JPH08278627A - 位相シフトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクの欠陥修正方法Info
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- JPH08278627A JPH08278627A JP8273395A JP8273395A JPH08278627A JP H08278627 A JPH08278627 A JP H08278627A JP 8273395 A JP8273395 A JP 8273395A JP 8273395 A JP8273395 A JP 8273395A JP H08278627 A JPH08278627 A JP H08278627A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクの欠落欠陥及び余剰欠陥を
簡単な工程で比較的安価な設備によって修正する。 【構成】 材料ガス５としてＳｉＨ4 及びＯ2 ガスを欠
落欠陥部４ａに吹き付けながら集光された赤外光域のレ
ーザ光６を欠落欠陥部４ａに照射し、ＳｉＯ2 膜を堆積
させる。これによって、欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜
が堆積して堆積部７ａが形成され、欠落欠陥部４ａが修
正される。このような修正された堆積部７ａはその後の
位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がなく、実際のウ
ェハー上への転写もされない。
簡単な工程で比較的安価な設備によって修正する。 【構成】 材料ガス５としてＳｉＨ4 及びＯ2 ガスを欠
落欠陥部４ａに吹き付けながら集光された赤外光域のレ
ーザ光６を欠落欠陥部４ａに照射し、ＳｉＯ2 膜を堆積
させる。これによって、欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜
が堆積して堆積部７ａが形成され、欠落欠陥部４ａが修
正される。このような修正された堆積部７ａはその後の
位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がなく、実際のウ
ェハー上への転写もされない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などのパター
ン形成に用いられる位相シフトマスクの欠陥修正方法に
関する。
ン形成に用いられる位相シフトマスクの欠陥修正方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際、微細パターン形
成の為のフォトリソグラフィ工程に使用されるフォトマ
スクの一つに位相シフトマスクがある。位相シフトマス
クは透過する光に位相差を持たせることで光強度プロフ
ァイルを改善し、通常のフォトマスクに比べ解像度およ
び焦点深度を向上させるものである。
成の為のフォトリソグラフィ工程に使用されるフォトマ
スクの一つに位相シフトマスクがある。位相シフトマス
クは透過する光に位相差を持たせることで光強度プロフ
ァイルを改善し、通常のフォトマスクに比べ解像度およ
び焦点深度を向上させるものである。
【０００３】この位相シフトマスクは上記のように位相
差を持たせるためのシフターとしてＳＯＧ（スピンオン
グラス）の塗布や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の成膜
あるいはガラス基板の掘り込みが新たに必要となる。
差を持たせるためのシフターとしてＳＯＧ（スピンオン
グラス）の塗布や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の成膜
あるいはガラス基板の掘り込みが新たに必要となる。
【０００４】当然のことながら製造プロセスとしては従
来のフォトマスク材料であるクロム（Ｃｒ）のパターニ
ングの他に上記シフターの加工が加わるため、それに伴
ってシフターの欠陥が発生する可能性がある。またこの
シフター欠陥は、通常Ｃｒ欠陥に比べてウェハー上に転
写され易いことからその修正技術は必須である。
来のフォトマスク材料であるクロム（Ｃｒ）のパターニ
ングの他に上記シフターの加工が加わるため、それに伴
ってシフターの欠陥が発生する可能性がある。またこの
シフター欠陥は、通常Ｃｒ欠陥に比べてウェハー上に転
写され易いことからその修正技術は必須である。
【０００５】これまで提案されている修正方法として例
えば、第１の例として特開平３−２５９１４７号公報に
示すようにあらかじめ補助シフタ層を設けておく方法、
第２の例として特開平４−２６８４６号公報に示すよう
にＦｉｂを用いる方法、第３の例として特開平５−１３
４３９５号公報に示すように光ＣＶＤ（気相成長法）に
よる方法等がある。
えば、第１の例として特開平３−２５９１４７号公報に
示すようにあらかじめ補助シフタ層を設けておく方法、
第２の例として特開平４−２６８４６号公報に示すよう
にＦｉｂを用いる方法、第３の例として特開平５−１３
４３９５号公報に示すように光ＣＶＤ（気相成長法）に
よる方法等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第１の修正方
法では修正工程が複雑で新たに欠陥が発生する可能性が
ある。
法では修正工程が複雑で新たに欠陥が発生する可能性が
ある。
【０００７】また、第２の修正方法では加工面がイオン
ビームによるダメージを受ける危険性が高い。さらに、
第３の修正方法では修正時に加熱が必要であり、かつ高
価なエキシマレーザを使わなければならない。
ビームによるダメージを受ける危険性が高い。さらに、
第３の修正方法では修正時に加熱が必要であり、かつ高
価なエキシマレーザを使わなければならない。
【０００８】本発明は以上のような背景からなされたも
ので、位相シフトマスクの欠落欠陥及び余剰欠陥を簡単
な工程で比較的安価な設備によって修正する位相シフト
マスクの欠陥修正方法を提供することを目的とする。
ので、位相シフトマスクの欠落欠陥及び余剰欠陥を簡単
な工程で比較的安価な設備によって修正する位相シフト
マスクの欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、マスク基板上に所定のシフタ層が形成され
た位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修正
する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、前記欠
落欠陥部に前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を生成
する材料ガスを噴射すると共に、赤外光域のレーザ光を
照射し、前記物質を前記欠落欠陥部に堆積させて前記欠
落欠陥部を修正することを特徴とする位相シフトマスク
の欠陥修正方法が提供される。
するために、マスク基板上に所定のシフタ層が形成され
た位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修正
する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、前記欠
落欠陥部に前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を生成
する材料ガスを噴射すると共に、赤外光域のレーザ光を
照射し、前記物質を前記欠落欠陥部に堆積させて前記欠
落欠陥部を修正することを特徴とする位相シフトマスク
の欠陥修正方法が提供される。
【００１０】また、マスク基板上に所定のシフタ層が形
成された位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部
を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、
前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記欠落欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記欠落欠陥部に堆積させ、前記欠落欠
陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーション法を
用いて、前記欠落欠陥部を修正することを特徴とする位
相シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
成された位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部
を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、
前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記欠落欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記欠落欠陥部に堆積させ、前記欠落欠
陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーション法を
用いて、前記欠落欠陥部を修正することを特徴とする位
相シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
【００１１】さらに、マスク基板上に所定のシフタ層が
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記欠落欠陥部のエッジに赤外光域のレーザ光を照
射し、前記エッジを滑らかにすることを特徴とする位相
シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記欠落欠陥部のエッジに赤外光域のレーザ光を照
射し、前記エッジを滑らかにすることを特徴とする位相
シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
【００１２】そして、マスク基板上に所定のシフタ層が
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記余剰欠陥部の周囲に前記シフタ層と同程度の屈
折率の物質を生成する材料ガスを噴射すると共に、赤外
光域のレーザ光を照射し、前記物質を前記余剰欠陥部の
周囲に堆積させて前記余剰欠陥部の急峻なエッジを滑ら
かにすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正
方法が提供される。
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記余剰欠陥部の周囲に前記シフタ層と同程度の屈
折率の物質を生成する材料ガスを噴射すると共に、赤外
光域のレーザ光を照射し、前記物質を前記余剰欠陥部の
周囲に堆積させて前記余剰欠陥部の急峻なエッジを滑ら
かにすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正
方法が提供される。
【００１３】また、マスク基板上に所定のシフタ層が形
成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥部
を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、
前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記余剰欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記余剰欠陥部の周囲に堆積させ、前記
余剰欠陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーショ
ン法を用いて、前記余剰欠陥部を修正することを特徴と
する位相シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥部
を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、
前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記余剰欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記余剰欠陥部の周囲に堆積させ、前記
余剰欠陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーショ
ン法を用いて、前記余剰欠陥部を修正することを特徴と
する位相シフトマスクの欠陥修正方法が提供される。
【００１４】さらに、マスク基板上に所定のシフタ層が
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記余剰欠陥部に赤外光域のレーザ光を照射し、前
記余剰欠陥部を除去することを特徴とする位相シフトマ
スクの欠陥修正方法が提供される。
形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥
部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記余剰欠陥部に赤外光域のレーザ光を照射し、前
記余剰欠陥部を除去することを特徴とする位相シフトマ
スクの欠陥修正方法が提供される。
【００１５】
【作用】赤外光域のレーザ光によって材料ガスから生成
された物質が欠落欠陥部に堆積して、欠落欠陥部に堆積
部を生成し、欠落欠陥部が修復される。
された物質が欠落欠陥部に堆積して、欠落欠陥部に堆積
部を生成し、欠落欠陥部が修復される。
【００１６】また、ターゲットに赤外光域のレーザ光を
当てると、蒸発により粒子がターゲットから飛散し、こ
の粒子を欠落欠陥部に対応した、例えば欠落欠陥部とほ
ぼ同じ形状の通過孔を有するスルーマスクを位相シフト
マスクの上に置けば、欠落欠陥部に粒子が堆積し、エッ
ジが滑らかになり欠落欠陥部が修復される。
当てると、蒸発により粒子がターゲットから飛散し、こ
の粒子を欠落欠陥部に対応した、例えば欠落欠陥部とほ
ぼ同じ形状の通過孔を有するスルーマスクを位相シフト
マスクの上に置けば、欠落欠陥部に粒子が堆積し、エッ
ジが滑らかになり欠落欠陥部が修復される。
【００１７】さらに、欠落欠陥部のエッジに赤外光域の
レーザ光を当てることより、欠落欠陥部のエッジを滑ら
かにする。一般に欠落欠陥部があっても、その深さが一
定値以下であれば、ウェハーには転写されない。一定値
以下の深さの欠落欠陥部がウェハーに転写されるのはそ
の急峻なエッジによる。したがって、欠落欠陥部が完全
に補修されなくても、そのエッジが滑らかになればウェ
ハーへの影響はなくなり、欠落欠陥部は修正される。
レーザ光を当てることより、欠落欠陥部のエッジを滑ら
かにする。一般に欠落欠陥部があっても、その深さが一
定値以下であれば、ウェハーには転写されない。一定値
以下の深さの欠落欠陥部がウェハーに転写されるのはそ
の急峻なエッジによる。したがって、欠落欠陥部が完全
に補修されなくても、そのエッジが滑らかになればウェ
ハーへの影響はなくなり、欠落欠陥部は修正される。
【００１８】そして、余剰欠陥部の周囲に赤外光域のレ
ーザ光を照射することによって、材料ガスからの物質が
余剰欠陥部の周囲に堆積し、余剰欠陥部のエッジを滑ら
かにする。一般に余剰欠陥部があっても、その高さが一
定値以下であれば、ウェハーには転写されない。一定値
以下の高さの余剰欠陥部がウェハーに転写されるのはそ
の急峻なエッジによる。したがって、余剰欠陥部が完全
に補修されなくても、そのエッジが滑らかになればウェ
ハーへの影響はなくなり、余剰欠陥部は修正される。
ーザ光を照射することによって、材料ガスからの物質が
余剰欠陥部の周囲に堆積し、余剰欠陥部のエッジを滑ら
かにする。一般に余剰欠陥部があっても、その高さが一
定値以下であれば、ウェハーには転写されない。一定値
以下の高さの余剰欠陥部がウェハーに転写されるのはそ
の急峻なエッジによる。したがって、余剰欠陥部が完全
に補修されなくても、そのエッジが滑らかになればウェ
ハーへの影響はなくなり、余剰欠陥部は修正される。
【００１９】また、ターゲットに赤外光域のレーザ光を
当てると、蒸発により粒子がターゲットから飛散し、こ
の粒子を余剰欠陥部に対応した、例えば余剰欠陥部の円
周部とほぼ同じ形状の通過孔を有するスルーマスクを位
相シフトマスクの上に置けば、余剰欠陥部の周囲に粒子
が堆積し、余剰欠陥部のエッジが滑らかになる。
当てると、蒸発により粒子がターゲットから飛散し、こ
の粒子を余剰欠陥部に対応した、例えば余剰欠陥部の円
周部とほぼ同じ形状の通過孔を有するスルーマスクを位
相シフトマスクの上に置けば、余剰欠陥部の周囲に粒子
が堆積し、余剰欠陥部のエッジが滑らかになる。
【００２０】さらに、余剰欠陥部に赤外光域のレーザ光
を当てることより、余剰欠陥部を取り除くことができ
る。
を当てることより、余剰欠陥部を取り除くことができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は第１の実施例の位相シフトマスクの欠陥
修正方法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シ
フトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、
（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図で
ある。
明する。図１は第１の実施例の位相シフトマスクの欠陥
修正方法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シ
フトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、
（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図で
ある。
【００２２】位相シフトマスクは石英基板１、その上部
に配置された透明導電膜２、シフター３からなるシフタ
ー上置きクロムレス型位相シフトマスクが形成される。
透明導電膜２はスパッタリング法により酸化スズ−アン
チモン（Ｓｎx Ｓｂy Ｏz ）を１５ｎｍ、シフター３は
スピンコート法によりＳＯＧ（スピンオングラス）を４
００ｎｍ形成した。その後電子線レジストを塗布し、電
子線描画により所定のパターニングを行い、ＳＯＧをド
ライエッチングして製造した。
に配置された透明導電膜２、シフター３からなるシフタ
ー上置きクロムレス型位相シフトマスクが形成される。
透明導電膜２はスパッタリング法により酸化スズ−アン
チモン（Ｓｎx Ｓｂy Ｏz ）を１５ｎｍ、シフター３は
スピンコート法によりＳＯＧ（スピンオングラス）を４
００ｎｍ形成した。その後電子線レジストを塗布し、電
子線描画により所定のパターニングを行い、ＳＯＧをド
ライエッチングして製造した。
【００２３】そして、図１（Ａ）に示すように、ＳＯＧ
またはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部４
ａがシフター３上に発生した。そこで、図１（Ｂ）に示
すように、位相シフトマスクをレーザ修正装置に入れ、
約１０-4Ｔｏｒｒまで真空引きした。欠落欠陥部４ａに
ＳｉＯ2 膜を堆積させるために材料ガス５としてＳｉＨ
4 及びＯ2 ガスをそれぞれ５及び１０ｓｃｃｍ欠落欠陥
部４ａに吹き付けながら集光された赤外光域のレーザ光
６をパワー１．５Ｗ５分間、欠落欠陥部４ａの周辺に照
射し、ＳｉＯ2 膜を堆積させる。なお、欠落欠陥部４ａ
がレーザ光６の集光スポットより大きい場合はレーザ光
を走査して照射する。また、赤外光域のレーザ光として
は、ＣＯ2 レーザを使用する。
またはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部４
ａがシフター３上に発生した。そこで、図１（Ｂ）に示
すように、位相シフトマスクをレーザ修正装置に入れ、
約１０-4Ｔｏｒｒまで真空引きした。欠落欠陥部４ａに
ＳｉＯ2 膜を堆積させるために材料ガス５としてＳｉＨ
4 及びＯ2 ガスをそれぞれ５及び１０ｓｃｃｍ欠落欠陥
部４ａに吹き付けながら集光された赤外光域のレーザ光
６をパワー１．５Ｗ５分間、欠落欠陥部４ａの周辺に照
射し、ＳｉＯ2 膜を堆積させる。なお、欠落欠陥部４ａ
がレーザ光６の集光スポットより大きい場合はレーザ光
を走査して照射する。また、赤外光域のレーザ光として
は、ＣＯ2 レーザを使用する。
【００２４】これによって、図１（Ｃ）に示すように、
欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜が堆積して堆積部７ａが
形成され、欠落欠陥部４ａが修正される。このような修
正された堆積部７ａはその後の位相シフトマスクの洗浄
にも何等変化がない。そして、実際のウェハー上への転
写もされなかった。図２は第２の実施例の位相シフトマ
スクの欠陥修正方法を適用するシフターに欠落欠陥部を
有する位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正
前の断面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正
後の断面図である。
欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜が堆積して堆積部７ａが
形成され、欠落欠陥部４ａが修正される。このような修
正された堆積部７ａはその後の位相シフトマスクの洗浄
にも何等変化がない。そして、実際のウェハー上への転
写もされなかった。図２は第２の実施例の位相シフトマ
スクの欠陥修正方法を適用するシフターに欠落欠陥部を
有する位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正
前の断面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正
後の断面図である。
【００２５】第１の実施例同様な方法で、位相シフトマ
スクが形成される。そして、図２（Ａ）に示すような、
ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠
陥部４ａがシフター３上に発生した。
スクが形成される。そして、図２（Ａ）に示すような、
ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠
陥部４ａがシフター３上に発生した。
【００２６】そこで、図２（Ｂ）に示すように、位相シ
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。欠陥部からおよそ１０ｃｍ離して配
置したＳｉＯ2 ターゲット８に、赤外光域のレーザ光６
を斜め４５°の方向からパワー５Ｗで３分間集光させ、
ＳｉＯ2 ターゲットを粒子状に蒸発させる。そして、シ
フター３の表面から１ｍｍに配置し、欠落欠陥部４ａよ
りやや大きな透過孔を有する可変スルーマスク１０ａを
通して粒子９を欠落欠陥部４ａに堆積させ、堆積部７ａ
を形成する。すなわち、レーザアブレーション法を用い
て、欠落欠陥部４ａを修正する。
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。欠陥部からおよそ１０ｃｍ離して配
置したＳｉＯ2 ターゲット８に、赤外光域のレーザ光６
を斜め４５°の方向からパワー５Ｗで３分間集光させ、
ＳｉＯ2 ターゲットを粒子状に蒸発させる。そして、シ
フター３の表面から１ｍｍに配置し、欠落欠陥部４ａよ
りやや大きな透過孔を有する可変スルーマスク１０ａを
通して粒子９を欠落欠陥部４ａに堆積させ、堆積部７ａ
を形成する。すなわち、レーザアブレーション法を用い
て、欠落欠陥部４ａを修正する。
【００２７】これによって、図２（Ｃ）に示すように、
欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜が堆積し、堆積部７ａが
形成され、欠落欠陥部４ａが修正される。このような堆
積された堆積部７ａはその後の位相シフトマスクの洗浄
にも何等変化がない。そして、実際のウェハー上への転
写もされなかった。
欠落欠陥部４ａにはＳｉＯ2 膜が堆積し、堆積部７ａが
形成され、欠落欠陥部４ａが修正される。このような堆
積された堆積部７ａはその後の位相シフトマスクの洗浄
にも何等変化がない。そして、実際のウェハー上への転
写もされなかった。
【００２８】図３は、第３の実施例の位相シフトマスク
の欠陥修正方法を適用するシフターに欠落欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
の欠陥修正方法を適用するシフターに欠落欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
【００２９】第１の実施例と同様な方法で、位相シフト
マスクが形成され、図３（Ａ）に示すような、ＳＯＧま
たはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部４ａ
がシフター３上に発生した。
マスクが形成され、図３（Ａ）に示すような、ＳＯＧま
たはレジスト塗布工程が原因と思われる欠落欠陥部４ａ
がシフター３上に発生した。
【００３０】そこで、図３（Ｂ）に示すように、位相シ
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。赤外光域のレーザ光６をパワー３Ｗ
で２分間、欠落欠陥部４ａの周辺部に照射し、急峻なエ
ッジを滑らかにする。なお、欠落欠陥部４ａがレーザ光
６の集光スポットより大きい場合はレーザ光を走査して
照射する。
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。赤外光域のレーザ光６をパワー３Ｗ
で２分間、欠落欠陥部４ａの周辺部に照射し、急峻なエ
ッジを滑らかにする。なお、欠落欠陥部４ａがレーザ光
６の集光スポットより大きい場合はレーザ光を走査して
照射する。
【００３１】これによって、図３（Ｃ）に示すように、
欠落欠陥部４ａの急峻なエッジが除去される。このよう
に必ずしも欠落欠陥部４ａを完全に平らにしなくても、
急峻なエッジを除去することで、急峻な位相反転を防
ぎ、事実上ウェハー転写時の影響は無視できる。
欠落欠陥部４ａの急峻なエッジが除去される。このよう
に必ずしも欠落欠陥部４ａを完全に平らにしなくても、
急峻なエッジを除去することで、急峻な位相反転を防
ぎ、事実上ウェハー転写時の影響は無視できる。
【００３２】図４は、第４の実施例の位相シフトマスク
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
【００３３】第１の実施例と同様な方法で、位相シフト
マスクが形成される。そして、図４（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
マスクが形成される。そして、図４（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
【００３４】そこで、図４（Ｂ）に示すように、位相シ
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。ＳｉＯ2 膜を堆積させるため第１の
実施例（図１（Ｂ））と同様の材料ガス５を噴射すると
共に、赤外光域のレーザ光６をパワー１．５Ｗで５分
間、余剰欠陥部４ｂの周辺に照射し、ＳｉＯ2 膜を余剰
欠陥部４ｂの周囲に堆積させて堆積部７ｂを形成し、余
剰欠陥部の急峻なエッジを滑らかにする。なお、余剰欠
陥部４ｂがレーザ光６の集光スポットより大きい場合は
レーザ光を走査して照射する。
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。ＳｉＯ2 膜を堆積させるため第１の
実施例（図１（Ｂ））と同様の材料ガス５を噴射すると
共に、赤外光域のレーザ光６をパワー１．５Ｗで５分
間、余剰欠陥部４ｂの周辺に照射し、ＳｉＯ2 膜を余剰
欠陥部４ｂの周囲に堆積させて堆積部７ｂを形成し、余
剰欠陥部の急峻なエッジを滑らかにする。なお、余剰欠
陥部４ｂがレーザ光６の集光スポットより大きい場合は
レーザ光を走査して照射する。
【００３５】これによって、図４（Ｃ）に示すように、
余剰欠陥部４ｂが修正される。このように必ずしも余剰
欠陥部４ｂを除去しなくても、急峻なエッジを除去する
ことで、急峻な位相反転を防ぎ、事実上ウェハー転写時
の影響は無視できる。また、このような堆積部７ｂはそ
の後の位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がない。そ
して、実際のウェハー上への転写もされなかった。
余剰欠陥部４ｂが修正される。このように必ずしも余剰
欠陥部４ｂを除去しなくても、急峻なエッジを除去する
ことで、急峻な位相反転を防ぎ、事実上ウェハー転写時
の影響は無視できる。また、このような堆積部７ｂはそ
の後の位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がない。そ
して、実際のウェハー上への転写もされなかった。
【００３６】図５は、第５の実施例の位相シフトマスク
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
【００３７】第１の実施例と同様な方法で、位相シフト
マスクが形成される。そして、図５（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
マスクが形成される。そして、図５（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
【００３８】そこで、図５（Ｂ）に示すように、位相シ
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。余剰欠陥部４ｂからおよそ１０ｃｍ
離して配置したＳｉＯ2 ターゲット８に、赤外光域のレ
ーザ光６を斜め４５°の方向からパワー５Ｗで３分間集
光させ、ＳｉＯ2 ターゲットを粒子状に蒸発させ、粒子
９を発生させる。余剰欠陥部４ｂの上面より１ｍｍの高
さに配置され、余剰欠陥部４ｂの周辺部に対応した透過
孔を有する可変スルーマスク１０ｂを通して、粒子９を
余剰欠陥部４ｂの周囲に堆積させ、堆積部７ｂを形成す
る。すなわち、レーザアブレーション法を用いて、余剰
欠陥部４ｂを修正する。
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。余剰欠陥部４ｂからおよそ１０ｃｍ
離して配置したＳｉＯ2 ターゲット８に、赤外光域のレ
ーザ光６を斜め４５°の方向からパワー５Ｗで３分間集
光させ、ＳｉＯ2 ターゲットを粒子状に蒸発させ、粒子
９を発生させる。余剰欠陥部４ｂの上面より１ｍｍの高
さに配置され、余剰欠陥部４ｂの周辺部に対応した透過
孔を有する可変スルーマスク１０ｂを通して、粒子９を
余剰欠陥部４ｂの周囲に堆積させ、堆積部７ｂを形成す
る。すなわち、レーザアブレーション法を用いて、余剰
欠陥部４ｂを修正する。
【００３９】これによって、図５（Ｃ）に示すように、
余剰欠陥部４ｂが修正される。このように必ずしも余剰
欠陥部４ｂを完全に除去しなくても、急峻なエッジを除
去することで、急峻な位相反転を防ぎ、事実上ウェハー
転写時の影響は無視できる。このような堆積部７ｂはそ
の後の位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がない。そ
して、実際のウェハー上への転写もされなかった。
余剰欠陥部４ｂが修正される。このように必ずしも余剰
欠陥部４ｂを完全に除去しなくても、急峻なエッジを除
去することで、急峻な位相反転を防ぎ、事実上ウェハー
転写時の影響は無視できる。このような堆積部７ｂはそ
の後の位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がない。そ
して、実際のウェハー上への転写もされなかった。
【００４０】図６は、第６の実施例の位相シフトマスク
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
の欠陥修正方法を適用するシフターに余剰欠陥を有する
位相シフトマスクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断
面図、（Ｂ）は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断
面図である。
【００４１】第１の実施例と同様な方法で、位相シフト
マスクが形成される。そして、図６（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
マスクが形成される。そして、図６（Ａ）に示すよう
な、ＳＯＧまたはレジスト塗布工程が原因と思われる余
剰欠陥部４ｂがシフター３上に発生した。
【００４２】そこで、図６（Ｂ）に示すように、位相シ
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。余剰欠陥部４ｂに赤外光域のレーザ
光６をパワー３Ｗで１．５分間照射し、これを除去す
る。なお、余剰欠陥部４ｂがレーザ光６の集光スポット
より大きい場合は赤外光域のレーザ光６を走査して照射
する。
フトマスクをレーザ修正装置に入れ、約１０-4Ｔｏｒｒ
まで真空引きした。余剰欠陥部４ｂに赤外光域のレーザ
光６をパワー３Ｗで１．５分間照射し、これを除去す
る。なお、余剰欠陥部４ｂがレーザ光６の集光スポット
より大きい場合は赤外光域のレーザ光６を走査して照射
する。
【００４３】これによって、図６（Ｃ）に示すように、
余剰欠陥部４ｂが除去される。そして、実際のウェハー
上への転写はされなかった。このように、本願発明では
赤外光域のレーザ光を使用するので、数十μｍ以上の欠
陥を修正するのに有効である。
余剰欠陥部４ｂが除去される。そして、実際のウェハー
上への転写はされなかった。このように、本願発明では
赤外光域のレーザ光を使用するので、数十μｍ以上の欠
陥を修正するのに有効である。
【００４４】なお、上記の実施例では、シフターとほぼ
同じ材料であるＳｉＯ2 膜を堆積させることでシフター
の位相シフトマスクを修正したが、必ずしもシフターと
同一材料である必要はなく、シフターとほぼ同一の屈折
率を有する、すなわち同じシフト効果を有する材料の膜
を形成すればよい。
同じ材料であるＳｉＯ2 膜を堆積させることでシフター
の位相シフトマスクを修正したが、必ずしもシフターと
同一材料である必要はなく、シフターとほぼ同一の屈折
率を有する、すなわち同じシフト効果を有する材料の膜
を形成すればよい。
【００４５】また、レーザ光としてＣＯ2 レーザを使用
したが、赤外光域のレーザ光であればその他のレーザ光
を使用することもできる。
したが、赤外光域のレーザ光であればその他のレーザ光
を使用することもできる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、赤外光
域のレーザ光を使用して欠陥部を修正するようにしたの
で、修正工程が簡単にできる。
域のレーザ光を使用して欠陥部を修正するようにしたの
で、修正工程が簡単にできる。
【００４７】また、加工面にイオンビームによるダメー
ジを生じることがない。さらに、位相シフトマスク全体
を加熱する必要がないので、装置が簡単になる。
ジを生じることがない。さらに、位相シフトマスク全体
を加熱する必要がないので、装置が簡単になる。
【００４８】また、赤外光域のレーザ光を使用するの
で、エキシマレーザを使用する場合に比べ装置が安価に
なる。
で、エキシマレーザを使用する場合に比べ装置が安価に
なる。
【図１】第１の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
【図２】第２の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
【図３】第３の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに欠落欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
【図４】第４の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
【図５】第５の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
【図６】第６の実施例の位相シフトマスクの欠陥修正方
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
法を適用するシフターに余剰欠陥を有する位相シフトマ
スクの断面図であり、（Ａ）は修正前の断面図、（Ｂ）
は修正工程の断面図、（Ｃ）は修正後の断面図である。
１ 石英基板 ２ 透明導電膜 ３ シフター ４ａ 欠落欠陥部 ４ｂ 余剰欠陥部 ５ 材料ガス ６ 赤外光域のレーザ光 ７ａ 堆積部 ７ｂ 堆積部 ８ ＳｉＯ2 ターゲット ９ 粒子 １０ａ 可変スルーマスク １０ｂ 可変スルーマスク
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記欠落欠陥部に前記シフタ層と同程度の屈折率の物質
を生成する材料ガスを噴射すると共に、赤外光域のレー
ザ光を照射し、前記物質を前記欠落欠陥部に堆積させて
前記欠落欠陥部を修正することを特徴とする位相シフト
マスクの欠陥修正方法。 - 【請求項２】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記欠落欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記欠落欠陥部に堆積させ、前記欠落欠
陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーション法を
用いて、前記欠落欠陥部を修正することを特徴とする位
相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項３】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記欠落欠陥部のエッジに赤外光域のレーザ光を照射
し、前記エッジを滑らかにすることを特徴とする位相シ
フトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項４】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記余剰欠陥部の周囲に前記シフタ層と同程度の屈折率
の物質を生成する材料ガスを噴射すると共に、赤外光域
のレーザ光を照射し、前記物質を前記余剰欠陥部の周囲
に堆積させて前記余剰欠陥部の急峻なエッジを滑らかに
することを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方
法。 - 【請求項５】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を含むターゲット
に赤外光域のレーザ光を照射して、前記物質を粒子状に
蒸発させ、前記粒子を前記余剰欠陥部に対応したスルー
マスクを通して前記余剰欠陥部の周囲に堆積させ、前記
余剰欠陥部のエッジを滑らかにするレーザアブレーショ
ン法を用いて、前記余剰欠陥部を修正することを特徴と
する位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項６】 マスク基板上に所定のシフタ層が形成さ
れた位相シフトマスクの前記シフタ層の余剰欠陥部を修
正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記余剰欠陥部に赤外光域のレーザ光を照射し、前記余
剰欠陥部を除去することを特徴とする位相シフトマスク
の欠陥修正方法。 - 【請求項７】 前記赤外光域のレーザ光として炭酸ガス
（ＣＯ2 ）レーザ光を使用することを特徴とする請求項
１、２、３、４、５又は６記載の位相シフトマスクの欠
陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8273395A JPH08278627A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8273395A JPH08278627A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08278627A true JPH08278627A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13782628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8273395A Pending JPH08278627A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08278627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101536767B1 (ko) * | 2014-05-29 | 2015-07-15 | 주식회사 루미스탈 | 반도체 기판의 표면 상에 존재하는 결함의 선택적 커버링 방법 |
| CN121843506A (zh) * | 2026-03-11 | 2026-04-10 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法 |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP8273395A patent/JPH08278627A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101536767B1 (ko) * | 2014-05-29 | 2015-07-15 | 주식회사 루미스탈 | 반도체 기판의 표면 상에 존재하는 결함의 선택적 커버링 방법 |
| CN121843506A (zh) * | 2026-03-11 | 2026-04-10 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法 |
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