JPH10242575A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH10242575A JPH10242575A JP4037097A JP4037097A JPH10242575A JP H10242575 A JPH10242575 A JP H10242575A JP 4037097 A JP4037097 A JP 4037097A JP 4037097 A JP4037097 A JP 4037097A JP H10242575 A JPH10242575 A JP H10242575A
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- diffusion
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】拡散により電流狭窄構造を作製する際、拡散領
域の制御が難しい。そのため、幅が良く制御されたスト
ライプ構造の作製が困難である。 【解決手段】II族元素を拡散させる層と拡散を抑制する
層を導入することで、II族元素が拡散する領域を制御し
て、電流狭窄構造を作製する。また、量子井戸構造や超
格子構成で、平坦なヘテロ界面を得る。
域の制御が難しい。そのため、幅が良く制御されたスト
ライプ構造の作製が困難である。 【解決手段】II族元素を拡散させる層と拡散を抑制する
層を導入することで、II族元素が拡散する領域を制御し
て、電流狭窄構造を作製する。また、量子井戸構造や超
格子構成で、平坦なヘテロ界面を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】II−VI族化合物半導体で半導体素子、特
に発光素子を作製する場合、有機金属気相成長法や分子
線エピタキシー法が用いられる。有機金属気相成長法
は、分子線エピタキシー法に比べて、結晶成長時の基板
温度が２００℃程度高い。そのため、結晶成長時にII族
元素の拡散が生じ、良質なヘテロ界面が得られず、量子
井戸構造や超格子構造の作製が難しい。
に発光素子を作製する場合、有機金属気相成長法や分子
線エピタキシー法が用いられる。有機金属気相成長法
は、分子線エピタキシー法に比べて、結晶成長時の基板
温度が２００℃程度高い。そのため、結晶成長時にII族
元素の拡散が生じ、良質なヘテロ界面が得られず、量子
井戸構造や超格子構造の作製が難しい。
【０００３】また、発光素子の構造としてはダブルヘテ
ロ構造を用いることが多い。そのとき、素子特性を向上
させるために、電流狭窄構造を作製する。その方法とし
ては、現在のところ、ウエットエッチングにより不要な
部分を取り除いた後、高抵抗な材料で取り除いた部分を
埋め込む方法や、イオン打ち込みにより不要な部分を高
抵抗化させる方法等が用いられている。また、特定の元
素を拡散させて拡散部分を高抵抗化させる方法もある。
ロ構造を用いることが多い。そのとき、素子特性を向上
させるために、電流狭窄構造を作製する。その方法とし
ては、現在のところ、ウエットエッチングにより不要な
部分を取り除いた後、高抵抗な材料で取り除いた部分を
埋め込む方法や、イオン打ち込みにより不要な部分を高
抵抗化させる方法等が用いられている。また、特定の元
素を拡散させて拡散部分を高抵抗化させる方法もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような電流狭窄
構造の作製方法では、結晶成長を終えたあとにウエット
エッチングやイオン打ち込み等の工程を経てレーザ素子
が作製される。ウエットエッチングにより電流狭窄構造
を作製する場合、エッチング深さの制御性が良く、エッ
チング後の薄膜表面が鏡面であるようなエッチング液が
求められる。しかし、II−VI族化合物半導体では、現在
そのようなエッチング液は見つかっていない。
構造の作製方法では、結晶成長を終えたあとにウエット
エッチングやイオン打ち込み等の工程を経てレーザ素子
が作製される。ウエットエッチングにより電流狭窄構造
を作製する場合、エッチング深さの制御性が良く、エッ
チング後の薄膜表面が鏡面であるようなエッチング液が
求められる。しかし、II−VI族化合物半導体では、現在
そのようなエッチング液は見つかっていない。
【０００５】また、イオン打ち込みにより電流狭窄構造
を作製する場合、イオンによる結晶へのダメージが大き
く素子性能の向上が望めない。
を作製する場合、イオンによる結晶へのダメージが大き
く素子性能の向上が望めない。
【０００６】また、特定の元素を拡散させて電流狭窄構
造を作製する方法では、拡散させる部分を制御すること
が難しい。そのため、結晶へのダメージもなく制御性に
優れた電流狭窄構造の作製方法が求められていた。
造を作製する方法では、拡散させる部分を制御すること
が難しい。そのため、結晶へのダメージもなく制御性に
優れた電流狭窄構造の作製方法が求められていた。
【０００７】一方、有機金属気相成長法でII−VI族化合
物半導体を作製する場合、結晶成長時の基板温度が高い
ので、II族元素の拡散が結晶成長時に起こり良質のヘテ
ロ界面が得られないという問題がある。そのため、II族
元素の拡散を抑制する半導体層を導入する必要があるが
現在までそのような効果をもつ半導体層は見つかってい
なかった。
物半導体を作製する場合、結晶成長時の基板温度が高い
ので、II族元素の拡散が結晶成長時に起こり良質のヘテ
ロ界面が得られないという問題がある。そのため、II族
元素の拡散を抑制する半導体層を導入する必要があるが
現在までそのような効果をもつ半導体層は見つかってい
なかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】II−VI族元素の化合物で
形成された半導体素子、特に発光領域を有し、またはレ
ーザ共振器構造を有するものについて生じた上述の問題
は、以下に示す特徴を有する半導体素子の構造を採用す
ることにより解決される。
形成された半導体素子、特に発光領域を有し、またはレ
ーザ共振器構造を有するものについて生じた上述の問題
は、以下に示す特徴を有する半導体素子の構造を採用す
ることにより解決される。
【０００９】本発明の第一の特徴は、半導体素子構造中
に拡散を抑制する半導体層を設けることである。
に拡散を抑制する半導体層を設けることである。
【００１０】本発明の第二の特徴は、拡散を抑制する半
導体層を量子井戸構造、または超格子構造の障壁層（即
ち、禁制帯幅の大きい方の層）とすることである。
導体層を量子井戸構造、または超格子構造の障壁層（即
ち、禁制帯幅の大きい方の層）とすることである。
【００１１】これらの層は、特にII族元素、例えば、Ｍ
ｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，ＣａとVI族元素、例えばＳ，Ｓ
ｅ，Ｔｅを含んで構成される、所謂II−VI族半導体材料
からなる素子において、適切な組成を有するII−VI族半
導体材料で形成されると効果を発揮する。適切な組成の
一例としては、少なくともＳを含んでなるII−VI族元素
であり、望ましくは、Ｍｇを含むものである。
ｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，ＣａとVI族元素、例えばＳ，Ｓ
ｅ，Ｔｅを含んで構成される、所謂II−VI族半導体材料
からなる素子において、適切な組成を有するII−VI族半
導体材料で形成されると効果を発揮する。適切な組成の
一例としては、少なくともＳを含んでなるII−VI族元素
であり、望ましくは、Ｍｇを含むものである。
【００１２】また構成元素は３種またはそれ以上が望ま
しい。
しい。
【００１３】
（実施例１）図１は、本発明における半導体レーザの一
実施例である。１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｚｎ
1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラ
ッド層、３はｎ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガ
イド層、４はＺｎkＣｄ1-kＳｅ（ｋ＝０.３）活性層、
５はＣｄが拡散したＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）電
流狭窄層、６はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光
ガイド層、７はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.
０８，ｙ＝０.１５）拡散抑制層、８はｐ−Ｚｎ1-aＣｄ
aＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡
散層、９はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０
８，ｙ＝０.１５）クラッド層、１０はｐ−ＺｎＳzＳｅ
1-z(ｚ＝０.０８）層、１１はＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格
子キャップ層である。
実施例である。１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｚｎ
1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラ
ッド層、３はｎ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガ
イド層、４はＺｎkＣｄ1-kＳｅ（ｋ＝０.３）活性層、
５はＣｄが拡散したＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）電
流狭窄層、６はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光
ガイド層、７はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.
０８，ｙ＝０.１５）拡散抑制層、８はｐ−Ｚｎ1-aＣｄ
aＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡
散層、９はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０
８，ｙ＝０.１５）クラッド層、１０はｐ−ＺｎＳzＳｅ
1-z(ｚ＝０.０８）層、１１はＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格
子キャップ層である。
【００１４】結晶成長は、分子線エピタキシー法で行
い、まず、ｐ−Ｚn1-xＭgxＳyＳe1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）拡散抑制層７まで作製した。その後、ホト
レジストで５μｍのストライプを作り、ウエットエッチ
ングにより拡散抑制層７の不要な部分を除去した。
い、まず、ｐ−Ｚn1-xＭgxＳyＳe1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）拡散抑制層７まで作製した。その後、ホト
レジストで５μｍのストライプを作り、ウエットエッチ
ングにより拡散抑制層７の不要な部分を除去した。
【００１５】そして、ホトレジストを除去してから、ｐ
−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）か
らなるＣｄ拡散層８を結晶成長し、４５０℃で１時間熱
処理をしてＣｄを拡散させた。このときのＣｄの拡散深
さは、約１００ｎｍである。その後、ｐ−Ｚｎ1-xＭｇx
ＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層
９，ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層１０，ＺｎＴ
ｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層１１を結晶成長した。
−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）か
らなるＣｄ拡散層８を結晶成長し、４５０℃で１時間熱
処理をしてＣｄを拡散させた。このときのＣｄの拡散深
さは、約１００ｎｍである。その後、ｐ−Ｚｎ1-xＭｇx
ＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層
９，ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層１０，ＺｎＴ
ｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層１１を結晶成長した。
【００１６】Ｃｄが拡散したＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０
８）電流狭窄層は、屈折率が高くなるが、光が生じる活
性層近傍は、ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）光ガイド層
のままであるので、光閉じ込めは十分にできている。
８）電流狭窄層は、屈折率が高くなるが、光が生じる活
性層近傍は、ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）光ガイド層
のままであるので、光閉じ込めは十分にできている。
【００１７】図２に、Ｃｄが拡散したＺｎＳzＳｅ
1-z（ｚ＝０.０８）電流狭窄層５とｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z
(ｚ＝０.０８）光ガイド層６の２次イオン質量分析の結
果を示す。図で電流狭窄層５が拡散抑制層のない部分、
光ガイド層６が拡散抑制層のある部分に対応している。
拡散抑制層のある部分では、Ｃｄが拡散していないこと
がわかる。この素子に、電極を蒸着してレーザ発振させ
たところ従来素子よりも閾値が２０％低下した。発振波
長は、５２０ｎｍである。
1-z（ｚ＝０.０８）電流狭窄層５とｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z
(ｚ＝０.０８）光ガイド層６の２次イオン質量分析の結
果を示す。図で電流狭窄層５が拡散抑制層のない部分、
光ガイド層６が拡散抑制層のある部分に対応している。
拡散抑制層のある部分では、Ｃｄが拡散していないこと
がわかる。この素子に、電極を蒸着してレーザ発振させ
たところ従来素子よりも閾値が２０％低下した。発振波
長は、５２０ｎｍである。
【００１８】（実施例２）図３は、本発明における半導
体レーザの一実施例である。１２はｎ−ＧａＡｓ基板、
１３はｎ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層、１４はｎ−ＺｎＳzＳｅ
1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、１５はＺｎkＣｄ1-kＳ
ｅ（ｋ＝０.１）井戸層、１６はＺｎＳyＳｅ1-y（ｙ＝
０.０８）障壁層、１７はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.
０８）光ガイド層、１８はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y
（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層、１９はｐ−
ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層、２０はＺｎＴｅ／Ｚ
ｎＳｅ超格子キャップ層である。
体レーザの一実施例である。１２はｎ−ＧａＡｓ基板、
１３はｎ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層、１４はｎ−ＺｎＳzＳｅ
1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、１５はＺｎkＣｄ1-kＳ
ｅ（ｋ＝０.１）井戸層、１６はＺｎＳyＳｅ1-y（ｙ＝
０.０８）障壁層、１７はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.
０８）光ガイド層、１８はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y
（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層、１９はｐ−
ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層、２０はＺｎＴｅ／Ｚ
ｎＳｅ超格子キャップ層である。
【００１９】結晶成長方法は、有機金属気相成長法で行
った。基板温度は、４５０℃だが、障壁層１６にＺｎＳ
yＳｅ1-y(ｙ＝０.０８）を用いることで井戸層１５中の
Ｃｄの拡散を抑制している。
った。基板温度は、４５０℃だが、障壁層１６にＺｎＳ
yＳｅ1-y(ｙ＝０.０８）を用いることで井戸層１５中の
Ｃｄの拡散を抑制している。
【００２０】この素子に電極を蒸着してレーザ特性（光
出力−電流特性）を測定したのが図４である。図には、
障壁層にＺｎＳｅを用いた場合をあわせて示してある。
ＺｎＳｅ障壁層では、Ｃｄが結晶成長中に拡散してしま
うため、ヘテロ界面が乱れた結果、発光効率が低くな
る。それに対して、ＺｎＳyＳｅ1-y(ｙ＝０.０８）を障
壁層に用いた場合、結晶成長中のＣｄの拡散を抑制でき
るのでヘテロ界面が平坦で、良質な活性層ができている
ので発光効率が高い。波長は、４８２ｎｍである。
出力−電流特性）を測定したのが図４である。図には、
障壁層にＺｎＳｅを用いた場合をあわせて示してある。
ＺｎＳｅ障壁層では、Ｃｄが結晶成長中に拡散してしま
うため、ヘテロ界面が乱れた結果、発光効率が低くな
る。それに対して、ＺｎＳyＳｅ1-y(ｙ＝０.０８）を障
壁層に用いた場合、結晶成長中のＣｄの拡散を抑制でき
るのでヘテロ界面が平坦で、良質な活性層ができている
ので発光効率が高い。波長は、４８２ｎｍである。
【００２１】障壁層に、Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１、但し、ｘとｙは同時には０でな
い）を用いても同様の結果が得られた。
ｘ≦１，０≦ｙ≦１、但し、ｘとｙは同時には０でな
い）を用いても同様の結果が得られた。
【００２２】（実施例３）図５は、本発明における半導
体レーザの一実施例である。２１はｎ−ＧａＡｓ基板、
２２はｎ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層、２３はｎ−ＺｎＳzＳｅ
1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、２４はＺｎ1-xＭｇxＳ
yＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）障壁層、２５は
ＺｎkＣｄ1-kＳｅ(ｋ＝０.２)井戸層、２６はｐ−Ｚｎ
ＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８)光ガイド層、２７はＣｄが拡
散したＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）電流狭窄層、２８
はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.
１５）拡散抑制層、２９はｐ−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b
（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡散層、３０は
ｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１
５）クラッド層、３１はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０
８）層、３２はＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層で
ある。
体レーザの一実施例である。２１はｎ−ＧａＡｓ基板、
２２はｎ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層、２３はｎ−ＺｎＳzＳｅ
1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、２４はＺｎ1-xＭｇxＳ
yＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）障壁層、２５は
ＺｎkＣｄ1-kＳｅ(ｋ＝０.２)井戸層、２６はｐ−Ｚｎ
ＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８)光ガイド層、２７はＣｄが拡
散したＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）電流狭窄層、２８
はｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.
１５）拡散抑制層、２９はｐ−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b
（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡散層、３０は
ｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１
５）クラッド層、３１はｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０
８）層、３２はＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層で
ある。
【００２３】結晶成長は、有機金属気相成長法で行っ
た。まず、ｎ−Ｚn1-xＭgxＳyＳe1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層からｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ
1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）拡散抑制層２８まで
を１回の結晶成長で作製した。このときの基板温度は４
５０℃だが、障壁層にＺｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝
０.０８，ｙ＝０.１５）を用いることで、井戸層２５か
らのＣｄの拡散を抑制でき、平坦なヘテロ界面が得られ
ている。そして、ホトレジストで５μｍのストライプを
作り、ウエットエッチングにより拡散抑制層２８の不要
な部分を除去した後、ホトレジストも除去してから、ｐ
−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）か
らなるＣｄ拡散層２９を結晶成長し、５００℃で３０分
間熱処理をしてＣｄを拡散させた。このときのＣｄの拡
散深さは、約１５０ｎｍである。その後、ｐ−Ｚｎ1-x
ＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッ
ド層３０，ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層３１，
ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層３２を結晶成長し
た。
た。まず、ｎ−Ｚn1-xＭgxＳyＳe1-y（ｘ＝０.０８，ｙ
＝０.１５）クラッド層からｐ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ
1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）拡散抑制層２８まで
を１回の結晶成長で作製した。このときの基板温度は４
５０℃だが、障壁層にＺｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝
０.０８，ｙ＝０.１５）を用いることで、井戸層２５か
らのＣｄの拡散を抑制でき、平坦なヘテロ界面が得られ
ている。そして、ホトレジストで５μｍのストライプを
作り、ウエットエッチングにより拡散抑制層２８の不要
な部分を除去した後、ホトレジストも除去してから、ｐ
−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ＝０.２，ｂ＝０.１）か
らなるＣｄ拡散層２９を結晶成長し、５００℃で３０分
間熱処理をしてＣｄを拡散させた。このときのＣｄの拡
散深さは、約１５０ｎｍである。その後、ｐ−Ｚｎ1-x
ＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッ
ド層３０，ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）層３１，
ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層３２を結晶成長し
た。
【００２４】この素子に電極を蒸着し、レーザ特性を測
定した結果、Ｃｄの拡散抑制層を用いず、障壁層にＺｎ
Ｓｅを用いた場合の素子よりも閾値が３０％低下し、発
光効率が２０％向上した。発振波長は、５０８ｎｍであ
る。
定した結果、Ｃｄの拡散抑制層を用いず、障壁層にＺｎ
Ｓｅを用いた場合の素子よりも閾値が３０％低下し、発
光効率が２０％向上した。発振波長は、５０８ｎｍであ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、II族元素の拡散を制御す
ることができ、レーザ特性を向上させることができた。
ることができ、レーザ特性を向上させることができた。
【図１】本発明により作製した半導体レーザ素子の断面
図。
図。
【図２】本発明により作製した半導体レーザ素子のＳＩ
ＭＳ分析結果の説明図。
ＭＳ分析結果の説明図。
【図３】本発明により作製した半導体レーザ素子の断面
図。
図。
【図４】本発明により作製した半導体レーザ素子の光出
力−電流特性図。
力−電流特性図。
【図５】本発明により作製した半導体レーザ素子の断面
図。
図。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ
1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層、３…ｎ
−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、４…Ｚ
ｎkＣｄ1-kＳｅ(ｋ＝０.３）活性層、５…Ｃｄが拡散し
たＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）電流狭窄層、６…ｐ
−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、７…ｐ
−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１
５）拡散抑制層、８…ｐ−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ
＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡散層、９…ｐ−Ｚ
ｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）ク
ラッド層、１０…ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）
層、１１…ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層。
1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）クラッド層、３…ｎ
−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、４…Ｚ
ｎkＣｄ1-kＳｅ(ｋ＝０.３）活性層、５…Ｃｄが拡散し
たＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）電流狭窄層、６…ｐ
−ＺｎＳzＳｅ1-z（ｚ＝０.０８）光ガイド層、７…ｐ
−Ｚｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１
５）拡散抑制層、８…ｐ−Ｚｎ1-aＣｄaＳbＳｅ1-b（ａ
＝０.２，ｂ＝０.１）からなるＣｄ拡散層、９…ｐ−Ｚ
ｎ1-xＭｇxＳyＳｅ1-y（ｘ＝０.０８，ｙ＝０.１５）ク
ラッド層、１０…ｐ−ＺｎＳzＳｅ1-z(ｚ＝０.０８）
層、１１…ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ超格子キャップ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 順 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大家 彰 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】半導体素子において、II族元素の拡散を抑
制する半導体層を有することを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】請求項１において、拡散を抑制する層を障
壁層とする量子井戸構造あるいは超格子構造を有する半
導体素子。 - 【請求項３】請求項１において、拡散を抑制する層がII
−VI族化合物半導体である半導体素子。 - 【請求項４】請求項３において、拡散を抑制する半導体
層を構成する元素として、ＭｇかＳのいずれかを含む半
導体素子。 - 【請求項５】請求項２において、拡散するII族元素を含
む半導体層を構成する元素として、ＣｄかＺｎのいずれ
かを含む半導体素子。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５に記載され
た半導体素子を用いた光信号読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037097A JPH10242575A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037097A JPH10242575A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242575A true JPH10242575A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12578767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037097A Pending JPH10242575A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242575A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04306886A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子 |
| JPH05121823A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-05-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH07193328A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
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| JPH08264876A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 発光素子 |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP4037097A patent/JPH10242575A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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