JPH08276459A - 非接触icカード及びその製造方法 - Google Patents
非接触icカード及びその製造方法Info
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- JPH08276459A JPH08276459A JP7104620A JP10462095A JPH08276459A JP H08276459 A JPH08276459 A JP H08276459A JP 7104620 A JP7104620 A JP 7104620A JP 10462095 A JP10462095 A JP 10462095A JP H08276459 A JPH08276459 A JP H08276459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度の強い非接触ICカードとその製
造方法を提供する。 【構成】 製造方法の一つは、非接触ICモジュール
(20)を、ガラスエポキシ樹脂基板(5)で形成され
る凹部(53)内に載置してインサート部品(30)と
し、該インサート部品を金型(76a,76b)内に載
置した後、金型を閉じて金型内を真空にした後、常温で
液状の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を
硬化させる低圧射出成形法により製造する。ICモジュ
ールは射出樹脂(8)で封止され、成形体表裏には印刷
等で表面仕上層(6)を形成する。また、カードはこの
様にして得られる。
造方法を提供する。 【構成】 製造方法の一つは、非接触ICモジュール
(20)を、ガラスエポキシ樹脂基板(5)で形成され
る凹部(53)内に載置してインサート部品(30)と
し、該インサート部品を金型(76a,76b)内に載
置した後、金型を閉じて金型内を真空にした後、常温で
液状の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を
硬化させる低圧射出成形法により製造する。ICモジュ
ールは射出樹脂(8)で封止され、成形体表裏には印刷
等で表面仕上層(6)を形成する。また、カードはこの
様にして得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非接触ICカードとそ
の製造方法に関し、特に、機械的強度の強い薄型のカー
ドに関する。
の製造方法に関し、特に、機械的強度の強い薄型のカー
ドに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、外部装置と電磁波等により非接触
でデータ通信ができるカード状の薄型の非接触ICカー
ドが注目されている。従来の非接触ICカードの製造方
法としては、例えば、非接触ICモジュールが装着でき
る形状に厚紙基板を打ち抜いて、この厚紙基板に非接触
ICモジュールを装着した後、厚紙基板の表裏両面に予
め所望の印刷が施された紙を仮止めし、次に、厚紙基板
よりも一回り大きい防水性の透明樹脂フィルムで表裏両
面から挟んで、熱融着等により四方をシールして封入す
る、いわゆるラミネートによる製造方法がある。或い
は、非接触ICモジュールが装着できるような形状の樹
脂基板を射出成形等によって作成し、この樹脂基板に非
接触ICモジュールを装着した後、樹脂基板に予め所望
の印刷が施された粘着シートを貼り付けて樹脂基板を表
裏両面からカバーすることよって製造する方法等が知ら
れている。
でデータ通信ができるカード状の薄型の非接触ICカー
ドが注目されている。従来の非接触ICカードの製造方
法としては、例えば、非接触ICモジュールが装着でき
る形状に厚紙基板を打ち抜いて、この厚紙基板に非接触
ICモジュールを装着した後、厚紙基板の表裏両面に予
め所望の印刷が施された紙を仮止めし、次に、厚紙基板
よりも一回り大きい防水性の透明樹脂フィルムで表裏両
面から挟んで、熱融着等により四方をシールして封入す
る、いわゆるラミネートによる製造方法がある。或い
は、非接触ICモジュールが装着できるような形状の樹
脂基板を射出成形等によって作成し、この樹脂基板に非
接触ICモジュールを装着した後、樹脂基板に予め所望
の印刷が施された粘着シートを貼り付けて樹脂基板を表
裏両面からカバーすることよって製造する方法等が知ら
れている。
【0003】しかしながら、前者の製造方法では厚紙基
板を用いるために、曲げ等の外力に対する強度が劣り、
取り扱い上の問題があった。さらに、エッジ部分から剥
がれだし、切り欠きが進行する等、耐久性が悪い上に見
栄えも悪く、品質上の不安を利用者に与えるという問題
もあった。一方、後者の製造方法では、見栄えの点では
良いが、粘着シートによって表裏から樹脂基板を封止す
る構造であるために、粘着シートが樹脂基板から剥がれ
ることがあり、耐久性や経時的な気密性の点で問題があ
った。また、粘着シートは比較的薄いために、それ自身
の機械的強度も十分ではなかった。
板を用いるために、曲げ等の外力に対する強度が劣り、
取り扱い上の問題があった。さらに、エッジ部分から剥
がれだし、切り欠きが進行する等、耐久性が悪い上に見
栄えも悪く、品質上の不安を利用者に与えるという問題
もあった。一方、後者の製造方法では、見栄えの点では
良いが、粘着シートによって表裏から樹脂基板を封止す
る構造であるために、粘着シートが樹脂基板から剥がれ
ることがあり、耐久性や経時的な気密性の点で問題があ
った。また、粘着シートは比較的薄いために、それ自身
の機械的強度も十分ではなかった。
【0004】このような観点から、本出願人は特開平6
−286375号公報で、予め射出成形によって成形さ
れた2つの樹脂板のうち1つには凹部が形成されたもの
を使用し、該凹部に非接触ICモジュールを装着した
後、2つの樹脂板を接着して一体化する製造方法も開示
している。
−286375号公報で、予め射出成形によって成形さ
れた2つの樹脂板のうち1つには凹部が形成されたもの
を使用し、該凹部に非接触ICモジュールを装着した
後、2つの樹脂板を接着して一体化する製造方法も開示
している。
【0005】しかし、同号公報に開示した製造方法で
も、非接触ICモジュールを表裏から挟むものが射出成
形による樹脂製の成形体であるために、非接触ICカー
ドの様に薄型にした場合には充分な機械的強度が得られ
なかった。
も、非接触ICモジュールを表裏から挟むものが射出成
形による樹脂製の成形体であるために、非接触ICカー
ドの様に薄型にした場合には充分な機械的強度が得られ
なかった。
【0006】そこで、本発明の目的は、薄型のカードで
あっても、機械的強度の強い非接触ICカードと、その
製造方法を提供することである。
あっても、機械的強度の強い非接触ICカードと、その
製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の非接触ICカー
ドは、前記課題を解決し目的を達成するために、非接触
ICモジュールが、ガラスエポキシ樹脂基板で形成され
る凹部内に載置されているインサート部品を、金型内に
載置した後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、液状
の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を硬化
させる低圧射出成形法により製造したカードとする。ま
た、非接触ICモジュールを構成し得る電子部品が、ガ
ラスエポキシ樹脂基板で形成される凹部内の導電パター
ンに実装されているインサート部品を、金型内に載置し
た後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、液状の硬化
性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を硬化させる
低圧射出成形法により製造したカードでもある。
ドは、前記課題を解決し目的を達成するために、非接触
ICモジュールが、ガラスエポキシ樹脂基板で形成され
る凹部内に載置されているインサート部品を、金型内に
載置した後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、液状
の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を硬化
させる低圧射出成形法により製造したカードとする。ま
た、非接触ICモジュールを構成し得る電子部品が、ガ
ラスエポキシ樹脂基板で形成される凹部内の導電パター
ンに実装されているインサート部品を、金型内に載置し
た後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、液状の硬化
性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を硬化させる
低圧射出成形法により製造したカードでもある。
【0008】また、本発明の非接触ICカードの製造方
法は、非接触ICモジュールを、ガラスエポキシ樹脂基
板で形成される凹部内に載置してインサート部品とし、
該インサートを金型内に載置した後、金型を閉じ、金型
内を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金型内に注
入し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法により製
造するようにしたものである。また、非接触ICモジュ
ールを構成し得る電子部品が、ガラスエポキシ樹脂基板
で形成される凹部内の導電パターンに実装されているイ
ンサート部品を、金型内に載置した後、金型を閉じ、金
型内を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金型内に
注入し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法により
製造するようにしたものでもある。
法は、非接触ICモジュールを、ガラスエポキシ樹脂基
板で形成される凹部内に載置してインサート部品とし、
該インサートを金型内に載置した後、金型を閉じ、金型
内を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金型内に注
入し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法により製
造するようにしたものである。また、非接触ICモジュ
ールを構成し得る電子部品が、ガラスエポキシ樹脂基板
で形成される凹部内の導電パターンに実装されているイ
ンサート部品を、金型内に載置した後、金型を閉じ、金
型内を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金型内に
注入し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法により
製造するようにしたものでもある。
【0009】
【作用】本発明の非接触ICカードでは、非接触ICモ
ジュールに対して直接に射出成形せず、予めガラスエポ
キシ樹脂基板で形成された凹部に非接触ICモジュール
を装着して、或いはガラスエポキシ樹脂基板の導電パー
タンに非接触ICモジュールを構成し得る電子部品を実
装してインサート部品とした後に、該インサート部品を
金型に挿入してから射出成形するために、ガラス繊維で
強化されたガラスエポキシ樹脂基板によって、機械的強
度が優れたカードとなる。また、樹脂基板で形成された
凹部により、非接触ICモジュールの装着時の位置決め
が確実となり、凹部周囲の枠部分によりカードの機械的
強度も強くなる。
ジュールに対して直接に射出成形せず、予めガラスエポ
キシ樹脂基板で形成された凹部に非接触ICモジュール
を装着して、或いはガラスエポキシ樹脂基板の導電パー
タンに非接触ICモジュールを構成し得る電子部品を実
装してインサート部品とした後に、該インサート部品を
金型に挿入してから射出成形するために、ガラス繊維で
強化されたガラスエポキシ樹脂基板によって、機械的強
度が優れたカードとなる。また、樹脂基板で形成された
凹部により、非接触ICモジュールの装着時の位置決め
が確実となり、凹部周囲の枠部分によりカードの機械的
強度も強くなる。
【0010】また、本発明の非接触ICカードの製造方
法では、非接触ICモジュールに対して直接に射出成形
せず、予めガラスエポキシ樹脂基板で形成された凹部に
非接触ICモジュールを装着して、或いはガラスエポキ
シ樹脂基板の導電パターンに非接触ICモジュールを構
成し得る電子部品を実装してインサート部品とした後
に、該インサート部品を金型に挿入してから射出成形す
るために、ガラス繊維で強化されたガラスエポキシ樹脂
基板によって、機械的強度が向上したカードが得られ
る。また、樹脂基板で形成された凹部により、非接触I
Cモジュールの装着時の位置決めが確実となり、凹部周
囲の枠部分により機械的強度の強いカードとなる。
法では、非接触ICモジュールに対して直接に射出成形
せず、予めガラスエポキシ樹脂基板で形成された凹部に
非接触ICモジュールを装着して、或いはガラスエポキ
シ樹脂基板の導電パターンに非接触ICモジュールを構
成し得る電子部品を実装してインサート部品とした後
に、該インサート部品を金型に挿入してから射出成形す
るために、ガラス繊維で強化されたガラスエポキシ樹脂
基板によって、機械的強度が向上したカードが得られ
る。また、樹脂基板で形成された凹部により、非接触I
Cモジュールの装着時の位置決めが確実となり、凹部周
囲の枠部分により機械的強度の強いカードとなる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の非接触ICカード及びその製
造方法の実施例について図面を参照しながら詳述する。
造方法の実施例について図面を参照しながら詳述する。
【0012】本発明では、非接触ICモジュールを直接
に射出成形の金型に挿入せずに、一旦、ガラスエポキシ
樹脂基板に装着後に挿入する点に主たる特徴がある、さ
らに、挿入された後に、装着された非接触ICモジュー
ルを射出成形時の熱圧で破損しない様な方法で射出成形
する点にも特徴がある。そして、後者の射出成形方法と
しては、後述するような低圧射出成形法により行うもの
である。
に射出成形の金型に挿入せずに、一旦、ガラスエポキシ
樹脂基板に装着後に挿入する点に主たる特徴がある、さ
らに、挿入された後に、装着された非接触ICモジュー
ルを射出成形時の熱圧で破損しない様な方法で射出成形
する点にも特徴がある。そして、後者の射出成形方法と
しては、後述するような低圧射出成形法により行うもの
である。
【0013】先ず、図1は、本発明の非接触ICカード
の製造方法の一実施例を説明する概略工程図である。ま
た、図2は、本発明の非接触ICカードの製造方法の流
れを説明するフロー図である。以下、図1及び図2を参
照しながら、さらに本発明による製造方法を詳述する。
の製造方法の一実施例を説明する概略工程図である。ま
た、図2は、本発明の非接触ICカードの製造方法の流
れを説明するフロー図である。以下、図1及び図2を参
照しながら、さらに本発明による製造方法を詳述する。
【0014】先ず、最初は凹部を有するガラスエポキシ
樹脂基板を熱プレスによって製造する工程である(図2
のステップS1)。これには、図1(a)に示す、ベー
ス材51と枠材52の二つの完全硬化前のガラスエポキ
シ樹脂基板を、図1(b)の如くプレス板54a及び5
4bを用いて熱プレス成形により一体化して、図1
(c)に示す様な内部に凹部を有するガラスエポキシ樹
脂基板5を製造する。なお、図1(b)〜(g)では断
面図で工程を示すが、図1(a)では枠材52の斜視図
も示しておく。また枠材52は、打ち抜き加工等により
形成する。ガラスエポキシ樹脂基板の完全硬化前のもの
としては、例えば、半硬化状態のガラスエポキシ樹脂基
板を用いれば良い。そして、加熱プレスの際には、凹部
53に対応した形状を有するプレス板54a及びプレス
54bとを用いガラスエポキシ樹脂基板51と52とを
熱圧により硬化、密着させる。
樹脂基板を熱プレスによって製造する工程である(図2
のステップS1)。これには、図1(a)に示す、ベー
ス材51と枠材52の二つの完全硬化前のガラスエポキ
シ樹脂基板を、図1(b)の如くプレス板54a及び5
4bを用いて熱プレス成形により一体化して、図1
(c)に示す様な内部に凹部を有するガラスエポキシ樹
脂基板5を製造する。なお、図1(b)〜(g)では断
面図で工程を示すが、図1(a)では枠材52の斜視図
も示しておく。また枠材52は、打ち抜き加工等により
形成する。ガラスエポキシ樹脂基板の完全硬化前のもの
としては、例えば、半硬化状態のガラスエポキシ樹脂基
板を用いれば良い。そして、加熱プレスの際には、凹部
53に対応した形状を有するプレス板54a及びプレス
54bとを用いガラスエポキシ樹脂基板51と52とを
熱圧により硬化、密着させる。
【0015】また、ガラスエポキシ樹脂基板5を凹部5
3を有する形状とする理由は、凹部53を設けないで、
ベース材51のみで該ベース材51上に非接触ICモジ
ュールを載置してもよいが、凹部53を設けることによ
って、非接触ICモジュールの位置決めを確実に行い、
成形時に金型内に流入する樹脂によって非接触ICモジ
ュールが動いて金型と接触することを防止できるからで
ある。また、ベース材51でもかなりの機械的強度が得
られるが、枠材52の併用により、より強度の強いカー
ドが得られる。
3を有する形状とする理由は、凹部53を設けないで、
ベース材51のみで該ベース材51上に非接触ICモジ
ュールを載置してもよいが、凹部53を設けることによ
って、非接触ICモジュールの位置決めを確実に行い、
成形時に金型内に流入する樹脂によって非接触ICモジ
ュールが動いて金型と接触することを防止できるからで
ある。また、ベース材51でもかなりの機械的強度が得
られるが、枠材52の併用により、より強度の強いカー
ドが得られる。
【0016】なお、ガラスエポキシ樹脂基板の枠材52
の厚み(高さ)は、非接触ICモジュールに実装されて
いる電子部品4の高さとの関係、及び金型内に流入する
エポキシ樹脂の流動性の観点観点から電子部品4の高さ
よりも厚い(高い)ことが好ましい。電子部品の高さが
通常0.5〜0.6mm程度なので、枠材52は同等又
はこれよりも厚くする。なお、ベース材51となるガラ
スエポキシ樹脂基板の厚みは、最終的なカードとしての
機械的強度を得る点から、通常は、0.1〜0.2mm
程度とする。薄すぎると充分な機械的強度が得られな
い。
の厚み(高さ)は、非接触ICモジュールに実装されて
いる電子部品4の高さとの関係、及び金型内に流入する
エポキシ樹脂の流動性の観点観点から電子部品4の高さ
よりも厚い(高い)ことが好ましい。電子部品の高さが
通常0.5〜0.6mm程度なので、枠材52は同等又
はこれよりも厚くする。なお、ベース材51となるガラ
スエポキシ樹脂基板の厚みは、最終的なカードとしての
機械的強度を得る点から、通常は、0.1〜0.2mm
程度とする。薄すぎると充分な機械的強度が得られな
い。
【0017】また、本発明ではガラスエポキシ樹脂基板
5が機械的強度に機能するために、非接触ICモジュー
ルを構成するプリント基板としてフレキシブルプリント
基板を用いることもでき、プレキシブルプリント基板を
使用すれば薄型カードとして、有利である。
5が機械的強度に機能するために、非接触ICモジュー
ルを構成するプリント基板としてフレキシブルプリント
基板を用いることもでき、プレキシブルプリント基板を
使用すれば薄型カードとして、有利である。
【0018】そして、図1(d)に示す如く、このガラ
スエポキシ樹脂基板5の凹部53に、非接触ICモジュ
ール20を装着してインサート部品30とする(図2の
ステップS2)。なお、非接触ICモジュール20は、
プリント基板上に、IC、コンデンサ、コイルアンテナ
等の電子部品を実装したものである。
スエポキシ樹脂基板5の凹部53に、非接触ICモジュ
ール20を装着してインサート部品30とする(図2の
ステップS2)。なお、非接触ICモジュール20は、
プリント基板上に、IC、コンデンサ、コイルアンテナ
等の電子部品を実装したものである。
【0019】次に、図1(d)のインサート部品30を
図1(e)の如く、76a及び76bで示される射出成
形金型の内部に配置する(ステップS3)。そして、図
1(f)の如く金型内に液状の樹脂を注入して射出成形
することで、インサート部品30は、射出樹脂8で封止
され、且つカードとしての成型体が得られる(ステップ
S4)。
図1(e)の如く、76a及び76bで示される射出成
形金型の内部に配置する(ステップS3)。そして、図
1(f)の如く金型内に液状の樹脂を注入して射出成形
することで、インサート部品30は、射出樹脂8で封止
され、且つカードとしての成型体が得られる(ステップ
S4)。
【0020】上記の様にして得られた成形体は、片面は
ガラスエポキシ樹脂基板5が露出し、片面は射出成形樹
脂表面であり、このままも使用できるが、見栄えが悪い
ので、通常は、さらに図1(g)の如く、得られた成形
物の表裏にシルクスクリーン印刷等の印刷手段により表
面化粧や所望の文字、図形等の情報を印刷した表面仕上
層6を設けて(ステップS5)、本発明の非接触ICカ
ード1とする。
ガラスエポキシ樹脂基板5が露出し、片面は射出成形樹
脂表面であり、このままも使用できるが、見栄えが悪い
ので、通常は、さらに図1(g)の如く、得られた成形
物の表裏にシルクスクリーン印刷等の印刷手段により表
面化粧や所望の文字、図形等の情報を印刷した表面仕上
層6を設けて(ステップS5)、本発明の非接触ICカ
ード1とする。
【0021】次に、本発明の第2の特徴でもある、低圧
射出成形方法について説明する。
射出成形方法について説明する。
【0022】本発明の非接触ICカードの製造方法で用
いる低圧射出成形法においては、真空にできる金型を用
い、また、該金型に注入する樹脂として液状の硬化性樹
脂原料を用いることに特徴がある。樹脂原料としては特
に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂を用いた製造方
法の具体例として、長瀬チバ株式会社より「RDCP」
(登録商標)(Rapid Demolding Ca
sting Process)、別名、「液状エポキシ
樹脂による低圧液状射出成形法」なる名称で販売されて
いる装置及び原料を使用した低圧射出成形法が使用でき
る。
いる低圧射出成形法においては、真空にできる金型を用
い、また、該金型に注入する樹脂として液状の硬化性樹
脂原料を用いることに特徴がある。樹脂原料としては特
に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂を用いた製造方
法の具体例として、長瀬チバ株式会社より「RDCP」
(登録商標)(Rapid Demolding Ca
sting Process)、別名、「液状エポキシ
樹脂による低圧液状射出成形法」なる名称で販売されて
いる装置及び原料を使用した低圧射出成形法が使用でき
る。
【0023】そして、図3は、係る低圧射出成形法の一
連のシステムの一例を示す概略構成図である。同図の如
く、液状の硬化性樹脂原料であるエポキシ樹脂の主剤成
分は樹脂タンク71aに貯蔵し、硬化剤成分は樹脂タン
ク71bに貯蔵しておく。エポキシ樹脂の主剤及び硬化
剤はポンプ72によって所定量計量され樹脂タンク71
a及び71bからミキサー73に送られる。ミキサー7
3で主剤及び硬化剤は均一に混合される。ミキサー73
で混合された後、エポキシ樹脂は射出ノズル75に送ら
れ、金型内に注入される。金型は上部金型76a及び下
部金型76bで構成され、下部金型76bに非接触IC
モジュールを有するインサート部品30が載置される。
金型76aには真空ポンプ77が接続され、真空ポンプ
77は金型が閉じた後に金型内部を真空にする。そし
て、液状の硬化性樹脂原料としてミキサー73で混合さ
れたエポキシ樹脂の主剤及び硬化剤が射出ノズル75か
ら金型内に注入され、射出ノズル75に接続された空気
圧縮機74により樹脂は加圧される。
連のシステムの一例を示す概略構成図である。同図の如
く、液状の硬化性樹脂原料であるエポキシ樹脂の主剤成
分は樹脂タンク71aに貯蔵し、硬化剤成分は樹脂タン
ク71bに貯蔵しておく。エポキシ樹脂の主剤及び硬化
剤はポンプ72によって所定量計量され樹脂タンク71
a及び71bからミキサー73に送られる。ミキサー7
3で主剤及び硬化剤は均一に混合される。ミキサー73
で混合された後、エポキシ樹脂は射出ノズル75に送ら
れ、金型内に注入される。金型は上部金型76a及び下
部金型76bで構成され、下部金型76bに非接触IC
モジュールを有するインサート部品30が載置される。
金型76aには真空ポンプ77が接続され、真空ポンプ
77は金型が閉じた後に金型内部を真空にする。そし
て、液状の硬化性樹脂原料としてミキサー73で混合さ
れたエポキシ樹脂の主剤及び硬化剤が射出ノズル75か
ら金型内に注入され、射出ノズル75に接続された空気
圧縮機74により樹脂は加圧される。
【0024】次に、上記低圧射出成形方法による射出成
形工程部分について、図1及び図3、そして、図5の射
出成形工程の流れを示すフロー図を参照しながら、詳述
する。
形工程部分について、図1及び図3、そして、図5の射
出成形工程の流れを示すフロー図を参照しながら、詳述
する。
【0025】低圧射出成形工程の最初は、先ず、金型を
成形温度に予熱しておく(図5のステップS11)。予
熱温度は通常130〜140℃程度である。そして、金
型のパーティング面に離型剤を塗布する(ステップS1
2)。次に、図1(e)の如くインサート部品30を下
部金型76bに載置する(ステップS13)。なお、イ
ンサート部品も80〜120℃程度に予熱しておく。そ
して、上部金型76aと下部金型76bとを型締めを行
う(ステップS14)。型締め後、金型内を真空にす
る。真空時間は10〜30秒程度で、真空度は1Tor
r程度まで行う(ステップS15)。金型内を真空にす
る工程と平行して、或いは真空にした後、所定量の硬化
性樹脂を計量し、混合する(ステップS16)。そし
て、射出ノズルから真空の金型内に液状の硬化性樹脂を
射出する(ステップS17)。射出圧力は通常3〜7k
g/cm2 程度で、射出・保圧時間は150〜200秒
程度で完了する。この状態が図1(f)である。
成形温度に予熱しておく(図5のステップS11)。予
熱温度は通常130〜140℃程度である。そして、金
型のパーティング面に離型剤を塗布する(ステップS1
2)。次に、図1(e)の如くインサート部品30を下
部金型76bに載置する(ステップS13)。なお、イ
ンサート部品も80〜120℃程度に予熱しておく。そ
して、上部金型76aと下部金型76bとを型締めを行
う(ステップS14)。型締め後、金型内を真空にす
る。真空時間は10〜30秒程度で、真空度は1Tor
r程度まで行う(ステップS15)。金型内を真空にす
る工程と平行して、或いは真空にした後、所定量の硬化
性樹脂を計量し、混合する(ステップS16)。そし
て、射出ノズルから真空の金型内に液状の硬化性樹脂を
射出する(ステップS17)。射出圧力は通常3〜7k
g/cm2 程度で、射出・保圧時間は150〜200秒
程度で完了する。この状態が図1(f)である。
【0026】そして、脱型が可能な強度が得られるまで
樹脂の硬化が進行した後に型開きし(ステップS1
8)、成形体を取出す(ステップS19)。なお、金型
の型締めから型開き迄の脱型時間は通常240〜300
秒程度である。次いで、後硬化工程として、樹脂を所定
温度で所定時間加熱して完全に硬化させる(ステップS
20)。
樹脂の硬化が進行した後に型開きし(ステップS1
8)、成形体を取出す(ステップS19)。なお、金型
の型締めから型開き迄の脱型時間は通常240〜300
秒程度である。次いで、後硬化工程として、樹脂を所定
温度で所定時間加熱して完全に硬化させる(ステップS
20)。
【0027】そして、図4はこのようにして得られる非
接触ICカード1の内部の回路部品等の主要なものの配
置を透視した見た透視図であり、カード1の周縁部には
ガラスエポキシ樹脂基板からなる枠材52、枠材52の
内側にIC41、コンデンサ42及びコイル43が実装
されたプリント基板3が配置された状態を示す。
接触ICカード1の内部の回路部品等の主要なものの配
置を透視した見た透視図であり、カード1の周縁部には
ガラスエポキシ樹脂基板からなる枠材52、枠材52の
内側にIC41、コンデンサ42及びコイル43が実装
されたプリント基板3が配置された状態を示す。
【0028】なお、上記の実施例では、液状の硬化性樹
脂原料として、常温で液状の熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂を用いたが、いわゆる射出成形や後述するトラン
スファ成形等の高温の溶融樹脂を用いる方法と比較し
て、インサート部品が熱損傷を受けない程度の成形温度
であれば良いのであるから、例えば常温では固体だが4
0〜50℃程度と比較的低温で液状となるものでも構わ
ない。この意味で、本発明でいう「液状」とは常温では
固体だが比較低温で液状となるものも包含する。但し、
常温で固体の場合は、金型に至るまでの樹脂の供給系、
すなわち、樹脂タンク、ポンプ、ミキサー、射出ノズル
等は樹脂が液状化する所望の温度まで樹脂を加熱できる
ヒータ等の加熱手段を備えた装置としておくことは必要
である。
脂原料として、常温で液状の熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂を用いたが、いわゆる射出成形や後述するトラン
スファ成形等の高温の溶融樹脂を用いる方法と比較し
て、インサート部品が熱損傷を受けない程度の成形温度
であれば良いのであるから、例えば常温では固体だが4
0〜50℃程度と比較的低温で液状となるものでも構わ
ない。この意味で、本発明でいう「液状」とは常温では
固体だが比較低温で液状となるものも包含する。但し、
常温で固体の場合は、金型に至るまでの樹脂の供給系、
すなわち、樹脂タンク、ポンプ、ミキサー、射出ノズル
等は樹脂が液状化する所望の温度まで樹脂を加熱できる
ヒータ等の加熱手段を備えた装置としておくことは必要
である。
【0029】上述した実施例では、プリント基板に電子
部品を実装後の非接触ICモジュール20をガラスエポ
キシ樹脂基板5に載置してインサート部品30として、
これを金型内に挿入して射出成形した。本発明の他の実
施例では、非接触ICモジュールを構成し得る電子部品
を、ガラスエポキシ樹脂基板に形成された導電パターン
に実装してインサート部品として、該インサート部品を
金型内に挿入してもよい。
部品を実装後の非接触ICモジュール20をガラスエポ
キシ樹脂基板5に載置してインサート部品30として、
これを金型内に挿入して射出成形した。本発明の他の実
施例では、非接触ICモジュールを構成し得る電子部品
を、ガラスエポキシ樹脂基板に形成された導電パターン
に実装してインサート部品として、該インサート部品を
金型内に挿入してもよい。
【0030】すなわち、図6に示す様に、図6(a)
は、ガラスエポキシ樹脂基板の枠材52と、導電ペース
トにより印刷形成された導電パターン56を有するベー
ス材51とを示す。そして、このベース材51と枠材5
2とを上述と同様にして熱プレスにより一体化して、図
6(b)に示す、凹部53内に導電パータン56を有す
るガラスエポキシ樹脂基板5とする。次いで、導電パタ
ーン56に、非接触ICモジュールを構成し得る、I
C、コンデンサ、アンテナ等の電子部品4を実装して、
図6(c)に示すインサート部品30とする。そして、
インサート部品30を前記同様に射出成形して電子部品
4を射出樹脂8で封止し、且つ成形体とした後、表裏に
表面仕上層6を印刷形成すれば、図6(d)に示す本発
明の非接触ICカードが得られる。
は、ガラスエポキシ樹脂基板の枠材52と、導電ペース
トにより印刷形成された導電パターン56を有するベー
ス材51とを示す。そして、このベース材51と枠材5
2とを上述と同様にして熱プレスにより一体化して、図
6(b)に示す、凹部53内に導電パータン56を有す
るガラスエポキシ樹脂基板5とする。次いで、導電パタ
ーン56に、非接触ICモジュールを構成し得る、I
C、コンデンサ、アンテナ等の電子部品4を実装して、
図6(c)に示すインサート部品30とする。そして、
インサート部品30を前記同様に射出成形して電子部品
4を射出樹脂8で封止し、且つ成形体とした後、表裏に
表面仕上層6を印刷形成すれば、図6(d)に示す本発
明の非接触ICカードが得られる。
【0031】ところで、本発明の製造方法で行う回路部
品の封止を兼ねた射出成形方法としては、特定の低圧射
出成形方法が好ましいが、このような低圧射出成形方法
を採用する利点について説明する。
品の封止を兼ねた射出成形方法としては、特定の低圧射
出成形方法が好ましいが、このような低圧射出成形方法
を採用する利点について説明する。
【0032】樹脂原料として液状の物質を電子部品の封
止に用いる方法としては、従来技術の欄で説明した様に
液状エポキシ樹脂を流し込む、いわゆる、ポッティング
法が良く知られており、また、金型を用いてインサート
された電子部品や回路を溶融樹脂で樹脂封止する方法と
しては、トランスファ成形法が良く知られている。そこ
で、これら2方法の問題点と対比させつつ、本発明で行
う低圧射出成形方法の利点についてさらに説明する。
止に用いる方法としては、従来技術の欄で説明した様に
液状エポキシ樹脂を流し込む、いわゆる、ポッティング
法が良く知られており、また、金型を用いてインサート
された電子部品や回路を溶融樹脂で樹脂封止する方法と
しては、トランスファ成形法が良く知られている。そこ
で、これら2方法の問題点と対比させつつ、本発明で行
う低圧射出成形方法の利点についてさらに説明する。
【0033】先ず、ポッテング法では、以下のような問
題点がある。通常エポキシ樹脂を使用するが、樹脂硬化
に長時間を必要とし生産性が悪い。また、樹脂原料中に
含有させる充填剤が沈降して不均一となり、ヒートサイ
クル性能が低下する。充填剤の含有量を多くできない。
大気中の湿度の影響を受けやすい。このような点から、
封止したままの形状で使用することはなく、封止物は必
ずケースで囲うことが必要である上、封止物の表面をそ
のままカード表面として使用することもできず、薄型の
非接触ICカードとして適していない。
題点がある。通常エポキシ樹脂を使用するが、樹脂硬化
に長時間を必要とし生産性が悪い。また、樹脂原料中に
含有させる充填剤が沈降して不均一となり、ヒートサイ
クル性能が低下する。充填剤の含有量を多くできない。
大気中の湿度の影響を受けやすい。このような点から、
封止したままの形状で使用することはなく、封止物は必
ずケースで囲うことが必要である上、封止物の表面をそ
のままカード表面として使用することもできず、薄型の
非接触ICカードとして適していない。
【0034】次に、トランスファ成形法では、以下のよ
うな問題点がある。常温で固形の樹脂原料を直前に融解
してから金型内に射出成形する方法であるために、成形
温度が高く(150℃以上)、また成形圧力も高い(5
0〜200kg/cm2 )。この高温、高圧で部品が損
傷する恐れがある。また、細かい空隙、例えば、コイル
部品の線間に樹脂原料が進入しない。従って、形状の複
雑な部品等では成形不良が発生し易い。熱圧を利用する
ため含浸処理工程への適用が不可能である。樹脂原料を
保管するのに冷蔵室が必要で工程管理上も面倒で、材料
組成面でも選択の自由度が狭い。
うな問題点がある。常温で固形の樹脂原料を直前に融解
してから金型内に射出成形する方法であるために、成形
温度が高く(150℃以上)、また成形圧力も高い(5
0〜200kg/cm2 )。この高温、高圧で部品が損
傷する恐れがある。また、細かい空隙、例えば、コイル
部品の線間に樹脂原料が進入しない。従って、形状の複
雑な部品等では成形不良が発生し易い。熱圧を利用する
ため含浸処理工程への適用が不可能である。樹脂原料を
保管するのに冷蔵室が必要で工程管理上も面倒で、材料
組成面でも選択の自由度が狭い。
【0035】以上の様に、従来より電子部品の封止方法
として良く知られているポッティング法及び成形もでき
るトランスファ成形法には、各種問題点があり、そこ
で、非接触ICモジュールに対して樹脂で封止し且つ所
定の形状とする成形を行うのは難しい。
として良く知られているポッティング法及び成形もでき
るトランスファ成形法には、各種問題点があり、そこ
で、非接触ICモジュールに対して樹脂で封止し且つ所
定の形状とする成形を行うのは難しい。
【0036】これに対して、本発明の非接触ICカード
の製造方法では、上述のように液状の樹脂原料を金型内
に注入する方法とするために、樹脂封止技術ではある
が、前記方法による各種難点を解消した成形方法とな
る。
の製造方法では、上述のように液状の樹脂原料を金型内
に注入する方法とするために、樹脂封止技術ではある
が、前記方法による各種難点を解消した成形方法とな
る。
【0037】すなわち、本発明が用いる低圧射出成形法
によれば、樹脂原料として液状の硬化性樹脂原料を使用
する点、及び樹脂を注入する前に型内を真空にしておく
点等によって次の様な利点が得られるものである。先
ず、高圧が不要であり(射出圧力は2〜7kg/cm2
程度)、温度も低温で良い(金型温度は130〜160
℃程度)液状真空射出成形であるために細かい空隙まで
樹脂原料を進入し、コイル部品等も含浸できる。部品の
損傷が少ない。従って、樹脂の硬化時間が短縮できる。
材料組成面での選択の自由度が大きい。充填剤の含有量
を多くしても成形できる。従って、得られる成形品の性
能は樹脂原料を選定することによって熱衝撃性や難燃性
等も改善でき、また、大気中の湿度の影響を受けにく
い。そして、ガラスエポキシ樹脂基板との併用による硬
化性樹脂による成形品そのものがカードとしての性能を
満足するので、封止、カード成形を一工程ででき、別
途、樹脂の成形体を製造しその中に非接触ICモジュー
ルを装着する方法にくらべて製造工程も簡略である。
によれば、樹脂原料として液状の硬化性樹脂原料を使用
する点、及び樹脂を注入する前に型内を真空にしておく
点等によって次の様な利点が得られるものである。先
ず、高圧が不要であり(射出圧力は2〜7kg/cm2
程度)、温度も低温で良い(金型温度は130〜160
℃程度)液状真空射出成形であるために細かい空隙まで
樹脂原料を進入し、コイル部品等も含浸できる。部品の
損傷が少ない。従って、樹脂の硬化時間が短縮できる。
材料組成面での選択の自由度が大きい。充填剤の含有量
を多くしても成形できる。従って、得られる成形品の性
能は樹脂原料を選定することによって熱衝撃性や難燃性
等も改善でき、また、大気中の湿度の影響を受けにく
い。そして、ガラスエポキシ樹脂基板との併用による硬
化性樹脂による成形品そのものがカードとしての性能を
満足するので、封止、カード成形を一工程ででき、別
途、樹脂の成形体を製造しその中に非接触ICモジュー
ルを装着する方法にくらべて製造工程も簡略である。
【0038】以上、常温で液状の熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂を具体例として説明してきたが、このような
エポキシ樹脂とてしは、前記長瀬チバ株式会社より販売
されているエポキシ樹脂(例えば、主剤XNR−820
5及び硬化剤XNH−8205)等により優れた物性の
非接触ICカードが得られる。しかし、本発明はこれら
エポキシ樹脂に限定されるものではなく、その他、液状
の硬化性樹脂で、樹脂封止を満足し、且つ結果として得
られる成形物がカードとしての要求物性を具備する樹脂
原料であれば良く、また、硬化手段は熱に限定されるも
のではなく、熱と熱以外の手段との併用であっても良
い。
ポキシ樹脂を具体例として説明してきたが、このような
エポキシ樹脂とてしは、前記長瀬チバ株式会社より販売
されているエポキシ樹脂(例えば、主剤XNR−820
5及び硬化剤XNH−8205)等により優れた物性の
非接触ICカードが得られる。しかし、本発明はこれら
エポキシ樹脂に限定されるものではなく、その他、液状
の硬化性樹脂で、樹脂封止を満足し、且つ結果として得
られる成形物がカードとしての要求物性を具備する樹脂
原料であれば良く、また、硬化手段は熱に限定されるも
のではなく、熱と熱以外の手段との併用であっても良
い。
【0039】なお、非接触ICカードには、液晶表示素
子や、高分子/脂肪酸複合膜による可逆表示素子等の表
示素子を組み込んでおき、表示機能付きとしても良い。
子や、高分子/脂肪酸複合膜による可逆表示素子等の表
示素子を組み込んでおき、表示機能付きとしても良い。
【0040】
【発明の効果】本発明の非接触ICカードでは、内部の
ガラス繊維強化されたガラスエポキシ樹脂により、薄型
であっても機械的強度に優れる。また、特定の低圧射出
成形法を利用しているために、内部の電子部品等の損傷
の恐れもなく、信頼性の高い非接触ICカードとなる。
また、導電パターンを形成したガラスエポキシ樹脂の基
板に直接電子部品を実装した場合には、予め非接触IC
モジュールとして組み立てる必要がなく、より薄型のカ
ードが得られる。本発明の非接触ICカードの製造方法
では、上記の様な優れた性能の非接触ICカードが容易
に得られる。
ガラス繊維強化されたガラスエポキシ樹脂により、薄型
であっても機械的強度に優れる。また、特定の低圧射出
成形法を利用しているために、内部の電子部品等の損傷
の恐れもなく、信頼性の高い非接触ICカードとなる。
また、導電パターンを形成したガラスエポキシ樹脂の基
板に直接電子部品を実装した場合には、予め非接触IC
モジュールとして組み立てる必要がなく、より薄型のカ
ードが得られる。本発明の非接触ICカードの製造方法
では、上記の様な優れた性能の非接触ICカードが容易
に得られる。
【図1】本発明の非接触ICカードの製造方法の一実施
例の工程説明図。
例の工程説明図。
【図2】本発明の製造方法を説明するフロー図。
【図3】本発明の製造方法の一実施例の低圧射出成形法
のシステムの概略構成図。
のシステムの概略構成図。
【図4】本発明の非接触ICカードの内部を説明する透
視図。
視図。
【図5】本発明の製造方法の内の射出成形工程を説明す
るフロー図。
るフロー図。
【図6】本発明の非接触ICカードの製造方法の他の実
施例の工程説明図。
施例の工程説明図。
1 非接触ICカード 20 非接触ICモジュール 30 インサート部品 3 プリント基板 4 回路部品 41 IC 42 コンデンサ 43 コイル 44 エポキシ樹脂 5 ガラスエポキシ樹脂基板 51 同ベース材 52 同枠材 53 凹部 54a プレス板 55b プレス板 56 導電パターン 6 表面仕上層 71a 樹脂タンク(主剤) 71b 樹脂タンク(硬化剤) 72 ポンプ 73 ミキサー 74 空気圧縮機 75 射出ノズル 76a,76c 上部金型 77 真空ポンプ 8 射出樹脂
Claims (4)
- 【請求項1】 非接触ICモジュールが、ガラスエポキ
シ樹脂基板で形成される凹部内に載置されているインサ
ート部品を、金型内に載置した後、金型を閉じ、金型内
を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金型内に注入
し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法により製造
したことを特徴とする非接触ICカード。 - 【請求項2】 非接触ICモジュールを構成し得る電子
部品が、ガラスエポキシ樹脂基板で形成される凹部内の
導電パターンに実装されているインサート部品を、金型
内に載置した後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、
液状の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を
硬化させる低圧射出成形法により製造したことを特徴と
する非接触ICカード。 - 【請求項3】 非接触ICモジュールを、ガラスエポキ
シ樹脂基板で形成される凹部内に載置してインサート部
品とし、該インサートを金型内に載置した後、金型を閉
じ、金型内を真空にした後、液状の硬化性樹脂原料を金
型内に注入し、該樹脂原料を硬化させる低圧射出成形法
により製造することを特徴とする非接触ICカードの製
造方法。 - 【請求項4】 非接触ICモジュールを構成し得る電子
部品が、ガラスエポキシ樹脂基板で形成される凹部内の
導電パターンに実装されているインサート部品を、金型
内に載置した後、金型を閉じ、金型内を真空にした後、
液状の硬化性樹脂原料を金型内に注入し、該樹脂原料を
硬化させる低圧射出成形法により製造することを特徴と
する非接触ICカードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104620A JPH08276459A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 非接触icカード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104620A JPH08276459A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 非接触icカード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08276459A true JPH08276459A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=14385494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7104620A Withdrawn JPH08276459A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 非接触icカード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08276459A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH1024685A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード及びその製造方法 |
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| USD948613S1 (en) | 2020-04-27 | 2022-04-12 | Composecure, Llc | Layer of a transaction card |
| US11618191B2 (en) | 2016-07-27 | 2023-04-04 | Composecure, Llc | DI metal transaction devices and processes for the manufacture thereof |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP7104620A patent/JPH08276459A/ja not_active Withdrawn
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