JPH08279108A

JPH08279108A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08279108A
Application number: JP7698195A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Onuma; 博大沼
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-03-31
Filing date: 1995-03-31
Publication date: 1996-10-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、コイルパターン不良を改善し、導
体コイルの信頼性に優れる薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供するこ目的とする。【構成】上層磁性コア２と下層磁性コア１とを有し、
下層磁性コア１の上部にコイル平坦化層７を介して導体
コイル３が形成されてなる薄膜磁気ヘッドである。そし
て、上記下層磁性コア１が非磁性無機絶縁材料層１３に
埋め込まれ、平坦化されている。この絶縁材料層１３は
Ａｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂からなることが好ましい。一方、
製造方法は、基板上４に所定形状の下層磁性コア１を形
成した後、下層磁性コア１を覆って上記絶縁材料１３を
成膜し下層磁性コア１が略々露出するまで絶縁材料膜１
３を平坦化する工程と、この上にコイル平坦化層７を介
して導体コイル３を形成する工程と、上層磁性コア２を
所定形状に形成する工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、上層磁性コアと下層磁
性コアとを有し、下層磁性コアの上部にコイル平坦化層
を介して導体コイルが形成されてなる薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばコンピュータのデータレコ
ーダ等に搭載される磁気ヘッドとして薄膜磁気ヘッドが
知られている。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶縁膜等
の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルが形成さ
れてなる磁気ヘッドである。この薄膜磁気ヘッドは、成
膜、フォトリゾグラフィ、エッチング、メッキ、リフト
オフ等といった薄膜独自のパターン形成手法を有し、均
一な品質でウエハーを大量生産できるという点と、バル
クヘッドと比較して構造上短磁路で低インダクタンスで
あるということ等が挙げられ、近年の高密度化に対応し
て材料を含めた一層の高性能化が図られようとしてい
る。

【０００４】このような薄膜磁気ヘッドは、例えば、図
２８に示すように、パーマロイト（Ｎｉ−Ｆｅ）等より
なる下層磁性コア１０１と上層磁性コア１０２及びＣｕ
等よりなる導体コイル１０３とＳｉＯ₂等よりなる磁気
ギャップ１０６とで構成された磁気回路部をＡｌ₂Ｏ₃−
ＴｉＣ、フェライト等よりなるベース基板１０４とセラ
ミック系の保護基板１０５とで挟み込むことで構成され
ている。

【０００５】そして、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法を
概説すると、上記ベース基板１０４上に軟磁性体層から
なる下層磁性コア１０１が形成され、この上に下層磁性
コア１０１と導体コイル１０３との絶縁を図るためのコ
イル平坦化層１１４が成膜され、さらにその表面上に導
体コイル１０３がスパイラル状に形成される。

【０００６】ところで、このような従来の薄膜磁気ヘッ
ドの構成の中でも、特に、強磁性金属薄膜よりなる下層
磁性コア１０１を有するマルチチャンネル型の薄膜磁気
ヘッドにおいては、その用途によって、下層磁性コア１
０１がチャンネルごとに分断されるタイプと、各チャン
ネル共通の場合とがある。一般的には、磁気ヘッドに対
して磁気記録媒体（図示せず）が片方向からしか摺動し
ない場合に後者の下層磁性コア１０１が各チャンネル共
通のタイプが用いられ、他方、磁気ヘッドに対して記録
媒体が双方から摺動するようなデータレコーダ（いわゆ
るデータストレージ）等の用途で前者のチャンネルごと
に分断されるタイプが用いられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記下層磁
性コア１０１がチャンネルごとに分断されるタイプの薄
膜磁気ヘッドでは、図２９に示すように、導体コイル１
０３が下層磁性コア１０１の端部を横切ることになり、
この下層端部の形状が導体コイル１０３の形状に大きな
影響を与えることになる。

【０００８】例えば、導体コイル１０３を形成する手法
としては、成膜〜フォトリゾグラフィ〜エッチングとい
う流れとフォトリゾグラフィ〜メッキという流れの２つ
の手法が一般的である。

【０００９】しかしながら、これらいずれの手法によっ
ても、上記従来の薄膜磁気ヘッドは、下層磁性コア１０
１の端部を横切る部分のフォトリゾグラフィ工程におい
て、下層磁性コア１０１に段差が生じて、導体コイル１
０３のパターン不良（ショート不良）が発生する。

【００１０】そこで、これを防止するため、図３０に示
すように、上記導体コイル１０３の下に下層磁性コア１
０１と同じ高さで段差解消レジストパターン１１３と導
体コイル１０３の絶縁と平坦化の目的を兼ねる平坦化レ
ジストパターン１１４ｐを形成する技術も提案されては
いる。

【００１１】しかしながら、図３１に示すように、パタ
ーニングずれや、下層磁性コア１０１を例えばイオンミ
ーリングで形成したか、パターンメッキで形成したか等
によって下層磁性コア１０１のテーパ部の形状が異な
り、下層磁性コア１０１との境界にＶ字状の溝１１０が
発生し、このＶ字状の溝１１０のコイルパターン不良を
誘発する問題を有していた（図３１中、符号Ｈは、肩だ
れ幅を示す。）。

【００１２】また、上記段差解消レジストパターン１１
３及び平坦化レジストパターン１１４ｐは、耐熱性と耐
溶剤性を持たせるために約３００℃程度の熱処理工程を
経ているため、これにより図３１に示すような肩だれ型
のレジストの形状変化を発生させる問題を有していた。

【００１３】このことは、コイルパターニング装置にマ
スクコンタクト方式を使用する場合に悪影響を及ぼす。
特に、フォトマスクとレジスト表面の距離が離れるコイ
ル外周のコイルパターン不良を誘発するものであり、導
体コイル１０３のアスペクト比が大きく、導体コイル１
０３の間隔が狭い場合や、また、導体コイル１０３が二
層以上の複数層巻きになり、更に、平坦化レジストパタ
ーン１１４を導体コイル１０３上に形成して重ねた場合
には上層側の導体コイル１０３になるほど上記肩だれ型
のレジストの形状変化の発生が顕著になっていた。

【００１４】さらに、平坦化レジストパターン１１４ｐ
を薄膜磁気ヘッドの構成材料として用いる場合には、そ
の耐熱性から上記磁性コア１０１，１０２の使用に制限
があった。具体的には、磁性コア１０１，１０２には、
約５００℃程度の熱処理を施すことで軟磁性が得られる
センダスト等が使用できないという問題があった。

【００１５】そこで、本発明は、従来問題となっていた
コイルパターン不良を改善し、導体コイルの信頼性に優
れる薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とするものであ
り、さらには、その製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１６】また、本発明は、従来の薄膜磁気ヘッドに
おいて耐熱性の点から使用の制限があった磁性コアの使
用可能範囲を拡大し、設計の自由度を広げることができ
る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目
的とするものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願発明者は、上述の目
的を達成するために、上層磁性コアと下層磁性コアとを
有し、下層磁性コアの上部にコイル平坦化層を介して導
体コイルが形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記下層磁性コアが非磁性無機絶縁材料層に埋め込まれ、
平坦化されていることを特徴とするる。

【００１８】また、複数層の導体コイルを有し、各導体
コイル毎にコイル平坦化層によって平坦化されているこ
とを特徴とする。

【００１９】さらに、前記非磁性無機絶縁材料層がＡｌ
₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂からなることを特徴とする。

【００２０】一方、本願発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、基板上に所定形状の下層磁性コアを形成した後、
この下層磁性コアを覆って非磁性無機絶縁材料を成膜
し、前記下層磁性コアが略々露出するまで非磁性無機絶
縁材料膜を平坦化する工程と、この上にコイル平坦化層
を介して導体コイルを形成する工程と、上層磁性コアを
所定形状に形成する工程とを有することを特徴とする。

【００２１】また、コイル導体を形成する工程におい
て、複数層の導体コイルをそれぞれコイル平坦化層によ
り平坦化することを特徴とする。

【００２２】さらに、前記コイル平坦化層をＡｌ₂Ｏ₃又
はＳｉＯ₂の膜としたことを特徴とする。

【００２３】

【作用】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、下層磁
性コアが非磁性無機絶縁材料層に埋め込まれ平坦化され
た構造であるため、耐熱性に劣るレジストパターンを配
した従来の薄膜磁気ヘッドと異なり、下層磁性コアが肩
だれ現象による導体コイルの形成面の段差の発生を効果
的に抑制できる。その結果、フォトリゾグラフィ工程に
おいて導体コイルの形成面が全域に亘ってフォトマスク
と密着させて露光することができる。

【００２４】また、下層磁性コアが非磁性無機絶縁材料
層に埋め込まれ平坦化された構造とすることは、導体コ
イルの形成面の段差の発生を抑制できるために、複数層
の導体コイルの形成にも優れたものとなる。

【００２５】さらに、複数層に亘る各コイル導体毎にコ
イル平坦化層によって平坦化すると、各導体コイルの形
成に優れた効果を発揮する。

【００２６】そして、耐熱性に劣るレジストを薄膜磁気
ヘッドの構造から除き、Ａｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂の膜によ
るコイル平坦化層とした場合には、下層磁性コア及び上
層磁性コアの軟磁性を得るための熱処理温度が高いもの
でも使用可能となる。

【００２７】具体的には、磁性コアは、従来約３５０℃
程のものに限られていたが、約５００℃程度度の熱処理
を施すことで軟磁性が得られるセンダスト等を使用する
ことができる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一
実施例を図面を参照しながら説明する。

【００２９】第１の実施例本実施例の薄膜磁気ヘッドは、図１に示すように、下層
磁性コア１、上層磁性コア２、導体コイル３、磁気ギャ
ップＧ、コイル平坦化層７とによって磁気回路部が構成
されている。そして、上記薄膜磁気ヘッドは、この磁気
回路部がＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣよりなるベース基板４と保護
基板５とで挟み込むことにより構成されている。

【００３０】ベース基板４は、本実施例では、熱伝導率
の高さと強度の観点からＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣを材料として
選定している。このベース基板４は、上記磁気回路を構
成する各部分を成膜、フォトリゾグラフィ、エッチン
グ、メッキ、リフトオフ等といった薄膜独自のパターン
形成をする際にベースとなるもので、このベース基板４
上には、所定間隔を隔てて実際には４つの磁気回路部が
構成されている。すなわち、本実施例は、マルチチャン
ネル型の薄膜磁気ヘッドである。

【００３１】保護基板５は、磁気回路部を外力等から保
護するため、又は、磁気記録媒体摺接時の接触面を作る
ために設けられるもので、上層磁性コア２上にＡｌ₂Ｏ₃
よりなる保護膜８が成膜〜ラップ加工という流れによっ
て平坦化が施され、エポキシ樹脂よりなる接合層を介し
て一体化されている。この保護基板５は、ベース基板４
と同様の理由でＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣが使用されている。

【００３２】下層磁性コア１と上層磁性コア２は、例え
ばＦｅ−Ａｌ系合金やＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金等
の鉄系微結晶材よりなり、磁気記録媒体と摺接する磁気
記録媒体摺動面側で、ＳｉＯ₂よりなる磁気ギャップス
ペーサを介して挟み込まれ磁気ギャップＧが構成される
とともに、その中央部ではレジストよりなるコイル平坦
化層７によって埋め込まれた導体コイル３を挟み込むと
ともに、バック側は磁気ギャップＧを介さず直接接触
し、閉磁路を構成する。

【００３３】そして特に、本実施例の薄膜磁気ヘッドに
おいては、上記磁性コア１，２のうちの下層磁性コア１
に、後述する方法により、Ａｌ₂Ｏ₃の膜が全面的に埋め
込まれ平坦化された構造とされている。また、本実施
例においては、下層磁性コア１を平坦化材料としてＡｌ
₂Ｏ₃の膜１３をバイアススパッタリング法により成膜し
ているが、これに限らず、ＳｉＯ₂膜、Ｓｉ₃Ｎ₄膜等、
無機絶縁膜として公知のものが使用できる。ただし、膜
応力の観点から言えば、Ａｌ₂Ｏ₃の膜１３が小さく使い
やすい。

【００３４】このような平坦化構造により、コイルパタ
ーン不良を改善し、導体コイルの信頼性に優れる薄膜磁
気ヘッドが得られる。

【００３５】ところで、上記下層磁性コア１は、磁気ギ
ャップＧを介してこの下層磁性コア１上において導体コ
イル３との間の絶縁を図ると共に、表面の平坦化を図っ
て上記導体コイル３を正確に形成するためのものであ
る。

【００３６】そして、上記下層磁性コア１は、図２乃至
図５に示すように、全面的にＡｌ₂Ｏ₃の膜が全面的に埋
め込まれ平坦化されて製造されている。すなわち、図２
及び図３に示すように、鉄微結晶材を成膜して下層磁性
コア１をイオンミーリング等によって加工して、その上
に全面的にバイアススパッタリング法によりＡｌ₂Ｏ₃の
膜１３が成膜される。

【００３７】この場合、最初に成膜するＡｌ₂Ｏ₃の膜１
３の厚さは、下層磁性コア１の厚さ以上を必要とする。
本実施例の場合は、下層磁性コア１の厚さの２倍となる
ようになされている。

【００３８】次に、図４及び図５に示すように、上記Ａ
ｌ₂Ｏ₃の膜１３を下層磁性コア１が略々露出するまで平
坦化加工によって平坦化する。これにより、Ａｌ₂Ｏ₃の
膜１３の面と下層磁性コア１の面とが面一となり、Ｖ字
状の溝や段差のない平坦な表面として得られるものであ
る。

【００３９】さらに、上記導体コイル３は、記録再生装
置からの記録信号を媒体に供給し、媒体からの再生信号
を記録再生装置側へと伝達する役目をするもので、本実
施例においては硫酸銅パターンメッキにより形成されて
いる。

【００４０】本実施例では、導体コイル３は、レジスト
よりなるコイル平坦化層７によって埋め込まれている。
レジストをコイル平坦化層７として用いるために、上記
上層磁性コア２及び下層磁性コア１を上記鉄系微結晶材
を使用しているが、この磁性材料として、比較的熱処理
温度の低いものに制限されている。具体的には、レジス
トの効果温度以下でこの場合３００℃以下である。ま
た、磁性膜表面に平坦化加工を施すことから、磁歪の小
さい材料が好ましい。

【００４１】しかし、レジストをコイル平坦化層７とし
て用いる利点として、後述する製造方法において、なだ
らかな磁路形状が得られることと磁路の形成にエッチン
グ工程を必要としないことが挙げられる。

【００４２】上記導体コイル３は、コイル下層、コイル
間層、及びコイル上層からなる複数層として形成しても
良い。このように複数層として形成しても、下層磁性コ
ア１をＡｌ₂Ｏ₃で平坦化した構造であれば、レジストに
よるコイル平坦化層７の一層分の肩だれは無視でき、コ
イルショートが発生せずに導体コイル３の形成が可能で
ある。そして、この複数層として形成した場合、各層毎
にコイル平坦化層７によって平坦化すると良い。

【００４３】この場合さらに、コイル平坦化層７は、レ
ジストに代えてＡｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂の膜で形成しても
良い。このようにして、耐熱性に劣るレジストを薄膜磁
気ヘッドの構造から除くことにより、後述するように下
層磁性コア１及び上層磁性コア２の軟磁性を得るための
熱処理温度が高いものでも使用可能である。なお、図１
中、符号１０は、下層磁性コア１とベース基板４との絶
縁と平坦化の役割を果たすＡｌ₂Ｏ₃の絶縁膜１０であ
る。

【００４４】また、これらの成膜方法については、膜の
ステップカバレージからいってバイアススパッタリング
法またはＣＶＤ（ケミカルペーパーデポジション）法等
が適している。

【００４５】以上のように構成された薄膜磁気ヘッド
は、磁気ギャップＧを介して導体コイル１３の形成面と
なる面が平坦化されることにより、段差を発生させない
導体コイル３の形成に優れた薄膜磁気ヘッドの構造とな
る。したがって、フォトリゾグラフィ工程において導体
コイル１３の形成面が全域にわたりフォトマスクと密着
させて露光することができる。

【００４６】薄膜磁気ヘッドの製造方法次に、以上のように構成された薄膜磁気ヘッドの作成方
法について説明する。

【００４７】まず、図６に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔｉ
Ｃよりなるベース基板４上にＡｌ₂Ｏ₃の絶縁膜１０を例
えば２μｍ成膜する。ここでのＡｌ₂Ｏ₃の絶縁膜１０
は、次に形成する下層磁性コア１と上記のベース基板４
との絶縁の役割を果たすと共に平坦化の役割を果たすも
ので、ＲＦスパッタリング（ＲＦ sputtering system）
の手法により形成される。

【００４８】次に、図７及び図８に示すように、鉄系微
結晶材よりなる下層磁性膜をＲＦスパッタの手法により
例えば４μｍ成膜し、フォトリゾグラフィ工程にて所定
のレジストパターンを形成し、イオンミーリングの手法
でエッチングを施し、レジストを剥離すると下層磁性コ
アパターン１１が形成される。

【００４９】次に、図９に示すように、下層磁性コアパ
ターン１１上を覆って基板全面にＡｌ₂Ｏ₃の膜８非磁性
無機絶縁材料層）１３をバイアススパッタリング法によ
り例えば８μｍ成膜し、図１０に示す平坦化加工工程に
移行する。なお、Ａｌ₂Ｏ₃の膜１３の厚さは、下層磁性
コア１の厚さ以上を必要とする。本実施例の場合は、下
層磁性コア１の厚さの２倍となるようになされている。

【００５０】次に、図１０に示すように平坦化加工工程
に移るが、ここで、上記平坦化加工工程は、２種類の表
面加工方法からなっている。

【００５１】１つは上述したダイヤモンドポリッシュ
（以下、「ＤＰ加工」と称する。）と呼ばれているもの
で、もう１つはケミカルメカポリッシュ法（以下、「Ｃ
ＭＰ加工」と称する。）と呼ばれているものである。い
ずれも、ウエハー状態で表面の加工を行うものである。

【００５２】まず、上記ＤＰ加工では、例えば銅、錫等
の定盤が用いられ、１μｍ粒径のダイヤモンドスラリー
がその研摩材として用いられる。このようなＤＰ加工に
よってＡｌ₂Ｏ₃の膜１３を下層磁性コアパターン１１が
露出するまで表面加工する。

【００５３】この場合、厳密には下層磁性コアパターン
１１が露出するまでよりも、下層磁性コアパターン１１
上のＡｌ₂Ｏ₃の膜１３を１００ｎｍ程度残すように表面
加工することが好ましい。そして、この場合の研摩量と
しては、下層磁性コアパターン１１が露出する付近、す
なわち４μｍ程度となる。

【００５４】次に、上記ＣＭＰ加工では、例えば、バフ
クロスが貼り付けられた定盤が用いられ、研摩剤として
はアルカリ性のＳｉ塗粒が用いられる。ＣＭＰ加工は、
ＤＰ加工の物理的研摩とは異なり、アルカリによる化学
的研摩の性質を持っている。また、ＤＰ加工が研摩の対
象を比較的選ばないのに対して、このＣＭＰ加工では研
摩剤の選定により研摩物に選択性をもたせることが出来
る。研摩の性質としては、この場合ＤＰ加工が荒削りで
あり、他方、ＣＭＰ加工は仕上げ的な意味合いが強い。

【００５５】このようなＣＭＰ加工によってＤＰ加工で
発生したキズを取り除くように加工が施され、下層磁性
コアパターン１１が露出し、且つ、平坦なウエハー表面
が得られる。ただし、ＣＭＰ加工での研摩量としてはＡ
ｌ₂Ｏ₃の膜１３の換算で２００ｎｍ程度とする。過剰な
ＣＭＰ加工は上述した選択性の理由から下層磁性コアパ
ターン１１の出っ張りを生じ好ましくないからである。

【００５６】このようにして下層磁性コアパターン１１
のＡｌ₂Ｏ₃による平坦化がなされた後、図１１に示すよ
うに、ＲＦスパッタスパッタリングの手法等によってＳ
ｉＯ₂からなる磁気ギャップ膜１６が２μｍ成膜され
る。この磁気ギャップ膜１６の材質としては、本実施例
のＳｉＯ₂の他に、Ａｌ₂Ｏ₃等も使用できるが、そのエ
ッチング性からは本実施例のＳｉＯ₂が好ましい。

【００５７】次に、図１２に示すように、フォトリゾグ
ラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、イオ
ンミーリング、又は、反応性イオン・エッチング等の手
法によりバックギャップＢＧのエッチングを行う。この
場合は、ギャップ膜１６を成膜した分、すなわち、Ｓｉ
Ｏ₂もしくは、Ａｌ₂Ｏ₃を２μｍエッチングすることに
よりバック側の下層磁性コアパターン１１を露出させ
る。

【００５８】次に、図１３に示すように、銅メッキより
なる導体コイル３の下地として、例えば、Ｔｉ５０ｎｍ
／Ｃｕ２００ｎｍをＲＦスパッタリング法等により成膜
する。

【００５９】続いて、フォトリゾグラフィ工程で所定の
レジストパターンを形成し、硫酸銅メッキ等により、例
えば４μｍの銅メッキを施す。その後、レジストパター
ンを剥離し、イオンミーリング等によって下地Ｔｉ／Ｃ
ｕをエッチングすると第１の導体コイル３ａが形成され
る。

【００６０】ここで、本実施例においては、上記第１の
導体コイル３ａのＬ／Ｓ（ライン／スペース）が１１μ
ｍ／４μｍであり、コイルアスペクト比、すなわちコイ
ル断面における高さと幅の比が１となっている。

【００６１】次に、図１４に示すように、フォトリゾグ
ラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、３０
０℃程度の熱処理を施し、絶縁材料よりなる第１の平担
化層１７が成膜される。

【００６２】ここで、導体コイル３が二層構造の場合に
は、一層目の第１の導体コイル３ａと同様に、図１５に
示すように、上記二層目の第２の導体コイル３ｂを形成
することになる。この際、この二層目の第２の導体コイ
ル３ｂの形成が上記一層目の第１の導体コイル３ａの形
成と異なるのは、導体コイル３の下部が一層目は平坦で
あったのに対し、この二層目は熱処理した絶縁材料より
なる第２のコイル平坦化層２７を第２の導体コイル３ｂ
の下部に有しているために、レジストの肩だれが生じて
いるという点である。

【００６３】この点に関して、導体コイル３は、そのス
ペースアスペクト比が１の場合は、下層磁性コア１をＡ
ｌ₂Ｏ₃に埋め込まれ平坦化した構造であれば、レジスト
によるコイル平坦化層１７，２７の一層分の肩だれは無
視でき、コイルショートが発生せずに導体コイル３の形
成が可能である。

【００６４】これがレジストよりなるコイル平坦化層１
７が二層以上重なり、この上に更に導体コイル３を形成
しようとした場合、実験の結果、約９割が、導体コイル
３の外周のショートが発生することが分かっている。こ
のように、コイル形成幅、コイルスペースアスペクト
比、レジストよりなる第１のコイル平坦化層１７の肩だ
れの寸法によって変化する。

【００６５】このようにして、二層目の導体コイル３ｂ
が形成された後、図１６に示すように、フォトリゾグラ
フィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、３００
℃程度の熱処理を施し、絶縁材料からなる第２のコイル
平坦化層２７を形成する。

【００６６】ここで、上記導体コイル３及びコイル平坦
化層１７，２７の構成は、上述の手法によって問題なく
形成できるが、本実施例でレジストをこれらコイル平坦
化層１７，２７として用いたのは、磁路を熱硬化させた
レジストで構成することによって、なだらかな磁路形状
が得られることと、磁路の形成にエッチング工程を必要
としないことがあるからである。この点、後述する第２
の実施例とは異なる。

【００６７】次に、図１７に示すように、鉄微結晶材よ
りなる上層磁性コア２の膜をＲＦスパッタリング法等の
手法により、例えば４μｍ成膜し、フォトリゾグラフィ
工程にて所定のレジストパターンを形成し、イオンミー
リング等の手法でエッチングを施し、レジストを剥離す
ると上層磁性コアパターン１２が形成される。以上で、
ヘッドの要素となる素子の形成はほぼ終了する。

【００６８】次に、素子の引き出し部を形成するため
に、硫酸銅によるパターンメッキを施す。

【００６９】まず、上層磁性コアパターン１２が形成さ
れたウエハーに、端子メッキの下地として例えば、Ｔｉ
５０ｎｍ／Ｃｕ２００ｎｍをＲＦスパッタ等により成膜
する。続いて、図１８に示すように、フォトリゾグラフ
ィ工程で所定のレジストパターンを形成し、例えば３０
μｍ銅メッキを施す。その後、レジストパターンを剥離
しイオンミーリング等によって、下地のＴｉ／Ｃｕをエ
ッチングすると銅端子３１が形成される。

【００７０】次に、図１９に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃の膜
３２をバイアススパッタで３５μｍ膜付けし、ＤＰ、Ｃ
ＭＰ加工を経てウエハー表面を平坦化する。当然、この
時点で銅端子３１は露出している。これらの工程を経て
本実施例のウエハー３３が完成する。

【００７１】完成したウエハー３３は、カッティングマ
シーン等によってチップサイズに切り出され、Ａｌ₂Ｏ₃
−ＴｉＣ等よりなる保護基板５が、樹脂により接合さ
れ、この後、媒体摺接面となる部分が円筒研削、又は、
ならい研削により円弧形状に加工され、更にテープラッ
プ等が施され、ヘッドチップとして完成する。すなわ
ち、図１に示すような薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００７２】以上、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの
実施例について説明したが、本発明は上述の実施例に限
定されることなく、分断された下層磁性コア１を有する
すべての薄膜磁気ヘッドに対して適用できるものであ
る。

【００７３】また、本実施例では、導体コイル３の形成
に問題がなかったこととコストの面から、レジストによ
るコイル平坦化層１７，２７を用いている。しかし、磁
性コアの熱処理上の制約がある場合、又は、三層以上の
コイル層を必要とする薄膜磁気ヘッドの構成の場合は、
すべてのコイル平坦化層をＡｌ₂Ｏ₃若しくはＳｉＯ₂の
膜で形成することも可能である。

【００７４】第２の実施例この第２の実施例の構成は、第１の実施例で形成された
レジストによるコイル平坦化層１７，２７が、ＳｉＯ₂
のバイアススパッタ膜を平坦化することで構成されてお
り、その他の構成は第１の実施例と同様である。

【００７５】この第２の実施例の製造方法を図２０乃至
梨図２７を用いて説明すると、まず、図２０に示すよう
に、第１の導体コイル５３ａが形成されるまでは、上記
第１の実施例の場合と同様に作成する。すなわち、第２
の実施例は、本願発明の特徴である下層磁性コア５１上
にＡｌ₂Ｏ₃の膜を成膜し、平坦化加工することも含めて
第１の実施例と同様に作成する。したがって、以下説明
する図２０乃至図２７において、第１の実施例と同一の
構成については同一の符号をもって示す。

【００７６】この第２の実施例においては、上記一層目
の第１の導体コイル５３ａの形成後に、図２１に示すよ
うに、コイルコンタクトのための柱状部５３ｃを銅パタ
ーンメッキで作成し、Ａｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂のバイアス
スパッタリング法により施す。その後、図２２に示すよ
うに、ＤＰ加工、ＣＭＰ加工を経てウエハー表面を平坦
化し、コンタクトの柱状部５３ｃの接触端部を露出させ
る。

【００７７】次に、図２３に示すように、二層目の第２
の導体コイル５３ｂの下地として、例えば、Ｔｉ５０ｎ
ｍ／Ｃｕ２００ｎｍをＲＦスパッタリング法等により成
膜し、硫酸銅による銅パターンメッキを施し、レジスト
剥離と下地のＴｉ／Ｃｕのエッチングを行い二層目の第
２の導体コイル５３ｂが形成される。

【００７８】ここで、第３の導体コイル以上を必要とす
る場合は、上述したように、コイルコンタクト柱の形成
〜Ａｌ₂Ｏ₃若しくはＳｉＯ₂のバイアススパッタリング
法〜ＤＰ加工（或いは、ＣＭＰ加工）の流れでコイル平
坦化層１７を構成し、この上に導体コイル５３を形成す
るということを繰り返せば良い。

【００７９】続いて、図２４に示すように、フォトリゾ
グラフィ工程で所定のレジストパターンを形成し、銅メ
ッキを施す。その後、レジストパターンを剥離しイオン
ミーリング等によって、下地のＴｉ／Ｃｕをエッチング
すると銅端子５４が形成される。

【００８０】次に、図２５に示すように、ＳｉＯ₂の膜
５５をバイアススパッタで膜付けし、ＤＰ、ＣＭＰ加工
を経てウエハー表面を平坦化する。

【００８１】続いて、図２６及び図２７に示すように、
フォトリゾグラフィ工程にて所定のレジストパターンを
形成し、反応性イオン・エッチングやイオンミリング等
の手法によってバックギャップＢＧの平坦化層をエッチ
ングし、この部分の下層磁性コア５１を露出させ、レジ
ストを剥離すると所定の磁路形状が得られる。これらの
工程を経て第２の実施例のウエハー５６が完成する。

【００８２】ところで、第２の実施例では、第１の実施
例とは異なり、磁路を新たにエッチング工程によって作
成しなければならない。このことから、上記コイル平坦
化層の材質としてはコイル上層、又は、コイル間層の部
分については、エッチング性の点でＡｌ₂Ｏ₃よりもＳｉ
Ｏ₂が好ましい。磁路形成方法については、最終層のコ
イル形成後ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃のバイアススパッタを
施し、ＤＰ，ＣＭＰ加工を経てウエハー表面を平坦化す
る。

【００８３】また、実施例１で下層磁性コアのＡｌ₂Ｏ₃
による平坦化直後に形成された磁気ギャップＧは、第２
の実施例の場合、上述の磁路形成工程でなくなってしま
うことから、新たに磁気ギャップＧを形成しなければな
らない。これはＳｉＯ₂等よりなる磁気ギャップ膜１６
をＲＦスパッタリング法等の手法により成膜し、フォト
リゾグラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成
し、反応性イオン・エッチングやイオンミーリング等の
手法によってバックギャップＢＧのエッチングを行う。
この後は、上層磁性コア５１の形成から、第１の実施例
と同様の製造工程で作成できる。

【００８４】このように、第２の実施例では、ヘッドの
構成材に耐熱性に劣るレジストを使用していないため、
今回使用した磁性膜に限らず、従来公知のものがいずれ
のも使用でき、結晶質、非結晶質を問わない。例えば、
Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金等の強磁性金属材料、又
は、強磁性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金
であっても良い。

【００８５】また、本実施例では、導体コイル３が埋め
込まれるコイル平坦化層７は、レジストが用いられてい
ないために、下層磁性コア１及び上層磁性コア２の軟磁
性を得るための熱処理温度が高いものでも使用できる。
具体的には、上記磁性コア１等としては、従来約３５０
℃程のものに限られていたが、５００℃程度の熱処理を
施すことで軟磁性が得られるセンダスト等を使用するこ
とができる。したがって、薄膜磁気ヘッドを構成する下
層磁性コア１と上層磁性コア２の使用可能範囲を大幅に
拡大することができる。

【００８６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る薄膜磁気ヘッドは、下層磁性コアが非磁性無機
材料層に埋め込まれ平坦化された構造とされているの
で、耐熱性に劣るレジストパターンを配した従来の薄膜
磁気ヘッドと異なり、下層磁性コアが肩だれ現象による
導体コイルの形成面の段差の発生を効果的に抑制でき、
フォトマスクと密着させて露光することができる。

【００８７】したがって、下層磁性コアの端部及び導体
コイルの外周部でのコイルショートを抑制でき、導体コ
イルの形成に優れた構造となる。また、上記平坦化構造
は、複数層の導体コイルの形成に対し優れた構造を発揮
することとなる。

【００８８】そして、従来のレジストによるコイル平坦
化層に代えてＡｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂の膜により埋め込ん
だコイル平坦化層とした場合には、磁性コアの使用可能
範囲を拡大することができるため、設計の自由度を広げ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される第１の実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの要部を模式的に示す断面図である。

【図２】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアがＡｌ₂Ｏ₃
の膜に埋め込まれ平坦化される工程を示す、下層磁性コ
アが形成される状態の正面図である。

【図３】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアがＡｌ₂Ｏ₃
の膜に埋め込まれ平坦化される工程を示すもので、Ａｌ
₂Ｏ₃が成膜される状態の正面図である。

【図４】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアがＡｌ₂Ｏ₃
の膜に埋め込まれ平坦化される工程を示すもので、平坦
化する状態の正面図である。

【図５】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアがＡｌ₂Ｏ₃
の膜に埋め込まれ平坦化される工程を示すもので、平坦
化し下層磁性コアを露出させる状態の正面図である。

【図６】上記第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造工程
を示すもので、ベース基板上にＡｌ₂Ｏ₃を成膜する工程
を示す斜視図である。

【図７】上記薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すもので、
下層磁性コアパターンの形成工程を示す斜視図である。

【図８】上記薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すもので、
下層磁性コアパターンの形成工程を示す斜視図である。

【図９】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアの形成工程
を示すもので、下層磁性コアパターンがＡｌ₂Ｏ₃の膜に
埋め込まれる工程を示す斜視図である。

【図１０】上記薄膜磁気ヘッドの下層磁性コアの形成工
程を示すもので、平坦化加工工程を示す斜視図である。

【図１１】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁
気ギャップ膜を形成する工程を示す斜視図である。

【図１２】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、バ
ックギャップを形成する工程を示す斜視図である。

【図１３】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第
１の導体コイルを形成する工程を示す斜視図である。

【図１４】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第
１のコイル平坦化層を形成する工程を示す斜視図であ
る。

【図１５】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第
２の導体コイルを形成する工程を示す斜視図である。

【図１６】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第
２のコイル平坦化層を形成する工程を示す斜視図であ
る。

【図１７】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
層磁性コアを形成する工程を示す斜視図である。

【図１８】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、銅
端子を形成する工程を示す斜視図である。

【図１９】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を成膜して表面を平坦化してウエハーが完成する
状態を示す斜視図である。

【図２０】本発明が適用される第２の実施例の薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、第１の導体コイルを形成す
る工程を示す斜視図である。

【図２１】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、コ
イルコンタクトを形成する工程を示す斜視図である。

【図２２】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、Ｓ
ｉＯ₂を成膜し平坦化する工程を示す斜視図である。

【図２３】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第
２の導体コイルを形成する工程を示す斜視図である。

【図２４】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、銅
端子を形成する工程を示す斜視図である。

【図２５】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、Ｓ
ｉＯ₂を成膜し平坦化する工程を示す斜視図である。

【図２６】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、フ
ロントギャップを形成する工程を示す斜視図である。

【図２７】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁
気ギャップを形成してウエハーが完成する状態を示す斜
視図である。

【図２８】従来の薄膜磁気ヘッドの要部を模式的に示す
断面図である。

【図２９】上記従来の薄膜磁気ヘッドにおける下層磁性
コアを横切る導体コイルの形状を示す斜視図である。

【図３０】上記従来の薄膜磁気ヘッドにおける下層磁性
コアを横切る導体コイルの形状を示す斜視図である。

【図３１】上記図３０のＡ−Ａ線断面図である。

【符号の説明】

１，５１下層磁性コア２，５２上層磁性コア３導体コイル３ａ，５３ａ第１の導体コイル３ｂ，５３ｂ第２の導体コイル４ベース基板５保護基板７コイル平坦化層１１下層磁性コアパターン１３Ａｌ₂Ｏ₃又はＳｉＯ₂の膜（非磁性無機絶縁材料
層）１６磁気ギャップ膜１７第１のコイル平坦化層２７第２のコイル平坦化層Ｇ磁気ギャップＦＧフロトントギャップＢＧバックギャップ

【手続補正書】

【提出日】平成７年６月２９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶縁膜等
の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルが形成さ
れてなる磁気ヘッドである。この薄膜磁気ヘッドは、成
膜、フォトリソグラフィ、エッチング、メッキ、リフト
オフ等といった薄膜独自のパターン形成手法を有し、均
一な品質でウエハーを大量生産できるという点と、バル
クヘッドと比較して構造上短磁路で低インダクタンスで
あるということ等が挙げられ、近年の高密度化に対応し
て材料を含めた一層の高性能化が図られようとしてい
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】このような薄膜磁気ヘッドは、例えば、図
２８に示すように、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等よりな
る下層磁性コア１０１と上層磁性コア１０２及びＣｕ等
よりなる導体コイル１０３とＳｉＯ₂等よりなる磁気ギ
ャップ１０６とで構成された磁気回路部をＡｌ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＣ、フェライト等よりなるベース基板１０４とセラミ
ック系の保護基板１０５とで挟み込むことで構成されて
いる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】例えば、導体コイル１０３を形成する手法
としては、成膜〜フォトリソグラフィ〜エッチングとい
う流れとフォトリソグラフィ〜メッキという流れの２つ
の手法が一般的である。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】しかしながら、これらいずれの手法によっ
ても、上記従来の薄膜磁気ヘッドは、下層磁性コア１０
１の端部を横切る部分のフォトリソグラフィ工程におい
て、下層磁性コア１０１に段差が生じて、導体コイル１
０３のパターン不良（ショート不良）が発生する。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願発明者は、上述の目
的を達成するために、上層磁性コアと下層磁性コアとを
有し、下層磁性コアの上部にコイル平坦化層を介して導
体コイルが形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記下層磁性コアが非磁性無機絶縁材料層に埋め込まれ、
平坦化されていることを特徴とする。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】

【作用】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、下層磁
性コアが非磁性無機絶縁材料層に埋め込まれ平坦化され
た構造であるため、耐熱性に劣るレジストパターンを配
した従来の薄膜磁気ヘッドと異なり、下層磁性コアが肩
だれ現象による導体コイルの形成面の段差の発生を効果
的に抑制できる。その結果、フォトリソグラフィ工程に
おいて導体コイルの形成面が全域に亘ってフォトマスク
と密着させて露光することができる。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２７】具体的には、磁性コアは、従来約３５０℃
程のものに限られていたが、約５００℃程度の熱処理を
施すことで軟磁性が得られるセンダスト等を使用するこ
とができる。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】ベース基板４は、本実施例では、熱伝導率
の高さと強度の観点からＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣを材料として
選定している。このベース基板４は、上記磁気回路を構
成する各部分を成膜、フォトリソグラフィ、エッチン
グ、メッキ、リフトオフ等といった薄膜独自のパターン
形成をする際にベースとなるもので、このベース基板４
上には、所定間隔を隔てて実際には４つの磁気回路部が
構成されている。すなわち、本実施例は、マルチチャン
ネル型の薄膜磁気ヘッドである。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４５】以上のように構成された薄膜磁気ヘッド
は、磁気ギャップＧを介して導体コイル１３の形成面と
なる面が平坦化されることにより、段差を発生させない
導体コイル３の形成に優れた薄膜磁気ヘッドの構造とな
る。したがって、フォトリソグラフィ工程において導体
コイル１３の形成面が全域にわたりフォトマスクと密着
させて露光することができる。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４８】次に、図７及び図８に示すように、鉄系微
結晶材よりなる下層磁性膜をＲＦスパッタの手法により
例えば４μｍ成膜し、フォトリソグラフィ工程にて所定
のレジストパターンを形成し、イオンミーリングの手法
でエッチングを施し、レジストを剥離すると下層磁性コ
アパターン１１が形成される。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５７】次に、図１２に示すように、フォトリソグ
ラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、イオ
ンミーリング、又は、反応性イオン・エッチング等の手
法によりバックギャップＢＧのエッチングを行う。この
場合は、ギャップ膜１６を成膜した分、すなわち、Ｓｉ
Ｏ₂もしくは、Ａｌ₂Ｏ₃を２μｍエッチングすることに
よりバック側の下層磁性コアパターン１１を露出させ
る。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５９】続いて、フォトリソグラフィ工程で所定の
レジストパターンを形成し、硫酸銅メッキ等により、例
えば４μｍの銅メッキを施す。その後、レジストパター
ンを剥離し、イオンミーリング等によって下地Ｔｉ／Ｃ
ｕをエッチングすると第１の導体コイル３ａが形成され
る。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６１】次に、図１４に示すように、フォトリソグ
ラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、３０
０℃程度の熱処理を施し、絶縁材料よりなる第１の平担
化層１７が成膜される。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６５】このようにして、二層目の導体コイル３ｂ
が形成された後、図１６に示すように、フォトリソグラ
フィ工程にて所定のレジストパターンを形成し、３００
℃程度の熱処理を施し、絶縁材料からなる第２のコイル
平坦化層２７を形成する。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６７】次に、図１７に示すように、鉄微結晶材よ
りなる上層磁性コア２の膜をＲＦスパッタリング法等の
手法により、例えば４μｍ成膜し、フォトリソグラフィ
工程にて所定のレジストパターンを形成し、イオンミー
リング等の手法でエッチングを施し、レジストを剥離す
ると上層磁性コアパターン１２が形成される。以上で、
ヘッドの要素となる素子の形成はほぼ終了する。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６９】まず、上層磁性コアパターン１２が形成さ
れたウエハーに、端子メッキの下地として例えば、Ｔｉ
５０ｎｍ／Ｃｕ２００ｎｍをＲＦスパッタ等により成膜
する。続いて、図１８に示すように、フォトリソグラフ
ィ工程で所定のレジストパターンを形成し、例えば３０
μｍ銅メッキを施す。その後、レジストパターンを剥離
しイオンミーリング等によって、下地のＴｉ／Ｃｕをエ
ッチングすると銅端子３１が形成される。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７９】続いて、図２４に示すように、フォトリソ
グラフィ工程で所定のレジストパターンを形成し、銅メ
ッキを施す。その後、レジストパターンを剥離しイオン
ミーリング等によって、下地のＴｉ／Ｃｕをエッチング
すると銅端子５４が形成される。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８１】続いて、図２６及び図２７に示すように、
フォトリソグラフィ工程にて所定のレジストパターンを
形成し、反応性イオン・エッチングやイオンミリング等
の手法によってバックギャップＢＧの平坦化層をエッチ
ングし、この部分の下層磁性コア５１を露出させ、レジ
ストを剥離すると所定の磁路形状が得られる。これらの
工程を経て第２の実施例のウエハー５６が完成する。

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８３】また、実施例１で下層磁性コアのＡｌ₂Ｏ₃
による平坦化直後に形成された磁気ギャップＧは、第２
の実施例の場合、上述の磁路形成工程でなくなってしま
うことから、新たに磁気ギャップＧを形成しなければな
らない。これはＳｉＯ₂等よりなる磁気ギャップ膜１６
をＲＦスパッタリング法等の手法により成膜し、フォト
リソグラフィ工程にて所定のレジストパターンを形成
し、反応性イオン・エッチングやイオンミーリング等の
手法によってバックギャップＢＧのエッチングを行う。
この後は、上層磁性コア５１の形成から、第１の実施例
と同様の製造工程で作成できる。

【手続補正２０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８４】このように、第２の実施例では、ヘッドの
構成材に耐熱性に劣るレジストを使用していないため、
今回使用した磁性膜に限らず、従来公知のものがいずれ
も使用でき、結晶質、非結晶質を問わない。例えば、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、
Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金等の強磁性金属材料、又は、強
磁性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合金であっ
ても良い。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上層磁性コアと下層磁性コアとを有し、
下層磁性コアの上部にコイル平坦化層を介して導体コイ
ルが形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上記下層磁性コアが非磁性無機絶縁材料層に埋め込ま
れ、平坦化されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】複数層の導体コイルを有し、各導体コイ
ル毎にコイル平坦化層によって平坦化されていることを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記非磁性無機絶縁材料層がＡｌ₂Ｏ₃又
はＳｉＯ₂からなることを特徴とする請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項４】基板上に所定形状の下層磁性コアを形成
した後、この下層磁性コアを覆って非磁性無機絶縁材料
を成膜し、前記下層磁性コアが略々露出するまで非磁性
無機絶縁材料膜を平坦化する工程と、この上にコイル平坦化層を介して導体コイルを形成する
工程と、上層磁性コアを所定形状に形成する工程とを有すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】コイル導体を形成する工程において、複
数層の導体コイルをそれぞれコイル平坦化層により平坦
化することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項６】前記コイル平坦化層をＡｌ₂Ｏ₃又はＳｉ
Ｏ₂の膜としたことを特徴とする請求項４、又は、請求
項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。