JPH08264439A - 窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法 - Google Patents
窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法Info
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- JPH08264439A JPH08264439A JP9313295A JP9313295A JPH08264439A JP H08264439 A JPH08264439 A JP H08264439A JP 9313295 A JP9313295 A JP 9313295A JP 9313295 A JP9313295 A JP 9313295A JP H08264439 A JPH08264439 A JP H08264439A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良質の窒化物半導体層を得ることができる窒
化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供す
る。 【構成】 基板１００表面をまず高温にして、窒素だけ
を供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表
面を比較的低温として、均一にＧａなどの陽イオン元素
を蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給する
ことにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素
を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、
これにより窒化物半導体の均質な初期層３５０を形成す
る。
化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供す
る。 【構成】 基板１００表面をまず高温にして、窒素だけ
を供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表
面を比較的低温として、均一にＧａなどの陽イオン元素
を蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給する
ことにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素
を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、
これにより窒化物半導体の均質な初期層３５０を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上での窒素化合物
半導体の成長方法に関するものである。
半導体の成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系の窒素化合物半導体は、青色発
光素子材料として研究が進められており、近年高輝度で
発光する青色ＬＥＤが開発、商品化され脚光を浴びてい
る。しかしながら、ＧａＮ系の結晶性の良いバルク単結
晶が作製しにくいため、これらデバイスの薄膜成長は、
サファイア基板等、別の材料へのヘテロエピタキシャル
となる。現在市販されているＧａＮ系ＬＥＤは、サファ
イア基板上に通常のＧａＮの成長（１０００℃）より低
い温度（５００〜６００℃）で成長させたバッファー層
を作製し、その上に１０００℃で薄膜結晶を成長させる
ことにより高品質な薄膜の作成を可能にしている。
光素子材料として研究が進められており、近年高輝度で
発光する青色ＬＥＤが開発、商品化され脚光を浴びてい
る。しかしながら、ＧａＮ系の結晶性の良いバルク単結
晶が作製しにくいため、これらデバイスの薄膜成長は、
サファイア基板等、別の材料へのヘテロエピタキシャル
となる。現在市販されているＧａＮ系ＬＥＤは、サファ
イア基板上に通常のＧａＮの成長（１０００℃）より低
い温度（５００〜６００℃）で成長させたバッファー層
を作製し、その上に１０００℃で薄膜結晶を成長させる
ことにより高品質な薄膜の作成を可能にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術におけるバ
ッファー層は、高品質の薄膜結晶を作製するのに多大な
効果を上げたが、その成長条件（温度、膜厚など）が厳
しく、安定した窒化物半導体を得ることが困難であっ
た。
ッファー層は、高品質の薄膜結晶を作製するのに多大な
効果を上げたが、その成長条件（温度、膜厚など）が厳
しく、安定した窒化物半導体を得ることが困難であっ
た。
【０００４】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、良質の窒化物半導体層を得ることができる窒化物半
導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供することを
目的とする。
り、良質の窒化物半導体層を得ることができる窒化物半
導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体の
ヘテロエピタキシャル成長方法は、基板の表面での窒化
物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法であって、
（ａ）基板の表面を窒化する第１の工程と、（ｂ）１以
上の種類の成長すべき窒化物半導体の陽イオン元素を１
原子層以上堆積あるいは蒸着する第２の工程と、を備え
ることを特徴とする。
ヘテロエピタキシャル成長方法は、基板の表面での窒化
物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法であって、
（ａ）基板の表面を窒化する第１の工程と、（ｂ）１以
上の種類の成長すべき窒化物半導体の陽イオン元素を１
原子層以上堆積あるいは蒸着する第２の工程と、を備え
ることを特徴とする。
【０００６】ここで、窒素半導体は、ＧａＮ、ＩｎＮ、
ＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、またはＧａＡｌＮである
ことを特徴としてもよい。
ＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、またはＧａＡｌＮである
ことを特徴としてもよい。
【０００７】また、基板は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、またはＺｎＯから成ることを特徴として
もよい。
Ｃ、ＧａＡｓ、またはＺｎＯから成ることを特徴として
もよい。
【０００８】また、第１の工程では、基板の表面をアン
モニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気中、
もしくは、窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物溶液
中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むことを特徴
としてもよい。
モニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気中、
もしくは、窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物溶液
中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むことを特徴
としてもよい。
【０００９】また、窒化物半導体の陽イオン元素はＧ
ａ、Ｉｎ、またはＡｌであることを特徴としてもよい。
ａ、Ｉｎ、またはＡｌであることを特徴としてもよい。
【００１０】また、第２の工程に引き続き、更に、堆積
あるいは蒸着された原子層の表面を窒化して、基板の表
面上に窒化物半導体から成る表面薄膜層を形成する第３
の工程を備えることを特徴としてもよい。第３の工程で
は、前記陽イオン元素および前記窒素を含有する窒素源
を同時に供給することとしてもよいし、基板の表面をア
ンモニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気
中、もしくは窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物溶
液中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むこととし
てもよい。
あるいは蒸着された原子層の表面を窒化して、基板の表
面上に窒化物半導体から成る表面薄膜層を形成する第３
の工程を備えることを特徴としてもよい。第３の工程で
は、前記陽イオン元素および前記窒素を含有する窒素源
を同時に供給することとしてもよいし、基板の表面をア
ンモニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気
中、もしくは窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物溶
液中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むこととし
てもよい。
【００１１】また、第３の工程に引き続き、更に、第２
の工程の処理と第３の工程の処理とを繰り返す第４の工
程を備えることを特徴としてもよい。第４の工程では、
陽イオン元素および窒素を含有する窒素源を同時に供給
することにより、第２の工程の処理と前記第３の工程の
処理とを同時に行うこととしてもよい。
の工程の処理と第３の工程の処理とを繰り返す第４の工
程を備えることを特徴としてもよい。第４の工程では、
陽イオン元素および窒素を含有する窒素源を同時に供給
することにより、第２の工程の処理と前記第３の工程の
処理とを同時に行うこととしてもよい。
【００１２】
【作用】本発明の窒化物半導体のヘテロエピタキシャル
成長方法では、基板表面をまず高温にして、窒素だけを
供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表面
を比較的低温として、均一にＧａなどの陽イオン元素を
蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給するこ
とにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素を
再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、こ
れにより窒化物半導体の均質な初期層を形成する。
成長方法では、基板表面をまず高温にして、窒素だけを
供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表面
を比較的低温として、均一にＧａなどの陽イオン元素を
蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給するこ
とにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素を
再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、こ
れにより窒化物半導体の均質な初期層を形成する。
【００１３】発明者は、ヘテロエピタキシャルの初期層
の成長メカニズムに着目した研究および実験の結果、Ｇ
ａなどの融点が比較的低く、窒素の活性化する温度、Ｇ
ａＮなどの成長温度が非常に高いため、これらの温度差
が成長中の組成変動を引き起こし、均質なＧａＮの成長
を困難にしているという知見を得た。
の成長メカニズムに着目した研究および実験の結果、Ｇ
ａなどの融点が比較的低く、窒素の活性化する温度、Ｇ
ａＮなどの成長温度が非常に高いため、これらの温度差
が成長中の組成変動を引き起こし、均質なＧａＮの成長
を困難にしているという知見を得た。
【００１４】この知見によれば、本発明の窒化物半導体
のヘテロエピタキシャル成長方法では、窒素の供給と陽
イオン元素の供給とを別々の行うため、ヘテロエピタキ
シャル成長に伴う陽イオン元素の薄膜からの解離などに
よる欠陥の発生を抑制でき、その後の結晶成長における
転位の発生を防ぐ。
のヘテロエピタキシャル成長方法では、窒素の供給と陽
イオン元素の供給とを別々の行うため、ヘテロエピタキ
シャル成長に伴う陽イオン元素の薄膜からの解離などに
よる欠陥の発生を抑制でき、その後の結晶成長における
転位の発生を防ぐ。
【００１５】これまでのバッファー層の成長が基板表面
から進行するのに対し、Ｇａなどの陽イオン元素の堆積
層の表面から進行することにより、基板との界面で効率
的に格子不整合の吸収をさせることができる。
から進行するのに対し、Ｇａなどの陽イオン元素の堆積
層の表面から進行することにより、基板との界面で効率
的に格子不整合の吸収をさせることができる。
【００１６】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の窒
素半導体のヘテロエピタキシャル成長方法の実施例を説
明する。なお、図面の説明にあたって、同一要素には同
一符号を付し重複する説明は省略する。
素半導体のヘテロエピタキシャル成長方法の実施例を説
明する。なお、図面の説明にあたって、同一要素には同
一符号を付し重複する説明は省略する。
【００１７】図１は、本発明の実施例の窒素半導体のヘ
テロエピタキシャル成長方法の工程図である。本実施例
では、まず、清浄な表面１１０を有するサファイア基板
１００を容易する（図１（ａ）参照）。本実施例では、
有機洗浄および硫酸−過酸化水素系エッチング液で洗浄
を行ったサファイア（０００１）基板１００を、真空チ
ャンバ内で１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空引きして、１００
０℃で３０分間サーマルクリーニングを行い、表面を洗
浄化して清浄な表面１１０を得た。
テロエピタキシャル成長方法の工程図である。本実施例
では、まず、清浄な表面１１０を有するサファイア基板
１００を容易する（図１（ａ）参照）。本実施例では、
有機洗浄および硫酸−過酸化水素系エッチング液で洗浄
を行ったサファイア（０００１）基板１００を、真空チ
ャンバ内で１０-6Ｔｏｒｒ程度に真空引きして、１００
０℃で３０分間サーマルクリーニングを行い、表面を洗
浄化して清浄な表面１１０を得た。
【００１８】次に、窒素源２００から供給された活性化
した窒素原子Ｎで、基板１００の表面の酸素と置き換え
るなどして、均一な窒化面１２０を生成する（図１
（ｂ）参照）。本実施例では、基板温度を１０００℃に
保つとともに、成長室内を８９０℃として、成長室内に
アンモニアを１０ｃｃ／ｍｉｎで流入させつつ３０分間
放置して、基板表面を窒化し、均一な窒化面１２０を生
成した。
した窒素原子Ｎで、基板１００の表面の酸素と置き換え
るなどして、均一な窒化面１２０を生成する（図１
（ｂ）参照）。本実施例では、基板温度を１０００℃に
保つとともに、成長室内を８９０℃として、成長室内に
アンモニアを１０ｃｃ／ｍｉｎで流入させつつ３０分間
放置して、基板表面を窒化し、均一な窒化面１２０を生
成した。
【００１９】引き続き、アンモニアの流入を止め、基板
１００の温度を５５０℃まで下げて、１分〜１０分の間
Ｇａを蒸着して窒化面１２０上にＧａを堆積させ、窒化
面１２０との界面ではＧａＮ層３１０を、ＧａＮ層３１
０上にはＧａ層３２０を形成する（図１（ｃ）参照）。
１００の温度を５５０℃まで下げて、１分〜１０分の間
Ｇａを蒸着して窒化面１２０上にＧａを堆積させ、窒化
面１２０との界面ではＧａＮ層３１０を、ＧａＮ層３１
０上にはＧａ層３２０を形成する（図１（ｃ）参照）。
【００２０】次に、Ｇａの供給を止め、再びアンモニア
を供給してアンモニア雰囲気中で９１０℃まで昇温し
て、ＧａＮの表面薄膜層３３０を生成するとともに、余
分なＧａを再蒸発させる（図１（ｄ）参照）。引き続
き、アンモニア雰囲気中で９１０℃の状態を約１分間以
上維持して、ＧａＮ層３５０（以後、初期層とも呼ぶ）
を形成し、サファイア／ＧａＮヘテロエピタキシャル基
板を得る（図１（ｅ）参照）。
を供給してアンモニア雰囲気中で９１０℃まで昇温し
て、ＧａＮの表面薄膜層３３０を生成するとともに、余
分なＧａを再蒸発させる（図１（ｄ）参照）。引き続
き、アンモニア雰囲気中で９１０℃の状態を約１分間以
上維持して、ＧａＮ層３５０（以後、初期層とも呼ぶ）
を形成し、サファイア／ＧａＮヘテロエピタキシャル基
板を得る（図１（ｅ）参照）。
【００２１】以上の工程で成長したサファイア／ＧａＮ
ヘテロエピタキシャル基板のＧａＮの膜圧は、アルゴン
イオンによるスパッタ時間の測定より、数十オングスト
ロームであった。
ヘテロエピタキシャル基板のＧａＮの膜圧は、アルゴン
イオンによるスパッタ時間の測定より、数十オングスト
ロームであった。
【００２２】こうして得られた初期層３５０の表面上に
更にＧａＮ層を成長させる。
更にＧａＮ層を成長させる。
【００２３】図２は、本発明の初期層形成工程の各工程
におけるオージェ分析結果のグラフである。図２（ａ）
は図１（ａ）におけるサファイア基板のオージェ分析結
果であり、図２（ｂ）は図１（ｂ）における窒化後のオ
ージェ分析結果であり、図２（ｃ）は図１（ｃ）におけ
るＧａの蒸着後オージェ分析結果であり、図２（ｄ）は
図１（ｅ）におけるさらに窒化した表面を示している。
図２に示す分析結果から、各工程での元素組成が確認で
きる。
におけるオージェ分析結果のグラフである。図２（ａ）
は図１（ａ）におけるサファイア基板のオージェ分析結
果であり、図２（ｂ）は図１（ｂ）における窒化後のオ
ージェ分析結果であり、図２（ｃ）は図１（ｃ）におけ
るＧａの蒸着後オージェ分析結果であり、図２（ｄ）は
図１（ｅ）におけるさらに窒化した表面を示している。
図２に示す分析結果から、各工程での元素組成が確認で
きる。
【００２４】図３は、初期層形成過程におけるＲＨＥＥ
Ｄ測定の結果である。図３（ａ）は図１（ｃ）における
Ｇａの蒸着後のＲＨＥＥＤ測定の結果であり、基板１０
０の窒化面１２０にＧａ蒸着した表面がアモルファス状
になっていることが確認できる。また、図３（ｂ）およ
び図３（ｃ）は、図１（ｅ）におけるＧａＮ層３５０の
ＲＨＥＥＤ測定の結果であり、ＧａＮ層３５０がＧａＮ
の結晶からなっていることが確認できる。
Ｄ測定の結果である。図３（ａ）は図１（ｃ）における
Ｇａの蒸着後のＲＨＥＥＤ測定の結果であり、基板１０
０の窒化面１２０にＧａ蒸着した表面がアモルファス状
になっていることが確認できる。また、図３（ｂ）およ
び図３（ｃ）は、図１（ｅ）におけるＧａＮ層３５０の
ＲＨＥＥＤ測定の結果であり、ＧａＮ層３５０がＧａＮ
の結晶からなっていることが確認できる。
【００２５】図４は、成長したＧａＮ結晶のＳＥＭ写真
である。図４（ａ）は、サファイア基板に直接ＧａとＮ
を供給して、ＧａＮを約２μｍ成長したものである。図
４（ｂ）は、本発明による初期層を形成後、ＧａＮを同
じく約２μｍ成長したものである。図４（ａ）と図４
（ｂ）とを比較すると、小さな多結晶の集まりである図
４（ａ）に比べ、図４（ｂ）では横方向の成長が促進さ
れ良質な単結晶の集まりとなっていることが分かる。
である。図４（ａ）は、サファイア基板に直接ＧａとＮ
を供給して、ＧａＮを約２μｍ成長したものである。図
４（ｂ）は、本発明による初期層を形成後、ＧａＮを同
じく約２μｍ成長したものである。図４（ａ）と図４
（ｂ）とを比較すると、小さな多結晶の集まりである図
４（ａ）に比べ、図４（ｂ）では横方向の成長が促進さ
れ良質な単結晶の集まりとなっていることが分かる。
【００２６】図５は、図４と同じ条件で成長させたＧａ
ＮのＸ線回析パターンである。サファイア基板に直接Ｇ
ａとＮを供給してＧａＮを成長させた図５（ａ）は、結
晶性が悪く、（０００１）方向の結晶にそろっていな
い。これに対し、本発明の初期層を形成後にＧａＮを成
長させた図５（ｂ）では、回析強度が強く、良質な単結
晶であることを示している。
ＮのＸ線回析パターンである。サファイア基板に直接Ｇ
ａとＮを供給してＧａＮを成長させた図５（ａ）は、結
晶性が悪く、（０００１）方向の結晶にそろっていな
い。これに対し、本発明の初期層を形成後にＧａＮを成
長させた図５（ｂ）では、回析強度が強く、良質な単結
晶であることを示している。
【００２７】本発明は、上記の実施例に限定されるもの
ではなく、変形が可能である。例えば、上記実施例では
基板として、サファイア基板を使用したが、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、またはＺｎＯのいずれかから成る基板を
使用しても同様に良質の窒素半導体の形成が可能であ
る。
ではなく、変形が可能である。例えば、上記実施例では
基板として、サファイア基板を使用したが、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、またはＺｎＯのいずれかから成る基板を
使用しても同様に良質の窒素半導体の形成が可能であ
る。
【００２８】また、上記実施例では窒素半導体をＧａＮ
としたが、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、また
はＧａＡｌＮも同様にして成長可能である。
としたが、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、また
はＧａＡｌＮも同様にして成長可能である。
【００２９】また、図１（ｃ）の工程や図１（ｅ）に続
く工程では、アンモニアとＧａとを同時に供給してもよ
い。
く工程では、アンモニアとＧａとを同時に供給してもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の窒
化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法によれば、
基板表面を高温にして窒素だけを供給して均一な窒化面
を作製後、窒化した表面を比較的低温として均一に陽イ
オン元素を蒸着し、再度高温にしながら窒素を供給する
ことにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素
を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促して
窒化物半導体の均質な初期層を形成するので、点欠陥に
よる転位の発生が抑制でき、基板との格子不整合を効率
的に吸収することにより、その後の結晶核の生成および
成長をスムーズにすることができ、均質な窒化物半導体
の結晶の成長させることができる。
化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法によれば、
基板表面を高温にして窒素だけを供給して均一な窒化面
を作製後、窒化した表面を比較的低温として均一に陽イ
オン元素を蒸着し、再度高温にしながら窒素を供給する
ことにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素
を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促して
窒化物半導体の均質な初期層を形成するので、点欠陥に
よる転位の発生が抑制でき、基板との格子不整合を効率
的に吸収することにより、その後の結晶核の生成および
成長をスムーズにすることができ、均質な窒化物半導体
の結晶の成長させることができる。
【００３１】また、この本発明の窒化物半導体のヘテロ
エピタキシャル成長方法を応用すれば、超格子構造の窒
化物半導体の作成が可能となり、デバイス応用の分野
で、機能の大幅な拡張が期待できる。
エピタキシャル成長方法を応用すれば、超格子構造の窒
化物半導体の作成が可能となり、デバイス応用の分野
で、機能の大幅な拡張が期待できる。
【図１】本発明の実施例の窒素半導体のヘテロエピタキ
シャル成長方法の工程図である。
シャル成長方法の工程図である。
【図２】初期層形成過程におけるオージェ分析結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】初期層形成工程におけるＲＨＥＥＤ測定の結果
図である。
図である。
【図４】成長したＧａＮの結晶構造の写真である。
【図５】成長したＧａＮのＸ線回析パターンの測定結果
のグラフである。
のグラフである。
１００…基板、１１０…清浄表面、１２０…窒化面、３
１０，３３０，３５０…ＧａＮ層、３２０…Ｇａ層。
１０，３３０，３５０…ＧａＮ層、３２０…Ｇａ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 正和 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 菅 博文 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 石田 明広 静岡県浜松市布橋２丁目11番15号 (72)発明者 藤安 洋 静岡県浜松市遠州浜１丁目33番地の８ (72)発明者 榊原 愼吾 静岡県浜松市中沢10番１号 ヤマハ株式会 社内 (72)発明者 山本 悦司 静岡県浜松市助信町136−２
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の表面での窒化物半導体のヘテロエ
ピタキシャル成長方法であって、 前記基板の表面に窒化する第１の工程と、 １以上の種類の成長すべき化合物半導体の陽イオン元素
を１原子層以上堆積あるいは蒸着する第２の工程と、 を備えることを特徴とする窒化物半導体のヘテロエピタ
キシャル成長方法。 - 【請求項２】 前記窒化物半導体は、ＧａＮ、ＩｎＮ、
ＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、またはＧａＡｌＮであ
る、ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体のヘ
テロエピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 前記基板は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ、またはＺｎＯから成る、ことを特徴とす
る請求項１記載の窒化物半導体のヘテロエピタキシャル
成長方法。 - 【請求項４】 前記第１の工程では、前記基板の表面を
アンモニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気
中、もしくは、窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物
溶液中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むことを
特徴とする請求項１記載の窒化物半導体のヘテロエピタ
キシャル成長方法。 - 【請求項５】 前記窒化物半導体の陽イオン元素はＧ
ａ、Ｉｎ、またはＡｌである、ことを特徴とする請求項
１記載の窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方
法。 - 【請求項６】 前記第２の工程に引き続き、更に、堆積
あるいは蒸着された前記原子層の表面を窒化して、前記
基板の表面上に窒化物半導体から成る表面薄膜層を形成
する第３の工程を備える、ことを特徴とする請求項１記
載の窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法。 - 【請求項７】 前記第３の工程では、前記陽イオン元素
および前記窒素を含有する窒素源を同時に供給する請求
項６記載の窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方
法。 - 【請求項８】 前記第３の工程では、前記基板の表面を
アンモニア基を有する化合物気体雰囲気中、窒素雰囲気
中、もしくは窒素ラジカル雰囲気中にさらす、窒化物溶
液中にさらす、または、窒素イオンを打ち込むことを特
徴とする請求項６記載の窒化物半導体のヘテロエピタキ
シャル成長方法。 - 【請求項９】 前記第３の工程に引き続き、更に、前記
第２の工程の処理と前記第３の工程の処理とを繰り返す
第４の工程を備える、ことを特徴とする請求項６記載の
窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法。 - 【請求項１０】 前記第４の工程では、陽イオン元素お
よび窒素を含有する窒素源を同時に供給することによ
り、前記第２の工程の処理と前記第３の工程の処理とを
同時に行う、ことを特徴とする請求項９記載の窒化物半
導体のヘテロエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313295A JP3962101B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10126009A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Yamaha Corp | 半導体結晶成長方法 |
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1995
- 1995-03-27 JP JP9313295A patent/JP3962101B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPH10126009A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Yamaha Corp | 半導体結晶成長方法 |
| JP2002348199A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Ulvac Japan Ltd | Ｉｉｉ族窒化物薄膜の形成方法 |
| US7604697B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-10-20 | Yamaha Corporation | Heteroepitaxial growth method for gallium nitride |
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