JPH08265003A - 共振器およびフィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 Ｑが大きく、挿入損失の小さい共振器および
フィルタを提供する。 【構成】 共振器２０は、複数の誘電体層２２ａ〜２２
ｆからなる積層体２２を含む。第１の誘電体層２２ａに
は、細長い３つの矩形の貫通孔３８ａ〜３８ｃが設けら
れ、Ｌ字状の貫通孔３８ｄ，３８ｅが設けられた第２の
誘電体層２２ｂが積層される。孔３８ａ〜３８ｄには、
導体ペースト等の導電体が充填付与され、インダクタＬ
を構成するライン電極２４ａ〜２４ｅが形成される。第
２の誘電体層２２ｂの上には、その上面にコンデンサ電
極２８ａを有する第３の誘電体層２２ｃが積層され、更
にその上面に他のコンデンサ電極２８ｂを有する第４の
誘電体層２２ｄが積層される。コンデンサ電極２８ａ，
２８ｂでコンデンサＣが構成される。一方のコンデンサ
電極２８ａ，２８ｂは、接続電極３２ａ１，３２ａ２，
３２ｂを介してライン電極２４ｄ，２４ｅに接続され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は共振器およびフィルタ
に関し、特にたとえば携帯用無線機などに用いられる共
振器およびフィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１９はこの発明の背景となる従来の共
振器の一例を示す分解正面図であり、図２０はその要部
を示す断面図解図である。図１９および図２０に示す共
振器１は、第１の誘電体層２ａを含む。第１の誘電体層
２ａの一方主面には、帯状のパターン電極３が形成され
る。さらに、第１の誘電体層２ａの一方主面には、パタ
ーン電極３を覆うようにして、第２の誘電体層２ｂが形
成される。第２の誘電体層２ｂの上には、第１のアース
電極４ａが、パターン電極３に対向するように形成され
る。第２の誘電体層２ｂの上には、第１のアース電極４
ａを覆うようにして、第４の誘電体層２ｄが形成され
る。また、第１の誘電体層２ａの他方主面には、第２の
アース電極４ｂが、パターン電極３に対向するように形
成される。さらに、第１の誘電体層２ａの他方主面に
は、第２のアース電極４ｂを覆うようにして、第３の誘
電体層２ｃが形成される。そして、第１および第２の誘
電体層２ａおよび２ｂと、パターン電極３と、第１およ
び第２のアース電極４ａおよび４ｂとでストリップライ
ンが形成される。

【０００３】図１９および図２０に示す共振器１は、一
方主面にパターン電極となる導体ペーストを厚膜印刷し
たセラミックグリーンシートや、一方主面にアース電極
となる導体ペーストを厚膜印刷した他のセラミックグリ
ーンシート、あるいは導体ペーストが形成されていない
セラミックグリーンシートなどを積層し、それらを圧着
し焼成するなどして、形成される。

【０００４】図２１はこの発明の背景となる従来のフィ
ルタの一例を示す斜視図であり、図２２はその分解斜視
図である。このフィルタ１０は、第１の誘電体層１１ａ
を含む。第１の誘電体層１１ａの一方主面には、帯状の
２つのパターン電極１２ａおよび１２ｂが間隔を隔てて
平行に形成される。これらのパターン電極１２ａおよび
１２ｂは、電磁気的に結合される。さらに、第１の誘電
体層１１ａの一方主面には、パターン電極１２ａおよび
１２ｂを覆うようにして、第２の誘電体層１１ｂが形成
される。第２の誘電体層１１ｂの上には、２つのコンデ
ンサ電極１３ａおよび１３ｂが形成される。さらに、第
２の誘電体層１１ｂの上には、コンデンサ電極１３ａお
よび１３ｂを覆うようにして、第３の誘電体層１１ｃが
形成される。第３の誘電体層１１ｃの上には、２つのコ
ンデンサ電極１３ｃおよび１３ｄが、２つのコンデンサ
電極１３ａおよび１３ｂに対向するように形成される。
さらに、第３の誘電体層１１ｃの上には、コンデンサ電
極１３ｃおよび１３ｄを覆うようにして、第４の誘電体
層１１ｄが形成される。第４の誘電体層１１ｄの上に
は、第１のアース電極１４ａが形成される。第４の誘電
体層１１ｄの上には、第１のアース電極１４ａを覆うよ
うにして第７の誘電体層１１ｇが形成される。また、第
１の誘電体層１１ａの他方主面には、２つのコンデンサ
電極１３ｅおよび１３ｆが形成される。さらに、第１の
誘電体層１１ａの他方主面には、コンデンサ電極１３ｅ
および１３ｆを覆うようにして、第５の誘電体層１１ｅ
が形成される。第５の誘電体層１１ｅの下には、第２の
アース電極１４ｂが、２つのコンデンサ電極１３ｅおよ
び１３ｆに対向するように形成される。さらに、第５の
誘電体層１１ｅの下には、第２のアース電極１４ｂを覆
うようにして、第６の誘電体層１１ｆが形成される。

【０００５】第１〜第７の誘電体層１１ａ〜１１ｇの側
面には、６つの外部電極１５ａ〜１５ｆが形成される。
外部電極１５ａおよび１５ｄは、コンデンサ電極１３ｃ
および１３ｄにそれぞれ接続される。これらの外部電極
１５ａおよび１５ｄは、それぞれ、入出力端子として用
いられる。外部電極１５ｂは、パターン電極１２ａの一
端，コンデンサ電極１３ａおよび１３ｅに接続される。
外部電極１５ｃは、パターン電極１２ｂの一端，コンデ
ンサ電極１３ｂおよび１３ｆに接続される。外部電極１
５ｅおよび１５ｆは、第１および第２のアース電極１４
ａおよび１４ｂに接続される。これらの外部電極１５ｅ
および１５ｆは、それぞれアース端子として用いられ
る。

【０００６】そして、図２１および図２２に示すフィル
タ１０では、第１〜第４の誘電体層１１ａ〜１１ｄと、
パターン電極１２ａと、第１および第２のアース電極１
４ａおよび１４ｂとでストリップラインからなる共振器
が形成され、第１〜第４の誘電体層１１ａ〜１１ｄと、
パターン電極１２ｂと、第１および第２のアース電極１
４ａおよび１４ｂとで他のストリップラインからなる共
振器が形成される。この場合、パターン電極１２ａおよ
び１２ｂが電磁気的に結合されているので、２つの共振
器も電磁気的に結合される。さらに、このフィルタ１０
では、コンデンサ電極１３ａおよび１３ｃの間と、コン
デンサ電極１３ｂおよび１３ｄの間と、コンデンサ電極
１３ｅおよび第２のアース電極１４ｂの間と、コンデン
サ電極１３ｆおよび第２のアース電極１４ｂの間とに、
それぞれ、コンデンサが形成される。したがって、この
フィルタ１０は、図２３に示す等価回路を有する。

【０００７】図２１および図２２に示すフィルタ１０
は、一方主面にパターン電極となる導体ペーストを厚膜
印刷したセラミックグリーンシートや、一方主面にコン
デンサ電極となる導体ペーストを厚膜印刷した他のセラ
ミックグリーンシート、一方主面にアース電極となる導
体ペーストを厚膜印刷したさらに他のセラミックグリー
ンシート、あるいは、導体ペーストを形成していないセ
ラミックグリーンシートなどを積層し、それらを圧着し
焼成するなどして、形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図１９およ
び図２０に示す共振器１では、インダクタとなるパター
ン電極３が厚膜印刷などによって形成されるため、パタ
ーン電極３の厚さｔ（図２０参照）が数μｍ〜１０μｍ
程度にしかならない。そのため、直流抵抗が高く、高周
波での抵抗成分が大きくなり、共振器１のＱ特性が悪か
った。つまり、この共振器１では、パターン電極３にお
ける抵抗成分や導体損が大きく、Ｑが小さいものであっ
た。また、厚膜印刷によりパターン電極が形成されるの
で、電極膜の膜厚のばらつきがあり、そのため、インダ
クタンス値が一定化しにくいという恐れがあった。

【０００９】同様に、図２１および図２２に示すフィル
タ１０でも、インダクタとなるパターン電極１２ａおよ
び１２ｂがそれぞれ厚膜印刷などによって形成されるた
め、パターン電極１２ａおよび１２ｂのそれぞれの厚さ
が数μｍ〜１０μｍ程度にしかならない。そのため、こ
のフィルタ１０では、パターン電極１２ａおよび１２ｂ
におけるそれぞれの抵抗成分や導体損が大きく、それぞ
れの共振器のＱが小さく、挿入損失が大きい。この場
合、従来のフィルタではインダクタの抵抗成分が大きい
ので、フィルタとしては、たとえば２段品でＱ＝３０以
下の製品しか商品化できていないものが多い。

【００１０】また、厚膜印刷によりパターン電極が形成
されるので、電極膜の膜厚のばらつきが比較的大きく、
そのため、インダクタンス値が安定化しにくいという恐
れがあった。それゆえ、たとえばコンデンサをトリミン
グするなどして、フィルタの特性を調整する必要があ
る。

【００１１】また、図２１および図２２に示すフィルタ
１０のように、インダクタとなるパターン電極が厚膜印
刷などによって形成された従来のフィルタを帯域通過フ
ィルタ（ＢＰＦ）として機能させた場合、その帯域通過
フィルタ（ＢＰＦ）では、通過帯での挿入損失が大きく
なるため、その改善が必要となっている。この場合、バ
ンドパスフィルタ（ＢＰＦ）のＱ特性は、フィルタの段
数によりある程度良くできるが、段数が増えることによ
り、挿入損失が大きくなってしまう。

【００１２】それゆえに、この発明の主たる目的は、Ｑ
が大きく、挿入損失の小さい共振器およびフィルタを提
供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる共振器
は、複数の誘電体層を含む積層体と、積層体内の少なく
とも１つの誘電体層に形成され、インダクタとなるライ
ン電極と、積層体内に形成され、インダクタと電気的に
接続されるコンデンサとを含み、ライン電極は、積層体
内の少なくとも１つの誘電体層にライン電極に対応する
孔を形成し、孔に導電体を付与することにより形成され
る、共振器である。

【００１４】また、この発明にかかる共振器では、積層
体内の、ライン電極に対応する孔を形成し、その孔に導
電体を付与する誘電体層を、磁性体層で形成してもよ
い。

【００１５】さらに、この発明にかかるフィルタは、複
数の誘電体層を含む積層体と、積層体内の少なくとも１
つの誘電体層に形成され、インダクタとなる複数のライ
ン電極と、積層体内に形成され、インダクタと電気的に
接続される複数のコンデンサとを含み、ライン電極は、
積層体内の少なくとも１つの誘電体層にライン電極に対
応する孔を形成し、孔に導電体を付与することにより形
成される、フィルタである。

【００１６】また、この発明にかかるフィルタでは、積
層体内の、ライン電極に対応する孔を形成し、その孔に
導電体を付与する誘電体層を、磁性体層で形成してもよ
い。

【００１７】

【作用】インダクタとなるライン電極は、誘電体または
磁性体で形成されるセラミックグリーンシートに孔を設
け、その孔に導電体を付与させることにより形成される
ので、従来のように、厚膜印刷などでインダクタとなる
電極を形成した場合に比べて、インダクタとなるライン
電極の膜厚が厚く形成されるとともに、膜厚のばらつき
も小さい。したがって、ライン電極の断面積が増え、ラ
イン電極の抵抗成分が小さくなる。つまり、ライン電極
において電流の流路が大きくなり、ライン電極の抵抗成
分や導体損が小さくなる。また、インダクタとなる電極
が厚膜印刷などにより形成される従来の共振器およびフ
ィルタに比べて、厚みのばらつきが小さい。そのため、
インダクタンス値のばらつきが小さくなる。

【００１８】

【発明の効果】この発明によれば、インダクタとなるラ
イン電極における抵抗成分を小さくできるため、Ｑが大
きく、挿入損失の小さい共振器やフィルタが得られる。
しかも、インダクタとなる電極が厚膜印刷などにより形
成される従来の共振器およびフィルタに比べて、インダ
クタタンス値のばらつきが小さくなるので、トリミング
工程の削減が可能となる。

【００１９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００２０】

【実施例】図１はこの発明の一実施例としての共振器の
一例を示す斜視図であり、図２はその要部を示す分解斜
視図である。

【００２１】この共振器２０は、直方体状の積層体２２
を含む。積層体２２は、セラミック層からなるたとえば
矩形状の第１の誘電体層２２ａを含む。第１の誘電体層
２２ａには、その長手方向に間隔を隔てて、たとえば断
面矩形で棒状の２つのライン電極２４ａおよび２４ｂが
形成される。２つのライン電極２４ａおよび２４ｂは、
第１の誘電体層２２ａの長手方向の中央部で、その幅方
向の一端から中央にわたって、間隔を隔てて平行に形成
される。２つのライン電極２４ａおよび２４ｂは、第１
の誘電体層２２ａの厚み方向の一端から他端にかけて形
成される。２つのライン電極２４ａおよび２４ｂは、そ
れぞれ、その厚みが第１の誘電体層２２ａの厚みとほぼ
同じに形成される。したがって、２つのライン電極２４
ａ，２４ｂの厚み方向の上端部および下端部が、それぞ
れ、第１の誘電体層２２ａの一方主面（上面）および他
方主面（下面）で、露出される。さらに、２つのライン
電極２４ａおよび２４ｂは、それぞれ、その長手方向の
一端部が第１の誘電体層２２ａの幅方向の一側面で露出
される。

【００２２】また、第１の誘電体層２２ａには、２つの
ライン電極２４ａおよび２４ｂと間隔を隔てて、他の１
つのライン電極２４ｃが形成される。このライン電極２
４ｃは、断面矩形で細長い棒状に形成され、ライン電極
２４ａ，２４ｂよりも長く形成される。この場合、２つ
のライン電極２４ａ，２４ｂと１つのライン電極２４ｃ
とは、第１の誘電体層２２ａの幅方向に間隔を隔てて形
成される。ライン電極２４ｃは、第１の誘電体層２２ａ
の長手方向に延びて形成される。ライン電極２４ｃは、
第１の誘電体層２２ａの長手方向の両端より内側に形成
される。ライン電極２４ｃは、第１の誘電体層２２ａの
厚み方向の一端から他端にかけて形成される。ライン電
極２４ｃの厚みは、２つのライン電極２４ａ，２４ｂと
同様に、第１の誘電体層２２ａの厚みとほぼ同じ厚みに
形成される。したがって、ライン電極２４ｃの厚み方向
の上端部および下端部が、それぞれ、第１の誘電体層２
２ａの一方主面（上面）および他方主面（下面）で、露
出される。

【００２３】第１の誘電体層２２ａの一方主面（上面）
には、ライン電極２４ａ，２４ｂおよび２４ｃの上面を
覆うようにして、セラミック層からなる第２の誘電体層
２２ｂが形成される。

【００２４】第２の誘電体層２２ｂには、さらに他の２
つのライン電極２４ｄおよび２４ｅが形成される。２つ
のライン電極２４ｄおよび２４ｅは、それぞれ、断面矩
形で且つ平面Ｌ字状に形成され、その厚みは第２の誘電
体層２２ｂとほぼ同じに形成される。したがって、ライ
ン電極２４ｄおよび２４ｅの厚み方向の上端部および下
端部が、第２の誘電体層２２ｂの一方主面（上面）およ
び他方主面（下面）で、それぞれ露出される。一方のラ
イン電極２４ｄと他方のライン電極２４ｅとは、第２の
誘電体層２２ｂの長手方向の中央で且つその幅方向の一
端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、線対称に
配置される。２つのライン電極２４ｄおよび２４ｅは、
それぞれ、第２の誘電体層２２ｂの長手方向および幅方
向の両端より内側に形成される。

【００２５】この場合、一方のライン電極２４ｄは、そ
の一端部とライン電極２４ａの長手方向の他端部とが対
向し、その他端部とライン電極２４ｃの長手方向の一端
部とが対向するように、第２の誘電体層２２ｂに形成さ
れる。また、他方のライン電極２４ｅは、その一端部と
ライン電極２４ｂの長手方向の他端部とが対向し、その
他端部とライン電極２４ｃの長手方向の他端部とが対向
するように、第２の誘電体層２２ｂに形成される。

【００２６】したがって、第１の誘電体層２２ａの上に
第２の誘電体層２２ｂを積層した場合、ライン電極２４
ａの他端部とライン電極２４ｄの一端部とが面接触し、
ライン電極２４ｄの他端部とライン電極２４ｃの一端部
とが面接触される。さらに、ライン電極２４ｂの他端部
とライン電極２４ｅの一端部とが面接触し、ライン電極
２４ｅの他端部とライン電極２４ｃの他端部とが面接触
される。これらのライン電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，
２４ｄおよび２４ｅでインダクタが形成される。

【００２７】第２の誘電体層２２ｂの上には、２つのラ
イン電極２４ｄおよび２４ｅの上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第３の誘電体層２２ｃが形成され
る。

【００２８】第３の誘電体層２２ｃには、その一方主面
から他方主面に貫通する２つのビアホール２６ａおよび
２６ｂが形成される。一方のビアホール２６ａは、ライ
ン電極２４ｄの一端部に対応する位置に形成される。他
方のビアホール２６ｂは、ライン電極２４ｅの一端部に
対応する位置に形成される。

【００２９】また、第３の誘電体層２２ｃの上面には、
ビアホール２６ａの周囲を除いて、面状のコンデンサ電
極２８ａが形成される。この場合、コンデンサ電極２８
ａは、ライン電極２４ｄおよび２４ｅの上面（平面部
分）に対向するように形成される。

【００３０】さらに、第３の誘電体層２２ｃの上には、
コンデンサ電極２８ａの上面（平面部分）を覆うように
して、セラミック層からなる第４の誘電体層２２ｄが形
成される。

【００３１】第４の誘電体層２２ｄには、その一方主面
から他方主面に貫通する１つのビアホール３０ａが形成
される。このビアホール３０ａは、ビアホール２６ａに
対応する位置に形成される。また、第４の誘電体層２２
ｄの上には、他の面状のコンデンサ電極２８ｂが、コン
デンサ電極２８ａの上面（平面部分）に対向するように
形成される。

【００３２】ビアホール２６ａおよび３０ａの内部に
は、接続電極３２ａ１および３２ａ２がそれぞれ形成さ
れる。この場合、接続電極３２ａ１は、その一端がライ
ン電極２４ｄの一端部に接続され、その他端が接続電極
３２ａ２を介してコンデンサ電極２８ｂのほぼ中央部に
接続される。また、ビアホール２６ｂの内部には接続電
極３２ｂが形成される。この接続電極３２ｂは、その一
端がライン電極２４ｅの一端部に接続され、その他端部
がコンデンサ電極２８ａのほぼ中央部に接続される。

【００３３】さらに、第４の誘電体層２２ｄの上には、
保護層として、コンデンサ電極２８ｂの上面（平面部
分）を覆うように、セラミック層からなる第５の誘電体
層２２ｅが形成される。

【００３４】一方、第１の誘電体層２２ａの他方主面
（下面）には、保護層として、ライン電極２４ａ，２４
ｂおよび２４ｃの下面を覆うように、セラミック層から
なる第６の誘電体層２２ｆが形成される。

【００３５】積層体２２の幅方向の２つの側面には、４
つの外部電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃおよび３４ｄが形
成される。この場合、積層体２２の幅方向の一方の側面
に２つの外部電極３４ａおよび３４ｂが形成され、積層
体２２の幅方向の他方の側面に２つの外部電極３４ｃお
よび３４ｄが形成される。外部電極３４ａはライン電極
２４ａの一端部に接続され、外部電極３４ｂはライン電
極２４ｂの一端部に接続される。外部電極３４ａは入力
端子として用いられ、外部電極３４ｂは出力端子として
用いられる。なお、外部電極３４ｃおよび３４ｄは、ダ
ミー電極として用いられ、他の電極には接続されない。

【００３６】この共振器２０では、ライン電極２４ａ，
２４ｂ，２４ｃ，２４ｄおよび２４ｅでインダクタＬが
形成され、２つのコンデンサ電極２８ａおよび２８ｂ間
に、コンデンサＣが形成される。したがって、この共振
器２０は、図３に示す等価回路を有する。

【００３７】次に、この共振器２０の製造方法の一例に
ついて、図４を参照しながら詳しく説明する。

【００３８】まず、第１の誘電体層２２ａとなるセラミ
ックグリーンシート３６ａが準備される。このセラミッ
クグリーンシート３６ａには、図４（Ａ）に示すよう
に、ライン電極２４ａ，２４ｂおよび２４ｃに対応する
矩形の孔３８ａ，３８ｂおよび３８ｃがそれぞれ形成さ
れる。孔３８ａ，３８ｂおよび３８ｃは、セラミックグ
リーンシート３６ａの一方主面から他方主面に貫通する
ように、たとえばパンチングなどで形成される。孔３８
ａ，３８ｂおよび３８ｃの内部には、図４（Ｃ）に示す
ように、たとえば導体ペーストが充填されることによ
り、導体層４０ａ，４０ｂ，４０ｃが形成されている。

【００３９】この場合、孔３８ａおよび３８ｂは、セラ
ミックグリーンシート３６ａの長手方向の中央部で、そ
の幅方向の一端から間隔を隔てた位置より中央に延び
て、互いに間隔を隔てて平行に形成される。さらに、セ
ラミックグリーンシート３６ａには、２つの孔３８ａお
よび３８ｂと間隔を隔てて、孔３８ｃが形成される。２
つの孔３８ａ，３８ｂと３８ｃとは、セラミックグリー
ンシート３６ａの幅方向に間隔を隔てて形成される。孔
３８ｃは、セラミックグリーンシート３６ａの長手方向
に延びて形成され、しかも、孔３８ａ，３８ｂよりも長
く形成される。

【００４０】また、図４（Ｂ）に示すように、第６の誘
電体層２２ｆとなるセラミックグリーンシート３６ｆが
準備される。

【００４１】そして、セラミックグリーンシート３６ａ
の下には、図４（Ａ），図４（Ｂ），図４（Ｆ）に示す
ように、孔３８ａ，３８ｂおよび３８ｃを覆うようにし
て、セラミックグリーンシート３６ｆが積層される。

【００４２】また、第２の誘電体層２２ｂとなるセラミ
ックグリーンシート３６ｂが準備される。このセラミッ
クグリーンシート３６ｂには、図４（Ｄ）に示すよう
に、ライン電極２４ｄおよび２４ｅに対応する孔３８ｄ
および３８ｅがそれぞれ形成される。それらの孔３８ｄ
および３８ｅは、セラミックグリーンシート３６ｂの一
方主面から他方主面に貫通するように、たとえばパンチ
ングなどで形成される。孔３８ｄ，３８ｅの内部には、
図４（Ｅ）に示すように、たとえば導体ペーストが充填
されることにより、導体層４０ｄ，４０ｅがそれぞれ形
成されている。孔３８ｄおよび３８ｅは、それぞれ、断
面矩形で且つ平面Ｌ字状に形成される。一方の孔３８ｄ
と他方の孔３８ｅとは、セラミックグリーンシート３６
ｂの長手方向の中央で且つその幅方向の一端から他端に
わたる部分を対称軸としたとき、線対称に形成される。

【００４３】この場合、一方の孔３８ｄは、その一端部
と孔３８ａの長手方向の他端部とが対向し、その他端部
と孔３８ｃの長手方向の一端部とが対向するように、セ
ラミックグリーンシート３６ｂに形成される。また、他
方の孔３８ｅは、その一端部と孔３８ｂの長手方向の他
端部とが対向し、その他端部と孔３８ｃの長手方向の他
端部とが対向するように、セラミックグリーンシート３
６ｂに形成される。

【００４４】そして、セラミックグリーンシート３６ａ
の上には、図４（Ｄ），図４（Ｆ）に示すように、セラ
ミックグリーンシート３６ｂが積層される。

【００４５】また、第３の誘電体層２２ｃとなるセラミ
ックグリーンシート３６ｃが準備される。このセラミッ
クグリーンシート３６ｃには、図４（Ｆ）に示すよう
に、その中央部で長手方向に間隔を隔てて、２つのビア
ホール２６ａおよび２６ｂが形成される。ビアホール２
６ａおよび２６ｂの内部には、接続電極３２ａ１および
３２ｂとなる導体ペーストが充填されることにより、接
続導体４４ａ１および４４ｂがそれぞれ形成されてい
る。さらに、このセラミックグリーンシート３６ｃの上
には、ビアホール２６ａの周囲を除いて、導体ペースト
などが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極２８
ａとなる導体層４２ａが形成されている。

【００４６】そして、セラミックグリーンシート３６ｃ
は、図４（Ｆ）に示すように、導体層４２ａが上になる
ようにして、セラミックグリーンシート３６ｂの上に積
層される。

【００４７】また、第４の誘電体層２２ｄとなるセラミ
ックグリーンシート３６ｄが準備される。このセラミッ
クグリーンシート３６ｄには、図４（Ｆ）に示すよう
に、１つのビアホール３０ａが形成される。ビアホール
３０ａは、ビアホール２６ａに対応する位置に形成され
る。ビアホール３０ａの内部には、導体ペーストが充填
されることにより、接続電極３２ａ２となる接続導体４
４ａ２が形成されている。さらに、セラミックグリーン
シート３６ｄ上には、他の導体ペーストが厚膜印刷され
ることにより、他のコンデンサ電極２８ｂとなる他の導
体層４２ｂが形成されている。この場合、接続導体４４
ａ２は、その一端部が接続導体４４ａ１に接続され、そ
の他端部が導体層４２ｂに接続される。

【００４８】そして、セラミックグリーンシート３６ｄ
は、図４（Ｆ）に示すように、導体層４２ｂが上になる
ようにして、セラミックグリーンシート３６ｃの上に積
層される。この場合、導体層４０ｄは、接続導体４４ａ
１および４４ａ２を介して、導体層４２ｂに接続され
る。また、導体層４４ｅは、接続導体４４ｂを介して、
導体層４２ａに接続される。

【００４９】また、第５の誘電体層２２ｅとなるセラミ
ックグリーンシート３６ｅが準備される。このセラミッ
クグリーンシート３６ｅは、図４（Ｆ）に示すように、
導体層４２ｂを覆うようにして、セラミックグリーンシ
ート３６ｄの上に積層される。

【００５０】そして、これらのセラミックグリーンシー
ト３６ａ〜３６ｆなどの積層体２２は、図４（Ｇ）の１
点鎖線Ｈ−Ｈで示す孔３８ａおよび３８ｂの長手方向の
中間部を結ぶ部分で切断され、ライン電極２４ａおよび
２４ｂとなる導体層４０ａおよび４０ｂの長手方向の一
端部は、セラミックグリーンシート３６ａの幅方向の一
側面で露出する。なお、この導体層４０ａ，４０ｂの一
端部の露出は、後の積層体の焼成後に行わせてもよい。

【００５１】それから、その積層体を焼成することによ
って、第１〜第６の誘電体層２２ａ〜２２ｆ、ライン電
極２４ａ〜２４ｅ、コンデンサ電極２８ａおよび２８
ｂ、接続電極３２ａおよび３２ｂが形成される。

【００５２】それから、第１〜第６の誘電体層２２ａ〜
２２ｆの側面に、たとえば銀などの電極材料を焼き付け
ることによって、外部電極３４ａ〜３４ｄが形成され、
共振器２０が製造される。

【００５３】この共振器２０では、インダクタＬを構成
するライン電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃおよびライン電
極２４ｄ，２４ｅの厚みが、それぞれ、セラミックグリ
ーンシート３６ａおよび３６ｂの厚みとほぼ同じに形成
されるので、図１９および図２０に示す従来例の共振器
１と比べて、ライン電極の断面積が増える。そのため、
ライン電極の抵抗成分や導体損が小さくなる。この実施
例では、ライン電極２４ａ〜２４ｅの厚みは、数十μｍ
から数百μｍ程度に形成することが可能である。

【００５４】また、ライン電極２４ａ〜２４ｅの幅，長
さおよび厚みは、セラミックグリーンシート３６ａおよ
び３６ｂに設けられる孔３８ａ〜３８ｅの幅，長さおよ
びセラミックグリーンシート３６ａおよび３６ｂの厚み
により規定される。したがって、従来の共振器１と比べ
て、インダクタパターンの形状や厚みのばらつきを小さ
くすることができ、所定のインダクタンス値が得られ
る。この場合、インダクタンス値のばらつきを±２％以
下に抑えて小さくできる。そのため、共振器２０の共振
周波数のばらつきも小さくなる。

【００５５】すなわち、この共振器２０では、図１９お
よび図２０に示す従来例の共振器１と比べて、ライン電
極の断面積が大きくなるので、ライン電極において電流
の流路が大きくなり、ライン電極における抵抗成分や導
体損が小さくなる。

【００５６】そのため、この実施例の共振器２０は、図
１９および図２０に示す従来例の共振器１と比べて、Ｑ
が大きくなり、挿入損失が小さくなる。

【００５７】さらに、対向するコンデンサ電極２８ａお
よび２８ｂは、そのほぼ中央部が接続電極３２ａ１，３
２ａ２および３２ｂにより、積層体の内部でライン電極
２４ｄおよび２４ｅの端部に接続される。そのため、こ
の共振器２０では、コンデンサＣのインダクタンス成分
が小さくなり、コンデンサＣの周波数特性が良くなる。
なお、コンデンサＣは、対向するコンデンサ電極の端部
が、ビアホールの内部に形成される接続電極で、インダ
クタＬとなるライン電極に接続するようにしてもよい。

【００５８】したがって、この共振器２０は、図１９お
よび図２０に示す従来例の共振器１と比べて、Ｑ特性が
良くなる。この実施例では、たとえば図５に示すよう
に、１９図および２０図に示す従来の共振器１と比べ
て、減衰量が約５．８ｄＢ大きくなり、Ｑ特性が良くな
っている。

【００５９】なお、上述の実施例における誘電体層は、
他の絶縁体層や磁性体層を用いてもよい。また、この共
振器２０の内部に他の素子を形成したり、表面に部品を
搭載したりすることによって、共振器を有するモジュー
ルなどの装置を形成することができる。

【００６０】図６はこの発明の他の実施例としてのフィ
ルタの一例を示す斜視図であり、図７はその要部を示す
分解斜視図であり、図８はその等価回路図である。この
実施例では、たとえばＬＣ形のバンドパスフィルタとし
て用いられるフィルタについて説明する。

【００６１】このフィルタ５０は、直方体状の積層体５
２を含む。積層体５２は、セラミック層からなるたとえ
ば矩形状の第１の誘電体層５２ａを含む。第１の誘電体
層５２ａには、その長手方向に間隔を隔てて、たとえば
断面矩形で細長い棒状の２つのライン電極５４ａおよび
５４ｂが形成される。２つのライン電極５４ａおよび５
４ｂは、それぞれ、第１の誘電体層５２ａの幅方向の一
端側で、その長手方向に延びて形成される。ライン電極
５４ａおよび５４ｂは、第１の誘電体層５２ａの長手方
向および幅方向の両端より内側に形成される。

【００６２】２つのライン電極５４ａおよび５４ｂは、
第１の誘電体層５２ａの厚み方向の一端から他端にかけ
て形成される。ライン電極５４ａおよび５４ｂは、それ
ぞれ、その厚みが第１の誘電体層５２ａの厚みとほぼ同
じに形成される。したがって、ライン電極５４ａの厚み
方向の上端部および下端部が、それぞれ、第１の誘電体
層５２ａの一方主面（上面）および他方主面（下面）で
露出される。同様に、ライン電極５４ｂの厚み方向の上
端部および下端部が、それぞれ、第１の誘電体層５２ａ
の一方主面（上面）および他方主面（下面）で露出され
る。

【００６３】第１の誘電体層５２ａの一方主面には、ラ
イン電極５４ａおよび５４ｂの上面部分を覆うようにし
て、セラミック層からなる第２の誘電体層５２ｂが形成
される。

【００６４】この第２の誘電体層５２ｂには、その長手
方向に間隔を隔てて、４つのビアホール５８ａ，５８
ｂ，５８ｃおよび５８ｄが形成される。１つのビアホー
ル５８ａは、ライン電極５４ａの長手方向の一端部と対
応する位置に形成され、１つのビアホール５８ｂは、ラ
イン電極５４ａの長手方向の他端部と対応する位置に形
成される。１つのビアホール５８ｃは、ライン電極５４
ｂの長手方向の一端部と対応する位置に形成され、１つ
のビアホール５８ｄは、ライン電極５４ｂの長手方向の
他端部と対応する位置に形成される。ビアホール５８
ａ，５８ｂ，５８ｃおよび５８ｄの内部には、それぞ
れ、接続電極６３ａ１，６３ｂ，６３ｃおよび６３ｄ１
が形成される。

【００６５】また、第２の誘電体層５２ｂの上には、コ
ンデンサ電極６０ａが形成される。このコンデンサ電極
６０ａは、ビアホール５８ａおよび５８ｄの周囲を除い
て形成される。

【００６６】さらに、第２の誘電体層５２ｂの上には、
面状のコンデンサ電極６０ａを覆うようにして、セラミ
ック層からなる第３の誘電体層５２ｃが形成される。

【００６７】この第３の誘電体層５２ｃには、ビアホー
ル５８ａおよび５８ｄと対応する位置に、ビアホール６
２ａおよび６２ｄが形成される。ビアホール６２ａおよ
び６２ｄの内部には、それぞれ、接続電極６３ａ２およ
び６３ｄ２が形成される。

【００６８】また、第３の誘電体層５２ｃの上には、そ
の長手方向に間隔を隔てて、コンデンサ電極６０ａと対
向するように、他の２つの面状のコンデンサ電極６０ｂ
および６０ｃが形成される。

【００６９】この場合、ライン電極５４ａは、その長手
方向の一端部が接続電極６３ａ１および６３ａ２を介し
てコンデンサ電極６０ｂに接続され、その他端部が接続
電極６３ｂを介してコンデンサ電極６０ａに接続され
る。また、ライン電極５４ｂは、その長手方向の一端部
が接続電極６３ｄ１および６３ｄ２を介してコンデンサ
電極６０ｃに接続され、その他端部が接続電極６３ｃを
介してコンデンサ電極６０ａに接続される。

【００７０】第３の誘電体層５２ｃの上には、２つのコ
ンデンサ電極６０ｂおよび６０ｃを覆うように、保護層
としての第４の誘電体層５２ｄが形成される。

【００７１】一方、第１の誘電体層５２ａの他方主面
（下面）には、ライン電極５４ａおよび５４ｂの下面を
覆うようにして、第５の誘電体層５２ｅが形成される。

【００７２】第５の誘電体層５２ｅには、その長手方向
に間隔を隔てて平行に、たとえば断面矩形で棒状の２つ
のライン電極６４ａおよび６４ｂが形成される。２つの
ライン電極６４ａおよび６４ｂは、第５の誘電体層５２
ｅの幅方向に延びて、ライン電極５４ａおよび５４ｂの
長さよりも短く形成される。ライン電極６４ａおよび６
４ｂは、第５の誘電体層５２ｅの長手方向および幅方向
の両端より内側に形成される。

【００７３】この場合、ライン電極６４ａの長手方向の
一端部がライン電極５４ａの長手方向の一端部と対向す
るように形成され、ライン電極６４ｂの長手方向の一端
部がライン電極５４ｂの長手方向の一端部と対向するよ
うに形成される。つまり、ランイン電極５４ａと６４ａ
とは、平面的に見て、Ｌ字状に配置されされる。同様
に、ランイン電極５４ｂと６４ｂとは、平面的に見て、
Ｌ字状に配置される。さらに、ライン電極５４ａ，６４
ａと５４ｂ，６４ｂとは、第１の誘電体層５２ａおよび
第５の誘電体層５２ｅの長手方向の中央で且つその幅方
向の一端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、線
対称に配置される。

【００７４】２つのライン電極６４ａおよび６４ｂは、
第５の誘電体層５２ｅの厚み方向の一端から他端にかけ
て形成される。２つのライン電極６４ａおよび６４ｂ
は、それぞれ、その厚みが第５の誘電体層５２ｅの厚み
とほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極６４
ａの厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第５
の誘電体層５２ｅの一方主面（上面）および他方主面
（下面）で、露出される。同様に、ライン電極６４ｂの
厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第５の誘
電体層５２ｅの一方主面（上面）および他方主面（下
面）で、露出される。

【００７５】第５誘電体層５２ｅの下には、ライン電極
６４ａおよび６４ｂの下面部分を覆うようにして、セラ
ミック層からなる第６の誘電体層５２ｆが形成される。
また、第６の誘電体層５２ｆには、４つのビアホール６
８ａ，６８ｂ，６８ｃおよび６８ｄが形成される。この
場合、ビアホール６８ａは、ライン電極６４ａの長手方
向の一端部と対応する位置に形成され、ビアホール６８
ｂはビアホール５８ａ，６２ａと対応する位置に形成さ
れる。さらに、ビアホール６８ｃは、ライン電極６４ｂ
の長手方向の一端部と対応する位置に形成され、ビアホ
ール６８ｄはビアホール５８ｄ，６２ｄと対応する位置
に形成される。また、４つのビアホール６８ａ，６８
ｂ，６８ｃおよび６８ｄの内部には、それぞれ、接続電
極７５ａ１，７５ｂ１，７５ｃ１および７５ｄ１が形成
される。

【００７６】第６の誘電体層５２ｆの下には、さらに他
の面状のコンデンサ電極７２ａが形成される。コンデン
サ電極７２ａは、後述のビアホール７０ｂおよび７０ｄ
の周囲部分を除いて形成される。また、第６の誘電体層
５２ｆの下には、コンデンサ電極７２ａを覆うようにし
て、セラミック層からなる第７の誘電体層５２ｇが形成
される。

【００７７】第７の誘電体層５２ｇには、４つのビアホ
ール７０ａ，７０ｂ，７０ｃおよび７０ｄが形成され
る。この場合、２つのビアホール７０ａおよび７０ｂ
は、それぞれ、ビアホール６８ａおよび６８ｂに対応す
る位置に形成され、他の２つのビアホール７０ｃおよび
７０ｄは、それぞれ、ビアホール６８ｃおよび６８ｄに
対応する位置に形成される。また、４つのビアホール７
０ａ，７０ｂ，７０ｃおよび７０ｄの内部には、それぞ
れ、接続電極７５ａ２，７５ｂ２，７５ｃ２および７５
ｄ２が形成される。

【００７８】第７の誘電体層５２ｇの下には、その長手
方向に間隔を隔てて、矩形面状の別の２つのコンデンサ
電極７２ｂおよび７２ｃが形成される。２つのコンデン
サ電極７２ｂおよび７２ｃは、第７の誘電体層５２ｇを
挟んで、第７の誘電体層５２ｇ上のコンデンサ電極７２
ａと対向するようにして形成される。コンデンサ電極７
２ｂおよびコンデンサ電極７２ｃは、それぞれ、後述の
ビアホール７４ａおよび７４ｃの周囲部分を除いて形成
される。

【００７９】また、第７の誘電体層５２ｇの下には、２
つのコンデンサ電極７２ｂおよび７２ｃを覆うようにし
て、セラミック層からなる第８の誘電体層５２ｈが形成
される。第８の誘電体層５２ｈには、ビアホール７０ａ
および７０ｃに対応する位置に、それぞれ、ビアホール
７４ａおよび７４ｃが形成される。ビアホール７４ａお
よび７４ｃの内部には、それぞれ、接続電極７５ａ３お
よび７５ｃ３が形成される。さらに、２つのコンデンサ
電極７２ｂおよび７２ｃは、それぞれ、引き出し電極７
６ｂおよび７６ｃを有する。引き出し電極７６ｂは、一
方のコンデンサ電極７２ｂから第８の誘電体層５２ｈの
長手方向の一端部にかけて形成される。引き出し電極７
６ｃは、他方のコンデンサ電極７２ｃから第８の誘電体
層５２ｈの長手方向の他端部にかけて形成される。

【００８０】第８の誘電体層５２ｈの下には、矩形面状
のアース電極７８が形成される。第８の誘電体層５２ｈ
の下には、アース電極７８を覆うようにして、セラミッ
ク層からなる第９の誘電体層５２ｉが形成される。ま
た、アース電極７８は、その長手方向の中央部でその幅
方向の両側に、２つの引き出し電極７８ａおよび７８ｂ
を有する。引き出し電極７８ａは、アース電極７８から
第９の誘電体層５２ｉの幅方向の一端部にかけて形成さ
れる。引き出し電極７８ｂは、アース電極７８から第９
の誘電体層５２ｉの幅方向の他端部にかけて形成され
る。

【００８１】この場合、ライン電極６４ａの長手方向の
一端部は、接続電極７５ａ１を介してコンデンサ電極７
２ａに接続され、且つ、接続電極７５ａ２および７５ａ
３を介してアース電極７８に接続される。ライン電極６
４ａの長手方向の他端部は、接続電極７５ｂ１および７
５ｂ２を介してコンデンサ電極７２ｂに接続される。さ
らに、ライン電極６４ｂの長手方向の一端部は、接続電
極７５ｃ１を介してコンデンサ電極７２ａに接続され、
且つ、接続電極７５ｃ２および７５ｃ３を介してアース
電極７８に接続される。ライン電極６４ｂの長手方向の
他端部は、接続電極７５ｄ１および７５ｄ２を介してコ
ンデンサ電極７２ｃに接続される。

【００８２】第９の誘電体層５２ｉの下には、保護層と
して、セラミック層からなる第１０の誘電体層５２ｊが
形成される。

【００８３】積層体５２の側面には、４つの外部電極８
０ａ，８０ｂ，８０ｃおよび８０ｄが形成される。この
場合、積層体５２の長手方向の一方の側面に１つの外部
電極８０ａが形成され、積層体５２の長手方向の他方の
側面に１つの外部電極８０ｂが形成される。また、積層
体５２の幅方向の一方の側面に１つの外部電極８０ｃが
形成され、積層体５２の幅方向の他方の側面に１つの外
部電極８０ｄが形成される。

【００８４】外部電極８０ａおよび８０ｂは、それぞ
れ、コンデンサ電極７２ｂの引き出し電極７６ａおよび
コンデンサ電極７２ｃの引き出し電極７６ｃに接続され
る。外部電極８０ａは入力端子として用いられ、外部電
極８０ｂは出力端子として用いられる。また、外部電極
８０ｃおよび８０ｄは、それぞれ、アース電極７８の引
き出し電極７８ａおよび７８ｂに接続され、アース端子
として用いられる。

【００８５】このフィルタ５０では、ライン電極５４
ａ，５４ｂ，６４ａおよび６４ｂで、それぞれ、インダ
クタＬ１，Ｌ２，Ｌ３およびＬ４が形成される。また、
コンデンサ電極６０ａおよび６０ｂの間と、コンデンサ
電極６０ａおよび６０ｃの間とに、それぞれ、コンデン
サＣ１およびＣ２がそれぞれ形成される。さらに、コン
デンサ電極７２ａおよび７２ｂの間と、コンデンサ電極
７２ａおよび７２ｃの間とに、それぞれ、コンデンサＣ
３およびＣ４がそれぞれ形成される。

【００８６】したがって、このフィルタ５０は、図８に
示す等価回路を有する。

【００８７】次に、このフィルタ５０の製造方法の一例
について、図９を参照しながら詳しく説明する。

【００８８】まず、第１の誘電体層５２ａとなるセラミ
ックグリーンシート８２ａが準備される。このセラミッ
クグリーンシート８２ａには、図９（Ａ）に示すよう
に、その幅方向の一端側で、その長手方向に間隔を隔て
て、細長い矩形の２つの孔５６ａおよび５６ｂが形成さ
れる。２つの孔５６ａおよび５６ｂは、それぞれ、セラ
ミックグリーンシート８２ａの長手方向に延びて形成さ
れる。２つの孔５６ａおよび５６ｂは、セラミックグリ
ーンシート８２ａの一方主面から他方主面に貫通するよ
うに、たとえばパンチングなどで形成される。２つの孔
５６ａおよび５６ｂの内部には、図９（Ｄ）に示すよう
に、導体ペーストが充填されることにより、導体層８６
ａ，８６ｂがそれぞれ形成されている。

【００８９】また、第５の誘電体層５２ｅとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｅが準備される。このセラミッ
クグリーンシート８２ｅには、図９（Ｂ）に示すよう
に、細長い矩形の２つの孔６６ａおよび６６ｂが、長手
方向に間隔を隔てて平行に形成される。孔６６ａおよび
６６ｂは、セラミックグリーンシート８２ｅの幅方向に
延びて形成される。この場合、孔５６ａの長手方向の一
端部と孔６６ａの長手方向の一端部とが対向し、孔５６
ｂの長手方向の一端部と孔６６ｂの長手方向の一端部と
が対向するように、孔６６ａおよび６６ｂが形成され
る。また、孔６６ａおよび６６ｂは、セラミックグリー
ンシート８２ｅの一方主面から他方主面に貫通するよう
に、たとえばパンチングなどで形成される。孔６６ａお
よび６６ｂの内部には、図９（Ｅ）に示すように、導体
ペーストが充填されることにより、導体層８８ａ，８８
ｂがそれぞれ形成されている。

【００９０】さらに、第６の誘電体層５２ｆとなるセラ
ミックグリーンシート８２ｆが準備される。このセラミ
ックグリーンシート８２ｆには、図９（Ｃ）に示すよう
に、４つのビアホール６８ａ，６８ｂ，６８ｃおよび６
８ｄが形成される。この場合、ビアホール６８ａは孔６
６ａの長手方向の他端部と対応する位置に形成され、ビ
アホール６８ｂは孔６６ａの長手方向の一端部と対応す
る位置に形成される。さらに、６８ｃは孔６６ｂの長手
方向の他端部と対応する位置に形成され、ビアホール６
８ｄは孔６６ｂの長手方向の一端部と対応する位置に形
成される。ビアホール６８ａ，６８ｂ，６８ｃおよび６
８ｄの内部には、図９（Ｄ）に示すように、導体ペース
トなどが充填されることにより、接続電極７５ａ１，７
５ｂ１，７５ｃ１および７５ｄ１となる接続導体８４ａ
１，８４ｂ１，８４ｃ１および８４ｄ１がそれぞれ形成
されている。

【００９１】次に、セラミックグリーンシート８２ａ，
８２ｅ，８２ｆは、図９（Ｄ），図９（Ｅ），図９
（Ｈ）に示すように積層される。

【００９２】そして、導体層８８ａおよび８８ｂの一端
部は、導体層８６ａおよび８６ｂの他端部にそれぞれ接
続される。

【００９３】また、第２の誘電体層５２ｂとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｂが準備される。このセラミッ
クグリーンシート８２ｂには、図９（Ｆ）に示すよう
に、４つのビアホール５８ａ，５８ｂ，５８ｃおよび５
８ｄが形成される。ビアホール５８ａ，５８ｂ，５８ｃ
および５８ｄの内部には、導体ペーストが充填されるこ
とにより、接続電極６３ａ１，６３ｂ１，６３ｃ１およ
び６３ｄ１となる接続導体９０ａ１，９０ｂ１，９０ｃ
１および９０ｄ１がそれぞれ形成されている。さらに、
セラミックグリーンシート８２ｂの一方主面（上面）に
は、図９（Ｇ）に示すように、ビアホール５８ａおよび
５８ｄの周囲部分を除いて、導体ペーストなどが厚膜印
刷されることにより、コンデンサ電極６０ａとなる導体
層９２ａが形成されている。

【００９４】そして、このセラミックグリーンシート８
２ｂは、図９（Ｈ）に示すように、導体層９２ａが上に
なるようにして、セラミックグリーンシート８２ａの上
に積層される。

【００９５】また、第３の誘電体層５２ｃとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｃが準備される。セラミックグ
リーンシート８２ｃには、２つのビアホール６２ａおよ
び６２ｄが形成される。ビアホール６２ａおよび６２ｄ
の内部には、図９（Ｈ）に示すように、導体ペーストが
充填されることにより、接続電極６３ａ２および６３ｄ
２となる接続導体９０ａ２および９０ｄ２がそれぞれ充
填されている。さらに、セラミックグリーンシート８２
ｃの上には、その長手方向に間隔を隔てて、導体ペース
トなどが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極６
０ｂおよび６０ｃとなる導体層９４ａおよび９４ｂが形
成されている。

【００９６】そして、セラミックグリーンシート８２ｃ
は、図９（Ｈ）に示すように、導体層９４ａ，９４ｂが
上になるようにして、セラミックグリーンシート８２ｂ
の上に積層される。

【００９７】この場合、導体層８８ａは、その他端部が
接続導体９０ｂ１を介して導体層９２ａに接続され、そ
の一端部が接続導体９０ａ１および９０ａ２を介して導
体層９４ａに接続される。また、導体層８８ｂは、その
他端部が接続導体９０ｃ１を介して導体層９２ａに接続
され、その一端部が接続導体９０ｄ１および９０ｄ２を
介して導体層９４ｂに接続される。

【００９８】また、第４の誘電体層５２ｄとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｄが準備される。このセラミッ
クグリーンシート８２ｄは、図９（Ｈ）に示すように、
導体層９４ａおよび９４ｂを覆うようにして、セラミッ
クグリーンシート８２ｃの上に積層される。

【００９９】さらに、第７の誘電体層５２ｇとなるセラ
ミックグリーンシート８２ｇが準備される。このセラミ
ックグリーンシート８２ｇには、４つのビアホール７０
ａ，７０ｂ，７０ｃおよび７０ｄが形成される。この場
合、４つのビアホール７０ａ〜７０ｄは、それぞれ、セ
ラミックグリーンシート８２ｆに設けられたビアホール
６８ａ〜６８ｄに対応する位置に形成される。４つのビ
アホール７０ａ，７０ｂ，７０ｃおよび７０ｄの内部に
は、導体ペーストなどが充填されることにより、図９
（Ｈ）に示すように、接続電極７５ａ２，７５ｂ２，７
５ｃ２および７５ｄ２となる接続導体８４ａ２，８４ｂ
２，８４ｃ２および８４ｄ２がそれぞれ形成されてい
る。

【０１００】また、セラミックグリーンシート８２ｇの
一方主面（上面）には、ビアホール７０ｂおよび７０ｄ
の周囲部分を除いて、導体ペーストが厚膜印刷されるこ
とにより、コンデンサ電極７２ａとなる導体層９６ａが
形成されている。

【０１０１】そして、セラミックグリーンシート８２ｇ
は、図９（Ｈ）に示すように、導体層９６ａがセラミッ
クグリーンシート８２ｆおよび８２ｇで挟まれるように
して、セラミックグリーンシート８２ｆの下に積層され
る。

【０１０２】また、第８の誘電体層５２ｈとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｈが準備される。このセラミッ
クグリーンシート８２ｈには、２つのビアホール７４ａ
および７４ｃが形成される。ビアホール７４ａおよび７
４ｃは、それぞれ、ビアホール７０ａおよび７０ｃに対
応する位置に形成される。ビアホール７４ａおよび７４
ｃの内部には、導体ペーストなどが充填されることによ
り、接続電極７５ａ３および７５ｃ３となる接続導体８
４ａ３および８４ｃ３がそれぞれ形成されている。さら
に、セラミックグリーンシート８２ｈの上には、ビアホ
ール７４ａおよび７４ｃの周囲部分を除いて、導体ペー
ストが厚膜印刷されることにより、コンデンサ電極７２
ｂおよびコンデンサ電極７２ｃとなる導体層９８ｂおよ
び９８ｃがそれぞれ形成されている。

【０１０３】そして、このセラミックグリーンシート８
２ｈは、図９（Ｈ）に示すように、導体層９８ｂおよび
９８ｃがセラミックグリーンシート８２ｇおよび８２ｈ
で挟まれるようにして、セラミンクグリーンシート８２
ｇの下に積層される。

【０１０４】また、第９の誘電体層５２ｉとなるセラミ
ックグリーンシート８２ｉが準備される。セラミックグ
リーンシート８２ｉの上面には、導体ペーストが厚膜印
刷されることにより、アース電極７８となる導体層１０
０が形成されている。この場合、導体層１００の長手方
向の中央からセラミックグリーンシート８２ｉの幅方向
の一端および他端にわたって、導体ペーストが厚膜印刷
されることにより、引き出し電極７８ａおよび７８ｂと
なる引き出し導体１０２ａおよび１０２ｂが導体層１０
０と共に形成されている。

【０１０５】さらに、このセラミックグリーンシート８
２ｉは、図９（Ｈ）に示すように、導体層１００，引き
出し導体１０２ａおよび１０２ｂがセラミックグリーン
シート８２ｈおよび８２ｉで挟まれるようにして、セラ
ミックグリーンシート８２ｈの下に積層される。

【０１０６】この場合、導体層８６ａの他端部は、接続
導体８４ａ１を介して導体層９６ａに接続されると共
に、接続導体８４ａ２および８４ａ３を介して導体層１
００に接続される。導体層８６ａ一端部は、接続導体８
４ｂ１および８４ｂ２を介して、導体層９８ｂに接続さ
れる。また、導体層８６ｂの他端部は、接続導体８４ｃ
１を介して導体層９６ａに接続されると共に、接続導体
８４ｃ２および８４ｃ３を介して導体層１００に接続さ
れる。導体層８６ｂの一端部は、接続導体８４ｄ１およ
び８４ｄ２を介して、導体層９８ｃに接続される。

【０１０７】また、第１０の誘電体層５２ｊとなるセラ
ミックグリーンシート８２ｊが準備される。このセラミ
ックグリーンシート８２ｊは、セラミックグリーンシー
ト８２ｉの下に積層される。

【０１０８】そして、これらのセラミックグリーンシー
ト８２ａ〜８２ｊなどの積層体を圧着し焼成することに
よって、第１〜第１０の誘電体層５２ａ〜５２ｊ、ライ
ン電極５４ａ，５４ｂ，６４ａおよび６４ｂ、コンデン
サ電極６０ａ〜６０ｃおよびコンデンサ電極７２ａ〜７
２ｃ、アース電極７８、接続電極６３ａ１，６３ａ２，
６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ１，６３ｄ２，接続電極７５ａ
１，７５ａ２，７５ａ３，７５ｂ１，７５ｂ２，７５ｃ
１，７５ｃ２，７５ｃ３，７５ｄ１，７５ｄ２が形成さ
れる。

【０１０９】それから、第１〜第１０の誘電体層５２ａ
〜５２ｊの側面に、たとえば銀などの電極材料を焼き付
けることによって、外部電極８０ａ〜８０ｄが形成さ
れ、フィルタ５０が製造される。

【０１１０】このフィルタ５０では、インダクタＬ１，
Ｌ２，Ｌ３およびＬ４となるライン電極５４ａ，５４
ｂ，６４ａおよび６４ｂが、それぞれ、セラミックグリ
ーンシートに設けられた孔に導体ペーストなどの導体材
が充填されることによって導体層が形成されているの
で、図２１および図２２に示すように、セラミックグリ
ーンシートの表面上に厚膜印刷などによりライン電極を
形成する従来例のフィルタ１０と比べて、各ライン電極
の断面積が増え、各ライン電極において電流の流路が大
きくなり、各ライン電極の抵抗成分や導体損が小さくな
る。この実施例のフィルタ５０では、インダクタＬ１，
Ｌ２，Ｌ３およびＬ４を構成するライン電極５４ａ，５
４ｂおよびライン電極６４ａ，６４ｂの厚みが、それぞ
れ、セラミックグリーンシート８２ａおよび８２ｅの厚
みとほぼ同じに形成される。

【０１１１】そのため、この実施例のフィルタ５０は、
図２１および図２２に示す従来例のフィルタ１０と比べ
て、それぞれの共振器のＱが大きくなり、挿入損失が小
さくなる。このフィルタ５０では、Ｑ値が７０程度の急
峻なバンドパスフィルタが得られる。さらに、このフィ
ルタ５０では、通過域の挿入損失が小さくなり、フィル
タ特性が良くなる。また、フィルタの段数を小さくして
も従来のフィルタと同程度のフィルタ特性が得られるの
で、小型化が可能となる。

【０１１２】また、この実施例のフィルタ５０では、ラ
イン電極５４ａ，５４ｂおよびライン電極６４ａ，６４
ｂの幅，長さ，厚みが、セラミックグリーンシート８２
ａおよび８２ｅに設けられる孔５６ａ，５６ｂおよび孔
６６ａ，６６ｂの幅，長さ，セラミックグリーンシート
８２ａおよび８２ｅの厚みにより決定される。したがっ
て、従来のフィルタ１０と比べて、インダクタパターン
の形状や厚みのばらつきを小さくすることができ、所定
のインダクタンス値が得られる。この場合、インダクタ
ンス値のばらつきを±１％以下に抑えて小さくできる。
そのため、このフィルタ５０では、製造工程において、
コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ４をトリミングす
るなどして、フィルタ特性を調整する工程を削減するこ
とができる。

【０１１３】図１０はこの発明のさらに他の実施例とし
てのフィルタの他の例を示す斜視図であり、図１１はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図１２はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばＬＣ形のローパス
フィルタとして用いられるフィルタについて説明する。

【０１１４】フィルタ１１０は、直方体状の積層体１１
２を含む。積層体１１２は、セラミック層からなるたと
えば矩形状の第１の誘電体層１１２ａを含む。第１の誘
電体層１１２ａには、その長手方向の一方に、たとえば
Ｌ字状の１つのライン電極１１４が形成される。ライン
電極１１４は、その長辺部分が第１の誘電体層１１２ａ
の長手方向に延びて形成され、その短辺部分が第１の誘
電体層１１２ａの幅方向に延びて形成される。また、ラ
イン電極１１４の一端部１１５は、第１の誘電体層１１
２ａの長手方向の一端面で露出する。

【０１１５】ライン電極１１４は、第１の誘電体層１１
２ａの厚み方向の一端から他端にかけて形成される。ラ
イン電極１１４の厚みは、第１の誘電体層１１２ａの厚
みとほぼ同じに形成される。つまり、ライン電極１１４
の厚み方向の上端部および下端部が、第１の誘電体層１
１２ａの一方主面（上面）および他方主面（下面）で、
露出される。

【０１１６】この場合、第１の誘電体層１１２ａには、
その長手方向の一方側に、Ｌ字状の孔１１６が形成され
る。孔１１６は、第１の誘電体層１１２ａの一方主面か
ら他方主面に貫通するように、たとえばパンチングなど
で形成される。そして、この孔１１６の内部に導体ペー
ストなどの導電体が充填付与されることにより、ライン
電極１１４となる導体層が形成される。

【０１１７】第１の誘電体層１１２ａの一方主面（上
面）には、ライン電極１１４の上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第２の誘電体層１１２ｂが形成さ
れる。

【０１１８】第２の誘電体層１１２ｂには、たとえば断
面矩形で細長い棒状の１つのライン電極１１８が形成さ
れる。ライン電極１１８は、第２の誘電体層１１２ｂの
中央で、その長手方向に延びて形成される。この場合、
ライン電極１１８は、その長手方向の一端部がライン電
極１１４の他端部に対向するように配置される。ライン
電極１１８は、第２の誘電体層１１２ｂの厚み方向の一
端から他端にかけて形成される。ライン電極１１８の厚
みは、第２の誘電体層１１２ｂの厚みとほぼ同じに形成
される。つまり、ライン電極１１８の厚み方向の上端部
および下端部が、第２の誘電体層１１２ｂの一方主面
（上面）および他方主面（下面）で、露出される。

【０１１９】また、第２の誘電体層１１２ｂの上には、
ライン電極１１８の上面を覆うようにして、セラミック
層からなる第３の誘電体層１１２ｃが形成される。

【０１２０】第３の誘電体層１１２ｃには、その長手方
向の一方に、たとえばＬ字状の１つのライン電極１２２
が形成される。ライン電極１２２は、第１〜第３の誘電
体層１１２ａ〜１１２ｃの長手方向の中央で且つその幅
方向の一端から他端にわたる部分を対称軸としたとき、
ライン電極１１４と線対称に配置される。ライン電極１
２２の一端部１２３は、第３の誘電体層１１２ｃの長手
方向の一端面で露出する。この場合、ライン電極１１４
の一端部１１５は、積層体１１２の長手方向の一方の側
面で露出し、ライン電極１２２の一端部１２３は、積層
体１１２の長手方向の他方の側面で露出する。また、ラ
イン電極１２２は、第２の誘電体層１１２ｃの厚み方向
の一端から他端にかけて形成される。ライン電極１２２
の厚みは、第２の誘電体層１１２ｃの厚みとほぼ同じに
形成される。つまり、ライン電極１２２の厚み方向の上
端部および下端部が、第２の誘電体層１２２ｃの一方主
面（上面）および他方主面（下面）で、露出される。

【０１２１】ライン電極１１８および１２２は、ライン
電極１１４と同様に、誘電体層１１２ｂおよび１１２ｃ
に、それぞれ、ライン電極１１８および１２２と対応す
る孔１１７および１２３が、たとえばパンチングなどで
形成される。そして、孔１１７および１２３に導体ペー
ストなどが充填されることにより、ライン電極１１８お
よび１２２となる導体層がそれぞれ形成される。この場
合、誘電体層１１２ａ，１１２ｂおよび１１２ｃを積層
すると、ライン電極１１８の一端部にライン電極１１４
の他端部が面接触により接続され、ライン電極１１８の
他端部にライン電極１２２の他端部が面接触により接続
される。

【０１２２】第３の誘電体層１１２ｃの上には、ライン
電極１２２の上面を覆うように、保護層として、第４の
誘電体層１１２ｄが形成される。

【０１２３】一方、第１の誘電体層１１２ａの他方主面
（下面）には、ライン電極１１４の下面を覆うようにし
て、第５の誘電体層１１２ｅが形成される。

【０１２４】第５の誘電体層１１２ｅの下には、その長
手方向に間隔を隔てて、それぞれ、矩形面状のコンデン
サ電極１２４ａおよび１２４ｂが形成される。コンデン
サ電極１２４ａおよび１２４ｂは、それぞれ、引き出し
電極１２６ａおよび１２６ｂを有する。また、第５の誘
電体層１１２ｅの下には、２つのコンデンサ電極１２４
ａおよび１２４ｂを覆うようにして、セラミック層から
なる第６の誘電体層１１２ｆが形成される。この場合、
コンデンサ電極１２４ａの引き出し電極１２６ａおよび
コンデンサ電極１２４ｂの引き出し電極１２６ｂは、そ
れぞれ、コンデンサ電極１２４ａおよび１２４ｂから第
６の誘電体層１１２ｆの長手方向の一端部および他端部
にそれぞれ延びて形成される。

【０１２５】第６の誘電体層１１２ｆの下には、他の１
つの面状のコンデンサ電極１２８が形成される。また、
第６の誘電体層１１２ｆの下には、コンデンサ電極１２
８を覆うようにして、セラミック層からなる第７の誘電
体層１１２ｇが形成される。この場合、コンデンサ電極
１２８は、第７の誘電体層１１２ｇ上の中央で、その長
手方向に延びて形成される。コンデンサ電極１２８は、
第６の誘電体層１１２ｆを挟んで、第６の誘電体層１１
２ｆ上のコンデンサ電極１２４ａおよび１２４ｂと対向
するようにして形成される。

【０１２６】第７の誘電体層１１２ｇの下には、その長
手方向に間隔を隔てて、さらに他の２つの矩形面状のコ
デンサ電極１３０ａおよび１３０ｂが形成される。コン
デンサ電極１３０ａおよび１３０ｂは、それぞれ、引き
出し電極１３２ａおよび１３２ｂを有する。また、第７
の誘電体層１１２ｇの下には、コンデンサ電極１３０ａ
および１３０ｂを覆うようにして、セラミック層からな
る第８の誘電体層１１２ｈが形成される。この場合、２
つのコンデンサ電極１３０ａおよび１３０ｂは、第７の
誘電体層１１２ｇを挟んで、第７の誘電体層１１２ｇ上
のコンデンサ電極１２８と対向するようにして形成され
る。また、引き出し電極１３２ａおよび１３２ｂは、そ
れぞれ、コンデンサ電極１３０ａおよび１３０ｂから第
８の誘電体層１１２ｈの長手方向の一端部および他端部
にそれぞれ延びて形成される。

【０１２７】第８の誘電体層１１２ｈの下には、矩形面
状のアース電極１３４が形成される。第８の誘電体層１
１２ｈの下には、アース電極１３４を覆うようにして、
セラミック層からなる第９の誘電体層１１２ｉが形成さ
れる。この場合、アース電極１３４は、第８の誘電体層
１１２ｈを挟んで、第８の誘電体層１１２ｈ上の２つの
コンデンサ電極１３０ａおよび１３０ｂと対向するよう
にして形成される。また、アース電極１３４は、その長
手方向の中央部でその幅方向の両側に、２つの引き出し
電極１３４ａおよび１３４ｂを有する。引き出し電極１
３４ａは、アース電極１３４の幅方向の一端部から第９
の誘電体層１１２ｉの幅方向の一端部にかけて形成され
る。引き出し電極１３４ｂは、アース電極１３４の幅方
向の他端部から第９の誘電体層１１２ｉの幅方向の他端
部にかけて形成される。

【０１２８】第９の誘電体層１１２ｉの下には、保護層
として、セラミック層からなる第１０の誘電体層１１２
ｊが形成される。

【０１２９】積層体１１２の側面には、４つの外部電極
１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃおよび１３６ｄが形成さ
れる。この場合、積層体１１２の長手方向の一方の側面
に１つの外部電極１３６ａが形成され、積層体１１２の
長手方向の他方の側面に１つの外部電極１３６ｂが形成
される。また、積層体１１２の幅方向の一方の側面に１
つの外部電極１３６ｃが形成され、積層体１１２の幅方
向の他方の側面に１つの外部電極１３６ｄが形成され
る。

【０１３０】外部電極１３６ａは、ライン電極１２２の
一端部と、コンデンサ電極１２４ａの引き出し電極１２
６ａと、コンデンサ電極１３０ａの引き出し電極１３２
ａとに接続される。また、外部電極１３６ｂは、ライン
電極１１４の一端部と、コンデンサ電極１２４ｂの引き
出し電極１２６ｂと、コンデンサ電極１３０ｂの引き出
し電極１３２ｂとに接続される。この場合、外部電極１
３６ａは入力端子として用いられ、外部電極１３６ｂは
出力端子として用いられる。さらに、外部電極１３６ｃ
および１３６ｄは、それぞれ、アース電極１３４の引き
出し電極１３４ａおよび１３４ｂに接続され、アース端
子として用いられる。

【０１３１】このフィルタ１１０では、ライン電極１１
４，１１８および１２２で、インダクタＬが形成され
る。また、４つのコンデンサ電極１２４ａ，１２４ｂ，
１３０ａおよび１３０ｂと、１つのコンデンサ電極１２
８との間に、コンデンサＣ１が形成される。さらに、２
つのコンデンサ電極１３０ａおよび１３０ｂと１つのア
ース電極１３４との間に、２つのコンデンサＣ２および
Ｃ３が形成される。

【０１３２】したがって、このフィルタ１１０は、図１
２に示す等価回路を有する。

【０１３３】このフィルタ１１０でも、図６〜図９に示
した実施例と同様に、図２１および図２２に示す従来例
のフィルタ１０と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ１０は、挿入
損失が小さく、Ｑの大きい急峻なローパスフィルタとし
て用いられる。

【０１３４】図１３はこの発明の別の実施例としてのフ
ィルタのさらに他の例を示す斜視図であり、図１４はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図１５はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばＬＣ形のハイパス
フィルタとして用いられるフィルタについて説明する。

【０１３５】フィルタ１４０は、直方体状の積層体１４
２を含む。積層体１４２は、セラミック層からなるたと
えば矩形状の第１の誘電体層１４２ａを含む。第１の誘
電体層１４２ａには、その中央部に、たとえば断面矩形
で細長い棒状のライン電極１４４が形成される。ライン
電極１４４は、第１の誘電体層１４２ａの幅方向の一端
から他端側に延びて形成される。この場合、ライン電極
１４４の長手方向の一端部は、第１の誘電体層１４２ａ
の幅方向の他端よりも内側に形成される。

【０１３６】この場合、ライン電極１４４は、第１の誘
電体層１４２ａの厚み方向の一端から他端にかけて形成
される。ライン電極１４４の厚みは、第１の誘電体層１
４２ａの厚みとほぼ同じに形成される。したがって、ラ
イン電極１４４の厚み方向の上端部および下端部が、第
１の誘電体層１４２ａの一方主面（上面）および他方主
面（下面）で、露出される。また、ライン電極１４４
は、その長手方向の一端部が第１の誘電体層１４２ａの
幅方向の一端面で露出する。

【０１３７】第１の誘電体層１４２ａの一方主面（上
面）には、ライン電極１４４の上面を覆うようにして、
セラミック層からなる第２の誘電体層１４２ｂが形成さ
れる。

【０１３８】第２の誘電体層１４２ｂには、ライン電極
１４４の長手方向の他端部の上面に対応する位置に、１
つのビアホール１４８が形成される。このビアホール１
４８の内部には、たとえば導体ペーストなどの導電体が
充填付与されることにより、接続電極となる接続導体１
５０が形成されている。また、第２の誘電体層１４２ｂ
の上には、その長手方向に間隔を隔てて、３つの矩形面
状のコンデンサ電極１５２，１５４および１５６が形成
されている。この場合、ライン電極１４４とコンデンサ
電極１５４とは、接続電極１５０を介して接続される。
さらに、コンデンサ電極１５２および１５６は、それぞ
れ、引き出し電極１５２ａおよび１５６ａを有する。引
き出し電極１５２ａは、コンデンサ電極１５２から第２
の誘電体層１４２ｂの長手方向の一端部に延びて形成さ
れ、引き出し電極１５６ａは、コンデンサ電極１５６か
ら第２の誘電体層１４２ｂの長手方向の他端部に延びて
形成される。

【０１３９】第２の誘電体層１４２ｂの上には、３つの
コンデンサ電極１５２，１５４および１５６を覆うよう
にして、セラミック層からなる第３の誘電体層１４２ｃ
が形成される。

【０１４０】第３の誘電体層１４２ｃの上には、他の１
つの面状のコンデンサ電極１５８が形成されている。こ
のコンデンサ電極１５８は、第３の誘電体層１４２ｃを
挟んで、第２の誘電体層１４２ｂ上の３つのコンデンサ
電極１５２，１５４および１５６と対向するように形成
される。また、第３の誘電体層１４２ｃの上には、コン
デンサ電極１５８を覆うようにして、セラミック層から
なる第４の誘電体層１４２ｄが形成される。さらに、第
４の誘電体層１４２ｄの上には、必要によりセラミック
層からなる第５および第６の誘電体層１４２ｅおよび１
４２ｆが、その順で積層形成される。なお、第４，第５
および第６の誘電体層１４２ｄ，１４２ｅおよび１４２
ｆは、保護層として形成される。

【０１４１】同様にして、第１の誘電体層１４２ａの他
方主面（下面）には、ライン電極１４４の下面を覆うよ
うに、保護層として、セラミック層からなる第７の誘電
体層１４２ｇ、さらに必要により第８および第９の誘電
体層１４２ｈおよび１４２ｉが、その順で積層形成され
る。

【０１４２】積層体１４２の側面には、４つの外部電極
１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃおよび１６０ｄが形成さ
れる。この場合、積層体１４２の長手方向の一方の側面
に１つの外部電極１６０ａが形成され、積層体１４２の
長手方向の他方の側面に１つの外部電極１６０ｂが形成
される。また、積層体１４２の幅方向の一方の側面に１
つの外部電極１６０ｃが形成され、積層体１４２の幅方
向の他方の側面に１つの外部電極１６０ｄが形成され
る。

【０１４３】外部電極１６０ａおよび１６０ｂは、コン
デンサ電極１５２の引き出し電極１５２ａおよびコンデ
ンサ電極１５６の引き出し電極１５６ａにそれぞれ接続
される。この場合、外部電極１６０ａは入力端子として
用いられ、外部電極１６０ｂは出力端子として用いられ
る。また、外部電極１６０ｃは、ライン電極１４４の一
端部に接続される。外部電極１６０ｃは、アース端子と
して用いられる。なお、外部電極１６０ｄは、ダミー電
極として用いられ、他の電極には接続されない。

【０１４４】このフィルタ１４０では、ライン電極１４
４で、インダクタＬが形成される。また、３つのコンデ
ンサ電極１５２，１５４，１５６と、１つのコンデンサ
電極１５８との間に、２つのコンデンサＣ１およびＣ２
が形成される。したがって、このフィルタ１４０は、図
１５に示す等価回路を有する。

【０１４５】このフィルタ１１０でも、図６〜図９に示
した実施例と同様に、図２１および図２２に示す従来例
のフィルタ１０と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ１０は、挿入
損失が小さく、Ｑの大きい急峻なハイパスフィルタとし
て用いられる。

【０１４６】図１６はこの発明のさらに別の実施例とし
てのフィルタの別の例を示す斜視図であり、図１７はそ
の要部を示す分解斜視図であり、図１８はその等価回路
図である。この実施例では、たとえばＬＣ形のバンドパ
スフィルタとして用いられるフィルタについて説明す
る。

【０１４７】このフィルタ１７０は、直方体状の積層体
１７２を含む。積層体１７２は、セラミック層からなる
たとえば矩形状の第１の誘電体層１７２ａを含む。第１
の誘電体層１７２ａには、その長手方向に間隔を隔て
て、たとえば断面矩形で棒状の２つのライン電極１７４
および１７６が形成される。２つのライン電極１７４お
よび１７６は、それぞれ、第１の誘電体層１７２ａの幅
方向に延びて形成される。ライン電極１７４および１７
６は、第１の誘電体層１７２ａの幅方向および長手方向
の両端より内側に形成される。

【０１４８】２つのライン電極１７４および１７６は、
第１の誘電体層１７２ａの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。２つのライン電極１７４および１７６
は、それぞれ、その厚みが第１の誘電体層１７２ａの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極１
７４の厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第
１の誘電体層１７２ａの一方主面（上面）および他方主
面（下面）で、露出される。同様に、ライン電極１７６
の厚み方向の上端部および下端部が、それぞれ、第１の
誘電体層１７２ａの一方主面（上面）および他方主面
（下面）で、露出される。

【０１４９】２つのライン電極１７４および１７６は、
第１の誘電体層１７２ａにライン電極１７４および１７
６の形状に対応する孔１７４ａおよび１７６ａをそれぞ
れ設け、それらの孔１７４ａおよび１７６ａの内部に、
導体ペーストなどの導電体がそれぞれ充填付与されるこ
とにより形成される。

【０１５０】第１の誘電体層１７２ａの一方主面（上
面）には、ライン電極１７４および１７６の上面を覆う
ようにして、セラミック層からなる第２の誘電体層１７
２ｂが形成される。

【０１５１】第２の誘電体層１７２ｂには、その長手方
向に間隔を隔てて、たとえば断面矩形で細長い棒状の２
つのライン電極１７８および１８０が形成される。２つ
のライン電極１７８および１８０は、それぞれ、第２の
誘電体層１７２ｂの長手方向の両側で、その幅方向に延
びて形成される。この場合、ライン電極１７８および１
８０は、それぞれ、その長手方向の一端部がライン電極
１７４および１７６に対向するように配置される。ま
た、ライン電極１７８および１８０は、第２の誘電体層
１７２ｂの幅方向および長手方向の両端よりも内側に形
成される。

【０１５２】２つのライン電極１７８および１８０は、
第２の誘電体層１７２ｂの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。２つのライン電極１７８および１８０
は、それぞれ、その厚みが第２の誘電体層１７２ｂの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極１
７８および１８０は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第２の誘電体層１７２ｂの一方主
面（上面）および他方主面（下面）で露出される。な
お、２つのライン電極１７８および１８０は、第２の誘
電体層１７２ｂにライン電極１７８および１８０の形状
に対応する孔１７８ａおよび１８０ａをそれぞれ設け、
それらの孔１７８ａおよび１８０ａの内部に、導体ペー
ストなどの導電体がそれぞれ充填付与されることにより
形成される。

【０１５３】第２の誘電体層１７２ｂの上面には、ライ
ン電極１７８および１８０の上面を覆うようにして、セ
ラミック層からなる第３の誘電体層１７２ｃが形成され
る。

【０１５４】第３の誘電体層１７２ｃには、その長手方
向に間隔を隔てて、たとえば断面矩形で細長い棒状の２
つのライン電極１８２および１８４が形成される。２つ
のライン電極１８２および１８４は、それぞれ、第３の
誘電体層１７２ｃの長手方向に延びて形成される。ライ
ン電極１８２および１８４は、第３の誘電体層１７２ｃ
の幅方向および長手方向の両端よりも内側に形成され
る。この場合、ライン電極１８２は、その長手方向の一
端部がライン電極１７８の長手方向の他端部に対向する
ように配置される。また、ライン電極１８４は、その長
手方向の一端部がライン電極１８０の長手方向の他端部
に対向するように配置される。

【０１５５】２つのライン電極１８２および１８４は、
第３の誘電体層１７２ｃの厚み方向の一端から他端にか
けて形成される。２つのライン電極１８２および１８４
は、それぞれ、その厚みが第３の誘電体層１７２ｃの厚
みとほぼ同じに形成される。したがって、ライン電極１
８２および１８４は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第３の誘電体層１７２ｃの一方主
面（上面）および他方主面（下面）で露出される。な
お、２つのライン電極１８２および１８４は、第３の誘
電体層１７２ｃにライン電極１８２および１８４の形状
に対応する孔１８２ａおよび１８４ａをそれぞれ設け、
それらの孔１８２ａおよび１８４ａの内部に、導体ペー
ストなどの導電体がそれぞれ充填付与されることにより
形成される。

【０１５６】したがって、第１〜第３の誘電体層１７２
ａ〜１７２ｃを積層した場合、ライン電極１７８の一端
部にライン電極１７４が接続され、ライン電極１７８の
他端部にライン電極１８２が接続される。また、ライン
電極１８０の一端部にライン電極１７６が接続され、ラ
イン電極１８０の他端部にライン電極１８４が接続され
る。

【０１５７】第３の誘電体層１７２ｃの上面には、ライ
ン電極１８２および１８４の上面を覆うようにして、セ
ラミック層からなる第４の誘電体層１７２ｄが形成され
る。

【０１５８】第４の誘電体層１７２ｄには、その中央部
に間隔を隔てて、断面矩形で棒状の２つのライン電極１
８６および１８８が形成される。一方のライン電極１８
６は、第３の誘電体層上のライン電極１８２の長手方向
の他端部に対応する位置に形成され、他方のライン電極
１８８は、第３の誘電体層上のライン電極１８４の長手
方向の他端部に対応する位置に形成される。

【０１５９】２つのライン電極１８６および１８８は、
第４の誘電体層１７２ｄにライン電極１８６および１８
８の形状に対応する孔（図示せず）をそれぞれ設け、そ
れらの孔の内部に、導体ペーストなどの導電体がそれぞ
れ充填付与されることにより形成される。したがって、
ライン電極１８６および１８８は、それらの厚み方向の
上端部および下端部が、それぞれ、第４の誘電体層１７
２ｄの上面および下面で露出される。

【０１６０】さらに、第４の誘電体層１７２ｄの上に
は、ライン電極１８６および１８８部分を除いて、略矩
形面状のコンデンサ電極１９０が形成されている。この
コンデンサ電極１９０は、引き出し電極１９４および１
９６を有する。引き出し電極１９４および１９６は、そ
れぞれ、コンデンサ電極１９０の長手方向の中央部で、
その幅方向の一端部および他端部から第４の誘電体層１
７２ｄの幅方向の一端部および他端部に延びて形成され
る。

【０１６１】第４の誘電体層１７２ｄの上面には、コン
デンサ電極１９０，ライン電極１８６および１８８の上
面を覆うようにして、セラミック層からなる第５の誘電
体層１７２ｅが形成される。

【０１６２】第５の誘電体層１７２ｅには、ライン電極
１８６および１８８に対応する部分に、ライン電極１８
６および１８８とほぼ同形同大のライン電極１９８およ
び２００がそれぞれ形成される。つまり、ライン電極１
９８および２００は、それらの厚み方向の上端部および
下端部が、それぞれ、第５の誘電体層１７２ｅ上面およ
び下面で露出される。

【０１６３】また、第５の誘電体層１７２ｅの上には、
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の２つのコンデンサ
電極２０２および２０４が形成されている。コンデンサ
電極２０２および２０４は、第５の誘電体層１７２ｅを
挟んで、第４の誘電体層１７２ｄ上のコンデンサ電極１
９０の長手方向の一方の平面部１９２ａおよび他方の平
面部１９２ｂに対向するように、それぞれ形成される。
さらに、ライン電極１９８および２００は、それぞれ、
接続電極２０５および２０７でコンデンサ電極２０２お
よび２０４にそれぞれ接続される。コンデンサ電極２０
２および２０４は、それぞれ、引き出し電極２０６およ
び２０８を有する。引き出し電極２０６は、コンデンサ
電極２０２から第５の誘電体層１７２ｅの幅方向の一端
部にわたって形成される。また、引き出し電極２０８
は、コンデンサ電極２０４から第５の誘電体層１７２ｅ
の幅方向の他端部にわたって形成される。

【０１６４】第５の誘電体層１７２ｅの上面には、ライ
ン電極１９８，２００，コンデンサ電極２０２および２
０４の上面を覆うようにして、セラミック層からなる第
６の誘電体層１７２ｆが形成される。

【０１６５】第６の誘電体層１７２ｆの上面には、その
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の３つのコンデンサ
電極２１０，２１２および２１４が形成される。コンデ
ンサ電極２１０および２１４は、それぞれ、引き出し電
極２１６および２１８を有する。この場合、引き出し電
極２１６は、コンデンサ電極２１０から第６の誘電体層
１７２ｆの幅方向の一端部にわたって形成される。ま
た、引き出し電極２１８は、コンデンサ電極２１４から
第６の誘電体層１７２ｆの幅方向の他端部にわたって形
成される。

【０１６６】第６の誘電体層１７２ｆの上面には、３つ
のコンデンサ電極２１０，２１２および２１４を覆うよ
うにして、セラミック層からなる第７の誘電体層１７２
ｇが形成される。

【０１６７】第７の誘電体層１７２ｇの上面には、その
長手方向に間隔を隔てて、矩形面状の２つのコンデンサ
電極２２０および２２２が形成される。コンデンサ電極
２２０および２２２は、それぞれ、引き出し電極２２４
および２２６を有する。この場合、引き出し電極２２４
は、コンデンサ電極２２０から第７の誘電体層１７２ｇ
の幅方向の一端部にわたって形成される。また、引き出
し電極２２６は、コンデンサ電極２２２から第７の誘電
体層１７２ｇの幅方向の他端部にわたって形成される。

【０１６８】第７の誘電体層１７２ｇの上面には、２つ
のコンデンサ電極２２０および２２２を覆うようにし
て、セラミック層からなる第８の誘電体層１７２ｈが形
成される。

【０１６９】第８の誘電体層１７２ｈの上面には、矩形
面状のアース電極２２８が形成される。アース電極２２
８は、第８の誘電体層１７２ｈを挟んで、第７の誘電体
層１７２ｇ上の２つのコンデンサ電極２２０および２２
２と対向するように形成される。また、アース電極２２
８は、引き出し電極２３０および２３２を有する。この
場合、引き出し電極２３０は、アース電極２２８から第
７の誘電体層１７２ｇの幅方向の一端部にわたって形成
される。また、引き出し電極２３２は、アース電極２２
８から第７の誘電体層１７２ｇの幅方向の他端部にわた
って形成される。なお図示はしないが、第８の誘電体層
１７２ｈの上に、さらに保護層を形成してもよいことは
いうまでもない。

【０１７０】一方、第１の誘電体層１７２ａの他方主面
（下面）には、矩形面状のアース電極２３４が形成され
る。さらに、第１の誘電体層１７２ａの下面には、２つ
のライン電極２２０および２２２の下面部分を覆うよう
にして、セラミック層からなる第９の誘電体層１７２ｉ
が形成される。

【０１７１】アース電極２３４は、引き出し電極２３６
および２３８を有する。この場合、引き出し電極２３６
は、アース電極２３４から第９の誘電体層１７２ｉの幅
方向の一端部にわたって形成される。また、引き出し電
極２３８は、アース電極２３４から第９の誘電体層１７
２ｉの幅方向の他端部にわたって形成される。

【０１７２】積層体１７２の側面には、６つの外部電極
２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃ，２４０ｄ，２４０ｅお
よび２４０ｆが形成される。この場合、積層体１７２の
幅方向の一方の側面に３つの外部電極２４０ａ〜２４０
ｃが形成され、積層体１７２の幅方向の他方の側面に他
の３つの外部電極２４０ｄ〜２４０ｆが形成される。

【０１７３】外部電極２４０ａは、コンデンサ電極２０
２の引き出し電極２０６およびコンデンサ電極２２０の
引き出し電極２２４に接続される。また、外部電極２４
０ｂは、コンデンサ電極１９０の引き出し電極１９４
と、アース電極２２８の引き出し電極２３０と、アース
電極２３４の引き出し電極２３６とに接続される。さら
に、外部電極２４０ｃは、コンデンサ電極２１４の引き
出し電極２１８に接続される。外部電極２４０ｄは、コ
ンデンサ電極２１０の引き出し電極２１６に接続され
る。また、外部電極２４０ｅは、コンデンサ電極１９０
の引き出し電極１９６と、アース電極２２８の引き出し
電極２３２と、アース電極２３４の引き出し電極２３８
とに接続される。さらに、外部電極２４０ｆは、コンデ
ンサ電極２０４の引き出し電極２０８およびコンデンサ
電極２２２の引き出し電極２２６に接続される。

【０１７４】この場合、外部電極２４０ｄは入力端子と
して用いられ、外部電極２４０ｃは出力端子として用い
られる。また、外部電極２４０ａは、コンデンサ電極２
０２と２２０とを接続する接続電極として用いられ、外
部電極２４０ｆは、コンデンサ電極２０４と２２２とを
接続する接続電極として用いられる。さらに、外部電極
２４０ｂおよび２４０ｅは、それぞれ、アース端子とし
て用いられる。

【０１７５】このフィルタ１７０では、ライン電極１７
４，１７８，１８２，１８６および１９８で、インダク
タＬ１が形成され、ライン電極１７６，１８０，１８
４，１８８および２００で、インダクタＬ２が形成され
る。さらに、コンデンサ電極１９０，２０２，２０４，
２１０，２１２，２１４，２２０，２２２およびアース
電極２２８，２３４で、５つのコンデンサＣ１，Ｃ２，
Ｃ３，Ｃ４およびＣ５が形成される。したがって、この
フィルタ１７０は、図１８に示す等価回路を有する。

【０１７６】このフィルタ１１０でも、図６〜図９に示
した実施例と同様に、図２１および図２２に示す従来例
のフィルタ１０と比べて、ライン電極の抵抗成分や導体
損が小さくなる。そのため、このフィルタ１０は、挿入
損失が小さく、Ｑの大きい急峻なバンドパスフィルタと
して用いられる。

【０１７７】上述の各実施例で開示しているように、こ
の発明にかかる共振器およびフィルタでは、インダクタ
Ｌのパターンをたとえば図２，図７，図１１および図１
７などに示す実施例のように多層にわたって形成する場
合だけでなく、それをたとえば図１４に示すように１つ
の層で形成するようにしてもよい。

【０１７８】また、この発明にかかる共振器およびフィ
ルタでは、各ライン電極を形成するために、各セラミッ
クグリーンシートに設けられる各孔の形状および大きさ
を同一にすることによって、各インダクタンス値を同一
にすることが可能となる。したがって、この発明にかか
る共振器およびフィルタでは、設計値からの微妙な各イ
ンダクタンス値のずれを容易に補正することができ、共
振器およびフィルタの精度を向上させることができる。
また、上述の各実施例では、積層体の形成をセラミック
グリーンシートの積み重ねで行ったもので示したが、こ
れに限らず、たとえば、セラミックスラリーや導電ペー
ストの印刷、乾燥を繰り返し行って形成してもよい。

【０１７９】さらに、上述の各実施例では、各ライン電
極をセラミックグリーンシートからなる誘電体層に形成
したが、各ライン電極は、磁性体層に形成するようにし
てもよい。この場合、磁性材料からなるセラミックグリ
ーンシートに、インダクタとなるライン電極に対応する
孔を設け、その孔に導体ペーストなどの導電体が充填付
与されることにより、各ライン電極が形成される。

【０１８０】また、上述の各実施例では、セラミック層
としての誘電体層が１枚のセラミックグリーンシートで
形成されているが、この発明では、セラミック層を形成
するセラミックグリーンシートの枚数や厚みは任意に変
更されてもよい。

【０１８１】なお、上述の各実施例では、各コンデンサ
電極およびアース電極を形成するためにセラミックグリ
ーンシートに導体ペーストが厚膜印刷などされている
が、これ以外の公知の手段で各電極が形成されてもよ
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例としての共振器の一例を示
す斜視図である。

【図２】図１に示す共振器の要部を示す分解斜視図であ
る。

【図３】図１に示す共振器の等価回路図である。

【図４】図１に示す共振器を製造する工程の一例を示す
図解図である。

【図５】図１に示す共振器および図１９に示す共振器の
周波数特性を示すグラフである。

【図６】この発明の他の実施例としてのフィルタの一例
を示す斜視図である。

【図７】図６に示すフィルタの要部を示す分解斜視図で
ある。

【図８】図６に示すフィルタの等価回路図である。

【図９】図６に示すフィルタを製造する工程の一例を示
す図解図である。

【図１０】この発明のさらに他の実施例としてのフィル
タの他の例を示す斜視図である。

【図１１】図１０に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。

【図１２】図１０に示すフィルタの等価回路図である。

【図１３】この発明の別の実施例としてのフィルタのさ
らに他の例を示す斜視図である。

【図１４】図１３に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。

【図１５】図１３に示すフィルタの等価回路図である。

【図１６】この発明のさらに別の実施例としてのフィル
タの別の例を示す斜視図である。

【図１７】図１６に示すフィルタの要部を示す分解斜視
図である。

【図１８】図１６に示すフィルタの等価回路図である。

【図１９】この発明の背景となる従来の共振器の一例を
示す分解正面図である。

【図２０】図１９に示す共振器の要部を示す断面図解図
である。

【図２１】この発明の背景となる従来のフィルタの一例
を示す斜視図である。

【図２２】図２１に示すフィルタの分解斜視図である。

【図２３】図２１に示すフィルタの等価回路図である。

【符号の説明】

２０ 共振器 ２２ 積層体 ２２ａ 第１の誘電体層 ２２ｂ 第２の誘電体層 ２２ｃ 第３の誘電体層 ２２ｄ 第４の誘電体層 ２２ｅ 第５の誘電体層 ２２ｆ 第６の誘電体層 ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ，３８ｅ 孔 ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ ライン電極 ２８ａ，２８ｂ コンデンサ電極 ２６ａ，２６ｂ，３０ａ ビアホール ３２ａ１，３２ａ２，３２ｂ 接続電極 ３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ 外部電極 ５０ フィルタ ５２ 積層体 ５２ａ 第１の誘電体層 ５２ｂ 第２の誘電体層 ５２ｃ 第３の誘電体層 ５２ｄ 第４の誘電体層 ５２ｅ 第５の誘電体層 ５２ｆ 第６の誘電体層 ５２ｇ 第７の誘電体層 ５２ｈ 第８の誘電体層 ５２ｉ 第９の誘電体層 ５２ｊ 第１０の誘電体層 ５６ａ，５６ｂ，６６ａ，６６ｂ 孔 ５４ａ，５４ｂ，６４ａ，６４ｂ ライン電極 ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ コ
ンデンサ電極 ７８ アース電極 ５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ，６２ａ，６２ｄ，６
８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，７０ａ，７０ｂ，７０
ｃ，７０ｄ，７４ａ，７４ｃ ビアホール ６３ａ１，６３ａ２，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ１，６３
ｄ２，７５ａ１，７５ａ２，７５ａ３，７５ｂ１，７５
ｂ２，７５ｃ１，７５ｃ２，７５ｄ１，７５ｄ２，７５
ｄ３ 接続電極 ８０ａ〜８０ｄ 外部電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体層を含む積層体、 前記積層体内の少なくとも１つの誘電体層に形成され、
   インダクタとなるライン電極、および前記積層体内に形
   成され、前記インダクタと電気的に接続されるコンデン
   サを含み、 前記ライン電極は、前記積層体内の少なくとも１つの誘
   電体層に前記ライン電極に対応する孔を形成し、前記孔
   に導電体を付与することにより形成される、共振器。
2. 【請求項２】 前記ライン電極に対応する孔が形成さ
   れ、前記孔に導電体が付与される誘電体層が磁性体層で
   ある、請求項１に記載の共振器。
3. 【請求項３】 複数の誘電体層を含む積層体、 前記積層体内の少なくとも１つの誘電体層に形成され、
   インダクタとなる複数のライン電極、および前記積層体
   内に形成され、前記インダクタと電気的に接続される複
   数のコンデンサを含み、 前記ライン電極は、前記積層体内の少なくとも１つの誘
   電体層に前記ライン電極に対応する孔を形成し、前記孔
   に導電体を付与することにより形成される、フィルタ。
4. 【請求項４】 前記ライン電極に対応する孔が形成さ
   れ、前記孔に導電体が付与される誘電体層が磁性体層で
   ある、請求項３に記載のフィルタ。