JPH08264510A - シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents

シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置

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JPH08264510A
JPH08264510A JP6819095A JP6819095A JPH08264510A JP H08264510 A JPH08264510 A JP H08264510A JP 6819095 A JP6819095 A JP 6819095A JP 6819095 A JP6819095 A JP 6819095A JP H08264510 A JPH08264510 A JP H08264510A
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JP
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etching
nitride film
silicon nitride
gas
silicon
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JP6819095A
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Akira Kobayashi
亮 小林
Tadashi Niimura
忠 新村
Yasuyuki Taniguchi
泰之 谷口
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ＣＤＥを用いてシリコン基体またはシリコン酸
化膜上のシリコン窒化膜を選択的にエッチング除去する
際、シリコンまたはシリコン酸化膜に対するシリコン窒
化膜の選択比を比較的高く設定する。 【構成】シリコン基体１１またはシリコン酸化膜上に形
成されたシリコン窒化膜１４の一部またはその全てをエ
ッチング除去する際に、フッ素を含むガスと、酸素ガス
と、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスを
放電部２に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性
種のラジカルのみをシリコン基体が収容されている処理
室５に導入することにより、シリコン窒化膜をシリコン
基体に対して選択的にエッチング除去することを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際
して使用されるシリコン窒化膜のエッチング方法および
エッチング装置に係り、特にシリコン基体あるいはシリ
コン酸化膜に対してシリコン窒化膜を選択エッチングす
る方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハー上に形成された絶縁膜や
導電性の被エッチング膜を所望のパターンに微細加工す
る技術として使用されているドライエッチングは、大別
するとＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）とＣＤ
Ｅ（ケミカルドライエッチング）となる。
【０００３】ＲＩＥは、プラズマ中で生成された荷電粒
子が自己バイアスにより加速されて被エッチング膜に入
射するので、被エッチング膜の下地にイオン打ち込みに
よる汚染や結晶の乱れ等のダメージが生じる。これは微
細素子の生成の妨げになる。
【０００４】ＣＤＥは、荷電粒子を用いないので上記し
たような不都合は生じないが、シリコン窒化膜のエッチ
ング速度がシリコンのエッチング速度より遅くなるの
で、シリコン対するシリコン窒化膜の選択比が相対的に
小さくなる。これにより、従来は、シリコン上に形成さ
れたシリコン窒化膜を除去する際に、オーバエッチング
中に下地のシリコンが多量にエッチングされてしまうと
いう問題があった。
【０００５】また、従来のＣＤＥにおいては、シリコン
酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比は５程度である
が、シリコン窒化膜の下地がゲート絶縁膜のように非常
に薄い場合には、シリコン窒化膜のオーバーエッチング
中に下地の薄いシリコン酸化膜がエッチング除去される
という問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＣＤＥを用いたエッチング方法は、シリコン基体あるい
はシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比が比
較的小さいので、シリコン基体あるいはシリコン酸化膜
上のシリコン窒化膜を除去する際に、オーバエッチング
中に下地のシリコンが多量にエッチングされたり、下地
の薄いシリコン酸化膜がエッチング除去されてしまうと
いう問題があった。
【０００７】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ＣＤＥを用いてシリコン基体またはシリコン
酸化膜上のシリコン窒化膜を選択的に除去する際、シリ
コンまたはシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選
択比を比較的高く設定し得るシリコン窒化膜のエッチン
グ方法およびエッチング装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン窒化膜
のエッチング方法は、シリコン基体上またはシリコン酸
化膜にシリコン窒化膜が形成された半導体ウエハーを処
理室内部に収容する工程と、フッ素を含むガスと、酸素
ガスと、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガ
スを放電部に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活
性種のラジカルのみを前記処理室内部に導入し、前記シ
リコン窒化膜の一部またはその全てを選択的にエッチン
グ除去する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】また、本発明のシリコン窒化膜のエッチン
グ装置は、シリコン基体上またはシリコン酸化膜にシリ
コン窒化膜が形成された半導体ウエハーを内部に収容す
る処理室と、上記処理室の内部に設置され、その上面に
前記半導体ウエハーを載置させてその温度を調整するた
めのステージと、フッ素を含むガスと、酸素ガスと、水
素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスが導入さ
れ、プラズマを発生する放電部と、上記放電部からプラ
ズマ活性種のラジカルのみを取り出して前記処理室の内
部に導入するラジカル導入部とを具備することを特徴と
する。
【００１０】
【作用】本発明のエッチング方法およびエッチング装置
は、フッ素を含むガスと、酸素ガスと、水素原子を含む
ガスとを構成元素とする混合ガスを放電部に導入してプ
ラズマを発生させ、プラズマ活性種のラジカルのみを取
り出し、シリコン基体またはシリコン酸化膜上にシリコ
ン窒化膜が形成された半導体ウエハーを内部に収容した
処理室に導入するものである。
【００１１】これにより、処理室内部でＣＤＥ（ケミカ
ルドライエッチング）が行われることにより、シリコン
窒化膜の一部またはその全てがシリコン基体に対して選
択的にエッチング除去される。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明のシリコン窒化膜のエッチ
ング方法で使用されるマイクロ波ＣＤＥ装置の概略構成
の一例を示している。
【００１３】このＣＤＥ装置において、処理室５の内部
には、半導体ウエハー６およびこれを上面に載置するた
めのステージ７が収容されている。上記ステージ７は、
温度調節機構を有しており、半導体ウエハー６の温度を
制御できるようになっている。
【００１４】処理室５の上面部にはラジカル導入口が設
けられており、処理室５の下面部にはガス排気口８が設
けられている。上記ラジカル導入口には、反応ガスとし
て使用されるＣＦ4／Ｏ2／Ｈ2Ｏの混合ガスを導入する
ための輸送管３が接続されている。さらに、輸送管３の
他端には放電管２が接続されており、この放電管２には
ガス導入口１から反応ガスが導入される。放電管２には
マイクロ波導波管４が接続されている。
【００１５】上記構成のＣＤＥ装置において、ガス導入
口１から導入された反応ガスがプラズマ化されて活性種
（イオン、ラジカル）が生成され、寿命が短いイオンは
輸送管３内で失活し、寿命の長いラジカルのみが輸送管
３を通過して前記処理室５の内部に導入され、半導体ウ
エハー６と反応してＣＤＥが行われる。そして、反応後
のガスは排気口８より処理室５の外部に排気される。
【００１６】なお、上記ＣＤＥ装置におけるラジカル導
入部の変形例として、処理室５の直上部に放電部が設け
られている場合には、ここで生成されたイオン、ラジカ
ルのうちのイオンをパンチングプレートで遮蔽し、ラジ
カルのみを処理室５の内部に導入するようにしてもよ
い。
【００１７】図２は、図１に示したＣＤＥ装置を用いた
ＣＤＥ方法の第１実施例により得られたシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）のエッチングレートの特性例を示す。
【００１８】この第１実施例では、ＣＤＥの条件とし
て、高周波電力（Ｐｏｗｅｒ）＝７００Ｗ、圧力（Ｐｒ
ｅｓｓ．）＝７０Ｐａ、反応ガスであるＣＦ4／Ｏ2の各
流量＝２７０／２７０ｓｃｃｍ、ステージ温度（Ｔｅｍ
ｐ．）＝２５℃に固定し、Ｈ2Ｏ添加量を変化させた。
【００１９】ＳｉおよびＳｉＯ2のエッチングレート
は、Ｈ2Ｏ添加量が増加するにつれて単調に減少する
が、ＳｉＮのエッチングレートは、Ｈ2Ｏ添加量が１０
％、（つまり、Ｈ2Ｏ＝６０ｓｃｃｍ）の場合に最大値
をとる。
【００２０】このようなエッチング速度の違いから、シ
リコン窒化膜がシリコン基体およびシリコン酸化膜に対
して選択的にエッチング除去される。すなわち、上記し
たように、ＣＦ4ガスおよびＯ2ガスにＨ2Ｏを添加した
混合ガスとしてＨ2Ｏの添加量がＣＦ4ガスおよびＯ2ガ
スの合計流量よりも少ない混合ガスを放電部に導入して
プラズマを発生させ、プラズマ活性種のうちのラジカル
のみをエッチング処理室内に導入することにより、シリ
コン基体上またはシリコン酸化膜上に形成されたシリコ
ン窒化膜の一部またはその全てを選択的にエッチング除
去することが可能になる。
【００２１】図３は、図２に示した特性と同様にＨ2Ｏ
添加量を変化させた場合のプラズマ発光部での活性種の
発光強度の特性例を示す。Ｆラジカル、Ｏラジカルの発
光強度は、Ｈ2Ｏ添加量の増加につれて低下し、Ｈラジ
カルの発光強度は、Ｈ2Ｏ添加量の増加につれて増加す
る。この結果から、図２に示したような特性が得られる
理由は以下のように考えられる。
【００２２】ＳｉとＳｉＯ2は、Ｆラジカルのみによっ
てエッチングが進行すると考えられるが、Ｈ2Ｏ添加量
を増加させることにより、Ｈ2Ｏから生成したＨラジカ
ルがＣＦ4から生成されたＦラジカルをスカベンジ（清
掃）し、ＨＦが生成される。この反応によって、被処理
体に供給されるＦラジカル量が減少するので、ＳｉとＳ
ｉＯ2のエッチングレートは、Ｈ2Ｏ添加量の増加につれ
て減少する。
【００２３】これに対して、ＳｉＮは次式（１）に示す
ような反応でエッチングされる。 Ｓｉ3Ｎ4＋１２Ｆ*↑＋１２Ｈ*↑ → ３（ＳｉＦ4）↑＋４（ＮＨ3）↑ ……（１） 即ち、ＳｉＮのエッチングは、Ｆラジカル、Ｈラジカル
両者により進行する。前述したように、Ｈ2Ｏ添加量が
増加すると、Ｆラジカル量は減少し、Ｈラジカル量は増
加するが、ＳｉＮのエッチングレートは、Ｆラジカル、
Ｈラジカルの存在量のバランスのとれる条件（図２に示
した実施例の場合、Ｈ2Ｏ添加量＝６０ｓｃｃｍ）で、
最大となると考えられる。
【００２４】図４は、図１に示したＣＤＥ装置を用いた
ＣＤＥ方法の第２実施例により得られたＳｉＮ、Ｓｉ、
ＳｉＯ2のエッチングレートの特性例を示す。この第２
実施例では、ＣＤＥの条件として、高周波電力＝７００
Ｗ、圧力＝７０Ｐａ、Ｈ2Ｏ添加量＝６０ｓｃｃｍに固
定し、ＣＦ4とＯ2との合計流量＝５４０ｓｃｃｍとして
ＣＦ4／Ｏ2の流量比を変化させた。
【００２５】図４から分るように、Ｏ2流量が増加する
につれて、ＳｉＮ、Ｓｉ、ＳｉＯ2ともエッチングレー
トは減少していく。ＳｉＮとＳｉを比較した場合、Ｓｉ
の方がエッチングレートの減少度（特性の傾斜）が著し
い。これにより、Ｏ2の流量比を増加すると、シリコン
窒化膜をシリコン基体に対してより高い選択比でエッチ
ング除去できる。
【００２６】すなわち、上記したように、ＣＦ4ガスお
よびＯ2ガスにＨ2Ｏを添加した混合ガスとしてＣＦ4ガ
スの流量がＯ2ガスの流量よりも少ない混合ガスを放電
部に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性種のう
ちのラジカルのみをエッチング処理室内に導入すること
により、シリコン基体上またはシリコン酸化膜上に形成
されたシリコン窒化膜の一部またはその全てを選択的に
エッチング除去することが可能になる。
【００２７】図４に示したような特性が得られる理由は
以下のように考えられる。Ｏ2の流量比を増加させるに
つれて、ＳｉＮ、Ｓｉともにその表面が酸化され易くな
るので、エッチングレートは減少していく。しかし、Ｓ
ｉＮとＳｉを比較すると、Ｓｉの方がより酸化され易い
特性を持つので、エッチングレートの減少はより著し
い。この特性の違いにより、Ｏ2の流量比を増加させる
ことによって、シリコン窒化膜をシリコン基体に対して
高い選択比でエッチング除去できる。本実施例では、Ｃ
Ｆ4／（ＣＦ4＋Ｏ2）が１０％のところで、ＳｉＮをＳ
ｉに対して３０倍の速度でエッチングできた。
【００２８】なお、上記実施例においては混合ガスの総
流量を１０００ｓｃｃｍ程度まで変化させても同様の効
果が得られるものと思われる。図５は、図１に示したＣ
ＤＥ装置を用いたＣＤＥ方法の第３実施例により得られ
たＳｉＮ、Ｓｉ、ＳｉＯ2のエッチングレートの特性例
を示す。
【００２９】この第３実施例では、ＣＤＥの条件とし
て、高周波電力＝７００Ｗ、圧力＝７０Ｐａ、ＣＦ4／
Ｏ2の各流量＝２７０／２７０ｓｃｃｍ、Ｈ2Ｏ添加量＝
６０ｓｃｃｍに固定し、ステージ温度（被処理体の温
度）を変化させた。
【００３０】図５から分るように、ＳｉとＳｉＯ2は、
温度上昇させることによって単調にエッチングレートが
増加するのに対して、ＳｉＮは、５０℃以上の温度で著
しくエッチングレートが低下する。したがって、シリコ
ン窒化膜をシリコン基体およびシリコン酸化膜に対して
選択的にエッチング除去するには、被処理体の温度を５
０℃以下に保持する必要がある。なお、装置の性能上、
被処理体の温度が−５℃以上の範囲で上記特性を確認し
た。
【００３１】図５に示したような特性が得られる理由は
以下のように考えられる。ＳｉとＳｉＯ2は、Ｆラジカ
ルのみによってエッチングされるが、温度を上昇させる
ことによって、Ｆラジカルと被処理体との反応確率が上
昇し、エッチングレートが単調に増加する。一方、Ｓｉ
Ｎのエッチング反応には、Ｆラジカル、Ｈラジカルの両
者が寄与し、温度によって各ラジカルの反応速度が異な
り、適切な温度範囲でないとエッチング反応が進行しな
くなってしまう。
【００３２】図６は、上記第３実施例における被処理体
の温度とエッチング処理後のＳｉＮ表面の元素組成比と
の関係を示している。図６から分るように、５０℃以上
の温度で、Ｆの組成比が低下し、Ｏの組成比が急激に増
加している。この結果、５０℃以上の温度でＳｉＮの表
面の酸化反応が活発になってしまうので、ＳｉＮのエッ
チングレートが急激に低下したものと考えられる。
【００３３】図７は、本発明の方法によってエッチング
したＳｉＮ表面のＦＴ−ＩＲ分析結果を示す。図７から
分るように、ＮＨ4 +のものだと考えられる吸収ピークが
観察され、表面に堆積（変質）層が形成されている。こ
の堆積層は、後述のように水洗することで除去すること
ができるが、その水洗水中からは、表１に示すように、
ＮＨ4 +、Ｆ-、Ｓｉがほぼ２：６：１の組成で検出さ
れ、堆積層は、（ＮＨ4）２ＳｉＦ6のような構造をもつ
ものと考えられる。この堆積層は、ＳｉＮ上にのみ形成
され、ＳｉやＳｉＯ2上には形成されない。また、Ｓｉ
Ｎ上の堆積層はＳｉやＳｉＯ2のエッチング反応に寄与
することはない。
【００３４】
【表１】
【００３５】なお、上記したＳｉＮ上の堆積層が厚くな
った場合、ＳｉＮのエッチング反応が阻害されるが、以
下に述べるような方法でこの堆積層を除去することによ
り、エッチングを再び進行させることが可能になる。
【００３６】図８は、本発明の方法によるＳｉＮのエッ
チング前、後、水洗後、加熱後のＸＰＳ分析結果を示
す。図８から分るように、エッチング後の表面では、Ｓ
ｉ2p、Ｎ1sの電子ピークに化学シフトがあり、堆積層が
形成されている。水洗後、あるいは、３００℃の加熱後
では、こうした化学シフトは観察されず、このような処
理で堆積層を容易に除去可能である。
【００３７】次に、前述したシリコン窒化膜のエッチン
グ方法を用いて、図９（ａ）に示すような構造のシリコ
ン窒化膜を実際にエッチングした例を示す。図９（ａ）
において、シリコン基板１１は、その上面にバッファ酸
化膜１３を介してシリコン窒化膜１４が形成されてお
り、このシリコン窒化膜１４をマスクとしてトレンチが
ＲＩＥ加工されており、トレンチ内に多結晶シリコン１
２が埋め込まれている。
【００３８】この状態でシリコン窒化膜１４をエッチン
グする工程に際して、従来のエッチング方法では、シリ
コンに対するシリコン窒化膜のエッチング選択比は、
０．３程度しか得られないので、シリコン窒化膜１４を
エッチング除去した後は、図９（ｂ）中に点線で示すよ
うに、埋め込み多結晶シリコン１２が例えば８７０ｎｍ
の深さまで大量にエッチングされてしまう。
【００３９】次に、本発明の方法によりＳｉＮをエッチ
ングした結果を示す。ＣＤＥの条件は、高周波電力＝７
００Ｗ、圧力＝７０Ｐａ、ＣＦ4／Ｏ2の各流量＝２２４
／３１６ｓｃｃｍ（合計流量＝５４０ｓｃｃｍ）、Ｈ2
Ｏ添加量＝６０ｓｃｃｍ、ステージ温度＝２５℃であ
る。この場合、シリコンに対するシリコン窒化膜のエッ
チング選択比は９である。
【００４０】この条件で、図９（ａ）に示すような構造
のシリコン窒化膜１４をエッチングした。シリコン窒化
膜の厚さは２００ｎｍであり、３０％のオーバーエッチ
ングを行った。この場合、図９（ｂ）中に実線で示すよ
うに、シリコン窒化膜１４を除去した後の埋め込み多結
晶シリコン１２のエッチング量は３０ｎｍであり、（従
来方法では８７０ｎｍ）、埋め込み多結晶シリコン１２
のエッチング量を大幅に減少させることができた。
【００４１】この条件においても、従来方法と比較して
埋め込み多結晶シリコン１２のエッチング量を大幅に減
少させることができたが、さらにエッチング量を減少さ
せる方法を次に述べる。
【００４２】ＣＤＥの条件は、高周波電力＝７００Ｗ、
圧力＝７０Ｐａ、ＣＦ4／Ｏ2の各流量＝１４０／４００
ｓｃｃｍ（合計流量＝５４０ｓｃｃｍ）、Ｈ2Ｏ添加量
＝６０ｓｃｃｍ、ステージ温度＝２５℃である。この場
合、シリコンに対するシリコン窒化膜のエッチング選択
比は３０である。
【００４３】この条件では、前述したようにシリコン窒
化膜１４のエッチング深さが１００ｎｍのところで堆積
層の影響によりエッチング反応が進行しなくなってしま
うという現象があるので、図９（ａ）に示すような厚さ
２００ｎｍのシリコン窒化膜を１回のエッチング処理で
除去することはできない。そこで、エッチングの途中で
表面に形成された堆積層を、前述したように水洗や熱処
理で除去する工程が必要となる。
【００４４】この方法でシリコン窒化膜１４に対して３
０％のオーバーエッチングを行ったところ、埋め込み多
結晶シリコン１２のエッチング量は殆んど確認されない
状態でシリコン窒化膜１４を完全にエッチング除去でき
た。
【００４５】以上詳述したように、フッ素を含むガス
と、酸素ガスと、水素原子を含むガスとで構成される混
合ガスを用いたＣＤＥにより、シリコン窒化膜をシリコ
ンに対して選択的にエッチング除去することができた。
【００４６】また、上記各実施例では、Ｆ*を生成する
ための原料ガスとしてＣＦ4を用いたが、ＮＦ3、Ｓ
Ｆ6、ＸｅＦ、Ｆ2のようにＦを含むガスならいずれでも
よい。また、上記各実施例では、Ｈを含むガスとしてＨ
2Ｏを用いたが、Ｈ2、ＮＨ3のようにＨを含むガスなら
いずれでもよい。
【００４７】また、前記各実施例において、処理室の圧
力は７０Ｐａに限定されるものではなく、９０Ｐａまで
変化させても同様の効果が得られることを確認してお
り、１Ｔｏｒｒ程度（ほぼ１３３Ｐａ）まで変化させて
も同様の効果が得られるものと思われる。
【００４８】
【発明の効果】上述したように本発明のシリコン窒化膜
のエッチング方法およびエッチング装置によれば、ＣＤ
Ｅを用いてシリコン基体またはシリコン酸化膜上のシリ
コン窒化膜を選択的に除去する際、シリコンまたはシリ
コン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を比較的高
く設定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシリコン窒化膜のエッチング方法で使
用されるＣＤＥ装置の概略構成の一例を示す図。
【図２】本発明のシリコン窒化膜のエッチング方法の第
１実施例における各被処理体のエッチング速度のＨ2Ｏ
流量の依存性を示す図。
【図３】第１実施例における各ラジカルの発光強度のＨ
2Ｏ流量の依存性を示す図。
【図４】本発明のシリコン窒化膜のエッチング方法の第
２実施例における各被処理体のエッチング速度のＣＦ4
／（ＣＦ4＋Ｏ2）流量比の依存性を示す図。
【図５】本発明のシリコン窒化膜のエッチング方法の第
３実施例における各被処理体のエッチング速度の温度依
存性を示す図。
【図６】第３実施例におけるエッチング後の表面元素組
成比の処理温度依存性を示す図。
【図７】本発明方法におけるエッチング後のＳｉＮ表面
のＦＴ−ＩＲ分析結果を示す図。
【図８】本発明方法におけるエッチング後のＳｉＮ表面
のＸＰＳ分析結果を示す図。
【図９】本発明方法が適用される被処理体の構造の一例
を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１…反応ガス導入口、２…放電管、３…輸送管、４…マ
イクロ波導波管、５…処理室、６…半導体ウエハー、７
…ステージ、８…排気口、１１…シリコン基板、１２…
埋込み多結晶シリコン、１３…バッファ酸化膜、１４…
シリコン窒化膜。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリコン基体上またはシリコン酸化膜上
    にシリコン窒化膜が形成された半導体ウエハーを処理室
    内部に収容する工程と、フッ素を含むガスと、酸素ガス
    と、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスを
    放電部に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性種
    のラジカルのみを前記処理室内部に導入し、前記シリコ
    ン窒化膜の一部またはその全てを選択的にエッチング除
    去するエッチング工程とを具備することを特徴とするシ
    リコン窒化膜のエッチング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のシリコン窒化膜のエッチ
    ング方法において、前記水素を含むガスとして、Ｈ
    2Ｏ、Ｈ2、ＮＨ3のいずれかを使用することを特徴とす
    るシリコン窒化膜のエッチング方法。
  3. 【請求項３】 前記シリコン窒化膜のエッチング途中
    で、その表面に生成した変質堆積層を除去する工程をさ
    らに具備することを特徴とする請求項１記載のシリコン
    窒化膜のエッチング方法。
  4. 【請求項４】 前記シリコン窒化膜の表面に生成した変
    質堆積層を除去する工程は、水洗あるいは熱処理により
    行うことを特徴とする請求項３記載のシリコン窒化膜の
    エッチング方法。
  5. 【請求項５】 シリコン基体上またはシリコン酸化膜上
    に形成されたシリコン窒化膜の一部またはその全てを選
    択的に処理室内でエッチング除去処理する際、ＣＦ4ガ
    スおよびＯ2ガスにＨ2Ｏを添加した混合ガスとしてＨ2
    Ｏの添加量がＣＦ4ガスおよびＯ2ガスの合計流量よりも
    少ない混合ガスを放電部に導入してプラズマを発生さ
    せ、プラズマ活性種のうちのラジカルのみを前記処理室
    内に導入することを特徴とするシリコン窒化膜のエッチ
    ング方法。
  6. 【請求項６】 シリコン基体上またはシリコン酸化膜上
    に形成されたシリコン窒化膜の一部またはその全てを選
    択的に処理室内でエッチング除去処理する際、ＣＦ4ガ
    スおよびＯ2ガスにＨ2Ｏを添加した混合ガスとしてＣＦ
    4ガスの流量がＯ2ガスの流量よりも少ない混合ガスを放
    電部に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性種の
    うちのラジカルのみを前記処理室内に導入することを特
    徴とするシリコン窒化膜のエッチング方法。
  7. 【請求項７】 シリコン基体上またはシリコン酸化膜に
    シリコン窒化膜が形成された半導体ウエハーを内部に収
    容する処理室と、上記処理室の内部に設置され、その上
    面に前記半導体ウエハーを載置させてその温度を調整す
    るためのステージと、フッ素を含むガスと、酸素ガス
    と、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスが
    導入され、プラズマを発生する放電部と、上記放電部か
    らプラズマ活性種のラジカルのみを取り出して前記処理
    室の内部に導入するラジカル導入部とを具備することを
    特徴とするシリコン窒化膜のエッチング装置。
  8. 【請求項８】 前記ラジカル導入部は、前記放電部と前
    記処理室のラジカル導入部との間に輸送管が配設されて
    なることを特徴とする請求項７記載のシリコン窒化膜の
    エッチング装置。
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