JPH0828624B2 - 高効率半導体増幅器 - Google Patents
高効率半導体増幅器Info
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- JPH0828624B2 JPH0828624B2 JP1337841A JP33784189A JPH0828624B2 JP H0828624 B2 JPH0828624 B2 JP H0828624B2 JP 1337841 A JP1337841 A JP 1337841A JP 33784189 A JP33784189 A JP 33784189A JP H0828624 B2 JPH0828624 B2 JP H0828624B2
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- harmonic
- output
- fet
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は高効率半導体増幅器に関し、特に衛星通
信、地上マイクロ波通信等で使用する準マイクロ波・マ
イクロ波帯の高効率増幅器に関するものである。
信、地上マイクロ波通信等で使用する準マイクロ波・マ
イクロ波帯の高効率増幅器に関するものである。
第３図は例えばT.Nojima,S.Nishiki,「ハイ エフィ
シェンシー マイクロウエーブ ハーモニック リアク
ション アンプリファイアー」IEEE.MTT−Ｓ ダイジェ
スト（“High EFFICIENCY Microwave Harmonic Reactio
n Amplifier"IEEE.MTT−S Digest）1988pp1007〜1010に
示された従来の高効率半導体増幅器の構成図である。図
において１は上記高効率半導体増幅器の入力端子、２は
その出力端子、３は上記入力端子１に受けたマイクロ波
信号を２分配する電力分配器、5,6はそれぞれ各分配出
力を増幅する第1,第２のFETで、これらの各FET5,6の入
力側には入力整合回路（図示せず）、出力側には出力整
合回路（図示せず）が配設されている。7a,7bはそれぞ
れ該FET5,6の後段に接続された基本波バンドパスフィル
タ、４は該両フィルタ7a,7bの出力を合成する電力合成
器である。
シェンシー マイクロウエーブ ハーモニック リアク
ション アンプリファイアー」IEEE.MTT−Ｓ ダイジェ
スト（“High EFFICIENCY Microwave Harmonic Reactio
n Amplifier"IEEE.MTT−S Digest）1988pp1007〜1010に
示された従来の高効率半導体増幅器の構成図である。図
において１は上記高効率半導体増幅器の入力端子、２は
その出力端子、３は上記入力端子１に受けたマイクロ波
信号を２分配する電力分配器、5,6はそれぞれ各分配出
力を増幅する第1,第２のFETで、これらの各FET5,6の入
力側には入力整合回路（図示せず）、出力側には出力整
合回路（図示せず）が配設されている。7a,7bはそれぞ
れ該FET5,6の後段に接続された基本波バンドパスフィル
タ、４は該両フィルタ7a,7bの出力を合成する電力合成
器である。
また8a,8bはそれぞれ上記第1,第２のFET5,6の後段に
接続された２倍波バンドパスフィルタ、９は該両フィル
タ8a,8bの出力間に接続された移相器である。
接続された２倍波バンドパスフィルタ、９は該両フィル
タ8a,8bの出力間に接続された移相器である。
次に動作について説明する。
入力端子１から入力したマイクロ波は電力分配器３に
より２分配され、第１のFET5及び第２のFET6へ供給され
る。ここでは第１のFET5及び第２のFET6は効率を高める
ためにＢ級あるいはAB級に動作点を設定している。
より２分配され、第１のFET5及び第２のFET6へ供給され
る。ここでは第１のFET5及び第２のFET6は効率を高める
ためにＢ級あるいはAB級に動作点を設定している。
この時第１のFET5及び第２のFET6の出力中の基本波成
分は、基本波のみを通過して２倍波を遮断する基本波バ
ンドパスフィルタ7a,7bを経て、電力合成器４で合成さ
れ、出力端子２に出力される。
分は、基本波のみを通過して２倍波を遮断する基本波バ
ンドパスフィルタ7a,7bを経て、電力合成器４で合成さ
れ、出力端子２に出力される。
また第１のFET5の出力中の２倍波成分は、２倍波のみ
を通過し基本波をしゃ断する２倍波バンドパスフィルタ
8a,移相器９及びフィルタ8bを経て、第２のFET6へ注入
される。同様に第２のFET6の出力中の２倍波成分もフィ
ルタ8b,移相器９及びフィルタ8aを介して第１のFET5へ
注入される。移相器９を調整することにより２倍波注入
位相を最適とすると、増幅器の効率は向上する。
を通過し基本波をしゃ断する２倍波バンドパスフィルタ
8a,移相器９及びフィルタ8bを経て、第２のFET6へ注入
される。同様に第２のFET6の出力中の２倍波成分もフィ
ルタ8b,移相器９及びフィルタ8aを介して第１のFET5へ
注入される。移相器９を調整することにより２倍波注入
位相を最適とすると、増幅器の効率は向上する。
従来の高効率半導体増幅器は以上のように構成されて
いるので、４つのバンドパスフィルタを必要とし、部品
点数が増大するという問題点がある。又、一方のFETの
２倍波出力を他方のFETへ注入する２倍波注入経路が２
つのバンドパスフィルタ及び移相器で構成されるため、
２倍波注入経路による２倍波の位相回転が大きく、増幅
効率の向上する帯域が狭くなる等の問題点があった。
いるので、４つのバンドパスフィルタを必要とし、部品
点数が増大するという問題点がある。又、一方のFETの
２倍波出力を他方のFETへ注入する２倍波注入経路が２
つのバンドパスフィルタ及び移相器で構成されるため、
２倍波注入経路による２倍波の位相回転が大きく、増幅
効率の向上する帯域が狭くなる等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、部品点数を少なくして小型にできるととも
に、増幅効率の向上する帯域を広くすることができる高
効率半導体増幅器を得ることを目的とする。
れたもので、部品点数を少なくして小型にできるととも
に、増幅効率の向上する帯域を広くすることができる高
効率半導体増幅器を得ることを目的とする。
この発明に係る高効率半導体増幅器は、入力マイクロ
波信号を２分配し、該各分配出力を第1,第２の増幅素子
により増幅する回路構成に加え、各増幅出力を合成する
電力合成手段を上記各増幅素子にそれぞれ２倍波のみの
位相を調整する第1,第２の２倍波位相調整用線路を介し
て接続し、上記電力合成手段の出力側に低域通過フィル
タを設け、一方の増幅素子の出力の２倍波成分を他方の
増幅素子へ注入するための２倍波注入経路を、上記各増
幅素子の出力整合回路、２倍波位相調整用線路、及び電
力合成手段とから構成したものである。
波信号を２分配し、該各分配出力を第1,第２の増幅素子
により増幅する回路構成に加え、各増幅出力を合成する
電力合成手段を上記各増幅素子にそれぞれ２倍波のみの
位相を調整する第1,第２の２倍波位相調整用線路を介し
て接続し、上記電力合成手段の出力側に低域通過フィル
タを設け、一方の増幅素子の出力の２倍波成分を他方の
増幅素子へ注入するための２倍波注入経路を、上記各増
幅素子の出力整合回路、２倍波位相調整用線路、及び電
力合成手段とから構成したものである。
この発明においては、低域通過フィルタを電力合成手
段の出力側に設け、一方の増幅素子の出力の２倍波成分
を他方の増幅素子へ注入するための２倍波注入経路を、
各増幅素子の出力整合回路、２倍波のみを位相調整する
２倍波位相調整用線路、及び電力合成手段より構成した
から、従来２つ必要であった基本波バンドパスフィルタ
としての低域通過フィルタを１つに削減でき、また従来
２つ必要であった２倍波バンドパスフィルタを不要にす
ることができ、これにより部品点数の消減、装置の小型
化を図ることができる。
段の出力側に設け、一方の増幅素子の出力の２倍波成分
を他方の増幅素子へ注入するための２倍波注入経路を、
各増幅素子の出力整合回路、２倍波のみを位相調整する
２倍波位相調整用線路、及び電力合成手段より構成した
から、従来２つ必要であった基本波バンドパスフィルタ
としての低域通過フィルタを１つに削減でき、また従来
２つ必要であった２倍波バンドパスフィルタを不要にす
ることができ、これにより部品点数の消減、装置の小型
化を図ることができる。
また２倍波注入経路に２倍波バンドパスフィルタを用
いていないため、２倍波の位相回転を小さくでき、これ
により増幅効率の向上する帯域を広くすることができ
る。
いていないため、２倍波の位相回転を小さくでき、これ
により増幅効率の向上する帯域を広くすることができ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による高効率半導体増幅器
を示すブロック構成図であり、図において第３図と同一
符号は同一または相当部分を示す。10a,10bは第1,第２
のFET（増幅素子）の入力側に設けられた入力整合回
路、11a,11bはそれぞれ該FET5,6の出力側に接続された
出力整合回路である。ここで、上記入力整合回路10a,10
bは基本波についてインピーダンス整合を行い、また出
力整合回路11は基本波及び２倍波についてインピーダン
ス整合を行なうものとする。
を示すブロック構成図であり、図において第３図と同一
符号は同一または相当部分を示す。10a,10bは第1,第２
のFET（増幅素子）の入力側に設けられた入力整合回
路、11a,11bはそれぞれ該FET5,6の出力側に接続された
出力整合回路である。ここで、上記入力整合回路10a,10
bは基本波についてインピーダンス整合を行い、また出
力整合回路11は基本波及び２倍波についてインピーダン
ス整合を行なうものとする。
また12a,12bはそれぞれ上記出力整合回路11a,11bと電
力合成器（電力合成手段）４との間の電送線路を構成す
る２倍波位相調整用線路で、ここでは基本波バンドパス
フィルタ（低域通過フィルタ）７は上記電力合成器４の
出力と出力端子２との間に設けられている。
力合成器（電力合成手段）４との間の電送線路を構成す
る２倍波位相調整用線路で、ここでは基本波バンドパス
フィルタ（低域通過フィルタ）７は上記電力合成器４の
出力と出力端子２との間に設けられている。
次に動作について説明する。
入力端子１から入力したマイクロ波は電力分配器３に
より２分配され第１のFET5及び第２のFET6に供給され
る。ここで第１のFET5、第２のFET6は従来と同様効率を
高めるためにＢ級あるいはAB級に動作点を設定してい
る。
より２分配され第１のFET5及び第２のFET6に供給され
る。ここで第１のFET5、第２のFET6は従来と同様効率を
高めるためにＢ級あるいはAB級に動作点を設定してい
る。
この時第１のFET5及び第２のFET6の出力の基本波成分
は上記出力整合回路11a,11b、及び２倍波位相調整用線
路12a,12bを経て、電力合成器４で合成され、基本波バ
ンドパスフィルタ７を通過し出力端子２に出力される。
この場合に、第１のFET5と第２のFET6に特性のばらつき
がなく、かつ、２つの２倍波位相調整用線路12a,12bの
長さが等しい場合には、第１のFET5及び第２のFET6で増
幅された基本波には同相モードのみが存在し、全ての基
本波は、他方のFETに注入されることなく、電力合成器
４で合成され、基本波バンドパスフィルタ７を通過し出
力端子２に出力される。つまり、２倍波位相調整用線路
12aと12bとの長さが等しければ、２倍波位相調整用線路
の長さを調整しても第１のFET5から負荷側を見込む基本
波インピーダンスは、変わらない。
は上記出力整合回路11a,11b、及び２倍波位相調整用線
路12a,12bを経て、電力合成器４で合成され、基本波バ
ンドパスフィルタ７を通過し出力端子２に出力される。
この場合に、第１のFET5と第２のFET6に特性のばらつき
がなく、かつ、２つの２倍波位相調整用線路12a,12bの
長さが等しい場合には、第１のFET5及び第２のFET6で増
幅された基本波には同相モードのみが存在し、全ての基
本波は、他方のFETに注入されることなく、電力合成器
４で合成され、基本波バンドパスフィルタ７を通過し出
力端子２に出力される。つまり、２倍波位相調整用線路
12aと12bとの長さが等しければ、２倍波位相調整用線路
の長さを調整しても第１のFET5から負荷側を見込む基本
波インピーダンスは、変わらない。
また第１のFET5の出力中の２倍波成分は出力整合回路
11a,11b、２倍波位相調整用線路12a,12b、電力合成器４
で構成される２倍波注入経路を経て第２のFET6へ注入さ
れる。第２のFET6の出力中の２倍波成分についても同様
にして第１のFET5へ注入される。
11a,11b、２倍波位相調整用線路12a,12b、電力合成器４
で構成される２倍波注入経路を経て第２のFET6へ注入さ
れる。第２のFET6の出力中の２倍波成分についても同様
にして第１のFET5へ注入される。
そして基本波バンドパスフィルタ７は２倍波を遮断す
るので、第１のFET5をＢ級あるいはAB級動作することに
より発生した２倍波は、すべて第２のFET6に注入され
る。同様に第２のFET6をＢ級あるいはAB級動作すること
により発生した２倍波は、すべて第１のFET5に注入され
る。
るので、第１のFET5をＢ級あるいはAB級動作することに
より発生した２倍波は、すべて第２のFET6に注入され
る。同様に第２のFET6をＢ級あるいはAB級動作すること
により発生した２倍波は、すべて第１のFET5に注入され
る。
第１のFET5から負荷側を見込む２倍波インピーダンス
は、等価的に、第１のFET5をＢ級あるいはAB級動作する
ことにより発生した２倍波（負荷方向に伝搬する２倍
波）と、第２のFET6をＢ級あるいはAB級動作することに
より発生した２倍波（負荷方向に伝搬する２倍波）との
比で定義できる。
は、等価的に、第１のFET5をＢ級あるいはAB級動作する
ことにより発生した２倍波（負荷方向に伝搬する２倍
波）と、第２のFET6をＢ級あるいはAB級動作することに
より発生した２倍波（負荷方向に伝搬する２倍波）との
比で定義できる。
このため、第１のFET5から負荷側を見込む２倍波イン
ピーダンスは、２倍波位相調整用線路12aと12bとの長さ
を調整し、FET5に注入される２倍波の位相を変えること
により、調整できる。第２のFET6から負荷側を見込む２
倍波インピーダンスについても同様である。
ピーダンスは、２倍波位相調整用線路12aと12bとの長さ
を調整し、FET5に注入される２倍波の位相を変えること
により、調整できる。第２のFET6から負荷側を見込む２
倍波インピーダンスについても同様である。
このように本実施例では、基本波バンドパスフィルタ
７を電力合成器４の出力側に設け、一方のFET5あるいは
６の出力の２倍波成分を他方のFET6あるいは５へ注入す
る２倍波注入経路を、出力整合回路11a,11b、２倍波位
相調整用線路12a,12b、及び電力合成器４で構成したの
で、従来２つ必要であった基本波バンドパスフィルタ７
が１つで済む。また従来２つ必要であった２倍波バンド
パスフィルタは不要となり、部品点数の消減、小型化を
図ることができる。
７を電力合成器４の出力側に設け、一方のFET5あるいは
６の出力の２倍波成分を他方のFET6あるいは５へ注入す
る２倍波注入経路を、出力整合回路11a,11b、２倍波位
相調整用線路12a,12b、及び電力合成器４で構成したの
で、従来２つ必要であった基本波バンドパスフィルタ７
が１つで済む。また従来２つ必要であった２倍波バンド
パスフィルタは不要となり、部品点数の消減、小型化を
図ることができる。
また２倍波注入経路に２倍波バンドパスフィルタを用
いていないため、２倍波の位相回転を小さく抑えること
ができ、増幅器の効率の向上する帯域を広くすることが
できる。
いていないため、２倍波の位相回転を小さく抑えること
ができ、増幅器の効率の向上する帯域を広くすることが
できる。
なお、上記実施例では、電力分配手段及び電力合成手
段として、それぞれ電力分配器及び電力合成器を用いた
場合について説明したが、これはどちらか一方あるいは
両方にＴ分岐又はカップラを用いてもよい。
段として、それぞれ電力分配器及び電力合成器を用いた
場合について説明したが、これはどちらか一方あるいは
両方にＴ分岐又はカップラを用いてもよい。
第２図は本発明の他の実施例による高効率半導体増幅
器を示す。この実施例は、第２図に示すように、第１図
の実施例において、電力分配器３を入力側Ｔ分岐13、電
力合成器４を出力側Ｔ分岐14、基本波バンドパスフィル
タ７をローパスフィルタ15で置き換えたものである。こ
の場合電力分配手段及び電力合成手段にＴ分岐を用いて
いるため、上記実施例の効果に加え装置の構成をさらに
簡略化することができる。
器を示す。この実施例は、第２図に示すように、第１図
の実施例において、電力分配器３を入力側Ｔ分岐13、電
力合成器４を出力側Ｔ分岐14、基本波バンドパスフィル
タ７をローパスフィルタ15で置き換えたものである。こ
の場合電力分配手段及び電力合成手段にＴ分岐を用いて
いるため、上記実施例の効果に加え装置の構成をさらに
簡略化することができる。
以上のように、この発明に係る高効率半導体増幅器に
よれば、入力マイクロ波信号を２分配し、該各分配出力
を第1,第２の増幅素子により増幅する回路構成に加え、
各増幅出力を合成する電力合成手段を上記各増幅素子に
それぞれ２倍波のみを位相調整する第1,第２の２倍波位
相調整用線路を介して接続し、該電力合成手段の出力側
に低域通過フィルタを設け、増幅素子相互間で出力の２
倍波成分を注入するための２倍波注入経路を、各増幅素
子の出力整合回路、２倍波のみを位相調整する２倍波位
相調整用線路、及び電力合成手段より構成したので、部
品点数を少なくして装置の小型化を図ることができると
ともに、２倍波の位相回転を小さくして、増幅器の効率
が向上する帯域を広くすることができる。
よれば、入力マイクロ波信号を２分配し、該各分配出力
を第1,第２の増幅素子により増幅する回路構成に加え、
各増幅出力を合成する電力合成手段を上記各増幅素子に
それぞれ２倍波のみを位相調整する第1,第２の２倍波位
相調整用線路を介して接続し、該電力合成手段の出力側
に低域通過フィルタを設け、増幅素子相互間で出力の２
倍波成分を注入するための２倍波注入経路を、各増幅素
子の出力整合回路、２倍波のみを位相調整する２倍波位
相調整用線路、及び電力合成手段より構成したので、部
品点数を少なくして装置の小型化を図ることができると
ともに、２倍波の位相回転を小さくして、増幅器の効率
が向上する帯域を広くすることができる。
第１図はこの発明の一実施例による高効率半導体増幅器
の構成図、第２図はこの発明の他の実施例による高効率
半導体増幅器の構成図、第３図は従来の高効率半導体増
幅器の構成図である。 図中、１は入力端子、２は出力端子、３は電力分配器
（電力分配手段）、４は電力合成器（電力合成手段）、
5,6は第1,第２のFET（増幅素子）、７は基本波バンドパ
スフィルタ（低域通過フィルタ）、12a,12bは２倍波位
相調整用線路、13は入力側Ｔ分岐（電力分配手段）、14
は出力側Ｔ分岐（電力合成手段）、15はローパスフィル
タである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の構成図、第２図はこの発明の他の実施例による高効率
半導体増幅器の構成図、第３図は従来の高効率半導体増
幅器の構成図である。 図中、１は入力端子、２は出力端子、３は電力分配器
（電力分配手段）、４は電力合成器（電力合成手段）、
5,6は第1,第２のFET（増幅素子）、７は基本波バンドパ
スフィルタ（低域通過フィルタ）、12a,12bは２倍波位
相調整用線路、13は入力側Ｔ分岐（電力分配手段）、14
は出力側Ｔ分岐（電力合成手段）、15はローパスフィル
タである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】入力端子にマイクロ波信号を受け、これを
増幅して出力端子に出力する高効率半導体増幅器におい
て、 上記入力端子に接続され、マイクロ波信号を２分配して
出力する電力分配手段と、 それぞれ上記各分配出力を増幅する第1,第２の増幅素子
と、 該各増幅素子の出力に２倍波のみを位相調整する第1,第
２の２倍波位相調整用線路を介して接続され、上記各増
幅素子の出力を合成する電力合成手段と、 該電力合成手段の出力と上記出力端子との間に接続され
た低域通過フィルタとを備えたことを特徴とする高効率
半導体増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337841A JPH0828624B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 高効率半導体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337841A JPH0828624B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 高効率半導体増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195205A JPH03195205A (ja) | 1991-08-26 |
| JPH0828624B2 true JPH0828624B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=18312477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337841A Expired - Fee Related JPH0828624B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 高効率半導体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828624B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2883218B2 (ja) * | 1991-03-27 | 1999-04-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体増幅器 |
| US6297696B1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-10-02 | International Business Machines Corporation | Optimized power amplifier |
| WO2008099488A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 電力増幅器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6282804A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Nec Corp | 電力増幅装置 |
| JPH01206709A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Fujitsu Ltd | マイクロ波ミリ波増幅器 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1337841A patent/JPH0828624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03195205A (ja) | 1991-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |