JPH08287823A - 交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法 - Google Patents
交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法Info
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- JPH08287823A JPH08287823A JP7090752A JP9075295A JPH08287823A JP H08287823 A JPH08287823 A JP H08287823A JP 7090752 A JP7090752 A JP 7090752A JP 9075295 A JP9075295 A JP 9075295A JP H08287823 A JPH08287823 A JP H08287823A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡＣ−ＰＤＰの壁電荷蓄積用誘電体を保護す
る保護膜を、スクリーン印刷法で形成しつつ、ＡＣ−Ｐ
ＤＰのパネル特性を向上する。 【構成】 単一分子の有機Ｍｇ化合物と、有機ポリマー
と、有機溶剤とを混合して保護膜形成用のペーストを調
製し、このペーストを、壁電荷蓄積用誘電体16上に印刷
した後に焼成して、ＭｇＯから成る保護膜18を形成す
る。このようなペーストを用いることにより、純度が高
くまたピンホールのないＭｇＯ保護膜18を形成できるの
で、目的を達成できる。
る保護膜を、スクリーン印刷法で形成しつつ、ＡＣ−Ｐ
ＤＰのパネル特性を向上する。 【構成】 単一分子の有機Ｍｇ化合物と、有機ポリマー
と、有機溶剤とを混合して保護膜形成用のペーストを調
製し、このペーストを、壁電荷蓄積用誘電体16上に印刷
した後に焼成して、ＭｇＯから成る保護膜18を形成す
る。このようなペーストを用いることにより、純度が高
くまたピンホールのないＭｇＯ保護膜18を形成できるの
で、目的を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、交流型ガス放電パネ
ルの壁電荷蓄積用誘電体を被覆する保護膜の形成方法に
関する。
ルの壁電荷蓄積用誘電体を被覆する保護膜の形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、交流型ガス放電パネルにあっ
ては、パネルの長寿命化及び特性の向上を目的として、
壁電荷蓄積用誘電体をＭｇＯ保護膜で被覆することが行
なわれている。ＭｇＯ保護膜の形成方法としては、例え
ば文献：テレビジョン学会技術報告 ＩＤＹ９４−１４
ｐ１〜６にも開示されているように、薄膜形成技術や
スクリーン印刷法が用いられる。
ては、パネルの長寿命化及び特性の向上を目的として、
壁電荷蓄積用誘電体をＭｇＯ保護膜で被覆することが行
なわれている。ＭｇＯ保護膜の形成方法としては、例え
ば文献：テレビジョン学会技術報告 ＩＤＹ９４−１４
ｐ１〜６にも開示されているように、薄膜形成技術や
スクリーン印刷法が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら大画面表
示の交流型ガス放電パネルに用いるＭｇＯ保護膜を薄膜
形成技術で形成する場合には、大型の薄膜形成装置例え
ば蒸着装置が必要となる。大型の薄膜形成装置は高価で
あり、また大型の薄膜形成装置のランニングコストも高
価となる。これに対し、スクリーン印刷法によりＭｇＯ
保護膜を形成すれば、より安価な装置を用いることがで
き、また装置のランニングコストも安価になる。しかし
ながら従来方法でＡＣ−ＰＤＰの保護膜を形成すると、
ＡＣ−ＰＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧、放電維
持電圧及び発光効率が、陰極管（ＣＲＴ）に比して劣
る。
示の交流型ガス放電パネルに用いるＭｇＯ保護膜を薄膜
形成技術で形成する場合には、大型の薄膜形成装置例え
ば蒸着装置が必要となる。大型の薄膜形成装置は高価で
あり、また大型の薄膜形成装置のランニングコストも高
価となる。これに対し、スクリーン印刷法によりＭｇＯ
保護膜を形成すれば、より安価な装置を用いることがで
き、また装置のランニングコストも安価になる。しかし
ながら従来方法でＡＣ−ＰＤＰの保護膜を形成すると、
ＡＣ−ＰＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧、放電維
持電圧及び発光効率が、陰極管（ＣＲＴ）に比して劣
る。
【０００４】この発明の目的は上述した従来の問題点を
解決し、より良好なパネル特性を得ることのできる保護
膜を、スクリーン印刷法で形成するための方法を提供す
ることにある。
解決し、より良好なパネル特性を得ることのできる保護
膜を、スクリーン印刷法で形成するための方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】この目的を達成
するため、この発明の交流型ガス放電パネルの保護膜形
成方法は、交流型ガス放電パネルの壁電荷蓄積用誘電体
上に金属酸化物から成る保護膜を形成するに当り、保護
膜形成用のペーストとして、単一分子の有機金属化合物
と、有機ポリマーと、有機溶剤との混合溶液を用い、こ
のペーストを、壁電荷蓄積用誘電体上に印刷した後に焼
成して、保護膜を形成することを特徴とする。
するため、この発明の交流型ガス放電パネルの保護膜形
成方法は、交流型ガス放電パネルの壁電荷蓄積用誘電体
上に金属酸化物から成る保護膜を形成するに当り、保護
膜形成用のペーストとして、単一分子の有機金属化合物
と、有機ポリマーと、有機溶剤との混合溶液を用い、こ
のペーストを、壁電荷蓄積用誘電体上に印刷した後に焼
成して、保護膜を形成することを特徴とする。
【０００６】このような方法によれば、単分子の有機金
属化合物と、有機ポリマーと、有機溶剤とを混合して保
護膜形成用のペーストを調製する。従ってこのペースト
を焼成することにより、有機金属化合物の金属成分を酸
化して、金属酸化物を生成し、この金属酸化物から成る
保護膜を得ることができる。
属化合物と、有機ポリマーと、有機溶剤とを混合して保
護膜形成用のペーストを調製する。従ってこのペースト
を焼成することにより、有機金属化合物の金属成分を酸
化して、金属酸化物を生成し、この金属酸化物から成る
保護膜を得ることができる。
【０００７】また有機金属化合物、有機ポリマー及び有
機溶剤はそれぞれ有機物であり、これらの有機成分は、
ペースト焼成時の加熱によって、ガス化して焼成雰囲気
中へと散逸する。しかも有機金属化合物は、重合体では
なく単一分子であるので、ペースト焼成時の加熱によ
り、有機金属化合物の金属成分と有機成分とを容易に分
離でき、従ってペースト焼成時に有機金属化合物の有機
成分を容易にガス化できる。
機溶剤はそれぞれ有機物であり、これらの有機成分は、
ペースト焼成時の加熱によって、ガス化して焼成雰囲気
中へと散逸する。しかも有機金属化合物は、重合体では
なく単一分子であるので、ペースト焼成時の加熱によ
り、有機金属化合物の金属成分と有機成分とを容易に分
離でき、従ってペースト焼成時に有機金属化合物の有機
成分を容易にガス化できる。
【０００８】従って保護膜と成る金属酸化物中に残存す
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物の純度を高めることができる。また残存す
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物にピンホールが発生しにくくピンホールの
少ない保護膜を形成できる。
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物の純度を高めることができる。また残存す
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物にピンホールが発生しにくくピンホールの
少ない保護膜を形成できる。
【０００９】さらに有機ポリマーを混合することにより
単一分子の有機金属化合物がゲル化するのを防止でき、
従ってそのゲル化によって保護膜形成用のペーストが印
刷しづらくなるのを、回避できる。
単一分子の有機金属化合物がゲル化するのを防止でき、
従ってそのゲル化によって保護膜形成用のペーストが印
刷しづらくなるのを、回避できる。
【００１０】
（第一実施例）まず第一実施例として、図１に示す交流
型ガス放電パネルのＭｇＯ保護膜を形成する例につき説
明する。
型ガス放電パネルのＭｇＯ保護膜を形成する例につき説
明する。
【００１１】図１は、第一実施例に係る交流型ガス放電
パネルの基本構造を概略的に示す要部斜視図である。同
図に示す交流型ガス放電パネル（以下、ＡＣ−ＰＤＰと
称す）１０は面放電型のパネルであって、このＡＣ−Ｐ
ＤＰ１０の背面板１２上には、複数対の表示電極１４
を、平行配置して設けてある。そしてこれら表示電極１
４を壁電荷蓄積用誘電体１６で被覆し、さらに壁電荷蓄
積用誘電体１６をその全面にわたって保護膜１８で被覆
してある。またこのＡＣ−ＰＤＰ１０の前面板２０上に
は、蛍光体層２２とバリアリブ（図示せず）とを設けて
ある。
パネルの基本構造を概略的に示す要部斜視図である。同
図に示す交流型ガス放電パネル（以下、ＡＣ−ＰＤＰと
称す）１０は面放電型のパネルであって、このＡＣ−Ｐ
ＤＰ１０の背面板１２上には、複数対の表示電極１４
を、平行配置して設けてある。そしてこれら表示電極１
４を壁電荷蓄積用誘電体１６で被覆し、さらに壁電荷蓄
積用誘電体１６をその全面にわたって保護膜１８で被覆
してある。またこのＡＣ−ＰＤＰ１０の前面板２０上に
は、蛍光体層２２とバリアリブ（図示せず）とを設けて
ある。
【００１２】そしてこれら背面板１２と前面板２０と
を、放電空間２４を介し向き合わせて封着し、この放電
空間２４に放電ガスを封じ込める。
を、放電空間２４を介し向き合わせて封着し、この放電
空間２４に放電ガスを封じ込める。
【００１３】相対応する１対の表示電極１４間に交流電
圧を印加すると、壁電荷蓄積用誘電体１６に起因する壁
電荷が保護膜１８上に蓄積され、そしてこの電荷が放電
空間２４を介して放電される。この放電に起因して生じ
た紫外線により蛍光体２２を励起発光させる。
圧を印加すると、壁電荷蓄積用誘電体１６に起因する壁
電荷が保護膜１８上に蓄積され、そしてこの電荷が放電
空間２４を介して放電される。この放電に起因して生じ
た紫外線により蛍光体２２を励起発光させる。
【００１４】次にこのＡＣ−ＰＤＰ１０の製造工程の説
明と共に、ＭｇＯ保護膜の形成方法について説明する。
明と共に、ＭｇＯ保護膜の形成方法について説明する。
【００１５】まず、背面板１２としてソーダライムガラ
スを用意する。そしてこの背面板１２上に、Ａｇペース
ト（エレクトロサイエンス ラボラトリーズ社製 ＥＳ
Ｌ−５９０）を印刷（印刷はスクリーン印刷法による。
以下、同じ。）して、表示電極端子を形成するための端
子パターンを形成する。然る後、端子パターンを１５０
℃で１５分間加熱して乾燥させる。
スを用意する。そしてこの背面板１２上に、Ａｇペース
ト（エレクトロサイエンス ラボラトリーズ社製 ＥＳ
Ｌ−５９０）を印刷（印刷はスクリーン印刷法による。
以下、同じ。）して、表示電極端子を形成するための端
子パターンを形成する。然る後、端子パターンを１５０
℃で１５分間加熱して乾燥させる。
【００１６】次に端子パターン上に、Ａｕペースト（エ
ヌ・イー ケムキャット社製 Ａ−４６１５）を印刷し
て、表示電極１４を形成するための電極パターンを形成
する。然る後、電極パターンを１５０℃で１５分間加熱
して乾燥させる。次いで端子パターンと電極パターンと
を５８０℃で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した端
子パターンから成る表示電極端子と焼成した電極パター
ンから成る表示電極１４とを得る。
ヌ・イー ケムキャット社製 Ａ−４６１５）を印刷し
て、表示電極１４を形成するための電極パターンを形成
する。然る後、電極パターンを１５０℃で１５分間加熱
して乾燥させる。次いで端子パターンと電極パターンと
を５８０℃で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した端
子パターンから成る表示電極端子と焼成した電極パター
ンから成る表示電極１４とを得る。
【００１７】次に表示電極１４上に、誘電体ペースト
（奥野製薬工業社製 Ｇ３−０４９６）を印刷して、壁
電荷蓄積用誘電体１６を形成するための誘電体パターン
を形成する。然る後、誘電体パターンを１５０℃で１５
分間加熱して乾燥させる。次いで誘電体パターンを５８
０℃で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した誘電体パ
ターンから成る壁電荷蓄積用誘電体１６を得る。
（奥野製薬工業社製 Ｇ３−０４９６）を印刷して、壁
電荷蓄積用誘電体１６を形成するための誘電体パターン
を形成する。然る後、誘電体パターンを１５０℃で１５
分間加熱して乾燥させる。次いで誘電体パターンを５８
０℃で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した誘電体パ
ターンから成る壁電荷蓄積用誘電体１６を得る。
【００１８】次に表示電極端子上に、誘電体ペースト
（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、表示電極端子
のオーバーコートを形成するための誘電体パターンを形
成する。然る後、誘電体パターンを１５０℃で１５分間
加熱して乾燥させる。次いで誘電体パターンを５８０℃
で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した誘電体パター
ンから成るオーバーコートを得る。
（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、表示電極端子
のオーバーコートを形成するための誘電体パターンを形
成する。然る後、誘電体パターンを１５０℃で１５分間
加熱して乾燥させる。次いで誘電体パターンを５８０℃
で１２．５分間加熱して焼成し、焼成した誘電体パター
ンから成るオーバーコートを得る。
【００１９】次に壁電荷蓄積用誘電体１６上に、保護膜
形成用のペーストを印刷して、保護膜１８を形成するた
めの保護膜パターンを形成する。
形成用のペーストを印刷して、保護膜１８を形成するた
めの保護膜パターンを形成する。
【００２０】保護膜形成用のペーストは単一分子の有機
金属化合物と、有機ポリマーと、有機溶剤との混合溶液
であり、このような保護膜形成用のペーストとして、こ
こではエポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液を
用いる。この金属ポリマー溶液が含有する有機金属化合
物、有機ポリマー及び有機溶剤は、単一分子の有機Ｍｇ
化合物、エポキシポリマー及びｍ，ｎ−ジメチルホルム
アミドである。
金属化合物と、有機ポリマーと、有機溶剤との混合溶液
であり、このような保護膜形成用のペーストとして、こ
こではエポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液を
用いる。この金属ポリマー溶液が含有する有機金属化合
物、有機ポリマー及び有機溶剤は、単一分子の有機Ｍｇ
化合物、エポキシポリマー及びｍ，ｎ−ジメチルホルム
アミドである。
【００２１】次に保護膜パターンを１５０℃で１５分間
加熱して乾燥させ、然る後、保護パターンを５８０℃で
１２．５分間加熱して焼成し、焼成した保護パターンか
ら成る保護膜１８を得、背面板１２側のパネル形成工程
を終了する。
加熱して乾燥させ、然る後、保護パターンを５８０℃で
１２．５分間加熱して焼成し、焼成した保護パターンか
ら成る保護膜１８を得、背面板１２側のパネル形成工程
を終了する。
【００２２】ここで用いた保護膜形成用のペーストはエ
ポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液であり、有
機金属化合物として有機Ｍｇ化合物を含有するので、こ
のペーストを印刷及び焼成することにより、ＭｇＯから
成る保護膜１８を形成できる。
ポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液であり、有
機金属化合物として有機Ｍｇ化合物を含有するので、こ
のペーストを印刷及び焼成することにより、ＭｇＯから
成る保護膜１８を形成できる。
【００２３】しかも有機Ｍｇ化合物は重合体ではなく単
一分子であり、従ってペースト中において単一分子の状
態で存在する。従ってこの有機Ｍｇ化合物の金属成分と
有機成分とを、焼成時の加熱によって容易に分離でき
る。これがため有機成分をガス化して焼成雰囲気中に散
逸させ、保護膜１８となるＭｇＯ中に残存する有機成分
を減少させることができるので、純度の高いＭｇＯ保護
膜１８を形成できる。さらに保護膜１８となるＭｇＯ中
に残存する有機成分を減少させることができるので、Ｍ
ｇＯ保護膜１８にピンホールが生じにくくなる。ピンホ
ールのより少ないＭｇＯ保護膜１８を形成することによ
り、壁電荷蓄積用誘電体１６の保護をより効果的に行な
え従って壁電荷蓄積用誘電体１６の長寿命化を期待でき
る。
一分子であり、従ってペースト中において単一分子の状
態で存在する。従ってこの有機Ｍｇ化合物の金属成分と
有機成分とを、焼成時の加熱によって容易に分離でき
る。これがため有機成分をガス化して焼成雰囲気中に散
逸させ、保護膜１８となるＭｇＯ中に残存する有機成分
を減少させることができるので、純度の高いＭｇＯ保護
膜１８を形成できる。さらに保護膜１８となるＭｇＯ中
に残存する有機成分を減少させることができるので、Ｍ
ｇＯ保護膜１８にピンホールが生じにくくなる。ピンホ
ールのより少ないＭｇＯ保護膜１８を形成することによ
り、壁電荷蓄積用誘電体１６の保護をより効果的に行な
え従って壁電荷蓄積用誘電体１６の長寿命化を期待でき
る。
【００２４】またここで保護膜形成用のペーストとして
用いたエポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液は
エポキシポリマーを含有するので、単一分子の有機Ｍｇ
化合物のゲル化を防止でき、従って印刷を妨げないよう
に、このペーストの流動性を保持できる。
用いたエポキシテクノロジー社製の金属ポリマー溶液は
エポキシポリマーを含有するので、単一分子の有機Ｍｇ
化合物のゲル化を防止でき、従って印刷を妨げないよう
に、このペーストの流動性を保持できる。
【００２５】一方、前面板２０としてソーダライムガラ
スを用意する。そしてこの前面板２０上に、誘電体ペー
スト（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、バリアリ
ブを形成するための下層リブパターンを形成する。然る
後、下層リブパターンを１５０℃で１５分間加熱して乾
燥させる。次いで下層リブパターンを５８０℃で１２．
５分間加熱して焼成し、焼成した下層リブパターンから
成る下層バリアリブを得る。
スを用意する。そしてこの前面板２０上に、誘電体ペー
スト（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、バリアリ
ブを形成するための下層リブパターンを形成する。然る
後、下層リブパターンを１５０℃で１５分間加熱して乾
燥させる。次いで下層リブパターンを５８０℃で１２．
５分間加熱して焼成し、焼成した下層リブパターンから
成る下層バリアリブを得る。
【００２６】次に下層バリアリブに隣接する領域の前面
板２０上に、蛍光体ペースト（化成オプトニクス社製
Ｐ１−Ｇ１）を印刷して、蛍光体層２２を形成するため
の蛍光体パターンを形成する。然る後、蛍光体パターン
を１５０℃で１５分間加熱して乾燥させる。ここで用い
たオプトニクス社製の蛍光体ペーストは緑色の蛍光物質
Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎを含有するペーストである。
板２０上に、蛍光体ペースト（化成オプトニクス社製
Ｐ１−Ｇ１）を印刷して、蛍光体層２２を形成するため
の蛍光体パターンを形成する。然る後、蛍光体パターン
を１５０℃で１５分間加熱して乾燥させる。ここで用い
たオプトニクス社製の蛍光体ペーストは緑色の蛍光物質
Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎを含有するペーストである。
【００２７】次に下層バリアリブ上に、誘電体ペースト
（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、バリアリブを
形成するための上層リブパターンを形成する。然る後、
上層リブパターンを１５０℃で１５分間加熱して乾燥さ
せる。これら誘電体ペーストの印刷及び上層リブパター
ンの乾燥を繰り返し、上層リブパターンを所望の高さま
で積層したら、上層リブパターンを５８０℃で１２．５
分間加熱して焼成し、焼成した上層リブパターンから成
る上層バリアリブを得る。このようにして下層及び上層
のバリアリブから成る２層構造のバリアリブを得て、前
面板側のパネル形成工程を終了する。
（デュポン社製 ９７４１）を印刷して、バリアリブを
形成するための上層リブパターンを形成する。然る後、
上層リブパターンを１５０℃で１５分間加熱して乾燥さ
せる。これら誘電体ペーストの印刷及び上層リブパター
ンの乾燥を繰り返し、上層リブパターンを所望の高さま
で積層したら、上層リブパターンを５８０℃で１２．５
分間加熱して焼成し、焼成した上層リブパターンから成
る上層バリアリブを得る。このようにして下層及び上層
のバリアリブから成る２層構造のバリアリブを得て、前
面板側のパネル形成工程を終了する。
【００２８】背面板側及び前面板側のパネル形成工程を
終了したら、背面板１２と前面板２０とを放電空間２４
を介して封着する。然る後、放電ガスをＨｅ−５％Ｘｅ
ガス（Ｈｅ−５％Ｘｅガスを９５ｖｏｌ％及び５ｖｏｌ
％の割合で混合したガス）とし、放電空間２４のガス圧
が５００ＴｏｒｒとなるようにＨｅ−５％Ｘｅガスを放
電空間２４に封入して、ＡＣ−ＰＤＰ１０を完成する。
終了したら、背面板１２と前面板２０とを放電空間２４
を介して封着する。然る後、放電ガスをＨｅ−５％Ｘｅ
ガス（Ｈｅ−５％Ｘｅガスを９５ｖｏｌ％及び５ｖｏｌ
％の割合で混合したガス）とし、放電空間２４のガス圧
が５００ＴｏｒｒとなるようにＨｅ−５％Ｘｅガスを放
電空間２４に封入して、ＡＣ−ＰＤＰ１０を完成する。
【００２９】図２は第一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰ及び
比較のためのＡＣ−ＰＤＰについて行なった特性試験の
結果を示す図である。
比較のためのＡＣ−ＰＤＰについて行なった特性試験の
結果を示す図である。
【００３０】同図において、パネルＮｏ．４０００の第
一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰは、保護膜形成用のペース
トの焼成温度を５８０℃として上述の如く製造したＡＣ
−ＰＤＰ１０である。Ｎｏ．４０００にあっては、保護
膜形成用ペーストとして有機Ｍｇ化合物含有のエポキシ
テクノロジー社製 金属ポリマー溶液を１回印刷して、
膜厚３．６μｍ程度のＭｇＯ保護膜１８を形成してい
る。
一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰは、保護膜形成用のペース
トの焼成温度を５８０℃として上述の如く製造したＡＣ
−ＰＤＰ１０である。Ｎｏ．４０００にあっては、保護
膜形成用ペーストとして有機Ｍｇ化合物含有のエポキシ
テクノロジー社製 金属ポリマー溶液を１回印刷して、
膜厚３．６μｍ程度のＭｇＯ保護膜１８を形成してい
る。
【００３１】パネルＮｏ．４００１の第一実施例に係る
ＡＣ−ＰＤＰは、保護膜形成用のペーストの焼成温度を
４６０℃とするほかは、Ｎｏ．４０００のパネルと同一
の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰ１０である。
ＡＣ−ＰＤＰは、保護膜形成用のペーストの焼成温度を
４６０℃とするほかは、Ｎｏ．４０００のパネルと同一
の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰ１０である。
【００３２】パネルＮｏ．６４３の比較のためのＡＣ−
ＰＤＰは、保護膜１８を形成しないほかは、Ｎｏ．４０
００のパネルと同一の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰ
である。
ＰＤＰは、保護膜１８を形成しないほかは、Ｎｏ．４０
００のパネルと同一の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰ
である。
【００３３】比較のためのＮｏ．７５３のパネルは、保
護膜形成用のペーストが異なるほかは、Ｎｏ．４０００
のパネルと同一の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰであ
る。Ｎｏ．７５３で用いた保護膜形成用のペーストは、
粒径１０００ÅのＭｇＯ微粉（宇部興産製）、エチルセ
ルロース、及び、ブチルカルビトールを、２７ｗｔ％、
５ｗｔ％及び６８ｗｔ％の混合割合で混合して得たペー
ストである。このＭｇＯ微粉は、Ｍｇ蒸気とＯ2 ガスと
の気相酸化反応により（気相法により）形成した単結晶
粒子であって、非常に純度が高い。従ってこのＭｇＯ微
粉含有のペーストを用いてＭｇＯ保護膜１８を形成する
ことにより、ＡＣ−ＰＤＰのパネル特性として、ＭｇＯ
保護膜を蒸着法で形成した場合とほぼ同等のパネル特性
を得ることができる。
護膜形成用のペーストが異なるほかは、Ｎｏ．４０００
のパネルと同一の製造条件で製造したＡＣ−ＰＤＰであ
る。Ｎｏ．７５３で用いた保護膜形成用のペーストは、
粒径１０００ÅのＭｇＯ微粉（宇部興産製）、エチルセ
ルロース、及び、ブチルカルビトールを、２７ｗｔ％、
５ｗｔ％及び６８ｗｔ％の混合割合で混合して得たペー
ストである。このＭｇＯ微粉は、Ｍｇ蒸気とＯ2 ガスと
の気相酸化反応により（気相法により）形成した単結晶
粒子であって、非常に純度が高い。従ってこのＭｇＯ微
粉含有のペーストを用いてＭｇＯ保護膜１８を形成する
ことにより、ＡＣ−ＰＤＰのパネル特性として、ＭｇＯ
保護膜を蒸着法で形成した場合とほぼ同等のパネル特性
を得ることができる。
【００３４】そしてこれら各ＡＣ−ＰＤＰにつき、次に
述べるようにして特性試験を行なった。この特性試験に
おいては、相対応する一対の表示電極の一方に周波数２
０ＫＨｚの矩形パルスを印加すると共に他方にこの印加
タイミングから半波長ずらしたタイミングで周波数２０
ＫＨｚの矩形パルスを印加して表示発光のためのプラズ
マ放電を形成する。そしてこのときの放電開始電圧Ｖｆ
［Ｖ］と、放電維持電圧Ｖｓ［Ｖ］と、輝度［ｃｄ／ｍ
2 ］と、相対応する一対の表示電極の間を流れるセル電
流（表示セル１セル当りに流れるセル電流）［μＡ／ｃ
ｅｌｌ］と、発光効率［ｌｍ／Ｗ］とを各パネル毎に調
べる。
述べるようにして特性試験を行なった。この特性試験に
おいては、相対応する一対の表示電極の一方に周波数２
０ＫＨｚの矩形パルスを印加すると共に他方にこの印加
タイミングから半波長ずらしたタイミングで周波数２０
ＫＨｚの矩形パルスを印加して表示発光のためのプラズ
マ放電を形成する。そしてこのときの放電開始電圧Ｖｆ
［Ｖ］と、放電維持電圧Ｖｓ［Ｖ］と、輝度［ｃｄ／ｍ
2 ］と、相対応する一対の表示電極の間を流れるセル電
流（表示セル１セル当りに流れるセル電流）［μＡ／ｃ
ｅｌｌ］と、発光効率［ｌｍ／Ｗ］とを各パネル毎に調
べる。
【００３５】第一実施例に係るＮｏ．４０００及びＮ
ｏ．４００１の各ＡＣ−ＰＤＰは双方ともに、比較のた
めのＮｏ．６４３のＡＣ−ＰＤＰ（保護膜なし）より
も、優れた特性を示している。すなわち放電開始電圧Ｖ
ｆ及び放電維持電圧Ｖｓは第一実施例に係るＡＣ−ＰＤ
Ｐの方がより低く、輝度は第一実施例に係るＡＣ−ＰＤ
Ｐの方がより高く、セル電流は第一実施例に係るＡＣ−
ＰＤＰの方がより低く、さらに発光効率は第一実施例に
係るＡＣ−ＰＤＰの方がより高い。
ｏ．４００１の各ＡＣ−ＰＤＰは双方ともに、比較のた
めのＮｏ．６４３のＡＣ−ＰＤＰ（保護膜なし）より
も、優れた特性を示している。すなわち放電開始電圧Ｖ
ｆ及び放電維持電圧Ｖｓは第一実施例に係るＡＣ−ＰＤ
Ｐの方がより低く、輝度は第一実施例に係るＡＣ−ＰＤ
Ｐの方がより高く、セル電流は第一実施例に係るＡＣ−
ＰＤＰの方がより低く、さらに発光効率は第一実施例に
係るＡＣ−ＰＤＰの方がより高い。
【００３６】また第一実施例に係るＮｏ．４０００のＡ
Ｃ−ＰＤＰ（焼成温度５８０℃）の放電開始電圧Ｖｆと
放電維持電圧Ｖｓとは、比較のためのＮｏ．７５３のＡ
Ｃ−ＰＤＰとほぼ等しいが、発光効率は比較のためのＮ
ｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰよりも若干劣る。
Ｃ−ＰＤＰ（焼成温度５８０℃）の放電開始電圧Ｖｆと
放電維持電圧Ｖｓとは、比較のためのＮｏ．７５３のＡ
Ｃ−ＰＤＰとほぼ等しいが、発光効率は比較のためのＮ
ｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰよりも若干劣る。
【００３７】また第一実施例に係るＮｏ．４００１のＡ
Ｃ−ＰＤＰ（焼成温度４６０℃）の放電開始電圧Ｖｆ
は、比較のためのＮｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰよりも高
くなるが、放電維持電圧Ｖｓは比較のためのＮｏ．７５
３のＡＣ−ＰＤＰよりも低く、発光効率は比較のための
Ｎｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰとほぼ同等である。
Ｃ−ＰＤＰ（焼成温度４６０℃）の放電開始電圧Ｖｆ
は、比較のためのＮｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰよりも高
くなるが、放電維持電圧Ｖｓは比較のためのＮｏ．７５
３のＡＣ−ＰＤＰよりも低く、発光効率は比較のための
Ｎｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰとほぼ同等である。
【００３８】これらＮｏ．７５３のＡＣ−ＰＤＰとの比
較結果によれば、保護膜形成用ペーストの焼成温度を調
整することにより、第一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰのパ
ネル特性を最適化できると考えられる。
較結果によれば、保護膜形成用ペーストの焼成温度を調
整することにより、第一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰのパ
ネル特性を最適化できると考えられる。
【００３９】上述した第一実施例では、エポキシテクノ
ロジー社製の金属ポリマー溶液を、ＭｇＯ保護膜形成用
のペーストに用いたが、このほか、次のようなペースト
をＭｇＯ保護膜形成用のペーストとして用いることがで
きる。
ロジー社製の金属ポリマー溶液を、ＭｇＯ保護膜形成用
のペーストに用いたが、このほか、次のようなペースト
をＭｇＯ保護膜形成用のペーストとして用いることがで
きる。
【００４０】例えば単一分子の有機金属化合物を、マグ
ネシウムジエトキシド、ナフテン酸マグネシウム、オク
チル酸マグネシウム、マグネシウムジメトキシド、マグ
ネシウムｎ−プロポキシド、マグネシウムｉ−プロポキ
シド及びマグネシウムｎ−ブトキシドのなかから選択し
たいずれかひとつとし、有機ポリマーをエポキシポリマ
ーとし、有機溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド及び
２，４−ペンタジオンのなかから選択したいずれかひと
つとし、これら有機金属化合物、有機ポリマー及び有機
溶剤の混合溶液を、ＭｇＯ保護膜形成用のペーストとし
て用いることができる。
ネシウムジエトキシド、ナフテン酸マグネシウム、オク
チル酸マグネシウム、マグネシウムジメトキシド、マグ
ネシウムｎ−プロポキシド、マグネシウムｉ−プロポキ
シド及びマグネシウムｎ−ブトキシドのなかから選択し
たいずれかひとつとし、有機ポリマーをエポキシポリマ
ーとし、有機溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド及び
２，４−ペンタジオンのなかから選択したいずれかひと
つとし、これら有機金属化合物、有機ポリマー及び有機
溶剤の混合溶液を、ＭｇＯ保護膜形成用のペーストとし
て用いることができる。
【００４１】（第二実施例）上述した第一実施例では、
保護膜形成用のペーストを、単一分子の有機Ｍｇ化合物
を混合した保護膜形成用のペーストを用いて、スクリー
ン印刷法により、ＭｇＯ保護膜18を形成するようにした
が、この第二実施例では、有機アルカリ土類化合物及び
有機希土類化合物の２種の有機金属化合物を混合した保
護膜形成用のペーストを用いて、アルカリ土類及び希土
類を含有する複合酸化物から成る保護膜18を形成する。
保護膜形成用のペーストを、単一分子の有機Ｍｇ化合物
を混合した保護膜形成用のペーストを用いて、スクリー
ン印刷法により、ＭｇＯ保護膜18を形成するようにした
が、この第二実施例では、有機アルカリ土類化合物及び
有機希土類化合物の２種の有機金属化合物を混合した保
護膜形成用のペーストを用いて、アルカリ土類及び希土
類を含有する複合酸化物から成る保護膜18を形成する。
【００４２】アルカリ土類及び希土類を含有する複合酸
化物としては、例えばＡＢ2 Ｏ4 型複合酸化物或はＡ１
X Ａ２1-X Ｂ2 Ｏ4 型複合酸化物を挙げることができ
る。ここで、Ａ、Ａ１、Ａ２：アルカリ土類元素（２Ａ
族元素）、Ｂ：希土類元素である。アルカリ土類元素
Ａ、Ａ１、Ａ２としては例えばＢａ、Ｓｒ、Ｃａ或はＭ
ｇを用い、希土類元素Ｂとしては例えばＬａ、Ｙ、Ｄ
ｙ、Ｇｄ或はＹｂを用いることができる。
化物としては、例えばＡＢ2 Ｏ4 型複合酸化物或はＡ１
X Ａ２1-X Ｂ2 Ｏ4 型複合酸化物を挙げることができ
る。ここで、Ａ、Ａ１、Ａ２：アルカリ土類元素（２Ａ
族元素）、Ｂ：希土類元素である。アルカリ土類元素
Ａ、Ａ１、Ａ２としては例えばＢａ、Ｓｒ、Ｃａ或はＭ
ｇを用い、希土類元素Ｂとしては例えばＬａ、Ｙ、Ｄ
ｙ、Ｇｄ或はＹｂを用いることができる。
【００４３】これらＡＢ2 Ｏ4 型及びＡ１X Ａ２1-X Ｂ
2 Ｏ4 型の複合酸化物はいずれもスピネル構造を有し、
これらスピネル構造の複合酸化物は結晶化温度が低いの
で結晶性の良好な保護膜18を形成でき、従ってＡＣ−Ｐ
ＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧Ｖｆ、放電維持電
圧Ｖｓ及び発光効率を、より一層向上できると期待され
る。
2 Ｏ4 型の複合酸化物はいずれもスピネル構造を有し、
これらスピネル構造の複合酸化物は結晶化温度が低いの
で結晶性の良好な保護膜18を形成でき、従ってＡＣ−Ｐ
ＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧Ｖｆ、放電維持電
圧Ｖｓ及び発光効率を、より一層向上できると期待され
る。
【００４４】ＡＢ2 Ｏ4 型の複合酸化物から成る保護膜
18を形成するための保護膜形成用ペーストとして、次に
挙げるものを用いることができる。
18を形成するための保護膜形成用ペーストとして、次に
挙げるものを用いることができる。
【００４５】例えば、アルカリ土類元素Ａを含有する有
機アルカリ土類化合物を、バリウムイソプロポキシド、
ストロンチウムイソプロポキシド、マグネシウムイソプ
ロポキシド及びカルシウムイソプロポキシドのなかから
選択したいずれか一つとし、希土類元素Ｂを含有する有
機希土類化合物を、ガドリニウムイソプロポキシド、イ
ットリウムイソプロポキシド、イットリビウムイソプロ
ポキシド、ディスプロシウムイソプロポキシド及びラン
タンイソプロポキシドのなかから選択したいずれか一つ
とし、有機ポリマーをエポキシポリマーとし、かつ有機
溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド及び２，４−ペン
タジオンのなかから選択したいずれかひとつとし、これ
ら有機アルカリ土類化合物と有機希土類化合物と有機ポ
リマーと有機溶剤との混合溶液を、保護膜形成用ペース
トとして用いることができる。
機アルカリ土類化合物を、バリウムイソプロポキシド、
ストロンチウムイソプロポキシド、マグネシウムイソプ
ロポキシド及びカルシウムイソプロポキシドのなかから
選択したいずれか一つとし、希土類元素Ｂを含有する有
機希土類化合物を、ガドリニウムイソプロポキシド、イ
ットリウムイソプロポキシド、イットリビウムイソプロ
ポキシド、ディスプロシウムイソプロポキシド及びラン
タンイソプロポキシドのなかから選択したいずれか一つ
とし、有機ポリマーをエポキシポリマーとし、かつ有機
溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド及び２，４−ペン
タジオンのなかから選択したいずれかひとつとし、これ
ら有機アルカリ土類化合物と有機希土類化合物と有機ポ
リマーと有機溶剤との混合溶液を、保護膜形成用ペース
トとして用いることができる。
【００４６】またＡ１X Ａ２1-X Ｂ2 Ｏ4 型の複合酸化
物から成る保護膜18を形成するための保護膜形成用ペー
ストとして、次に挙げるものを用いることができる。
物から成る保護膜18を形成するための保護膜形成用ペー
ストとして、次に挙げるものを用いることができる。
【００４７】例えば、アルカリ土類元素Ａ１及びＡ２を
含有する有機アルカリ土類化合物を、バリウムイソプロ
ポキシド、ストロンチウムイソプロポキシド、マグネシ
ウムイソプロポキシド及びカルシウムイソプロポキシド
のなかから選択した２種の異なる化合物とし、希土類元
素Ｂを含有する有機希土類化合物を、ガドリニウムイソ
プロポキシド、イットリウムイソプロポキシド、イット
リビウムイソプロポキシド、ディスプロシウムイソプロ
ポキシド及びランタンイソプロポキシドのなかから選択
したいずれか一つとし、有機ポリマーをエポキシポリマ
ーとし、かつ有機溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド
及び２，４−ペンタジオンのなかから選択したいずれか
ひとつとし、これら２種の有機アルカリ土類化合物と有
機希土類化合物と有機ポリマーと有機溶剤との混合溶液
を、保護膜形成用ペーストとして用いることができる。
含有する有機アルカリ土類化合物を、バリウムイソプロ
ポキシド、ストロンチウムイソプロポキシド、マグネシ
ウムイソプロポキシド及びカルシウムイソプロポキシド
のなかから選択した２種の異なる化合物とし、希土類元
素Ｂを含有する有機希土類化合物を、ガドリニウムイソ
プロポキシド、イットリウムイソプロポキシド、イット
リビウムイソプロポキシド、ディスプロシウムイソプロ
ポキシド及びランタンイソプロポキシドのなかから選択
したいずれか一つとし、有機ポリマーをエポキシポリマ
ーとし、かつ有機溶剤をｍ，ｎ−ジメチルホルムアミド
及び２，４−ペンタジオンのなかから選択したいずれか
ひとつとし、これら２種の有機アルカリ土類化合物と有
機希土類化合物と有機ポリマーと有機溶剤との混合溶液
を、保護膜形成用ペーストとして用いることができる。
【００４８】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、この発明の趣旨の範囲内において、各
構成成分の形状、寸法、配設位置、形成材料、組成、温
度及びそのほかを任意好適に変更できる。
るものではなく、この発明の趣旨の範囲内において、各
構成成分の形状、寸法、配設位置、形成材料、組成、温
度及びそのほかを任意好適に変更できる。
【００４９】例えばこの発明の保護膜は、図１に示す構
造以外の種々の構造のＡＣ−ＰＤＰに適用できる。
造以外の種々の構造のＡＣ−ＰＤＰに適用できる。
【００５０】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法によれ
ば、保護膜形成用のペーストは有機金属化合物と有機ポ
リマーと有機溶剤との混合溶液である。これら有機金属
化合物、有機ポリマー及び有機溶剤は有機物であって、
これらの有機成分はペースト焼成時の加熱によって、ガ
ス化して焼成雰囲気中へと散逸する。しかも有機金属化
合物は、重合体ではなく単一分子であるので、ペースト
焼成時の加熱により、有機金属化合物の金属成分と有機
成分とを容易に分離でき、従ってペースト焼成時に有機
金属化合物の有機成分を容易にガス化できる。
の発明の交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法によれ
ば、保護膜形成用のペーストは有機金属化合物と有機ポ
リマーと有機溶剤との混合溶液である。これら有機金属
化合物、有機ポリマー及び有機溶剤は有機物であって、
これらの有機成分はペースト焼成時の加熱によって、ガ
ス化して焼成雰囲気中へと散逸する。しかも有機金属化
合物は、重合体ではなく単一分子であるので、ペースト
焼成時の加熱により、有機金属化合物の金属成分と有機
成分とを容易に分離でき、従ってペースト焼成時に有機
金属化合物の有機成分を容易にガス化できる。
【００５１】従って保護膜と成る金属酸化物中に残存す
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物の純度を高めることができ、その結果、Ａ
Ｃ−ＰＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧、放電維持
電圧及び発光効率を向上できる。
る有機成分を減少させることができるので、保護膜と成
る金属酸化物の純度を高めることができ、その結果、Ａ
Ｃ−ＰＤＰのパネル特性例えば放電開始電圧、放電維持
電圧及び発光効率を向上できる。
【００５２】また残存する有機成分を減少させることが
できるので、保護膜と成る金属酸化物にピンホールが発
生しにくい。従ってピンホールの少ない保護膜を形成で
きるので、ＡＣ−ＰＤＰの壁電荷蓄積用誘電体の保護を
より効果的に行なえる。
できるので、保護膜と成る金属酸化物にピンホールが発
生しにくい。従ってピンホールの少ない保護膜を形成で
きるので、ＡＣ−ＰＤＰの壁電荷蓄積用誘電体の保護を
より効果的に行なえる。
【００５３】さらに有機ポリマーを混合することにより
単一分子の有機金属化合物がゲル化するのを防止でき、
従ってそのゲル化によって保護膜形成用のペーストが印
刷しづらくなるのを、回避できる。
単一分子の有機金属化合物がゲル化するのを防止でき、
従ってそのゲル化によって保護膜形成用のペーストが印
刷しづらくなるのを、回避できる。
【００５４】これがため、ＡＣ−ＰＤＰのパネル特性を
より向上できる保護膜を、スクリーン印刷法により形成
できる。スクリーン印刷法により保護膜を形成すること
により、ＡＣ−ＰＤＰをより安価に製造できる。
より向上できる保護膜を、スクリーン印刷法により形成
できる。スクリーン印刷法により保護膜を形成すること
により、ＡＣ−ＰＤＰをより安価に製造できる。
【図１】この発明の第一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰの基
本構造を概略的に示す要部斜視図である。
本構造を概略的に示す要部斜視図である。
【図２】この発明の第一実施例に係るＡＣ−ＰＤＰの特
性試験結果を示す図である。
性試験結果を示す図である。
１０：交流型ガス放電パネル（ＡＣ−ＰＤＰ） １２：背面板 １４：表示電極 １６：壁電荷蓄積用誘電体 １８：保護膜 ２０：前面板 ２４：放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 綾 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 交流型ガス放電パネルの壁電荷蓄積用誘
電体上に金属酸化物から成る保護膜を形成するに当り、 保護膜形成用のペーストとして、単一分子の有機金属化
合物と、有機ポリマーと、有機溶剤との混合溶液を用
い、 該ペーストを、壁電荷蓄積用誘電体上に印刷した後に焼
成して、保護膜を形成することを特徴とする交流型ガス
放電パネルの保護膜形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の交流型ガス放電パネルの
保護膜形成方法において、 有機Ｍｇ化合物を混合した保護膜形成用のペーストを用
いて、Ｍｇ酸化物から成る保護膜を形成することを特徴
とする交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の交流型ガス放電パネルの
保護膜形成方法において、 有機アルカリ土類化合物及び有機希土類化合物の２種を
混合した保護膜形成用のペーストを用いて、アルカリ土
類及び希土類を含有する複合酸化物から成る保護膜を形
成することを特徴とする交流型ガス放電パネルの保護膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7090752A JPH08287823A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7090752A JPH08287823A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287823A true JPH08287823A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14007345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7090752A Withdrawn JPH08287823A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 交流型ガス放電パネルの保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287823A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005031782A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Pioneer Corporation | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2006114484A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2006245018A (ja) * | 2003-09-26 | 2006-09-14 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7456575B2 (en) | 2005-03-22 | 2008-11-25 | Pioneer Corporation | Plasma display panel and method of manufacturing same |
| US7535178B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-05-19 | Pioneer Corporation | Plasma display panel |
| US7567036B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-07-28 | Pioneer Corporation | Plasma display panel with single crystal magnesium oxide layer |
| US8089211B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-01-03 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-04-17 JP JP7090752A patent/JPH08287823A/ja not_active Withdrawn
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| US7626336B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-12-01 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for producing same |
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| US7535178B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-05-19 | Pioneer Corporation | Plasma display panel |
| JP2006114484A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
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| US8089211B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-01-03 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
| US8183775B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |