JPH0827551A - 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 - Google Patents
電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法Info
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- JPH0827551A JPH0827551A JP16008294A JP16008294A JPH0827551A JP H0827551 A JPH0827551 A JP H0827551A JP 16008294 A JP16008294 A JP 16008294A JP 16008294 A JP16008294 A JP 16008294A JP H0827551 A JPH0827551 A JP H0827551A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｎｉ：４．１〜１０ｗｔ％、Ｓｉ：１．０〜
１．５ｗｔ％、Ｍｎ：０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ：１．０
ｗｔ％以下を含有し、Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下であ
り、残部がＣｕと不可避的不純物とからなる銅合金に、
９５０〜１０００℃に１分以上保持する溶体化処理を施
した後、少なくとも３００〜６００℃の温度範囲を１０
℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却し、５０％以上の加工
率で冷間加工後、４５０〜５５０℃の温度で、１〜３０
分熱処理を行い、その後更に３０〜８０％の加工率で冷
間加工後、３８０〜４４０℃の温度で、５〜１８０分熱
処理を行う電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合
金の製造方法。 【効果】 強度及び導電性に優れた電気・電子機器部品
用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金を効率的に製造することがで
きる。
１．５ｗｔ％、Ｍｎ：０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ：１．０
ｗｔ％以下を含有し、Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下であ
り、残部がＣｕと不可避的不純物とからなる銅合金に、
９５０〜１０００℃に１分以上保持する溶体化処理を施
した後、少なくとも３００〜６００℃の温度範囲を１０
℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却し、５０％以上の加工
率で冷間加工後、４５０〜５５０℃の温度で、１〜３０
分熱処理を行い、その後更に３０〜８０％の加工率で冷
間加工後、３８０〜４４０℃の温度で、５〜１８０分熱
処理を行う電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合
金の製造方法。 【効果】 強度及び導電性に優れた電気・電子機器部品
用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金を効率的に製造することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強度及び導電性に優れ
た電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造
方法に関するものである。
た電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｕーＮｉーＳｉ系合金は、リードフレ
ーム、端子、コネクター等の電子・電気機器の部品に使
用されているが、近年電子・電気機器の軽薄短小化のニ
ーズに伴い、使用される部品も小型化が進んでいる。前
記ＣｕーＮｉーＳｉ系合金は溶体化処理後、熱処理（時
効処理）を行うことによって製造されており、上記熱処
理によりＮｉーＳｉ化合物を析出させ、強度及び導電率
を向上させている。
ーム、端子、コネクター等の電子・電気機器の部品に使
用されているが、近年電子・電気機器の軽薄短小化のニ
ーズに伴い、使用される部品も小型化が進んでいる。前
記ＣｕーＮｉーＳｉ系合金は溶体化処理後、熱処理（時
効処理）を行うことによって製造されており、上記熱処
理によりＮｉーＳｉ化合物を析出させ、強度及び導電率
を向上させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記時
効処理を低温で行うと、析出を充分に進行させ、良好な
導電性を得る為には、長時間の加熱を必要とし、効率が
悪かった。一方、高温で時効処理を行うと、前記加熱時
間は短縮されるが、析出物が粗大化すると共に、再結晶
が進行し、強度が低下するという問題があった。
効処理を低温で行うと、析出を充分に進行させ、良好な
導電性を得る為には、長時間の加熱を必要とし、効率が
悪かった。一方、高温で時効処理を行うと、前記加熱時
間は短縮されるが、析出物が粗大化すると共に、再結晶
が進行し、強度が低下するという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の点に鑑み
種々検討の結果、強度及び導電性に優れた電気・電子機
器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の効率的な製造方法を
開発したものである。
種々検討の結果、強度及び導電性に優れた電気・電子機
器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の効率的な製造方法を
開発したものである。
【０００５】即ち、本願請求項１の発明は、Ｎｉ：４．
１〜１０ｗｔ％、Ｓｉ：１．０〜１．５ｗｔ％、Ｍｎ：
０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ：１．０ｗｔ％以下を含有し、
Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下であり、残部がＣｕと不可避
的不純物とからなる銅合金に、９５０〜１０００℃に１
分以上保持する溶体化処理を施した後、少なくとも３０
０〜６００℃の温度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速
度で冷却し、５０％以上の加工率で冷間加工後、４５０
〜５５０℃の温度で、１〜３０分熱処理を行い、その後
更に３０〜８０％の加工率で冷間加工後、３８０〜４４
０℃の温度で、５〜１８０分熱処理を行うことを特徴と
する電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製
造方法である。本願請求項２の発明は、溶体化処理を施
した後、熱間圧延し、少なくとも３００〜６００℃の温
度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却すること
を特徴とする電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系
合金の製造方法である。即ち、請求項１の発明におい
て、溶体化処理後の加工は圧延、押出等の熱間加工、冷
間加工の内のいずれによっても差し支えないが、溶体化
処理直後に熱間圧延で加工する場合は、ＮｉーＳｉ化合
物が析出する温度範囲（３００〜６００℃）を所定の冷
却速度で急冷する必要がある。本願請求項３の発明は、
横型連続鋳造により製造した鋳塊に、鋳塊の状態或いは
冷間加工の途中で溶体化処理を施すことを特徴とする電
気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法
である。即ち、ＣｕーＮｉーＳｉ系合金は熱間加工性が
余り良好でない為、冷間加工のみで加工することも有効
な加工手段の一つであり、この場合は冷間加工工程をな
るべく短縮する為、横型連続鋳造により厚さ１０ｍｍ程
度の薄い鋳塊とすることが、生産性の点から好ましい。
本願請求項４の発明は、請求項１〜３の発明において、
３８０〜４４０℃で熱処理を行った後、更に５〜１５％
の加工率で冷間加工を行い、その後２５０〜３５０℃で
熱処理（低温焼鈍）を行うことを特徴とする電気・電子
機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法である。
１〜１０ｗｔ％、Ｓｉ：１．０〜１．５ｗｔ％、Ｍｎ：
０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ：１．０ｗｔ％以下を含有し、
Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下であり、残部がＣｕと不可避
的不純物とからなる銅合金に、９５０〜１０００℃に１
分以上保持する溶体化処理を施した後、少なくとも３０
０〜６００℃の温度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速
度で冷却し、５０％以上の加工率で冷間加工後、４５０
〜５５０℃の温度で、１〜３０分熱処理を行い、その後
更に３０〜８０％の加工率で冷間加工後、３８０〜４４
０℃の温度で、５〜１８０分熱処理を行うことを特徴と
する電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製
造方法である。本願請求項２の発明は、溶体化処理を施
した後、熱間圧延し、少なくとも３００〜６００℃の温
度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却すること
を特徴とする電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系
合金の製造方法である。即ち、請求項１の発明におい
て、溶体化処理後の加工は圧延、押出等の熱間加工、冷
間加工の内のいずれによっても差し支えないが、溶体化
処理直後に熱間圧延で加工する場合は、ＮｉーＳｉ化合
物が析出する温度範囲（３００〜６００℃）を所定の冷
却速度で急冷する必要がある。本願請求項３の発明は、
横型連続鋳造により製造した鋳塊に、鋳塊の状態或いは
冷間加工の途中で溶体化処理を施すことを特徴とする電
気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法
である。即ち、ＣｕーＮｉーＳｉ系合金は熱間加工性が
余り良好でない為、冷間加工のみで加工することも有効
な加工手段の一つであり、この場合は冷間加工工程をな
るべく短縮する為、横型連続鋳造により厚さ１０ｍｍ程
度の薄い鋳塊とすることが、生産性の点から好ましい。
本願請求項４の発明は、請求項１〜３の発明において、
３８０〜４４０℃で熱処理を行った後、更に５〜１５％
の加工率で冷間加工を行い、その後２５０〜３５０℃で
熱処理（低温焼鈍）を行うことを特徴とする電気・電子
機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法である。
【０００６】
【作用】本願請求項１の発明は、以下に詳述するよう
に、（１）Ｎｉ、Ｓｉの添加量を多くして、強度を向上
させる。（２）溶体化処理を高温で行って、鋳造過程で
生成する晶出相を完全に消失させ、熱間加工性を向上さ
せると共に、析出効果に寄与するＮｉ、Ｓｉの固溶量を
多くする。（３）熱処理（時効処理）を２段階に分けて
行うことにより、導電率を向上させ、且つ析出硬化に寄
与する微細な析出物を効率よく生成させる。 の３点を
主な特徴とするものである。 即ち、
に、（１）Ｎｉ、Ｓｉの添加量を多くして、強度を向上
させる。（２）溶体化処理を高温で行って、鋳造過程で
生成する晶出相を完全に消失させ、熱間加工性を向上さ
せると共に、析出効果に寄与するＮｉ、Ｓｉの固溶量を
多くする。（３）熱処理（時効処理）を２段階に分けて
行うことにより、導電率を向上させ、且つ析出硬化に寄
与する微細な析出物を効率よく生成させる。 の３点を
主な特徴とするものである。 即ち、
【０００７】（１）Ｎｉ、Ｓｉは、時効処理によりＮｉ
ーＳｉ化合物を析出させ、強度を向上させる為に添加す
る元素であって、その添加量をＮｉ：４．１〜１０ｗｔ
％、Ｓｉ：１．０〜１．５ｗｔ％の範囲内に限定したの
は、それぞれ下限未満では充分な強度が得られず、上限
を超えると、熱間加工性が悪くなったり、溶体化処理時
の晶出物の固溶が不充分となる為である。本願発明で
は、更にＭｎ、Ｚｎ等を添加することが望ましいが、こ
れら元素の添加効果並びに添加量の限定理由は下記の通
りである。Ｍｎは、熱間加工時に割れの原因となるＳを
結晶粒界にトラップし、加工性を向上させる効果がある
が、添加量が０．２ｗｔ％を超えると、導電率が低下す
ると共に、熱間加工割れ防止の効果も飽和するので、添
加量は０．２ｗｔ％以下にする必要がある。Ｚｎは、ハ
ンダ付後の界面の劣化を防止し、ハンダ接続部の信頼性
を保証する効果があるが、添加量が１．０ｗｔ％を超え
ると、導電率が低下すると共に、その効果も飽和するの
で、添加量は１．０ｗｔ％以下にする必要がある。尚、
Ｓが、１５ｐｐｍを超えて含有されると、Ｍｎを添加し
た場合であっても、結晶粒界に連続した晶出物（Ｍｎ
Ｓ）を形成し、熱間加工性を害すると共に、曲げ加工等
の冷間加工性も害するので、Ｓ含有量は１５ｐｐｍ以下
にする必要がある。
ーＳｉ化合物を析出させ、強度を向上させる為に添加す
る元素であって、その添加量をＮｉ：４．１〜１０ｗｔ
％、Ｓｉ：１．０〜１．５ｗｔ％の範囲内に限定したの
は、それぞれ下限未満では充分な強度が得られず、上限
を超えると、熱間加工性が悪くなったり、溶体化処理時
の晶出物の固溶が不充分となる為である。本願発明で
は、更にＭｎ、Ｚｎ等を添加することが望ましいが、こ
れら元素の添加効果並びに添加量の限定理由は下記の通
りである。Ｍｎは、熱間加工時に割れの原因となるＳを
結晶粒界にトラップし、加工性を向上させる効果がある
が、添加量が０．２ｗｔ％を超えると、導電率が低下す
ると共に、熱間加工割れ防止の効果も飽和するので、添
加量は０．２ｗｔ％以下にする必要がある。Ｚｎは、ハ
ンダ付後の界面の劣化を防止し、ハンダ接続部の信頼性
を保証する効果があるが、添加量が１．０ｗｔ％を超え
ると、導電率が低下すると共に、その効果も飽和するの
で、添加量は１．０ｗｔ％以下にする必要がある。尚、
Ｓが、１５ｐｐｍを超えて含有されると、Ｍｎを添加し
た場合であっても、結晶粒界に連続した晶出物（Ｍｎ
Ｓ）を形成し、熱間加工性を害すると共に、曲げ加工等
の冷間加工性も害するので、Ｓ含有量は１５ｐｐｍ以下
にする必要がある。
【０００８】（２）本願発明において、溶体化処理を９
５０〜１０００℃で、１分以上行うのは、鋳造過程で生
成する晶出相を完全に消失させ、熱間加工性を向上させ
ると共に、析出効果に寄与するＮｉ、Ｓｉの固溶量を多
くする為であり、９５０℃未満の温度或いは１分未満の
時間では、充分な効果が得られず、１０００℃を超える
と、その効果が飽和すると共に、経済的でない為であ
る。又、溶体化処理を施した後冷却する際に、少なくと
も３００〜６００℃の温度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の
冷却速度で急冷するのは、冷却過程で粗大な析出物が生
成するのを防止する為であり、上記条件の範囲外では充
分な強度が得られない。
５０〜１０００℃で、１分以上行うのは、鋳造過程で生
成する晶出相を完全に消失させ、熱間加工性を向上させ
ると共に、析出効果に寄与するＮｉ、Ｓｉの固溶量を多
くする為であり、９５０℃未満の温度或いは１分未満の
時間では、充分な効果が得られず、１０００℃を超える
と、その効果が飽和すると共に、経済的でない為であ
る。又、溶体化処理を施した後冷却する際に、少なくと
も３００〜６００℃の温度範囲を１０℃／ｓｅｃ以上の
冷却速度で急冷するのは、冷却過程で粗大な析出物が生
成するのを防止する為であり、上記条件の範囲外では充
分な強度が得られない。
【０００９】（３）本願発明において熱処理を２段階に
分けて行うのは、一回目の熱処理は高温で行って、比較
的短時間で析出を或る程度進行させると共に、再結晶を
起こさせ、二回目の熱処理は低温で比較的長時間行っ
て、析出効果への寄与が大きい微細な析出物を充分に生
成させ、強度及び導電率を充分に向上させる為である。
而して、一回目の熱処理における析出は、強度及び導電
率の向上に寄与すると共に、二回目の熱処理における析
出を促進し、再結晶を抑制する効果を有している。又一
回目の熱処理における再結晶は、その後の冷間加工にお
ける加工性を向上させる効果を有している。
分けて行うのは、一回目の熱処理は高温で行って、比較
的短時間で析出を或る程度進行させると共に、再結晶を
起こさせ、二回目の熱処理は低温で比較的長時間行っ
て、析出効果への寄与が大きい微細な析出物を充分に生
成させ、強度及び導電率を充分に向上させる為である。
而して、一回目の熱処理における析出は、強度及び導電
率の向上に寄与すると共に、二回目の熱処理における析
出を促進し、再結晶を抑制する効果を有している。又一
回目の熱処理における再結晶は、その後の冷間加工にお
ける加工性を向上させる効果を有している。
【００１０】即ち、一回目の熱処理の条件を、４５０〜
５５０℃×１〜３０分の範囲内に限定したのは、４５０
℃未満では再結晶が起こらなく、１分未満では再結晶、
析出共に起こらなく、又５５０℃を超えると析出物が粗
大化しすぎて、強度向上に寄与しなくなり、３０分を超
えると析出が進行しすぎて、二回目の熱処理時における
微細な析出物の生成量が少なくなる為である。
５５０℃×１〜３０分の範囲内に限定したのは、４５０
℃未満では再結晶が起こらなく、１分未満では再結晶、
析出共に起こらなく、又５５０℃を超えると析出物が粗
大化しすぎて、強度向上に寄与しなくなり、３０分を超
えると析出が進行しすぎて、二回目の熱処理時における
微細な析出物の生成量が少なくなる為である。
【００１１】又本願発明では各熱処理の前に冷間加工を
行っているが、当該冷間加工の作用及びその範囲の限定
理由は下記の通りである。即ち、一回目の熱処理の前に
冷間加工を行うのは、前記熱処理における再結晶を促進
する為であり、その範囲を５０％以上に限定したのは、
加工率が５０％未満であると、４５０℃以上に加熱して
も再結晶が起こらない為である。又、二回目の熱処理の
前に冷間加工を行うのは、加工硬化による強度向上を図
ると共に、前記熱処理における析出を促進する為であ
り、その範囲を３０〜８０％の範囲内に限定したのは、
加工率が３０％未満であると、加工硬化が不充分である
と共に、析出が充分に進行しない為である。又、加工率
が８０％を超えると、材料の加工が困難となる為であ
る。
行っているが、当該冷間加工の作用及びその範囲の限定
理由は下記の通りである。即ち、一回目の熱処理の前に
冷間加工を行うのは、前記熱処理における再結晶を促進
する為であり、その範囲を５０％以上に限定したのは、
加工率が５０％未満であると、４５０℃以上に加熱して
も再結晶が起こらない為である。又、二回目の熱処理の
前に冷間加工を行うのは、加工硬化による強度向上を図
ると共に、前記熱処理における析出を促進する為であ
り、その範囲を３０〜８０％の範囲内に限定したのは、
加工率が３０％未満であると、加工硬化が不充分である
と共に、析出が充分に進行しない為である。又、加工率
が８０％を超えると、材料の加工が困難となる為であ
る。
【００１２】本願請求項４の発明は、前記２段階の熱処
理後更に冷間加工及び低温焼鈍を行うことによって、導
電率及び延性を更に向上させようとするものである。而
して、加工率を５〜１５％の範囲内に限定したのは、５
％未満ではその後に低温焼鈍を行っても導電率及び延性
向上の効果が得られなく、１５％を超えると、延性が低
下する為である。又、温度を２５０〜３５０℃の範囲内
に限定したのは、２５０℃未満では導電率及び延性向上
が不充分であり、３５０℃を超えると、強度が低下する
為である。
理後更に冷間加工及び低温焼鈍を行うことによって、導
電率及び延性を更に向上させようとするものである。而
して、加工率を５〜１５％の範囲内に限定したのは、５
％未満ではその後に低温焼鈍を行っても導電率及び延性
向上の効果が得られなく、１５％を超えると、延性が低
下する為である。又、温度を２５０〜３５０℃の範囲内
に限定したのは、２５０℃未満では導電率及び延性向上
が不充分であり、３５０℃を超えると、強度が低下する
為である。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
【実施例１】表１に示す合金組成（記号：Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ）に配合した原料を溶解鋳造して、厚さ５０ｍｍの鋳
塊となし、表２に示した温度に２０分保持して溶体化処
理を行った後、厚さ１０ｍｍ迄熱間圧延し、６００℃か
らシャワー水の噴射により急冷した。３００℃までの冷
却速度は２０℃／ｓｅｃであった。この熱間圧延板を
１．２ｍｍ迄冷間圧延（加工率：８８％）した後、表２
に示した条件で一回目の熱処理を行った。その後更に
０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工率：５８％）した後、表２
に示した条件で二回目の熱処理を行った。尚、一部の試
料（比較例Ｎｏ．１３）については、二回目の熱処理を
省略した。このようにして得られた試料について、引張
試験及び導電率測定を行い、その結果を表３に示した。
Ｄ）に配合した原料を溶解鋳造して、厚さ５０ｍｍの鋳
塊となし、表２に示した温度に２０分保持して溶体化処
理を行った後、厚さ１０ｍｍ迄熱間圧延し、６００℃か
らシャワー水の噴射により急冷した。３００℃までの冷
却速度は２０℃／ｓｅｃであった。この熱間圧延板を
１．２ｍｍ迄冷間圧延（加工率：８８％）した後、表２
に示した条件で一回目の熱処理を行った。その後更に
０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工率：５８％）した後、表２
に示した条件で二回目の熱処理を行った。尚、一部の試
料（比較例Ｎｏ．１３）については、二回目の熱処理を
省略した。このようにして得られた試料について、引張
試験及び導電率測定を行い、その結果を表３に示した。
【００１４】
【従来例】表１に示す合金組成（記号Ａ、Ｂ）に配合し
た原料を溶解鋳造して、厚さ５０ｍｍの鋳塊となし、９
００℃に２０分保持して溶体化処理を行った後、厚さ１
０ｍｍ迄熱間圧延し、実施例１と同じ条件で急冷した。
この熱間圧延板を０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工率：９５
％）した後、表２に示した条件で一回目の熱処理を行っ
た。このようにして得られた試料について、引張試験及
び導電率測定を行い、その結果を表３に併記した。
た原料を溶解鋳造して、厚さ５０ｍｍの鋳塊となし、９
００℃に２０分保持して溶体化処理を行った後、厚さ１
０ｍｍ迄熱間圧延し、実施例１と同じ条件で急冷した。
この熱間圧延板を０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工率：９５
％）した後、表２に示した条件で一回目の熱処理を行っ
た。このようにして得られた試料について、引張試験及
び導電率測定を行い、その結果を表３に併記した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】表３から明らかなように、本発明例Ｎｏ．
１〜７はいずれも従来例Ｎｏ．１６、１７よりも強度が
高く、導電性も良好である。一方、溶体化処理温度が本
願発明よりも低い比較例Ｎｏ．８、一回目或いは二回目
の熱処理温度が本願発明の範囲外である比較例Ｎｏ．９
〜１２、熱処理を一回しか行わなかった比較例Ｎｏ．１
３、Ｎｉ、Ｓｉ量が本願発明よりも少ない比較例Ｎｏ．
１４は、いずれも本願発明よりも強度が低く、二回目の
熱処理温度が本願発明よりも低い比較例Ｎｏ．１２は導
電率も低い。尚、Ｎｉ、Ｓｉ量が本願発明よりも多い比
較例Ｎｏ．１５は熱間圧延途中で割れを生じ、以後の加
工が不可能であった。
１〜７はいずれも従来例Ｎｏ．１６、１７よりも強度が
高く、導電性も良好である。一方、溶体化処理温度が本
願発明よりも低い比較例Ｎｏ．８、一回目或いは二回目
の熱処理温度が本願発明の範囲外である比較例Ｎｏ．９
〜１２、熱処理を一回しか行わなかった比較例Ｎｏ．１
３、Ｎｉ、Ｓｉ量が本願発明よりも少ない比較例Ｎｏ．
１４は、いずれも本願発明よりも強度が低く、二回目の
熱処理温度が本願発明よりも低い比較例Ｎｏ．１２は導
電率も低い。尚、Ｎｉ、Ｓｉ量が本願発明よりも多い比
較例Ｎｏ．１５は熱間圧延途中で割れを生じ、以後の加
工が不可能であった。
【００１９】
【実施例２】表１に示す合金組成（記号：Ａ、Ｂ）に配
合した原料を溶解後、横型連続鋳造により１０ｍｍの鋳
塊となし、表４に示した温度に２０分保持して溶体化処
理を行った後、２０℃／ｓｅｃの冷却速度で１００℃以
下まで急冷した。この材料を１．２ｍｍ迄冷間圧延（加
工率：８８％）した後、表４に示した条件で一回目の熱
処理を行った。その後更に０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工
率：５８％）した後、表４に示した条件で二回目の熱処
理を行った（尚、一部の試料ついては、二回目の熱処理
を省略した）。このようにして得られた試料について、
引張試験及び導電率測定を行い、その結果を表５に示し
た。
合した原料を溶解後、横型連続鋳造により１０ｍｍの鋳
塊となし、表４に示した温度に２０分保持して溶体化処
理を行った後、２０℃／ｓｅｃの冷却速度で１００℃以
下まで急冷した。この材料を１．２ｍｍ迄冷間圧延（加
工率：８８％）した後、表４に示した条件で一回目の熱
処理を行った。その後更に０．５ｍｍ迄冷間圧延（加工
率：５８％）した後、表４に示した条件で二回目の熱処
理を行った（尚、一部の試料ついては、二回目の熱処理
を省略した）。このようにして得られた試料について、
引張試験及び導電率測定を行い、その結果を表５に示し
た。
【００２０】
【表４】
【００２１】
【表５】
【００２２】表５から明らかなように、本発明例Ｎｏ．
２１〜２７はいずれも表３に示した従来例Ｎｏ．１６、
１７よりも強度が高く、導電性も良好である。一方、溶
体化処理温度が本願発明よりも低い比較例Ｎｏ．２８、
一回目或いは二回目の熱処理温度が本願発明の範囲外で
ある比較例Ｎｏ．２９〜３２、熱処理を一回しか行わな
かった比較例Ｎｏ．３３は、いずれも本願発明よりも強
度が低く、二回目の熱処理温度が本願発明よりも低い比
較例Ｎｏ．３２は導電率も低い
２１〜２７はいずれも表３に示した従来例Ｎｏ．１６、
１７よりも強度が高く、導電性も良好である。一方、溶
体化処理温度が本願発明よりも低い比較例Ｎｏ．２８、
一回目或いは二回目の熱処理温度が本願発明の範囲外で
ある比較例Ｎｏ．２９〜３２、熱処理を一回しか行わな
かった比較例Ｎｏ．３３は、いずれも本願発明よりも強
度が低く、二回目の熱処理温度が本願発明よりも低い比
較例Ｎｏ．３２は導電率も低い
【００２３】
【実施例３】実施例１で製造した試料の内、Ｎｏ．３の
試料について、更に０．４５ｍｍまで冷間圧延し（圧延
率：１０％）、表６に示した条件で熱処理を行った。こ
のようにして得られた試料について、引張試験及び導電
率測定を行い、その結果を表６に併記した。
試料について、更に０．４５ｍｍまで冷間圧延し（圧延
率：１０％）、表６に示した条件で熱処理を行った。こ
のようにして得られた試料について、引張試験及び導電
率測定を行い、その結果を表６に併記した。
【００２４】
【表６】
【００２５】表６から明らかなように、二回目の熱処理
後冷間加工及び熱処理（低温焼鈍）を行った本発明例３
−１、３−２、３ー３はいずれも、表３に示した二回目
の熱処理後の試料（本発明例３）に比べて、導電率及び
延性（伸び）が向上している。一方熱処理温度が本願発
明よりも低い比較例Ｎｏ．３−４は伸びが小さく、熱処
理温度が本願発明よりも高い比較例Ｎｏ．３−５は強度
が低下している。
後冷間加工及び熱処理（低温焼鈍）を行った本発明例３
−１、３−２、３ー３はいずれも、表３に示した二回目
の熱処理後の試料（本発明例３）に比べて、導電率及び
延性（伸び）が向上している。一方熱処理温度が本願発
明よりも低い比較例Ｎｏ．３−４は伸びが小さく、熱処
理温度が本願発明よりも高い比較例Ｎｏ．３−５は強度
が低下している。
【００２６】
【発明の効果】このように本発明によれば、強度及び導
電性に優れた電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系
合金を効率的に製造することができ、工業上顕著な効果
を奏するものである。
電性に優れた電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系
合金を効率的に製造することができ、工業上顕著な効果
を奏するものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｎｉ：４．１〜１０ｗｔ％、Ｓｉ：１．
０〜１．５ｗｔ％、Ｍｎ：０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ：
１．０ｗｔ％以下を含有し、Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下
であり、残部がＣｕと不可避的不純物とからなる銅合金
に、９５０〜１０００℃に１分以上保持する溶体化処理
を施した後、少なくとも３００〜６００℃の温度範囲を
１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却し、５０％以上の
加工率で冷間加工後、４５０〜５５０℃の温度で、１〜
３０分熱処理を行い、その後更に３０〜８０％の加工率
で冷間加工後、３８０〜４４０℃の温度で、５〜１８０
分熱処理を行うことを特徴とする電気・電子機器部品用
ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法。 - 【請求項２】 溶体化処理を施した後、熱間圧延し、少
なくとも３００〜６００℃の温度範囲を１０℃／ｓｅｃ
以上の冷却速度で冷却することを特徴とする請求項１記
載の電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製
造方法。 - 【請求項３】 横型連続鋳造により製造した鋳塊に、鋳
塊の状態或いは冷間加工の途中で溶体化処理を施すこと
を特徴とする請求項１記載の電気・電子機器部品用Ｃｕ
ーＮｉーＳｉ系合金の製造方法。 - 【請求項４】 ３８０〜４４０℃で熱処理を行った後、
更に５〜１５％の加工率で冷間加工を行い、その後２５
０〜３５０℃で熱処理を行うことを特徴とする請求項１
〜３記載の電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合
金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16008294A JP2651122B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16008294A JP2651122B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0827551A true JPH0827551A (ja) | 1996-01-30 |
| JP2651122B2 JP2651122B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15707483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16008294A Expired - Lifetime JP2651122B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651122B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602362B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-08-05 | Nippon Mining And Metals Co., Ltd. | Copper-alloy foil to be used for suspension member of hard-disc drive |
| CN110195170A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-03 | 太原晋西春雷铜业有限公司 | 一种提高Cu-Ni-Si合金强韧性的制备方法 |
| KR20220090880A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 한국재료연구원 | 개재물이 저감된 구리-니켈-규소-망간 합금 및 이의 제조방법 |
| CN114752810A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-15 | 江苏恒盈电子科技有限公司 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP16008294A patent/JP2651122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602362B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-08-05 | Nippon Mining And Metals Co., Ltd. | Copper-alloy foil to be used for suspension member of hard-disc drive |
| CN110195170A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-03 | 太原晋西春雷铜业有限公司 | 一种提高Cu-Ni-Si合金强韧性的制备方法 |
| CN110195170B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-04-13 | 太原晋西春雷铜业有限公司 | 一种提高Cu-Ni-Si合金强韧性的制备方法 |
| KR20220090880A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 한국재료연구원 | 개재물이 저감된 구리-니켈-규소-망간 합금 및 이의 제조방법 |
| CN114752810A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-15 | 江苏恒盈电子科技有限公司 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
| CN114752810B (zh) * | 2022-03-24 | 2023-04-11 | 江苏恒盈电子科技有限公司 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651122B2 (ja) | 1997-09-10 |
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