JPH08274263A - ノイズフィルター - Google Patents
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- JPH08274263A JPH08274263A JP7425995A JP7425995A JPH08274263A JP H08274263 A JPH08274263 A JP H08274263A JP 7425995 A JP7425995 A JP 7425995A JP 7425995 A JP7425995 A JP 7425995A JP H08274263 A JPH08274263 A JP H08274263A
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- Filters And Equalizers (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体プロセスによるノイズフィルター。半導
体基板１上に第１の絶縁膜６を介して第１の金属配線３
をスパイラル状に形成する。その上に第２の絶縁膜７を
介して第２の金属配線５を螺旋状に対向させて形成す
る。第１の金属配線３は信号線として動作する。第２の
金属配線５の引出電極９と、半導体基板１が導電性ペー
スト１０で接着しているリードフレーム１２とは、ボン
ディングワイヤー１３で接続され、第２の金属配線５と
半導体基板１は同電位（接地）となる。 【効果】内蔵容量が第１の金属配線と第２の金属配線の
間に形成される分布容量と、半導体基板と第１の金属配
線の間に形成される分布容量の和で決定されるため、プ
ロセス工程数が従来と殆ど変わることなく、高容量の分
布定数型のローパスフィルターを実現できる。さらにプ
ロセス工程で保護ダイオードを付加することで周波数減
衰特性を劣化させずに静電気耐量のみ増大させることが
できる。
体基板１上に第１の絶縁膜６を介して第１の金属配線３
をスパイラル状に形成する。その上に第２の絶縁膜７を
介して第２の金属配線５を螺旋状に対向させて形成す
る。第１の金属配線３は信号線として動作する。第２の
金属配線５の引出電極９と、半導体基板１が導電性ペー
スト１０で接着しているリードフレーム１２とは、ボン
ディングワイヤー１３で接続され、第２の金属配線５と
半導体基板１は同電位（接地）となる。 【効果】内蔵容量が第１の金属配線と第２の金属配線の
間に形成される分布容量と、半導体基板と第１の金属配
線の間に形成される分布容量の和で決定されるため、プ
ロセス工程数が従来と殆ど変わることなく、高容量の分
布定数型のローパスフィルターを実現できる。さらにプ
ロセス工程で保護ダイオードを付加することで周波数減
衰特性を劣化させずに静電気耐量のみ増大させることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体プロセスによる
ノイズフィルターに関する。
ノイズフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の高速化に伴い内部回路
のノイズ対策は必要不可欠なものとなっており、内部回
路で使用されるノイズフィルターの需要は年々増加して
いる。また製品のトータルコストを下げるためにもノイ
ズフィルターについて低コストで高性能なものが市場か
ら要求されている。最近、低コストで量産可能な半導体
プロセスを利用したノイズフィルターが注目されてい
る。
のノイズ対策は必要不可欠なものとなっており、内部回
路で使用されるノイズフィルターの需要は年々増加して
いる。また製品のトータルコストを下げるためにもノイ
ズフィルターについて低コストで高性能なものが市場か
ら要求されている。最近、低コストで量産可能な半導体
プロセスを利用したノイズフィルターが注目されてい
る。
【０００３】従来の半導体プロセスを利用したノイズフ
ィルターとしては特開平６―７７７１１に示されるもの
がある。図１４に従来のノイズフィルターの断面図、図
１５に従来のノイズフィルターの等価回路を示し説明す
る。
ィルターとしては特開平６―７７７１１に示されるもの
がある。図１４に従来のノイズフィルターの断面図、図
１５に従来のノイズフィルターの等価回路を示し説明す
る。
【０００４】図１４において１は半導体基板、２は絶縁
膜、３は第１の金属配線、５は第２の金属配線、８は第
１の金属配線３の引出電極である。
膜、３は第１の金属配線、５は第２の金属配線、８は第
１の金属配線３の引出電極である。
【０００５】従来のノイズフィルターのプロセス工程は
半導体基板１の上に第１の金属配線３をスパイラル状に
形成し、次に前記第１の金属配線３の表面に絶縁膜２を
形成し、次に前記絶縁膜２の上に第２の金属配線５をス
パイラル状に形成するとともに、前記第１の金属配線３
の端部に引出電極８を形成する。
半導体基板１の上に第１の金属配線３をスパイラル状に
形成し、次に前記第１の金属配線３の表面に絶縁膜２を
形成し、次に前記絶縁膜２の上に第２の金属配線５をス
パイラル状に形成するとともに、前記第１の金属配線３
の端部に引出電極８を形成する。
【０００６】上述の工程後、前記第２の金属配線５の両
端及び前記第１の金属配線３の端部の引出電極８にボン
ディングする。
端及び前記第１の金属配線３の端部の引出電極８にボン
ディングする。
【０００７】図１５において３は第１の金属配線、５は
第２の金属配線、８は第１の金属配線３の引出電極、１
５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に形成さ
れる分布容量、２０は第１の金属配線３及び第２の金属
配線５が所有するインダクタンスである。
第２の金属配線、８は第１の金属配線３の引出電極、１
５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に形成さ
れる分布容量、２０は第１の金属配線３及び第２の金属
配線５が所有するインダクタンスである。
【０００８】スパイラル状に形成された第１の金属配線
３及び第２の金属配線５は所定のインダクタンス２０を
有し、図１４の絶縁膜２が誘電体として作用することに
より第１の金属配線３と第２の金属配線５の間には分布
容量１５が形成されるため、インダクタンスと分布容量
による分布定数型のローパスフィルターとして用いるこ
とができる。
３及び第２の金属配線５は所定のインダクタンス２０を
有し、図１４の絶縁膜２が誘電体として作用することに
より第１の金属配線３と第２の金属配線５の間には分布
容量１５が形成されるため、インダクタンスと分布容量
による分布定数型のローパスフィルターとして用いるこ
とができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体プロセス
を利用したノイズフィルターは、内蔵容量が第１の金属
配線と第２の金属配線を絶縁する絶縁膜の比誘電率と膜
厚値で決定されていたため、高容量のノイズフィルター
を作る場合には比誘電率の大きい絶縁材料を用いるかあ
るいは適当な絶縁材料が無い場合は絶縁膜を薄くしなけ
ればならない。後者の場合、絶縁膜が薄くなるほど静電
気破壊に弱くなるため静電気耐量の関点から膜厚値の最
小値が決ってしまい高容量のノイズフィルターを作るの
が困難であった。
を利用したノイズフィルターは、内蔵容量が第１の金属
配線と第２の金属配線を絶縁する絶縁膜の比誘電率と膜
厚値で決定されていたため、高容量のノイズフィルター
を作る場合には比誘電率の大きい絶縁材料を用いるかあ
るいは適当な絶縁材料が無い場合は絶縁膜を薄くしなけ
ればならない。後者の場合、絶縁膜が薄くなるほど静電
気破壊に弱くなるため静電気耐量の関点から膜厚値の最
小値が決ってしまい高容量のノイズフィルターを作るの
が困難であった。
【００１０】また、静電気耐量が第１の金属配線と第２
の金属配線を絶縁する絶縁膜の膜厚値で決定されてお
り、絶縁膜の破壊電界と膜厚値との積を越える電圧の静
電気が侵入するとノイズフィルターの静電気破壊を回避
できないという問題があった。
の金属配線を絶縁する絶縁膜の膜厚値で決定されてお
り、絶縁膜の破壊電界と膜厚値との積を越える電圧の静
電気が侵入するとノイズフィルターの静電気破壊を回避
できないという問題があった。
【００１１】本発明の目的は、上述の問題点を解決する
ためのもので、従来の構成を著しく変えることなく、従
来とほぼ同コストで従来よりも高容量あるいは静電気耐
量の大きなノイズフィルターを作ることを可能とするこ
とである。
ためのもので、従来の構成を著しく変えることなく、従
来とほぼ同コストで従来よりも高容量あるいは静電気耐
量の大きなノイズフィルターを作ることを可能とするこ
とである。
【００１２】
（手段１）本発明によるノイズフィルターは半導体基板
上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線をスパイラル
状に形成し、前記第１の金属配線の上に第２の絶縁膜を
介して第２の金属配線をスパイラル状に対向させて形成
し、前記第１の金属配線を信号線として動作させ、前記
第２の金属配線と前記半導体基板が同電位（接地）とな
るように、前記第２の金属配線の引出電極と、前記半導
体基板が導電性ペーストで接着されているところのリー
ドフレームとが、ボンディングワイヤーで接続されてい
る、ことを特徴とする。
上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線をスパイラル
状に形成し、前記第１の金属配線の上に第２の絶縁膜を
介して第２の金属配線をスパイラル状に対向させて形成
し、前記第１の金属配線を信号線として動作させ、前記
第２の金属配線と前記半導体基板が同電位（接地）とな
るように、前記第２の金属配線の引出電極と、前記半導
体基板が導電性ペーストで接着されているところのリー
ドフレームとが、ボンディングワイヤーで接続されてい
る、ことを特徴とする。
【００１３】（手段２）手段１のノイズフィルターにお
いて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴
とする。
いて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴
とする。
【００１４】（手段３）本発明によるノイズフィルター
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として動
作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電位
（接地）となるように、前記第２の金属配線の一部が、
第１の金属配線（信号線とは異なる）を介するかもしく
は直接、前記半導体基板と接触している、ことを特徴と
する。
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として動
作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電位
（接地）となるように、前記第２の金属配線の一部が、
第１の金属配線（信号線とは異なる）を介するかもしく
は直接、前記半導体基板と接触している、ことを特徴と
する。
【００１５】（手段４）手段３のノイズフィルターにお
いて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴
とする。
いて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴
とする。
【００１６】（手段５）本発明によるノイズフィルター
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第２の金属配線の上に第３の絶縁
膜を介して第３の金属配線をスパイラル状に対向させて
形成し、前記第２の金属配線を信号線として動作させ、
前記第１の金属配線と前記第３の金属配線が同電位（接
地）となるように、前記第３の金属配線の一部が、第２
の金属配線（信号線とは異なる）を介するかもしくは直
接、前記第１の金属配線と接触している、ことを特徴と
する。
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第２の金属配線の上に第３の絶縁
膜を介して第３の金属配線をスパイラル状に対向させて
形成し、前記第２の金属配線を信号線として動作させ、
前記第１の金属配線と前記第３の金属配線が同電位（接
地）となるように、前記第３の金属配線の一部が、第２
の金属配線（信号線とは異なる）を介するかもしくは直
接、前記第１の金属配線と接触している、ことを特徴と
する。
【００１７】（手段６）手段５のノイズフィルターにお
いて信号線と接地の役割を交替させたことを特徴とす
る。
いて信号線と接地の役割を交替させたことを特徴とす
る。
【００１８】（手段７）本発明によるノイズフィルター
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として動
作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電位
（接地）となるように前記第２の金属配線の引出電極
と、前記半導体基板が導電性ペーストで接着されている
ところのリードフレームとが、ボンディングワイヤーで
接続されており、前記半導体基板の表面の一部に前記半
導体基板の導電タイプとは異なる導電タイプの領域（領
域１とする）を形成し、前記第１の金属配線の一部が前
記領域１と直接接触している、ことを特徴とする。
は半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配線
をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配線の上に第
２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル状に対
向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として動
作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電位
（接地）となるように前記第２の金属配線の引出電極
と、前記半導体基板が導電性ペーストで接着されている
ところのリードフレームとが、ボンディングワイヤーで
接続されており、前記半導体基板の表面の一部に前記半
導体基板の導電タイプとは異なる導電タイプの領域（領
域１とする）を形成し、前記第１の金属配線の一部が前
記領域１と直接接触している、ことを特徴とする。
【００１９】（手段８）手段７のノイズフィルターにお
いて、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイ
ラルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）に
おける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成
し、出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、
前記領域１が入力端子の引出電極の近傍に形成されてい
ることを特徴とする。
いて、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイ
ラルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）に
おける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成
し、出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、
前記領域１が入力端子の引出電極の近傍に形成されてい
ることを特徴とする。
【００２０】（手段９）手段７のノイズフィルターにお
いて、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイ
ラルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）に
おける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成
し、出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、
前記領域１が出力端子の引出電極の近傍に形成されてい
ることを特徴とする。
いて、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイ
ラルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）に
おける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成
し、出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、
前記領域１が出力端子の引出電極の近傍に形成されてい
ることを特徴とする。
【００２１】（手段１０）手段７のノイズフィルターに
おいて手段８と手段９の内容を同時に満足することを特
徴とする。
おいて手段８と手段９の内容を同時に満足することを特
徴とする。
【００２２】（手段１１）手段７のノイズフィルターに
おいて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特
徴とする。
おいて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特
徴とする。
【００２３】（手段１２）本発明によるノイズフィルタ
ーは半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配
線をスパイラル上に形成し、前記第１の金属配線の上に
第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル上に
対向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として
動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電
位（接地）となるように、前記第２の金属配線の一部
が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を介するかも
しくは直接、前記半導体基板と接触しており、前記半導
体基板の表面の一部に前記半導体基板の導電タイプとは
異なる導電タイプの領域（領域１とする）を形成し、前
記第１の金属配線（信号線）の一部が前記領域１と直接
接触している、ことを特徴とする。
ーは半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の金属配
線をスパイラル上に形成し、前記第１の金属配線の上に
第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイラル上に
対向させて形成し、前記第１の金属配線を信号線として
動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基板が同電
位（接地）となるように、前記第２の金属配線の一部
が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を介するかも
しくは直接、前記半導体基板と接触しており、前記半導
体基板の表面の一部に前記半導体基板の導電タイプとは
異なる導電タイプの領域（領域１とする）を形成し、前
記第１の金属配線（信号線）の一部が前記領域１と直接
接触している、ことを特徴とする。
【００２４】（手段１３）手段１２のノイズフィルター
において半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを
特徴とする。
において半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを
特徴とする。
【００２５】（手段１４）手段７のノイズフィルターに
おいて前記領域１が前記第１の金属配線の下に、部分的
にもしくは全面的にスパイラル状に形成されたことを特
徴とする。
おいて前記領域１が前記第１の金属配線の下に、部分的
にもしくは全面的にスパイラル状に形成されたことを特
徴とする。
【００２６】
【作用】本発明によるノイズフィルターは、内蔵容量が
第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布
容量と半導体基板と第１の金属配線の間に形成される分
布容量の和で決まるため従来よりも高容量のノイズフィ
ルターを作ることができる。また周波数減衰特性を改善
することができる。
第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布
容量と半導体基板と第１の金属配線の間に形成される分
布容量の和で決まるため従来よりも高容量のノイズフィ
ルターを作ることができる。また周波数減衰特性を改善
することができる。
【００２７】また、金属配線を３層にしても同様の効果
が得られる。
が得られる。
【００２８】さらに、第１の金属配線と半導体基板間に
静電気破壊に対する保護ダイオードを形成することでダ
イオード無しのノイズフィルターに比べて周波数減衰特
性を劣化させることなく静電気耐量を増大させることが
できる。
静電気破壊に対する保護ダイオードを形成することでダ
イオード無しのノイズフィルターに比べて周波数減衰特
性を劣化させることなく静電気耐量を増大させることが
できる。
【００２９】また保護ダイオードを保有する場合、それ
が無い場合よりも高容量のノイズフィルターを作ること
が可能となり、それに伴ってチップサイズを小さくでき
る。
が無い場合よりも高容量のノイズフィルターを作ること
が可能となり、それに伴ってチップサイズを小さくでき
る。
【００３０】
【実施例】まず本発明の手段１による実施例について説
明する。
明する。
【００３１】図１に手段１によるノイズフィルターの断
面図を示す。構造は従来とほぼ同一であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、８は第１の金属配線
３の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０
は導電性ペースト、１２はリードフレーム、１３はボン
ディングワイヤーである。
面図を示す。構造は従来とほぼ同一であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、８は第１の金属配線
３の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０
は導電性ペースト、１２はリードフレーム、１３はボン
ディングワイヤーである。
【００３２】プロセス工程は半導体基板１の上に第１の
絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成し、次に表面に第２
の絶縁膜７を形成し、次に前記第１の金属配線３の両端
の引出電極８を形成する部分のみ第２の絶縁膜７をエッ
チングで除去し、次に前記第２の絶縁膜７の上に第２の
金属配線５をスパイラル状に形成するとともに、前記第
１の金属配線３の両端に引出電極８を形成する。最後に
ＣＶＤによるデポ等でパッシベーション膜を形成し、前
記第１の金属配線３の両端の引出電極８及び前記第２の
金属配線５の引出電極９の部分のみパッシベーション膜
をエッチングで除去して終了する。（図１ではパッシベ
ーション膜は省略している）プロセス工程終了後、第２
の金属配線５の引出電極９及び第１の金属配線３の両端
の引出電極８にボンディングする場合、従来と異なる点
は第２の金属配線５と半導体基板１が同電位（接地）と
なるように、第２の金属配線５の引出電極９と、半導体
基板１が導電性ペースト１０で接着されているところの
リードフレーム１２とがボンディングワイヤー１３で接
続されることである。
絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成し、次に表面に第２
の絶縁膜７を形成し、次に前記第１の金属配線３の両端
の引出電極８を形成する部分のみ第２の絶縁膜７をエッ
チングで除去し、次に前記第２の絶縁膜７の上に第２の
金属配線５をスパイラル状に形成するとともに、前記第
１の金属配線３の両端に引出電極８を形成する。最後に
ＣＶＤによるデポ等でパッシベーション膜を形成し、前
記第１の金属配線３の両端の引出電極８及び前記第２の
金属配線５の引出電極９の部分のみパッシベーション膜
をエッチングで除去して終了する。（図１ではパッシベ
ーション膜は省略している）プロセス工程終了後、第２
の金属配線５の引出電極９及び第１の金属配線３の両端
の引出電極８にボンディングする場合、従来と異なる点
は第２の金属配線５と半導体基板１が同電位（接地）と
なるように、第２の金属配線５の引出電極９と、半導体
基板１が導電性ペースト１０で接着されているところの
リードフレーム１２とがボンディングワイヤー１３で接
続されることである。
【００３３】図２に手段１によるノイズフィルターの等
価回路を示す。３は第１の金属配線、５は第２の金属配
線、１５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量、２０は第１の金属配線３及び第２
の金属配線５が所有するインダクタンスであり従来と同
一である。１６は第１の金属配線３と半導体基板１の間
に形成される分布容量（ＭＯＳ容量）、１２はリードフ
レーム、９は第２の金属配線５の引出電極、８は第１の
金属配線３の両端の引出電極、１３はボンディングワイ
ヤーである。
価回路を示す。３は第１の金属配線、５は第２の金属配
線、１５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量、２０は第１の金属配線３及び第２
の金属配線５が所有するインダクタンスであり従来と同
一である。１６は第１の金属配線３と半導体基板１の間
に形成される分布容量（ＭＯＳ容量）、１２はリードフ
レーム、９は第２の金属配線５の引出電極、８は第１の
金属配線３の両端の引出電極、１３はボンディングワイ
ヤーである。
【００３４】図２から明らかなように、手段１によれば
第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に形成される
分布容量１５と、半導体基板１と第１の金属配線３の間
に形成される分布容量１６と、スパイラル状に形成され
た第１の金属配線３及び第２の金属配線５が所有するイ
ンダクタンスによって分布定数型のローパスフィルター
が形成される。
第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に形成される
分布容量１５と、半導体基板１と第１の金属配線３の間
に形成される分布容量１６と、スパイラル状に形成され
た第１の金属配線３及び第２の金属配線５が所有するイ
ンダクタンスによって分布定数型のローパスフィルター
が形成される。
【００３５】従来は内蔵容量が第１の金属配線と第２の
金属配線の間に形成される分布容量で決定されていたの
に対して手段１によれば内蔵容量が第１の金属配線と第
２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体基板
と第１の金属配線の間に形成される分布容量の和で決定
されるため、プロセスコストが従来より大幅に増加する
ことなく従来よりも高容量のノイズフィルターを作るこ
とができる。
金属配線の間に形成される分布容量で決定されていたの
に対して手段１によれば内蔵容量が第１の金属配線と第
２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体基板
と第１の金属配線の間に形成される分布容量の和で決定
されるため、プロセスコストが従来より大幅に増加する
ことなく従来よりも高容量のノイズフィルターを作るこ
とができる。
【００３６】また、外部からの静電気が第１の金属配線
と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体
基板と第１の金属配線の間に形成される分布容量とに分
割されて吸収されるため従来よりも静電気耐量が改善さ
れるという効果がある。
と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体
基板と第１の金属配線の間に形成される分布容量とに分
割されて吸収されるため従来よりも静電気耐量が改善さ
れるという効果がある。
【００３７】さらに、下記のような効果がある。
【００３８】従来のノイズフィルターは第１の金属配線
を接地とし、第２の金属配線を信号線として用いている
ので、第２の金属配線（信号線）に入ってきたノイズは
第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布
容量を介して第１の金属配線（接地）へ逃げていく。
を接地とし、第２の金属配線を信号線として用いている
ので、第２の金属配線（信号線）に入ってきたノイズは
第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布
容量を介して第１の金属配線（接地）へ逃げていく。
【００３９】従来例では、ノイズが逃げる経路における
インダクタンスと分布容量で決まるカットオフ周波数
（ｆ＝１／２π／√（ＬＣ））近傍において周波数減衰
特性における減衰点のピークがある。
インダクタンスと分布容量で決まるカットオフ周波数
（ｆ＝１／２π／√（ＬＣ））近傍において周波数減衰
特性における減衰点のピークがある。
【００４０】手段１によれば、第１の金属配線（信号
線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と第２の金属
配線の間に形成される分布容量を介して第２の金属配線
（接地）へ逃がす経路（従来のノイズが逃げる経路と同
等で経路１とする）の他にもう１つ、第１の金属配線
（信号線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と半導
体基板の間に形成される分布容量を介して半導体基板
（接地）、リードフレームへ逃がす経路（経路２とす
る）が形成され、ノイズが逃げる経路が複数形成され
る。
線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と第２の金属
配線の間に形成される分布容量を介して第２の金属配線
（接地）へ逃がす経路（従来のノイズが逃げる経路と同
等で経路１とする）の他にもう１つ、第１の金属配線
（信号線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と半導
体基板の間に形成される分布容量を介して半導体基板
（接地）、リードフレームへ逃がす経路（経路２とす
る）が形成され、ノイズが逃げる経路が複数形成され
る。
【００４１】この場合、経路１におけるインダクタンス
と分布容量で決まるカットオフ周波数（ｆ１＝１／２π
／√（Ｌ１Ｃ１））近傍において周波数減衰特性におけ
る減衰点のピークがあり、経路２におけるインダクタン
スと分布容量で決まるカットオフ周波数（ｆ２＝１／２
π／√（Ｌ２Ｃ２））近傍においても周波数減衰特性に
おける減衰点のピークがあり、周波数減衰特性における
減衰点のピークが２つできることになる。
と分布容量で決まるカットオフ周波数（ｆ１＝１／２π
／√（Ｌ１Ｃ１））近傍において周波数減衰特性におけ
る減衰点のピークがあり、経路２におけるインダクタン
スと分布容量で決まるカットオフ周波数（ｆ２＝１／２
π／√（Ｌ２Ｃ２））近傍においても周波数減衰特性に
おける減衰点のピークがあり、周波数減衰特性における
減衰点のピークが２つできることになる。
【００４２】ここで経路１におけるインダクタンスＬ１
と分布容量Ｃ１及び経路２におけるインダクタンスＬ２
と分布容量Ｃ２を調整することにより、経路１のカット
オフ周波数（ｆ１＝１／２π／√（Ｌ１Ｃ１））より経
路２のカットオフ周波数（ｆ２＝１／２π／√（Ｌ２Ｃ
２））が高くなるように調整すれば、従来のカットオフ
周波数よりも高い周波数でもう１つ減衰点のピークがで
きるため高周波数帯域における減衰特性が良好となり、
従来よりも周波数減衰特性が改善されるという効果があ
る。また、ｆ１とｆ２が同じ値になるようにＬ１、Ｃ
１、Ｌ２、Ｃ２を調整すれば特定の周波数で減衰点のピ
ークが非常に大きい周波数減衰特性を得ることができ
る。
と分布容量Ｃ１及び経路２におけるインダクタンスＬ２
と分布容量Ｃ２を調整することにより、経路１のカット
オフ周波数（ｆ１＝１／２π／√（Ｌ１Ｃ１））より経
路２のカットオフ周波数（ｆ２＝１／２π／√（Ｌ２Ｃ
２））が高くなるように調整すれば、従来のカットオフ
周波数よりも高い周波数でもう１つ減衰点のピークがで
きるため高周波数帯域における減衰特性が良好となり、
従来よりも周波数減衰特性が改善されるという効果があ
る。また、ｆ１とｆ２が同じ値になるようにＬ１、Ｃ
１、Ｌ２、Ｃ２を調整すれば特定の周波数で減衰点のピ
ークが非常に大きい周波数減衰特性を得ることができ
る。
【００４３】次に本発明による手段３の実施例について
説明する。
説明する。
【００４４】図３に手段３によるノイズフィルターの断
面図を示す。構造は従来とほぼ同一であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、８は第１の金属配線
３の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０
は導電性ペースト、１２はリードフレーム、１１は第１
の金属配線（第１の金属配線３とは異なる）である。
面図を示す。構造は従来とほぼ同一であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、８は第１の金属配線
３の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０
は導電性ペースト、１２はリードフレーム、１１は第１
の金属配線（第１の金属配線３とは異なる）である。
【００４５】プロセス工程は半導体基板１の上に第１の
絶縁膜６を形成し、次に第１の絶縁膜６の一部分をエッ
チングで除去する。次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成するとともに、前記
第１の絶縁膜６が除去された部分に第１の金属配線１１
を形成する。次に表面に第２の絶縁膜７を形成し、次に
前記第１の金属配線３の両端の引出電極８を形成する部
分及び前記第１の金属配線１１の部分のみ第２の絶縁膜
７をエッチングで除去し、次に前記第２の絶縁膜７の上
に第２の金属配線５をスパイラル状に形成するととも
に、前記第１の金属配線３の両端に引出電極８を形成
し、さらに前記第２の金属配線５の一部分と前記第１の
金属配線１１とのコンタクトをとる。後は手段１と同じ
であり説明は省略する。
絶縁膜６を形成し、次に第１の絶縁膜６の一部分をエッ
チングで除去する。次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成するとともに、前記
第１の絶縁膜６が除去された部分に第１の金属配線１１
を形成する。次に表面に第２の絶縁膜７を形成し、次に
前記第１の金属配線３の両端の引出電極８を形成する部
分及び前記第１の金属配線１１の部分のみ第２の絶縁膜
７をエッチングで除去し、次に前記第２の絶縁膜７の上
に第２の金属配線５をスパイラル状に形成するととも
に、前記第１の金属配線３の両端に引出電極８を形成
し、さらに前記第２の金属配線５の一部分と前記第１の
金属配線１１とのコンタクトをとる。後は手段１と同じ
であり説明は省略する。
【００４６】プロセス工程終了後、前記第２の金属配線
５の引出電極９及び前記第１の金属配線３の両端の引出
電極８にボンディングする。
５の引出電極９及び前記第１の金属配線３の両端の引出
電極８にボンディングする。
【００４７】ここで第２の金属配線５と半導体基板１が
同電位（接地）となるように第２の金属配線５の一部が
第１の金属配線１１（信号線である第１の金属配線３と
は異なる）を介して半導体基板１と接触していること以
外は手段１と同じである。
同電位（接地）となるように第２の金属配線５の一部が
第１の金属配線１１（信号線である第１の金属配線３と
は異なる）を介して半導体基板１と接触していること以
外は手段１と同じである。
【００４８】図４に手段３によるノイズフィルターの等
価回路を示す。１は半導体基板、１１は第１の金属配線
で他は図２と同様であり分布定数型のローパスフィルタ
ーが形成される。
価回路を示す。１は半導体基板、１１は第１の金属配線
で他は図２と同様であり分布定数型のローパスフィルタ
ーが形成される。
【００４９】手段３の構造でも手段１と同様の効果を得
ることができる。
ることができる。
【００５０】図５に本発明による手段４のノイズフィル
ターの断面図を示す。手段４は手段３において半導体基
板の表面のシート抵抗を下げた例である。
ターの断面図を示す。手段４は手段３において半導体基
板の表面のシート抵抗を下げた例である。
【００５１】半導体基板１の表面のシート抵抗を下げる
ために高濃度のウェル領域１４が形成されている以外は
図３と同一である。この場合、第１の金属配線３から第
１の金属配線３と半導体基板１の間に形成される分布容
量を介して半導体基板１（接地）、第１の金属配線１
１、第２の金属配線５へ逃げる経路（経路２）において
ノイズは抵抗の低い高濃度のウェル領域１４を通るため
ノイズが逃げ易くなるというメリットがある。例えば経
路２においてウェル領域が無い場合の半導体基板の等価
抵抗を１ｋΩ、Ｃ＝１００ｐＦとするとτ＝ＣＲ＝１／
ｆよりｆ＝１０ＭＨｚとなり、１０ＭＨｚ以上の高周波
ノイズに対しては等価抵抗の影響が大きくなるため周波
数減衰特性が悪くなる。しかしながら、高濃度のウェル
領域を形成して半導体基板の等価抵抗を５０Ωまで下げ
たとすると上式よりｆ＝２００ＭＨｚとなり、２００Ｍ
Ｈｚまでのノイズは良好に除去できることになる。ま
た、手段２のように手段１において半導体基板の表面の
シート抵抗を下げてもよい。
ために高濃度のウェル領域１４が形成されている以外は
図３と同一である。この場合、第１の金属配線３から第
１の金属配線３と半導体基板１の間に形成される分布容
量を介して半導体基板１（接地）、第１の金属配線１
１、第２の金属配線５へ逃げる経路（経路２）において
ノイズは抵抗の低い高濃度のウェル領域１４を通るため
ノイズが逃げ易くなるというメリットがある。例えば経
路２においてウェル領域が無い場合の半導体基板の等価
抵抗を１ｋΩ、Ｃ＝１００ｐＦとするとτ＝ＣＲ＝１／
ｆよりｆ＝１０ＭＨｚとなり、１０ＭＨｚ以上の高周波
ノイズに対しては等価抵抗の影響が大きくなるため周波
数減衰特性が悪くなる。しかしながら、高濃度のウェル
領域を形成して半導体基板の等価抵抗を５０Ωまで下げ
たとすると上式よりｆ＝２００ＭＨｚとなり、２００Ｍ
Ｈｚまでのノイズは良好に除去できることになる。ま
た、手段２のように手段１において半導体基板の表面の
シート抵抗を下げてもよい。
【００５２】次に本発明による手段５の実施例について
説明する。
説明する。
【００５３】図６に手段５によるノイズフィルターの断
面図を示す。構造は金属配線が３層であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、３０は第３の絶縁
膜、３１は第３の金属配線、３８は第３の金属配線３１
の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０は
導電性ペースト、１２はリードフレーム、３２は第２の
金属配線（第２の金属配線５とは異なる）である。
面図を示す。構造は金属配線が３層であり、１は半導体
基板、６は第１の絶縁膜、３は第１の金属配線、７は第
２の絶縁膜、５は第２の金属配線、３０は第３の絶縁
膜、３１は第３の金属配線、３８は第３の金属配線３１
の引出電極、９は第２の金属配線５の引出電極、１０は
導電性ペースト、１２はリードフレーム、３２は第２の
金属配線（第２の金属配線５とは異なる）である。
【００５４】プロセス工程は半導体基板１の上に第１の
絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成する。次に表面に第
２の絶縁膜７を形成し、次に前記第１の金属配線３の一
部分のみ表面の第２の絶縁膜７をエッチングで除去し、
次に前記第２の絶縁膜７の上に第２の金属配線５をスパ
イラル状に形成するとともに、第２の金属配線３２と前
記第１の金属配線３とのコンタクトをとる。次に表面に
第３の絶縁膜３０を形成し、次に前記第２の金属配線３
２の部分及び前記第２の金属配線５の両端の引出電極９
の部分のみ第３の絶縁膜３０をエッチングで除去し、次
に前記第３の絶縁膜３０の上に第３の金属配線３１をス
パイラル状に形成するとともに、前記第２の金属配線５
の両端に引出電極９を形成し、さらに第２の金属配線３
２と第３の金属配線３１とのコンタクトをとり、第３の
金属配線３１の引出電極３８を形成する。最後にパッシ
ベーション膜を形成し、前記第２の金属配線５の両端の
引出電極９及び前記第３の金属配線３１の引出電極３８
の部分のみパッシベーション膜をエッチングで除去して
終了する。（図６ではパッシベーション膜は省略してい
る）プロセス工程終了後、第２の金属配線５の両端の引
出電極９及び第３の金属配線３１の引出電極３８にボン
ディングする。
絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の上に第１
の金属配線３をスパイラル状に形成する。次に表面に第
２の絶縁膜７を形成し、次に前記第１の金属配線３の一
部分のみ表面の第２の絶縁膜７をエッチングで除去し、
次に前記第２の絶縁膜７の上に第２の金属配線５をスパ
イラル状に形成するとともに、第２の金属配線３２と前
記第１の金属配線３とのコンタクトをとる。次に表面に
第３の絶縁膜３０を形成し、次に前記第２の金属配線３
２の部分及び前記第２の金属配線５の両端の引出電極９
の部分のみ第３の絶縁膜３０をエッチングで除去し、次
に前記第３の絶縁膜３０の上に第３の金属配線３１をス
パイラル状に形成するとともに、前記第２の金属配線５
の両端に引出電極９を形成し、さらに第２の金属配線３
２と第３の金属配線３１とのコンタクトをとり、第３の
金属配線３１の引出電極３８を形成する。最後にパッシ
ベーション膜を形成し、前記第２の金属配線５の両端の
引出電極９及び前記第３の金属配線３１の引出電極３８
の部分のみパッシベーション膜をエッチングで除去して
終了する。（図６ではパッシベーション膜は省略してい
る）プロセス工程終了後、第２の金属配線５の両端の引
出電極９及び第３の金属配線３１の引出電極３８にボン
ディングする。
【００５５】図７に手段５によるノイズフィルターの等
価回路を示す。３は第１の金属配線、５は第２の金属配
線、１５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量、３６は第２の金属配線５と第３の
金属配線３１の間に形成される分布容量、２０は第１の
金属配線３及び第２の金属配線５及び第３の金属配線３
１が所有するインダクタンス、３２は第２の金属配線、
９は第２の金属配線５の両端の引出電極、３８は第３の
金属配線３１の引出電極である。
価回路を示す。３は第１の金属配線、５は第２の金属配
線、１５は第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量、３６は第２の金属配線５と第３の
金属配線３１の間に形成される分布容量、２０は第１の
金属配線３及び第２の金属配線５及び第３の金属配線３
１が所有するインダクタンス、３２は第２の金属配線、
９は第２の金属配線５の両端の引出電極、３８は第３の
金属配線３１の引出電極である。
【００５６】この等価回路図から明らかなように、手段
５によれば第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量１５と、第２の金属配線５と第３の
金属配線３１の間に形成される分布容量３６と、スパイ
ラル状に形成された第１の金属配線３及び第２の金属配
線５及び第３の金属配線３１が所有するインダクタンス
によって分布定数型のローパスフィルターが形成され
る。
５によれば第１の金属配線３と第２の金属配線５の間に
形成される分布容量１５と、第２の金属配線５と第３の
金属配線３１の間に形成される分布容量３６と、スパイ
ラル状に形成された第１の金属配線３及び第２の金属配
線５及び第３の金属配線３１が所有するインダクタンス
によって分布定数型のローパスフィルターが形成され
る。
【００５７】上述の構造によって内蔵容量が第１の金属
配線と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、第
２の金属配線と第３の金属配線の間に形成される分布容
量の和で決定されるため、手段１と同様に従来より高容
量のノイズフィルターを作ることができ、静電気耐量も
改善される。
配線と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、第
２の金属配線と第３の金属配線の間に形成される分布容
量の和で決定されるため、手段１と同様に従来より高容
量のノイズフィルターを作ることができ、静電気耐量も
改善される。
【００５８】また手段５によれば、第２の金属配線（信
号線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と第２の金
属配線の間に形成される分布容量を介して第１の金属配
線（接地）へ逃がす経路（従来のノイズが逃げる経路と
同等で経路１とする）の他にもう１つ、第２の金属配線
（信号線）に入ってきたノイズを第２の金属配線と第３
の金属配線の間に形成される分布容量を介して第３の金
属配線（接地）へ逃がす経路（経路３とする）が形成さ
れ、手段１と同様に周波数減衰特性が改善される。
号線）に入ってきたノイズを第１の金属配線と第２の金
属配線の間に形成される分布容量を介して第１の金属配
線（接地）へ逃がす経路（従来のノイズが逃げる経路と
同等で経路１とする）の他にもう１つ、第２の金属配線
（信号線）に入ってきたノイズを第２の金属配線と第３
の金属配線の間に形成される分布容量を介して第３の金
属配線（接地）へ逃がす経路（経路３とする）が形成さ
れ、手段１と同様に周波数減衰特性が改善される。
【００５９】ここで、手段５では経路３における抵抗は
金属配線の配線抵抗で決まるためその等価抵抗を１０
Ω、Ｃ＝１００ｐＦとするとτ＝ＣＲ＝１／ｆよりｆ＝
１ＧＨｚとなり、１ＧＨｚまでのノイズは除去できるこ
とになり、手段１〜４に比べて周波数減衰特性がさらに
改善されるという効果がある。また等価抵抗は数Ω程度
まで下げることが可能である。
金属配線の配線抵抗で決まるためその等価抵抗を１０
Ω、Ｃ＝１００ｐＦとするとτ＝ＣＲ＝１／ｆよりｆ＝
１ＧＨｚとなり、１ＧＨｚまでのノイズは除去できるこ
とになり、手段１〜４に比べて周波数減衰特性がさらに
改善されるという効果がある。また等価抵抗は数Ω程度
まで下げることが可能である。
【００６０】次は静電気耐量を大きく改善する方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００６１】まず本発明による手段７の実施例について
説明する。
説明する。
【００６２】図８に手段７によるノイズフィルターの断
面図を示す。２５は半導体基板１の導電タイプとは異な
る導電タイプの領域であり、他は図１と同じである。手
段１では半導体基板１をｐ形、２５をｎ形として説明す
る。
面図を示す。２５は半導体基板１の導電タイプとは異な
る導電タイプの領域であり、他は図１と同じである。手
段１では半導体基板１をｐ形、２５をｎ形として説明す
る。
【００６３】プロセス工程は半導体基板１（ｐ形）の上
に第１の絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の
一部分をエッチングで除去する。次に第１の絶縁膜６が
除去された部分に拡散もしくはイオン・インプラにより
前記半導体基板１の導電タイプとは異なる導電タイプの
領域２５（ｎ形）を形成する。次に前記第１の絶縁膜６
の上に第１の金属配線３をスパイラル状に形成するとと
もに第１の金属配線３の一部と２５とのコンタクトをと
る。後は手段１と同じであり省略する。
に第１の絶縁膜６を形成し、次に前記第１の絶縁膜６の
一部分をエッチングで除去する。次に第１の絶縁膜６が
除去された部分に拡散もしくはイオン・インプラにより
前記半導体基板１の導電タイプとは異なる導電タイプの
領域２５（ｎ形）を形成する。次に前記第１の絶縁膜６
の上に第１の金属配線３をスパイラル状に形成するとと
もに第１の金属配線３の一部と２５とのコンタクトをと
る。後は手段１と同じであり省略する。
【００６４】プロセス工程終了後、第２の金属配線５の
引出電極９及び第１の金属配線３の両端の引出電極８に
ボンディングする。
引出電極９及び第１の金属配線３の両端の引出電極８に
ボンディングする。
【００６５】図９に手段７によるノイズフィルターの等
価回路を示す。半導体基板１（ｐ形）と半導体基板１の
導電タイプとは異なる導電タイプの領域２５（ｎ形）の
接合面で形成されるｐｎ接合ダイオード２６が加わった
以外は図２と同じである。
価回路を示す。半導体基板１（ｐ形）と半導体基板１の
導電タイプとは異なる導電タイプの領域２５（ｎ形）の
接合面で形成されるｐｎ接合ダイオード２６が加わった
以外は図２と同じである。
【００６６】この等価回路図から明らかなように、手段
７によれば手段１と同一の分布定数型のローパスフィル
タを形成し、さらに静電気破壊に対する保護ダイオード
も形成されている。
７によれば手段１と同一の分布定数型のローパスフィル
タを形成し、さらに静電気破壊に対する保護ダイオード
も形成されている。
【００６７】上述の構造によって保護ダイオード無しの
場合より周波数減衰特性を劣化させずに静電気耐量を増
大させることができる。例えば保護ダイオード無しの１
００ｐＦのノイズフィルターに対して保護ダイオード有
りのノイズフィルターの保護ダイオードの接合容量を６
ｐＦとすると内蔵容量は１０６ｐＦとなり、見かけ上容
量は６％増加するがこの程度であれば、周波数減衰特性
は殆ど劣化しない。
場合より周波数減衰特性を劣化させずに静電気耐量を増
大させることができる。例えば保護ダイオード無しの１
００ｐＦのノイズフィルターに対して保護ダイオード有
りのノイズフィルターの保護ダイオードの接合容量を６
ｐＦとすると内蔵容量は１０６ｐＦとなり、見かけ上容
量は６％増加するがこの程度であれば、周波数減衰特性
は殆ど劣化しない。
【００６８】また保護ダイオードを保有するため、第１
の金属配線と第２の金属配線を絶縁する第２の絶縁膜の
膜厚値及び半導体基板と第１の金属配線を絶縁する第１
の絶縁膜の膜厚値を、保護ダイオードが無い場合よりも
小さくすることができ、それが無い場合よりも高容量の
ノイズフィルターを作ることが可能となり、それに伴っ
てチップサイズを小さくできる。よってプロセス工程は
従来より１割程度増すが、チップのシュリンクでトータ
ルコストを従来と同程度にできる。
の金属配線と第２の金属配線を絶縁する第２の絶縁膜の
膜厚値及び半導体基板と第１の金属配線を絶縁する第１
の絶縁膜の膜厚値を、保護ダイオードが無い場合よりも
小さくすることができ、それが無い場合よりも高容量の
ノイズフィルターを作ることが可能となり、それに伴っ
てチップサイズを小さくできる。よってプロセス工程は
従来より１割程度増すが、チップのシュリンクでトータ
ルコストを従来と同程度にできる。
【００６９】またｐｎ接合ダイオードが付加された場
合、順方向特性のしきい値電圧から逆方向特性のブレー
ク電圧の範囲内で動作させることが可能であり、プロセ
ス工程で逆方向特性のブレーク電圧を調整することで使
用電圧範囲を調整できる。
合、順方向特性のしきい値電圧から逆方向特性のブレー
ク電圧の範囲内で動作させることが可能であり、プロセ
ス工程で逆方向特性のブレーク電圧を調整することで使
用電圧範囲を調整できる。
【００７０】次に本発明による手段８の実施例について
説明する。
説明する。
【００７１】図１０に手段８によるノイズフィルターの
表面図（第１の金属配線を形成する工程まで）を示す。
１は半導体基板、３は第１の金属配線、２５は半導体基
板１の導電タイプとは異なる導電タイプの領域、８１は
第１の金属配線の入力端子の引出電極、８２は第１の金
属配線の出力端子の引出電極である。
表面図（第１の金属配線を形成する工程まで）を示す。
１は半導体基板、３は第１の金属配線、２５は半導体基
板１の導電タイプとは異なる導電タイプの領域、８１は
第１の金属配線の入力端子の引出電極、８２は第１の金
属配線の出力端子の引出電極である。
【００７２】図１１に手段８によるノイズフィルターの
等価回路を示す。２６は半導体基板１（ｐ形）と半導体
基板１の導電タイプとは異なる導電タイプの領域２５
（ｎ形）の接合面で形成されるｐｎ接合ダイオードであ
り、プロセス工程で形成されるｐｎ接合ダイオードが第
１の金属配線の入力端子の引出電極の近傍（チップの中
心付近）に形成されている以外は手段７と同じである。
等価回路を示す。２６は半導体基板１（ｐ形）と半導体
基板１の導電タイプとは異なる導電タイプの領域２５
（ｎ形）の接合面で形成されるｐｎ接合ダイオードであ
り、プロセス工程で形成されるｐｎ接合ダイオードが第
１の金属配線の入力端子の引出電極の近傍（チップの中
心付近）に形成されている以外は手段７と同じである。
【００７３】手段８の場合、プロセス工程で形成される
ｐｎ接合ダイオードはチップの中心付近に形成される。
よって信号線に侵入した静電気はｐｎ接合ダイオードを
介して半導体基板に向かって均等に分散されるため最も
静電気耐量が大きくなるというメリットがある。
ｐｎ接合ダイオードはチップの中心付近に形成される。
よって信号線に侵入した静電気はｐｎ接合ダイオードを
介して半導体基板に向かって均等に分散されるため最も
静電気耐量が大きくなるというメリットがある。
【００７４】次に本発明による手段９の実施例について
説明する。
説明する。
【００７５】図１２に手段９によるノイズフィルターの
表面図（第１の金属配線を形成する工程まで）を示す。
２５の形成場所が異なる以外は図１０と同じである。
表面図（第１の金属配線を形成する工程まで）を示す。
２５の形成場所が異なる以外は図１０と同じである。
【００７６】図１３に手段９によるノイズフィルターの
等価回路を示す。ｐｎ接合ダイオード２６の位置が異な
ることを除いて図１１と同じである。
等価回路を示す。ｐｎ接合ダイオード２６の位置が異な
ることを除いて図１１と同じである。
【００７７】手段９の場合、プロセス工程で形成される
ｐｎ接合ダイオードは第１の金属配線の出力端子の引出
電極の近傍（チップの隅）に形成される。ノイズフィル
ターを入力端子から見た場合、出力端子近傍にダイオー
ドが持つ接合容量が付加されるので、この構造の場合は
回路的に見るとインダクタンスＬと容量Ｃが縦続接続さ
れた回路にさらに最終段に接合容量が縦続的に接続され
たことになりＬＣの縦続段数が増加した形になり、静電
気耐量が増大することは言うまでもなく、周波数減衰特
性がより急峻で良好になるというメリットがある。
ｐｎ接合ダイオードは第１の金属配線の出力端子の引出
電極の近傍（チップの隅）に形成される。ノイズフィル
ターを入力端子から見た場合、出力端子近傍にダイオー
ドが持つ接合容量が付加されるので、この構造の場合は
回路的に見るとインダクタンスＬと容量Ｃが縦続接続さ
れた回路にさらに最終段に接合容量が縦続的に接続され
たことになりＬＣの縦続段数が増加した形になり、静電
気耐量が増大することは言うまでもなく、周波数減衰特
性がより急峻で良好になるというメリットがある。
【００７８】また手段１０のように手段７において手段
８と手段９を同時に満足する構造であってもよい。
８と手段９を同時に満足する構造であってもよい。
【００７９】また手段１２のように、第２の金属配線と
半導体基板が同電位（接地）となるように、第２の金属
配線の一部が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を
介するかもしくは直接、前記半導体基板と接触している
構造であってもよい。
半導体基板が同電位（接地）となるように、第２の金属
配線の一部が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を
介するかもしくは直接、前記半導体基板と接触している
構造であってもよい。
【００８０】また手段１１、手段１３のように半導体基
板の表面にウェルを設けて表面のシート抵抗を下げても
よい。この場合はウェルの無い場合よりもブレーク電圧
が下がる為さらに静電気耐量が増大するというメリット
がある。
板の表面にウェルを設けて表面のシート抵抗を下げても
よい。この場合はウェルの無い場合よりもブレーク電圧
が下がる為さらに静電気耐量が増大するというメリット
がある。
【００８１】また手段１４のようにプロセス工程で形成
されるｐｎ接合ダイオードを第１の金属配線の下に、部
分的にもしくは全面的にスパイラル状に形成してもよ
い。この場合はダイオード面積を大きくすることで静電
気耐量が増大する。
されるｐｎ接合ダイオードを第１の金属配線の下に、部
分的にもしくは全面的にスパイラル状に形成してもよ
い。この場合はダイオード面積を大きくすることで静電
気耐量が増大する。
【００８２】これまでに述べた実施例はこれに限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおい
て変更可能であることは言うまでもない。
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおい
て変更可能であることは言うまでもない。
【００８３】
【発明の効果】本発明によるノイズフィルターは、内蔵
容量が第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成され
る分布容量と、半導体基板と第１の金属配線の間に形成
される分布容量の和で決定されるため、プロセス工程数
が従来と殆ど変わることなく従来よりも高容量のノイズ
フィルターを作ることができる。
容量が第１の金属配線と第２の金属配線の間に形成され
る分布容量と、半導体基板と第１の金属配線の間に形成
される分布容量の和で決定されるため、プロセス工程数
が従来と殆ど変わることなく従来よりも高容量のノイズ
フィルターを作ることができる。
【００８４】また、外部からの静電気が第１の金属配線
と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体
基板と第１の金属配線の間に形成される分布容量に分割
されて吸収されるため従来よりも静電気耐量が改善され
るという効果がある。
と第２の金属配線の間に形成される分布容量と、半導体
基板と第１の金属配線の間に形成される分布容量に分割
されて吸収されるため従来よりも静電気耐量が改善され
るという効果がある。
【００８５】また、第１の金属配線（信号線）から第１
の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布容量
を介して第２の金属配線（接地）へ逃げる経路（従来の
ノイズが逃げる経路と同等）の他にもう１つ、第１の金
属配線から第１の金属配線と半導体基板の間に形成され
る分布容量を介して半導体基板（接地）へ逃げる経路が
形成され、ノイズが逃げる経路が複数存在し周波数減衰
特性が改善される。
の金属配線と第２の金属配線の間に形成される分布容量
を介して第２の金属配線（接地）へ逃げる経路（従来の
ノイズが逃げる経路と同等）の他にもう１つ、第１の金
属配線から第１の金属配線と半導体基板の間に形成され
る分布容量を介して半導体基板（接地）へ逃げる経路が
形成され、ノイズが逃げる経路が複数存在し周波数減衰
特性が改善される。
【００８６】また、金属配線を３層にしても上述と同様
の効果が得られる。
の効果が得られる。
【００８７】さらに、プロセス工程で第１の金属配線と
半導体基板間に静電気破壊に対する保護ダイオードを形
成することでダイオード無しのノイズフィルターに比べ
て周波数減衰特性を劣化させることなく静電気耐量を増
大することができる。
半導体基板間に静電気破壊に対する保護ダイオードを形
成することでダイオード無しのノイズフィルターに比べ
て周波数減衰特性を劣化させることなく静電気耐量を増
大することができる。
【００８８】また保護ダイオードを保有する場合、それ
が無い場合よりも高容量のノイズフィルターを作ること
が可能となり、それに伴ってチップサイズを小さくでき
る。
が無い場合よりも高容量のノイズフィルターを作ること
が可能となり、それに伴ってチップサイズを小さくでき
る。
【図１】 手段１によるノイズフィルターの断面図。
【図２】 手段１によるノイズフィルターの等価回路の
図。
図。
【図３】 手段３によるノイズフィルターの断面図。
【図４】 手段３によるノイズフィルターの等価回路の
図。
図。
【図５】 手段４によるノイズフィルターの断面図。
【図６】 手段５によるノイズフィルターの断面図。
【図７】 手段５によるノイズフィルターの等価回路の
図。
図。
【図８】 手段７によるノイズフィルターの断面図。
【図９】 手段７によるノイズフィルターの等価回路の
図。
図。
【図１０】 手段８によるノイズフィルターの表面図。
【図１１】 手段８によるノイズフィルターの等価回路
の図。
の図。
【図１２】 手段９によるノイズフィルターの表面図。
【図１３】 手段９によるノイズフィルターの等価回路
の図。
の図。
【図１４】 従来のノイズフィルターの断面図。
【図１５】 従来のノイズフィルターの等価回路の図。
１ ．．．．半導体基板 ２ ．．．．絶縁膜 ３ ．．．．第１の金属配線 ５ ．．．．第２の金属配線 ６ ．．．．第１の絶縁膜 ７ ．．．．第２の絶縁膜 ８ ．．．．第１の金属配線の引出電極 ９ ．．．．第２の金属配線の引出電極 １０ ．．．．導電性ペースト １１ ．．．．第１の金属配線 １２ ．．．．リードフレーム １３ ．．．．ボンディングワイヤー １４ ．．．．ウェル領域 １５ ．．．．第１の金属配線と第２の金属配線の間に
形成される分布容量 １６ ．．．．第１の金属配線と半導体基板の間に形成
される分布容量 ２０ ．．．．第１の金属配線及び第２の金属配線及び
第３の金属配線が所有するインダクタンス ２５ ．．．．半導体基板の導電タイプとは異なる導電
タイプの領域 ２６ ．．．．ｐｎ接合ダイオード ３０ ．．．．第３の絶縁膜 ３１ ．．．．第３の金属配線 ３２ ．．．．第２の金属配線 ３６ ．．．．第２の金属配線と第３の金属配線の間に
形成される分布容量 ３８ ．．．．第３の金属配線の引出電極 ８１ ．．．．第１の金属配線の入力端子の引出電極 ８２ ．．．．第１の金属配線の出力端子の引出電極
形成される分布容量 １６ ．．．．第１の金属配線と半導体基板の間に形成
される分布容量 ２０ ．．．．第１の金属配線及び第２の金属配線及び
第３の金属配線が所有するインダクタンス ２５ ．．．．半導体基板の導電タイプとは異なる導電
タイプの領域 ２６ ．．．．ｐｎ接合ダイオード ３０ ．．．．第３の絶縁膜 ３１ ．．．．第３の金属配線 ３２ ．．．．第２の金属配線 ３６ ．．．．第２の金属配線と第３の金属配線の間に
形成される分布容量 ３８ ．．．．第３の金属配線の引出電極 ８１ ．．．．第１の金属配線の入力端子の引出電極 ８２ ．．．．第１の金属配線の出力端子の引出電極
Claims (14)
- 【請求項１】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１
の金属配線をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配
線の上に第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイ
ラル状に対向させて形成し、前記第１の金属配線を信号
線として動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基
板が同電位（接地）となるように、前記第２の金属配線
の引出電極と、前記半導体基板が導電性ペーストで接着
されているところのリードフレームとが、ボンディング
ワイヤーで接続されている、ことを特徴とするノイズフ
ィルター。 - 【請求項２】請求項１記載のノイズフィルターにおいて
半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴とす
るノイズフィルター。 - 【請求項３】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１
の金属配線をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配
線の上に第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイ
ラル状に対向させて形成し、前記第１の金属配線を信号
線として動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基
板が同電位（接地）となるように、前記第２の金属配線
の一部が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を介す
るかもしくは直接、前記半導体基板と接触している、こ
とを特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項４】請求項３記載のノイズフィルターにおいて
半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴とす
るノイズフィルター。 - 【請求項５】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１
の金属配線をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配
線の上に第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイ
ラル状に対向させて形成し、前記第２の金属配線の上に
第３の絶縁膜を介して第３の金属配線をスパイラル状に
対向させて形成し、前記第２の金属配線を信号線として
動作させ、前記第１の金属配線と前記第３の金属配線が
同電位（接地）となるように、前記第３の金属配線の一
部が、第２の金属配線（信号線とは異なる）を介するか
もしくは直接、前記第１の金属配線と接触している、こ
とを特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項６】請求項５記載のノイズフィルターにおいて
信号線と接地の役割を交替させたことを特徴とするノイ
ズフィルター。 - 【請求項７】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１
の金属配線をスパイラル状に形成し、前記第１の金属配
線の上に第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパイ
ラル状に対向させて形成し、前記第１の金属配線を信号
線として動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体基
板が同電位（接地）となるように、前記第２の金属配線
の引出電極と、前記半導体基板が導電性ペーストで接着
されているところのリードフレームとが、ボンディング
ワイヤーで接続されており、 前記半導体基板の表面の一部に前記半導体基板の導電タ
イプとは異なる導電タイプの領域（領域１とする）を形
成し、前記第１の金属配線の一部が前記領域１と直接接
触している、ことを特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項８】請求項７記載のノイズフィルターにおい
て、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイラ
ルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）にお
ける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成し、
出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、前記
領域１が入力端子の引出電極の近傍に形成されているこ
とを特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項９】請求項７記載のノイズフィルターにおい
て、前記第２の金属配線（接地）の引出電極をスパイラ
ルの内側に形成し、前記第１の金属配線（信号線）にお
ける入力端子の引出電極をスパイラルの内側に形成し、
出力端子の引出電極をスパイラルの外側に形成し、前記
領域１が出力端子の引出電極の近傍に形成されているこ
とを特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項１０】請求項７記載のノイズフィルターにおい
て、請求項８及び請求項９の内容を同時に満足すること
を特徴とするノイズフィルター。 - 【請求項１１】請求項７記載のノイズフィルターにおい
て半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴と
するノイズフィルター。 - 【請求項１２】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第
１の金属配線をスパイラル上に形成し、前記第１の金属
配線の上に第２の絶縁膜を介して第２の金属配線をスパ
イラル上に対向させて形成し、前記第１の金属配線を信
号線として動作させ、前記第２の金属配線と前記半導体
基板が同電位（接地）となるように、前記第２の金属配
線の一部が、第１の金属配線（信号線とは異なる）を介
するかもしくは直接、前記半導体基板と接触しており、 前記半導体基板の表面の一部に前記半導体基板の導電タ
イプとは異なる導電タイプの領域（領域１とする）を形
成し、前記第１の金属配線（信号線）の一部が前記領域
１と直接接触している、ことを特徴とするノイズフィル
ター。 - 【請求項１３】請求項１２記載のノイズフィルターにお
いて半導体基板の表面のシート抵抗を下げたことを特徴
とするノイズフィルター。 - 【請求項１４】請求項７記載のノイズフィルターにおい
て前記領域１が前記第１の金属配線の下に、部分的にも
しくは全面的にスパイラル状に形成されたことを特徴と
するノイズフィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7425995A JPH08274263A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ノイズフィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7425995A JPH08274263A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ノイズフィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274263A true JPH08274263A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13541978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7425995A Pending JPH08274263A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | ノイズフィルター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274263A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041632A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｌｃ複合フィルタ部品 |
| JP2006245273A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタ |
| JP2008289201A (ja) * | 2008-09-03 | 2008-11-27 | Kyocera Corp | シンセサイザ装置及びこれを備える携帯通信端末 |
| JP2008295102A (ja) * | 2008-09-03 | 2008-12-04 | Kyocera Corp | シンセサイザ装置及びこれを備える携帯通信端末 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7425995A patent/JPH08274263A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041632A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｌｃ複合フィルタ部品 |
| JP2006245273A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタ |
| JP2008289201A (ja) * | 2008-09-03 | 2008-11-27 | Kyocera Corp | シンセサイザ装置及びこれを備える携帯通信端末 |
| JP2008295102A (ja) * | 2008-09-03 | 2008-12-04 | Kyocera Corp | シンセサイザ装置及びこれを備える携帯通信端末 |
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