JPH08264452A - 単一チャンバ内での半導体基板の回転調心且つデガス装置及び方法 - Google Patents

単一チャンバ内での半導体基板の回転調心且つデガス装置及び方法

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JPH08264452A
JPH08264452A JP8018945A JP1894596A JPH08264452A JP H08264452 A JPH08264452 A JP H08264452A JP 8018945 A JP8018945 A JP 8018945A JP 1894596 A JP1894596 A JP 1894596A JP H08264452 A JPH08264452 A JP H08264452A
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wafer
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semiconductor
electrostatic clamping
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JP8018945A
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Robert E Davenport
イー． ダヴェンポート ロバート
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Applied Materials Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 同じ真空チャンバ内で半導体基板のデガスと
基板の配向決めが可能な半導体処理装置及び方法。 【解決手段】 装置は、真空チャンバ内で半導体基板の
下面全面がそれとの熱的連通を維持するための静電クラ
ンピング構造体と、静電クランピング構造体内部に配置
されて、クランプされた基板を加熱してデガスするため
のヒータと真空チャンバ内で基板に回転運動を与える回
転機構と、基板の回転に応じて基板の回転調心を検出す
る検出器とを有している。好ましい具体例示される具体
例では、基板は回転されて回転調心がなされると同時
に、加熱されてデガスされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の処理
に関する。特に、本発明は、同一の真空チャンバ内で半
導体基板を回転調心しデガスする(degassing)ための装
置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板やウエハの上に集積回路を形
成する処理においては、ウエハを完全にデガスして、吸
収されたガス、水分等をウエハから除去することを、例
えば、真空処理チャンバ内でターゲットをスパッタリン
グすることによりウエハ上に物質を堆積させる物理気相
堆積（ＰＶＤ）を行う前に、行うことが重要である。先
進の化学気相堆積（ＣＶＤ）処理等のその他のプロセス
でも、ウエハのデガスないし脱ガスが要求されている。
ＰＶＤ処理の前になされる従来のデガスは、３５０℃を
越える温度で約４０秒〜約２分の間の時間行われ、ウエ
ハから充分なガスを除去してスパッタリングによる堆積
が満足になされることを確保する。基板のアウトガスの
発生(outgassing)は、アルミニウムＰＶＤを行っている
間の方が従来のＣＶＤステップの間よりも深刻であり、
なぜなら、ＰＶＤプロセスはより高真空及び高い基板温
度の条件で行われ、この２つの条件は、アウトガスを大
きく誘発するからである。従って、アウトガス発生を防
止しＰＶＤプロセスの汚染から防止するため、最初のＰ
ＶＤステップの前に行われるウエハのデガスは、ＣＶＤ
ステップを行う前に行われる前のデガスよりも徹底して
行われなければならない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ウエハのデガスは、従
来は２つの方法があり、そのどちらか片方で行われてき
た。デガスに用いられる一方の方法では、ウエハを内包
する真空チャンバの外に設けられ、透明なウィンドウの
隣に置かれた熱ランプを用いてウエハを放射加熱する工
程があり、ランプからの熱がウィンドウを介してウエハ
へ放射される。この方法は比較的低コストであり、まず
まず迅速であり、真空チャンバ内においてウエハ支持体
へのウエハのクランピングを要さない。しかし、放射加
熱の方法は、３５０℃を越える温度に対して充分な方法
ではなく、その理由は、ウエハの温度の制御が容易では
なく、また、加熱は必ずウエハ全体に対して均一となる
とは限らないからである。ウエハ全体にわたった典型的
な温度の不均一は、プラスマイナス３０℃を越える。更
に、デガスのステップ中にウエハの回転の配向(orienta
tion)の調心(aligning)をいつもできるとは限らず、な
ぜなら、従来の回転調心に用いられる光学手段の動作を
熱ランプからの放射エネルギーが妨害するからである。
【０００４】ウエハのデガスに用いられる従来の方法の
もう一方は、特にその後３５０℃を越える温度において
デガスが必要なＰＶＤプロセスが行われる場合では、真
空チャンバ内でウエハをウエハ支持体へ物理的（機械
的）にクランピングするステップと、その後、ウエハ支
持体の上に置かれたウエハの下面に隣接するようにウエ
ハ支持体内に配置された抵抗ヒータを用いてウエハを加
熱するステップとを有している。しかし、ウエハは通常
は、クランピングされているウエハの外縁又はエッジで
ウエハ支持体と物理的に接しているに過ぎず、また、ウ
エハ支持体内のヒータからウエハへ真空内の伝導により
移動される熱は少ないため、通常は、ウエハ支持体とウ
エハの下面との間の空間に熱伝導ガスが流され、ウエハ
のクランピングエッジがこの空間へガスを少なくとも一
部保持させるために機能する。この加熱の方法では、約
５００〜６００℃程度のデガスの温度が可能となる。
【０００５】従って、この方法は、３５０℃を越えるデ
ガス温度の使用を可能にし、ウエハ温度測定及び適正な
制御を可能にする。しかし、デガスのステップの間に回
転配向の調心を必ず行うことができるわけではなく、な
ぜなら、熱伝導ガスのための導管がチャックの回転を妨
害するからである。クランピングリングも、その重量の
ため回転を妨害する。クランピングされたウエハが回転
することによっても、ウエハの破壊や粒子の発生が生じ
る。従って、ウエハの回転配向の調心は、デガスのステ
ップに先立って別のチャンバで行われなければならなか
った。更に、このデガスの形態は、ＰＶＤチャンバとほ
ぼ同様のチャンバ（例えば、クライオポンプ、加熱され
るチャック、ウエハリフト組立体、クライオ遮断弁、移
送チャンバ、遮断弁、クランピングリング等を備えてい
る必要が有る）内で行わなければならないので、この解
決法は非常に高価なものである。また、このタイプのデ
ガス装置を用いて実現されるウエハ全体に対する典型的
な温度の均一性は、約プラスマイナス１０〜１５℃であ
る。先進のデバイスには、プラスマイナス５℃の均一性
が必要である。
【０００６】更に、どちらの方法を用いたにかかわら
ず、ＰＶＤ処理に先立つデガスのために要する時間が余
計にかかるため、このデガスのステップはプロセスのス
ループットを低下させる。この特定の問題を解決するた
めに考え出された、従来技術の１つのアプローチは、並
列なデガスチャンバを与えることであり、即ち、各ＰＶ
Ｄ処理チャンバに対して２つのデガスチャンバが、半導
体ウエハ処理装置に与えられる。しかし、このこのこと
は、装置に対して大きなコストの割り増しを加えてしま
う。更に、ウエハの回転配向も別のチャンバ内で行われ
る必要があるため、３〜４台の処理チャンバがそれぞれ
用いられて（２台の並列デガスチャンバのそれぞれが別
々の回転配向チャンバへ接続されるか否かによる）、こ
れが装置の全出費に対して大きな付加となる。
【０００７】従って、ウエハの回転調心及びデガスを１
つのチャンバ内で統合することを可能にして、別々のチ
ャンバのための出費並びにチャンバからチャンバへとウ
エハを移送するために費やされる時間の付加を排除する
ことが望ましい。ウエハをウエハ支持体へ機械的にクラ
ンピングせず、また、ウエハへの均一且つ制御的な加熱
を維持しつつ、高温、即ち約３５０℃を越える温度でデ
ガスを行うことができれば、更に有利である。高温下で
ウエハをウエハ支持体へ機械的にクランピングせずに、
同じチャンバ内でウエハのデガスと回転配向を同時に行
うことができればなお望ましい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、５００
℃もの温度での半導体基板のデガスが可能で、また、機
械的クランピングリングと熱伝導ガスを用いずに同じ真
空チャンバ内で基板の回転調心が可能な、半導体処理シ
ステムが提供される。この半導体処理システムの装置
は、真空チャンバ内で、熱的に連通しつつ半導体ウエハ
を支持し基板を維持するための被加熱静電クランピング
構造体と、静電クランピング構造体の内部にあって静電
的にクランピングされた基板を加熱してデガスするため
のヒータと、同じ真空チャンバ内で基板に回転運動を与
えるための回転機構と、真空チャンバ内で基板の回転に
対応して基板の回転調心をを検出するための検出器とを
備えている。好ましい具体例では、基板は回転されて回
転調心されつつ同時に、加熱されて、機械クランピング
装置を用いて基板を基板支持体へ固定することなしに、
デガス（脱ガス）がなされる。別の具体例では、基板
は、デガスの前又は後であっても同じチャンバ内で、調
心のために回転されてもよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体基板ないしウエ
ハのデガスを、ウエハ上に既に存在している他の物質の
温度感応性にもよるが５００℃あるいはそれ以上高い温
度で行うことが可能で、且つ、機械クランピングリング
も熱伝導ガスも用いずに、同じ真空チャンバ内でウエハ
の回転配向を調心することが可能な、半導体処理システ
ムを備えている。このシステムは、真空チャンバ内でウ
エハのウエハ支持体との熱的な連通を維持しつつ、ウエ
ハ支持体内部のヒータによってウエハを加熱してデガス
するための、静電クランピング手段を利用する。また、
真空チャンバ内でウエハへ回転運動を与えるための回転
機構と、ウエハの回転に応じてウエハの回転調心を検出
するための検出器とが与えられる。好ましい具体例で
は、ウエハは、加熱によりデガスされると同時に、回転
が与えられて回転調心がなされる。
【００１０】図１に戻れば、本発明のシステムの１つの
具体例が概略的に例示され、ここで、真空チャンバ２に
はウエハ支持体１０が具備され、このウエハ支持体１０
は、ペデスタル１２上に載置されるステンレス鋼の材料
を備えていてもよい。ウエハ支持体１０の頂面には、静
電クランピング手段ないしチャック２０が形成され、例
示される具体例では、この静電クランピング手段は、ウ
エハ支持体１０の頂面上に、酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウム又はその他セラミック材料等の絶縁材料２４
を備え、また、導線２８及び２９を介して真空チャンバ
２の外側の高電圧ソース（図示されず）に接続される金
属電極２６及び２７が埋め込まれている。また、チャッ
ク２０内部には、抵抗ヒータ等のヒータ１４が埋め込ま
れているが、これは導線１６を介して真空チャンバ２の
外側の電圧ソース（図示されず）に接続されていてもよ
い。ウエハ支持体１お及びペデスタル１２の内側は、大
気圧となっている。ウエハ支持体１０は、セラミックチ
ャック２０に鑞付けされて、真空シール性が与えられ
る。
【００１１】デガス及び回転調心されるべきウエハ３０
は、高電圧、例えば約５００〜５０００ボルトのＤＣに
よってエネルギーが与えられる静電チャック２０及び電
極２６と２７上に置かれ、ウエハ３０を静電チャック２
０へ静電的にクランピングする。ウエハ３０は、静電チ
ャック２０上への配置のため（並びにその後の除去のた
め）、支持プレート５１に付けられているリング（図示
されず）上のリフトピンないしフィンガ（図示されず）
によって、システム移送ロボット（図示されず）から除
去される。この支持プレート５１は、真空遮断ベローズ
５４を介して、ニューマティック又はモータ駆動リフト
モータ４８及びシャフト５０に接続されている。
【００１２】ヒータ１４は、エネルギーが与えられて、
静電チャック２０を加熱し、直接の熱伝導によってウエ
ハ３０を加熱する。ウエハの加熱中にウエハをウエハ支
持体の上面へ固定する従来技術の様式とは異なり、ウエ
ハの外縁だけで静電チャック２０への熱的な接触（これ
らの間への熱的な結合を与えるための）をしているので
はなく、静電チャック２０の表面全体にわたった静電力
が均一であるため、ウエハ３０の下面全ても静電チャッ
ク２０と機械的に接触し、よって静電チャック２０に熱
的な結合をなしている。ウエハ支持体３０を静電チャッ
ク２０へ静電的にクランピングする前に、ヒータ１４に
エネルギーが与えられて静電チャック２０を予備加熱
し、加熱プロセスを促進すれば、有利である。加熱され
ている静電チャックへウエハが密着しているので、ウエ
ハとチャックの間にガスを必要としない。
【００１３】また、ウエハ３０も、真空チャンバ２内で
回転調心される。当該技術分野の通常の知識を有する者
には周知の如く、処理チャンバ内で半導体ウエハの回転
調心を正すためには、半導体ウエハの回転又は角度の配
向の調心が必要である。ウエハに何等かの調心のしるし
を与えることにより、このような回転調心を容易に行う
ことができるようになる。一般的な調心の手段は、略円
形のウエハの円周の一部に平坦部又はノッチを与えるこ
とである。そして通常、光ソースから光のビームがウエ
ハの面に対して垂直に向けられ、ウエハのエッジ附近に
よって遮られる。ウエハが回転すれば、平坦部又はノッ
チ部に来ない限り光はソースに反射し返され、その平坦
部又はノッチ部の点では、光ビームはウエハの他方の側
に置かれた光検出器(photo detector)へと通過する。
【００１４】図１に示されているように、真空チャンバ
２内でウエハ３０を回転させてウエハを回転調心するた
めに、リング４０が与えられてもよい。ウエハ３０を回
転させることが望ましい場合は、ウエハは回転可能なリ
ング４０上まで下げられる。図１に示されているよう
に、ペデスタル１２内部で中央に載置されたシャフト９
２へ接続された流体動力モータ９０にエネルギーを与え
ることによりウエハ３０は降下される。シャフト９２
は、クロスバー９４によってペデスタル１２の上側部分
に結合される。ペデスタル１２のベローズ１３により、
ペデスタル１２の上側部分は、これに接続された支持体
１０及び静電チャック２０と共に、チャンバ２内の真空
を維持したまま昇降することが可能となる。よって、こ
の事により、望まれていた、回転可能なリング４０上ま
でのウエハ３０の降下が可能となり、続いて、配向のス
テップが完結したときには、ウエハ３０を上昇させてリ
ング４０から離すことが可能となる。
【００１５】リング４０には、アーム４２が具備され、
順に、このアームは、中央シリンダ４４へ接続され、こ
の中央シリンダは、磁気カプリング機構５２の一部をな
す第１のマグネットの組４６に接着している。ペデスタ
ル１２内部に配置される中空のシャフト６０は、その上
に載置されてマグネット磁気カプリング機構５２の他方
の部分を形成する、第２のマグネットの組６２を有す
る。モータ６４が、ベルト６６を介してシャフト６０を
回転させ、この回転が磁気カプリング機構５２を介し
て、シリンダ４４及びリング４０へと伝達されてウエハ
３０を回転させる。
【００１６】モータ６４によってリング４０上でウエハ
３０が回転されるため、真空チャンバ２の外部にある光
ソース７０は、真空チャンバ２の頂部壁の第１のウィン
ドウ４を介してウエハの頂面の円周に近いところの方へ
光ビームを向ける。図２に示されるように、ウエハ３０
の平坦部ないしノッチ３２が巡ってきたときには、光ビ
ーム７２は、真空チャンバ２の底壁に配置された第２の
ウィンドウ６を通過して光検出器８０に向けられ、ウエ
ハ３０の平坦部ないしノッチ部３２の回転中の位置を知
らせる。
【００１７】図１及び２に示された具体例では、ウエハ
３０の回転調心は、ウエハ３０のデガスと同じチャンバ
内で行われる。しかし、回転調心とデガスは、同時に行
われるのではなく、続けて行われている。回転調心は、
ウエハ３０のデガスの前後いずれかに行われてもよい。
【００１８】しかし、同じチャンバをウエハの回転配向
及びデガスの双方に用いることに加えて、双方のステッ
プが同時に行うことができれば、更に有利である。図３
は、本発明の別の具体例を例示し、これは、ウエハ支持
体と静電チャックをそれにクランプされたウエハととも
に回転させることにより、ウエハの加熱が継続してデガ
スされつつも、ウエハの回転配向が光ソースと光検出器
によって実施され、半導体ウエハの回転配向とデガスを
同時に行うことが可能となる。
【００１９】同様の要素に同様の符号が付されている図
３に示されているように、ウエハ支持体１０の下にある
ペデスタルは、中空のシリンダ１１２を備え、このシリ
ンダの円筒壁は、磁気カプリング機構又はクラッチ１５
２を介して、真空チャンバ２の外側の中空の円筒シャフ
ト１６０へと磁力により接続されている。順に、円筒シ
ャフト１６０は、モータ１６４に接続されてこのモータ
が円筒シャフト１６０を回転し、この回転が磁気カプリ
ング１５２を介して円筒ペデスタル１１２へと伝達さ
れ、ウエハ支持体１０、静電チャック２０及びそれにク
ランプされたウエハ支持体３０を回転する。
【００２０】真空チャンバ２内部では、フレキシブルな
ヒータリード線１１６がヒータリード線１６を外部のヒ
ーターリード線へと接続させ；一方で、フレキシブルな
高電圧リード線１２８及び１２９が高電圧リード線２８
及び２９を外部の高電圧リード線１３８及び１３９へと
接続させる。このようにフレキシブルなリード線を与え
ることにより、ヒータ１４及び静電チャック電極２６及
び２７それぞれへの電気的な接触を維持しつつも、ウエ
ハ支持体１０の回転、例えば双方に１８０゜づつ回転す
ることが可能になる。
【００２１】前出の具体例で説明したように、ウエハ支
持体３０はモータ１６４により回転しているため、真空
チャンバ２の外側の光ソース７０は、真空チャンバ２の
頂部壁の第１のウィンドウ４を介してウエハ支持体３０
の頂面の外周の附近へと、光ビームを向ける。ウエハ３
０の平坦な部分３２が巡ってきたときは、以前に図２に
示されて説明されたように、光ビーム７２は真空チャン
バ２の底壁に配置された第２のウィンドウ６に進入しこ
れを通過して、光検出器３０によって検出されて、平坦
部ないしノッチ部３２の回転中の位置を知らせる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ処理システムは、
ウエハをウエハ支持体へ機械的にクランピングせずに、
３５０℃を越える温度で同じチャンバの中での半導体ウ
エハのデガス及び回転調心を可能にする。好ましい具体
例で示されたように、半導体ウエハの回転調心及びデガ
スを、同じチャンバ内で同時に行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】リフトリングを用いて真空チャンバ内部で基板
が回転調心されて基板が回転される本発明の具体例を備
える、半導体処理装置のデガス及び回転調心チャンバの
断面図である。
【図２】基板の回転調心のための、図１に示された光学
配向装置の斜視図である。
【図３】基板支持体及び静電チャックを回転させること
により基板が回転調心されて基板が回転される本発明の
別の具体例を備える、半導体処理装置のデガス及び回転
調心チャンバの断面図である。
【符号の説明】
２…真空チャンバ、４…第１のウィンドウ、６…第２の
ウィンドウ、１０…ウエハ支持体、１２…ペデスタル、
１４…ヒータ、１６…導線、２０…チャック、２４…絶
縁材料、２６，２７…電極、２８，２９…導線、３０…
ウエハ、４０…リング、４２…アーム、４４…シリン
ダ、４６…第１のマグネットの組、４８…リフトモー
タ、５０…シャフト、５１…支持プレート、５２…磁気
カプリング機構、５４…真空遮断ベローズ、６０…シャ
フト、７０…光ソース、７２…光ビーム、６２…第２の
マグネットの組、６４…モータ、６６…ベルト、７０…
光ソース、９０…流体動力モータ、９２…シャフト、９
４…クロスバー、１１２…シリンダ、１１６…フレキシ
ブルヒータリード線、１６０…円筒シャフト、１６４…
モータ。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板をデガスすることが可能で、
    且つ、同じチャンバ内で基板の回転調心を行うことが可
    能な、半導体処理装置であって、 ａ）真空チャンバと、 ｂ）前記真空チャンバ内で半導体基板が基板支持体と熱
    的な連通することを維持するための、基板支持体として
    機能する被加熱静電クランピング構造体と、 ｃ）静電的にクランプされた前記基板を加熱して前記基
    板をデガスするための、前記静電クランピング構造体内
    部のヒータと、 ｄ）前記真空チャンバ内で前記基板へ回転を与える回転
    機構と、 ｅ）前記基板の前記回転に応じて、前記基板の回転調心
    を検出するための検出器とを備える半導体処理装置。
  2. 【請求項２】 前記ヒータが、前記静電クランピング構
    造体内に、前記基板支持体に隣接して前記基板と熱的に
    連通する抵抗ヒータを備える請求項１に記載の半導体処
    理装置。
  3. 【請求項３】 前記静電クランピング構造体が、前記基
    板の下面に面する基板上の絶縁部と、前記絶縁部内の１
    つ以上の電極とを備える請求項１に記載の半導体処理装
    置。
  4. 【請求項４】 前記回転機構が、前記真空チャンバ内部
    に回転可能なリングを備える請求項３に記載の半導体処
    理装置。
  5. 【請求項５】 前記回転機構が、前記回転リングを前記
    真空チャンバの外側の回転のソースへ結合させる磁気カ
    プリングを更に備える請求項４に記載の半導体処理装
    置。
  6. 【請求項６】 前記回転機構が、前記基板を回転調心し
    つつ前記基板を加熱して前記基板をデガスすることを可
    能にする、回転可能な静電クランピング機構を更に備え
    る請求項３に記載の半導体処理装置。
  7. 【請求項７】 半導体基板をデガスすることが可能で、
    且つ、同じチャンバ内で基板の回転調心を行うことが可
    能な、半導体処理装置であって、 ａ）真空チャンバと、 ｂ）前記真空チャンバ内で半導体基板が基板支持体と熱
    的に連通することを維持するための、前記真空チャンバ
    内部の基板支持体上の静電クランピング機構であって、
    前記静電クランピング機構は、前記基板の下面に面する
    前記基板支持体上の絶縁部と、前記絶縁部内の高電圧電
    極とを備える、前記静電クランピング機構と、 ｃ）静電的にクランプされた前記基板を加熱して前記基
    板をデガスするための、前記静電クランピング機構内部
    のヒータと、 ｄ）前記真空チャンバ内で前記基板へ回転を与える回転
    機構であって ｉ）前記基板を持ち上げて前記基板支持体から離すこと
    が可能な、前記真空チャンバ内部の回転可能なリング
    と、 ｉｉ）前記回転可能なリングを、前記真空チャンバの外
    側の回転のソースへと結合させる磁気カプリングと、を
    備える、前記回転機構と、 ｅ）前記基板の前記回転に応じて、前記基板の回転調心
    を検出するための検出器とを備える半導体処理装置。
  8. 【請求項８】 半導体ウエハをデガスすることが可能
    で、且つ、同じチャンバ内でウエハの回転調心を行うこ
    とが可能な、半導体処理装置であって、 ａ）真空チャンバと、 ｂ）前記真空チャンバ内で半導体ウエハがそれと熱的に
    連通することを維持するための、前記真空チャンバ内部
    のウエハ支持体上の静電クランピング構造体であって、
    前記静電クランピング構造体は、前記ウエハの下面に面
    するその上の絶縁部と、前記絶縁部内の高電圧電極とを
    備える、前記静電クランピング構造体と、 ｃ）静電的にクランプされた前記ウエハを加熱して前記
    ウエハをデガスするための、前記静電クランピング構造
    体内部のヒータと、 ｄ）前記真空チャンバ内で前記ウエハ支持体へ回転を与
    える回転機構と、 ｅ）前記ウエハの前記回転に応じて、前記ウエハの回転
    調心を検出するための検出器とを備え、前記半導体ウエ
    ハが回転調心されつつ、同時に加熱されて前記ウエハ支
    持体をデガスすることが可能である半導体処理装置。
  9. 【請求項９】 同じ真空チャンバ内で、半導体基板をデ
    ガスし、また基板の配向を与えるためのプロセスであっ
    て、 ａ）真空チャンバを与えるステップと、 ｂ）前記真空チャンバ内で、半導体基板を静電クランピ
    ング構造体と熱的に連通させるステップと、 ｃ）静電的にクランピングされた前記基板をデガスする
    ために、前記静電クランピング構造体内部にヒーターを
    与えることによって前記基板を加熱するステップと、 ｄ）前記真空チャンバ内で前記基板を回転させるステッ
    プと、 ｅ）前記基板の前記回転に応じて、前記基板の回転調心
    を検出するステップとを備えるプロセス。
  10. 【請求項１０】 前記基板を加熱する前記ステップｃ）
    が、抵抗ヒータを、前記静電クランピング構造体内に、
    その表面に隣接して前記基板と熱的に連通するように与
    える工程を更に備える請求項９に記載の半導体基板をデ
    ガスするためのプロセス。
  11. 【請求項１１】 前記静電クランピング構造体が、前記
    基板の下面に面する基板上の絶縁部と、前記絶縁部内の
    １つ以上の電極とを備える請求項９に記載の半導体基板
    をデガスするためのプロセス。
  12. 【請求項１２】 前記基板を回転させる前記ステップ
    ｄ）が、前記真空チャンバ内部で、回転可能なリングを
    用いて前記基板を持ち上げて前記基板支持体から離す工
    程を更に有する請求項１１に記載の半導体基板をデガス
    するためのプロセス。
  13. 【請求項１３】 前記基板を回転させる前記ステップ
    ｄ）が、前記回転リングを前記真空チャンバの外側の回
    転のソースに結合させる工程を更に有する請求項１２に
    記載の半導体基板をデガスするためのプロセス。
  14. 【請求項１４】 前記基板を回転させる前記ステップ
    ｄ）が、前記静電クランピング構造体を回転させて、前
    記基板の回転調心を検出する前記ステップｅ）を、前記
    基板をデガスする前記加熱のステップｃ）の際中に実施
    することを可能とする工程を更に備える請求項１１に記
    載の半導体基板をデガスするためのプロセス。
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