JPH08264451A - 円筒状のスパッタリングシールド - Google Patents

円筒状のスパッタリングシールド

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JPH08264451A
JPH08264451A JP7329032A JP32903295A JPH08264451A JP H08264451 A JPH08264451 A JP H08264451A JP 7329032 A JP7329032 A JP 7329032A JP 32903295 A JP32903295 A JP 32903295A JP H08264451 A JPH08264451 A JP H08264451A
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tube
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テップマン アヴィ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に材料を堆積させるスパッタリング装
置。 【解決手段】 装置は、ターゲットと基板の間に部分的
に延長するチューブを有して、基板に到達するターゲッ
ト材料流束の一部を選択的に遮り基板上の各領域に対称
的な堆積物流束を与える。特徴の１つは、チューブが内
側と外側の粒子遮断面を与える単一の円筒壁を有するこ
とである。チューブの内部面の上側端部は、該ターゲッ
トの中心からスパッタされた粒子が、前記基板支持部材
上に載置された基板のエッジに到達することを遮りこれ
を防止するような位置が与えられ、外部壁の下側面は、
ターゲットのエッジからの粒子の基板中心への通路を遮
断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
より半導体基板状に物質の層を堆積させることに関す
る。特に、本発明は、穴(holes )や溝(trench)等、基板
の最上面内まで延長するアパーチャーの表面が基板上に
堆積された物質の層で共形にカバーされる必要が有り、
また、穴又は溝のそれぞれのベース上に形成される堆積
層の厚さが基板上の各配置で実質的に等しくなるべきで
あるような、スパッタリングによる物質層堆積に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングは、半導体基板上に膜層
を堆積させる周知の方法である。典型的なスパッタリン
グ装置は、真空チャンバに包含された、ターゲットと基
板支持ペデスタルとを備えている。ターゲットは典型的
にはチャンバの頂部に固定され、チャンバ壁からは電気
的に絶縁されている。電圧ソースがターゲットを、チャ
ンバ壁に対して負の電圧に維持し、チャンバ内を低い圧
力に維持するガスを励起してプラズマにする。このプラ
ズマからのイオンは、ターゲットをスパッタする。
【０００３】１次近似として、ターゲットの任意の点か
らスパッタされた粒子の軌跡は余弦角分布を有してい
る；即ち、ターゲットの一点から発射されターゲットに
対する垂直からある一定の角度をもった軌跡上を進むス
パッタ粒子の密度は、この角度の余弦に比例する。ター
ゲットからスパッタされたターゲット粒子は、一般に、
直線の経路に沿って進み、接触したいずれかの面に堆積
する傾向があるであろう。
【０００４】スパッタリングの用途の１つに、基板の最
上面にある１つ以上のメタル、誘電体又は半導体フィル
ム層を貫通する穴又は溝の表面上に、共形のメタル堆積
層を与えることがある。ターゲットのスパッタリングに
より基板上に堆積されたメタルは、連続的、即ち共形の
コーティングを、穴又は溝の壁面及びベースに形成する
必要がある。
【０００５】基板上に堆積された全ての導電体が同じ抵
抗値を有するためには、メタルは均一な厚さで堆積され
なければならない。理想的には、穴又は溝のベース上に
堆積されるメタル膜層の厚さは、基板の外周近傍の穴に
関して、基板の中心近傍の穴に関してとは異ならないべ
きである。更に、各穴又は溝の側壁上に堆積される膜層
は厚さに関して対称的であるべきで、また、膜層は、壁
の全高にわたる厚さ又は各穴や溝のベースのスパンにわ
たる厚さが、比較的均一であるべきである。更に、各穴
や溝のどれかの側壁に形成された膜層は、他の穴や溝の
側壁に形成されたと同じ厚さ及び対称性を有しているべ
きである。しかし、穴や溝のベースに形成された膜層
は、穴や溝の壁に形成された膜層の厚さとは異なってい
ることがある。
【０００６】各穴や溝の壁やベースに堆積された膜層の
均一性は、個々の粒子が各穴や溝に到達する軌跡の角度
分布に依存する。基板表面に対して実質的に垂直な経路
で進行する粒子は、穴や溝の開口端を通過して穴や溝の
ベース上に堆積するだろう。基板表面に対して垂直から
角度をもって進行する粒子は、典型的には、基板の穴の
壁及び基板上面に堆積するだろう。
【０００７】スパッタリングシステムの共通の問題の１
つに、基板のエッジに隣接する穴において非対称な側壁
のカバレージが生じることがある。エッジの場所では、
穴の場所の内向きに配置されたターゲット領域から穴に
到達するターゲット材料の量は、穴の場所の外向きに配
置されたターゲット領域からのターゲット材料の量より
も多い。その結果、穴の壁に形成される膜層は、穴の外
向き部分で最も厚くなり、穴の内向き部分では最も薄く
なる。
【０００８】スパッタリングシステムに関する更なる問
題は、基板表面の中心近傍の穴を充填しようとする場合
に、ボイドが形成されてしまうことである。この場所で
は、ターゲットの外縁部分は大量の粒子を供給し、これ
らは、基板表面に対して大きく傾いた角度で進行する。
これらの粒子は、穴の壁の上端と、穴に隣接した基板表
面に堆積する。これらの粒子から形成された堆積物は、
穴の開口で張り出し、他の粒子が穴のベース及び穴のベ
ースに隣接する穴の下側壁に到達する経路を遮る。その
結果、穴の開口の上に張り出た堆積層が形成されて、穴
の内部に充填されていない領域（即ち、ボイド）が穴の
内部に残ってしまう。
【０００９】これらの問題点の従来からの解決策として
多孔のコリメータをターゲットと基板の間に与えること
がある。この多孔の部分は、基板の上面に対して実質的
に傾いた経路で進むターゲット粒子をスクリーニングし
て取り去る（即ち遮る）に充分な長さ対直径の比を有し
ている。傾いて進む粒子はコリメータ穴の壁に衝突して
壁上に堆積されるため、スクリーニングが与えられる。
基板表面に対して傾いて進行するターゲット粒子の流束
の一部がスクリーニングされて取り去られるので、基板
上の各配置に到達する流束は、基板内の穴の真上のター
ゲット部分によってのみ与えられる。即ち、それぞれの
基板の配置の真上のプレートコリメータの穴を介して与
えられるということである。このことにより、基板上の
各配置での対称的な流束が、穴内の未充填のボイドを生
じさせる張り出した物質の堆積を減少させるようになる
ため、ターゲット材料で穴内を均一且つ対称的に充填さ
せやすくする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プレートコリ
メータには、種々の不利な点がある。第１に、ターゲッ
トからスパッタリングされた粒子の多くの量が、コリメ
ータの表面上に堆積されることにより無駄になってしま
う。典型的には、少なくとも５０％、用途によっては９
０％もの、基板に到達するはずの材料が、コリメータに
よってスクリーニングされて取り去られる。更に、コリ
メータの穴は堆積物ですぐに充填されてしまい、この粒
子は穴をブロックし、穴の幅を狭めてしまう。結局、粒
子は穴を実質的にブロックし穴を充填してしまうため、
プレートコリメータはクリーニングされるか交換されな
ければならず、交換のためのコストが生じるばかりでな
く、メンテナンスに要する無駄な時間のコストをも生じ
させてしまう。最終的には、ターゲット粒子はプレート
コリメータの下側に低いエネルギーで衝突して、緩く付
着した堆積物を形成し、これは基板上に落下して基板を
汚染させてしまう。
【００１１】従って、均一で、対称的な共形の膜を、基
板表面だけでなく穴や溝にも堆積させることができ、メ
ンテナンスが最小ですみ基板への汚染が最小になるよう
な、スパッタリング装置への要求が存在する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
表面の穴や溝のベース及び束壁上にスパッタ堆積される
膜の均一性を向上させるコリメータ又はスクリーニング
チューブを提供する。本発明に従えば、チューブが堆積
チャンバ内のターゲットと基板の間に、ターゲット及び
基板の双方に実質的に垂直に配向する軸をもって置かれ
る。ターゲットと基板の双方が平坦な円形の面を有して
いる、最も一般的な用途では、チューブは円筒状又は環
状である。
【００１３】本発明の特徴の１つは、ターゲットの外縁
領域内部の点にあるスパッタリングされて離れた物質が
基板表面の対角の反対側の領域に堆積することを、遮る
ように、チューブが置かれることである。特に、ターゲ
ット表面の外縁近くの点と基板表面の最遠の（即ち対角
の反対側の）エッジの近くの点との間の直性状の経路と
交差するように、チューブが置かれる。従って、チュー
ブは、基板表面の外縁上に堆積するはずの、最も大きく
傾いた軌跡を有するスパッタされた材料の経路を遮る。
この特徴は、基板の外縁近くで高いアスペクト比の穴
に、ボイドのない充填を容易にし、その理由は、穴の頂
部を覆いつつも穴の内部に充填されないボイドを残すこ
とになるような、張り出した堆積物の形成を減少させる
からである。
【００１４】好ましくは、チューブの上端は、ターゲッ
トの中心領域からスパッタされた材料が基板の外縁に到
達することを防止するために充分ターゲットに近く延長
する。この特徴は更に、大きく傾いた角度で基板の外縁
に堆積され得る材料の量を減少させるため、更に、穴の
内部の充填されていないボイドを生じさせ得る突出した
堆積物の形成を減じる。
【００１５】本発明はまた、基板の外縁の近くの穴が、
その外向きの壁で内向きの壁よりも厚い堆積物を有する
傾向を減少させる。チューブが基板の外縁近くの穴の外
側壁上に堆積されるはずの、外向きの軌跡を有するスパ
ッタされた材料を遮りつつ、基板の外縁近くの穴の内側
壁へ堆積する内向きの軌跡を有する材料を遮ることはな
いので、上記の利点が生じている。
【００１６】好ましくは、（ａ）チューブの直径と
（ｂ）チューブとターゲットの間の距離を最適化するこ
とにより、基板外縁近くの穴の内側壁と外側壁への堆積
が等しくされる。特に、チューブの直径を増加させて、
チューブの上端とターゲットの間のギャップを減少させ
る事により、基板外縁近くの穴の外側壁への堆積物を減
少させるだろう。しかし、所定のチューブの直径と上側
延長部は、基板中心から特定の距離のところの穴のみに
対して最適な（即ち、等しく且つ対称的な）側壁のカバ
レージを与えるだろう。従って、近似のみが固有の最適
化である。好ましくは、チューブの寸法は、基板の外縁
よりも僅かに小さな、中心からの半径方向の距離で穴に
対して最適化される。
【００１７】本発明の第２の特徴では、ターゲット表面
の外縁からスパッタされた材料が基板の中心へ到達する
ことを防止するように、チューブが配置される。特に、
チューブは、ターゲット表面の外縁近くの点と基板表面
の中心近くの点との間の直線の経路を交差するような位
置をとる。従って、チューブは、基板表面の中心に堆積
するはずの、大きく傾いた軌跡を有するスパッタされた
材料の経路を遮る。この特徴は、基板中心近くの高いア
スペクト比の穴をボイドなしに充填することを容易にす
るが、その理由は、穴の頂部を覆いつつも穴の内部に充
填されないボイドを残すことになるような、張り出した
堆積物の形成を減少させるからである。また、スパッタ
された材料の一部が基板中心に到達することを遮ること
により、この特徴は、堆積された膜が基板中心の近くで
は、基板外縁よりも厚くなるような傾向を生じさせる。
【００１８】上述のような本発明の第１の特徴と第２の
特徴にそれぞれ従って、コリメータないしスクリーニン
グチューブは有利な大きさと位置が与えられ、第１の特
徴は基板の外縁近くの堆積を改善し、第２の特徴は基板
の中心近くの堆積を改善する。最も好ましくは、本発明
の第１の特徴と第２の特徴が同時に実現されるように、
チューブは寸法及び位置が与えられる。特に、所定の直
径のチューブに対しては、下側の端部は本発明の第２の
特徴を実現するように基板に充分近く延長し、上端部
は、本発明の第１の特徴を実現するように充分ターゲッ
トに近く延長する。
【００１９】本発明の更なる特徴として、基板とターゲ
ットとの間に、垂直に重ねられ及び／又は互い違いの構
成で複数の同心チューブが与えられて、本発明の堆積の
性質に、ターゲット腐食の別の輪郭を与え且つターゲッ
トと基板の別のサイズと幾何を与え、また、基板の中心
とエッジの間の場所に到達する堆積材料の対称性を向上
させる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以上の本発明の特徴及びその他の
本発明の特徴は、本発明の具体例を、添付の図面を参照
しつつ説明することにより、明らかになるであろう。
【００２１】本発明のスパッタリング装置及び方法は、
一般的には、図１に示されるように、従来のスパッタ堆
積チャンバ１０内でスパッタリングターゲット１４と半
導体基板１６の間にチューブ１２の位置を与えることに
よりもたらされる。チューブ１２は基板表面に対して傾
いて進行するターゲット粒子の一部を遮り、基板上の各
配置に対して更に均一且つ更に対称的な堆積粒子の流束
を与える。
【００２２】（スパッタリングチャンバの従前の部分）
図１に示されるように、本発明を実施するためのスパッ
タリングチャンバ１０は、一般には、少なくとも１つの
ガス流入口２６と排気ポンプ（図示されず）に接続され
る排気口２８を有するチャンバエンクロージャ壁２４を
有している。チャンバ１０の下側端部には基板支持ペデ
スタル２０が、チャンバ１０の上側端部にはスパッタリ
ングターゲット１４が、配置されている。ターゲット１
４はエンクロージャ壁２４から電気的に絶縁され、エン
クロージャ壁２４は好ましくは接地されて、接地された
エンクロージャ壁２４に対してターゲット１４には負電
圧が維持されていてもよい。動作に際しては、基板１６
は支持ペデスタル２０上の位置をとる。
【００２３】堆積プロセス中は、ガス、典型的にはＡｒ
等の非反応性ガスが、ガス流入口２６を介してマスフロ
ーコントローラにより調整された所定の流量で真空チャ
ンバ１０内に供給される。チャンバガスが排気口２８を
介してポンプにより排気される速度を絞ることにより、
チャンバ圧力が制御される。
【００２４】ＤＣ電力供給器が、エンクロージャ壁２４
に関して負の電圧をターゲット１４に印加し、ガスをプ
ラズマ状態へと励起させる。プラズマからのイオンがタ
ーゲット１４に衝突し、ターゲット１４からターゲット
材料の原子又はそれよりも大きな粒子をスパッタする。
ターゲット１４からスパッタされた粒子は、ターゲット
１４から直線の軌跡に沿って進行し、粒子の一部は基板
１６に衝突してその上に堆積する。
【００２５】従前のマグネトロンスパッタリングソース
は、ターゲット１４の上方にマグネット（図示されず）
を用いて、ターゲットのスパッタリング面に隣接するプ
ラズマイオンの密度、特に、ターゲット１４の中心と外
縁との中間の１対上の環状部分のプラズマ密度を増加さ
せる。最初に、ターゲット１４が図１に示されるように
平坦なスパッタリング面をもってチャンバ内に供給され
る。続いてターゲット１４のスパッタリングにより基板
が処理されるにつれて、図１の透視法で示されるよう
に、ターゲットには腐食の輪郭が生じ、そこでは、マグ
ネトロンにより作り出された強力な磁場の環状の領域
が、小規模に励起された環状の腐食領域１９と大規模に
励起された環状の腐食領域２１とを生み出す。
【００２６】（従来技術における穴の充填の問題）図２
及び３は、半導体基板の表面の穴又は溝内部の材料の堆
積における従来からのコリメータを用いないスパッタ堆
積システムの典型的な短所を例示する（本願の［従来の
技術］の項で述べたように、従来からの多孔式コリメー
タはここでの短所を克服するが、コリメータのクリーニ
ングや交換が頻繁に必要なメンテナンス上の深刻な問題
を発生させる）。
【００２７】図２は、図４に示される基板の外縁近くの
穴１００内部の典型的な堆積物の輪郭を例示する。この
堆積物膜は非対称的であり、穴１００の内側壁１０２で
最も薄く、穴１００の外側壁で最も厚い（内側壁は、基
板中心に最も近い側壁であり、外側壁は、基板外縁に最
も誓い側壁である）。
【００２８】図３は、図４に示される基板の中心に近い
穴２００内部の典型的な堆積物の輪郭を例示する。堆積
物の膜が穴２００の開口２０２に突き出ており、充填さ
れていないボイド２０４が穴２００内に残っている。
【００２９】図２及び３は、直径１３インチターゲット
から８インチの間隔で置かれた８インチ基板を用いた実
際に行ったテストに基づいたものである。小規模に励起
された環状スパッタリング領域は、ターゲット１４の中
心から半径１インチの場所にある。大規模に励起された
環状スパッタリング領域２１は、ターゲット１４の中心
から半径５インチの場所にある。
【００３０】（従来技術における非対称な堆積の原因）
基板の外縁近くの穴ないし溝１００内に非対称的な堆積
が生じる原因は、図４に示されている典型的なスパッタ
リング装置の幾何を調べることにより理解されるであろ
う。（以下の分析は近似であって正確なものではなく、
その理由は、図４の面の二次元のみでスパッタリング分
布を考慮し、もっと複雑な三次元の分布パターンを考慮
していないからである。）穴１００では、穴の外向きに
配置されたターゲットの比較的小さい領域（穴１００で
基板に対して垂直な線ｘから各α1 の内部も含まれる）
が、穴１００の内向き壁１０４にターゲット材料を供給
する。従って、穴又は溝の外向きの側部１０４は、内向
き側部１０２に到達するよりも大きな速度をもって堆積
粒子を受容し（図２に示されている如く）、穴内に形成
される膜は非対称になる。
【００３１】これとは対称的に、基板の中心近くの穴２
００では、壁上の堆積物は対称的である。穴２００の場
所で基板１６の表面に対して垂直な線ｙの右側のターゲ
ット１４の部分からスパッタリングされたターゲット材
料は、角度α2 の中に入り、これは、線ｙよりも左の角
度β2 内に含まれるターゲット１４の部分からスパッタ
されたターゲット材料と等しい。
【００３２】（従来技術における突き出しの問題）しか
し、スパッタされた粒子はα2 及びβ2 という広い角度
の範囲にわたって中心穴２００へと進むため、穴２００
上に堆積される材料の大部分は、大きく傾いた角度で穴
２００に到達する。このように大きな角度の軌跡を有す
るスパッタ材料は、高いアスペクト比の穴２００内にあ
まり深く進入できない。従って、図３に示されるよう
に、穴の壁の最上部分へは、不釣り合いな材料の量が堆
積し、穴の頂部を閉じさせ穴内部に充填されないボイド
を残す、材料の突き出た部分を生じさせる。
【００３３】（ターゲットと基板の間の新規なチュー
ブ）穴に堆積される膜層の堆積の輪郭を図２、３に示さ
れる状態から改善するため、図１に示されるように、タ
ーゲット１４と基板１６の間にチューブ１２が配置され
る。ユニークなことに、チューブ１２の壁の内側面と外
側面の双方は、ターゲット１４の選択された領域を、基
板１６の選択され領域から遮る面を与えるので、基板１
６の中心及びエッジでのターゲット材料の対称的な流束
を与え、同時に、基板１６の最上面に対して大きく傾い
て進行するターゲット粒子の量を減少させる。
【００３４】好ましくは、チューブ１２の露出面は、プ
ラズマに暴露された際にチャンバを汚染しない材料で構
成されている。従って、チューブ１２は好ましくは、タ
ーゲット１４と同じ材料で作製される。チューブ１２は
チャンバ１０内で基板１６とターゲット１４の間に、対
向する共通の軸をもつロッド７０及び７２により架設さ
れ、これらのロッドはチューブ壁４０に１８０゜の間隔
をもって、チューブ１２の上側環状端部４２と下側端部
４３の中間で接続されている。ロッド７２は、シールさ
れたロータリーカップリング７６を介してチャンバ壁２
４に載置され、ロッド７０は、チューブ壁４０から、チ
ャンバ壁２４で第２のシールされたロータリーカップリ
ング７６を介して延長する。モータ７８又はその他のロ
ータリー駆動部材が、チャンバ１０の外側でロッド７０
の端部に接続され、以下に更に説明するように、チュー
ブ１２を選択的に回転させる。
【００３５】チューブ１２は総量的なコリメーションを
与える。即ち、チューブ１２は、ターゲット１４から基
板１６の方へ通過するターゲット粒子の流れから、基板
１６の表面に対して大きく傾いた軌跡で（つまり、基板
表面の面に対して小さな角度の軌跡で）進行するターゲ
ット粒子の部分をスクリーニングする。
【００３６】本発明の特徴の１つに、チューブ１２が、
基板１６の中心からターゲットのエッジを遮るように配
置されることがある。これは、ターゲット粒子の流束か
ら、基板の最上部に対して大きく傾いた角度で進む粒子
を排除し、基板１６の中心で開口内に形成される堆積物
の突き出しを排除する。
【００３７】本発明の他の特徴は、基板１６のエッジか
ら、基板エッジの外側に配置されたターゲットの領域を
越える基板のエッジの内側に配置されたターゲット１４
の部分を遮るように、チューブ１２が与えられることで
ある。このことにより、基板エッジへターゲット粒子の
対称的な流束が与えられる。
【００３８】本発明の更なる特徴は、突き出し部分の除
去と対称性の向上の２つの特徴の双方を与えるようにチ
ューブが構成されることである。この構成では、穴内に
形成された堆積物層は基板の中心とエッジで同じ対称性
を有することになり、基板の中心とエッジの間の位置で
穴内に形成された堆積物層は、更に高められた対称性を
有することになり、基板の中心に隣接する穴は、従来の
プレートコリメータの欠点をもたずに従来のコリメータ
を用いないスパッタシステムと比較して、突き出た部分
が少なくなる。
【００３９】本発明のそれぞれの特徴では、基板からタ
ーゲットへの間隔は、好ましくは、ロングスロー(long-
throw)の間隔、即ち、ターゲット１４と基板１６の間の
距離は少なくとも基板の直径に等しい距離である。この
ロングスローの距離、ないしは、ターゲット１４と基板
１６の間の僅かに小さな間隔で従来の間隔よりも典型的
には大きな間隔は、典型的には、チューブ１２の長さに
は、並びに、チューブの端部とこれに隣接する基板１６
及びターゲット１４面との間に必要な間隔には、必要と
されるものであり、これら全ては、以下のデザインの方
法に従って最適化される。
【００４０】（基板中心近くの突き出しを防止するため
のデザインの最適化）チューブ１２のサイズ及び位置
は、基板１６の中心の近くの穴２００（図４及び５を参
照）の上方の突き出た部分を排除するように最適化され
る。最初に、チューブ１２のサイズと位置の１次近似が
なされ、次いで、チューブ１２のサイズ及び／又は位置
が、チューブ１２によって最適な対称性と膜厚の均一性
が与えられるまで、１次近似のそれから増加の方向に変
化されていく。チューブ１２の初期の制限は：（１）チ
ューブ１２がターゲット１４に隣接するプラズマシース
を妨害しないように、チューブの上側環状端部４２とタ
ーゲット１４の間の間隔は、好ましくは、少なくとも
１．５インであり、（２）チューブ１２により基板１６
が遮られることを防止するため、チューブ１２の下側環
状端部４３は基板１６の堆積物受容面から少なくとも
１．５インチの間隔である。
【００４１】これらの制限の中で、基板１６の中心での
突き出た部分の排除のためのチューブ１２のサイズ及び
位置の１次近似は、基板１６及びターゲット１４の所定
のサイズ及び間隔として決定される。この１次近似は、
チャンバ１０、基板１６、ターゲット１４及びターゲッ
トから基板への間隔の縮尺された図面によってなされて
もよい。
【００４２】図５に示されているように、チューブ１２
のサイズ及び位置の１次近似を始めるにあたり、基板１
６及びターゲット１４は、模式的な表現で描かれて、ス
パッタリングチャンバ１０を、基板１６とターゲット１
４の間の８インチの間隔が任意の縮尺となるように縮尺
する。そして、参照ラインｙを、ターゲット１４及び基
板１６の双方と垂直に且つ双方を通過するように決め
る。
【００４３】この１次近似では、チューブ１２の下側環
状端部４３は、参照ライン１５４で示されているよう
に、基板１６から最小の距離で配置されている。チュー
ブ１２の下側環状端部４３は、チューブ１２のサイズ及
び位置が与えられるようにベースラインが選択され、そ
の理由は、壁４０の下側領域が、ターゲットのエッジ領
域を基板中心から遮るからである。
【００４４】チューブ１２の直径を決定するために、基
板１６の中心からターゲット１４のエッジまで、参照ラ
インｙ1 が引かれる。この参照ラインｙ1 及び参照ライ
ン１５４の交点が、チューブ１２の直径を決める。次い
で、ラインのチューブ壁４０の外面を与える線分１５２
が参照ラインｙ1 と参照ライン１５４の交点から上向き
に引かれる。また、線分１５２のミラーイメージを図の
中心ラインｙの反対側に引き、第１の参照ライン１５２
から１８０゜の位置に円筒状の壁４０の反対側が与えら
れるようにする。
【００４５】チューブの高さを決定するために、第２の
参照ライン「ｌ（エル）」が、中心線ｙに対して所定の
角度γをもって基板１６の中心から延長する。スパッタ
された材料が基板の中心からγよりも大きな角度をもっ
て堆積することを遮ることが、基板中心の近くの穴又は
溝をボイドなしに充填させることが可能になるように、
角度γは充分小さく選択される。参照ライン「ｌ」と参
照ライン１５２の交点は、チューブ１２の上側環状端部
４２の位置を決め、これは下側環状端部４３と平行に引
かれてチューブ１２の断面を完成させる。
【００４６】２つ前のパラグラフに従って決められるチ
ューブの直径は、ターゲットエッジよりのスパッタ粒子
から基板１６の中心の穴２００を遮蔽するが、中心から
幾分ずれた穴２０５は完全には遮蔽しない。特に、ター
ゲットの対角の反対側のエッジからこのような点２０５
を遮蔽するが、ターゲットの最も近い方のエッジからは
遮蔽しない。従って、図５の線分１５３で与えられてい
るように、チューブの直径を幾分か増加させることが望
ましい。所定の直径のチューブ及び基板からチューブま
での所定の距離に対して、ターゲットエッジとチューブ
１２の最も近い下側エッジの間に延長する参照ラインｙ
2 は、穴が存在でき且つターゲットの最も近い方のエッ
ジからのスパッタ粒子からチューブによって遮蔽され
る、基板中心からの半径方向の最も大きな距離を表す、
点２０５で、基板表面と交差する。
【００４７】（基板エッジ近くで突き出る部分を減少さ
せるデザインの最適化）基板１６の外縁近くの穴１００
の上の突き出た堆積物を減少させるように、チューブ１
２のサイズ及び位置は最適化される（図４又は６参
照）。突き出た堆積物は、基板表面に対して大きく傾い
た（即ち非垂直な）軌跡を有するスパッタ材料により生
じる。傾いて到達する材料は、高いアスペクト比を有す
る穴に対しては、穴の壁を叩く前に内部に深く浸透する
ことができない。従って、穴がスパッタ材料で充填され
る前に過剰な厚さの材料が穴の頂部近くに堆積して結局
穴を覆ってしまい、穴内部に充填されないボイドを生じ
させる。
【００４８】突き出た堆積物は特に、基板の外縁の近く
でよく見られ、その理由は、基板のこの領域は、一番傾
き得るスパッタ材料、即ち、図６の軌跡線「ｒ」で示さ
れるようなターゲットの対角の反対側の領域からのスパ
ッタ材料を受容するからである。チューブ１２が、ター
ゲットの一方のエッジからのスパッタ材料が基板の対角
の反対側のエッジに到達することを遮ることにより、突
き出た堆積物を減少又は排除することが可能である。図
６を参照すれば、チューブの側壁１５２が、基板の一方
のエッジの近くの穴１００からターゲットの対角の反対
側のエッジまで延長する経路「ｒ」と交差するように、
チューブ１２の位置を与えれば、このことは達成され
る。
【００４９】前のパラグラフで特定されたような位置を
とるチューブは、基板１６のエッジ近くの穴１００がタ
ーゲットの対角の反対側のエッジからのスパッタ粒子を
受容することを遮るが、チューブは外縁の穴１００から
幾分か内側に入った穴１０５を遮蔽しない。対角の反対
側のエッジから発せられるスパッタ粒子から穴１００と
１０５の間の環状の領域を遮蔽することが望ましい場合
は、図６の透視線４８及び４９に示されているように、
チューブ１２は下方向に延長され及び／又はその直径が
増加されてもよい。穴１０５からターゲットの対角の反
対側のエッジへの軌跡線「ｓ」は、穴１０５の対角の反
対側でチューブの下側端部と交差すべきである。チュー
ブの直径を増加させること及び／又はチューブの軸延長
部を基板の方向に増加させることにより、ターゲットの
エッジからのスパッタ粒子から遮られる、基板の外縁で
係る環状の領域の幅を増加させる。
【００５０】チューブ１２を、最悪のケース（最大に傾
いた）軌跡「ｒ」ほどには傾いていない軌跡を有する材
料を更に遮るようにチューブ１２の寸法を与えることに
より、突き出た堆積物を更に減少させることができる。
この交差の点から上向きに延長するチューブ壁は、外縁
の内向きのターゲット領域から基板のエッジに向かって
スパッタされた材料を遮るだろう。チューブの上向きの
延長部を更に長くすることにより、ターゲットの中心領
域からのスパッタ材料が基板のエッジに堆積することを
遮る。図６を参照し、チューブは、対角線「ｒ」と線ｘ
3 の間のターゲットの大きな領域からのスパッタ粒子か
ら、基板エッジに隣接する穴１００を遮蔽するだろう。
ここで、ｘ3 は、穴１００からチューブの上側（ターゲ
ットに面した）端部４２の最も近い点へ延長する線であ
る。
【００５１】（基板エッジ近辺での均一な壁カバレージ
のためのデザインの最適化）基板の外縁近くの穴が、そ
の内向きの壁よりも外向きの壁でより厚い堆積物を有す
る従来からの問題を解決するために、デザインを最適化
することが可能である。基板エッジから、エッジの場所
の外向きに配置されたターゲット１４の領域に延長す
る、エッジの場所の内向きに配置されたターゲット領域
の部分を遮るように、チューブ１２のサイズ及び位置が
与えられる。図６には、対称性を得るためのチューブの
サイズ及び位置を決めるための、この配置の縮小レイア
ウトと方法が示される。
【００５２】１次近似を始めるに当たり、チューブ１２
の上側（ターゲットに面した）端部４２はターゲット１
５のできるだけ近くの位置がとられる。前述のように、
上側端部はプラズマシースを妨害しないようにターゲッ
トから充分遠くにあるべきであり、好ましくはターゲッ
ト表面から約１．５インチである。図６では、水平な
（ターゲットに平行な）参照線１５０は、ターゲット１
４のスパッタ面１５から１．５インチに縮尺されて描か
れ、チューブの上側端部４２の位置を与える。チューブ
の上側端部４２は、チューブのサイズ決めのための始め
の参照位置として用いられ、その理由は、チューブの上
側端部の内面がターゲットの中心領域から基板エッジを
遮蔽するからである。
【００５３】次いで、参照線ｘが、基板エッジに隣接す
る穴１００の配置で基板１６に対して垂直に引かれる。
第２の参照線ｘ2 が穴１００からターゲット１４の最も
近い方のエッジまで引かれ、この参照線ｘ2 と参照線ｘ
の間の角度α1 が測定される。第３の参照線ｘ3 が、穴
１００から参照線ｘに対して、α1 ＝β1 となる角度β
1 をもってこの内側に引かれる。この線ｘ3 と参照線１
５０（チューブ１２の上側端部４２を表す）の交差点
は、チューブ壁４０の直径を与える。
【００５４】基板のエッジ近くの穴１００の内壁１０２
上へスパッタされる材料の量は、概して、角度α1 に比
例し、外壁１０４上へスパッタされる材料の量は、概し
て、角度β1 に比例する。チューブの上側端部４２は、
角度α1 とβ1 がおよそ等しくなるような垂直方向の間
隔と直径を有しているので、穴の内壁及び外壁にスパッ
タされる材料の量はおよそ等しくなり、穴は望ましい対
称的な堆積物のカバレージを有することになる（これら
の関係はおよそのものであって厳密なものではなく、そ
の理由は、二次元的なスパッタの幾何の図のみ考慮して
デザインの簡略化を行ったからである）。
【００５５】チューブの直径とチューブ１２の上側端部
４２の垂直位置が与えられれば、決定に必要な残りのパ
ラメータは、下側端部４３の垂直位置であるチューブの
長さだけである。ここで、基板エッジ近くの穴１００
を、図６の軌跡線ｘ3 及びｒの間のターゲットの領域よ
りのスパッタ粒子から遮蔽することが目的となる。この
ことは、チューブを、穴１００とターゲットの対角の反
対側のエッジの間の軌跡ｒと交差するまで下向きに延長
させることを要求している。このことは、前出の「基板
エッジ近くで突き出る部分を減少させるデザインの最適
化」のセクションに説明されると同じ要求である。従っ
て、チューブの下側端部４３を与える手法は、この前出
のセクションに説明されていると同じである。
【００５６】ここで説明されたように、ウエハのエッジ
近くの穴のカバレージの対称性を最適化するデザイン
は、ウエハのエッジを、ターゲットの中心領域及び対角
の反対の外縁領域よりのスパッタ材料から遮蔽すること
を有するので、このデザインは同時に２つの目的を有す
ることになる：（１）ウエハエッジ近くの穴の内部で壁
の対称的なカバレージと、（２）ウエハエッジ近くの穴
における突き出た堆積物の減少とである。実際、対称的
なカバレージを得るためのデザインは、突き出し部分を
減少させるデザインの一部と考えることができ、ここで
は、チューブの直径と上側端部４２の垂直位置とが、穴
の壁のカバレージの対称性を最大にするように選択され
る。
【００５７】（基板のエッジ及び中心の双方でのデザイ
ンの最適化）図７には、図５及び６に関して前述したデ
ザインの利点を組合わせたチューブのデザインが示され
る。これを換言すれば、基板の中心近くの穴及び基板の
外縁近くの穴の双方での突き出た堆積物を減少又は排除
することであり、また、外縁近くの穴の側壁カバレージ
の対称性を改善する。
【００５８】この組合わせのデザインは、図６に示され
この詳細な説明の前のパラグラフで説明されたような、
対称性を最良にし且つウエハのエッジ近くの穴において
突き出た部分を最小にするように最適化される、前出の
デザインを検討することにより派生する。図６を検討す
ることにより、チューブが基板に向かって下向きに延長
することはウエハ１６のエッジにおいては堆積に影響し
ないので、そこでの前出の対称性の最適化に影響しない
だろうことが明らかになる（この説明は、概ね正確であ
るとしか言えず、その理由は、図６がスパッタの幾何を
二次元的に表しているに過ぎないからである。しかし、
この説明は、初期のデザインのためには充分正確であ
り、最良の特性のために繰り返し調整できるものであ
る。）。
【００５９】チューブを下向きに延長することは、穴１
００の内側に配置される穴での堆積に影響する。図６の
透視線４８に示されているようにチューブがわずかに下
向きに延長する場合は、チューブはウエハ外縁の内側に
配置される穴１０５を遮蔽し、これは、ターゲットの対
角反対側のエッジからのスパッタ材料であって即ち最も
傾いた軌跡を有するスパッタ材料から外側の穴１００を
遮蔽すると同様の手法で行われる。チューブが図７に示
されるように更に下向きに延長する場合は、チューブ
は、基板の全ての配置を、ターゲットの対角反対側エッ
ジからのスパッタ材料を受容することから遮蔽するだろ
う。これを達するため、チューブの下側端部４３は、基
板チューブ心からターゲットのエッジの点まで延長する
軌跡線ｙ1と交差するまで下向きに延長すべきである。
その結果、このデザインは、ウエハの中心近くの穴内の
突き出た堆積物を有効に減少させる。
【００６０】チューブが更に、基板の中心より幾らかず
れている点２０５からターゲットの最も近い方のエッジ
まで延長する軌跡線ｙ2 と交差するまで下向きに伸びた
場合、中心のより広い領域が、ターゲットのエッジの近
くから発し即ち傾いた軌跡を有するスパッタ材料から遮
蔽されるだろう。
【００６１】（チューブの一次近似からの最適化）チュ
ーブ１２の本来のサイズ及び配置の一次近似は、参照線
ｘ及びｙに関したターゲット領域の二次元的な表現をも
とにしており、即ち、三次元のスパッタリングの幾何的
関係を二次元的に表現したものをもとになされている。
従って、一次近似のチューブ１２は、チューブ１２に可
能な最適な対称性、突き出し堆積物の最適な排除、又
は、対称性と突き出し堆積物排除の最適な組合わせを与
えないことがある。更に、基板１６とターゲット１４の
間にチューブ１２を包含させることにより、基板１６上
に堆積される膜層の厚さが、チューブ１２が存在しない
同一のスパッタリングチャンバ比較して変化するだろ
う。従って、一次近似により決定されたチューブ１２の
サイズ及び／又は位置は、増大する方向に変化される必
要が有り、チューブ１２のサイズ及び位置を相互に最適
化するように、基板１６全体の堆積物の厚さ並びに基板
１６上の様々な位置での堆積物層の対称性に関する、こ
の増大方向変化の影響を測定する必要がある。
【００６２】一度チューブのサイズ及び位置の一次近似
がなされれば、ターゲット１４及び基板１６のサイズと
間隔の各パラメータ、ターゲットの腐食輪郭、並びに、
チューブ１２の直径、高さ及び位置を独立して変化させ
て、ターゲット１４及び基板１６のサイズと間隔、ター
ゲットの腐食輪郭、並びに、チューブ１２の直径、高さ
及び位置の決定を反復的に行ってもよい。
【００６３】例えば、基板の直径が増加された場合は、
エッジに到達する堆積物の流束の対称性が変化するだろ
う。その理由は、エッジの内向き側面に配置されるより
も小さなターゲット領域の部分が、エッジの外向き側面
に配置されるだろうからである。同様に、基板の直径が
小さくなった場合は、エッジの位置に到達する堆積物の
対称性は再び変化し、その理由は、エッジの位置の外向
き側部でのターゲット領域が、エッジの位置の内向き側
部でのターゲット領域よりも大きくなるからである。
【００６４】基板とターゲットの間隔に関し、他の変数
を固定させた場合、基板をターゲットから離れるように
移動させることにより、非対称性が進み、ターゲットの
エッジ位置に隣接する堆積物の厚さが減少する傾向があ
る。ターゲットの中心では、堆積物の厚さは減少するだ
ろうが、対称性は、基板１６とターゲット１４の間隔を
増加させたときと同じ又は実質的に同じに維持される。
基板１６とターゲット１４の間隔を小さくすれば、エッ
ジの堆積物は再び非対称性が進むが、堆積物の厚さは増
加する。同様に、基板中心では、堆積物層の対称性は維
持されるが堆積物の厚さ増加する。
【００６５】腐食輪郭を変えれば、堆積物層の対称性と
厚さに対して影響があるだろう。環状の励起スパッタリ
ング領域の直径が小さくなれば、チューブ１２は基板１
６のエッジ領域に向かうターゲット粒子を更に多く遮る
ようになるため、穴の内向き側部から飛来する粒子の流
束を減少させる。従って、基板エッジに隣接した穴内の
堆積物が対称的であれば、環状の励起スパッタリング領
域が配置される直径を小さくすることが、堆積物の非対
称性を増加させるだろう。更に、エッジの位置に到達す
るターゲット材料流束を減少させることが、この位置で
の堆積物層を薄くする結果を生じさせるだろう。基板１
６の中心では、チューブ壁４０は環状の励起スパッタリ
ング領域の直径を小さくした場合、この領域からのスパ
ッタ材料をあまり遮蔽しなくなり、その結果、基板中心
の堆積物の厚さが増加する。しかし、この変化は、基板
の中心において何の影響も与えず、なぜなら、ターゲッ
ト材料の流束は中心の配置の周囲の対称性を増加させる
だろうからである。
【００６６】チューブ１２の上側環状端部４２及び下側
環状端部４３の位置をターゲット１４及び基板１６に対
して変えることにより、堆積物の流束の対称性も変化す
る。チューブ１２の上側環状端部４２がターゲット１４
から離れるように移動される場合は、基板１６の内向き
側部から基板エッジに到達する堆積物材料の量が増加さ
れるであろう。同様に、上側環状端部４２がターゲット
１４の方向に移動された場合は、基板１６の内向き側部
から基板エッジに到達する堆積物材料の量が減少される
であろう。更に、チューブ１２の上側環状端部４２がタ
ーゲット１４に近付くように移動した場合は、基板１６
の全ての領域に到達する材料の量は減少し、ゆえに、堆
積物層はより薄くなるだろう。同様に、上側環状端部４
２をターゲット１４から離れるように移動させれば、基
板１６の全ての領域に到達するターゲット材料の量が増
加するため、堆積物層の厚さが増加する。
【００６７】チューブ１２の下側環状端部４３と基板１
６の間の距離を変えることも、堆積物の厚さに影響す
る。下側環状端部４３を基板１６に向けて移動させるこ
とが、基板１６の中心領域に到達するターゲット材料の
量を減少させるので、下側環状端部４３を基板１６から
離れる方へ移動させれば、基板１６の中心領域に到達す
るターゲット材料の量を増加させるだろう。更に、チュ
ーブ１２の下側環状端部４３を基板１６から離れるよう
に移動させることにより、低い角度の軌跡で基板１６に
係合するターゲット粒子の量が増加するので、穴の表面
の上方に形成される堆積物層が図３に示されるように突
き出す結果となる可能性が増す。
【００６８】チューブ１２の直径を変化させることによ
っても、堆積物層の対称性と厚さが変化する。チューブ
１２の直径が大きくなる場合は、基板１６の内向き側部
から基板エッジに到達するターゲット材料の量が減少
し、増加した、対称的な流束が基板１６の中心に到達す
る。チューブ１２の直径が小さくなれば、基板１６のエ
ッジに到達するターゲット材料の量が増加し、減少して
いるが対称的な分布をもった流束の量が基板の中心に到
達する。チューブ１２の最終的なサイズ及び配置、基板
とターゲットの最適なサイズ及び間隔、並びに、マグネ
トロンの最適な構成の反復的な決定は、試行錯誤により
行われてもよい。しかし、いわゆる当業者には、この反
復は適当にプログラミングされたコンピュータによって
も行うことができるだろう。
【００６９】（一次近似のための別の条件）基板エッジ
に対称性を与えるため（図６及び７）のチューブ１２の
一次近似は、基板エッジの内側側部及び外側側部の双方
で等しいスパッタリング領域が基板エッジに露出される
近似に基づいている。現実には、ターゲットが領域１
９、２１（図１に示される）のような励起スパッタリン
グ領域を有している場合は、外向きに配置されたターゲ
ット１４の部分から外側の励起スパッタリング領域を越
えてスパッタされる材料はほとんどないだろう。従っ
て、参照ラインｘ、ｒがターゲット１４と交差する参照
配置は、ターゲット１４のエッジ以外の、外側の励起ス
パッタリング領域の最外エッジであってもよい。更に、
チューブ１２のための開始参照配置、即ち下側環状端部
４３又は上側環状端部４２の位置は、各近似に対して逆
にされてもよい。
【００７０】更に、下側環状端部４３とチューブ４０が
ターゲットのエッジから基板の中心を遮る（図５及び
７）位置は、基板エッジだけでなく基板の中心領域も壁
４０によって遮られるように変更されてもよい。このこ
とが、チューブ１２の突き出し部の減少の効果が現れる
基板の領域を増加させるだろう。
【００７１】（エッジ対称性及び突き出し部分に関する
チューブの効果）図８及び９を参照し、基板エッジに隣
接した穴１００に形成された堆積物並びに、基板中心の
穴２００に形成された堆積物に関するチューブ１２の効
果が示される。エッジの位置では、図７に示されるよう
に、穴１００に形成される堆積物は対称的である。この
ことは、エッジの位置で対称的な流束を与えるようにタ
ーゲット材料の流束をスクリーニングするように、チュ
ーブ１２を最適化した結果である。基板１６の中心に配
置された穴２００（図８）では、チューブ１２は流束の
対称性を変化させないが、チューブ１２は基板１６の堆
積物受容面の表面に対して大きく傾いて進む粒子をスク
リーニングして取り去るので、穴２００の入口に蓄積さ
れるターゲット材料の量を減少させる。その結果、堆積
物は、対称的になり、コリメータを用いない従来のチャ
ンバにより生じる突き出し部分又は球面の非充填領域を
含まない。
【００７２】チューブ１２の最適な結果を与えるために
は、チャンバ内の圧力は、チャンバ内の平均自由行程が
ターゲット１４と基板１６の間の距離を越えるような圧
力に近く又はこれより低く維持されるべきである。チャ
ンバ内の圧力をこのように維持することにより、ターゲ
ット粒子と背景のガス原子の間の衝突は、チューブ１２
のサイズ及び位置の最適化の際には実質的に無視しても
よい。
【００７３】（複数のチューブの具体例）図１０を参照
し、内側チューブ１６０と外側チューブ１７０の具体例
で説明される複数のチューブが示される、本発明の更な
る具体例が示される。２つのチューブ１６０、１７０の
サイズ及び位置も、まず、チューブ１６０、１７０のサ
イズ及び位置の幾何関係に基づく近似を求め、その後、
最終的な構成のために反復することにより、決定され
る。最適には、チューブ１６０及び１７０は、基板１６
上に、対称的な流束が堆積される３つの領域が与えられ
る：基板１６の、エッジ、中心及びエッジと中心の間の
位置である。従って、一次近似として、チューブ１６
０、１７０の上面が、この３つの場所に対称的な流束を
生じさせるようにその位置が与えられ、他方、チューブ
１６０、１７０の下側端部は、基板の最上面に対して大
きく傾いて進行するターゲット粒子を遮るようにその位
置が与えられるべきである。
【００７４】一次近似を始めるに当たり、ターゲット１
４、基板１６及びターゲットと基板の間隔がまず図１０
に示されているように縮尺されて引かれる。次いで、参
照線ｘが基板１６のエッジ位置（図１０では１８０で指
示）に垂直に引かれる。そして、参照ラインｘ3 がエッ
ジ位置１８０からターゲット１４のエッジまで引かれ、
補助的な参照ラインｘ2 が基板からターゲット１４まで
引かれる。ラインｘと参照ラインｘ3 の間の角度αは、
参照ラインｘとｘ2 の間の角度βと等しい。そして、参
照ラインｙが基板の中心位置１８２から垂直に引かれ、
参照ラインｚが、基板１６のエッジと中心の間の中間の
位置１８４で基板１６に垂直に引かれる。参照ラインｙ
2 が参照ラインｙと角度αをもって引かれ、ライン
ｚ2 、ｚ3 が参照ラインｚの各サイドでこれと角度αを
もって引かれる。ラインｙ2 とｚ2 の交点及びラインｚ
3 とｘ2 の交点が、チューブ１６０及び１７０の上側端
部を決め、エッジの位置１８０、中心の位置１８２及び
中間の位置１８４において対称的な流束を与える。
【００７５】チューブ１６０、１７０のそれぞれの下面
の位置を決めるため、チューブはチャンバ内で、ターゲ
ット１４のエッジよりの粒子が基板１６の中心に到達す
ることを遮断するに充分な距離に延長する必要がある。
図１０のチャンバ配置では、このことは、内側のチュー
ブ１６０の壁を下向きに、ターゲット１４の中心位置１
８４とエッジの間に延長するラインｙ3 の下になるまで
伸ばすことにより達せられる。そして、外側のチューブ
１７０の壁も同じ距離だけ下向きに延長されて、２つの
チューブ１６０、１７０のサイズ及び配置の一次近似が
与えられる。
【００７６】この一次近似から、チューブ１６０、１７
０の最終的な構成は、単一のチューブ１２の最適化を実
施したと同様に、反復により最適化される。
【００７７】複数のチューブの構成が、チューブ１６
０、１７０のそれぞれが同じ高さを有し、これらの上側
端部がターゲット１４から等しい間隔で配置されている
ように示されているが、チューブ１６０、１７０は本発
明の範囲から離れることなく、異なる高さを有していて
もよく、又は、同じ高さを有するがターゲット１４から
は異なる距離で配置されていてもよい。
【００７８】（自己クリーニングチューブの具体例）堆
積プロセスの間、ターゲット１４からスパッタされる材
料の一部は、チューブ１２の下側環状端部４３、上側環
状端部４２及び壁４０上に堆積されてもよい。下側環状
端部４３に堆積される粒子は、典型的には、低い衝突エ
ネルギーでチューブ１２に係合されるだろう。ターゲッ
ト粒子が低いエネルギーで表面に堆積された場合は、堆
積面上に緩く付着した粉状堆積物を形成することがあ
る。この緩く付着した堆積物はチューブ１２から剥がれ
落ち、基板１６を汚染してしまう。従って、チューブ１
２等の、基板１６とターゲット１４の間に配置された物
体は、定期的にクリーニングされて低いエネルギーで表
面に堆積された材料を除去し、堆積物が剥がれ落ちて基
板１６を汚染することのないことを確保する必要があ
る。
【００７９】本発明のチューブ１２によれば、チャンバ
１０内でチューブ１２を回転して、ターゲット１４に対
して下側環状端部４３と上側環状端部４２を定期的に反
転させることにより、この定期的な除去作業を排除する
ことができる。端部４２と４３を交互にターゲット１４
の表面に隣接させることにより、高いエネルギーのター
ゲット粒子の流れは、定期的な間隔で、チューブの端部
４２及び４３に衝突し（即ち、端部４２又は４３がター
ゲット１４に隣接して配置され）、高いエネルギーの衝
突した、連続的な、堅く付加した膜層を形成し、これ
は、緩く付着した全ての堆積物をカバーし、及び／又
は、包含し、チューブ１２の定期的なクリーニングの必
要性を取り除く。チューブ１２は、駆動モータ７８の動
作によりこれに接続されたロッドを回転して単一基板上
への材料層の堆積の間に１回以上、回転されてもよく、
所望であれば、１つ以上の基板１６がチャンバ１０内で
処理された後に回転して、チューブ１２の上側環状端部
４２と下側環状端部４３の位置を反転させてもよい。好
ましくは、端部４２及び４３は、チューブ１２の寿命に
わたってそれぞれ同じ時間だけ、ターゲット１４に隣接
し且つ実質的に平行に維持される。
【００８０】チューブ１２のクリーニングとクリーニン
グの間の時間を延長させるこの方法は、粒子の発生がコ
リメータのクリーニングとクリーニングの間の時間を制
限する因子であるような物理的なコリメータ装置や、タ
ーゲット１４、基板１６やその他のチャンバ部材に接触
させずに物理的なコリメータが回転されるような物理的
なコリメータ装置に応用されてもよい。
【００８１】本発明により可能となった堆積層の対称性
の改善は、従来技術のプレートコリメータスパッタリン
グ装置に特有の頻繁なメンテナンスなしに与えられる。
【００８２】いわゆる当業者には、一次近似を行いその
後反復試行を行って、１つ以上のチューブ１２のサイズ
及び位置を最適化し、特別なターゲット腐食の輪郭に対
して本発明の利点を与えることは、簡単且つ迅速に行い
得ることである。同様に、基板１６のサイズ、ターゲッ
ト１４のサイズ、ターゲットと基板の間隔、チューブ１
２のサイズと配置及びターゲット腐食の輪郭１７を変形
して、チューブ１２の対称性の向上の効果を得る一方
で、基板１６の表面上の均一な膜厚も与えてもよい。基
板とターゲットの間に１つ以上のチューブを用いること
により、コリメーションを与えて、均一で対称的な堆積
を基板上の各穴に可能にし、また、基板上の全ての配置
に到達する均一な堆積物の流束を与えて、基板上の穴の
配置から穴の配置へ測定される均一な堆積物を可能にす
る。
【００８３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、チューブが、堆積チャンバ内のターゲットと基板の
間に、ターゲット及び基板の双方に実質的に垂直に配向
する軸をもって置かれる。
【００８４】従って、半導体基板の表面の穴や溝のベー
ス及び束壁上にスパッタ堆積される膜の均一性を向上さ
せるコリメータ又はスクリーニングチューブが提供され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタリング装置の主要部分の部分
的な断面図である。
【図２】本発明のチューブが存在しない場合の、穴の共
形なカバレージを示す、基板の中心に隣接した穴の場所
の部分断面図である。
【図３】本発明のチューブが存在しない場合の、穴の共
形なカバレージを示す、基板のエッジに隣接した穴の場
所の部分断面図である。
【図４】本発明のチューブが存在しない、スパッタリン
グチャンバの構成の簡略化した断面図である。
【図５】基板エッジに対称性を与えるように構成され
た、本発明のチューブを含むスパッタリング装置の簡略
化された断面図である。
【図６】基板中心領域の穴の所に、突き出た堆積物を排
除する、本発明のチューブを含むスパッタリング装置の
簡略化された断面図である。
【図７】基板中心領域の穴の中で、突き出た堆積物を排
除する、本発明のチューブを含むスパッタリング装置の
簡略化された断面図である。
【図８】本発明のチューブを用いた場合の、穴の共形な
カバレージを示す、基板のエッジに隣接した穴の場所の
部分断面図である。
【図９】本発明のチューブを用いた場合の、穴の共形な
カバレージを示す、基板の中心に隣接した穴の場所の部
分断面図である。
【図１０】本発明の複数のチューブを有するスパッタリ
ングチャンバの簡略化された断面図である。
【符号の説明】
１０…スパッタ、１２…チューブ、１４…スパッタター
ゲット、１６…基板、１７…腐食の輪郭、１９，２１…
腐食領域、２４…チャンバ壁、２６…ガス流入口、２８
…排気流出口、４０…チューブ壁、４２…上側環状端
部、４３…下側環状端部、７０，７２…ロッド、７６…
ロータリーカップリング、７８…モータ、１００…穴、
１０２…内側壁、１０４…外側壁、２００…穴、２０２
…内側壁、２０４…外側壁、２０５…穴。

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に膜をスパッタ堆積するための装
    置であって、 スパッタリングターゲットと基板支持部材とを包囲する
    チャンバであって、前記基板支持部材は該ターゲットの
    スパッタリング面に略平行に配置される略平坦な基板受
    容面を有する、前記チャンバと、 前記ターゲットをスパッタリングするための手段と、 前記ターゲットと前記基板支持部材との間に配置され
    て、環状壁により仕切られた自身を貫く単一のアパーチ
    ャーを有する、円筒状部材とを有し、 前記環状壁は、該ターゲットのエッジからスパッタされ
    た粒子が、前記基板支持部材上に載置された基板の中心
    に到達することを遮るように配置されてこれを防止する
    外側面を有する装置。
  2. 【請求項２】 前記環状壁が、該ターゲットの中心から
    スパッタされた粒子が、前記基板支持部材上に受容され
    た基板のエッジに到達することを遮るように配置されて
    これを防止する内側面を有する請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記アパーチャーが直円柱のアパーチャ
    ーである請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記ターゲットが該基板のエッジを越え
    て外側に延長し、前記内側面が、基板エッジの内側に配
    置されるターゲット面の基板エッジの外側に延長するタ
    ーゲットの部分を越える部分が、ターゲット粒子が基板
    エッジへ寄与することを遮るように配置されてこれを防
    止するように配置される請求項２に記載の装置。
  5. 【請求項５】 該ターゲットと該基板支持部材に関し
    て、前記円筒状部材のサイズと位置が与えられて、該基
    板のエッジと中心とに対称的なターゲット材料の流束を
    与える請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記環状壁が、該基板エッジから、基板
    エッジの内側に配置されるターゲット領域の基板エッジ
    の外側に配置されるターゲット領域の部分を越える部分
    を遮るように配置される請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記円筒状部材の外縁の周囲に配置され
    る第２の円筒状部材を更に有する請求項１に記載の装
    置。
  8. 【請求項８】 前記円筒状部材と前記第２の円筒状部材
    とが軸を有し、前記軸が共軸であるように位置がきめら
    れる請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 半導体基板上に膜をスパッタ堆積するた
    めの装置であって、 スパッタリングターゲットと基板支持部材とを包囲する
    チャンバであって、前記基板支持部材は該ターゲットの
    スパッタリング面に略平行に配置される略平坦な基板受
    容面を有する、前記チャンバと、 前記ターゲットをスパッタリングするための手段と、 前記ターゲットと前記基板支持部材との間に配置され
    て、環状壁により仕切られた自身を貫く単一のアパーチ
    ャーを有する、円筒状部材とを有し、前記環状壁は、該
    ターゲットのエッジ近くの点からスパッタされた材料
    が、外気板の対角反対側の領域に堆積されることを遮る
    ように位置が与えられる装置。
  10. 【請求項１０】 該環状壁が、該ターゲットの中心から
    スパッタされた材料が該基板表面の外縁上に堆積するこ
    とを遮るように、該ターゲットに充分近くに延長する請
    求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 半導体基板上に膜をスパッタ堆積する
    ための装置であって、 スパッタリングターゲットと基板支持部材とを包囲する
    チャンバであって、前記基板支持部材は該ターゲットの
    スパッタリング面に略平行に配置される略平坦な基板受
    容面を有する、前記チャンバと、 前記ターゲットをスパッタリングするための手段と、 前記ターゲットと前記基板支持部材との間に配置され
    て、環状壁により仕切られた自身を貫く単一のアパーチ
    ャーを有する、円筒状部材とを有し、前記環状壁は、基
    板エッジの外向きに配置されたターゲットの領域を越え
    る領域を有する基板エッジの内側に配置されたターゲッ
    ト領域の部分からのスパッタ材料が、基板表面のエッジ
    上へ堆積されることを遮るように、位置が与えられる内
    部面を有する装置。
  12. 【請求項１２】 前記環状壁が、前記ターゲットのエッ
    ジからスパッタされた粒子が、前記基板支持部材上に受
    容された基板の中心上に堆積されることを遮りこれを防
    止するように位置される外側面を有する請求項１１に記
    載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記アパーチャーが直円柱である請求
    項１１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 該ターゲットと該基板支持部材に関し
    て、前記円筒状部材のサイズと位置が与えられて、該基
    板のエッジと中心とに対称的なターゲット材料の流束を
    与える請求項１１に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 前記円筒状部材の外縁の周囲に配置さ
    れた第２の円筒状部材を更に有する請求項１１に記載の
    装置。
  16. 【請求項１６】 前記円筒状部材と前記第２の円筒状部
    材とが軸を有し、前記軸が共軸であるように位置がきめ
    られる請求項１５に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記環状壁が、突き出し部分を誘引す
    る粒子が、前記基板支持部材上に受容される基板の最上
    面の中心に到達することを防止する請求項１１に記載の
    装置
  18. 【請求項１８】 基板上に堆積層を形成する方法であっ
    て、 少なくともターゲットと基板を内部に有するスパッタ堆
    積チャンバを与えるステップと、 該ターゲットを該基板からロングスローの距離の間隔で
    配置するステップと、 ターゲットをスパッタして、該基板上に堆積するための
    ターゲット粒子の流束を与えるステップと、 該基板と該ターゲットの間に、内部面と、外部面と、こ
    れを貫く単一のアパーチャーとを有する環状部材を置く
    ステップとを有する方法。
  19. 【請求項１９】 該環状部材が直円柱である請求項１８
    に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 該環状部材が、該基板の表面に垂直な
    位置が与えられたアパーチャーの中心と交差する軸を有
    する請求項１８に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 該ターゲットと該基板とに関して該環
    状部材を所定の位置に置いて、該ターゲットのエッジか
    らスパッタされた材料が基板中心に到達することが防止
    されるステップを更に有する請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 該環状部材が、該ターゲットの一方の
    エッジからスパッタされたターゲット材料が基板の遠い
    エッジに到達することを防止する請求項１８に記載の方
    法。
  23. 【請求項２３】 基板エッジの内側に配置されるターゲ
    ット領域の基板エッジの外側に配置されるターゲット領
    域の部分を越える部分が、堆積粒子が基板エッジへ寄与
    することを遮りこれを防止するように、該環状部材の位
    置を与えるステップを更に有する請求項１８に記載の方
    法。
  24. 【請求項２４】 該環状部材の内面が、基板エッジの内
    側に配置されるターゲット領域の基板エッジの外側に延
    長するターゲット領域の部分を越える部分が、ターゲッ
    ト粒子が基板エッジへ寄与することを遮りこれを防止す
    る請求項１８に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記環状部材の外部面が、該基板の中
    心から該ターゲットのエッジを遮る請求項１８に記載の
    方法。
  26. 【請求項２６】 基板上に堆積層を形成する方法であっ
    て、 少なくともターゲットと基板を内部に有するスパッタ堆
    積チャンバを与えるステップと、 ターゲットをスパッタして、該基板上に堆積するための
    ターゲット粒子の流束を与えるステップと、 該基板と該ターゲットの間に、内部面と、外部面と、こ
    れを貫く単一のアパーチャーとを有する環状部材を置く
    ステップとを有し、該ターゲットが基板のエッジを越え
    て外向きに延長し、基板エッジの内側に配置されるター
    ゲット面の基板エッジの外側に延長するターゲットの部
    分を越える部分が、ターゲット粒子が基板エッジへ寄与
    することを遮りこれを防止するように、該内部面の位置
    が与えられる方法。
  27. 【請求項２７】 該ターゲットのエッジからスパッタさ
    れた粒子が該基板の中心に到達することを防止するよう
    に該外部面の位置が与えられる請求項２６に記載の方
    法。
  28. 【請求項２８】 基板上に堆積層を形成する方法であっ
    て、 少なくともターゲットと基板を内部に有するスパッタ堆
    積チャンバを与えるステップと、 ターゲットをスパッタして、該基板上に堆積するための
    ターゲット粒子の流束を与えるステップと、 該基板と該ターゲットの間に、内部面と、外部面と、こ
    れを貫く単一のアパーチャーとを有する環状部材を置く
    ステップとを有し、該ターゲットのエッジからスパッタ
    された粒子が該基板の中心に到達することを防止するよ
    うに該外部面の位置が与えられる方法。
  29. 【請求項２９】 該ターゲットが基板のエッジを越えて
    外向きに延長し、基板エッジの内側に配置されるターゲ
    ット面の基板エッジの外側に延長するターゲットの部分
    を越える部分が、ターゲット粒子が基板エッジへ寄与す
    ることを遮りこれを防止するように、該内部面の位置が
    与えられる請求項２８に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 基板上に膜をスパッタ堆積するための
    装置であって、 スパッタリングターゲットと基板支持部材とを包囲する
    チャンバであって、前記基板支持部材は、該ターゲット
    のスパッタリング面に略平行に配置され、該スパッタリ
    ング面からロングスローの距離をもって配置される、略
    平坦な基板受容面を有する、前記チャンバと、 前記ターゲットをスパッタリングするための手段と、 前記ターゲットと前記基板支持部材との間に配置され
    て、環状壁により仕切られた自身を貫く単一のアパーチ
    ャーを有する、円筒状部材とを有する装置。
  31. 【請求項３１】 前記環状部材が、該ターゲットのエッ
    ジからスパッタされた粒子が、前記基板支持部材上に載
    置された基板の中心に到達することを遮りこれを防止す
    るような位置が与えられた外部面を有する請求項３０に
    記載の装置。
  32. 【請求項３２】 前記環状部材が、該ターゲットの中心
    からスパッタされた粒子が、前記基板支持部材上に載置
    された基板のエッジに到達することを遮りこれを防止す
    るような位置が与えられた内部面を有する請求項３０に
    記載の装置。
JP7329032A 1994-12-16 1995-12-18 円筒状のスパッタリングシールド Withdrawn JPH08264451A (ja)

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AT (1) ATE180923T1 (ja)
DE (1) DE69510018T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018123776A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 キヤノントッキ株式会社 スパッタ装置及び電極膜の製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0837491A3 (en) * 1996-10-21 2000-11-15 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Composite sputtering cathode assembly and sputtering apparatus with such composite sputtering cathode assembly
SG54602A1 (en) * 1996-11-26 1998-11-16 Applied Materials Inc Coated deposition chamber equipment
WO1998031845A1 (en) 1997-01-16 1998-07-23 Bottomfield, Layne, F. Vapor deposition components and corresponding methods
US6139698A (en) * 1997-02-03 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing the first wafer effect
US6592728B1 (en) * 1998-08-04 2003-07-15 Veeco-Cvc, Inc. Dual collimated deposition apparatus and method of use
US7294242B1 (en) * 1998-08-24 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Collimated and long throw magnetron sputtering of nickel/iron films for magnetic recording head applications
US8696875B2 (en) * 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6428663B1 (en) 2000-07-03 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Preventing defect generation from targets through applying metal spray coatings on sidewalls
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US6743340B2 (en) * 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
PT1350863E (pt) * 2002-03-19 2006-12-29 Scheuten Glasgroep Bv Dispositivo e processo para a aplicação orientada de um material a depositar num substrato
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US8273222B2 (en) * 2006-05-16 2012-09-25 Southwest Research Institute Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition
US8277617B2 (en) * 2007-08-14 2012-10-02 Southwest Research Institute Conformal magnetron sputter deposition
US9567666B2 (en) 2009-01-12 2017-02-14 Guardian Industries Corp Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry
US8747631B2 (en) * 2010-03-15 2014-06-10 Southwest Research Institute Apparatus and method utilizing a double glow discharge plasma for sputter cleaning
US20220406583A1 (en) * 2021-06-18 2022-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deposition system and method
US11851751B2 (en) 2021-07-23 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deposition system and method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3410774A (en) * 1965-10-23 1968-11-12 Ibm Method and apparatus for reverse sputtering selected electrically exposed areas of a cathodically biased workpiece
US3640812A (en) * 1970-09-02 1972-02-08 Rca Corp Method of making electrical contacts on the surface of a semiconductor device
JPS601397B2 (ja) * 1981-01-16 1985-01-14 三菱電機株式会社 スパツタリング装置
JPS5867016A (ja) * 1981-10-19 1983-04-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜の製造方法
US4521286A (en) * 1983-03-09 1985-06-04 Unisearch Limited Hollow cathode sputter etcher
US4508612A (en) * 1984-03-07 1985-04-02 International Business Machines Corporation Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses
US4523971A (en) * 1984-06-28 1985-06-18 International Business Machines Corporation Programmable ion beam patterning system
JPS61117276A (ja) * 1984-11-14 1986-06-04 Hitachi Ltd スパツタリング用タ−ゲツト
KR900001825B1 (ko) * 1984-11-14 1990-03-24 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치
JPH0660390B2 (ja) * 1984-11-14 1994-08-10 株式会社日立製作所 プレーナマグネトロン方式の微小孔を有する成膜対象基板への成膜方法およびその装置
JPH0348204Y2 (ja) * 1985-03-20 1991-10-15
US4588490A (en) * 1985-05-22 1986-05-13 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced magnetron sputter device
JP2515731B2 (ja) * 1985-10-25 1996-07-10 株式会社日立製作所 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH0647722B2 (ja) * 1986-09-24 1994-06-22 富士電機株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JPS63255368A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Hitachi Ltd 成膜装置
JPS63307256A (ja) * 1987-06-04 1988-12-14 Seiko Epson Corp 合金薄膜の製造方法
US4824544A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 International Business Machines Corporation Large area cathode lift-off sputter deposition device
JPH01208460A (ja) * 1988-02-16 1989-08-22 Mitsubishi Electric Corp スパッタ装置
US4988424A (en) * 1989-06-07 1991-01-29 Ppg Industries, Inc. Mask and method for making gradient sputtered coatings
JPH04371578A (ja) * 1991-06-19 1992-12-24 Sony Corp マグネトロンスパッタリング装置
US5223108A (en) * 1991-12-30 1993-06-29 Materials Research Corporation Extended lifetime collimator
JPH0660390A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Toshiba Corp 光学ヘッド装置
JP3231900B2 (ja) * 1992-10-28 2001-11-26 株式会社アルバック 成膜装置
US5516403A (en) * 1994-12-16 1996-05-14 Applied Materials Reversing orientation of sputtering screen to avoid contamination

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018123776A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 キヤノントッキ株式会社 スパッタ装置及び電極膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69510018D1 (de) 1999-07-08
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