JPH08264686A

JPH08264686A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08264686A
Application number: JP7062968A
Authority: JP
Inventors: Masako Sasaki; 雅子佐々木; Takayuki Okinaga; 隆幸沖永; Hiroshi Tate; 宏舘; Koji Emata; 孝司江俣; Teruo Kitamura; 輝夫北村; Hiroyuki Hozoji; 裕之宝蔵寺
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 1995-03-22
Filing date: 1995-03-22
Publication date: 1996-10-11

Abstract

(57)【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性を
高める。また、前記目的を達成する樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供する。【構成】樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆われた金
属体５（又は７若しくは９）を有する樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂
封止体１の樹脂１Ａで覆われた金属体５の表面との間に
シランカップリング層６を設ける。また、前記樹脂封止
型半導体装置の製造方法において、アルコキシシランカ
ップリング剤、有機溶剤及び０．５〜２０［Ｖol％］の
水を含有する表面処理液に金属体５を浸漬する工程と、
前記表面処理液から金属体５を取り出す工程と、前記金
属体５に熱処理を施し、この金属体５の表面にシランカ
ップリング層６を形成する工程と、前記金属体５の表面
を覆う樹脂封止体１を形成する工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法に関し、特に、樹脂封止体の樹脂で表
面が覆われた金属体を有する樹脂封止型半導体装置及び
その製造方法に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】製品コストの削減を主目的とする樹脂封
止型半導体装置として、例えばＱＦＰ(Ｑuad Ｆlat Ｐa
ckage)構造を採用する樹脂封止型半導体装置の開発が行
なわれている。このＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置は、タブのペレット塔載面上に半導体ペレット
を塔載し、前記半導体ペレットの外部端子とインナーリ
ードとをボンディングワイヤで電気的に接続し、前記半
導体ペレット、インナーリード、タブ及びボンディング
ワイヤ等を樹脂封止体で封止した構造で構成される。

【０００３】近年、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置は、半導体ペレットに塔載される回路システム
の高集積化や動作速度の高速化に伴い、半導体ペレット
から発生する動作熱が増加の傾向にある。そこで、半導
体ペレットから発生する動作熱を樹脂封止体の外部に放
出する目的として、例えば放熱板を有する樹脂封止型半
導体装置の開発が行なわれている。この樹脂封止型半導
体装置は、樹脂封止体の一表面から放熱板の一表面を露
出させ、前記放熱板の一表面と対向するその裏面にタブ
のペレット塔載面と対向するその裏面を接合させた構造
で構成される。放熱板は熱伝導率が高い例えばＣｕ又は
Ｃｕ系合金等の金属材で形成される。

【０００４】なお、放熱板を有する樹脂封止型半導体装
置については、例えば日経マイクロデバイス〔１９９１
年、５月号、第９４頁乃至第１０６頁〕に記載されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記樹脂封止型半導体
装置の樹脂封止体は、低応力化を図る目的として、例え
ばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラーが
添加されたエポキシ系の樹脂で形成される。このエポキ
シ系の樹脂は金属に対する接着性が低い。このため、製
品完成後の温度サイクル試験での熱処理時や実装基板に
実装する熱処理時において、樹脂封止体の樹脂と放熱板
との熱膨張係数の差に起因する熱ストレスによって、樹
脂封止体の樹脂とこの樹脂封止体の樹脂で覆われた放熱
板の表面との間に剥離が生じ、樹脂封止型半導体装置の
熱に対する信頼性が低下するという問題があった。

【０００６】本発明の目的は、樹脂封止体の樹脂で表面
が覆われた金属体を有する樹脂封止型半導体装置の信頼
性を高めることが可能な技術を提供することにある。

【０００７】また、本発明の他の目的は、前記目的を達
成する樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供すること
にある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１０】（１）樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた
金属体を有する樹脂封止型半導体装置において、前記樹
脂封止体の樹脂とこの樹脂封止体の樹脂で覆われた金属
体の表面との間にシランカップリング層を設ける。

【００１１】（２）樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた
金属体を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、アルコキシシランカップリング剤、有機溶剤及び
０．５〜２０［Ｖol％］の水を含有する表面処理液に金
属体を浸漬する工程と、前記表面処理液から金属体を取
り出す工程と、前記金属体に熱処理を施し、この金属体
の表面にシランカップリング層を形成する工程と、前記
金属体の表面を覆う樹脂封止体を形成する工程とを備え
る。

【００１２】

【作用】上述した手段（１）によれば、シランカップリ
ング層は、分子中に無機物に反応する官能基(例えばア
ルコキシ基)と有機物に反応する官能基(例えばアミノ
基)とが存在し、金属及び樹脂に対する接着性が高いの
で、製品完成後の温度サイクル試験での熱処理時や実装
基板に実装する熱処理時において、樹脂封止体の樹脂と
金属体との熱膨張係数の差に起因する熱ストレスによっ
て、樹脂封止体の樹脂とこの樹脂封止体の樹脂で覆われ
た金属体の表面との間に生じる剥離を防止することがで
きる。この結果、樹脂封止型半導体装置の熱に対する信
頼性を高めることができる。

【００１３】上述した手段（２）によれば、樹脂封止体
の樹脂とこの樹脂封止体の樹脂で覆われた金属体の表面
との間にシランカップリング層を形成することができる
ので、樹脂封止体の樹脂と金属体との熱膨張係数の差に
起因する熱ストレスによって、樹脂封止体の樹脂とこの
樹脂封止体の樹脂で覆われた金属体の表面との間に生じ
る剥離を防止することができる。この結果、樹脂封止体
の樹脂で表面が覆われた金属体を有する樹脂封止型半導
体装置において、熱に対する信頼性の高い樹脂封止型半
導体装置を製造することができる。

【００１４】また、有機溶剤は大気中の水分を除々に吸
収する作用があるため、表面処理液の含水率が１［％］
前後になる場合がある。水はアルコキシシランカップリ
ング剤のアルコキシ基と反応してこれを加水分解する作
用があるため、表面処理液の含水率が変動すると表面処
理液の特性も変動する。そこで、あらかじめ、表面処理
液の全量に対して０．５〜２０［Ｖol％］の割合で水を
含有させておくことにより、有機溶剤が大気中の水分を
吸収しても、表面処理液中の含水率は無視できる程度し
か変動しないので、表面処理液の特性を一定に維持する
ことができ、この表面処理液で形成されるシランラカッ
プリング層の金属及び樹脂に対する接着特性を一定にす
ることができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の構成について、ＱＦＰ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した実施
例とともに説明する。なお、実施例を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。

【００１６】（実施例１）本発明の実施例１である
ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の概略構成
を図１(断面図)に示す。

【００１７】図１に示すように、ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置は、タブ３Ｃのペレット塔載面上
に半導体ペレット２を塔載する。半導体ペレット２は接
着層(図示せず)を介在してタブ３Ｃのペレット塔載面上
に固着される。接着層は、熱伝導率が高い例えばポリイ
ミド系又はエポキシ系のＡｇペースト材、或はＰｂ−Ｓ
ｎ系のろう材等で形成される。

【００１８】前記半導体ペレットは、例えば平面形状が
方形状に形成された単結晶珪素基板を主体に構成され
る。単結晶珪素基板の主面には論理回路システム、記憶
回路システム、或はそれらの混合回路システムが塔載さ
れ、その主面上には複数個の外部端子(ボンディングパ
ッド)２Ａが配置される。この複数個の外部端子２Ａの
夫々は半導体ペレット２の外周囲の各辺に沿って配列さ
れる。

【００１９】前記半導体ペレット２の外周囲の外側には
複数本のインナーリード３Ａが配置される。この複数本
のインナーリード３Ａの夫々は半導体ペレット２の外周
囲の各辺に沿って配列される。

【００２０】前記複数本のインナーリード３Ａの夫々は
ボンディングワイヤ４を介して半導体ペレット２の主面
に配置された複数個の外部端子２Ａの夫々に電気的に接
続される。ボンディングワイヤ４は、例えばＡｌ、Ｃｕ
又はＡｕ等の金属材で形成される。ボンディングワイヤ
４は、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディン
グ法で接続される。

【００２１】前記半導体ペレット２、インナーリード３
Ａ、タブ３Ｃの夫々は、平面が方形状に形成された樹脂
封止体１で封止される。樹脂封止体１は、トランスファ
モールド法に基づいて形成され、例えば低応力化を図る
目的としてフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフ
ィラーが添加されたエポキシ系の樹脂１Ａで形成され
る。

【００２２】前記樹脂封止体１の外周囲の外側には複数
本のアウターリード３Ｂが配置される。この複数本のア
ウターリード３Ｂの夫々は、樹脂封止体１の各辺に沿っ
て配列され、樹脂封止体１で封止された複数本のインナ
ーリード３Ａの夫々に一体化される。

【００２３】前記複数本のアウターリード３Ｂの夫々
は、トランスファモールド法に基づいて樹脂封止体１を
形成した後、リードフレームの枠体から切断され、その
後、所定の形状(例えばガルウィング形状)に成形され
る。リードフレームは、例えばＦｅ−Ｎｉ(例えばＮｉ
含有率４２又は５０［％］)合金又はＣｕ系合金等の金
属材で形成される。

【００２４】前記樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止体
１の一表面(図中、下面)から一表面が露出される放熱板
５を備えている。この放熱板５の一表面と対向するその
裏面(図中、上面)は、タブ３Ｃのペレット塔載面と対向
するその裏面に接合される。

【００２５】前記放熱板５の裏面は例えば接着層を介在
してタブ３Ｃの裏面に固着される。

【００２６】接着層は、熱伝導率が高い例えばポリイミ
ド系のＡｇペースト材、Ｐｂ−Ｓｎ系のろう材等で形成
される。放熱板５は、例えば平面形状が方形状で形成さ
れ、熱伝導率が高い例えばＣｕ、Ｃｕ系合金、Ａｌ、Ａ
ｌ系合金、Ｆｅ又はＦｅ系合金等の金属材で形成され
る。つまり、放熱板５は、半導体ペレット２に塔載され
た回路システムの動作で発生する動作熱を樹脂封止体１
の外部に放出する金属体として構成される。

【００２７】前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱板５の表面との間には
シランカップリング層６が設けられる。このシランカッ
プリング層６は、分子中に無機物と反応する官能基(例
えばアルコキシ基)と有機物に反応する官能基(例えばア
ミノ基)とが存在するため、金属及び樹脂に対する接着
性が高い。つまり、シランカップリング層６は、樹脂封
止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆わ
れた放熱体５の表面とを強固に接着することができる。
なお、シランカップリング層６は絶縁体として構成され
る。

【００２８】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について、図２乃至図７(説明図)用いて簡単に説明す
る。

【００２９】まず、図２に示すように、表面処理液７の
液中に放熱板５を浸漬する。表面処理液７は、有機溶剤
と水とを混合させた混合溶媒にアルコキシシランカップ
リング剤を溶かしたものを使用する。アルコキシシラン
カップリング剤としては、例えばγ−（２−アミノエチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシランを使用する。混
合溶媒の有機溶剤としては例えばイソプロピルアルコー
ルを使用する。アルコキシシランカップリング剤の割合
は表面処理液７の全量に対して０．０５［Ｖol％］程度
に設定する。また、混合溶媒の水の割合は、表面処理液
７の全量に対して０．５〜２０［Ｖol％］の範囲に設定
する。

【００３０】水はアルコキシシランカップリング剤のア
ルコキシ基と反応してこれを加水分解する作用があるた
め、表面処理液７の含水率が変動すると表面処理液７の
特性も変動する。有機溶剤は大気中の水分を除々に吸収
する作用があるため、表面処理液７の含水率が１［％］
前後になる場合もある。そこで、本実施例のように、あ
らかじめ、表面処理液７の全量に対して０．５〜２０
［Ｖol％］の割合で水を含有させておくことにより、有
機溶剤が大気中の水分を吸収しても、表面処理液７の含
水率は無視できる程度しか変動しないので、表面処理液
７の特性を一定に維持することができる。なお、有機溶
剤の水分吸収作用による表面処理液７の含水率の変動を
無視できる程度に抑えるためには、表面処理液７の全量
に対して０．５［Ｖol％］以上の割合で水を含有させて
おく必要があるが、水の含有率が高すぎると表面処理効
果が低下するため、表面処理液７の全量に対して含有さ
せる水の割合は、前述のように、２０［Ｖol％］程度を
上限とする。

【００３１】次に、前記表面処理液７の液中から放熱板
５を取り出し、この放熱板５の表面に残留した表面処理
液をエアーブローなどで除去した後、風乾により予備乾
燥を行う。

【００３２】次に、前記放熱板５に熱処理を施し、図３
に示すように、放熱板５の表面にシランカップリング層
６を形成する。熱処理は、例えば２８０［℃］程度の温
度雰囲気中で約１時間程度行う。シランカップリング層
６の膜厚は、アルコキシシランカップリング剤１〜９分
子層程度とするのが好適である。

【００３３】次に、図４に示すように、リードフレーム
３のタブ３Ｃのペレット塔載面と対向するその裏面に接
着層を介在して放熱板５を固着する。リードフレーム３
は、インナーリード３Ａ、アウターリード３Ｂ及びタブ
３Ｃを有し、例えばＦｅ−Ｎｉ合金又はＣｕ系合金等の
金属材で形成される。

【００３４】次に、図５に示すように、前記リードフレ
ーム３のタブ３Ｃのペレット塔載面上に接着層を介在し
て半導体ペレット２を固着する。

【００３５】次に、図６に示すように、前記半導体ペレ
ット２の外部端子２Ａとリードフレーム３のインナーリ
ード３Ａとをボンディングワイヤ４で電気的に接続す
る。

【００３６】次に、成形金型８の上型８Ａと下型８Ｂと
の間に前記リードフレーム３を配置すると共に、前記成
形金型８の上型８Ａと下型８Ｂとで形成されるキャビテ
ィ９内に半導体ペレット２、インナーリード３Ａ、タブ
３Ｃ、ボンディングワイヤ４及び放熱板５を配置する。
この工程において、放熱板５の一表面は成形金型８のキ
ャビティ９の内壁面に接触される。

【００３７】次に、前記成形金型８のキャビティ９内に
樹脂１Ａを充填し、半導体ペレット２、インナーリード
３Ａ、タブ３Ｃ及びボンディングワイヤ４を封止すると
共に、キャビティ９の内壁面に接触された一表面及びタ
ブ３Ｃが接合された領域を除く放熱板５の他の表面を覆
う樹脂封止体１を形成する。この工程において、樹脂封
止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆わ
れた放熱板５の表面との間にはシランカップリング層６
が形成される。

【００３８】次に、前記リードフレーム３の枠体からア
ウターリード３Ｂを切断し、その後、アウターリード３
Ｂを所定の形状に成形する。この工程により、樹脂封止
型半導体装置はほぼ完成する。

【００３９】次に、前記樹脂封止型半導体装置に温度サ
イクル試験を施し、良品、不良品の選別を行なう。その
後、樹脂封止型半導体装置は製品として出荷される。製
品として出荷された樹脂封止型半導体装置は実装基板の
実装面上に実装される。

【００４０】なお、アルコキシシランカップリング剤と
しては、例えば下記の一般式〔Ｉ〕又は〔ＩＩ〕で表わ
されるものを使用してもよい。

【００４１】

【化１】

【００４２】（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルコキシ
基、Ｘはアミノ基、Ｙはエポキシ基、アミノ基、ビニル
基、メタクリロキシ基、メルカプト基、水酸基又はカル
ボキシル基、ｎ，ｍは夫々１〜２０の整数を表す）。

【００４３】また、混合溶媒としては、アルコキシシラ
ンカップリング剤の種類に応じて、アルコール系、芳香
族炭化水素系、ケトン系、エステル系、エーテル系、セ
ロソルブ系、或はこれらの２種類以上の有機溶剤と水と
を混合させたものを使用してもよい。

【００４４】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。

【００４５】（１）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われた放熱板５(金属体)を有する樹脂封止型半導体装置
において、前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止
体１の樹脂１Ａで覆われた金属体５の表面との間にシラ
ンカップリング層６を設ける。この構成により、シラン
カップリング層６は、分子中に無機物と反応する官能基
(例えばアルコキシ基)と有機物と反応する官能基(例え
ばアミノ基)とが存在し、金属及び樹脂に対する接着性
が高いので、製品完成後の温度サイクル試験での熱処理
時や実装基板に実装する熱処理時において、樹脂封止体
１の樹脂１Ａと放熱板５との熱膨張係数の差に起因する
熱ストレスによって、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹
脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱板５の表面との間
に生じる剥離を防止することができる。

【００４６】この結果、樹脂封止体１の樹脂１Ａに含ま
れている水分が剥離領域に溜り、この溜った水分の熱に
よる膨張で樹脂封止体１に生じる亀裂を防止することが
できるので、樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性
を高めることができる。

【００４７】また、剥離による水分パス経路の発生を防
止することができるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿
性を高めることができる。

【００４８】（２）樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた
放熱板(金属体)５を有する樹脂封止型半導体装置の製造
方法において、アルコキシシランカップリング剤、有機
溶剤及び０．５〜２０［Ｖol％］の水を含有する表面処
理液７に放熱板(金属体)５を浸漬する工程と、前記表面
処理液７から放熱板５を取り出す工程と、前記放熱板５
に熱処理を施し、この放熱板５の表面にシランカップリ
ング層６を形成する工程と、前記放熱板５の表面を覆う
樹脂封止体１を形成する工程とを備える。これにより、
樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａ
で覆われた放熱板５の表面との間にシランカップリング
層６を形成することができるので、樹脂封止体１の樹脂
１Ａと放熱板５との熱膨張係数の差に起因する熱ストレ
スによって、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体
１の樹脂１Ａで覆われた放熱板５の表面との間に生じる
剥離を防止することができる。この結果、樹脂封止体１
の樹脂１Ａで表面が覆われた放熱板５を有する樹脂封止
型半導体装置において、熱に対する信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置を製造することができる。

【００４９】また、有機溶剤は大気中の水分を除々に吸
収する作用があるため、表面処理液７の含水率が１
［％］前後になる場合がある。水はアルコキシシランカ
ップリング剤のアルコキシ基と反応してこれを加水分解
する作用があるため、表面処理液７の含水率が変動する
と表面処理液の特性も変動する。そこで、あらかじめ、
表面処理液７の全量に対して０．５〜２０［Ｖol％］の
割合で水を含有させておくことにより、有機溶剤が大気
中の水分を吸収しても、表面処理液７の含水率は無視で
きる程度しか変動しないので、表面処理液７の特性を一
定に維持することができ、この表面処理液７で形成され
るシンラカップリング層６の金属及び樹脂に対する接着
特性を一定にすることができる。

【００５０】なお、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、リードフレーム３のタブ３Ｃの裏面と放熱
板５は接着層で固着せず、成形金型８のキャビティ９の
内壁面に放熱板５を配置し、この放熱板５にリードフレ
ーム３のタブ３Ｃの裏面を載置した後、樹脂封止体１を
形成してもよい。この場合、放熱板５は樹脂封止体１の
樹脂１Ａとの接着力だけで樹脂封止体１に保持されるこ
とになるので、放熱板５の剥離による脱落を防止するこ
とができる。

【００５１】また、リードフレーム３のタブ３Ｃに固着
する前に放熱板５を表面処理液７に浸漬させているが、
タブ３Ｃに放熱板５を固着した後、図８に示すように、
リードフレーム３及び放熱板５を表面処理液７に浸漬さ
せてもよい。この場合、インナーリード３Ａ、アウター
リード３Ｂ、タブ３Ｃの夫々の表面にもシランカップリ
ング層６が形成される。

【００５２】また、半導体ペレット２の外部端子２Ａと
リードフレーム３のインナーリード３Ａとをボンディン
グワイヤ４で電気的に接続した後、図９に示すように、
半導体ペレット２、リードフレーム３、ボンディングワ
イヤ４及び放熱板５を表面処理液７に浸漬させてもよ
い。この場合、半導体ペレット２、インナーリード３
Ａ、アウターリード３Ｂ、タブ３Ｃ、ボンディングワイ
ヤ４の夫々の表面にもシランカップリング層６が形成さ
れる。

【００５３】また、前記樹脂封止型半導体装置におい
て、図１０(断面図)に示すように、半導体ペレット２の
裏面に放熱板５を連結し、かつインナーリード３Ａの裏
面に絶縁体１１を介在して放熱板５を連結した構造で構
成してもよい。

【００５４】（実施例２）本発明の実施例２である
ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の概略構成
を図１１(断面図)に示す。

【００５５】図１１に示すように、ＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置は、タブ３Ｃのペレット塔載面
上に半導体ペレット２を塔載し、前記半導体ペレット２
の外部端子２Ａとインナーリード３Ａとをボンディング
ワイヤ４で電気的に接続し、前記半導体ペレット２、イ
ンナーリード３Ａ、タブ３Ｃ、ボンディングワイヤ４及
び熱拡散板１０を樹脂封止体１で封止した構造で構成さ
れる。

【００５６】前記熱拡散板１０は、例えば平面形状が方
形状で形成され、熱伝導率が高い例えばＣｕ、Ｃｕ系合
金、Ａｌ、Ａｌ系合金、Ｆｅ又はＦｅ系合金等の金属材
で形成される。この熱拡散板１０は、タブ３Ｃのペレッ
ト塔載面と対向するその裏面に接着層(図示せず)を介在
して固着されると共に、絶縁体１１を介在してインナー
リード３Ａの一端側に支持される。つまり、熱拡散板１
０は、半導体ペレット２に塔載された回路システムの動
作で発生する動作熱をインナーリード３Ａ及び樹脂封止
体１に拡散する金属体として構成される。

【００５７】前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われた熱拡散板１０の表面との間
にはシランカップリング層６が設けられる。つまり、樹
脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで
覆われた熱拡散板１０の表面はシランカップリング層６
で強固に接着される。

【００５８】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について簡単に説明する。

【００５９】まず、表面処理液の液中に熱拡散板１０を
浸漬する。表面処理液は、前述の実施例１と同様に、有
機溶剤と水とを混合させた混合溶媒にアルコキシシラン
カップリング剤を溶かしたものを使用する。

【００６０】次に、前記表面処理液の液中から熱拡散板
１０を取り出し、この熱拡散板１０の表面に残留した表
面処理液をエアーブローなどで除去した後、風乾により
予備乾燥を行う。

【００６１】次に、前記熱拡散板１０に熱処理を施し、
この熱拡散板７の表面にシランカップリング層６を形成
する。熱処理は前述の実施例１と同様に行う。

【００６２】次に、リードフレームのタブ３Ｃのペレッ
ト塔載面と対向するその裏面に接着層を介在して熱拡散
板１０を固着すると共に、インナーリード３Ａの一端側
に絶縁体１１を介在して放熱板１０を支持する。

【００６３】次に、前記リードフレームのタブ３Ｃのペ
レット塔載面上に接着層を介在して半導体ペレット２を
固着する。

【００６４】次に、前記半導体ペレット２の外部端子２
Ａと前記リードフレームのインナーリード３Ａとをボン
ディングワイヤ４で電気的に接続する。

【００６５】次に、成形金型の上型と下型との間に前記
リードフレームを配置すると共に、前記成形金型の上型
と下型とで形成されるキャビティ内に半導体ペレット
２、インナーリード３Ａ、タブ３Ｃ、ボンディングワイ
ヤ４及び熱拡散板１０を配置する。

【００６６】次に、前記成形金型のキャビティ内に樹脂
１Ａを充填し、半導体ペレット２、インナーリード３
Ａ、タブ３Ｃ、ボンディングワイヤ４及び熱拡散板１０
を封止する樹脂封止体１を形成する。この時、タブ３Ｃ
が接合された領域及びインナーリード３Ａが接合された
領域を除く熱拡散板１１の他の表面は樹脂封止体１の樹
脂１Ａで覆われる。この工程において、樹脂封止体１の
樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた熱拡
散板１１の表面との間にはシランカップリング層６が形
成される。

【００６７】次に、前記リードフレームの枠体からアウ
ターリード３Ｂを切断し、その後、アウターリード３Ｂ
を所定の形状に成形する。この工程により、樹脂封止型
半導体装置はほぼ完成する。

【００６８】次に、前記樹脂封止型半導体装置に温度サ
イクル試験を施し、良品、不良品の選別を行なう。その
後、樹脂封止型半導体装置は製品として出荷される。製
品として出荷された樹脂封止型半導体装置は実装基板の
実装面上に実装される。

【００６９】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。

【００７０】（１）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われた熱拡散板(金属体)１０を有する樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂
封止体１の樹脂１Ａで覆われた熱拡散板１０の表面との
間にシランカップリング層６を設ける。この構成によ
り、シランカップリング層６は、金属及び樹脂に対する
接着性が高いので、製品完成後の温度サイクル試験での
熱処理時や実装基板に実装する熱処理時において、樹脂
封止体１の樹脂１Ａと熱拡散板７との熱膨張係数の差に
起因する熱ストレスによって、樹脂封止体１の樹脂１Ａ
とこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた熱拡散板７の
表面との間に生じる剥離を防止することができる。

【００７１】この結果、樹脂封止体１の樹脂１Ａに含ま
れている水分が剥離領域に溜り、この溜った水分の熱に
よる膨張で樹脂封止体１に生じる亀裂を防止することが
できるので、樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性
を高めることができる。

【００７２】（２）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われた熱拡散板(金属体)１０を有する樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、アルコキシシランカップリン
グ剤、有機溶剤及び０．５〜２０［Ｖol％］の水を含有
する表面処理液に熱拡散板１０を浸漬する工程と、前記
表面処理液から前記熱拡散板１０を取り出す工程と、前
記熱拡散板１０に熱処理を施し、この熱拡散板１０の表
面にシランカップリング層６を形成する工程と、前記熱
拡散板１０の表面を覆う樹脂封止体１を形成する工程と
を備える。これにより、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの
樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた熱拡散板１０の表面
との間にシランカップリング層６を形成することができ
るので、樹脂封止体１の樹脂１Ａと熱拡散板１０との熱
膨張係数の差に起因する熱ストレスによって、樹脂封止
体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われ
た熱拡散板１０の表面との間に生じる剥離を防止するこ
とができる。この結果、樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面
が覆われた熱拡散板(金属体)１０を有する樹脂封止型半
導体装置において、熱に対する信頼性の高い樹脂封止型
半導体装置を製造することができる。

【００７３】なお、前記樹脂封止型半導体装置におい
て、絶縁体１１を廃止し、インナーリード３Ａの一端側
に放熱板１１を支持しなくともよい。

【００７４】また、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、リードフレームのタブ３Ｃに固着する前に
熱拡散板１０を表面処理液に浸漬させているが、タブ３
Ｃに放熱板５を固着した後、リードフレーム及び熱拡散
板１０を表面処理液に浸漬させてもよい。この場合、イ
ンナーリード３Ａ、アウターリード３Ｂ、タブ３Ｃの夫
々の表面にもシランカップリング層６が形成される。

【００７５】また、半導体ペレット２の外部端子２Ａと
リードフレーム３のインナーリード３Ａとをボンディン
グワイヤ４で電気的に接続した後、半導体ペレット２、
リードフレーム３、ボンディングワイヤ４及び熱拡散１
０を表面処理液に浸漬させてもよい。この場合、半導体
ペレット２、インナーリード３Ａ、アウターリード３
Ｂ、タブ３Ｃ、ボンディングワイヤ４の夫々の表面にも
シランカップリング層６が形成される。

【００７６】（実施例３）本発明の実施例３である
ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の概略構成
を図１２(断面図)に示す。

【００７７】図１２に示すように、ＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置は、タブ３Ｃのペレット塔載面
上に半導体ペレット２を塔載し、前記半導体ペレット２
の外部端子２Ａとインナーリード３Ａとをボンディング
ワイヤで電気的に接続し、前記半導体ペレット２、イン
ナーリード３Ａ、タブ３Ｃ及びボンディングワイヤ４を
樹脂封止体１で封止し、樹脂封止体１の一表面上に放熱
フィン１２を配置した構造で構成される。

【００７８】前記放熱フィン１２は熱伝導率が高い例え
ばＡｌ、Ａｌ系合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、Ｆｅ又はＦｅ
系合金等の金属材で形成される。この放熱フィン１２
は、その一部が樹脂封止体１に埋め込まれる。つまり、
放熱フィン１２は、半導体ペレット２に塔載された回路
システムの動作で発生する動作熱を樹脂封止体１の外部
に放出する金属体として構成される。

【００７９】前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱フィン１２の表面との
間にはシランカップリング層６が設けられる。つまり、
樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａ
で覆われた放熱フィン１２の表面はシランカップリング
層６で強固に接着される。

【００８０】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について簡単に説明する。

【００８１】まず、表面処理液の液中に放熱フィン１２
を浸漬する。表面処理液は、前述の実施例１と同様に、
有機溶剤と水とを混合させた混合溶媒にアルコキシシラ
ンカップリング剤を溶かしたものを使用する。

【００８２】次に、前記表面処理液の液中から放熱フィ
ン１２を取り出し、この放熱フィン１２の表面に残留し
た表面処理液をエアーブローなどで除去した後、風乾に
より予備乾燥を行う。

【００８３】次に、前記放熱フィン１２に熱処理を施
し、この放熱フィン１２の表面にシランカップリング層
６を形成する。熱処理は前述の実施例１と同様に行う。

【００８４】次に、リードフレームのタブ３Ｃのペレッ
ト塔載面上に接着層を介在して半導体ペレット２を固着
する。

【００８５】次に、前記半導体ペレット２の外部端子２
Ａと前記リードフレームのインナーリード３Ａとをボン
ディングワイヤ４で電気的に接続する。

【００８６】次に、成形金型の上型と下型との間に前記
リードフレームを配置すると共に、前記成形金型の上型
と下型とで形成されるキャビティ内に半導体ペレット
２、インナーリード３Ａ、タブ３Ｃ、ボンディングワイ
ヤ４、及び放熱フィン９を配置する。

【００８７】次に、前記成形金型のキャビティ内に樹脂
１Ａを充填し、半導体ペレット２、インナーリード３
Ａ、タブ３Ｃ及びボンディングワイヤ４を封止すると共
に、放熱フィン１２の一部を埋め込む樹脂封止体１を形
成する。この時、放熱フィン１２の一部の表面は樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われる。この工程において、樹脂
封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆
われた放熱フィン９の表面との間にはシランカップリン
グ層６が形成される。

【００８８】次に、前記リードフレームの枠体からアウ
ターリード３Ｂを切断し、その後、アウターリード３Ｂ
を所定の形状に成形する。この工程により、樹脂封止型
半導体装置はほぼ完成する。

【００８９】次に、前記樹脂封止型半導体装置に温度サ
イクル試験を施し、良品、不良品の選別を行なう。その
後、樹脂封止型半導体装置は製品として出荷される。製
品として出荷された樹脂封止型半導体装置は実装基板の
実装面上に実装される。

【００９０】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。

【００９１】（１）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われた放熱フィン(金属体)１２を有する樹脂封止型半導
体装置において、前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹
脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱フィン１２の表面
との間にシランカップリング層６を設ける。この構成に
より、シランカップリング層６は、金属及び樹脂に対す
る接着性が高いので、製品完成後の温度サイクル試験で
の熱処理時や実装基板に実装する熱処理時において、樹
脂封止体１の樹脂１Ａと放熱フィン１２との熱膨張係数
の差に起因する熱ストレスによって、樹脂封止体１の樹
脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱フ
ィン１２の表面との間に生じる剥離を防止することがで
きる。

【００９２】この結果、樹脂封止体１から放熱フィン１
２が脱落するのを防止することができるので、樹脂封止
型半導体装置の熱に対する信頼性を高めることができ
る。

【００９３】（２）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われた放熱フィン(金属体)１２を有する樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、アルコキシシランカップリ
ング剤、有機溶剤及び０．５〜２０［Ｖol％］の水を含
有する表面処理液に放熱フィン１２を浸漬する工程と、
前記表面処理液から放熱フィン１２を取り出す工程と、
前記熱放熱フィン１２に熱処理を施し、この放熱フィン
１２の表面にシランカップリング層６を形成する工程
と、前記放熱フィン１２の表面を覆う樹脂封止体１を形
成する工程とを備える。これにより、樹脂封止体１の樹
脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われた放熱フ
ィン９の表面との間にシランカップリング層６を形成す
ることができるので、樹脂封止体１の樹脂１Ａと放熱フ
ィン１２との熱膨張係数の差に起因する熱ストレスによ
って、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹
脂１Ａで覆われた放熱フィン１２の表面との間に生じる
剥離を防止することができる。この結果、樹脂封止体１
の樹脂１Ａで表面が覆われた放熱フィン(金属体)１２を
有する樹脂封止型半導体装置において、熱に対する信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。

【００９４】（実施例４）本発明の実施例４である
ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置の概略構成
を図１３(断面図)に示す。

【００９５】図１３に示すように、ＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置は、タブ３Ｃのペレット塔載面
上に半導体ペレット２を塔載し、前記半導体ペレット２
の外部端子２Ａとインナーリード３Ａとをボンディング
ワイヤで電気的に接続し、前記半導体ペレット２、イン
ナーリード３Ａ、タブ３Ｃ及びボンディングワイヤ４を
樹脂封止体１で封止した構造で構成される。

【００９６】前記インナーリード３Ａ、タブ３Ｃの夫々
は熱伝導率が高い例えばＦｅ−Ｎｉ系合金又はＣｕ系合
金等の金属材で形成される。このインナーリード３Ａに
はボンディングワイヤ４を介して半導体ペレット２の外
部端子２Ａが電気的に接続される。また、タブ３Ｃのペ
レット塔載面上には半導体ペレット２が塔載される。つ
まり、インナーリード３Ａはボンディングワイヤ４を介
して半導体ペレット２の外部端子２Ａに電気的に接続さ
れる金属体として構成される。また、タブ３Ｃは半導体
ペレット２が塔載される金属体として構成される。

【００９７】前記樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われたインナーリード３Ａの表面
との間にはシランカップリング層６が設けられる。ま
た、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂
１Ａで覆われたタブ３Ｃの表面との間にはシランカップ
リング層６が設けられる。つまり、樹脂封止体１の樹脂
１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われたインナー
リード３Ａの表面はシランカップリング層６で強固に接
着される。また、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封
止体１の樹脂１Ａで覆われたタブ３Ｃの表面はシランカ
ップリング層６で強固に接着される。

【００９８】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について簡単に説明する。

【００９９】まず、インナーリード３Ａ、アウターリー
ド３Ｂ、タブ３Ｃの夫々を有するリードフレームを用意
する。

【０１００】次に、表面処理液の液中に前記リードフレ
ームを浸漬する。表面処理液は、前述の実施例１と同様
に、有機溶剤と水とを混合させた混合溶媒にアルコキシ
シランカップリング剤を溶かしたものを使用する。

【０１０１】次に、前記表面処理液の液中からリードフ
レームを取り出し、このリードフレームの表面に残留し
た表面処理液をエアーブローなどで除去した後、風乾に
より予備乾燥を行う。

【０１０２】次に、前記リードフレームに熱処理を施
し、このリードフレームのインナーリード３Ａ、タブ３
Ｃの夫々の表面にシランカップリング層６を形成する。
熱処理は前述の実施例１と同様に行う。この時、リード
フレームのアウターリード３Ｂの表面にもシランカップ
リング層６が形成される。

【０１０３】次に、リードフレームのタブ３Ｃのペレッ
ト塔載面上に接着層を介在して半導体ペレット２を固着
する。

【０１０４】次に、前記半導体ペレット２の外部端子２
Ａと前記リードフレームのインナーリード３Ａとをボン
ディングワイヤ４で電気的に接続する。

【０１０５】次に、成形金型の上型と下型との間に前記
リードフレームを配置すると共に、前記成形金型の上型
と下型とで形成されるキャビティ内に半導体ペレット
２、インナーリード３Ａ、タブ３Ｃ及びボンディングワ
イヤ４を配置する。

【０１０６】次に、前記成形金型のキャビティ内に樹脂
１Ａを充填し、半導体ペレット２、インナーリード３
Ａ、タブ３Ｃ、ボンディングワイヤ４を樹脂封止体１で
封止する。この時、インナーリード３Ｃ、タブ３Ｃの夫
々の表面は樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆われる。この工
程において、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体
１の樹脂１Ａで覆われたインナーリード３Ａ、タブ３Ｃ
の夫々の表面との間にはシランカップリング層６が形成
される。

【０１０７】次に、前記リードフレームの枠体からアウ
ターリード３Ｂを切断し、その後、アウターリード３Ｂ
を所定の形状に成形する。この工程により、樹脂封止型
半導体装置はほぼ完成する。

【０１０８】次に、前記樹脂封止型半導体装置に温度サ
イクル試験を施し、良品、不良品の選別を行なう。その
後、樹脂封止型半導体装置は製品として出荷される。製
品として出荷された樹脂封止型半導体装置は実装基板の
実装面上に実装される。

【０１０９】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。

【０１１０】（１）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われたインナーリード(金属体)３Ａ又はタブ(金属体)３
Ｃを有する樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆わ
れたインナーリード３Ａの表面又はタブ３Ｃの表面との
間にシランカップリング層６を設ける。この構成によ
り、シランカップリング層６は、金属及び樹脂に対する
接着性が高いので、製品完成後の温度サイクル試験での
熱処理時や実装基板に実装する熱処理時において、樹脂
封止体１の樹脂１Ａとインナーリード３Ｃ又はタブ３Ｃ
との熱膨張係数の差に起因する熱ストレスによって、樹
脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで
覆われたインナーリード３Ａの表面又はタブ３Ｃの表面
との間に生じる剥離を防止することができる。

【０１１１】この結果、樹脂封止体１の樹脂１Ａに含ま
れている水分が剥離領域に溜り、この溜った水分の熱に
よる膨張で樹脂封止体１に生じる亀裂を防止することが
できるので、樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性
を高めることができる。

【０１１２】（２）樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆
われたインナーリード(金属体)３Ａ又はタブ(金属体)３
Ｃを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
アルコキシシランカップリング剤、有機溶剤及び０．５
〜２０［Ｖol％］の水を含有する表面処理液にインナー
リード３Ａ又はタブ３Ｃを浸漬する工程と、前記表面処
理液からインナーリード３Ａ又はタブ３Ｃを取り出す工
程と、前記インナーリード３Ａ又はタブ３Ｃに熱処理を
施し、このインナーリード３Ａの表面又はタブ３Ｃの表
面にシランカップリング層６を形成する工程と、前記イ
ンナーリード３Ａの表面又はタブ３Ｃの表面を覆う樹脂
封止体１を形成する工程とを備える。これにより、樹脂
封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の樹脂１Ａで覆
われたインナーリード３Ａの表面又はタブ３Ｃの表面と
の間にシランカップリング層６を形成することができる
ので、樹脂封止体１の樹脂１Ａとインナーリード３Ａ又
はタブ３Ｃとの熱膨張係数の差に起因する熱ストレスに
よって、樹脂封止体１の樹脂１Ａとこの樹脂封止体１の
樹脂１Ａで覆われたインナーリード３Ａの表面又はタブ
３Ｃの表面との間に生じる剥離を防止することができ
る。この結果、樹脂封止体１の樹脂１Ａで表面が覆われ
たインナーリード(金属体)３Ａ又はタブ(金属体)３Ｃを
有する樹脂封止型半導体装置において、熱に対する信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。

【０１１３】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【０１１４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【０１１５】樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた金属体
を有する樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性を高
めることができる。

【０１１６】また、樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた
金属体を有する樹脂封止型半導体装置において、熱に対
する信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装置
の概略構成を示す断面図。

【図２】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図３】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図４】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図５】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図６】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図７】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図８】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図９】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための説明図。

【図１０】前記樹脂封止型半導体装置の変形例を示す断
面図。

【図１１】本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す断面図。

【図１２】本発明の実施例３である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す断面図。

【図１３】本発明の実施例４である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す断面図。

【符号の説明】

１…樹脂封止型半導体装置、１Ａ…樹脂、２…半導体ペ
レット、２Ａ…外部端子、３…リードフレーム、３Ａ…
インナーリード(金属体)、３Ｂ…アウターリード、３Ｃ
…タブ(金属体)、４…ボンディングワイヤ、５…放熱板
(金属体)、６…シランカップリング層、７…表面処理
液、８…成形金型、９…キャビティ、１０…熱拡散部板
(金属体)、１１…絶縁体、１２…放熱フィン(金属体)。

フロントページの続き (72)発明者沖永隆幸東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者舘宏東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者江俣孝司東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者北村輝夫東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者宝蔵寺裕之東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた金属
体を有する樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封
止体の樹脂とこの樹脂封止体の樹脂で覆われた前記金属
体の表面との間にシランカップリング層を設けたことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】前記金属体は、前記樹脂封止体の一表面
から一表面が露出される放熱板又は前記樹脂封止体で封
止される熱拡散板若しくは前記樹脂封止体の外部に配置
される放熱フィンであることを特徴とする請求項１に記
載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】前記金属体は、半導体ペレットの外部端
子にボンディングワイヤを介して電気的に接続されるイ
ンナーリード又は前記半導体ペレットが塔載されるタブ
であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
導体装置。
【請求項４】樹脂封止体の樹脂で表面が覆われた金属
体を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
アルコキシシランカップリング剤、有機溶剤及び０．５
〜２０［Ｖol％］の水を含有する表面処理液に金属体を
浸漬する工程と、前記表面処理液から金属体を取り出す
工程と、前記金属体に熱処理を施し、この金属体の表面
にシランカップリング層を形成する工程と、前記金属体
の表面を覆う樹脂封止体を形成する工程とを備えたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記金属体は、前記樹脂封止体の一表面
から一表面が露出される放熱板又は前記樹脂封止体で封
止される熱拡散板若しくは前記樹脂封止体の外部に配置
される放熱フィンであることを特徴とする請求項４に記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記金属体は、半導体ペレットの外部端
子にボンディングワイヤを介して電気的に接続されるイ
ンナーリード又は前記半導体ペレットが塔載されるタブ
であることを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。