層の記録情報が減磁しな
   い範囲の磁界発生手段を有することを特徴とする磁気カ
   ードの記録再生装置。