JPH08264706A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体チップの表面に接着テープを
介してリードフレームを接合してなるLOC構造の半導
体装置およびその製造方法において、組み立てを簡素化
できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ11とリードフレーム
13との接合に用いられる接着テープ12に、リードフ
レーム13のインナリード13aと半導体チップ11上
の電極パッド11aとの間を導通させるための配線14
を設ける。そして、この接着テープ12を介して、半導
体チップ11の表面にリードフレーム13を接合すると
同時に、接着テープ12に設けられた配線14を介し
て、インナリード13aと電極パッド11aとの間を電
気的に接続する構成となっている。
介してリードフレームを接合してなるLOC構造の半導
体装置およびその製造方法において、組み立てを簡素化
できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ11とリードフレーム
13との接合に用いられる接着テープ12に、リードフ
レーム13のインナリード13aと半導体チップ11上
の電極パッド11aとの間を導通させるための配線14
を設ける。そして、この接着テープ12を介して、半導
体チップ11の表面にリードフレーム13を接合すると
同時に、接着テープ12に設けられた配線14を介し
て、インナリード13aと電極パッド11aとの間を電
気的に接続する構成となっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プの表面に接着テープを介してリードフレームを接合す
るようにしてなる半導体装置およびその製造方法に関す
るもので、特にLOC(リード・オン・チップ)構造の
半導体装置に用いられるものである。
プの表面に接着テープを介してリードフレームを接合す
るようにしてなる半導体装置およびその製造方法に関す
るもので、特にLOC(リード・オン・チップ)構造の
半導体装置に用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】図6は、LOC構造を有する従来の半導
体装置の概略構成を示すものである。この半導体装置
は、たとえば、半導体チップ1の表面に接着テープ2を
用いてリードフレームのインナリード3a側を接合し、
そのインナリード3aと電極パッド1aとの間を、導電
性を有する金属細線4を介して電気的に接続してなる構
成とされている。
体装置の概略構成を示すものである。この半導体装置
は、たとえば、半導体チップ1の表面に接着テープ2を
用いてリードフレームのインナリード3a側を接合し、
そのインナリード3aと電極パッド1aとの間を、導電
性を有する金属細線4を介して電気的に接続してなる構
成とされている。
【0003】この半導体装置の場合、上記半導体チップ
1として、チップ表面の中央部に電極パッド1aが配列
された、LOC特有のセンタパッド構造のものが使用さ
れている。
1として、チップ表面の中央部に電極パッド1aが配列
された、LOC特有のセンタパッド構造のものが使用さ
れている。
【0004】また、上記接着テープ2としては、エポキ
シ系のポリイミドなどの絶縁性テープ2aの上下の面に
それぞれ接着剤2bが塗布された3層構造のものが用い
られている。
シ系のポリイミドなどの絶縁性テープ2aの上下の面に
それぞれ接着剤2bが塗布された3層構造のものが用い
られている。
【0005】このような構成の半導体装置によれば、チ
ップとほぼ同等サイズのパッケージ製品を実現できるメ
リットがある。しかしながら、上記した半導体装置の製
造に際しては、半導体チップ1の表面へのリードフレー
ムの接合、およびインナリード3aと電極パッド1aと
の間の電気的な接続が、異なる製造装置を用いて、それ
ぞれ別の工程により行われるようになっている。このた
め、工程数が多く、半導体装置の組み立てに時間を要す
るなどの問題があった。
ップとほぼ同等サイズのパッケージ製品を実現できるメ
リットがある。しかしながら、上記した半導体装置の製
造に際しては、半導体チップ1の表面へのリードフレー
ムの接合、およびインナリード3aと電極パッド1aと
の間の電気的な接続が、異なる製造装置を用いて、それ
ぞれ別の工程により行われるようになっている。このた
め、工程数が多く、半導体装置の組み立てに時間を要す
るなどの問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、半導体チップの表面へリードフレームを接
合する工程、およびインナリードと電極パッドとの間を
電気的に接続する工程がそれぞれ独立していたため、工
程数が多く、半導体装置の組み立てに時間を要するとい
った問題があった。
においては、半導体チップの表面へリードフレームを接
合する工程、およびインナリードと電極パッドとの間を
電気的に接続する工程がそれぞれ独立していたため、工
程数が多く、半導体装置の組み立てに時間を要するとい
った問題があった。
【0007】そこで、この発明は、組み立ての工程数を
削減でき、組み立て時間の短縮化を図ることが可能な半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
削減でき、組み立て時間の短縮化を図ることが可能な半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、表面に電極が
配された半導体チップと、この半導体チップの前記電極
と接続されるインナリードを有するリードフレームと、
このリードフレームを前記半導体チップの表面に接合す
るとともに、その接合の際に、前記リードフレームのイ
ンナリードと前記半導体チップの電極との間を導通させ
るための配線が設けられてなる接着テープとから構成さ
れている。
めに、この発明の半導体装置にあっては、表面に電極が
配された半導体チップと、この半導体チップの前記電極
と接続されるインナリードを有するリードフレームと、
このリードフレームを前記半導体チップの表面に接合す
るとともに、その接合の際に、前記リードフレームのイ
ンナリードと前記半導体チップの電極との間を導通させ
るための配線が設けられてなる接着テープとから構成さ
れている。
【0009】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、半導体チップの表面に接着テープを介してリ
ードフレームを接合するようにしてなる場合において、
前記接着テープに、前記リードフレームのインナリード
と前記半導体チップの電極との間を導通させるための配
線を設け、前記接着テープによる前記半導体チップと前
記リードフレームとの接合と同時に、前記リードフレー
ムのインナリードと前記半導体チップの電極とを前記配
線を介して電気的に接続するようになっている。
あっては、半導体チップの表面に接着テープを介してリ
ードフレームを接合するようにしてなる場合において、
前記接着テープに、前記リードフレームのインナリード
と前記半導体チップの電極との間を導通させるための配
線を設け、前記接着テープによる前記半導体チップと前
記リードフレームとの接合と同時に、前記リードフレー
ムのインナリードと前記半導体チップの電極とを前記配
線を介して電気的に接続するようになっている。
【0010】
【作用】この発明は、上記した手段により、半導体チッ
プの表面へのリードフレームの接合と同時に、インナリ
ードと電極との間を電気的に接続できるようになるた
め、独立した2つの工程を1つにまとめることが可能と
なるものである。
プの表面へのリードフレームの接合と同時に、インナリ
ードと電極との間を電気的に接続できるようになるた
め、独立した2つの工程を1つにまとめることが可能と
なるものである。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は、本発明にかかるLOC構造を有
する半導体装置の構成を概略的に示すものである。な
お、同図(a)は半導体装置の平面図であり、同図
(b)は同じくA−A線に沿う断面図である。
して説明する。図1は、本発明にかかるLOC構造を有
する半導体装置の構成を概略的に示すものである。な
お、同図(a)は半導体装置の平面図であり、同図
(b)は同じくA−A線に沿う断面図である。
【0012】すなわち、この半導体装置は、たとえば、
半導体チップ11の表面に接着テープ12を用いてリー
ドフレーム13のインナリード13a側を接合するとと
もに、そのインナリード13aと電極パッド11aとの
間を、上記接着テープ12に設けられた配線14を介し
て電気的に接続してなる構成とされている。
半導体チップ11の表面に接着テープ12を用いてリー
ドフレーム13のインナリード13a側を接合するとと
もに、そのインナリード13aと電極パッド11aとの
間を、上記接着テープ12に設けられた配線14を介し
て電気的に接続してなる構成とされている。
【0013】上記半導体チップ11は、たとえばチップ
表面の端部に複数の電極パッド11aが配された、一般
的な構造のものが使用されている。上記各電極パッド1
1aは、金やアルミニウムなどの金属により形成され
て、半導体チップ11の表面が平坦となるように埋め込
まれた構成となっている。
表面の端部に複数の電極パッド11aが配された、一般
的な構造のものが使用されている。上記各電極パッド1
1aは、金やアルミニウムなどの金属により形成され
て、半導体チップ11の表面が平坦となるように埋め込
まれた構成となっている。
【0014】上記接着テープ12は、たとえば絶縁性を
有するエポキシ系のポリイミドテープ12a、およびこ
のテープ12aの上下の面にそれぞれ接着剤12bが塗
布された3層構造とされている。上記接着テープ12と
しては、たとえば上記ポリイミドテープ12aのみから
なる1層構造のものを用いることもできる。
有するエポキシ系のポリイミドテープ12a、およびこ
のテープ12aの上下の面にそれぞれ接着剤12bが塗
布された3層構造とされている。上記接着テープ12と
しては、たとえば上記ポリイミドテープ12aのみから
なる1層構造のものを用いることもできる。
【0015】そして、その接着テープ12の所定部位、
つまり、上記インナリード13aと上記電極パッド11
aとの各相互間には、それぞれ上記配線14が施された
構成となっている。上記各配線14は、上記電極パッド
11aとの結合性の良い導電材料、たとえば金やアルミ
ニウムといった金属または金と錫とからなる合金などに
より形成されている。
つまり、上記インナリード13aと上記電極パッド11
aとの各相互間には、それぞれ上記配線14が施された
構成となっている。上記各配線14は、上記電極パッド
11aとの結合性の良い導電材料、たとえば金やアルミ
ニウムといった金属または金と錫とからなる合金などに
より形成されている。
【0016】このような構造の接着テープ12は、たと
えば、ポリイミドテープ12aに貫通孔を開口し、その
貫通孔内に配線14の形状に加工された導電材料を埋め
込むことにより形成できる。または、ポリイミドテープ
12aに開口された貫通孔内に導電材料を液化して流し
込み、それを配線14の形状に固めることにより形成す
ることも、もしくは、配線14の形状に加工された導電
材料の周囲にポリイミドを液化して流し込み、それをテ
ープ12aの形状に固めるなどの方法によっても形成す
ることが可能である。
えば、ポリイミドテープ12aに貫通孔を開口し、その
貫通孔内に配線14の形状に加工された導電材料を埋め
込むことにより形成できる。または、ポリイミドテープ
12aに開口された貫通孔内に導電材料を液化して流し
込み、それを配線14の形状に固めることにより形成す
ることも、もしくは、配線14の形状に加工された導電
材料の周囲にポリイミドを液化して流し込み、それをテ
ープ12aの形状に固めるなどの方法によっても形成す
ることが可能である。
【0017】上記リードフレーム13は、上記インナリ
ード13aおよびアウタリード13bからなる複数のリ
ードを有した構成とされている。このリードフレーム1
3は、鉄−ニッケル合金(42−Alloy)や銅など
の金属薄板をエッチングまたはプレス加工することで、
各リードの相互が接続されて一体的に形成されるように
なっている。そして、各リードは、それぞれのアウタリ
ード13bが所定の形状にフォーミングされた後、個々
に切り離される。
ード13aおよびアウタリード13bからなる複数のリ
ードを有した構成とされている。このリードフレーム1
3は、鉄−ニッケル合金(42−Alloy)や銅など
の金属薄板をエッチングまたはプレス加工することで、
各リードの相互が接続されて一体的に形成されるように
なっている。そして、各リードは、それぞれのアウタリ
ード13bが所定の形状にフォーミングされた後、個々
に切り離される。
【0018】図2を参照して、上記した構成の半導体装
置の製造プロセスについて簡単に説明する。たとえば、
リードフレーム13の形成工程においては、リードフレ
ーム13を所定の形状に形成するとともに、形成したリ
ードフレーム13に、別工程より供給される接着テープ
12を位置合わせして貼り付ける。こうして、リードフ
レーム13の各インナリード13aと接着テープ12の
各配線14とを、それぞれ電気的に接続する。そして、
接着テープ12を貼り付けた形で、リードフレーム13
を次段の組み立て工程に供給する。
置の製造プロセスについて簡単に説明する。たとえば、
リードフレーム13の形成工程においては、リードフレ
ーム13を所定の形状に形成するとともに、形成したリ
ードフレーム13に、別工程より供給される接着テープ
12を位置合わせして貼り付ける。こうして、リードフ
レーム13の各インナリード13aと接着テープ12の
各配線14とを、それぞれ電気的に接続する。そして、
接着テープ12を貼り付けた形で、リードフレーム13
を次段の組み立て工程に供給する。
【0019】組み立て工程では、別工程より供給される
半導体チップ11に、接着テープ12の貼り付けられた
リードフレーム13を位置合わせして貼り合わせる。た
とえば、圧着によって、上記リードフレーム13と上記
半導体チップ11とが上記接着テープ12を介して接合
されると、その接合と同時に、上記配線14が上記電極
パッド11aと接触されることにより、上記インナリー
ド13aと上記電極パッド11aとの相互が電気的に接
続される。
半導体チップ11に、接着テープ12の貼り付けられた
リードフレーム13を位置合わせして貼り合わせる。た
とえば、圧着によって、上記リードフレーム13と上記
半導体チップ11とが上記接着テープ12を介して接合
されると、その接合と同時に、上記配線14が上記電極
パッド11aと接触されることにより、上記インナリー
ド13aと上記電極パッド11aとの相互が電気的に接
続される。
【0020】また、リードフレーム13と半導体チップ
11とを熱圧着により接合するようにした場合には、た
とえば上記配線14および上記電極パッド11aがとも
に金からなるとすると、その接合の際に、上記配線14
と上記電極パッド11aとが固相拡散により結合される
ことにより、上記インナリード13aと上記電極パッド
11aとの相互が電気的に接続される。
11とを熱圧着により接合するようにした場合には、た
とえば上記配線14および上記電極パッド11aがとも
に金からなるとすると、その接合の際に、上記配線14
と上記電極パッド11aとが固相拡散により結合される
ことにより、上記インナリード13aと上記電極パッド
11aとの相互が電気的に接続される。
【0021】同様に、リードフレーム13と半導体チッ
プ11とを熱圧着により接合するようにした場合におい
て、たとえば上記配線14および上記電極パッド11a
の一方が金からなり、他方がアルミニウムからなるとす
ると、その接合の際に、上記配線14と上記電極パッド
11aとが共晶結合されることにより、上記インナリー
ド13aと上記電極パッド11aとの相互が電気的に接
続される。
プ11とを熱圧着により接合するようにした場合におい
て、たとえば上記配線14および上記電極パッド11a
の一方が金からなり、他方がアルミニウムからなるとす
ると、その接合の際に、上記配線14と上記電極パッド
11aとが共晶結合されることにより、上記インナリー
ド13aと上記電極パッド11aとの相互が電気的に接
続される。
【0022】このように、1つの組み立て工程におい
て、リードフレーム13と半導体チップ11との接合
と、インナリード13aと電極パッド11aとの接続と
を、同時に行うことができる。
て、リードフレーム13と半導体チップ11との接合
と、インナリード13aと電極パッド11aとの接続と
を、同時に行うことができる。
【0023】しかる後、上記リードフレーム13の各リ
ードのアウタリード13bをフォーミングし、そして、
各リードごとに切り離すことで、図1に示した、LOC
構造の半導体装置が製造される。
ードのアウタリード13bをフォーミングし、そして、
各リードごとに切り離すことで、図1に示した、LOC
構造の半導体装置が製造される。
【0024】また、半導体チップ11の周辺部をポッテ
ィングまたはモールディングによって樹脂封止すること
により、チップサイズとほぼ同等サイズの半導体パッケ
ージが形成される。
ィングまたはモールディングによって樹脂封止すること
により、チップサイズとほぼ同等サイズの半導体パッケ
ージが形成される。
【0025】このような構造の半導体装置によれば、リ
ードフレーム13と半導体チップ11との接合、および
インナリード13aと電極パッド11aとの相互の電気
的な接続を、1つの組み立て工程により同時に行うこと
が可能となる。
ードフレーム13と半導体チップ11との接合、および
インナリード13aと電極パッド11aとの相互の電気
的な接続を、1つの組み立て工程により同時に行うこと
が可能となる。
【0026】しかも、インナリード13aと電極パッド
11aとの間を、金属細線を用いることなしに電気的に
接続できるようになる。上記したように、半導体チップ
の表面へのリードフレームの接合と同時に、インナリー
ドと電極との間を電気的に接続できるようにしている。
11aとの間を、金属細線を用いることなしに電気的に
接続できるようになる。上記したように、半導体チップ
の表面へのリードフレームの接合と同時に、インナリー
ドと電極との間を電気的に接続できるようにしている。
【0027】すなわち、リードフレームのインナリード
と半導体チップ上の電極パッドとの間を導通させるため
の配線を設けてなる接着テープを用いて、半導体チップ
とリードフレームとの接合を行うようにしている。これ
により、半導体チップの表面へのリードフレームの接合
およびインナリードの電極パッドとの電気的な接続を1
度に行えるようになるため、独立した2つの工程を1つ
にまとめることが可能となる。したがって、LOC構造
の半導体装置を製造する際の組み立ての工程数を削減で
き、組み立てに要する時間を大幅に短縮することが可能
となるものである。
と半導体チップ上の電極パッドとの間を導通させるため
の配線を設けてなる接着テープを用いて、半導体チップ
とリードフレームとの接合を行うようにしている。これ
により、半導体チップの表面へのリードフレームの接合
およびインナリードの電極パッドとの電気的な接続を1
度に行えるようになるため、独立した2つの工程を1つ
にまとめることが可能となる。したがって、LOC構造
の半導体装置を製造する際の組み立ての工程数を削減で
き、組み立てに要する時間を大幅に短縮することが可能
となるものである。
【0028】また、インナリードと電極パッドとの間の
接続に金属細線を用いていないために、金属細線の接触
や断線といった問題がなく、半導体装置としての信頼性
の向上も図れる。
接続に金属細線を用いていないために、金属細線の接触
や断線といった問題がなく、半導体装置としての信頼性
の向上も図れる。
【0029】特に、パッケージングする場合において
は、金属細線がインナリードの上方にまで達する従来装
置(図6参照)に比べ、チップ上部での樹脂厚を薄くで
きる分、より半導体パッケージの薄型化が可能となるも
のである。
は、金属細線がインナリードの上方にまで達する従来装
置(図6参照)に比べ、チップ上部での樹脂厚を薄くで
きる分、より半導体パッケージの薄型化が可能となるも
のである。
【0030】さらには、LOC独特の技術を採用した
り、LOC特有のセンタパッド構造の半導体チップを特
に用意することなく、容易にLOC構造の半導体装置を
実現することが可能である。この結果、半導体チップの
構造を、表面の端部にパッドが配列された構造のものに
略統一させることが可能となり、インナリードや接着テ
ープのデザインを大筋で共有できるようになるため、チ
ップのパッド配列に合わせてリードフレームや接着テー
プを設計しなければならないといった不都合を解決でき
る。
り、LOC特有のセンタパッド構造の半導体チップを特
に用意することなく、容易にLOC構造の半導体装置を
実現することが可能である。この結果、半導体チップの
構造を、表面の端部にパッドが配列された構造のものに
略統一させることが可能となり、インナリードや接着テ
ープのデザインを大筋で共有できるようになるため、チ
ップのパッド配列に合わせてリードフレームや接着テー
プを設計しなければならないといった不都合を解決でき
る。
【0031】なお、上記実施例においては、半導体チッ
プの左右においてそれぞれ独立した接着テープを用いて
リードフレームを接合するようにした場合について説明
したが、これに限らず、たとえば一体的に形成された接
着テープによってリードフレームのチップ表面への接合
を行うようにすることも可能である。
プの左右においてそれぞれ独立した接着テープを用いて
リードフレームを接合するようにした場合について説明
したが、これに限らず、たとえば一体的に形成された接
着テープによってリードフレームのチップ表面への接合
を行うようにすることも可能である。
【0032】また、リードフレームの製造過程におい
て、あらかじめ接着テープを貼り付ける場合に限らず、
たとえば半導体チップとの接合を行う直前にリードフレ
ームに貼り付けるようにしても良いし、半導体チップの
表面にあらかじめ接着テープを貼り付けておき、そこに
リードフレームを貼り付けるようにすることなども可能
である。
て、あらかじめ接着テープを貼り付ける場合に限らず、
たとえば半導体チップとの接合を行う直前にリードフレ
ームに貼り付けるようにしても良いし、半導体チップの
表面にあらかじめ接着テープを貼り付けておき、そこに
リードフレームを貼り付けるようにすることなども可能
である。
【0033】また、上記実施例においては、パッド表面
がチップ表面と同一面になるように構成された半導体チ
ップを例に説明したが、たとえば図3に示すように、チ
ップ表面の凹部11´内に電極パッド11aが埋め込ま
れてなる半導体チップ11にも同様に適用できる。
がチップ表面と同一面になるように構成された半導体チ
ップを例に説明したが、たとえば図3に示すように、チ
ップ表面の凹部11´内に電極パッド11aが埋め込ま
れてなる半導体チップ11にも同様に適用できる。
【0034】この場合、たとえば図示の如く、配線14
が接着テープ12の下面より突出するようにレジスト
(図示していない)などを用いて形成し、その接着テー
プ12の下面より突出する配線14を上記凹部11´内
に挿入する形で、配線14と電極パッド11aとを電気
的に接続するようにすれば良い。
が接着テープ12の下面より突出するようにレジスト
(図示していない)などを用いて形成し、その接着テー
プ12の下面より突出する配線14を上記凹部11´内
に挿入する形で、配線14と電極パッド11aとを電気
的に接続するようにすれば良い。
【0035】このような構成によれば、上記実施例と同
様な効果が期待できるとともに、配線14と電極パッド
11aとの位置合わせが容易で、かつ、より確実な接続
が可能となる。
様な効果が期待できるとともに、配線14と電極パッド
11aとの位置合わせが容易で、かつ、より確実な接続
が可能となる。
【0036】同様に、たとえば図4に示すように、電極
パッド11aがパンプ状に形成されてなる半導体チップ
11にも適用できる。この場合、たとえば図示の如く、
接着テープ12の下面に設けられる接着剤12bを厚く
形成し、その接着剤12bの空間が電極パッド11aの
周囲を覆うように位置合わせして、配線14と電極パッ
ド11aとの接続を行うようにすれば良い。
パッド11aがパンプ状に形成されてなる半導体チップ
11にも適用できる。この場合、たとえば図示の如く、
接着テープ12の下面に設けられる接着剤12bを厚く
形成し、その接着剤12bの空間が電極パッド11aの
周囲を覆うように位置合わせして、配線14と電極パッ
ド11aとの接続を行うようにすれば良い。
【0037】このような構成によれば、接着テープ12
の下面に設けられる接着剤12bをクッションとして働
かせることで、上記実施例と同様な効果が期待できると
ともに、耐湿性の向上も図れる。
の下面に設けられる接着剤12bをクッションとして働
かせることで、上記実施例と同様な効果が期待できると
ともに、耐湿性の向上も図れる。
【0038】さらには、1層構造の接着テープ12を用
いる例としては、たとえば図5に示すように、半導体チ
ップ11の各電極パッド11a上に配線14となる導電
性材料を配置し、その周囲に絶縁性を有する熱可塑性ま
たは熱硬化性の接着剤層を流し込みまたは塗布して乾燥
させてなる構成とすることも可能である。その他、この
発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能
なことは勿論である。
いる例としては、たとえば図5に示すように、半導体チ
ップ11の各電極パッド11a上に配線14となる導電
性材料を配置し、その周囲に絶縁性を有する熱可塑性ま
たは熱硬化性の接着剤層を流し込みまたは塗布して乾燥
させてなる構成とすることも可能である。その他、この
発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能
なことは勿論である。
【0039】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、組み立ての工程数を削減でき、組み立て時間の短縮
化を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
ば、組み立ての工程数を削減でき、組み立て時間の短縮
化を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を
提供できる。
【図1】この発明の一実施例にかかるLOC構造の半導
体装置を概略的に示す構成図。
体装置を概略的に示す構成図。
【図2】同じく、製造プロセスを説明するために示す半
導体装置の概略断面図。
導体装置の概略断面図。
【図3】この発明の他の構成例を示す半導体装置の概略
断面図。
断面図。
【図4】同じく、半導体装置の他の構成例を示す概略断
面図。
面図。
【図5】この発明の他の実施例にかかる半導体装置の概
略構成図。
略構成図。
【図6】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体装置の概略断面図。
導体装置の概略断面図。
11…半導体チップ、11a…電極パッド、12…接着
テープ、12a…ポリイミドテープ、12b…接着剤、
13…リードフレーム、13a…インナリード、13b
…アウタリード、14…配線。
テープ、12a…ポリイミドテープ、12b…接着剤、
13…リードフレーム、13a…インナリード、13b
…アウタリード、14…配線。
Claims (8)
- 【請求項1】 表面に電極が配された半導体チップと、 この半導体チップの前記電極と接続されるインナリード
を有するリードフレームと、 このリードフレームを前記半導体チップの表面に接合す
るとともに、その接合の際に、前記リードフレームのイ
ンナリードと前記半導体チップの電極との間を導通させ
るための配線が設けられてなる接着テープとを具備した
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記電極が半導体チップ表面より突出ま
たは窪んだ位置に形成され、一方、前記配線が接着テー
プ下面より窪んだまたは突出した位置に形成されてお
り、前記電極と前記配線とが嵌合された状態になってい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記接着テープは、絶縁材料の上下の面
にそれぞれ接着剤層が設けられた3層構造を有してなる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記配線は、前記接着テープを貫通する
ように設けられた導電材料からなることを特徴とする請
求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体チップの表面に接着テープを介し
てリードフレームを接合するようにしてなる半導体装置
の製造方法において、 前記接着テープに、前記リードフレームのインナリード
と前記半導体チップの電極との間を導通させるための配
線を設け、 前記接着テープによる前記半導体チップと前記リードフ
レームとの接合と同時に、前記リードフレームのインナ
リードと前記半導体チップの電極とを前記配線を介して
電気的に接続するようにしたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項6】 前記接着テープによる、前記リードフレ
ームと前記半導体チップとの接合は、熱圧着により行わ
れることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項7】 前記熱圧着により、前記配線と前記電極
との間が固相拡散により接続されることを特徴とする請
求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 前記熱圧着により、前記配線と前記電極
との間が共晶結合により接続されることを特徴とする請
求項6に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060636A JPH08264706A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060636A JPH08264706A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264706A true JPH08264706A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13148010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060636A Pending JPH08264706A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264706A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1094518A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-25 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device comprising a lead frame and method for fabricating the same |
| US6246109B1 (en) | 1999-08-05 | 2001-06-12 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US6518652B2 (en) * | 2000-09-04 | 2003-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package |
| JP2007288003A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP7060636A patent/JPH08264706A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246109B1 (en) | 1999-08-05 | 2001-06-12 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| EP1094518A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-25 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device comprising a lead frame and method for fabricating the same |
| US6518652B2 (en) * | 2000-09-04 | 2003-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package |
| JP2007288003A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 半導体装置 |
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