JPH0827570A - マグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲット及びその製法 - Google Patents
マグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲット及びその製法Info
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- JPH0827570A JPH0827570A JP6334937A JP33493794A JPH0827570A JP H0827570 A JPH0827570 A JP H0827570A JP 6334937 A JP6334937 A JP 6334937A JP 33493794 A JP33493794 A JP 33493794A JP H0827570 A JPH0827570 A JP H0827570A
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-
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- C22C—ALLOYS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲッ
ト。 【構成】 コバルト基礎合金Ｃｏ1-x-yＭxＲy（式中、
Ｍは、元素Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ又は遷移金属の類似
元素の少なくとも１種を表し、かつ０≦ｘ≦０．３であ
り、Ｒは元素Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ又は
金属間相を形成する傾向のある類似金属の少なくとも１
種を表し、かつ０．０１５≦ｙ≦０．２０である）から
なり、かつ主として六角形のコバルト−混晶とＲで形成
されていてもよい金属間相との組織からなるマグネトロ
ン−陰極スパッタ装置用ターゲットにおいて、ターゲッ
ト金属は、少なくとも次の２つの特徴： ａ）マトリックスを形成するコバルト−混晶の境界、副
境界又は双晶境界又はすべり帯域は金属間相を形成する
元素で装飾される、 ｂ）ターゲットから製造されたＸ線回折図が、鋳造状態
では実質的に不在であり、合金の固相線温度を下回る温
度範囲での灼焼の際に初めて固体反応により生じる金属
間相の反射を有するのうちの少なくとも１つを有する。
ト。 【構成】 コバルト基礎合金Ｃｏ1-x-yＭxＲy（式中、
Ｍは、元素Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ又は遷移金属の類似
元素の少なくとも１種を表し、かつ０≦ｘ≦０．３であ
り、Ｒは元素Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ又は
金属間相を形成する傾向のある類似金属の少なくとも１
種を表し、かつ０．０１５≦ｙ≦０．２０である）から
なり、かつ主として六角形のコバルト−混晶とＲで形成
されていてもよい金属間相との組織からなるマグネトロ
ン−陰極スパッタ装置用ターゲットにおいて、ターゲッ
ト金属は、少なくとも次の２つの特徴： ａ）マトリックスを形成するコバルト−混晶の境界、副
境界又は双晶境界又はすべり帯域は金属間相を形成する
元素で装飾される、 ｂ）ターゲットから製造されたＸ線回折図が、鋳造状態
では実質的に不在であり、合金の固相線温度を下回る温
度範囲での灼焼の際に初めて固体反応により生じる金属
間相の反射を有するのうちの少なくとも１つを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コバルト基礎合金から
なるマグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲットに関
し、この合金は、濃度中に、他の元素を含有するので、
これらの元素の少なくとも１個と共に金属間相(interme
tallische Phase)が形成され、かつ同重量状態の状態図
に基づき、ターゲットの運転温度の際に、金属間相が観
察される。
なるマグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲットに関
し、この合金は、濃度中に、他の元素を含有するので、
これらの元素の少なくとも１個と共に金属間相(interme
tallische Phase)が形成され、かつ同重量状態の状態図
に基づき、ターゲットの運転温度の際に、金属間相が観
察される。
【０００２】
【従来の技術】マグネトロン−陰極スパッタリングの際
に、スパッタ法の最適化のために、放電プラズマを局在
させる磁場を、放電室中で、ターゲットの前に形成する
ように、ターゲットの後に永久磁石が配置される。プラ
ズマがその上に局在するターゲット表面の範囲は、有利
にはスパッタされ、これによりそこにエロージョン溝が
形成される。
に、スパッタ法の最適化のために、放電プラズマを局在
させる磁場を、放電室中で、ターゲットの前に形成する
ように、ターゲットの後に永久磁石が配置される。プラ
ズマがその上に局在するターゲット表面の範囲は、有利
にはスパッタされ、これによりそこにエロージョン溝が
形成される。
【０００３】その際、強磁性ターゲットの場合に、主と
して２つの問題が起こる： −第一に、永久磁石の磁束はターゲット中で収束するの
で、放電室中に、僅かの磁束が侵入しうる。従って、こ
の問題は、非常に薄い強磁性ターゲットの使用を必要と
する。
して２つの問題が起こる： −第一に、永久磁石の磁束はターゲット中で収束するの
で、放電室中に、僅かの磁束が侵入しうる。従って、こ
の問題は、非常に薄い強磁性ターゲットの使用を必要と
する。
【０００４】−第二に、強磁性ターゲットの場合に、陰
極スパッタリング（エロージョン溝）の間の局所的なタ
ーゲットの断面減少が、エロージョン溝の直ぐ上で磁束
を増加させる。これにより、スパッタリングガスの高い
イオン化確率及び高いスパッタリング率が局所的に生
じ、その結果、エロージョン溝は非常に狭くなり、ター
ゲットの物質収量は僅かのみである。
極スパッタリング（エロージョン溝）の間の局所的なタ
ーゲットの断面減少が、エロージョン溝の直ぐ上で磁束
を増加させる。これにより、スパッタリングガスの高い
イオン化確率及び高いスパッタリング率が局所的に生
じ、その結果、エロージョン溝は非常に狭くなり、ター
ゲットの物質収量は僅かのみである。
【０００５】改良された磁場図(Magnetfeldgeometrie)
及び高い磁場支配率(Magnetfelddurchgriff)は、費用の
かかるターゲット構築により得ることができる。磁場方
向に垂直のターゲット中の裂け目により、ターゲット中
の磁気抵抗は高められ、放電室で大きな場を得ることが
できる（K.Nakamura et al.IEEE Transactions on Magn
etics,Bd.MAG-18,1982,5.1080〜1082)。ククラ等（Kukl
a et al.:IEEE Transactions on Magnetics,Bd.MAG-23,
1987,5.137〜139）に、高いマグネトロン−磁場を得る
ために、２つのレベルで上下に配置された、多数の独立
ターゲットからなる強磁性物質用陰極が記載されてい
る。しかしながら、これらの構築は高価であり、かつマ
グネトロン陰極スパッタリングを困難にする。
及び高い磁場支配率(Magnetfelddurchgriff)は、費用の
かかるターゲット構築により得ることができる。磁場方
向に垂直のターゲット中の裂け目により、ターゲット中
の磁気抵抗は高められ、放電室で大きな場を得ることが
できる（K.Nakamura et al.IEEE Transactions on Magn
etics,Bd.MAG-18,1982,5.1080〜1082)。ククラ等（Kukl
a et al.:IEEE Transactions on Magnetics,Bd.MAG-23,
1987,5.137〜139）に、高いマグネトロン−磁場を得る
ために、２つのレベルで上下に配置された、多数の独立
ターゲットからなる強磁性物質用陰極が記載されてい
る。しかしながら、これらの構築は高価であり、かつマ
グネトロン陰極スパッタリングを困難にする。
【０００６】西独特許第３８１９９０６号明細書中に、
六角形（０００１）−繊維組織をターゲット面に垂直に
調整することにより磁場支配率を得ることができ、かつ
より大きな出発密度でターゲットのより良好な利用度が
達成される、マグネトロン陰極スパッタ装置で使用する
ためのターゲットが記載されている。西独特許第３８１
９９０６号明細書により、４００℃未満の温度で冷形成
によりこの（０００１）−繊維組織が得られる。しかし
ながら、この冷変形は、合金組成物を基礎とするターゲ
ットが、特記すべき割合で金属間相を含有する場合に
は、実施が困難であるか、又は全く不可能である。
六角形（０００１）−繊維組織をターゲット面に垂直に
調整することにより磁場支配率を得ることができ、かつ
より大きな出発密度でターゲットのより良好な利用度が
達成される、マグネトロン陰極スパッタ装置で使用する
ためのターゲットが記載されている。西独特許第３８１
９９０６号明細書により、４００℃未満の温度で冷形成
によりこの（０００１）−繊維組織が得られる。しかし
ながら、この冷変形は、合金組成物を基礎とするターゲ
ットが、特記すべき割合で金属間相を含有する場合に
は、実施が困難であるか、又は全く不可能である。
【０００７】欧州特許（ＥＰ−Ｂ１）第２５２４７８号
明細書中に、融点を僅かに下回る温度で、唯一の等軸晶
相のみを有するコバルト基礎合金からなるスパッタ−タ
ーゲットが記載されている。次いで、マルテンサイト変
態点を下回る温度で、好適な圧延変形によりターゲット
が得られ、これのエックス線回折図は、明らかに、鋳造
により直接得られた物質のものより六角形の相部分を多
く有する。コバルト基礎合金が、特記すべき割合で金属
間相を含有する場合には、記載の冷変形の実施は、再び
困難であるか、又は全く不可能であることが判明した。
全ての場合に、既に僅かの厚み減少の際に、圧延プレー
トで強い亀裂が生じた。
明細書中に、融点を僅かに下回る温度で、唯一の等軸晶
相のみを有するコバルト基礎合金からなるスパッタ−タ
ーゲットが記載されている。次いで、マルテンサイト変
態点を下回る温度で、好適な圧延変形によりターゲット
が得られ、これのエックス線回折図は、明らかに、鋳造
により直接得られた物質のものより六角形の相部分を多
く有する。コバルト基礎合金が、特記すべき割合で金属
間相を含有する場合には、記載の冷変形の実施は、再び
困難であるか、又は全く不可能であることが判明した。
全ての場合に、既に僅かの厚み減少の際に、圧延プレー
トで強い亀裂が生じた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、これらの元素の少なくとも１個と共に金属間相が形
成され、かつ同重量状態の状態図及び凝固動態に基づき
ターゲットの運転温度の際に、金属間相が確認できるた
めに、濃度中に他の元素を含有する、コバルト基礎合金
からなるマグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲット
を開発することである。その際、ターゲットは、前記の
冷変形を施さずに、高い磁場支配率を有することが達成
された。この方法で、金属間相を有するコバルト基礎合
金の群についても、より高いターゲット収率が得られ、
かつより大きいターゲット厚さが使用できる。
は、これらの元素の少なくとも１個と共に金属間相が形
成され、かつ同重量状態の状態図及び凝固動態に基づき
ターゲットの運転温度の際に、金属間相が確認できるた
めに、濃度中に他の元素を含有する、コバルト基礎合金
からなるマグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲット
を開発することである。その際、ターゲットは、前記の
冷変形を施さずに、高い磁場支配率を有することが達成
された。この方法で、金属間相を有するコバルト基礎合
金の群についても、より高いターゲット収率が得られ、
かつより大きいターゲット厚さが使用できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り、ターゲット物質は、次の２つの特徴のうちの少なく
とも１つを有することにより解決される。： ａ）その境界、副境界又は双晶境界又はすべり帯域(Gle
itbaender)が金属間相を形成する元素で装飾される、１
次コバルト−混晶からなるマトリックスが存在する； ｂ）ターゲットから製造されたＸ線回折図は、鋳造状態
ではみられず、使用合金の固相線温度を下回る温度で、
固体反応により形成される金属間相のＸ線反射を有す
る。
り、ターゲット物質は、次の２つの特徴のうちの少なく
とも１つを有することにより解決される。： ａ）その境界、副境界又は双晶境界又はすべり帯域(Gle
itbaender)が金属間相を形成する元素で装飾される、１
次コバルト−混晶からなるマトリックスが存在する； ｂ）ターゲットから製造されたＸ線回折図は、鋳造状態
ではみられず、使用合金の固相線温度を下回る温度で、
固体反応により形成される金属間相のＸ線反射を有す
る。
【００１０】この特別な組織は、ターゲット物質を、鋳
造及び場合による熱圧延変形後に、固体−固体転移反応
の温度を下回る最大３００℃の温度で灼焼することによ
り達成される。この温度は、各合金に対して、固有の小
実験で新しく決定することができる。通常、これらは、
考察されるコバルト基礎合金に関して、７００〜１１０
０℃の範囲にある。転移温度よりはるかに下での灼焼
は、その時の非常に僅かの拡散速度のために、非常にゆ
っくりした転移反応及び相応して長くかつ不経済な灼焼
時間をもたらす。
造及び場合による熱圧延変形後に、固体−固体転移反応
の温度を下回る最大３００℃の温度で灼焼することによ
り達成される。この温度は、各合金に対して、固有の小
実験で新しく決定することができる。通常、これらは、
考察されるコバルト基礎合金に関して、７００〜１１０
０℃の範囲にある。転移温度よりはるかに下での灼焼
は、その時の非常に僅かの拡散速度のために、非常にゆ
っくりした転移反応及び相応して長くかつ不経済な灼焼
時間をもたらす。
【００１１】その際、コバルト基礎合金は、元素、例え
ばＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒの他に、元素、例えばＴａ、
Ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂを含有し、これらは前記
元素の少なくとも１個と一緒に金属間相を形成し、その
際、金属間相を形成する元素の含有率は非常に大である
べきなので、これらは、ターゲットの運転温度で同重量
状態で、完全にコバルト−混晶に溶かされずに存在す
る。
ばＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒの他に、元素、例えばＴａ、
Ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂを含有し、これらは前記
元素の少なくとも１個と一緒に金属間相を形成し、その
際、金属間相を形成する元素の含有率は非常に大である
べきなので、これらは、ターゲットの運転温度で同重量
状態で、完全にコバルト−混晶に溶かされずに存在す
る。
【００１２】意想外にも、状態図に応じて選択すべき好
適な温度での灼焼により、Ｃｏ−混晶と並び金属間相も
有するターゲットは、鋳造されるか又は僅かに固相線温
度を下回る温度で圧延されたプレートから直接製造され
た同じ組成のターゲットよりも明らかにより高い磁場支
配率を有することが判明した。
適な温度での灼焼により、Ｃｏ−混晶と並び金属間相も
有するターゲットは、鋳造されるか又は僅かに固相線温
度を下回る温度で圧延されたプレートから直接製造され
た同じ組成のターゲットよりも明らかにより高い磁場支
配率を有することが判明した。
【００１３】このこととは逆に、その組成に基づき金属
間相で析出物を有さないターゲットの場合に、灼焼は、
磁場支配率の改良をもたらさない。しかしながら、その
ようなターゲットに、文献に記載の冷変形の一つを施す
と、磁場支配率での期待された改良がもたらされる。本
発明に相応する、７００〜１１００℃の範囲の温度での
引き続く灼焼は、ここでは、磁場支配率の改良の部分的
又は全部の破壊すらもたらす。従って、僅かに高い割合
で元素、Ｔａ、Ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂを含有す
るので、金属間析出相が形成されるという点でのみこれ
らの合金と異なるコバルト基礎合金に関する磁場支配率
の観察された改良は、非常に意想外である。
間相で析出物を有さないターゲットの場合に、灼焼は、
磁場支配率の改良をもたらさない。しかしながら、その
ようなターゲットに、文献に記載の冷変形の一つを施す
と、磁場支配率での期待された改良がもたらされる。本
発明に相応する、７００〜１１００℃の範囲の温度での
引き続く灼焼は、ここでは、磁場支配率の改良の部分的
又は全部の破壊すらもたらす。従って、僅かに高い割合
で元素、Ｔａ、Ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂを含有す
るので、金属間析出相が形成されるという点でのみこれ
らの合金と異なるコバルト基礎合金に関する磁場支配率
の観察された改良は、非常に意想外である。
【００１４】本発明に相応して処理されたコバルト基礎
合金の綿密な組織−及び相検査は、灼焼により、コバル
ト−混晶の境界又は双晶境界又はすべり帯域を装飾する
析出物が生じることを示した。これらの析出物は、明ら
かに、金属間相も形成する元素分を含有する（図１参
照）。更に、Ｘ線回折法及びエレクトロン−マイクロゾ
ンデ(Elektronen-Mikrosonde)を用いる相検査は、灼焼
により金属間相の組成が変化するか又は新しい金属間相
が形成されることを示す。例えば系Ｃｏ−Ｔａに関して
も記載されるように(Binary Alloy Phase Diagrams,Sec
ond Edition,T.M.Massalski(ed.),ASM International,1
990)、このことにより、固体−固体転移を推測できる。
合金の綿密な組織−及び相検査は、灼焼により、コバル
ト−混晶の境界又は双晶境界又はすべり帯域を装飾する
析出物が生じることを示した。これらの析出物は、明ら
かに、金属間相も形成する元素分を含有する（図１参
照）。更に、Ｘ線回折法及びエレクトロン−マイクロゾ
ンデ(Elektronen-Mikrosonde)を用いる相検査は、灼焼
により金属間相の組成が変化するか又は新しい金属間相
が形成されることを示す。例えば系Ｃｏ−Ｔａに関して
も記載されるように(Binary Alloy Phase Diagrams,Sec
ond Edition,T.M.Massalski(ed.),ASM International,1
990)、このことにより、固体−固体転移を推測できる。
【００１５】本発明に相応する組織を有するターゲット
は、同じ組成及び同じ幾何の未処理ターゲットよりも明
らかに高い磁場支配率を示す。これらは部分的に、金属
間相の欠如のために、文献記載の冷変形を用いて製造す
べきであるターゲットと考えられる。
は、同じ組成及び同じ幾何の未処理ターゲットよりも明
らかに高い磁場支配率を示す。これらは部分的に、金属
間相の欠如のために、文献記載の冷変形を用いて製造す
べきであるターゲットと考えられる。
【００１６】第１表に、本発明に相当する例及び比較例
で得られた実験結果をまとめた。ターゲット全ては、相
応する合金成分を真空又は安全ガス下で融解し、引き続
いて冷硬鋳型へ注入することにより製造した。
で得られた実験結果をまとめた。ターゲット全ては、相
応する合金成分を真空又は安全ガス下で融解し、引き続
いて冷硬鋳型へ注入することにより製造した。
【００１７】ターゲットの磁気特性の特徴付けのため
に、ターゲット表面に平行の磁場成分を測定し、その間
ターゲットをＰＫ１５０−陰極（φ１５０ｍｍ）用磁石
アセンブリ(Magnetsatz)上に置いた。場の強さＨxは、
その場合、ターゲットの約１ｍｍ上で記録される。ター
ゲット無しで、即ち陰極槽の直接上で測定される最大値
は、Ｈx,max＝９５ｋＡ／ｍである。
に、ターゲット表面に平行の磁場成分を測定し、その間
ターゲットをＰＫ１５０−陰極（φ１５０ｍｍ）用磁石
アセンブリ(Magnetsatz)上に置いた。場の強さＨxは、
その場合、ターゲットの約１ｍｍ上で記録される。ター
ゲット無しで、即ち陰極槽の直接上で測定される最大値
は、Ｈx,max＝９５ｋＡ／ｍである。
【００１８】
【表１】
【００１９】
例の説明： 場合Ａ）：灼焼の前は、１次混晶からなるマトリックス
が存在し、この中に混晶及び金属間相からなる共融範囲
は挿入されうる。灼焼により、境界、副境界又は双晶境
界又はすべり帯域は、金属間相も形成する元素で装飾さ
れる。灼焼は、固体−固体転移より下で行う。新しい金
属間相のＸ線回折が現われる。既に灼焼の前に金属間相
が観察された場合は、その化学量論及び格子構造が変化
する。
が存在し、この中に混晶及び金属間相からなる共融範囲
は挿入されうる。灼焼により、境界、副境界又は双晶境
界又はすべり帯域は、金属間相も形成する元素で装飾さ
れる。灼焼は、固体−固体転移より下で行う。新しい金
属間相のＸ線回折が現われる。既に灼焼の前に金属間相
が観察された場合は、その化学量論及び格子構造が変化
する。
【００２０】場合Ｂ）：出発状態は場合Ａ）に相当す
る。しかしながら、灼焼の代わりに冷変形を実施する。
境界、副境界又は双晶境界又はすべり帯域の装飾は現わ
れなかった。しかしながら、物質は非常に脆いので、冷
変形のため、巨視的な亀裂が生じ、これは、物質を無用
の物にするかもしくは経済的な製造を極めて困難にす
る。
る。しかしながら、灼焼の代わりに冷変形を実施する。
境界、副境界又は双晶境界又はすべり帯域の装飾は現わ
れなかった。しかしながら、物質は非常に脆いので、冷
変形のため、巨視的な亀裂が生じ、これは、物質を無用
の物にするかもしくは経済的な製造を極めて困難にす
る。
【００２１】場合Ｃ）：他の成分と一緒に金属間相を形
成する元素が含有されないか又は金属間相を形成する元
素の濃度が溶解限度を絶対に超えないほど非常に僅かな
ので、金属間相が存在しない。ここで、文献中に記載の
冷変形は、非常に有効であるが、他方、本発明に応じた
灼焼は未処理物質に対して改良をもたらさない。圧延も
灼焼も金属間相の形成をもたらさない。
成する元素が含有されないか又は金属間相を形成する元
素の濃度が溶解限度を絶対に超えないほど非常に僅かな
ので、金属間相が存在しない。ここで、文献中に記載の
冷変形は、非常に有効であるが、他方、本発明に応じた
灼焼は未処理物質に対して改良をもたらさない。圧延も
灼焼も金属間相の形成をもたらさない。
【００２２】場合Ｄ）：出発状態は場合Ａ）に相当す
る。固体−固体転移温度より上で灼焼が行われるので、
金属間相の組織及び構造に重要な変化は生じない。事情
によっては、金属間相の一定の部分は、溶解している。
る。固体−固体転移温度より上で灼焼が行われるので、
金属間相の組織及び構造に重要な変化は生じない。事情
によっては、金属間相の一定の部分は、溶解している。
【００２３】図１は、本発明に相当するターゲットの組
織のマイクロゾンデ写真である。灰色マトリックス：コ
バルト混晶；明るいはん点：粗くされた共融合金の金属
間相；明るい細線：境界、副境界又は双晶境界又はすべ
り帯域の装飾。
織のマイクロゾンデ写真である。灰色マトリックス：コ
バルト混晶；明るいはん点：粗くされた共融合金の金属
間相；明るい細線：境界、副境界又は双晶境界又はすべ
り帯域の装飾。
【００２４】拡大：１０００：１ 図２は比較ターゲットの組織のマイクロゾンデ写真であ
る。灰色マトリックス：コバルト混晶；明るいはん点：
粗くされた共融合金の金属間相。
る。灰色マトリックス：コバルト混晶；明るいはん点：
粗くされた共融合金の金属間相。
【００２５】拡大：１０００：１ 図３は金属間相不含の比較ターゲットの組織のマイクロ
ゾンデ写真である。
ゾンデ写真である。
【００２６】拡大：１０００：１
【図１】本発明に相当するターゲットの結晶構造の組織
を示すマイクロゾンデ写真。
を示すマイクロゾンデ写真。
【図２】比較ターゲットの結晶構造の組織を示すマイク
ロゾンデ写真。
ロゾンデ写真。
【図３】金属間相不含の比較ターゲットの結晶構造の組
織を示すマイクロゾンデ写真。
織を示すマイクロゾンデ写真。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クヮイ テン アメリカ合衆国 カリフォルニア サラト ガ ブックヘヴン レーン 19881 (72)発明者 ブルース ゲーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア モーガ ン ヒル レイクヴュー ドライブ 17430
Claims (5)
- 【請求項１】 コバルト基礎合金Ｃｏ1-x-yＭxＲy（式
中、Ｍは、元素Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ又は遷移金属の
類似元素の少なくとも１種を表し、かつ０≦ｘ≦０．３
であり、Ｒは元素Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ
又は金属間相を形成する傾向のある類似金属の少なくと
も１種を表し、かつ０．０１５≦ｙ≦０．２０である）
からなり、かつ主に六角形のコバルト−混晶とＲで形成
されていてもよい金属間相との組織からなるマグネトロ
ン−陰極スパッタ装置用ターゲットにおいて、ターゲッ
ト金属が、次の２つの特徴： ａ）マトリックスを形成するコバルト−混晶の境界、副
境界又は双晶境界又はすべり帯域が金属間相を形成する
元素で装飾される、 ｂ）ターゲットから製造されたＸ線回折図が、鋳造状態
では実質的に不在であり、かつ合金の固相線温度を下回
る温度範囲での灼焼の際に初めて固体反応により生じる
金属間相の反射を有するのうちの少なくとも１つを有す
ることを特徴とする、マグネトロン−陰極スパッタ装置
用ターゲット。 - 【請求項２】 組成物は、Ｃｏ1-x-yＣｒxＴａy（０≦
ｘ≦０．３、０．０２５≦ｙ≦０．１５）である、請求
項１記載のターゲット。 - 【請求項３】 組成物は、Ｃｏ1-x-y-zＰｔxＣｒyＴａz
（０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２５、０．０１５≦ｚ
≦０．１５）である、請求項１記載のターゲット。 - 【請求項４】 縦方向のデータ記憶のための薄層媒体の
製造のために使用される、請求項１から３までのいずれ
か１項記載のターゲット。 - 【請求項５】 ターゲットを、高々３００℃の温度で、
固体−固体転移反応のための温度を下回る温度で１〜１
００時間灼焼する、請求項１から３までのいずれか１項
記載のターゲットの製法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4343440 | 1993-12-20 | ||
| DE4343440.1 | 1993-12-20 | ||
| DE4410114.7 | 1994-03-24 | ||
| DE4410114A DE4410114A1 (de) | 1993-12-20 | 1994-03-24 | Target für Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage aus einer Kobalt-Basislegierung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0827570A true JPH0827570A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=25932248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6334937A Pending JPH0827570A (ja) | 1993-12-20 | 1994-12-20 | マグネトロン−陰極スパッタ装置用ターゲット及びその製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5728279A (ja) |
| EP (1) | EP0659901B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0827570A (ja) |
| GB (1) | GB2285269B (ja) |
| SG (1) | SG42750A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001303241A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2001303242A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2009013434A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | China Steel Corp | スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6398880B1 (en) * | 1996-11-29 | 2002-06-04 | Heraeus, Inc. | Magnetic data-storage targets and methods for preparation |
| JP4142753B2 (ja) | 1996-12-26 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法 |
| RU2139367C1 (ru) * | 1998-01-27 | 1999-10-10 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Способ изготовления тонкостенных цилиндрических корпусов мишеней |
| US6599377B2 (en) * | 1999-10-01 | 2003-07-29 | Heraeus, Inc. | Wrought processing of brittle target alloy for sputtering applications |
| US6176944B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-01-23 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets |
| US6743721B2 (en) | 2002-06-10 | 2004-06-01 | United Microelectronics Corp. | Method and system for making cobalt silicide |
| KR20080051106A (ko) * | 2006-12-04 | 2008-06-10 | 헤래우스 인코포레이티드 | 금속 합금의 자기 펄스-보조 주조 ＆ 그에 의해 제조된금속 합금 |
| US20090010792A1 (en) * | 2007-07-02 | 2009-01-08 | Heraeus Inc. | Brittle metal alloy sputtering targets and method of fabricating same |
| RU2587164C1 (ru) * | 2015-02-16 | 2016-06-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Способ изготовления оболочечной мишени (варианты) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3356542A (en) * | 1967-04-10 | 1967-12-05 | Du Pont | Cobalt-nickel base alloys containing chromium and molybdenum |
| US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
| JPS6314864A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Ulvac Corp | Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法 |
| DE3819906C1 (ja) * | 1988-06-11 | 1989-08-03 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
| US5082750A (en) * | 1988-10-21 | 1992-01-21 | Kubota Ltd. | Magnetic recording medium of thin metal film type |
| US4992095A (en) * | 1988-10-26 | 1991-02-12 | Sumitomo Metal Mining Company, Ltd. | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium |
| JPH0482016A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5004652A (en) * | 1990-08-15 | 1991-04-02 | Hmt Technology Corporation | High-coercivity thin-film recording medium and method |
| US5282946A (en) * | 1991-08-30 | 1994-02-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same |
| JP2725506B2 (ja) * | 1991-12-09 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH05295537A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-09 | Kobe Steel Ltd | コバルト合金スパッタリングターゲット材料 |
| JPH06104120A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-04-15 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-08 EP EP94112342A patent/EP0659901B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-03 SG SG1995000382A patent/SG42750A1/en unknown
- 1994-11-03 GB GB9422161A patent/GB2285269B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-15 US US08/356,109 patent/US5728279A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-20 JP JP6334937A patent/JPH0827570A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2001303241A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2285269B (en) | 1997-06-11 |
| GB9422161D0 (en) | 1994-12-21 |
| EP0659901B1 (de) | 1998-04-15 |
| SG42750A1 (en) | 1997-10-17 |
| US5728279A (en) | 1998-03-17 |
| EP0659901A1 (de) | 1995-06-28 |
| GB2285269A (en) | 1995-07-05 |
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