JPH08264845A - 酸化物超伝導薄膜装置 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜装置Info
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- JPH08264845A JPH08264845A JP7062252A JP6225295A JPH08264845A JP H08264845 A JPH08264845 A JP H08264845A JP 7062252 A JP7062252 A JP 7062252A JP 6225295 A JP6225295 A JP 6225295A JP H08264845 A JPH08264845 A JP H08264845A
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- thin film
- oxide superconducting
- superconducting thin
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＹＢＣＯ薄膜／ＬａＡｌＯ3 基板において、
ＹＢＣＯ薄膜の基板との密着性を高くして剥離を防ぎと
ともに、ＹＢＣＯ薄膜のＢａ元素が基板に拡散しないよ
うにしてＹＢＣＯ薄膜の品質を高める。 【構成】 ＬａＡｌＯ3 基板１０とＹＢＣＯ薄膜３０と
の間に、ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させた。
ＹＢＣＯ薄膜の基板との密着性を高くして剥離を防ぎと
ともに、ＹＢＣＯ薄膜のＢａ元素が基板に拡散しないよ
うにしてＹＢＣＯ薄膜の品質を高める。 【構成】 ＬａＡｌＯ3 基板１０とＹＢＣＯ薄膜３０と
の間に、ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板上に酸化物
超伝導薄膜が形成された酸化物超伝導薄膜装置に関する
ものである。
超伝導薄膜が形成された酸化物超伝導薄膜装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】イットリウム系酸化物超伝導薄膜（以後
ＹＢＣＯ薄膜という）は高臨界電流密度、高臨界温度で
あるためジョセフソン接合素子や高周波用受動素子の材
料として有望視されている。一方、ＬａＡｌＯ3 材料も
比誘電率が高く、且つ誘電正接が低いことから高周波用
誘電材料として実績がある。
ＹＢＣＯ薄膜という）は高臨界電流密度、高臨界温度で
あるためジョセフソン接合素子や高周波用受動素子の材
料として有望視されている。一方、ＬａＡｌＯ3 材料も
比誘電率が高く、且つ誘電正接が低いことから高周波用
誘電材料として実績がある。
【０００３】従って、これらを組み合わせたＹＢＣＯ薄
膜／ＬａＡｌＯ3 単結晶基板は、周波数が数ＧＨｚレベ
ルの素子特性を大幅に向上できる可能性がある。
膜／ＬａＡｌＯ3 単結晶基板は、周波数が数ＧＨｚレベ
ルの素子特性を大幅に向上できる可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬａＡ
ｌＯ3 単結晶基板上に直接ＹＢＣＯ薄膜を形成した場
合、ＹＢＣＯ薄膜はヘテロエピタキシャル成長して単結
晶膜となるものの、基板との密着性が悪くなったり、Ｙ
ＢＣＯ中のＢａが成膜中に基板に拡散してしまうといっ
た不具合が生ずる。
ｌＯ3 単結晶基板上に直接ＹＢＣＯ薄膜を形成した場
合、ＹＢＣＯ薄膜はヘテロエピタキシャル成長して単結
晶膜となるものの、基板との密着性が悪くなったり、Ｙ
ＢＣＯ中のＢａが成膜中に基板に拡散してしまうといっ
た不具合が生ずる。
【０００５】基板とＹＢＣＯ薄膜との密着性の低下は、
デバイス形成プロセス中にＹＢＣＯ薄膜の剥離を発生さ
せる。また、信頼性の低下を引き起こすことにもなる。
Ｂａの基板中への拡散は、ＹＢＣＯ膜の界面近傍におけ
るＢａ元素の欠乏を引き起こし結晶欠陥による電気特性
の低下（例えば臨界温度の低下や臨界電流密度の低下な
ど）や最悪の場合結晶構造の変化による超伝導状態の破
壊が発生してしまう。
デバイス形成プロセス中にＹＢＣＯ薄膜の剥離を発生さ
せる。また、信頼性の低下を引き起こすことにもなる。
Ｂａの基板中への拡散は、ＹＢＣＯ膜の界面近傍におけ
るＢａ元素の欠乏を引き起こし結晶欠陥による電気特性
の低下（例えば臨界温度の低下や臨界電流密度の低下な
ど）や最悪の場合結晶構造の変化による超伝導状態の破
壊が発生してしまう。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、Ｂａ元素を含む酸化物超伝導薄膜と誘電体基板との
密着性を高くし、酸化物超伝導薄膜中のＢａ元素が誘電
体基板に拡散しないようにすることを目的とする。
で、Ｂａ元素を含む酸化物超伝導薄膜と誘電体基板との
密着性を高くし、酸化物超伝導薄膜中のＢａ元素が誘電
体基板に拡散しないようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、誘電体基板とＢ
ａ元素を含む酸化物超伝導薄膜の間に、Ｂａ元素が構成
元素の１つであるバッファ層を介在させたことを特徴と
している。ここで、誘電体基板としてはＬａＡｌＯ3 単
結晶基板、酸化物超伝導薄膜としてはイットリウム系酸
化物超伝導薄膜を用いることができる。
め、請求項１に記載の発明においては、誘電体基板とＢ
ａ元素を含む酸化物超伝導薄膜の間に、Ｂａ元素が構成
元素の１つであるバッファ層を介在させたことを特徴と
している。ここで、誘電体基板としてはＬａＡｌＯ3 単
結晶基板、酸化物超伝導薄膜としてはイットリウム系酸
化物超伝導薄膜を用いることができる。
【０００８】また、バッファ層は、誘電体基板に対して
エピタキシャル成長しかつ酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長時の結晶のシードとなりうる結晶構造のもの
であり、構成元素がＢａとＣｅとＯであるものを用いる
ことができる。具体的には、ＢａＣｅＯ3 バッファ層と
することができる。
エピタキシャル成長しかつ酸化物超伝導薄膜のエピタキ
シャル成長時の結晶のシードとなりうる結晶構造のもの
であり、構成元素がＢａとＣｅとＯであるものを用いる
ことができる。具体的には、ＢａＣｅＯ3 バッファ層と
することができる。
【０００９】
【発明の作用効果】請求項１乃至６に記載の発明によれ
ば、Ｂａを含んだバッファ層を、誘電体基板とＢａ元素
を含む酸化物超伝導薄膜の間に介在させているから、誘
電体基板と酸化物超伝導薄膜の密着性を向上させること
ができ、酸化物超伝導薄膜の剥離を抑えることができ
る。また、Ｂａが中間層に存在しているため、Ｂａ元素
を含む酸化物超伝導薄膜からのＢａの拡散が抑えられ酸
化物超伝導薄膜の品質を高めることができる。
ば、Ｂａを含んだバッファ層を、誘電体基板とＢａ元素
を含む酸化物超伝導薄膜の間に介在させているから、誘
電体基板と酸化物超伝導薄膜の密着性を向上させること
ができ、酸化物超伝導薄膜の剥離を抑えることができ
る。また、Ｂａが中間層に存在しているため、Ｂａ元素
を含む酸化物超伝導薄膜からのＢａの拡散が抑えられ酸
化物超伝導薄膜の品質を高めることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき具
体的に説明する。図１は本発明を適用したＬａＡｌＯ3
基板上のＹＢＣＯ薄膜の実施例を示す断面図である。図
１において、１０はＬａＡｌＯ3 基板、２０はＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層、３０はＹＢＣＯ薄膜である。ＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層の厚みは５０ｎｍとしている。この厚み
は厚くすれば格子歪みを十分に吸収できるが、厚くしす
ぎると下地のＬａＡｌＯ3 基板の誘電特性に影響を及ぼ
すために２５ｎｍ〜１００ｎｍが適当である。
体的に説明する。図１は本発明を適用したＬａＡｌＯ3
基板上のＹＢＣＯ薄膜の実施例を示す断面図である。図
１において、１０はＬａＡｌＯ3 基板、２０はＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層、３０はＹＢＣＯ薄膜である。ＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層の厚みは５０ｎｍとしている。この厚み
は厚くすれば格子歪みを十分に吸収できるが、厚くしす
ぎると下地のＬａＡｌＯ3 基板の誘電特性に影響を及ぼ
すために２５ｎｍ〜１００ｎｍが適当である。
【００１１】図２は、ＬａＡｌＯ3 及びＹＢＣＯ薄膜の
結晶の単位胞を示す斜視概略図であり、（ａ）はＬａＡ
ｌＯ3 の単位胞、（ｂ）はＹＢＣＯの単位胞を示す。Ｌ
ａＡｌＯ3 は正方晶（擬立方晶）であり、ａ1 ＝ｂ1 ＝
０．５３６４ｎｍ、ｃ1 ＝１．３１１ｎｍであるが、
（００１）面はａ2 ＝ｂ2 ＝ａ1 ／２1/2 ＝０．３７９
２ｎｍの正方形の格子が存在しているとみなすことがで
きる。一方、ＹＢＣＯは斜方晶であり、ａ3 ＝０．３８
２０ｎｍ、ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍ、ｃ 3 ＝１．１６９
ｎｍである。ａ2 （＝ｂ2 ）の値はａ3 及びｂ3 と近い
ため（格子不整合率＜１％）、ＬａＡｌＯ3 上にＹＢＣ
Ｏがエピタキシャル成長することができる。
結晶の単位胞を示す斜視概略図であり、（ａ）はＬａＡ
ｌＯ3 の単位胞、（ｂ）はＹＢＣＯの単位胞を示す。Ｌ
ａＡｌＯ3 は正方晶（擬立方晶）であり、ａ1 ＝ｂ1 ＝
０．５３６４ｎｍ、ｃ1 ＝１．３１１ｎｍであるが、
（００１）面はａ2 ＝ｂ2 ＝ａ1 ／２1/2 ＝０．３７９
２ｎｍの正方形の格子が存在しているとみなすことがで
きる。一方、ＹＢＣＯは斜方晶であり、ａ3 ＝０．３８
２０ｎｍ、ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍ、ｃ 3 ＝１．１６９
ｎｍである。ａ2 （＝ｂ2 ）の値はａ3 及びｂ3 と近い
ため（格子不整合率＜１％）、ＬａＡｌＯ3 上にＹＢＣ
Ｏがエピタキシャル成長することができる。
【００１２】図３は、バッファ層として用いるＢａＣｅ
Ｏ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図である。ＢａＣｅＯ
3 は正方晶であり、ａ4 ＝ｂ4 ＝０．６２１２ｎｍ、ｃ
4 ＝０．８８０４ｎｍである。図３において、２０１は
Ｂａ原子、２０２は酸素原子、２０３はＣｅ原子であ
り、２１１は（１１２）結晶面、２１２は（２００）結
晶面である。この２つの結晶面がＬａＡｌＯ3 及びＹＢ
ＣＯとの界面に形成される面となる。
Ｏ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図である。ＢａＣｅＯ
3 は正方晶であり、ａ4 ＝ｂ4 ＝０．６２１２ｎｍ、ｃ
4 ＝０．８８０４ｎｍである。図３において、２０１は
Ｂａ原子、２０２は酸素原子、２０３はＣｅ原子であ
り、２１１は（１１２）結晶面、２１２は（２００）結
晶面である。この２つの結晶面がＬａＡｌＯ3 及びＹＢ
ＣＯとの界面に形成される面となる。
【００１３】図４は、ＢａＣｅＯ3 の（１１２）面とＬ
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図４において、２１１はＢａＣｅＯ
3 の（１１２）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ1 及びｄ2はＢａＣｅＯ3 の（１１２）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ1 ＝１．２４３７ｎｍ、ｄ2 ＝０．４
３９３ｎｍとなる。
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図４において、２１１はＢａＣｅＯ
3 の（１１２）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ1 及びｄ2はＢａＣｅＯ3 の（１１２）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ1 ＝１．２４３７ｎｍ、ｄ2 ＝０．４
３９３ｎｍとなる。
【００１４】一方、２１３がＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢ
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ3 及びｄ4 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ3 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ4 ＝０．３５８８ｎｍ
となる。ｄ4 の値はＹＢＣＯの格子定数ｂ3 ＝０．３８
８６ｎｍと比較して約７％の格子不整合率となるがエピ
タキシャル成長は可能である。
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ3 及びｄ4 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ3 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ4 ＝０．３５８８ｎｍ
となる。ｄ4 の値はＹＢＣＯの格子定数ｂ3 ＝０．３８
８６ｎｍと比較して約７％の格子不整合率となるがエピ
タキシャル成長は可能である。
【００１５】図５は、ＢａＣｅＯ3 の（２００）面とＬ
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図５において、２１２はＢａＣｅＯ
3 の（２００）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ5 及びｄ6はＢａＣｅＯ3 の（２００）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ5 ＝０．３１０６ｎｍ、ｄ6 ＝０．４
４０２ｎｍとなる。
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図５において、２１２はＢａＣｅＯ
3 の（２００）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ5 及びｄ6はＢａＣｅＯ3 の（２００）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ5 ＝０．３１０６ｎｍ、ｄ6 ＝０．４
４０２ｎｍとなる。
【００１６】一方、２１３がＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢ
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ7 及びｄ8 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ7 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ8 ＝０．３５８７ｎｍ
となる。ｄ8 の値はｄ4 の場合と同様にＹＢＣＯの格子
定数ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍと比較して約７％の格子不
整合率となるがエピタキシャル成長は可能である。
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ7 及びｄ8 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ7 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ8 ＝０．３５８７ｎｍ
となる。ｄ8 の値はｄ4 の場合と同様にＹＢＣＯの格子
定数ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍと比較して約７％の格子不
整合率となるがエピタキシャル成長は可能である。
【００１７】従って、ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基
本格子とＬａＡｌＯ3 基板の基本格子との格子不整合率
およびＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基本格子とＹＢＣ
Ｏ薄膜の基本格子との格子不整合率がいずれも１０％以
下であるため、ＬａＡｌＯ3基板上にＢａＣｅＯ3 バッ
ファ層２０をエピタキシャル成長させ、さらにその上に
ＹＢＣＯ薄膜をエピタキシャル成長させることができ
る。
本格子とＬａＡｌＯ3 基板の基本格子との格子不整合率
およびＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基本格子とＹＢＣ
Ｏ薄膜の基本格子との格子不整合率がいずれも１０％以
下であるため、ＬａＡｌＯ3基板上にＢａＣｅＯ3 バッ
ファ層２０をエピタキシャル成長させ、さらにその上に
ＹＢＣＯ薄膜をエピタキシャル成長させることができ
る。
【００１８】また、ＹＢＣＯ薄膜／ＬａＡｌＯ3 基板に
おいてＹＢＣＯ薄膜３０とＬａＡｌＯ3 基板１０の間に
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させることにより、
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の表面の濡れ性が向上し、
ＹＢＣＯの結晶が膜の面内方向へも十分に成長できるた
めＹＢＣＯ膜表面のモホロジーが改善される。この膜表
面のモホロジー改善により、デバイス形成におけるフォ
トリソグラフィー時の寸法精度を良好にするとともに、
超伝導材料に電流が流れる場合の電流経路を十分確保し
て十分な電流を流すことができる。
おいてＹＢＣＯ薄膜３０とＬａＡｌＯ3 基板１０の間に
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させることにより、
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の表面の濡れ性が向上し、
ＹＢＣＯの結晶が膜の面内方向へも十分に成長できるた
めＹＢＣＯ膜表面のモホロジーが改善される。この膜表
面のモホロジー改善により、デバイス形成におけるフォ
トリソグラフィー時の寸法精度を良好にするとともに、
超伝導材料に電流が流れる場合の電流経路を十分確保し
て十分な電流を流すことができる。
【００１９】また、ＬａＡｌＯ3 基板１０とＹＢＣＯ薄
膜３０の密着性が向上し、プロセス途中でのＹＢＣＯ薄
膜３０の剥離を抑えることができ、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、Ｂａがバッファ層３０に存在し
ているためにＹＢＣＯ薄膜３０からのＢａの拡散が抑え
られ高品質のＹＢＣＯ薄膜を形成することが可能とな
る。
膜３０の密着性が向上し、プロセス途中でのＹＢＣＯ薄
膜３０の剥離を抑えることができ、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、Ｂａがバッファ層３０に存在し
ているためにＹＢＣＯ薄膜３０からのＢａの拡散が抑え
られ高品質のＹＢＣＯ薄膜を形成することが可能とな
る。
【００２０】なお、本実施例において誘電体基板材料と
してＬａＡｌＯ3 を用いるものを示したが、バッファ層
及び酸化物超伝導薄膜がエピタキシャル成長できる材料
であれば他の材料を用いても良い。また、酸化物超伝導
薄膜においてもＹＢＣＯに限らず、構成元素にＢａを含
む材料であれば他の材料を用いてもよい。さらに、バッ
ファ層としてＢａＣｅＯ3 を用いるものを示したが、Ｂ
ａ元素が構成元素の１つである他の材料、例えばチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、酸化バリウム（ＢａＯ）
等を用いるようにしても良い。
してＬａＡｌＯ3 を用いるものを示したが、バッファ層
及び酸化物超伝導薄膜がエピタキシャル成長できる材料
であれば他の材料を用いても良い。また、酸化物超伝導
薄膜においてもＹＢＣＯに限らず、構成元素にＢａを含
む材料であれば他の材料を用いてもよい。さらに、バッ
ファ層としてＢａＣｅＯ3 を用いるものを示したが、Ｂ
ａ元素が構成元素の１つである他の材料、例えばチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、酸化バリウム（ＢａＯ）
等を用いるようにしても良い。
【図１】ＬａＡｌＯ3 基板とＹＢＣＯ薄膜の間にＢａＣ
ｅＯ3 バッファ層２０を介在させた実施例を示す断面図
である。
ｅＯ3 バッファ層２０を介在させた実施例を示す断面図
である。
【図２】ＬａＡｌＯ3 及びＹＢＣＯ薄膜の結晶の単位胞
を示す斜視概略図である。
を示す斜視概略図である。
【図３】ＢａＣｅＯ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図で
ある。
ある。
【図４】ＢａＣｅＯ3 の（１１２）面とＬａＡｌＯ3 あ
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
【図５】ＢａＣｅＯ3 の（２００）面とＬａＡｌＯ3 あ
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
１０…ＬａＡｌＯ3 基板、２０…ＢａＣｅＯ3 バッファ
層、３０…ＹＢＣＯ薄膜。
層、３０…ＹＢＣＯ薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＦ
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板とＢａ元素を含む酸化物超伝
導薄膜の間に、Ｂａ元素が構成元素の１つであるバッフ
ァ層が介在していることを特徴とする酸化物超伝導薄膜
装置。 - 【請求項２】 前記誘電体基板は単結晶基板であり、前
記バッファ層は前記誘電体基板に対してエピタキシャル
成長しかつ前記酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長
時の結晶のシードとなりうる結晶構造であることを特徴
とする請求項１に記載の酸化物超伝導薄膜装置。 - 【請求項３】 前記誘電体基板はＬａＡｌＯ3 単結晶基
板であり、前記酸化物超伝導薄膜はイットリウム系酸化
物超伝導薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の
酸化物超伝導薄膜装置。 - 【請求項４】 前記バッファ層の構成元素がＢａとＣｅ
とＯであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１つに記載の酸化物超伝導薄膜装置。 - 【請求項５】 前記バッファ層はＢａＣｅＯ3 バッファ
層であることを特徴とする請求項４に記載の酸化物超伝
導薄膜装置。 - 【請求項６】 前記誘電体基板はＬａＡｌＯ3 単結晶基
板であり、前記酸化物超伝導薄膜はイットリウム系酸化
物超伝導薄膜であり、前記バッファ層はＢａＣｅＯ3 バ
ッファ層であって、前記ＬａＡｌＯ3 単結晶基板と前記
ＢａＣｅＯ3バッファ層との界面ならびに前記ＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層と前記イットリウム系酸化物超伝導薄膜
との界面において形成される結晶面は、 ＬａＡｌＯ3 基板側が擬立方晶の（００１）面であり、 イットリウム系酸化物超伝導薄膜側が斜方晶の（００
１）面であり、 ＢａＣｅＯ3 バッファ層側が正方晶の（１１２）面ある
いは（２００）面であることを特徴とする請求項１に記
載の酸化物超伝導薄膜装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062252A JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
| US08/467,122 US5635730A (en) | 1995-03-22 | 1995-06-06 | Superconducting oxide thin film device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062252A JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264845A true JPH08264845A (ja) | 1996-10-11 |
| JP2871516B2 JP2871516B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13194775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7062252A Expired - Lifetime JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5635730A (ja) |
| JP (1) | JP2871516B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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