JPH08283263A - 金属錯体化合物及び該化合物を用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モル吸光係数が高く、耐光性に優れた色素を
提供すること、そして、光記録装置に使用される半導体
レーザに適合した吸収を有し、モル吸光係数が高く、か
つ耐光性に優れた色素を用いることにより光記録特性、
保存安定性に優れた光記録媒体を提供する。 【構成】 下記一般式Ｉで示される金属錯体化合物及び
該化合物を用いた光記録媒体。 【化１】 式中、Ｙは置換位置に隣接して窒素原子、硫黄原子また
は酸素原子を有するヘテロ環基、Ｘはハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、または無置換のアシルアミノ
基を表す。Ｚはヒドロキシル基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アルコキシ基から選ばれる置換基をパラ位に有
するアリール基、ヘテロ環基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及
びＲ₄は、各々水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基、アシルアミノ基、アルキルスルホンアミ
ド基から選ばれる基を表す。Ｍ₁はＮｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩を表す。nは２または３を
表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、色素として優れた特性
を有する新規な金属錯体化合物及び該化合物を光吸収物
質として用いた光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】染料や顔料として知られている色素は、
繊維の染色材、樹脂や塗料の着色材、写真、印刷、複写
機、プリンターにおける画像形成材、カラーフィルター
の光吸収材等様々な用途で広範に利用されている。これ
ら色素の共通課題として吸収波長、波形の最適化、及び
モル吸光係数の向上、耐光性、耐熱性を始めとする保存
性の向上等が上げられる。フルカラー、または３原色を
形成するためにはイエロー、マゼンタ、シアンの３種の
色素が必要となるが、特に良好な吸収特性、及び保存安
定性を有するシアン色素が望まれている。

【０００３】一方、近年、情報量の急速な増大に伴い、
大容量の光記録媒体が脚光を浴びている。安価な半導体
レーザにより容易に、かつ高密度に情報記録できる有機
光記録媒体には、赤色から近赤外領域の光を吸収する長
波長吸収色素が利用されている。従来、種々の色素の中
から吸収、反射特性に優れたシアニン色素がこの用途に
用いられてきたが、耐光性等の保存性が低いため、経時
で情報が失われたり、書き込めなくなる欠点があった。

【０００４】このような問題を解決するために、例えば
米国特許第3,432,300号、同4,050,938号、公開特許公報
昭60-118748号、同昭63-199248号、同平2-300288号等に
光安定剤、あるいは光安定化方法が記載されているが、
十分な保存安定性を得るには至っていない。

【０００５】また、公開特許公報昭64-44786号、同平2-
76884号、同平5-17701号には保存安定性に優れた金属キ
レート色素が記載されているが、吸収波長が長波長過ぎ
るため光記録媒体等の用途に用いることはできない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、上記色素の課題、特にモル吸光係数が高く、耐光性
に優れた色素を提供することにある。本発明の第二の目
的は、光記録装置に使用される半導体レーザに適合した
吸収を有し、モル吸光係数が高く、かつ耐光性に優れた
色素を用いることにより光記録特性、保存安定性に優れ
た光記録媒体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の構成
により達成される。

【０００８】１．下記一般式Ｉで示される金属錯体化合
物。

【０００９】

【化３】

【００１０】式中、Ｙは置換位置に隣接して窒素原子、
硫黄原子または酸素原子を有するヘテロ環基、Ｘはハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、または無置換の
アシルアミノ基を表す。Ｚはヒドロキシル基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アルコキシ基から選ばれる置換
基をパラ位に有するアリール基、ヘテロ環基を表す。Ｒ
₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、各々水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アルキル
スルホンアミド基から選ばれる基を表す。Ｍ₁はＮｉ、
Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩を表す。nは
２または３を表す。

【００１１】２．上記一般式Ｉで示される化合物が下記
一般式IIで示されることを特徴とする前記１項記載の金
属錯体化合物。

【００１２】

【化４】

【００１３】式中、Ｘはハロゲン原子、アルキル基また
はアルコキシ基、または無置換のアシルアミノ基を表
す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀は各々水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシ
ルアミノ基、アルキルスルホンアミド基から選ばれる基
を表す。Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇は、各々水素原子またはアル
キル基を表す。Ｍ₂はＮｉまたはＣｕの塩を表す。

【００１４】３．基板上に一般式Ｉ、またはIIで示され
る金属錯体化合物の少なくとも１種を記録層として有す
ることを特徴とする光記録媒体。

【００１５】４．光源として半導体レーザを用いて、基
板を通して書き込みと読みだしを行うことを特徴とする
前記３項記載の光記録媒体。

【００１６】以下に本発明の金属錯体化合物について詳
細に説明する。

【００１７】本発明の金属錯体化合物は２ないし３個の
色素分子と１個の２価金属塩との結合により形成され
る。結合の詳細は必ずしも明らかではないが、一般式Ｉ
において主環のイミダゾール環中のＮ原子の孤立電子対
とＭ₁による２ないし３個の配位結合、更にヘテロ環基
中の窒素原子、硫黄原子または酸素原子とＭ₁との間の
２ないし３個の配位結合により４配座または６配座の金
属錯体が形成されると考えられる。

【００１８】本発明者らによる特開平７−３３７４６号
には、類似の構造で、オルト位にスルホンアミド基等の
解離性置換基を有するフェニル基と金属原子間のイオン
結合、及び他の基と金属原子間の配位結合による６配座
の色素が記載されているが、本発明は上記解離性置換基
を排除し、Xに適当な置換基を導入することにより吸収
極大がより短波長で、かつモル吸光係数の更に高い色素
が得られる。

【００１９】上記一般式Ｉにおいて、Ｙで表される、置
換位置に隣接して窒素原子、硫黄原子または酸素原子を
有するヘテロ環基の例としては、1-ピラゾリル基、2-ピ
リジル基、2-ベンズチアゾリル基、2-イミダゾリル基、
2-ピペラジル基、2-ベンズイミダゾリル基、2-オキサゾ
リル基等が挙げられる。Ｙの好ましくは、1-ピラゾリル
基、2-ピリジル基である。

【００２０】Ｘで表される基がハロゲン原子である時の
例としては、塩素原子、フッ素原子等を挙げることがで
き、アルキル基である時の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチ
ル基等を挙げることができ、アルコキシ基である時の例
としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等を
挙げることができ、アシルアミノ基である時の例として
は、アセトアミド基、ベンズアミド基等を挙げることが
できる。

【００２１】Ｚの例としては、4-ヒドロキシフェニル
基、3,5-ジクロロ-4-ヒドロキシフェニル基、4-アミノ
フェニル基、4-(N-メチルアミノ)フェニル基、4-(N-エ
チルアミノ)フェニル基、4-(N-ヘキシルアミノ)フェニ
ル基、4-(N-ドデシルアミノ)フェニル基、4-(N,N-ジメ
チルアミノ)フェニル基、4-(N,N-ジエチルアミノ)フェ
ニル基、4-(N,N-ジヘキシルアミノ)フェニル基、4-(N-
エチル-N-メチルスルホンアミドエチルアミノ)フェニル
基、4-(N,N-ジエチルアミノ)-2-メチルフェニル基、4-
(N,N-ジヘキシルアミノ)-2-メチルフェニル基、4-(N-エ
チル-N-メタンスルホンアミドエチルアミノ)-2-メチル
フェニル基、4-(N-エチル-N-ヒドロキシエチルアミノ)-
2-メチルフェニル基、4-(N-エチル-N-メトキシエチルア
ミノ)-2-メチルフェニル基、4-(N,N-ジメトキシエチル
アミノ)-2-メチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、
3,5-ジクロロ-4-メトキシフェニル基、3,5-ジクロロ-4-
オクチルオキシフェニル基、4-アニリノフェニル基、4-
アセトアミドフェニル基、4-イソプロピルアミドフェニ
ル基、4-ベンズアミドフェニル基、4-メチルスルホンア
ミドフェニル基、4-オクチルスルホンアミドフェニル
基、2-(3-メチル-5-N,N-ジエチルアミノ)ピリジル基等
を挙げることができる。Ｚの好ましくは、4-(N,N-ジエ
チルアミノ)-2-メチルフェニル基、4-(N-エチル-N-メタ
ンスルホンアミドエチルアミノ)-2-メチルフェニル基、
4-(N-エチル-N-メトキシエチルアミノ)-2-メチルフェニ
ル基等のパラフェニレンジアミン誘導体構造を有するも
のである。

【００２２】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄で表される基がハロ
ゲン原子である時の例としては、塩素原子、フッ素原子
等を挙げることができ、アルキル基である時の例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、
i-ブチル基、t-ブチル基等を挙げることができ、アルコ
キシ基である時の例としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基等を挙げることができ、アシルアミノ
基である時の例としては、アセトアミド基、ベンズアミ
ド基等を挙げることができ、アルキルスルホンアミド基
である時の例としては、メチルスルホンアミド基、エチ
ルスルホンアミド基、トリフルオロメチルスルホンアミ
ド基等を挙げることができる。

【００２３】上記Ｘ、Ｙ及びＺは必要に応じて更に他の
置換基を有することが可能である。

【００２４】Ｍ₁がＮｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐ
ｄ、Ｐｔから選ばれる金属原子の塩であるときの例とし
ては、上記金属原子の酢酸塩、過塩素酸塩、ハロゲン
塩、フッ化ホウソ塩、フッ化リン塩、アセチルアセトン
塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩等が挙げられ
る。ｎの好ましくは２である。

【００２５】本発明の金属錯体化合物の中でも色素とし
ての吸収・反射特性、保存安定性、錯体形成の容易性等
から一般式IIに示す構造が更に好ましい。

【００２６】一般式IIにおいてＸで表される基は一般式
Ｉ中のＸで表される基と同様の例を挙げることができ
る。Ｘの好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルコ
キシ基である。更に好ましくはハロゲン原子である。

【００２７】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀で
表される基がハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
基、アシルアミノ基、アルキルスルホンアミド基から選
ばれる基を表すときの例としては、一般式Ｉ中のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄で示した各基と同様の例を挙げること
ができる。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄で表される基の好まし
くは、全てが水素原子であるか、またはいずれか一つが
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基で、他は水素
原子である時であり、Ｒ₂がハロゲン原子で他は水素原
子である時が更に好ましい。

【００２８】Ｒ₈、Ｒ₉、及びＲ₁₀で表される基の好まし
くは、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀の全てがアルキル基である時、
またはＲ₈、Ｒ₁₀がアルキル基で、かつＲ₉が水素原子で
ある時である。Ｒ₈、Ｒ₁₀がアルキル基で、かつＲ₉が水
素原子である時が更に好ましい。Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇で表
される基がアルキル基である時の例としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、i-ブチル
基、t-ブチル基等を挙げることができる。更にこれらに
置換基を有する場合の例としては、メトキシエチル基、
メチルスルホンアミドエチル基等が挙げられる。Ｒ₅の
好ましくはメチル基である。Ｒ₆及びＲ₇の好ましくはエ
チル基、または更に置換基を有するエチル基である。

【００２９】Ｍ₂で表されるＮｉまたはＣｕの塩として
は酢酸塩、過塩素酸塩、ハロゲン塩、フッ化ホウソ塩、
フッ化リン塩、アセチルアセトン塩、ベンゼンスルホン
酸塩、安息香酸塩等が挙げられる。過塩素酸塩、フッ化
ホウソ塩、フッ化リン塩、アセチルアセトン塩が好まし
く、更にＮｉの塩が好ましい。

【００３０】本発明の金属錯体化合物は分子量あたりの
吸光度が高いことが利点であるため、分子量としては15
00以下が好ましく、更に好ましくは1300以下である。

【００３１】以下に本発明の金属錯体化合物の具体例を
示す。

【００３２】

【化５】

【００３３】

【化６】

【００３４】

【化７】

【００３５】

【化８】

【００３６】

【化９】

【００３７】

【化１０】

【００３８】

【化１１】

【００３９】

【化１２】

【００４０】

【化１３】

【００４１】

【化１４】

【００４２】本発明の化合物は、例えばBeilstein２
３、２４、２５巻、及びBerichte３４巻６３９、同２９
巻２１０３、同９２巻５５０等に記載されているイミダ
ゾールの合成法を参考にして、Ｍと結合可能な置換基を
導入したイミダゾール誘導体を合成し、更にパラ−アミ
ノフェノール、パラ−フェニレンジアミン誘導体等との
酸化カップリング反応等によりアゾメチン色素を得る。

【００４３】適当な溶媒に前記アゾメチン色素を溶解し
金属塩、例えば酢酸Ｎｉ、酢酸Ｃｕ、塩化Ｎｉ、塩化Ｃ
ｕ、アセチルアセトンＮｉ塩等の無機塩あるいは有機塩
を加えることにより本発明の金属錯体化合物が得られ
る。

【００４４】本発明の金属錯体化合物は必要に応じ重合
可能な置換基を導入することにより高分子とすることが
できる。また、構造式中に油溶性基、親水性基の導入に
より、色素溶液、LB（ラングミュアーブロジェット）膜
形成、オイルを用いた分散、あるいはマイクロカプセル
等さまざまな形態に加工することが可能である。

【００４５】本発明の化合物は単独または併用、あるい
は他の色素と組み合わせて光記録媒体、繊維の染色剤、
樹脂や塗料の着色材、印刷インキ、カラー複写機、カラ
ープリンター、感熱記録材料等における画像形成材、個
体撮像管やカラー液晶のフィルター染料等様々な用途に
使用できる。

【００４６】本発明の金属錯体化合物に種々の保存性改
良材を加えて保存性を更に改良することも可能である。
例えば、ベンズトリアゾリルフェノール誘導体等の紫外
線吸収材、β-カロテン、トコフェロール誘導体、ハイ
ドロキノン誘導体、スピロインダン誘導体、フェノール
誘導体、アミン誘導体、チオエーテル誘導体、Niジチオ
ール誘導体、Niフェナンスロリン誘導体、Niベンジリデ
ンアニリン誘導体等の酸化防止材、及び光安定材が挙げ
られ、単独でも２種以上を混合して添加してもよい。

【００４７】次に、本発明の金属錯体化合物を用いた光
記録媒体について説明する。

【００４８】本発明の光記録媒体を構成する基板として
は、記録・再生に用いるレーザ光の波長領域（700〜900
nm）において実質的に透明（透過率が80％以上）である
ことが必要とされる。基板の形状としては、通常のコン
パクトディスクとして用いる場合において、厚さ1.2mm
程度、直径80〜120mm程度とされる。基板を構成する材
料としては、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リサルフォン樹脂、メチルペンテンポリマー等の透明性
樹脂、ガラスなどが挙げられる。

【００４９】なお、基板の外表面、内表面、内・外周面
には、必要に応じて酸素遮断性被膜が形成されていても
よい。

【００５０】また、記録層が形成される基板上には、ト
ラッキング用のグルーブが形成されていることが好まし
い。

【００５１】本発明の金属錯体化合物を用いた記録層
は、レーザ光の波長領域における消衰係数kが光記録媒
体の記録層として好ましいものとなり、記録のために好
適な光吸収性と再生のために好適な反射率とを兼ね備え
たものとなる。ここに、レーザ光の波長領域における記
録層の消衰係数kが過大である場合には、反射率の低下
を招き、反射光による再生を十分良好に行うことができ
ない。また、消衰係数kが過小である場合には、通常の
記録パワーによって記録を行うことが困難となる。消衰
係数kの好ましくは0.01から0.1である。

【００５２】一方、レーザ光の波長領域における記録層
の屈折率n（複素屈折率の実部）としては1.8〜4.0であ
ることが好ましい。

【００５３】なお、本発明の光記録媒体を構成する記録
層には、他の種類の色素化合物、各種樹脂、界面活性
材、帯電防止剤、分散材、酸化防止剤、架橋材などが含
まれていてもよい。

【００５４】記録層は、基板の一面上に形成されていて
もよく、基板の両面上に形成されていてもよい。また、
記録層の厚さとしては、通常500〜3000Åが好ましい。

【００５５】基板上に記録層を形成するための方法とし
ては特に限定されるものではなく、例えばスピンコーテ
ィング法、浸せきコーティング法、スプレーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、ビードコーティング法、マイヤーコーティング法、
カーテンコーティング法など各種の方法を適用すること
ができる。

【００５６】また、記録層の形成にあたって用いる溶媒
としては、例えばシクロヘキサノン等のケトン系溶媒、
酢酸ブチル等のエステル系溶媒、エチルセロソルブ等の
エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、トルエン等の芳香
族系溶媒、ハロゲン化アルキル系溶媒などを挙げること
ができる。

【００５７】記録層上には反射層が形成されていてもよ
い。反射層としては、例えばＡｕ、Ａｌ−Ｍｇ合金、Ａ
ｌ−Ｎｉ合金、Ａｇ、ＰｔおよびＣｕ等の反射率の高い
金属を用い、蒸着、スパッタ等の手段によって形成する
ことができる。反射層の厚さは500Å以上であることが
好ましい。

【００５８】反射層上には、例えば紫外線硬化樹脂等か
らなる保護膜が形成されていてもよい。保護膜の厚さと
しては０．１〜１００μm程度とされ、その硬度が２５
℃における鉛筆硬度でＨ〜８Ｈであることが好ましい。

【００５９】記録層と反射層の間には、これらを密着さ
せるための接着層が設けられていてもよい。接着層の厚
さは10〜300Åであることが望ましい。

【００６０】本発明の光記録媒体の記録、再生を行う光
源としては、固体レーザ、ガスレーザ、色素レーザ、半
導体レーザが考えられるが、コンパクトディスクに見ら
れるように安価、小型、低消費電力等の観点から半導体
レーザが好ましい。

【００６１】本発明の化合物は特に高い記録感度を有し
ていることから、630nmないし830nmの半導体レーザが好
適である。

【００６２】

【実施例】以下に本発明の金属錯体化合物の合成例及び
本発明の化合物を光記録媒体に用いた実施例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００６３】実施例１ 合成例１（例示化合物（１２）の合成） （反応スキーム）

【００６４】

【化１５】

【００６５】原料のアミジン（１）８０ｇとブロムアセ
トフェノン（２）４０ｇをクロロホルム１００ｍｌに溶
解し２時間加熱還流を行った。水洗、乾燥後溶媒を留去
し、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒から再結晶を行い
目的の中間体（３）を２２ｇ得た。ＮＭＲ、ＭＡＳＳス
ペクトルにより目的物であることを確認した。２０ｇの
中間体（３）、及び２０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノ）−２−メチルアニリンを酢酸エチル２００ｍｌに
溶解した。これに炭酸カリウム４０ｇを水１００ｍｌに
溶解した溶液を加えた後、２０ｇの過硫酸アンモニウム
を溶解した５０ｍｌの水溶液を滴下した。１時間反応後
析出した結晶を減圧濾過し更に水洗、メタノール洗浄後
乾燥し９ｇの目的物色素（４）を得た。ＮＭＲ、ＭＡＳ
Ｓスペクトルにより目的物であることを確認した。メタ
ノール３０ｍｌに５ｇの色素（４）を溶解し、更に１．
７ｇの酢酸Ｎｉ４水和物を加えた後に、更に０．８ｇの
テトラフルオロボレートナトリウム塩を加えた。溶媒を
留去後、メタノールから再結晶を行い目的物金属錯体の
例示化合物（１２）を４ｇ得た。ＩＲ、及び元素分析値
から目的物であることを確認した。

【００６６】以下に本発明の金属錯体化合物の分光吸収
特性を示す。

【００６７】（分光吸収特性）本発明の金属錯体化合物
（１）、（５）、（１２）及び比較として下記の特開平
７−３３７４６号に記載されたイミダゾール系金属錯体
色素（Ａ）のアセトン中での分光吸収特性を表１に示
す。

【００６８】

【化１６】

【００６９】

【表１】

【００７０】表１から明らかなように本発明の例示化合
物は比較と比べ、いずれも吸収極大がシアン色素として
より好ましい波長域にあり、かつ、εの大きい優れた色
素であることが分かる。

【００７１】実施例２ （光記録媒体としての評価）以下に示す手順で薄膜での
吸収極大、耐光性、光記録特性等の評価を行った。

【００７２】（１）記録層の形成 本発明の例示化合物（１）、（５）、（１２）及び下記
の示す比較化合物（Ｂ）、（Ｃ）を各１ｇ秤量し、５０
ｍｌのシクロヘキサノンに溶解した。塗布液を、スピン
コーティング法によりガラス基板（厚さ１．１ｍｍ、直
径８０ｍｍ）上に塗布し、８０℃で３０分間乾燥するこ
とにより当該ガラス基板上に厚さ１０００Å前後の記録
層を形成した。

【００７３】

【化１７】

【００７４】（２）耐光性試験 キセノンフェードメータ（スガ試験機 製）を用い、各
試料の記録層にキセノン光を照射し、照射後における色
素残存率を測定した。ここで、照射条件としては、記録
層表面の照度を７万ルクス、照射時の温度を４３℃、照
射時間を３０時間とした。また、色素残存率は、色素の
最大吸収波長の光透過率をキセノン光照射前後で測定し
て下記の式から求めた。

【００７５】式） 色素残存率＝（１００−Ｔ）／
（１００−Ｔ₀） 〔ただし、Ｔ₀はキセノン光照射前の透過率、Ｔはキセ
ノン光照射後の透過率を表す。〕 結果を表２に示す。

【００７６】

【表２】

【００７７】表２の結果から明らかなように、本発明の
金属錯体化合物を用いた記録媒体である試料Ｎｏ．１な
いし３はシアニン色素を使用した比較の試料４と同等の
吸収極大を有し、かつ比較に比べ色素残存率が高く、優
れた耐光性を有することが分かる。

【００７８】一方、本発明とは異なる金属錯体化合物を
用いた試料５は吸収極大が長波長過ぎて光記録媒体とし
ては適さないことが分かる。

【００７９】実施例３ （光記録媒体の製造、及び評価）直径５インチのグルー
ブつきポリカーボネート基板上に本発明の金属錯体化合
物（１２）を用いて記録層を塗布し、反射層（Ａｕ、厚
さ１０００Å）、保護膜（紫外線硬化樹脂、厚さ５μ
ｍ）を定法にしたがって順次形成し、本発明の光記録媒
体（６）を製造した。

【００８０】比較として、前記比較化合物（Ｂ）を記録
層に用いて同様に光記録媒体（７）を製造した。反射率
を測定したところ、光記録媒体（６）、及び（７）の両
者とも７０％以上を示した。これらの試料に７８０ｎｍ
の半導体レーザによりパワーを変化させて情報記録し、
０．８ｍＷで再生を行った。また、実施例２で用いたキ
セノンフェードメータを使用し、７万ルクス、３０時間
の光曝射を行った後に同様の記録再生実験を行った。

【００８１】表３にその結果を示す。

【００８２】

【表３】

【００８３】結果から明らかなように、本発明の光記録
媒体（６）はＣＤ規格を満足する良好な記録・再生を行
うことができた他、特に耐光性に優れた安定した記録・
再生特性を有することが明らかとなった。

【００８４】一方、比較の光記録媒体（７）はレーザの
再生光で反射率が低下し、再生不良を起こした他、キセ
ノンフェードメータによる光曝射でも記録できなくなる
現象がみられた。

【００８５】

【発明の効果】本発明の金属錯体化合物は、モル吸光係
数が高く、耐光性に優れた色素であり、これらを光記録
媒体に用いることにより、使用される半導体レーザに適
合した吸収を有し、良好な記録・再生を行うことがで
き、特に耐光性に優れた安定した記録・再生特性が得ら
れた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 7416−2Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式Ｉで示される金属錯体化合
   物。 【化１】 〔式中、Ｙは置換位置に隣接して窒素原子、硫黄原子ま
   たは酸素原子を有するヘテロ環基、Ｘはハロゲン原子、
   アルキル基、アルコキシ基、または無置換のアシルアミ
   ノ基を表す。Ｚはヒドロキシル基、アミノ基、アルキル
   アミノ基、アルコキシ基から選ばれる置換基をパラ位に
   有するアリール基、ヘテロ環基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
   及びＲ₄は、各々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
   基、アルコキシ基、アシルアミノ基、アルキルスルホン
   アミド基から選ばれる基を表す。Ｍ₁はＮｉ、Ｃｕ、Ｃ
   ｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔの塩を表す。nは２または
   ３を表す。〕
2. 【請求項２】 上記一般式Ｉで示される化合物が下記一
   般式IIで示されることを特徴とする請求項１記載の金属
   錯体化合物。 【化２】 〔式中、Ｘはハロゲン原子、アルキル基またはアルコキ
   シ基、または無置換のアシルアミノ基を表す。Ｒ₁、
   Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₈、Ｒ₉及びＲ₁₀は各々水素原子、ハ
   ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルアミノ
   基、アルキルスルホンアミド基から選ばれる基を表す。
   Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇は、各々水素原子またはアルキル基を
   表す。Ｍ₂はＮｉまたはＣｕの塩を表す。〕
3. 【請求項３】 基板上に一般式Ｉ、またはIIで示される
   金属錯体化合物の少なくとも1種を記録層として有する
   ことを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 光源として半導体レーザを用いて、基板
   を通して書き込みと読みだしを行うことを特徴とする請
   求項３記載の光記録媒体。