JPH08265649A - スターリングアレイ用の五つ目形サンプリンググリッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、使用される画素数を増加させず
に、また出力信号処理電子装置のスペクトル帯域幅を増
加せずに分解能を向上させた焦点面アレイを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 多数の画素を支持する半導体基体14と、
この基体14上に形成される多数の同様の画素16のサンプ
リンググリッドを具備し、このサンプリンググリッドは
ナイキスト論理限界を越える放射エネルギの最小の分解
可能な温度差の拡張された測定を与えるようにアレイ12
の画素はそれぞれ所定の画素ピッチ寸法を有する複数の
隣接した水平行として配置され、画素の各行は画素の各
隣接した行に関して画素ピッチ寸法の分数の大きさ、例
えば１／２だけ水平にオフセットされていることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は焦点面アレイ画像装
置、特にスターリングシステムの熱画像用の焦点面アレ
イを使用する装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】焦点面アレイ（ＦＰＡ）構造形態の画像
システムは技術でよく知られている。これらの一般的な
ＦＰＡは、典型的に線形または直交して配置されてお
り、通常は半導体基体の表面上の直線的な行および列の
方形パターンの光応答検出器である画像素子（“画
素”）と呼ばれる光応答センサからなる。以後“光”と
“放射エネルギ”等の用語はそれに限定されないが可視
光と、赤外線または紫外線放射のような可視できない光
等の放射を含む電磁放射を意味する。

【０００３】各画素位置は、画像を形成されるソース物
体からの画素位置に衝突する電磁エネルギ（例えば可視
光または赤外線光）の強度に直接関連する少なくとも１
つの電気出力信号を与えるように設計されている光電池
回路を有する。これらの画素が通常各行または列内のシ
ーケンスで質問されるか抽出されるとき、個々の電気出
力信号はアクセスされ、外部の電気処理回路に供給され
る。電気出力信号は各画素の入射エネルギの強度に関す
る情報を伝送するデータワード流を提供するようにデジ
タル化されてもよい。情報はソース物体を表す画像を形
成するため合計されるか統合されてもよい。この画像は
例えばＣＲＴ（陰極線管）またはＬＣＤ（液晶ディスプ
レイ）のようなディスプレイ装置上に示されてもよい。

【０００４】走査画像システム（即ちソース物体が連続
的に観察されないシステム）では、画素のサンプリング
周波数は焦点面アレイの走査または読取りのタイミング
を制御することにより変化されることができる。スター
リングシステムとは対照的に、走査システムは画素の線
形アレイを使用し、これを横切って連続的な画像部分が
可動走査ミラーにより掃引される。このような走査シス
テムのサンプリング周波数は画像を形成される物体の走
査のタイミングを単に変化することによりアレイへの入
力で変化されてもよい。ここで行う説明はこのような機
械的走査装置を必要としないスターリングシステムに限
定される。

【０００５】通常の焦点面アレイの分解能を試験するた
め、それぞれ１対７のアスペクト比を有する並列バーの
４つのバー装置が標準的な試験パターンとして使用され
る。これらのバーは背景シーンから一定の温度差を有す
る。バーパターンが垂直に方向付けされたとき、１列づ
つの質問画素の抽出（即ち、列の連続的画素と次の隣接
列の連続的画素の反復的な抽出）は試験ソースの水平ま
たは方位角方向における分解データを提供する。同様
に、垂直分解能は水平に方向付けされたバーの１行づつ
の抽出を使用することによって試験される。ここでの説
明は方位角分解の測定に限定される。

【０００６】熱画像システムでは、検出器性能の重要な
尺度はＭＲＴすなわち背景シーンと比較した物体の最小
の分解可能な温度差である。この試験はＦＰＡ画素の検
出器表面における信号エネルギの測定である。（後述す
る）ナイキスト限界として知られている論理上の限界ま
で、システム性能を示すグラフを与えるためにＦＰＡの
画素のサンプリング周波数に対して所定のＦＰＡ用のＭ
ＲＴが図示されている。アレイの特定の画素の光束積分
期間はサンプリング周波数の逆数に応じて変化すること
が認められよう。即ち、サンプリング周波数の増加と共
に、画素の光束積分期間は減少する。従って、画素がバ
ーパターンと背景シーンとの間の特定の温度差を分解す
ることができなくなるところまで周波数は到達する。

【０００７】画素サンプリング周波数は例えば１ミリラ
ジアン当りのサイクルでソース物体と対向する特定の弧
に対して生じるサンプリング入射数として表されてもよ
い。より高い空間周波数においてアレイのＭＲＴ差を測
定できることが望ましく、ここでの検出器の分解能は高
い。残念ながら、論理的なナイキスト限界を越える全て
の空間周波数に対して、ＭＲＴ差の測定は通常の検出器
アレイのスターリングまたは走査に関する以下の現在の
工業標準で測定されることができない。

【０００８】通信論理では、信号波形態を完全に決定す
るための帯域幅Ｗの信号の規則的に間隔を隔てられた瞬
間的なサンプル間の最大時間はナイキスト期間として知
られている。この最大時間間隔は１／２Ｗ秒になるよう
に得られる。周波数として表されるナイキスト間隔の逆
数はナイキスト限界である。

【０００９】関連技術の専門家はＭＲＴ差測定へのナイ
キスト限界に関する出版物および広く普及したモデルに
依存している。ＦＬＩＲ92として知られているそのモデ
ルにしたがって、ＭＲＴはナイキスト限界で不明確に大
きくなり、それによって高い空間周波数での性能の測定
を試みることは無駄である。ナイキスト数値は動作周波
数限定が意味のあるものと示すので、ＭＲＴ差測定は米
国陸軍暗視部および電子光学理事会と映像／モデリング
ディビジョンで出版されているＦＬＩＲ92文献から抜粋
された以下の広告で確証される。

【００１０】ＭＲＴ差は周期的ターゲット（４つの７：
１アスペクト比バー）で限定され、いくつかの周波数で
の“呼び”ＭＲＴ差の規定は４つのバーが観察者により
十分に分解されなければならないことである。熱画像で
は、ＭＲＴ差ターゲットの４つのバーはシステムのナイ
キスト限界を越える周波数では観察者に対して十分に再
構成されることはなく、それによって、ＭＲＴ差を呼ぶ
規定は満たすことができない。ＦＬＩＲ92はナイキスト
限界を越える周波数でＭＲＴ差を予測しないことにより
この定義に厳密に忠実である。

【００１１】初期（ＦＬＩＲ90）モデルの最も最近の例
として、ＦＬＩＲ92は、“超ナイキスト周波数（即ち、
ナイキスト限界を越える）でターゲット識別用の情報を
解釈するために観察者の能力が量化されるので、頑丈な
データなしに推定を試みることは許容可能ではない”と
いうイメージ産業の標準的な学説として示される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来技術の欠点に関し
て、本発明の主な目的はこれらの欠点の１以上を除去す
ることである。

【００１３】従って、本発明の目的は、イメージ形式の
工業的標準モデルの性能で表されるような通常のイメー
ジシステムにより課される限定を克服する画像形成シス
テムを提供することである。

【００１４】本発明の別の目的は、使用される画素数の
対応した増加またはアレイで使用される後続する出力信
号処理電子装置のスペクトル帯域幅の増加を必要とせ
ず、非常に増加した分解能を達成する焦点面アレイを提
供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前述の観点において、本
発明は半導体基体と、この基体上に形成された画像素子
または画素の焦点面アレイの形態のサンプリンググリッ
ドとを含んでおり、ナイキスト限界として知られている
論理的境界を越える最小の分解可能な温度差の測定を許
容するように構成されている画像装置を提供するもので
ある。

【００１６】例示的な実施形態の１特徴にしたがって本
発明の原理を実行するに際して、画素の交互の水平行は
五つ目形（サイコロの５の目のように４隅と中央に点を
有する形状）パターンを提供するため隣接行に関してオ
フセットされ、結果的に通常の直交アレイにまさる顕著
に方位角方向での分解能が改良される。論理的に、分解
能のこの改良は同一数の画素を有する通常の２次元直線
アレイに対して２倍にすることができる。

【００１７】例示の実施形態の別の特徴にしたがって、
最小の分解可能な温度差の測定は現在認識されているナ
イキスト限界を大きく凌ぐサンプリング周波数で実行さ
れる。

【００１８】従って、本発明はソース物体からの放射エ
ネルギを検出するための画像装置を提供し、その装置は
半導体基体と、この基体上に形成された多数の同様の画
素のサンプリンググリッドとを含んでおり、サンプリン
ググリッドはナイキストの論理的限界を越える放射エネ
ルギの最小の分解可能な温度（ＭＲＴ）差の拡張された
測定を与える画素の物理的配列を有する。

【００１９】本発明のさらに別の観点によると、論理的
ナイキスト限界を越える最小の分解可能な温度差の拡張
された測定を行う手段は、所定の幅を有する多数の同様
の画素サンプリンググリッドの各画素を含んでおり、多
数の画素は所定の画素ピッチ寸法をそれぞれ有する複数
の画素の複数の隣接した水平行に配置されており、各画
素行は画素の各隣接行に関して画素ピッチ寸法の分数の
大きさにより水平にオフセットされている。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の画像装置の前述および付
加的な特徴と利点は添付図面を伴った本発明の特定の例
示的な実施形態の説明から明白になるであろう。図１を
参照すると、画像装置10は断片的に示されている。この
画像装置は基体14上に形成された焦点面アレイ（ＦＰ
Ａ）12を含んでいる。ＦＰＡ12は共通して符号16で示さ
れる実質上同一の画像素子または画素の隣接した水平行
から構成される。

【００２１】各画素は画素16の受信表面に入射する放射
エネルギに応答して電荷を光起電力的に発生するための
放射エネルギ検出器と、関連回路を有する。画素の行お
よび列は導体13によりマルチプレクサ回路15に接続され
る。導体13は概略的に示され、それぞれ基体14を横切っ
て延在する１以上の導電トレースを表している。導体13
は１行づつおよびアレイ12の行を横切って１画素づつの
シーケンスで、アレイ12の特定の画素を質問するために
使用される。マルチプレクサ回路15は通常のものであ
り、各画素をアドレスするため、およびそれぞれのアナ
ログ出力信号またはデジタルワード出力信号へ変換する
ために画素のシーケンスからの画像情報を受信するため
に使用される。検出器および回路素子は技術で知られて
おり、本発明のアレイにおける画素16の特有の配列は、
後述するように予期しがたい程に拡張された性能能力
と、特定数の画素に対する分解能の増加を与える。

【００２２】本発明により与えられる重要な改良を適切
に示すため、通常のＦＰＡの配列および性能と対照する
方法で説明することが有効である。図２はソース物体
（図示せず）から放射するエネルギを抽出するための典
型的に直交して配置された画素16´の焦点面アレイ18の
グリッドの表示部分を示している。比較のみの目的で、
全体の直交ＦＰＡ18は２４０×３２０の画素16´、即ち
各行に３２０の画素16´を有する２４０の隣接した水平
行からなる方形アレイを含んでいる。垂直に隣接した画
素は図示されているように列で整列されている。垂直方
向および水平方向の両者で、画素は一直線の行で配置さ
れている。即ち、図２で示されているアレイは２方向で
直線である。

【００２３】画素16´は方形の形状であり、１００パー
セントの充填率まで可能であり、１５ミクロンの水平お
よび垂直のピッチで位置されている。アレイは実質上１
０乃至２０ミクロンのピッチ寸法のような約１０乃至２
０ミクロンの大きさの画素を有することが期待されてお
り、それによって画素は間に間隔なく相互に直接隣接し
ており、１００パーセントの充填率を与える。本発明の
改良はより小さい大きさの画素を有する将来のアレイに
も同様に応用可能である。必要とされる極度に小さい大
きさと、図面の表示の簡潔化のため、垂直および水平に
隣接する画素間の間隔は示されていない。しかしなが
ら、当業者は画素16´が一般的に相互に間隔を隔てられ
ていてもよいことを認識するであろう。通常のアレイ18
は例えば４６０×６４０画素グリッド、または画像フィ
ールドで当業者に知られているような画素寸法を有する
別の大きさの直交した直線（整列した列）マトリックス
からなる。基体は例えばシリコンＣＭＯＳまたはバイポ
ーラＣＭＯＳの読取り集積回路基体であってもよい。

【００２４】図２を参照すると、行をなす画素16´の間
の方位方向（水平の）の中心から中心の間隔は符号ｐで
示されるピッチである。ここで説明する方形画素16´で
は、列の垂直に積重ねられた画素16´の間の中心間の間
隔は同一値、即ち“ｐ”ミクロンを有する。直交アレイ
18が水平（方位角方向）または垂直方向で抽出されると
き、一方方向（即ち行または列を横切る）の１トラバー
ス当りの抽出数は画素16´の数に等しく、それぞれの行
および列で距離“ｐ”を隔てられている。従って、２４
０×３２０の画素の直交アレイでは、１つの方位角方向
の横断は３２０サンプルに基づく観察者により知覚され
るような分解能を生じ、それぞれｐミクロンの隔たりを
有する。

【００２５】対照的に、図３で示されている本発明のア
レイ構造は方位角の分解能で重要な改良を生じる。各行
は“ブリック壁”または画素16の五つ目形パターンを発
生するように上下の隣接行に関して１／２のピッチ長
（ｐ／２）により水平方向でオフセットされる。図２と
３を比較して容易に分かるように、各アレイの画素の２
つの隣接行が考慮されるとき、増加分の水平距離（ｐ＋
ｐ／２）における方位角方向のトラバースの別々のサン
プル数は、図２の直交直線アレイのように図３の新しい
五つ目形パターンの数の２倍である。

【００２６】従って、垂直の分解能が前述の直交線形ア
レイのように五つ目形アレイで同一に維持され、方位角
方向の分解能は物理的に画素16の数を増加する必要なく
五つ目形配列で顕著に増加される。実効的に、２４０×
３２０の五つ目形アレイは、２４０×６４０の通常の
（直交）アレイに等価の論理的分解能を有し、かなりの
節約を与え、時間と材料の使用を少なくし許容可能なア
レイの生産高の増加と保守の減少という利点を提供す
る。その代りに、本発明による五つ目形アレイは１／３
または１／４にオフセットされたピッチ寸法の画素の隣
接行を具備してもよい。それによってこれらの別のアレ
イはアレイを横切って水平に延在する画素のそれぞれ３
行または４行のグル−プを有する。グル−プ内で、各行
はピッチ寸法の１／３または１／４をオフセットする。

【００２７】従って、アレイの画素の水平行は試験バー
方向の対応する方向でアレイの分解能を改良するために
ピッチ寸法の分数部分を相互に関してオフセットされて
もよいことが明白である。ナイキスト周波数はこの軸に
沿って低いので、五つ目形アレイは試験バーが４５度の
対角線方向を有する場合により低い分解能を有すること
が認識される。しかしながら、最も頻繁に遭遇する状況
では、物体は垂直または水平特性および物体の方向を選
択して画像形成されるため、五つ目形アレイはシステム
性能を改良する。

【００２８】付加的に、五つ目形アレイ画像装置の性能
の規格は通常の直交アレイの性能規格よりも優れてい
る。性能は、変化する空間サンプリング周波数で画素16
または16´表面上で最小の分解可能な温度（ＭＲＴ）差
を測定することによって、五つ目形または直交アレイの
一方で規格化される。

【００２９】図４は４８０×６４０画素16´を有する図
２の通常の直交直線アレイの摂氏温度対１ミリラジアン
当りのサイクル（ｃｙ／ｍｒ）における空間サンプリン
グ周波数を表したグラフである。ＭＲＴ曲線20は１ミリ
ラジアン当り２から約１０サイクルまでの空間サンプリ
ング周波数の増加として示されている。システム性能の
典型的な限界、すなわちナイキスト限界はナイキスト期
間の逆数、即ち、信号形態を適切に再生するため観察さ
れた信号のサンプル間の最大の時間間隔を表した周波数
である。図４のシステムでは、ナイキスト限界は１ミリ
ラジアン当り約９．８サイクルで横軸の矢印22により示
されている。図４のアレイのナイキスト限界におけるＭ
ＲＴの増加は鋭敏的であり、ステップ関数のように垂直
にグラフから外れて増加するように見える。換言する
と、アレイ用のＭＲＴは周波数のナイキスト限界で非常
に大きいので、放射物体は背景から区別されることがで
きない。

【００３０】陸軍暗視部と電子光学理事会からのＦＬＩ
Ｒ92と呼ばれる工業的な標準モデルの性能により予測さ
れているように、図４はＭＲＴ測定が直交直線装置のナ
イキスト限界で確定可能でなくなることを確証してい
る。しかしながら、ＦＬＩＲ92の標準モデルに従って以
前には観察者に有効ではないと考えられていたナイキス
ト限界を越える測定は本発明により達成される。

【００３１】図５は図１および３で示されている五つ目
形パターンに配列された４８０×６４０画素アレイの予
測されたＭＲＴ曲線を示している。この五つ目形アレイ
の性能曲線は符号24で示されている。図４および５の２
つのアレイは同一数の画素を有するが、これらのグラフ
を比較することから、五つ目形焦点面アレイはナイキス
ト限界周波数をかなり越える周波数で最小の分解可能な
温度差の方位角方向測定が行われることを可能にするこ
とが明白であり、これは五つ目形アレイではなく一般的
な直交直線焦点面アレイのサンプリング周波数の実際的
な上限を表している。

【００３２】図示のケースにおける本発明の五つ目形Ｆ
ＰＡにより達成される方位角方向のＭＲＴの改良は、五
つ目形と直交アレイの両者が各行に６４０画素を含んで
も、直交直線ＦＰＡの周波数を４０パーセント程度越え
る周波数である。五つ目形アレイからの画素信号出力は
抽出され、観察者に可視である画像を形成するために通
常のアレイで技術で既に知られているように処理され
る。

【００３３】前述の観点から、本発明はアレイに複数の
画像素子または画素を含んでいる画像装置を提供するこ
とが明白である。装置は画素のすぐれた配置を特徴と
し、これは使用する画素数を増加せずに既知のアレイよ
りも非常に強化された方位角方向の分解能を生じる。

【００３４】さらに、本発明はナイキスト限界周波数よ
りも実際的である最小の分解可能な温度差の測定がない
ように保持する広く許容された工業的標準モデルの性能
の制限を克服する。有効に、本発明の五つ目形アレイ
は、最小の分解可能な温度差が同一寸法の通常のアレイ
で認識される従来の限界の約１．４倍の周波数で測定さ
れることを可能にする。

【００３５】本発明を特定の例示的な実施形態を参照し
て示し、限定したが、このような参照は本発明の限定を
意味していない。従って本発明は特許請求の範囲の技術
的範囲によってのみ限定され、全ての面で等価の装置を
十分に認識する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施した画像装置の部分的な平面図。

【図２】画素の直交配列を示した既知の通常の画像装置
の焦点面アレイの部分的な平面図。

【図３】画素の五つ目形配列を示した図１の焦点面アレ
イの拡大した部分平面図。

【図４】図２の通常のアレイの空間的周波数の関数とし
て最小の分解可能な温度差を示したグラフ。

【図５】図３の本発明のアレイの空間的周波数の関数と
して最小の分解可能な温度差を示したグラフ。

フロントページの続き (72)発明者 マイケル・ワイ・パインズ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90049、ロサンゼルス、チェナルト・スト リート 11433 (72)発明者 ロバート・エル・センダル アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91311、チャッツワース、デルコ・アベニ ュー 10860

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多数の画素を支持する半導体基体を具備
   しているソース物体からの放射エネルギを検出する画像
   装置において、 前記基体上に形成される多数の同様の画素のサンプリン
   ググリッドを具備し、このサンプリンググリッドはナイ
   キスト論理限界を越える前記放射エネルギの最小の分解
   可能な温度差の拡張された測定を与える装置を有するこ
   とを特徴とする画像装置。
2. 【請求項２】 所定の幅を有する多数の同様の画素の前
   記サンプリンググリッドの各画素を具備し、前記多数の
   画素はそれぞれ所定の画素ピッチ寸法を有する複数の画
   素の複数の隣接した水平行で配置され、画素の各行は画
   素の各隣接した行に関して前記画素ピッチ寸法の分数の
   大きさだけ水平にオフセットされている請求項１記載の
   画像装置。
3. 【請求項３】 前記画素ピッチ寸法の前記分数の大きさ
   は、前記多数の同様の画素が五つ目形パターンを形成す
   るように前記ピッチ寸法の実質上１／２である請求項２
   記載の画像装置。
4. 【請求項４】 各画素が前記画素上に入射する前記放射
   エネルギに関する電気的な画素出力信号を与える請求項
   ２記載の画像装置。
5. 【請求項５】 前記画素出力信号を受信し、それに関す
   るデジタル信号を与えるデジタル装置をさらに含んでい
   る請求項４記載の画像装置。
6. 【請求項６】 前記画素の幅が５０ミクロン乃至２０ミ
   クロンまたはそれ以下の範囲である請求項２記載の画像
   装置。
7. 【請求項７】 前記画素のピッチ寸法が５０ミクロン乃
   至２０ミクロンまたはそれ以下の範囲である請求項６記
   載の画像装置。
8. 【請求項８】 典型的に前記焦点面アレイの１つの前記
   水平行の前記画素数が３２０であり、隣接した水平行の
   数が２４０である請求項７記載の画像装置。
9. 【請求項９】 ソース物体からの放射エネルギの熱イメ
   ージを形成する画像装置において、前記装置は、 それぞれ所定の幅を有する多数の同様の画素を含んだ焦
   点面アレイを具備しており、前記多数の画素は所定の画
   素ピッチ寸法をそれぞれ有する複数の隣接した水平行で
   配置されており、画素の各行は画素の各隣接行に関して
   前記画素ピッチ寸法の分数の大きさだけ水平にオフセッ
   トされ、前記多数の画素の各画素は各前記画素上に入射
   する放射エネルギに関してそれぞれ電気画素出力信号を
   与えることを特徴とする画像装置。
10. 【請求項１０】 放射エネルギを反射または放射するソ
    ース物体の画像を生成する方法において、 それぞれ所定の幅を有し、所定の画素ピッチ寸法を有す
    る隣接した水平行の２次元アレイに配置される同様の画
    素のアレイを設け、各行は各隣接した行に関して前記画
    素ピッチ寸法の分数の大きさだけ水平にオフセットされ
    ており、 前記ソース物体からの放射エネルギを前記ソース物体の
    形状により定められるパターンで前記画素に入射させ、 前記アレイの各画素に入射する前記放射エネルギを前記
    入射した放射エネルギに関係する電気出力信号に変換
    し、 空間周波数速度で前記電気画素出力信号を抽出すること
    を特徴とする画像生成方法。
11. 【請求項１１】 画素の前記アレイが五つ目形パターン
    を有するように前記画素ピッチ寸法の１／２だけ画素の
    各行をオフセットするステップをさらに含んでいる請求
    項１０記載の方法。
12. 【請求項１２】 ナイキスト限界周波数を越える周波数
    で前記画素をサンプリングするステップをさらに含んで
    いる請求項１０記載の方法。
13. 【請求項１３】 ソースから放射エネルギを受信し、前
    記放射エネルギを前記ソースに対する画像情報を含んだ
    出力信号に変換する装置において、 それぞれ前記ソースからの放射エネルギの受信に応答し
    て各出力信号を与える多数の指向性検出器素子と、 検出器素子の複数の隣接した直線状の行の２次元および
    単一方向アレイで配置される前記多数の検出器素子を支
    持する基体とを具備し、前記複数の各行の検出器素子は
    同じピッチ寸法で間隔を隔てられ、全ての前記検出器素
    子は前記放射エネルギを受信するための共通の指向性軸
    に平行に整列され、検出器素子の前記複数の行の各行の
    検出器素子は検出器素子の前記行の長さ方向に沿って、
    検出器素子の各隣接した行の検出器素子に関して前記ピ
    ッチ寸法の分数の大きさでオフセットされ、 それによって、検出器素子の前記アレイは前記行の長さ
    方向に垂直な方向ではなく検出器素子の前記複数の行の
    長さ方向でのみ直線的である請求項２記載の画像装置。
14. 【請求項１４】 前記オフセット寸法が前記ピッチ寸法
    の実質上１／２であり、前記アレイは五つ目形パターン
    を有する請求項１３記載の装置。