JPH08329420A

JPH08329420A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08329420A
Application number: JP13442695A
Authority: JP
Inventors: Tadao Suzuki; 忠男鈴木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-05-31
Filing date: 1995-05-31
Publication date: 1996-12-13

Abstract

(57)【要約】【目的】リード線を容易且つ正確に形成することがで
き、成膜不良の発生が抑止されて製品の信頼性及び歩留
りの大幅な向上を図ることを可能とする薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供する。【構成】リード線形成層３６を素子部３１の形成と同
時に略々同一の高さに形成し、素子部３１からリード線
形成層３６に架けてリード線３２〜３５を積層形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層，導体層が絶縁
層を介して多層に積層されて素子部が形成されるととも
に、上記導体層と電気的に接続されるリード線を備えて
なる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドとしては、磁性
層、絶縁層等の薄膜が多重積層され、さらに導体コイル
やリード線が形成されてなるものがある。この薄膜磁気
ヘッドは真空薄膜形成技術により形成されるため、狭ト
ラック化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易高分解能
記録が可能であるという特徴を有しており、高密度記録
化に対応した磁気ヘッドとして注目されている。

【０００３】例えば、磁気記録媒体に直接接触して情報
信号の記録・再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとして
は、例えばフェライト等の酸化物磁性材料からなる基板
上に、真空薄膜形成技術によって導体コイル及び磁性層
が形成されて構成されたものがある。

【０００４】具体的に、例えば記録用の薄膜磁気ヘッド
として好適なものとしては、いわゆる誘導型（インダク
ティブ型）の磁気ヘッド（以下、単にインダクティブヘ
ッドと記す。）がある。このインダクティブヘッドは、
軟磁性体層である下層コア上に磁気ギャップを形成する
ためのギャップ膜が成膜され、さらにこのギャップ膜上
に表面を平坦化して導体コイルの成膜を容易にするため
の第１の平坦化層が成膜されて、さらにその表面上に導
体コイルがスパイラル状に形成されている。そして、表
面の平坦化を図るためのレジスト等の高分子材料からな
る第２の平坦化層が成膜され、この第２の平坦化層上に
軟磁性体層である上層コアが形成されて上記インダクテ
ィブヘッドが構成されている。

【０００５】また、再生用の薄膜磁気ヘッドとして好適
なものとしては、いわゆる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下、単にＭＲヘッドと記す。）がある。このＭＲヘ
ッドは、非磁性の基板上に絶縁層，下部シールドコアと
なる軟磁性膜及びＡｌ₂Ｏ₃或はＳｉＯ₂を材料とする
絶縁層が順次積層され、この絶縁層上に、ＭＲ素子が、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面（磁気記録媒体
摺動面）と垂直になるように配され、且つその一方の端
面が磁気記録媒体摺動面に露出するかたちに形成されて
いる。さらに、ＭＲ素子の両端部上に、このＭＲ素子に
センス電流を提供するための前端電極及び後端電極が設
けられ、上記ＭＲ素子上にＡｌ₂Ｏ₃或はＳｉＯ₂を材
料とする絶縁層が形成されている。この絶縁層は上記前
端及び後端電極により狭持されたかたちとされている。
この絶縁層上には上記ＭＲ素子と対向してバイアス導体
が配されて、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶
縁層上に上部シールドコアとなる軟磁性膜が積層されて
上記ＭＲヘッドが構成されている。

【０００６】これらの薄膜磁気ヘッドは、ＭＲヘッド上
にインダクティブヘッドが積層形成されて複合型薄膜磁
気ヘッドとされ、ハードディスクドライブに搭載され利
用されている。上記薄膜磁気ヘッドには、その導体層と
外部端子とを電気的に接続するためのリード線が設けら
れており、例えば上記複合型薄膜磁気ヘッドの場合で
は、インダクティブヘッド及びＭＲヘッドの各導体層と
接続される４本のリード線が配されている。これらリー
ド線は、その一端部が各導体層の一端部と接続されてお
り、他端部が外部端子接続部とされている。

【０００７】具体的な薄膜磁気ヘッドの一例を図１６に
示す。ここでは、複数のリード線のうち２本のみを示
す。この図１６に示すように、ＡＬ₂Ｏ₃−ＴｉＣより
なる基板１０１上に薄膜磁気ヘッドの素子部１０２が形
成され、この素子部１０２に一端部が電気的に接続され
たリード線１０３，１０４が成膜されている。これらリ
ード線１０３，１０４の外部端子接続部上には、リード
線１０３，１０４と外部端子とを電気的に接続するため
のボンディングパッド１０５がそれぞれ形成されてい
る。ここで、当該ボンディングパッド１０５は、その上
面が素子部１０２の上面より１０μｍ程度高くなるよう
に形成されている。

【０００８】素子部１０２及びリード線１０３，１０４
上にはＡＬ₂Ｏ₃よりなる図示しない保護層が成膜さ
れ、当該保護層に機械研磨が施されてボンディングパッ
ド１０５の上面のみが露出され、この露出した上面が外
部接続用の接続端子とされている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如き従来の薄膜磁気ヘッドには、以下に示すような欠点
がある。上記薄膜磁気ヘッドにおいては、素子部１０２
の厚みが２０μｍである場合、ボンディングパッド１０
５の基板１０１からの高さを３０μｍ程度とする必要が
ある。これらリード線１０３，１０４及びボンディング
パッド１０５の形成方法としては、フォトリソグラフィ
ー技術により基板１０１上に所定形状のレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンに基づいてＣｕを材
料とした電解メッキ法を用いるのが一般的である。

【００１０】ところが、電解メッキ法により上面が基板
１０１から３０μｍの高さとなるようにリード線１０
３，１０４及びボンディングパッド１０５を成膜するに
は非常に時間がかかるとともに、３０μｍ厚のレジスト
パターンを安定に形成することは極めて困難である。

【００１１】１０μｍ厚程度のレジストパターンを安定
に形成することは容易であるが、このレジストパターン
を用いてリード線１０３，１０４及びボンディングパッ
ド１０５，１０６を形成すると、いわゆるオーバーハン
グが生じ、後に形成する保護層のステップ・カバレージ
が悪化する。

【００１２】また、オーバーハングが生じることがなく
ても、ボンディングパッド１０５の側面形状が図１６に
示す如く逆テーパ状となりがちであり、やはり上記保護
層のステップ・カバレージが悪化することになる。本発
明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、リード線を容易且つ正確に形成する
ことができ、成膜不良の発生が抑止されて製品の信頼性
及び歩留りの大幅な向上を図ることを可能とする薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁性層，導体層が絶縁層を介して多層に積層され素
子部が形成されるとともに、上記導体層と電気的に接続
されるリード線を備えてなる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法である。

【００１４】本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記リード線
の外部端子接続部に対応する位置に所定の厚みを有する
下地層が形成され、この上にリード線の外部接続端子部
が形成されていることを特徴とするものである。上記薄
膜磁気ヘッドの具体例として、素子部が、軟磁性材料よ
りなる下部シールドコア及び上部シールドコアに磁気抵
抗効果素子が狭持されてなる再生用薄膜ヘッド素子と、
軟磁性材料よりなる下層コア及び上層コアに導体コイル
が狭持されてなる記録用薄膜ヘッド素子とが順次積層さ
れてなる複合型薄膜磁気ヘッドを主な対象とする。

【００１５】このとき、上記下地層の厚みを５μｍ以上
であり且つ素子部の厚みに１０μｍを加えた値以下とす
ることが好適である。また、上記リード線の外部端子接
続部上にボンディングパッドを設けることが好ましく、
当該下地層の側面形状を略々テーパ状とすることが好適
である。

【００１６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、薄膜形成技術により磁性層，導体層を絶縁層を介し
て多層に積層して素子部を形成するとともに、当該素子
部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素子部と並列し
た所定位置に成膜して下地層を形成する工程と、リード
線を上記導体層と電気的に接続して形成し且つ当該リー
ド線の外部端子接続部を下地層上に対応させて形成する
工程と、素子部，リード線，及び下地層上に絶縁材料よ
りなる保護層を成膜する工程と、保護層に機械研磨を施
して下地層上に積層されたリード線の外部端子接続部の
みを露出させて外部接続用の接続端子とする工程とを経
て薄膜磁気ヘッドを製造することを特徴とするものであ
る。

【００１７】この場合、リード線を形成するに際して、
当該リード線の外部端子接続部上にボンディングパッド
を形成することが好適である。また、上記素子部を形成
した後に、下地層上にさらに成膜を施して素子部より５
〜１０μｍ厚い厚みをもつ下地層を形成することも好適
である。

【００１８】

【作用】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、リー
ド線の外部端子接続部に対応する位置に所定の厚みを有
する下地層が形成され、この上にリード線の外部接続端
子部が形成されている。すなわち、下地層上に積層され
た外部接続端子部が下地層の厚み分だけ高い位置に設け
られるため、外部接続端子部上に積層するボンディング
パッドの厚みをそれだけ薄く形成することができる。し
たがって、ボンディングパッドを容易に所望形状に形成
することが可能となり、上部に被覆形成される保護層に
おける成膜不良の発生が防止される。

【００１９】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、薄膜形成技術により磁性層，導体層を
絶縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜することにより、上記素
子部と略々同一の高さの下地層が形成される。したがっ
て、形成するリード線はその厚みが５〜１０μｍ程度の
薄いもので良く、成膜不良を発生させることなく保護層
が成膜されることになる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を、記録用の薄膜磁気ヘッドと
して好適なインダクティブヘッド上に再生用のＭＲヘッ
ドが積層形成されてなる複合型薄膜磁気ヘッドに適用し
た実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２１】この複合型薄膜磁気ヘッドは、図１に示す
ように、ＭＲヘッドＡ上にインダクティブヘッドＢが積
層されて素子部３１が形成され、これらＭＲヘッドＡ及
びインダクティブヘッドＢの導体層と接続されてなる４
本のリード線３２〜３５が配されて構成されている。

【００２２】素子部３１は、図２に示すように、磁気抵
抗効果を奏するＭＲ素子１がそれぞれ軟磁性体層である
下部シルードコア２と後述の下層コア２１と兼用される
上部シルードコアとにより狭持されてなるＭＲヘッドＡ
と、導体コイル２２が下層コア２１と上層コア２３とに
より狭持されてなるインダクティブヘッドＢとが順次積
層されて構成されている。

【００２３】ＭＲヘッドＡは、ＭＲ素子１にセンス電流
がトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦
型のＭＲヘッドである。具体的には、軟磁性材料よりな
る下部シールドコア２上に磁気ギャップを形成するＡｌ
₂Ｏ₃等よりなる絶縁層１１が積層されている。そし
て、この絶縁層１１上にＭＲ素子１がその長手方向が磁
気記録媒体との対向面（磁気記録媒体摺動面ａ）と垂直
になるように配され、且つその一方の端面が磁気記録媒
体摺動面ａに露出するかたちに形成されている。さら
に、ＭＲ素子１の後端部上に、このＭＲ素子１にセンス
電流を提供するための後端電極１２ｂが設けられ、絶縁
層１３を介して当該ＭＲ素子１にバイアス磁界を印加す
るためのバイアス導体１４が設けられている。

【００２４】さらに、後端電極１２ｂ及びバイアス導体
１４上に絶縁層１５が積層され、この絶縁層１５上にＭ
Ｒ素子１にセンス電流を提供するための前端電極１２ａ
が設けられている。ここで、前端，後端電極１２ａ，１
２ｂにより狭持されたＭＲ素子の領域が磁気抵抗効果を
示す感磁部となる。

【００２５】そして、前端電極１２ａ上に後述の下層コ
ア２１と兼用される上部シルード層が形成されて、ＭＲ
素子Ａが構成されている。一方、インダクティブヘッド
Ｂは、軟磁性体層である上記下層コア２１上に磁気ギャ
ップを形成するギャップ膜２４が成膜され、さらにこの
ギャップ膜２４上に表面を平坦化して図導体コイルの成
膜を容易にするための第１の平坦化層２５が成膜され
て、さらにその表面上に導体コイル２２がスパイラル状
に形成されている。そして、表面の平坦化を図るための
レジスト等の高分子材料からなる第２の平坦化層２６が
成膜され、この第２の平坦化層２６上に軟磁性体層であ
る上層コア２３が形成されて構成されている。

【００２６】また、リード線３２〜３５は、図１中破線
Ａ−Ａ’による断面図である図３に示すように、素子部
３１から当該素子部３１と略々同一の高さに形成されて
なる下地層３６にかけて成膜形成されている。この下地
層３６は、その厚みが５μｍ以上であり且つ素子部３１
の厚みに１０μｍを加えた値以下の所定厚、ここでは素
子部３１と略々同一の厚みとされており、その側面形状
が略々テーパ状とされている。

【００２７】さらに、下地層３６上に積層されたリード
線３２〜３５（図示の例ではリード線３２，３３）の外
部端子接続部３２ａ〜３５ａ上にボンディングパッド３
７がそれぞれ設けられており、これらボンディングパッ
ド３７の厚みは５〜１０μｍとされている。したがっ
て、上述の如く下地層３６と素子部３１とが略々同一の
高さとされているために、ボンディングパッド３７の上
面は素子部３１上に積層されたリード線３２〜３５の上
面より５〜１０μｍ高い状態となる。

【００２８】なお、下地層３６をその上面が素子部３１
の上面より５〜１０μｍ高くなるように形成することに
より、リード線３２〜３５の下地層３６上に積層された
外部端子接続部３２ａ〜３５ａをボンディングパッド３
７と兼ねることが可能となり、ボンディングパッド３７
が不要となる。

【００２９】このように、本実施例に係る複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、リード線３２〜３５の外部端子接
続部３２ａ〜３５ａに対応する位置に所定の厚みを有す
る下地層３６が形成され、この上にリード線３２〜３５
の外部接続端子部３２ａ〜３５ａが形成されている。す
なわち、下地層３６上に積層されたリード線３２〜３５
上に形成されるボンディングパッド３７が下地層３６の
厚み分だけ高い位置に設けられるため、当該ボンディン
グパッド３７の厚みをそれだけ薄く形成することができ
る。したがって、ボンディングパッド３７を容易に所望
形状に形成することが可能となり、上部に被覆形成され
る保護層における成膜不良の発生が防止される。

【００３０】次いで、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。この複合型薄膜磁気ヘッドを作
製するには、ＭＲヘッドＡとインダクティブヘッドＢを
順次成膜して素子部３１を形成するとともに下地層３６
及びボンディングパッド３７を形成し、リード線３２〜
３５を素子部３１から下地層３６に架けて成膜する。

【００３１】先ず、ＭＲヘッドを作製するには、先ず図
４に示す軟磁性材料よりなる下部シールドコア２上に、
図５に示すように、磁気ギャップを形成するＡｌ₂Ｏ₃
等よりなる絶縁層１１を積層し、この絶縁層１１上にＭ
Ｒ素子１をその長手方向が磁気記録媒体摺動面ａと垂直
になるように形成する。

【００３２】次いで、図６に示すように、ＭＲ素子１上
に絶縁層１３を成膜した後に、図７に示すように、絶縁
層１３にＭＲ素子１の後端部へ通じる接続孔を形成し
て、図８に示すように、この後端部上にこのＭＲ素子１
にセンス電流を提供するための後端電極１２ｂを形成す
る。

【００３３】その後、上記絶縁層１３を介して当該ＭＲ
素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体１
４を形成し、図９に示すように、後端電極１２ｂ及びバ
イアス導体１４上に絶縁層１５を積層する。そして、図
１０に示すように、絶縁層１５にＭＲ素子１の前端部へ
通じる接続孔を形成した後、図１１に示すように、この
前端部上にこのＭＲ素子１にセンス電流を提供するため
の前端電極１２ａを形成し、この前端電極１２ａ上に下
層コア２１と兼用される上部シルード層を形成して、Ｍ
Ｒ素子Ａが完成する。

【００３４】次いで、インダクティブヘッドＢを作製す
るには、図１２に示すように、上記ＭＲ素子１の上部に
軟磁性材よりなる下層コア２１を成膜した後、ギャップ
膜２４を介してこの下層コア２１上に当該下層コア２１
と導体コイル２２との間の絶縁を図り且つ表面の平坦化
を図って導体コイル２２を正確に形成するためのレジス
ト等の有機高分子材料よりなる第１の平坦化層２５を成
膜する。

【００３５】次いで、図１３に示すように、上記第１の
平坦化層２５上にＣｒ／Ｃｕを材料として順次成膜を施
して２層構造の図示しない第１のメッキ下地層を形成す
る。その後、この第１のメッキ下地層上に導電コイル２
２を成膜する。すなわち、フォトリソグラフィー技術に
より、第１のメッキ下地層上にレジスト剤を塗布し、所
定形状のレジストパターンを形成し、当該レジストパタ
ーンに基づいてＣｕを材料としてスパイラル状の導電コ
イル２２をメッキ成膜する。

【００３６】そして、所定の有機溶剤を用いて上記レジ
ストパターンを溶解除去した後に、イオンミーリング法
によりエッチングを施して導体コイル２２の非成膜領域
に存する第１のメッキ下地層を除去し、第１の平坦化層
２５に酸素ガスを用いてプラズマ・アッシング処理を施
す。

【００３７】さらに、導電コイル２２を形成するために
成膜したメッキ膜のうち、不要なメッキ膜をウェットエ
ッチングにより除去するためのカバーレジストを形成す
る。その後、硝酸を主成分とするエッチャントを用いて
不要なメッキ膜を除去し、有機溶剤を用いてカバーレジ
ストを溶解除去する。

【００３８】次いで、図１４及び図１５に示すように、
導体コイル２上に第２の平坦化層２６を形成する。この
第２の平坦化層２６は、平坦化膜２６ａ，２６ｂよりな
るものである。すなわち、導体コイル２２上にレジスト
剤を塗布し、真空キュア炉にてキュアリングを施すこと
により平坦化膜２６ａを形成した後、同様に、当該平坦
化膜２６ａ上にレジスト剤を塗布し、真空キュア炉にて
キュアリングを施すことにより平坦化膜２６ｂを形成す
る。

【００３９】次いで、当該第２の平坦化層２６上にＣｒ
／Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅを材料として順次成膜を施して３層
構造の図示しない第２のメッキ下地層を形成する。その
後、上記図２に示すように、導体コイル２２を形成した
場合と同様に、第２のメッキ下地層上に上層コア２３及
び導体コイル２２をメッキ成膜する。すなわち、フォト
リソグラフィー技術により、第２のメッキ下地層上にレ
ジスト剤を塗布し、所定形状のレジストパターンを形成
し、当該レジストパターンに基づいてＮｉ−Ｆｅを材料
として上層コア２３をそれぞれメッキ成膜する。

【００４０】そして、所定の有機溶剤を用いて上記レジ
ストパターンを溶解除去した後に、イオンミーリング法
によりエッチングを施して上層コア２３の非成膜領域に
存する第２のメッキ下地層を除去する。以上の工程を経
ることにより、インダクティブヘッドＢが完成し、ＭＲ
ヘッドＡ及びインダクティブヘッドＢより構成される素
子部３１が完成される。

【００４１】ここで、本実施例においては、素子部３１
の形成とともに、当該素子部３１の近傍に当該素子部３
１と並列した所定位置に下地層３６を形成する。すなわ
ち、素子部３１の各層の成膜と同時に上記所定位置に積
層成膜することにより、側面形状が略々テーパ状とされ
素子部３１と略々同一の高さの下地層３６が形成され
る。

【００４２】ここで、この下地層３６の成膜時におい
て、素子部３１の各層のうちの一部の成膜と同時に積層
成膜することにより、当該下地層３６の厚みを５〜１０
μｍとなるようにしてもよい。次いで、素子部３１から
下地層３６にかけて、リード線３２〜３５を素子部３１
の前端，後端電極１２ａ，１２ｂ，及び導体コイル２２
と電気的に接続し且つ当該リード線３２〜３５の外部端
子接続部３２ａ〜３５ａを下地層３６上に対応させてメ
ッキ成膜するとともに、当該リード線３２〜３５の外部
端子接続部３２ａ〜３５ａ上にボンディングパッド３７
をメッキ成膜する。

【００４３】なお、素子部３１を形成した後に、下地層
３６上にさらに成膜を施して素子部３１より５〜１０μ
ｍ大きい厚みをもつ下地層３６を形成することも可能で
ある。このとき、ボンディングパッド３７が不要とな
る。そして、素子部３１，リード線３２〜３５，及び下
地層３７，及びボンディングパッド３７上に絶縁材料よ
りなる図示しない保護層をスパッタ成膜した後に、機械
研磨を施してボンディングパッド３７の上面部のみを露
出させ、所定の組立工程等を経て上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。

【００４４】このように、本実施例に係る複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法においては、薄膜形成技術により素
子部３１を形成するとともに、当該素子部３１の各層の
一部又は全部の成膜と同時に素子部３１と並列した所定
位置に成膜することにより、素子部３１と略々同一の高
さの下地層３６が形成される。したがって、素子部３１
から下地層３６にかけて積層形成するリード線３２〜３
５はその厚みが５〜１０μｍ程度の薄いもので良く、成
膜不良を発生させることなく保護層が成膜されることに
なる。

【００４５】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて
は、素子部と並列してリード線の外部端子接続部に対応
する位置に所定の厚みを有する下地層が成膜されてお
り、この上にリード線の外部接続端子部が形成されてい
る。すなわち、リード線に下地層上にて形成される外部
端子との接続端子が下地層の厚み分だけ高い位置に設け
られるため、外部接続端子部上に積層するボンディング
パッドの厚みをそれだけ薄く形成することができる。し
たがって、このボンディングパッドを容易に所望形状に
形成することが可能となり、上部に被覆形成される保護
層における成膜不良の発生が防止される。

【００４６】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、薄膜形成技術により磁性層，導体層を
絶縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜することにより、上記素
子部と略々同一の高さの下地層が形成される。したがっ
て、形成するリード線はその厚みが５〜１０μｍ程度の
薄いもので良く、成膜不良を発生させることなく保護層
が成膜されることになる。

【００４７】したがって、本発明によれば、リード線を
容易且つ正確に形成することができ、成膜不良の発生が
抑止されて製品の信頼性及び歩留りの大幅な向上を図る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例に係る複合型薄膜磁気ヘッドを模式的
に示す平面図である。

【図２】複合型薄膜磁気ヘッドの素子部を模式的に示す
断面図である。

【図３】図１中破線Ａ−Ａ’による断面図である。

【図４】軟磁性材料よりなる下部シールドコアを模式的
に示す断面図である。

【図５】下部シールドコア上に絶縁層を介してＭＲ素子
が形成された様子を模式的に示す断面図である。

【図６】ＭＲ素子上に絶縁層が成膜された様子を模式的
に示す断面図である。

【図７】絶縁層にＭＲ素子の後端部へ通じる接続孔が形
成された様子を模式的に示す断面図である。

【図８】上記後端部上に後端電極が形成された様子を模
式的に示す断面図である。

【図９】後端電極及びバイアス導体上に絶縁層が積層さ
れた様子を模式的に示す断面図である。

【図１０】絶縁層にＭＲ素子の前端部へ通じる接続孔が
形成された様子を模式的に示す断面図である。

【図１１】上記前端部上に前端電極が形成され、さらに
この前端電極上に上部シルードコアが形成された様子を
模式的に示す断面図である。

【図１２】ＭＲヘッド上にギャップ膜及び第１の平坦化
層が成膜された様子を模式的に示す断面図である。

【図１３】第１の平坦化層上に第１のメッキ下地層を介
して導体コイルがメッキ成膜された様子を模式的に示す
断面図である。

【図１４】導体コイル上に第２の平坦化層の第１層であ
る平坦化膜が成膜された様子を模式的に示す断面図であ
る。

【図１５】第１層の平坦化膜上に第２の平坦化層の第２
層である平坦化膜が成膜された様子を模式的に示す断面
図である。

【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を模式的に示す
断面図である。

【符号の説明】

ＡＭＲヘッドＢインダクティブヘッド１ＭＲ素子２下部シールドコア１２ａ前端電極１２ｂ後端電極２１下層コア２２導体コイル２３上層コア３１素子部３２〜３５リード線３２ａ〜３５ａ外部接続端子部３６下地層３７ボンディングパッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性層，導体層が絶縁層を介して多層に
積層され磁気ヘッド素子部が形成されるとともに、上記
導体層と電気的に接続されるリード線を備えてなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記リード線の外部端子接続部に対応する位置に所定の
厚みを有する下地層が形成され、この上にリード線の外
部接続端子部が形成されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
【請求項２】下地層の厚みが５μｍ以上であり且つ素
子部の厚みに１０μｍを加えた値以下とされていること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】リード線の外部接続端子部上にボンディ
ングパッドが形成されていることを特徴とする請求項１
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】下地層の側面形状が略々テーパ状とされ
ていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項５】素子部が、軟磁性材料よりなる下部シー
ルドコア及び上部シールドコアに磁気抵抗効果素子が狭
持されてなる再生用薄膜ヘッド素子と、軟磁性材料より
なる下層コア及び上層コアに導体コイルが狭持されてな
る記録用薄膜ヘッド素子とが順次積層されてなることを
特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】薄膜形成技術により磁性層，導体層を絶
縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜して下地層を形成する工
程と、リード線を上記導体層と電気的に接続し且つ当該リード
線の外部端子接続部を下地層上に対応させて形成する工
程と、素子部，リード線，及び下地層上に絶縁材料よりなる保
護層を成膜する工程と、保護層に機械研磨を施して下地層上に積層されたリード
線の外部端子接続部のみを露出させて外部接続用の接続
端子とする工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項７】リード線を形成するに際して、当該リー
ド線の外部端子接続部上にボンディングパッドを形成す
ることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項８】素子部を形成した後に、下地層上にさら
に成膜を施して素子部より５〜１０μｍ大きい厚みをも
つ下地層を形成することを特徴とする請求項６記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。