JPH08264876A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH08264876A JPH08264876A JP6030595A JP6030595A JPH08264876A JP H08264876 A JPH08264876 A JP H08264876A JP 6030595 A JP6030595 A JP 6030595A JP 6030595 A JP6030595 A JP 6030595A JP H08264876 A JPH08264876 A JP H08264876A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】良好なｐ型コンタクトを得、発光素子の素子特
性を向上させる。 【構成】ＺｎＴｅキャップ層３６をドーピングする層３
８とドーピングしない層３７を交互に積層することによ
り、ＺｎＴｅ中の実効的ドーピングレベルを制御し、ま
た、ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層のＺｎＳｅ層のみにド
ーピングすることにより、窒素の拡散を抑制する。 【効果】本発明により、ＺｎＳｅ層の最適ドーピング条
件を維持したままＺｎＴｅ層の実効的ドーピングレベル
を窒素がＺｎＳｅ層に過剰拡散しない程度に容易に制御
できるようになった。これにより、従来方法では困難で
あったｐ型電極とのコンタクトが容易になり、かつ、ｐ
電極との接触抵抗を低減することができ、発光素子の素
子特性が向上する。
性を向上させる。 【構成】ＺｎＴｅキャップ層３６をドーピングする層３
８とドーピングしない層３７を交互に積層することによ
り、ＺｎＴｅ中の実効的ドーピングレベルを制御し、ま
た、ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層のＺｎＳｅ層のみにド
ーピングすることにより、窒素の拡散を抑制する。 【効果】本発明により、ＺｎＳｅ層の最適ドーピング条
件を維持したままＺｎＴｅ層の実効的ドーピングレベル
を窒素がＺｎＳｅ層に過剰拡散しない程度に容易に制御
できるようになった。これにより、従来方法では困難で
あったｐ型電極とのコンタクトが容易になり、かつ、ｐ
電極との接触抵抗を低減することができ、発光素子の素
子特性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子に係り、特に
ｐ型コンタクト層を有する発光素子に関する。
ｐ型コンタクト層を有する発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体のｐ型ドーピングにおい
て、特にII−VI族化合物半導体、中でも半導体レーザと
して一般的に使用されるＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭ
ｇＳＳｅ、には窒素を活性化してドーピングする方法が
知られている。窒素の活性化はＲＦ放電、ＥＣＲ放電等
によりプラズマを発生させることにより得られる。これ
により、半導体膜中に取り込まれる窒素の総数は１０19
／cm9程度が得られている。しかし、実際に電気的に機
能する不純物は５×１０17／cm9と低い（例えば、ジャ
パニーズ・ジャーナル・アプライド・フィジックス ３
１（１９９２）Ｐｔ．２，Ｎｏ９Ｂ ｐｐＬ１３１６−
Ｌ１３１８参照）。このため、電極とのコンタクト抵抗
が高くなり、良好なオーミック接触が得られなかった。
これを解決する手段の１つとして、ＺｎＳｅとＺｎＴｅ
のヘテロ界面にＺｎＳｅ／ＺｎＴｅのチャープ超格子を
形成することによりオーミックを得る方法が報告されて
いる（例えば、エレクトロニクス・レターズ １３ｔｈ
Ｍａｙ １９９３ ｖｏｌ．２９ Ｎｏ．１０ ｐ８
７８−８７９参照）。
て、特にII−VI族化合物半導体、中でも半導体レーザと
して一般的に使用されるＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭ
ｇＳＳｅ、には窒素を活性化してドーピングする方法が
知られている。窒素の活性化はＲＦ放電、ＥＣＲ放電等
によりプラズマを発生させることにより得られる。これ
により、半導体膜中に取り込まれる窒素の総数は１０19
／cm9程度が得られている。しかし、実際に電気的に機
能する不純物は５×１０17／cm9と低い（例えば、ジャ
パニーズ・ジャーナル・アプライド・フィジックス ３
１（１９９２）Ｐｔ．２，Ｎｏ９Ｂ ｐｐＬ１３１６−
Ｌ１３１８参照）。このため、電極とのコンタクト抵抗
が高くなり、良好なオーミック接触が得られなかった。
これを解決する手段の１つとして、ＺｎＳｅとＺｎＴｅ
のヘテロ界面にＺｎＳｅ／ＺｎＴｅのチャープ超格子を
形成することによりオーミックを得る方法が報告されて
いる（例えば、エレクトロニクス・レターズ １３ｔｈ
Ｍａｙ １９９３ ｖｏｌ．２９ Ｎｏ．１０ ｐ８
７８−８７９参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この場合、ＺｎＳｅの
ドーピングレベルを増加させると、ＺｎＴｅには同一ド
ーピング条件でＺｎＳｅに比べ、２桁以上の窒素がドー
ピングされる。このため、ＺｎＴｅ内の窒素がＺｎＳｅ
に拡散し、ＺｎＳｅ内の窒素が過剰となりＺｎＳｅ層が
導電性を失うという問題があった。
ドーピングレベルを増加させると、ＺｎＴｅには同一ド
ーピング条件でＺｎＳｅに比べ、２桁以上の窒素がドー
ピングされる。このため、ＺｎＴｅ内の窒素がＺｎＳｅ
に拡散し、ＺｎＳｅ内の窒素が過剰となりＺｎＳｅ層が
導電性を失うという問題があった。
【０００４】従って、オーミック接触を得るためには、
ＺｎＳｅのドーピングレベルを低下せざるを得ないた
め、レーザダイオードの素子抵抗が増加し、発熱等によ
り長寿命の素子は実現されていない。
ＺｎＳｅのドーピングレベルを低下せざるを得ないた
め、レーザダイオードの素子抵抗が増加し、発熱等によ
り長寿命の素子は実現されていない。
【０００５】本発明の目的は、第１の半導体のドーピン
グレベルを減少することなく、かつ、成長中断すること
なく、第２の半導体のドーピングレベルを制御し、第２
の半導体から第１の半導体への不純物拡散を防止するこ
とにある。
グレベルを減少することなく、かつ、成長中断すること
なく、第２の半導体のドーピングレベルを制御し、第２
の半導体から第１の半導体への不純物拡散を防止するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、第１の半導体のドーピングレベ
ルを減少することなく、かつ、成長中断することなく、
第２の半導体のドーピングレベルを制御するために、第
１の半導体と第２の半導体との超格子構造部分では第１
の半導体のみにドーピングし、第２の半導体にはドーピ
ングしない。また、超格子構造上の第２の半導体の成長
において、ドーピングする層とドーピングしない層を交
互に積層することにより実効的なドーピングレベルを下
げる。ドーピングレベルの制御はドーピングする層とド
ーピングしない層との膜厚の割合を変えることにより行
う。
め、本発明においては、第１の半導体のドーピングレベ
ルを減少することなく、かつ、成長中断することなく、
第２の半導体のドーピングレベルを制御するために、第
１の半導体と第２の半導体との超格子構造部分では第１
の半導体のみにドーピングし、第２の半導体にはドーピ
ングしない。また、超格子構造上の第２の半導体の成長
において、ドーピングする層とドーピングしない層を交
互に積層することにより実効的なドーピングレベルを下
げる。ドーピングレベルの制御はドーピングする層とド
ーピングしない層との膜厚の割合を変えることにより行
う。
【０００７】
【作用】本発明では、超格子部分の第２の半導体中には
不純物が存在せず、第１の半導体には不純物は拡散しな
い。超格子上の第２の半導体はドーピングする層とドー
ピングしない層が交互に存在するため全膜厚中の実効的
なドーピングレベルが拡散しない程度に抑制されるため
ｐ型コンタクト層の抵抗を削減できる。
不純物が存在せず、第１の半導体には不純物は拡散しな
い。超格子上の第２の半導体はドーピングする層とドー
ピングしない層が交互に存在するため全膜厚中の実効的
なドーピングレベルが拡散しない程度に抑制されるため
ｐ型コンタクト層の抵抗を削減できる。
【０００８】
【実施例】図１に従来の構造を示す。まず、ＧａＡｓ基
板１上に分子線エピタキシャル法により窒素ドープＺｎ
Ｓｅ２を１μm成長する。ドーピング方法として、ＲＦ
放電を用い、ＲＦパワーは１５０Ｗである。この時のド
ーピングレベルは５×１０17／cm3である。次に窒素ド
ープＺｎＴｅ３と窒素ドープＺｎＳｅ４を交互に成長
し、超格子構造５を作製する。ＺｎＳｅの膜厚は例えば
一律に１nmでＺｎＴｅの膜厚は下から例えば０.４nm、
０.４nm、０.４nm、０.６nm、０.８nm、１.０nm、１.２
nm、１.４nmである。この時、ＺｎＳｅとＺｎＴｅには
約８％の格子歪があるためＺｎＴｅの厚みは臨界膜厚
（３ｎｍ）以内としている。次に、窒素ドープＺｎＴｅ
キャップ層６を４０nm積層する。この時、上記のドーピ
ング条件ではＺｎＴｅには３×１０19／cm3ドーピング
される。成長終了後、電極７としてＡｕをマスク蒸着
し、電極間をエッチングすることによりＺｎＴｅキャッ
プ層およびＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層を取り除く。こ
の状態で電極間でのＩ−Ｖ特性を測定すると、図２のよ
うに電流は流れない。これは、ＺｎＴｅキャップ層内の
窒素が下方のＺｎＳｅ層に拡散し、その結果、ＺｎＳｅ
層が窒素過剰となり高抵抗化したためと考えられる。
板１上に分子線エピタキシャル法により窒素ドープＺｎ
Ｓｅ２を１μm成長する。ドーピング方法として、ＲＦ
放電を用い、ＲＦパワーは１５０Ｗである。この時のド
ーピングレベルは５×１０17／cm3である。次に窒素ド
ープＺｎＴｅ３と窒素ドープＺｎＳｅ４を交互に成長
し、超格子構造５を作製する。ＺｎＳｅの膜厚は例えば
一律に１nmでＺｎＴｅの膜厚は下から例えば０.４nm、
０.４nm、０.４nm、０.６nm、０.８nm、１.０nm、１.２
nm、１.４nmである。この時、ＺｎＳｅとＺｎＴｅには
約８％の格子歪があるためＺｎＴｅの厚みは臨界膜厚
（３ｎｍ）以内としている。次に、窒素ドープＺｎＴｅ
キャップ層６を４０nm積層する。この時、上記のドーピ
ング条件ではＺｎＴｅには３×１０19／cm3ドーピング
される。成長終了後、電極７としてＡｕをマスク蒸着
し、電極間をエッチングすることによりＺｎＴｅキャッ
プ層およびＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層を取り除く。こ
の状態で電極間でのＩ−Ｖ特性を測定すると、図２のよ
うに電流は流れない。これは、ＺｎＴｅキャップ層内の
窒素が下方のＺｎＳｅ層に拡散し、その結果、ＺｎＳｅ
層が窒素過剰となり高抵抗化したためと考えられる。
【０００９】実施例１ そこで、次に本発明の構造を図３に示す。本発明の構造
ではＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層３３内のＺｎＴｅ３５
には窒素ドープせず、ＺｎＳｅ３４のみに窒素ドープし
ている。また、超格子構造上のＺｎＴｅキャップ層３６
は実効的なドーピングレベルを下げ、窒素の拡散を抑制
するために、例えばアンドープＺｎＴｅ層９ｎｍ３７に
対し窒素ドープＺｎＴｅ層１ｎｍ３８の繰り返しを４回
積層した（変調ド−プ）。この時のＺｎＴｅキャップ層
３６の実効的ドーピングレベルはト−タル膜厚４０ｎｍ
に対して窒素ド−プ層が４ｎｍであることから３×１０
18／cm3となっている。このようにして積層したものに
Ａｕ３７蒸着、電極間エッチングし、電極間のＩ−Ｖ特
性を測定した結果を図４に示す。従来方法では全く流れ
なかったものが本発明の構造にしたことにより電流が流
れるようになり、良好なオーミック特性が得られた。
ではＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層３３内のＺｎＴｅ３５
には窒素ドープせず、ＺｎＳｅ３４のみに窒素ドープし
ている。また、超格子構造上のＺｎＴｅキャップ層３６
は実効的なドーピングレベルを下げ、窒素の拡散を抑制
するために、例えばアンドープＺｎＴｅ層９ｎｍ３７に
対し窒素ドープＺｎＴｅ層１ｎｍ３８の繰り返しを４回
積層した（変調ド−プ）。この時のＺｎＴｅキャップ層
３６の実効的ドーピングレベルはト−タル膜厚４０ｎｍ
に対して窒素ド−プ層が４ｎｍであることから３×１０
18／cm3となっている。このようにして積層したものに
Ａｕ３７蒸着、電極間エッチングし、電極間のＩ−Ｖ特
性を測定した結果を図４に示す。従来方法では全く流れ
なかったものが本発明の構造にしたことにより電流が流
れるようになり、良好なオーミック特性が得られた。
【００１０】実施例２ 図５に本発明の実施例を示す。まず、ＧａＡｓ基板上５
１に分子線エピタキシャル法により窒素ドープＺｎＳｅ
５２を１μm成長する。ドーピング方法として、ＲＦ放
電を用い、ＲＦパワーは１５０Ｗである。この時のドー
ピングレベルはＺｎＳｅで５×１０17／cm3である。次
にアンドープＺｎＴｅ５３と窒素ドープＺｎＳｅ５４を
交互に成長する。ＺｎＳｅの膜厚は例えば一律に１nmで
ＺｎＴｅの膜厚は下から例えば０.４nm、０.４nm、０.
４nm、０.６nm、０.８nm、１.０nm、１.２nm、１.４nm
である。次にアンチモンドープＺｎＴｅ層５６を例えば
４０ｎｍ積層する。この時、アンチモンドープＺｎＴｅ
層５６のドーピングレベルは例えば３×１０18／cm3で
ある。次に、電極としてＡｕ５７をマスク蒸着し、電極
間をエッチングすることによりＺｎＴｅキャップ層およ
びＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層を取り除く。この状態で
電極間でのＩ−Ｖ特性を測定すると、実施例１と同様に
良好なオーミック特性が得られた。
１に分子線エピタキシャル法により窒素ドープＺｎＳｅ
５２を１μm成長する。ドーピング方法として、ＲＦ放
電を用い、ＲＦパワーは１５０Ｗである。この時のドー
ピングレベルはＺｎＳｅで５×１０17／cm3である。次
にアンドープＺｎＴｅ５３と窒素ドープＺｎＳｅ５４を
交互に成長する。ＺｎＳｅの膜厚は例えば一律に１nmで
ＺｎＴｅの膜厚は下から例えば０.４nm、０.４nm、０.
４nm、０.６nm、０.８nm、１.０nm、１.２nm、１.４nm
である。次にアンチモンドープＺｎＴｅ層５６を例えば
４０ｎｍ積層する。この時、アンチモンドープＺｎＴｅ
層５６のドーピングレベルは例えば３×１０18／cm3で
ある。次に、電極としてＡｕ５７をマスク蒸着し、電極
間をエッチングすることによりＺｎＴｅキャップ層およ
びＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子層を取り除く。この状態で
電極間でのＩ−Ｖ特性を測定すると、実施例１と同様に
良好なオーミック特性が得られた。
【００１１】実施例３ 図６に本発明のｐ型コンタクト層を有するレーザ構造を
示す。構造はｎ型ＧａＡｓ基板上６１にＣｌドープＺｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層６２、ＺｎＣｄＳｅ活性層６４、
窒素ドープＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６６、本発明のｐ
型コンタクト層６９、変調ド−プＺｎＴｅキャップ層６
１０を順次ＭＢＥ成長した。ｐ電極にはＡｕ／Ｐｔ／Ｔ
ｉ／Ｎｉ６１１をｎ電極にはＩｎ６１２を使用した。そ
の結果、ｐ型コンタクト層を用いない従来構造と比較し
てレーザダイオードの立上り電圧が１０Ｖから３Ｖまで
改善された。
示す。構造はｎ型ＧａＡｓ基板上６１にＣｌドープＺｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層６２、ＺｎＣｄＳｅ活性層６４、
窒素ドープＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６６、本発明のｐ
型コンタクト層６９、変調ド−プＺｎＴｅキャップ層６
１０を順次ＭＢＥ成長した。ｐ電極にはＡｕ／Ｐｔ／Ｔ
ｉ／Ｎｉ６１１をｎ電極にはＩｎ６１２を使用した。そ
の結果、ｐ型コンタクト層を用いない従来構造と比較し
てレーザダイオードの立上り電圧が１０Ｖから３Ｖまで
改善された。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、ＺｎＳｅ層の最適ドーピ
ング条件を維持したままＺｎＴｅ層の実効的ドーピング
レベルを窒素がＺｎＳｅ層に過剰拡散しない程度に容易
に制御できるようになった。これにより、従来方法では
困難であったｐ型電極とのコンタクトが容易になり、か
つ、ｐ電極との接触抵抗を低減することができ、発光素
子の素子特性が向上する。
ング条件を維持したままＺｎＴｅ層の実効的ドーピング
レベルを窒素がＺｎＳｅ層に過剰拡散しない程度に容易
に制御できるようになった。これにより、従来方法では
困難であったｐ型電極とのコンタクトが容易になり、か
つ、ｐ電極との接触抵抗を低減することができ、発光素
子の素子特性が向上する。
【図１】従来のｐ型コンタクト層構造を示す。
【図２】従来のｐ型コンタクト層構造によるＩ−Ｖ特性
を示す。
を示す。
【図３】本発明の拡散防止型ｐ型コンタクト層構造を示
す。
す。
【図４】本発明の拡散防止型ｐ型コンタクト層構造によ
るＩ−Ｖ特性を示す。
るＩ−Ｖ特性を示す。
【図５】キャップ層に拡散係数の小さい不純物を使用し
た拡散防止型ｐ型コンタクト層構造を示す。
た拡散防止型ｐ型コンタクト層構造を示す。
【図６】本発明のｐ型コンタクト層を用いたレーザダイ
オード構造を示す。
オード構造を示す。
1・・・ＧａＡｓ基板 2・・・窒素ドープＺｎＳｅ層 3・
・・窒素ドープＺｎＴｅ層 4・・・窒素ドープＺｎＳｅ層
5・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層 6・・・窒素ドープＺｎＴｅキャップ層 7・・・Ａｕ電極 31・・・ＧａＡｓ基板 32・・・窒素ドープＺｎＳｅ層
33・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層 34・・・窒素ドープ
ＺｎＳｅ層 35・・・アンドープＺｎＴｅ層 36・・・窒素ドープＺｎＴｅキャップ層 37・・・アンドー
プＺｎＴｅ層 38・・・ 窒素ドープＺｎＴｅ層 39・
・・Ａｕ電極 51・・・ＧａＡｓ基板 52・・・窒素ドープ
ＺｎＳｅ層 53・・・アンドープＺｎＴｅ層 54・・・窒
素ドープＺｎＳｅ層 55・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格
子層 56・・・アンチモンドープＺｎＴｅ層 57・・・Ａ
ｕ電極 61・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 62・・・Ｃｌドープ
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層 63・・・ＣｌドープＺｎＳ
Ｓｅガイド層 64・・・ＺｎＣｄＳｅ活性層 65・・・窒
素ドープＺｎＳＳｅガイド層 66・・・窒素ドープＺｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層 67・・・窒素ドープＺｎＳＳｅ
層 68・・・窒素ドープＺｎＳｅ層 69・・・ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅ超格子コンタクト層 610・・・変調ドープＺｎＴｅキャップ層 611・・・Ａｕ／Ｐ
ｔ／Ｔｉ／Ｎｉ電極612・・・Ｉｎ電極
・・窒素ドープＺｎＴｅ層 4・・・窒素ドープＺｎＳｅ層
5・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層 6・・・窒素ドープＺｎＴｅキャップ層 7・・・Ａｕ電極 31・・・ＧａＡｓ基板 32・・・窒素ドープＺｎＳｅ層
33・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子層 34・・・窒素ドープ
ＺｎＳｅ層 35・・・アンドープＺｎＴｅ層 36・・・窒素ドープＺｎＴｅキャップ層 37・・・アンドー
プＺｎＴｅ層 38・・・ 窒素ドープＺｎＴｅ層 39・
・・Ａｕ電極 51・・・ＧａＡｓ基板 52・・・窒素ドープ
ＺｎＳｅ層 53・・・アンドープＺｎＴｅ層 54・・・窒
素ドープＺｎＳｅ層 55・・・ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格
子層 56・・・アンチモンドープＺｎＴｅ層 57・・・Ａ
ｕ電極 61・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 62・・・Ｃｌドープ
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層 63・・・ＣｌドープＺｎＳ
Ｓｅガイド層 64・・・ＺｎＣｄＳｅ活性層 65・・・窒
素ドープＺｎＳＳｅガイド層 66・・・窒素ドープＺｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層 67・・・窒素ドープＺｎＳＳｅ
層 68・・・窒素ドープＺｎＳｅ層 69・・・ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅ超格子コンタクト層 610・・・変調ドープＺｎＴｅキャップ層 611・・・Ａｕ／Ｐ
ｔ／Ｔｉ／Ｎｉ電極612・・・Ｉｎ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 順 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 望月 和浩 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】II−VI族化合物半導体を用いた発光素子に
おいて、ｐ型電極とII−VI族化合物半導体との間に不純
物ドーピングした第１の半導体と、同一のドーピング条
件において第１の半導体より多くの不純物がドーピング
される第２の半導体とのヘテロ構造を設け、第１の半導
体には一様にドーピングし、第２の半導体には不純物を
ドーピングする層とドーピングしない層を交互に成長す
ることにより、第２の半導体中のドーピングレベルを実
効的に減少させ、第２の半導体から第１の半導体への不
純物拡散を防止するｐ型コンタクト層を有することを特
徴とする発光素子。 - 【請求項２】請求項１において、第１の半導体と第２の
半導体の格子定数が異なる場合は、第１の半導体と第２
の半導体との間に第１の半導体と第２の半導体による超
格子構造を挿入することにより格子定数を合わせ、か
つ、超格子構造中の第１の半導体にはドーピングし、第
２の半導体にはドーピングしない構造とすることによ
り、第２の半導体から第１の半導体への不純物拡散を防
止するｐ型コンタクト層を有することを特徴とする発光
素子。 - 【請求項３】請求項１又は２において、第１の半導体と
第２の半導体のヘテロ界面に第１の半導体と第２の半導
体との超格子構造を挾む成長において、超格子構造部分
の第１の半導体にはドーピングし、超格子構造部分の第
２の半導体にはドーピングせず、かつ、超格子上に成長
する第２の半導体は不純物をドーピングする層とドーピ
ングしない層を交互に成長することにより、超格子上の
第２の半導体中のドーピングレベルを実効的に減少させ
ることにより、第２の半導体から第１の半導体への不純
物拡散を防止するｐ型コンタクト層を有することを特徴
とする発光素子。 - 【請求項４】請求項３において、第１の半導体と第２の
半導体との超格子構造を成長する際に、超格子構造部分
の第１の半導体、第２の半導体共にドーピングしないｐ
型コンタクト層を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項５】請求項３において、第１の半導体にドーピ
ングする不純物と第２の半導体にドーピングする不純物
が異なり、かつ、第２の半導体にドーピングする不純物
は拡散係数が小さい不純物を使用することを特徴とする
ｐ型コンタクト層を有する発光素子。 - 【請求項６】請求項１、２、３、４又は５において、第
１の半導体および第２の半導体は分子線エピタキシ法ま
たは有機金属を用いた化学気相成長法により連続で積層
することを特徴とするｐ型コンタクト層を有する発光素
子。 - 【請求項７】請求項１又は３において、第２の半導体の
ドーピングする層とドーピングしない層の厚みの割合を
変えることにより、第２の半導体中の実効ドーピングレ
ベルを任意の値に制御することを特徴とするｐ型コンタ
クト層を有する発光素子。 - 【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７にお
いて、第１の半導体がＺｎＳｅであり、第２の半導体が
ＺｎＴｅであり、不純物は窒素、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂである
ことを特徴とするｐ型コンタクト層を有する発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6030595A JPH08264876A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6030595A JPH08264876A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264876A true JPH08264876A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13138323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6030595A Pending JPH08264876A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242575A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
| JP2009032817A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Sony Corp | 半導体素子 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP6030595A patent/JPH08264876A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242575A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
| JP2009032817A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Sony Corp | 半導体素子 |
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