JPH08288190A - 物品取扱部材およびその製造方法および収納容器ならびに物品取扱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 物品を清浄かつ高純度な状態で保持するとと
もに、保持した板状物の静電破壊を防止することが可能
な物品取扱技術を提供する。 【構成】 アース接地端子２５を介して接地されたモー
タシャフト２４に装着され、真空排気口２９を介して吸
引されるウェハ吸着溝２８ａが刻設されたウェハ吸着面
２８上に半導体ウェハ２０を吸着固定して回転させる導
電性真空吸着スピンヘッド２１は、母材２２の表面を所
望の方法によって改質した後、導電性樹脂被膜２３が形
成された構造を呈し、導電性樹脂被膜２３は金属成分を
含まない導電性樹脂材料で構成され、当該導電性樹脂被
膜２３の表面抵抗値は、たとえば１０⁶ （Ω／ｓｑ．）
〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御され、ウェハ吸着面２８
に載置される半導体ウェハ２０に帯電した静電気は、導
電性樹脂被膜２３およびアース接地端子２５を介して徐
放電されるようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、板状物等の物品のハン
ドリング技術および保持技術に関し、特に半導体製造
業、液晶基板製造業、磁気ディスク製造業をはじめ、多
層配線基板製造業などにおける半導体ウェハ、液晶基
板、磁気ディスク、多層配線基板などの板状物のハンド
リングおよび保持において、板状物の静電気による障害
を除去する技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造業をはじめ、液晶基板
製造業、磁気ディスク製造業、多層配線基板製造業で
は、半導体ウェハ、液晶基板、磁気ディスク、多層配線
基板など、種々な板状物をハンドリングまたは保持し、
姿勢制御する技術が多用されている。

【０００３】半導体製造業における半導体ウェハ処理工
程についてみると、イオン打ち込みによる不純物ドーピ
ング処理工程や、プラズマによるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程や、
洗浄、高速回転乾燥工程等を経て、半導体ウェハ上に半
導体素子が形成される。これらの過程で、絶縁物である
半導体ウェハは１（ＫＶ）〜２０（ＫＶ）の静電気が帯
電する。

【０００４】この半導体ウェハに帯電した静電気によ
り、帯電した半導体ウェハへの静電気力によるパーティ
クル付着の問題や、帯電した半導体ウェハが放電する際
に半導体ウェハ上を流れる放電電流により、半導体素子
が破壊される問題がある。

【０００５】この問題は、半導体製品の集積度が年々高
まり、半導体パターンサイズが縮小するに伴い、益々顕
在化している。

【０００６】同様に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）やＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）より構成されている液晶基板
においても、同様な問題が生じている。

【０００７】従来、これらの静電気対策として、ＵＣＳ
半導体基板技術研究会編（１９９３年１２月１９日発
行）“第２２回超ＬＳＩウルトラクリーン・テクノロジ
ー・ワークショップ”、等の文献に開示されているよう
に、半導体ウェハやＴＦＴ液晶基板の静電気対策とし
て、イオナイザーによる雰囲気の除電や、ウェハハンド
リング手段として、カーボンファイバー入りポリ・エー
テル・エーテル・ケトン（Ｐｏｌｙ−Ｅｔｈｅｒ Ｅｔ
ｈｅｒ Ｋｅｔｏｎｅ）材を用いた導電性プラスチック
製半導体ウェハハンドラにより、半導体ウェハと接触す
る面の表面抵抗値を所定範囲内に制御し、半導体ウェハ
に帯電した静電気を、所定範囲内の放電電流値に制御し
ながら放電させ、静電気放電に伴う半導体素子破壊を防
止する手段が実用化されている。

【０００８】また、特開昭５９−１４２２２６号公報に
開示された技術では、アンチモン含有酸化錫からなり、
粒径が0.２μｍ以下の導電性微粉末を含有する透明合成
樹脂塗料を透明プラスチック製品に塗布した後、表面を
バフ仕上げすることにより、帯電防止を図る技術が開示
されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記した従来技術にお
いては、以下のような種々の問題があることが、本発明
者らにより明らかにされた。半導体ウェハ製造上の課題
について調べると、イオナイザーによる雰囲気の除電で
は、イオン化された雰囲気のイオン寿命時間の問題や、
イオン化された雰囲気が電気的シールド壁で遮断され、
半導体ウェハ等の板状物まで到達しない問題が発生し、
半導体ウェハ等の板状物上に帯電した静電気が除電され
ないという問題が生じている。

【００１０】一方、カーボンファイバー入りポリ・エー
テル・エーテル・ケトン材を用いた導電性プラスチック
製半導体ウェハハンドラ成形品では、型による成形過程
で、ウェハハンドラ成形品の表面に薄い絶縁膜であるポ
リ・エーテル・エーテル・ケトン被膜が形成される。

【００１１】このウェハハンドラ成形品を用いて、帯電
した半導体ウェハ等の板状物の静電気を除電する場合の
原理図を図１１に示す。

【００１２】図１１に示すように、カーボンファイバー
入りポリ・エーテル・エーテル・ケトン材を用いた導電
性プラスチック製半導体ウェハハンドラ成形品で、半導
体ウェハ１をウェハ吸着部２で吸着すると、ウェハハン
ドラ成形品の内部に形成されたカーボンファイバー層を
通して、アース接地端子３に電気的に接続される。

【００１３】この基本回路モデルにおいて、半導体ウェ
ハ１をウェハ吸着部２で吸着する際に、吸着の有無によ
り、開閉する吸着有無スイッチ４が構成される。半導体
ウェハ１をウェハ吸着部２で吸着すると、吸着有無スイ
ッチ４が閉じ、半導体ウェハ１とウェハ吸着部２との間
に接触抵抗５が構成される。

【００１４】ウェハハンドラ成形品の内部に形成された
カーボンファイバー層を、電気的にアース接地し、半導
体ウェハ１を接触支持してハンドリングする時、ウェハ
ハンドラ成形品の表面にポリ・エーテル・エーテル・ケ
トン絶縁被膜が形成されているため、ポリ・エーテル・
エーテル・ケトン絶縁被膜を介して半導体ウェハ１とカ
ーボンファイバー層との間に接触コンデンサ６が形成さ
れる。

【００１５】このウェハハンドラ成形品の表面に形成さ
れたポリ・エーテル・エーテル・ケトン被膜の膜厚は、
型による成形条件に左右され、膜厚を制御することがで
きない。

【００１６】この結果、半導体ウェハ１等の板状物をハ
ンドリングする際に、接触した半導体ウェハ１とウェハ
ハンドラ間で生じる接触抵抗５（半導体ウェハとウェハ
ハンドラカーボンファイバー層に設けた電気的アース接
地間の電気抵抗値）と半導体ウェハ１とポリ・エーテル
・エーテル・ケトン絶縁被膜を介して、カーボンファイ
バー層間で構成される接触コンデンサ６のコンデンサ容
量が変動する。

【００１７】さらに、半導体ウェハ１等の板状物と接触
する半導体ウェハハンドラのウェハ吸着部２の表面抵抗
値は、ポリ・エーテル・エーテル・ケトン被膜自体の表
面抵抗値であり、１０¹⁵（Ω／ｓｑ．）〜１０¹⁶（Ω／
ｓｑ．）である。

【００１８】さらに、型成形であるため、ウェハハンド
ラのウェハ吸着部２の表面粗さが粗く、その表面の凹凸
部にパーティクルが蓄積し、半導体ウェハ１をハンドリ
ングする際に、凹凸部に入り込んだパーティクルが半導
体ウェハ１に転写付着する問題が生じることが明らかに
なった。

【００１９】その上、ウェハハンドラ成形品の表面に形
成されるポリ・エーテル・エーテル・ケトン被膜の膜厚
が制御できないため、半導体ウェハ１と接触するウェハ
吸着部２を加工し、表面粗さの凹凸を小さくすると、ポ
リ・エーテル・エーテル・ケトン被膜層が破れ、カーボ
ンファイバーが露出するという問題が生じることが明ら
かになった。

【００２０】この結果、半導体ウェハ１等の板状物をハ
ンドリングする際に、露出したカーボンファイバーが欠
落し、半導体ウェハ１上に付着し、パーティクルとして
作用する問題が生じることが明らかになった。

【００２１】さらに、カーボンファイバー自体には、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ｆｅ等の金属成分がｐｐｍオーダ単位
で含まれ、この種のカーボンファイバーが半導体ウェハ
１に付着すると、拡散炉等の熱処理を行う際に、可動金
属イオン等が発生し、半導体素子特性を劣化させること
が明らかになった。

【００２２】その上、半導体ウェハ１とカーボンファイ
バー層が直接接触するため、カーボンファイバー層を通
し、直接、アース接地端子３に電気的に短絡されるた
め、接触抵抗５の抵抗値が、１０³ （Ω／ｓｑ．）〜１
０⁵ （Ω／ｓｑ．）と小さくなり、かつ、接触コンデン
サ６のコンデンサ容量も小さくなる。

【００２３】この結果、数ＫＶに帯電した半導体ウェハ
１をハンドリングすると、瞬時に放電し、放電電流が大
きくなり、半導体素子破壊を生じる。

【００２４】一方、導電性ポリマーの塗布による方法で
は、導電性ポリマーと下地との密着性が低いため、塗膜
の浮き上がり等の懸念があり、この懸念を解消するため
には、たとえば下塗り等の余分な工程を追加する必要が
あり、工程が煩雑になる、という問題がある。

【００２５】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハ等
の物品を保持する際に、保持する半導体ウェハ等の物品
に、金属成分等の汚染をさせることなく、清浄かつ高純
度な状態で保持することが可能な物品取扱技術を提供す
ることにある。

【００２６】さらに、本発明の他の目的は、半導体ウェ
ハ等の物品を保持する際に、接触部材の表面抵抗値を所
定範囲に制御し、保持した半導体ウェハ等の物品からの
放電電流値を所定範囲に制御して、半導体ウェハ等の物
品に帯電した静電気が放電する際に生じる静電気損傷に
よる半導体素子破壊等の問題を防止することが可能な物
品取扱技術を提供することにある。

【００２７】本発明のさらに他の目的は、簡略な製造工
程で接触する対象物における帯電防止を実現できる物品
取扱部材を提供することにある。

【００２８】本発明のさらに他の目的は、接触する対象
物に対して汚染や損傷を与えることのない収納容器を提
供することにある。

【００２９】本発明のさらに他の目的は、接触する対象
物における帯電を防止するとともに、帯電した対象物か
らの徐放電によって静電破壊を防止することが可能な収
納容器を提供することにある。

【００３０】本発明のさらに他の目的は、簡略な製造工
程で接触する対象物における帯電防止を実現できる収納
容器を提供することにある。

【００３１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００３３】すなわち、本発明の物品取扱部材は、所望
の形状の母材表面を改質し、この母材表面に導電性ポリ
マー、または、導電性ポリマーと硬化性樹脂の混合剤を
被覆してなるものである。

【００３４】また、本発明の収納容器は、所望の形状の
母材表面を改質し、この母材表面に導電性ポリマー、ま
たは、導電性ポリマーと硬化性樹脂の混合剤を被覆して
なるものである。

【００３５】また、本発明の物品取扱装置は、半導体ウ
ェハ等の板状物を保持する接触部材や、薬液等が貯留さ
れる収納容器等の表面の表面抵抗値を、徐放電可能な範
囲に制御するとともに、その表面抵抗値が制御された接
触部材の表面を電気的にアース接地する手段を設けたも
のである。表面抵抗値の値は、たとえば１０⁶ （Ω／ｓ
ｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）の範囲に制御される。

【００３６】さらに、半導体ウェハ等の板状物を保持す
る接触部材の少なくとも表面材料を金属成分を含まない
導電性樹脂材料で構成し、表面抵抗値として１０⁶ （Ω
／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御する。

【００３７】半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部
材の表面材料を金属成分を含まない導電性樹脂材料を用
いて、表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω
／ｓｑ．）の範囲に制御する方法としては以下のような
手段が考えられる。

【００３８】（１）ベースとなる樹脂材料に、金属成分
を含まない導電性樹脂材料を均等に分散させた成形素材
をつくり、この成形素材を用いて、半導体ウェハ等の板
状物を保持する接触部材を成形する。

【００３９】（２）ベースとなる樹脂材料に、金属成分
を含まない導電性樹脂材料と、金属成分を含まない光硬
化剤を均等に分散させた成形素材をつくり、この成形素
材を用いて、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部
材を成形する。

【００４０】その成形した接触部材に対して、当該接触
部材の作成に用いた光硬化剤を硬化させる波長帯の光を
照射させ、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部材
を硬化させる。

【００４１】（３）ベースとなる樹脂材料に、金属成分
を含まない導電性樹脂材料と、金属成分を含まない光硬
化剤を均等に分散させた成形素材をつくり、この成形素
材を用いて、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部
材を成形する。

【００４２】その成形した接触部材に、当該接触部材の
作成に用いた光硬化剤を硬化させる波長帯の光を照射さ
せ、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部材を硬化
させる。

【００４３】硬化させた、半導体ウェハ等の板状物を保
持する接触部材の表面を、面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以
下に加工する。

【００４４】（４）金属成分を含まない光硬化剤を用い
て、金属成分を含まない導電性樹脂材料を均等に分散さ
せた被覆材を、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触
部材の母材表面に被覆し、被覆した被膜に光硬化剤を硬
化させる波長帯の光を照射し、被覆した被膜を光硬化さ
せる。

【００４５】（５）半導体ウェハ等の板状物を保持する
接触部材の母材表面を、プラズマ処理により改質し、そ
の改質した母材表面に、金属成分を含まない光硬化剤を
用いて、金属成分を含まない導電性樹脂材料を均等に分
散させた被覆材を、半導体ウェハ等の板状物を保持する
接触部材の母材表面に被覆し、被覆した被膜に光硬化剤
を硬化させる波長帯の光を照射し、被覆した被膜を光硬
化させる。

【００４６】（６）半導体ウェハ等の板状物を保持する
接触部材の母材表面を、面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下
に加工し、その加工した接触部材の母材表面に、金属成
分を含まない光硬化剤を用いて、金属成分を含まない導
電性樹脂材料を均等に分散させた被覆材を、半導体ウェ
ハ等の板状物を保持する接触部材の母材表面に被覆し、
被覆した被膜に光硬化剤を硬化させる波長帯の光を照射
し、被覆した被膜を光硬化させる。

【００４７】（７）半導体ウェハ等の板状物を保持する
接触部材の母材表面に、金属成分を含まない光硬化剤を
用いて、金属成分を含まない導電性樹脂材料を均等に分
散させた被覆材を、半導体ウェハ等の板状物を保持する
接触部材の母材表面に被覆し、被覆した被膜に光硬化剤
を硬化させる波長帯の光を照射し、光硬化させる。この
光硬化した被膜表面を、面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下
に加工する。

【００４８】

【作用】上記した本発明の物品取扱部材および収納容器
によれば、導電性ポリマー、または、導電性ポリマーと
硬化性樹脂の混合剤を被覆する前に母材の表面を改質す
るので、母材と導電性ポリマーとの密着性が向上する。
また、密着性を改善する目的で、下塗り等の余分な工程
を行う必要もなくなり、製造工程を簡略化することが可
能となる。

【００４９】また、本発明の半導体ウェハ等の物品取扱
装置によれば、直接接触する、半導体ウェハ等の板状物
を保持する接触部材の表面抵抗値を、たとえば、１０⁶
（Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御するとと
もに、その制御された接触部材の表面を電気的にアース
接地する手段を設けているので、半導体ウェハ等の板状
物を本発明による物品取扱装置により保持することによ
り、常時、１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓ
ｑ．）の範囲に制御された表面抵抗値を介して、電気的
アース接地部に接続され、半導体ウェハ等の板状物に帯
電した静電気を徐放電することができ、放電電流が半導
体素子破壊を生じさせない放電電流値となり、半導体素
子の静電破壊を確実に防止できる。

【００５０】また、本発明では、半導体ウェハ等の板状
物を保持する接触部材自体の表面抵抗値を１０⁶ （Ω／
ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御できることか
ら、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部材の表面
層の厚みに関係無く、常に、半導体ウェハ等の板状物を
保持する接触部材の表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓｑ．）
〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御できる。

【００５１】さらに、本発明は、半導体ウェハ等の板状
物を保持する接触部材の表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓ
ｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御する手段として、
金属成分を含まない、導電性樹脂材料で構成されている
ため、万が一、半導体ウェハ等の板状物を保持する際
に、擦れて物品取扱装置から半導体ウェハ等の板状物
に、板状物を保持する接触部材が転写付着しても、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ｆｅ等の金属成分を含有する異物が付
着することが無く、可動金属イオン等による半導体素子
特性の劣化を生じさせることはない。

【００５２】別な手段として、本発明では、半導体ウェ
ハ等の板状物を保持する接触部材の母材表面を、プラズ
マ処理し、活性面を露出させ、金属成分を含まない導電
性樹脂材料を被覆できることから、種々の樹脂母材の表
面に金属成分を含まない導電性樹脂材料を被覆すること
ができ、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部材の
表面抵抗値を、１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓ
ｑ．）に制御できる。

【００５３】本発明では、半導体ウェハ等の板状物を保
持する母材表面を、面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下に加
工し、その表面に金属成分を含まない導電性材料で構成
した表面抵抗値を、１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω
／ｓｑ．）に制御した被膜を被覆することから、下地被
膜の難塗布性の改善等を目的とした余分な下地膜の形成
工程が不要となり、簡略な工程で、表面抵抗値１０
⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御された
被膜の膜厚を所定寸法値に制御できる。

【００５４】さらに、表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓ
ｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御した被膜を所望の
膜厚で形成できることから、半導体ウェハ等の板状物を
保持する接触部材表面を面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下
に加工しても、保持手段母材の表面を露出させることな
く、半導体ウェハ等の板状物を保持する接触部材表面
は、常に、表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹
（Ω／ｓｑ．）に制御した金属成分を含まない導電性樹
脂材料で構成できる。

【００５５】本発明で用いられる金属成分を含まない導
電性樹脂材料としては、導電性ポリマー、樹脂バインダ
ーからなる塗料があげられる。導電性ポリマーとして
は、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールがあ
げられる。

【００５６】この結果、半導体ウェハ等の板状物を保持
する接触部材表面の凹凸が小さくなることから、接触部
材表面と半導体ウェハ等の板状物との接触状態が良くな
り、静電気帯電した半導体ウェハ等の板状物から、半導
体ウェハ等の板状物を保持する接触部材に、均等に放電
させることができる。

【００５７】さらに、接触部材表面の凹凸部にパーティ
クルが蓄積し、半導体ウェハ等の板状物をハンドリング
する際に、接触部材表面の凹凸部に入り込んだパーティ
クルが、半導体ウェハ等の板状物に転写付着することが
少なくなる。

【００５８】また、本発明では、半導体ウェハ等の板状
物を保持する接触部材表面を、光硬化剤により硬化させ
ることから、半導体ウェハ等の板状物を保持する際の耐
擦傷性を向上でき、半導体ウェハ等の板状物をハンドリ
ングする際に、接触部材の一部が欠落し、パーティクル
として半導体ウェハに付着することがなくなる。

【００５９】本発明の作用効果について評価した結果の
一例を、図７および図８により説明する。図７は、図８
に示す基板上に導電性樹脂膜を形成する処理のフローチ
ャートを示す。

【００６０】具体的には、下記ステップにより基板上に
導電性樹脂膜を形成する。

【００６１】（１）ポリ・エーテル・エーテル・ケトン
材を加工して板厚＝１０（ｍｍ）の基板７を製作する。
この加工に際しては、導電性樹脂膜８を形成する面を、
面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下に加工する（ステップ８
０１）。

【００６２】（２）導電性樹脂膜８の形成を必要としな
い基板７の半面をマスキングする（ステップ８０２）。

【００６３】（３）金属成分を含まない、例えば、導電
性ポリアニリンと光硬化性樹脂を主成分とする光硬化型
導電性樹脂塗料９をマスキングされていない基板７の側
にディップコーティングする（ステップ８０３）。

【００６４】（４）基板７の半面にマスキングされたマ
スクを除去する（ステップ８０４）。

【００６５】（５）金属成分を含まない光硬化型導電性
樹脂塗料９に光を照射して硬化させ、図８で示すよう
に、基板７上に膜厚＝３μｍの導電性樹脂膜８を形成す
る（ステップ８０５）。

【００６６】（６）図８で示す、基板７上に形成された
導電性樹脂膜８面をラッピングして、面粗度Ｒａ＝0.２
（μｍ）以下に加工する（ステップ８０６）。

【００６７】（７）図８で示す、基板７上の測定点と
導電性樹脂膜８上の測定点について、表面抵抗値と耐
擦傷性について評価する（ステップ８０７）。

【００６８】

【表１】

【００６９】具体的には、（ｉ）表面抵抗値について
は、表面抵抗測定器により測定し、（ii）耐擦傷性につ
いては、スチールウール耐摩耗試験機により、荷重；１
（kg／cm² ）で１００（回）往復動させて、傷状態を評
価した。

【００７０】このようにして評価した評価結果を表１に
示す。この表１の結果が示すように、表面抵抗値は基板
７上の測定点で、１０¹²（Ω／ｓｑ．）を示し、導電
性樹脂膜８上の測定点では１０⁶ （Ω／ｓｑ．）を得
た。この導電性樹脂膜８上の表面抵抗値は、金属成分を
含まない導電性樹脂材料の配分量を制御することによ
り、１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）まで
制御できることを確認している。

【００７１】つぎに、図９と図１０により、本発明の作
用効果の他の例を説明する。図９は、図１０に示すパー
フロロ・アルコキシ・ビニル・エーテル（ＰＦＡ）板上
に導電性樹脂膜を形成する処理フローを示す。

【００７２】具体的には、下記ステップにより基板上に
導電性樹脂膜を形成する。

【００７３】この図９で示す処理フローを検討する前
に、基板上に、図７で示す基板上に導電性樹脂膜を形成
する処理フローで、金属成分を含まない導電性樹脂塗料
をディップコーティングしたが、難塗布性のために、金
属成分を含まない導電性樹脂塗料はコーティングできな
かった。

【００７４】この解決策として、金属成分を含まない光
硬化型導電性樹脂塗料９をディップコーティングする前
に、基板表面を処理し、活性化することにより、基板処
理面に金属成分を含まない光硬化型導電性樹脂塗料９を
ディップコーティングできることが明らかになった。

【００７５】基板表面を活性化する一手段として、基板
表面をコロナ放電によるプラズマ処理を行うことによ
り、基板上に金属成分を含まない光硬化型導電性樹脂塗
料９をディップコーティングできることが明らかになっ
た。

【００７６】図９により、基板上に導電性樹脂膜を形成
する処理過程を説明する。

【００７７】（１）パーフロロ・アルコキシ・ビニル・
エーテル材を加工して板厚＝１０（ｍｍ）の基板１０を
製作する。この加工に際しては、導電性樹脂膜１１を形
成する面を、面粗度Ｒａ＝0.２（μｍ）以下に加工する
（ステップ１００１）。

【００７８】（２）基板１０の表面を、コロナ放電によ
るプラズマ表面処理を行う（ステップ１００２）。

【００７９】（３）導電性樹脂膜１１を形成しない基板
１０の半面をマスキングする（ステップ１００３）。

【００８０】（４）金属成分を含まない光硬化型導電性
樹脂塗料９をマスキングされていない基板１０側にディ
ップコーティングする（ステップ１００４）。

【００８１】（５）基板１０の半面にマスキングされた
マスクを除去する（ステップ１００５）。

【００８２】（６）塗膜に光を照射して硬化させ、図１
０で示すように、基板１０上に膜厚＝３μｍの導電性樹
脂膜１１を形成する（ステップ１００６）。

【００８３】（７）図１０で示す、基板１０上に形成さ
れた導電性樹脂膜１１の表面をラッピングして、面粗度
Ｒａ＝0.２（μｍ）以下に加工する（ステップ１００
７）。

【００８４】（８）図１０で示す基板１０上の測定点
と導電性樹脂膜１１上の測定点について、表面抵抗値
と耐擦傷性について評価する（ステップ１００８）。

【００８５】具体的には、（ｉ）表面抵抗値について
は、表面抵抗測定器により測定し、（ii）耐擦傷性につ
いては、スチールウール耐摩耗試験機により、荷重；１
（kg／cm² ）で１００（回）往復動させ、傷状態を評価
した。

【００８６】

【表２】

【００８７】このようにして、評価した評価結果を表２
に示す。結果が示すように、表面抵抗値は、基板１０上
の測定点で、１０¹⁴（Ω／ｓｑ．）に対して、導電性
樹脂膜１１上の測定点で１０⁶ （Ω／ｓｑ．）に達し
た。

【００８８】この導電性樹脂膜１１上の表面抵抗値は、
金属成分を含まない導電性樹脂材料の配分量により、１
０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）まで制御で
きることを確認している。

【００８９】次に、表面抵抗値と静電破壊の関係につい
て詳細に検討してみる。半導体装置の高集積化、高速化
並びに小消費電力化が進行するに伴い、素子構造の微細
化、配線の微細化が進み、静電気による半導体素子破壊
は顕在化する。この障害は、帯電物体が半導体素子に接
触した時に放電が起き、半導体素子破壊が生じる。

【００９０】静電気による半導体素子破壊には、「電圧
に依存するもの」と「電流に依存するもの」があり、こ
の静電気による半導体素子破壊を防止するには、帯電
電位の低減と、静電エネルギーを低減して放電電流値
を小さくすること、が必要になる。

【００９１】半導体素子破壊で、帯電電位（電圧）が支
配的になるのは、主に半導体素子構造に用いている絶縁
膜の絶縁破壊に起因するものである。たとえば、ＭＯＳ
構造の半導体素子のゲート酸化膜に用いているシリコン
酸化膜の絶縁耐圧は0.１（Ｖ／Å）である。静電気に弱
い代表的な半導体素子の静電気帯電電位に対する耐圧レ
ベルを表３に示す。

【００９２】

【表３】

【００９３】一方、電流に依存して半導体素子破壊が起
こる現象としては、回路の断線障害がある。この現象
は、静電気帯電による放電エネルギーがジュール熱に変
わり、回路に穴が明いたり、金属成分が溶融・蒸発する
障害である。

【００９４】ＣＭＯＳおよびバイポーラ技術を用いた設
計ルール0.３μｍのＵＬＳＩ半導体素子では、静電気帯
電による放電エネルギーの許容値は２０（μＪ）とされ
ている。

【００９５】このような背景から、本発明者らは、表面
抵抗値の異なる板状のウェハ保持手段（接触面積；約２
ｃｍ² ）と１０００Ｖに静電気帯電したφ５インチＳｉ
ウェハを用いて、最大放電エネルギーと、１０（μ
ｓｅｃ）後のＳｉウェハ帯電電位を評価した。この評価
結果を、表４に例示する。

【００９６】

【表４】

【００９７】表３と表４の結果から、帯電した静電気に
よる半導体素子破壊を防止しようとする場合、半導体ウ
ェハに接触する部材の表面抵抗値は、１０⁷ （Ω／ｓ
ｑ．）〜１０⁸ （Ω／ｓｑ．）に制御することが最適で
ある。

【００９８】しかし、現状の導電性被膜製造技術の制約
から、半導体ウェハに接触する部材の表面抵抗値を安定
して得るには、表面抵抗値１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０
¹¹（Ω／ｓｑ．）が、経済的に見合う管理限界である。

【００９９】なお、経済的に許されるならば、たとえ
ば、選別検査手段を付加することにより、半導体ウェハ
に接触する部材の表面抵抗値を、１０⁷ （Ω／ｓｑ．）
〜１０⁸ （Ω／ｓｑ．）に制御することは可能である。
すなわち、表面抵抗値を１０⁷（Ω／ｓｑ．）〜１０⁸
（Ω／ｓｑ．）に制御することがより望ましい。

【０１００】一方、接触部材の表面粗さについて詳細に
検討してみる。半導体ウェハ等の板状物を保持する保持
手段により、板状物を保持する際に、保持手段から、板
状物に転写付着するパーティクル数と大きさは、接触部
材表面の表面粗さにより決定される。具体的には、板状
物を保持する接触部材表面の凹凸部に入り込むパーティ
クルの大きさは、接触部材表面の表面粗さにより決定さ
れる。

【０１０１】理想的には、接触部材表面と板状物との接
触面積を最小にするとともに、板状物と接触する接触部
材表面の表面粗さを最小にすることが必要である。この
板状物と接触する接触部材の表面粗さを最小化する手段
としては、接触部材の表面をバフ研磨等の精密表面加工
を施すことが必要であるが、バフ研磨等の精密表面加工
においては、一般に研磨対象物の加工面の硬度が高い
程、表面粗さを小さくできることが知られている。

【０１０２】樹脂材の表面にバフ研磨等の精密表面加工
を施して表面粗さを最小化するには、加工面の硬さを鉛
筆硬度でＨ以上のレベルにする必要がある。

【０１０３】表５に例示されるように、塩化ビニル表面
に、本発明において使用される、金属成分を含まない、
たとえば光硬化型の導電性樹脂材料を被覆して光硬化さ
せることにより、表面硬さが鉛筆硬度でＢからＨ〜２Ｈ
程度に改善できる。

【０１０４】さらに、本発明で使用される前述の光硬化
型の導電性樹脂材料を鉛筆硬度でＨ〜２Ｈ程度に光硬化
させた後にバフ研磨したところ、塩化ビニル上に被覆し
た光硬化型の導電性樹脂材料の被膜の表面粗さは、中心
線平均表面粗さＲａ＝0.２（μｍ）以下を達成できる見
通しを得た。

【０１０５】さらに、導電性成分と硬化材の配合比の最
適化により、金属成分を含まない導電性樹脂材料の表面
硬さを鉛筆硬度で２Ｈ以上に高め得ることが容易に推定
できる。

【０１０６】一方、本発明において考慮した表面粗さ
は、現状のバフ研磨技術を用いて評価した結果であり、
今後、加工技術の発展に伴い、表面粗さは、金属材料並
みの、中心線平均表面粗さＲａ＝0.１（μｍ）以下を実
現できることは容易に推定できる。

【０１０７】

【表５】

【０１０８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【０１０９】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
ある物品取扱装置の一例を示す断面図であり、図２は、
その製造工程の一例を示すフローチャートである。本実
施例では、物品取扱装置の一例して、ホトレジスト塗布
処理装置に用いる導電性スピンチャックに適用した場合
について説明する。

【０１１０】まず、図１により、導電性スピンチャック
の構成について説明する。

【０１１１】半導体ウェハ２０を吸着する導電性真空吸
着スピンヘッド２１は、たとえば、ポリ・エーテル・エ
ーテル・ケトン材からなる母材２２に表面抵抗値が１０
⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御された
導電性樹脂被膜２３が形成されている。なお、導電性樹
脂被膜２３の製造工程における歩留り等、経済的な制約
がなければ、前述したように、導電性樹脂被膜２３の表
面抵抗値は、１０⁷ （Ω／ｓｑ．）〜１０⁸ （Ω／ｓ
ｑ．）に制御することがより望ましい。

【０１１２】また、導電性樹脂被膜２３に形成に際して
は、予め、母材２２にたとえば、コロナ放電処理、プラ
ズマ処理、放射線の照射処理、電磁波の照射処理等によ
って改質し、易塗布性にした後、所望の樹脂等を被覆す
る方法を用いることができる。

【０１１３】この導電性真空吸着スピンヘッド２１は、
図示しないモータの導電性のモータシャフト２４に導電
性樹脂被膜２３を介して、電気的に接続される。

【０１１４】モータシャフト２４はアース接地端子２５
に、電気的に接続されている。導電性真空吸着スピンヘ
ッド２１とモータシャフト２４には、真空排気用中空穴
２６が設けられており、図示しない真空排気装置によ
り、真空排気２７が行われる。

【０１１５】半導体ウェハ２０を吸着するウェハ吸着面
２８にはウェハ吸着溝２８ａが刻設され、このウェハ吸
着溝２８ａの底部に真空排気口２９が開設されている。
導電性樹脂被膜２３はウェハ吸着面２８およびウェハ吸
着溝２８ａを含む、導電性真空吸着スピンヘッド２１の
表面の全域に形成されている。

【０１１６】導電性真空吸着スピンヘッド２１の中央部
の上方には、滴下ノズル５１が垂下され、この滴下ノズ
ル５１の基端部は、密閉された薬液容器６０（収納容
器）に接続され、当該薬液容器６０の内部に貯留された
ホトレジスト液７０の液面下に没している。薬液容器６
０には与圧配管５２が接続されており、ホトレジスト液
７０の液面を与圧することにより、当該ホトレジスト液
７０を滴下ノズル５１の先端部へと圧送する。

【０１１７】この場合、薬液容器６０は、たとえばポリ
プロピレン、パーフロロアルコキシビニルエーテル、ポ
リトリフルオロエチレン等からなる母材６１の表面を、
たとえば、コロナ放電処理、プラズマ処理、放射線の照
射処理、電磁波の照射処理等によって改質した後、導電
性樹脂を塗布して硬化させることによって得られた導電
性樹脂被膜６２が全表面に形成されており、この導電性
樹脂被膜６２は接地端子６３を介して接地されている。

【０１１８】また、滴下ノズル５１および与圧配管５２
は、パーフロロ・アルコキシ・ビニル・エーテルからな
る母材の表面を、金属成分を含まない光硬化型導電性塗
料を塗布して硬化させることによって得られた導電性樹
脂被膜５３によって覆った構造となっている。

【０１１９】この導電性樹脂被膜６２および導電性樹脂
被膜５３の形成方法としては、素材の樹脂自体が導電性
を持つ樹脂を使用してもよいし、あるいは、たとえばＡ
ｓＦ₃ ，ＢＦ₃ 等のルイス酸、あるいはＩ₂ ，Ｂｒ₂ 等
のハロゲン分子を、イオン注入や気相拡散等の方法で所
望の濃度に被膜内に導入することにより、導電性樹脂被
膜６２における表面抵抗値を所望の値に制御してもよ
い。

【０１２０】これにより、薬液容器６０から滴下ノズル
５１を介して半導体ウェハ２０に供給されるホトレジス
ト液７０の帯電を防止して、半導体ウェハ２０における
半導体素子の静電破壊を防止するとともに、薬液容器６
０や滴下ノズル５１および与圧配管５２の表面の帯電に
起因するパーティクルの付着防止、さらには薬液容器６
０から半導体ウェハ２０へのホトレジスト液７０の供給
を制御する図示しない制御装置の誤動作等を防止する。

【０１２１】図２のフローチャートにより、図１に例示
される本実施例の導電性スピンチャックの製造方法の概
略を説明する。

【０１２２】この製法は、成形型による射出成形法によ
り形状を模る方法であり、下記ステップにより製作す
る。

【０１２３】（１）図１に示す母材２２を成形するため
に、射出成形装置にたとえばポリ・エーテル・エーテル
・ケトン等からなる成形タブレットを供給する（ステッ
プ２０１）。

【０１２４】（２）射出成形型により、図１に示す母材
２２を成形する（ステップ２０２）。

【０１２５】（３）図１に示す導電性樹脂被膜２３を必
要としない部位をマスキングし、金属成分を含まない、
例えば、導電性ポリアニリンと光硬化性樹脂を主成分と
する光硬化型導電性樹脂塗料をディップコーティングす
る。ディップコーティング後、マスキングを取外す（ス
テップ２０３）。

【０１２６】（４）金属成分を含まない光硬化型導電性
樹脂塗料をディップした図１に示す導電性樹脂被膜２３
に相当するディップコーティング膜に光照射し、ディッ
プコーティング膜を硬化させる（ステップ２０４）。

【０１２７】（５）図１に示すウェハ吸着面２８におけ
る導電性樹脂被膜２３を研磨加工し、ウェハ吸着面２８
の表面粗さをＲａ＝0.２μｍ以下に加工する（ステップ
２０５）。

【０１２８】このような製造過程により、導電性真空吸
着スピンヘッド２１を製造する。

【０１２９】なお、金属成分を含まない光硬化型導電性
樹脂塗料において、導電性を高める成分の量を多くする
程、光照射による硬化後の硬度が低くなる場合、前述し
た表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓ
ｑ．）（望ましくは１０⁷ （Ω／ｓｑ．）〜１０⁸ （Ω
／ｓｑ．））に制御することと、研磨加工により表面粗
さをＲａ＝0.２μｍ以下に加工するための充分な硬度が
得られないことが考えられる。

【０１３０】その場合、本実施例では、図１２のフロー
チャートに例示されるように、金属成分を含まない光硬
化型導電性樹脂塗料において、導電性を高める成分の量
を抑えて、硬化後の必要な硬度を確保し、塗布および硬
化を繰り返して、導電性樹脂被膜２３の膜厚を大きくす
ることで、表面抵抗値を１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹
（Ω／ｓｑ．）（望ましくは１０⁷ （Ω／ｓｑ．）〜１
０⁸ （Ω／ｓｑ．））に制御する、という操作を行う。

【０１３１】次に、図１により導電性真空吸着スピンヘ
ッド２１を用いて、半導体ウェハ２０に帯電した帯電電
荷を除電する方法について説明する。

【０１３２】具体例として、ホトレジスト塗布処理装置
に、図１で示す導電性真空吸着スピンヘッド２１を用い
た例について説明する。

【０１３３】半導体ウェハ２０は、導電性真空吸着スピ
ンヘッド２１のウェハ吸着面２８で、真空吸着される
と、図示しないモータにより所定回転数で回転される。

【０１３４】その回転中に、滴下ノズル５１から、有機
物質で構成されたホトレジスト液７０が半導体ウェハ２
０上に滴下される。

【０１３５】ホトレジスト液７０が半導体ウェハ２０上
に滴下されると、導電性真空吸着スピンヘッド２１に真
空吸着された半導体ウェハ２０は、モータにより所定の
高速回転数で回転され、半導体ウェハ２０上に、ホトレ
ジスト膜を形成する。

【０１３６】この処理工程で、常に、半導体ウェハ２０
は、ウェハ吸着面２８の表面抵抗値が１０⁶ （Ω／ｓ
ｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御された導電性樹脂
被膜２３を介して、モータシャフト２４からアース接地
端子２５に、電気的に接続されている。半導体ウェハ２
０を真空吸着して、接触しているウェハ吸着面２８は表
面粗さをＲａ＝0.２μｍ以下に加工されているため、半
導体ウェハ２０とウェハ吸着面２８との電気的接触抵抗
値は一定している。

【０１３７】このように、絶縁体である半導体ウェハ２
０が回転し、空気との接触摩擦により半導体ウェハ２０
が帯電しても、表面抵抗値が１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１
０¹¹（Ω／ｓｑ．）に制御された導電性樹脂被膜２３を
介して放電するため、半導体ウェハ２０が、数ＫＶに帯
電しても、放電電流を数百ｍＡに制御してアース接地端
子２５に徐放電でき、半導体ウェハ２０の帯電電位を百
Ｖ前後に制御できる。

【０１３８】（実施例２）図３は、本発明の他の実施例
である物品取扱装置の構成の一例を示す断面図であり、
図４は、その一部を拡大して示す断面図、図５は、その
平面図、図６は、その製造工程の一例を示すフローチャ
ートである。本実施例の場合には、物品取扱装置の一例
として導電性ウェハハンドラに適用した場合について説
明する。

【０１３９】図３，図４，図５により、本実施例の導電
性ウェハハンドラの構成について説明する。図３に示す
ように、半導体ウェハ４０は導電性ウェハハンドラ部４
１により保持される。導電性ウェハハンドラ部４１は、
半導体ウェハ４０の載置面に突設され、当該半導体ウェ
ハ４０を支持する支持ピン部４２と半導体ウェハ４０を
ガイドするガイド部４３から構成される。

【０１４０】図５で示すように、支持ピン部４２は３点
支持で半導体ウェハ４０を支持するとともに、ガイド部
４３は、円弧状の形状で、半導体ウェハ４０を、支持ピ
ン部４２に落し込むときに案内するように構成されてい
る。

【０１４１】図４に示すように、導電性ウェハハンドラ
部４１はアルミニウム等の導体からなる母材４４に、た
とえばパーフロロアルコキシビニルエーテル共重合体等
からなるコート膜４５を形成し、そのコート膜４５上
に、表面抵抗値が１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／
ｓｑ．）に制御された導電性樹脂被膜４６が形成されて
いる。前述したように、経済的に許されるならば、前記
表面抵抗値は、１０⁷ （Ω／ｓｑ．）〜１０⁸ （Ω／ｓ
ｑ．）に制御することがより望ましい。

【０１４２】導電性ウェハハンドラ部４１は、導電性の
取付けボルト４７を介して、駆動リンク４８，駆動モー
タ４９に機械的に接続されていると共に、電気的にも接
続され、接地端子４９ａを介して電気的にアース接地さ
れている。

【０１４３】つぎに、図６のフローチャートにより、本
実施例の導電性ウェハハンドラ部４１を製造する概略工
程を説明する。

【０１４４】（１）母材４４をハンドラ形状に機械加工
する（ステップ７０１）。

【０１４５】（２）ハンドラ形状に機械加工した母材４
４にパーフロロ・アルコキシ・ビニル・エーテル樹脂材
をコーティングし、コート膜４５を形成する（ステップ
７０２）。

【０１４６】（３）パーフロロ・アルコキシ・ビニル・
エーテル樹脂材をコーティングしたコート膜４５に対し
てコロナ放電によるプラズマ表面処理を行い、コート膜
４５を活性化する（ステップ７０３）。

【０１４７】（４）プラズマ表面処理により活性化した
コート膜４５に金属成分を含まない導電性ポリアニリン
粉末と多官能性アクリレートを主成分とする光硬化型導
電性樹脂塗料をディップコーティングし、表面抵抗値１
０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０^１１（Ω／ｓｑ．）の導電性
樹脂被膜４６を形成する（ステップ７０４）。

【０１４８】（５）光硬化型導電性樹脂塗料をディップ
コーティングした、導電性樹脂被膜４６に、光硬化型導
電性樹脂塗料を光硬化させる波長の光を照射し、導電性
樹脂被膜４６を硬化させる（ステップ７０５）。

【０１４９】（６）光硬化させた、導電性樹脂被膜４６
の半導体ウェハ４０と接触する支持ピン部４２とガイド
部４３をラッピング加工して、表面粗さをＲａ＝０．２
μｍ以下となるように加工する（ステップ７０６）。

【０１５０】つぎに、半導体ウェハ４０を本実施例の導
電性ウェハハンドラ部４１でハンドリングする動作につ
いて説明する。

【０１５１】駆動モータ４９を駆動させ、駆動リンク４
８を介して、導電性ウェハハンドラ部４１を半導体ウェ
ハ４０位置に移動させ、ガイド部４３をガイドにして半
導体ウェハ４０を支持ピン部４２の上に落し込む。

【０１５２】半導体ウェハ４０が帯電している際には、
表面抵抗値が１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω／ｓ
ｑ．）に制御された導電性樹脂被膜４６を介して、電気
的にアース接地される。半導体ウェハ４０に帯電した電
位は、表面抵抗値が１０⁶ （Ω／ｓｑ．）〜１０¹¹（Ω
／ｓｑ．）に制御された導電性樹脂被膜４６を通して徐
放電されるので、放電電流が百数十（ｍＡ）に制御され
て放電する。このため、急激な放電によって半導体ウェ
ハ４０に大きな電流が流れることに起因して当該半導体
ウェハ４０に形成されている半導体素子が静電破壊され
ることが回避される。

【０１５３】また、半導体ウェハ４０と接触する支持ピ
ン部４２とガイド部４３が帯電除去されているのでパー
ティクルの付着が防止されるとともに、当該領域がラッ
ピング加工して、表面粗さをＲａ＝0.２μｍ以下となる
ように加工されているため、パーティクルの滞留もな
く、半導体ウェハ４０に対する異物の付着が確実に防止
される。これにより、異物付着に起因する半導体ウェハ
２０上の半導体素子の歩留り低下を防止できる。

【０１５４】（実施例３）図１３は、本発明の一実施例
である収納容器の構成の一例を示す斜視図であり、図１
４は、その一部の断面図である。

【０１５５】本実施例では、収納容器の一例として、半
導体装置の製造プロセスに用いられるウェハカセットに
適用する場合を例にとって説明する。

【０１５６】本実施例のウェハカセットは、たとえば、
ポリエチレンからなる母材１１０Ｂを射出成形、押し出
し成形、切削成形等の加工方法によって図１３に例示さ
れる形状に成形し、ポリエチレン製ウェハカセット１１
０（以下、単にカセット１１０と記す）としたものであ
る。すなわち、カセット１１０は、その側壁の内周面
に、所望の間隔で対峙するガイド突起１１１が複数個突
設されており、隣接するガイド突起１１１の間の所定の
幅の保持溝１１２にウェハ１１００の外周部が挿入され
ることによって保持される構造となっている。カセット
１１０の底面には、底板１１３が設けられており、この
ウェハ１１００は自重によってこの底板１１３に当接し
て収納される。また、底板１１３の中央部には水切り孔
１１４が開設されている。

【０１５７】この場合、本実施例のカセット１１０の表
面には、たとえば、以下の方法によって被覆１１０Ａが
所定の厚さ寸法となるように形成される。

【０１５８】すなわち、まずコロナ放電処理（処理条
件：２０ｋＶ，３０分）を母材１１０Ｂの表面に施す。

【０１５９】その後、導電性ポリアニリンを５ｗｔ％含
む光硬化型導電性樹脂塗料を母材１１０Ｂに対し、引き
上げ速度を１０（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート
法により塗布を行った後、室温にて１時間自然乾燥させ
た後、紫外光（波長：２５４ｎｍ）を３時間照射し、塗
膜を硬化させることによって被覆１１０Ａを形成し、カ
セット１１０とした。この被覆１１０Ａの厚さは３０μ
ｍ、表面抵抗値は１０⁷ Ωであった。

【０１６０】このような処理によって本実施例のカセッ
ト１１０の表面は、図１４に示す如く、ウェハ１１００
に接する表面の被覆１１０Ａとその内部の母材１１０Ｂ
からなる二層構造を呈する。このカセット１１０に対し
て、静電気の放電特性を評価するために、７ｋＶの静電
気を印加し、帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が
５０Ｖに減衰するまでの時間を測定したところ３秒であ
った。すなわち、本実施例のカセット１１０によれば、
高電圧に帯電したウェハ１１００が装填された場合、ウ
ェハ１１００の電荷を徐々に放電させることが可能とな
り、ウェハ１１００に形成されている図示しない半導体
素子構造の静電破壊を防止することができる。

【０１６１】本実施例のカセット１１０と、静電気対策
を行っていない同じ材質のカセットを塵挨濃度0.５μｍ
以上５００（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したの
ち、カセット１１０の表面に付着したパーティクルを測
定したところ０（個／ｃｍ² ）であり、静電気対策を行
っていないカセットへの付着数５０（個／ｃｍ² ）と比
較してパーティクルの付着数は少なく、静電気対策とし
て導電性の被覆１１０Ａを形成した本実施例のカセット
１１０よるパーティクル付着抑制の効果が確認された。

【０１６２】ディップコート法により母材１１０Ｂの表
面に導電性ポリマーの塗布を行うので、複雑な形状のカ
セット１１０の全面に導電性を有する被覆１１０Ａを容
易に形成することができる。

【０１６３】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１１０Ｂの表面にコロナ放電
処理を施して、当該表面を易塗布性に変化させているの
で、母材１１０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着
性を持って塗布できる。また、母材１１０Ｂの表面の難
塗布性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要と
なり、工程が簡略化される。

【０１６４】（実施例４）この実施例４の場合には、パ
ーフロロアルコキシビニルエーテル共重合体からなる母
材１２０Ｂを用いて図１３に例示されるような形状のパ
ーフロロアルコキシビニルエーテル共重合体製カセット
１２０（以下、単にカセット１２０と記す）を製作し、
以下のようにして被覆１２０Ａを形成したものである。

【０１６５】すなわち、導電性ポリアニリンを５ｗｔ％
含む光硬化型導電性塗料を、予めコロナ放電処理（処理
条件：２０ｋＶ，３０分）を行った母材１２０Ｂに対
し、引き上げ速度を５（ｃｍ／分）に設定し、ディップ
コート法により塗布を行った後、室温にて１時間自然乾
燥させた後、紫外光（波長：２５４ｎｍ）を３時間照射
し、硬化させることによって被覆１２０Ａを形成し、カ
セット１２０とした。この被覆１２０Ａの厚さは４０μ
ｍ、表面抵抗値は１０⁷ Ω／ｓｑであった。

【０１６６】このカセット１２０に対して、静電気の放
電特性を評価するために、１０ｋＶの静電気を印加し、
帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が１００Ｖに減
衰するまでの時間を測定したところ２秒であった。すな
わち、本実施例のカセット１２０によれば、高電圧に帯
電したウェハ１１００が装填された場合、ウェハ１１０
０の電荷を徐々に放電させることが可能となり、ウェハ
１１００に形成されている図示しない半導体素子構造の
静電破壊を防止することができる。

【０１６７】このような本実施例のカセット１２０と静
電気対策を行っていない同じ材質のカセット１２０に直
径１２５ｍｍのシリコンウェハ２５枚を装填し塵挨濃度
0.５μｍ以上５０（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置し
たのち、ウェハ表面に付着したパーティクルを面板検査
装置を使用して測定したところ、平均値として静電気対
策を行ったカセット１２０に装填したウェハでは２（個
／ｗｆ）であり、静電気対策を行っていないカセットに
装填したウェハでは２０（個／ｗｆ）であり、導電性の
被覆１２０Ａを形成することによって静電気対策を行っ
た本実施例のカセット１２０を使用することによるウェ
ハ表面へのパーティクル付着抑制の効果が確認された。

【０１６８】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１２０Ｂの表面にコロナ放電
処理を施して、当該表面を易塗布性に変化させているの
で、母材１２０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着
性を持って塗布できる。また、母材１２０Ｂの表面の難
塗布性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要と
なり、工程が簡略化される。

【０１６９】難塗布性の母材１２０Ｂを易塗布性にする
方法としては、前述のコロナ放電処理に限らず、たとえ
ば、酸素プラズマや窒素プラズマ処理を施してもよい。

【０１７０】（実施例５）この実施例５の場合には、ポ
リエーテルエーテルケトン樹脂からなる母材１３０Ｂを
用いて図１３に例示されるような形状のポリエーテルエ
ーテルケトン樹脂製カセット１３０（以下、単にカセッ
ト１３０と記す）を製作し、以下のようにして被覆１３
０Ａを形成したものである。

【０１７１】すなわち、まずコロナ放電処理（処理条
件：２０ｋＶ，３０分）を母材１３０Ｂの表面に施す。

【０１７２】その後、導電性ポリアニリンを７ｗｔ％含
む熱硬化型導電性塗料を、母材１３０Ｂに対し、引き上
げ速度を２（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート法に
より塗布を行った後、室温にて１時間自然乾燥させた
後、循環式熱風乾燥機中にて熱処理（処理条件：１２０
℃，２時間）し、硬化させることによって被覆１３０Ａ
を形成した。この被覆１３０Ａの厚さは６０μｍ、表面
抵抗値は１０⁸ Ωであった。

【０１７３】この本実施例のカセット１３０に対して、
静電気の放電特性を評価するために、２０ｋＶの静電気
を印加し、帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が１
００Ｖに減衰までの時間を測定したところ４秒であっ
た。すなわち、本実施例のカセット１３０によれば、高
電圧に帯電したウェハ１１００が装填された場合、ウェ
ハ１１００の電荷を徐々に放電させることが可能とな
り、ウェハ１１００に形成されている図示しない半導体
素子構造の静電破壊を防止することができる。

【０１７４】本実施例のカセット１３０と静電気対策を
行っていない同じ材質のカセットに直径１２５ｍｍのシ
リコンウェハ２５枚に装填し塵挨濃度0.５μｍ以上２０
０（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したのち、ウェハ
表面に付着したパーティクルを面板検査装置を使用して
測定したところ、平均値として静電気対策を行った本実
施例のカセット１３０に装填したウェハでは１（個／ｗ
ｆ）であり、静電気対策を行っていないカセットに装填
したウェハでは１０（個／ｗｆ）であり、静電気対策と
して被覆１３０Ａを形成した本実施例のカセット１３０
を使用することによる、ウェハ表面へのパーティクル付
着抑制効果が確認された。

【０１７５】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１３０Ｂの表面にコロナ放電
処理を施して、当該表面を易塗布性に変化させているの
で、母材１３０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着
性を持って塗布できる。また、母材１３０Ｂの表面の難
塗布性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要と
なり、工程が簡略化される。

【０１７６】（実施例６）この実施例６の場合には、表
面にポリフェニレンサルファイド樹脂を被覆し、アルミ
ニウムによる汚染防止処理を行ったアルミニウムからな
る母材１４０Ｂを用いて図１３に例示されるような形状
のアルミニウム製カセット１４０（以下、単にカセット
１４０と記す）を製作し、以下のようにして被覆１４０
Ａを形成したものである。

【０１７７】すなわち、まずコロナ放電処理（処理条
件：２０ｋＶ，３０分）を母材１４０Ｂの表面に施す。

【０１７８】その後、導電性ポリアニリンを６ｗｔ％含
む熱硬化型導電性塗料を、母材１４０Ｂに対し、引き上
げ速度を２（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート法に
より塗布を行った後、室温にて１時間自然乾燥させた
後、循環式熱風乾燥機中にて熱処理（処理条件：１２０
℃，２時間）し、塗膜を硬化させることによって被覆１
４０Ａを形成した。この被覆１４０Ａの厚さは６０μ
ｍ、表面抵抗値は１０⁸ Ωであった。

【０１７９】このカセット１４０に対して、静電気の放
電特性を評価するために、５ｋＶの静電気を印加し、帯
電させた後、接地電極を接触させ電圧が１００Ｖに減衰
までの時間を測定したところ0.５秒であった。すなわ
ち、本実施例のカセット１４０によれば、高電圧に帯電
したウェハ１１００が装填された場合、ウェハ１１００
の電荷を徐々に放電させることが可能となり、ウェハ１
１００に形成されている図示しない半導体素子構造の静
電破壊を防止することができる。

【０１８０】本実施例のカセット１４０と静電気対策を
行っていない同じ材質のカセットに直径１２５ｍｍのシ
リコンウェハ２５枚を装填し塵挨濃度0.５μｍ以上２０
０（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したのち、ウェハ
表面に付着したパーティクルを面板検査装置使用して測
定したところ平均値として、静電気対策を行った本実施
例のカセット１４０に装填したウェハでは１（個／ｗ
ｆ）であり、静電気対策を行っていないカセットに装填
したウェハでは１０（個／ｗｆ）であり、静電気対策に
よるウェハ表面へのパーティクル付着抑制効果が確認さ
れた。

【０１８１】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１４０Ｂの表面にコロナ放電
処理を施して、当該表面を易塗布性に変化させているの
で、母材１４０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着
性を持って塗布できる。また、母材１４０Ｂの表面の難
塗布性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要と
なり、工程が簡略化される。

【０１８２】（実施例７）この実施例７の場合には、ポ
リエーテルスルホン樹脂からなる母材１５０Ｂを用いて
図１３に例示されるような形状のポリエーテルスルホン
樹脂製カセット１５０（以下、単にカセット１５０と記
す）を製作し、以下のようにして被覆１５０Ａを形成し
たものである。

【０１８３】すなわち、まずコロナ放電処理（処理条
件：２０ｋＶ，３０分）を母材１５０Ｂの表面に施す。

【０１８４】その後、導電性ポリアニリンを６ｗｔ％含
むＸ線硬化型導電性塗料を、母材１５０Ｂに対し、引き
上げ速度を２（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート法
により塗布を行った後、室温にて１時間自然乾燥させた
後、波長0.１ｎｍのＸ線（エネルギー、約１０ｋｅｖ）
を２０秒照射し、塗膜を硬化させて被覆１５０Ａを形成
した。この被覆１５０Ａの厚さは３０μｍ、表面抵抗値
は１０⁸ Ω／ｓｑであった。

【０１８５】このカセット１５０に対して、静電気の放
電特性を評価するために、１０ｋＶの静電気を印加し、
帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が１００Ｖに減
衰までの時間を測定したところ５秒であった。すなわ
ち、本実施例のカセット１５０によれば、高電圧に帯電
したウェハ１１００が装填された場合、ウェハ１１００
の電荷を徐々に放電させることが可能となり、ウェハ１
１００に形成されている図示しない半導体素子構造の静
電破壊を防止することができる。

【０１８６】本実施例のカセット１５０と静電気対策を
行っていない同じ材質のカセットに直径１２５ｍｍのシ
リコンウェハ２５枚を装填し塵挨濃度0.５μｍ以上２０
０（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したのち、ウェハ
表面に付着したパーティクルを面板検査装置使用して測
定したところ平均値として、被覆１５０Ａを形成するこ
とで静電気対策を行った本実施例のカセット１５０に装
填したウェハでは３（個／ｗｆ）であり、静電気対策を
行っていないカセットに装填したウェハでは２０（個／
ｗｆ）であり、静電気対策によるウェハ表面へのパーテ
ィクル付着抑制効果が確認された。

【０１８７】また、この被覆１５０Ａに対し、スチール
ウールを使用して擦過試験を行ったが、目視による傷は
観察されず、耐擦過性が確認された。

【０１８８】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１５０Ｂの表面にコロナ放電
処理を施して、当該表面を易塗布性に変化させているの
で、母材１５０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着
性を持って塗布できる。また、母材１５０Ｂの表面の難
塗布性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要と
なり、工程が簡略化される。

【０１８９】（実施例８）この実施例８の場合には、ポ
リエーテルエーテルケトン樹脂からなる母材１７０Ｂを
用いて図１３に例示されるような形状のポリ四フッ化エ
チレン製カセット１７０（以下、単にカセット１７０と
記す）を製作し、以下のようにして被覆１７０Ａを形成
したものである。

【０１９０】すなわち、まず電磁波処理（処理条件：周
波数＝2.４５ＧHz、出力＝１０Ｗ、処理時間＝３０分）
をポリ四フッ化エチレンからなる母材１７０Ｂの表面に
施す。

【０１９１】その後、導電性ポリアニリンを３ｗｔ％含
む光硬化型導電性塗料を、母材１７０Ｂに対し、引き上
げ速度を５（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート法に
より塗布を行った後、室温にて１時間自然乾燥させた
後、紫外光（波長：３６５ｎｍ）を２時間照射し、硬化
させることによって被覆１７０Ａを形成した。この被覆
１７０Ａの厚さは３０μｍ、表面抵抗値は１０⁹ Ω／ｓ
ｑであった。

【０１９２】この本実施例のカセット１７０に対して、
静電気の放電特性を評価するために、１５ｋＶの静電気
を印加し、帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が５
０Ｖに減衰までの時間を測定したところ１０秒であっ
た。すなわち、本実施例のカセット１７０によれば、高
電圧に帯電したウェハ１１００が装填された場合、ウェ
ハ１１００の電荷を徐々に放電させることが可能とな
り、ウェハ１１００に形成されている図示しない半導体
素子構造の静電破壊を防止することができる。

【０１９３】本実施例のカセット１７０と静電気対策を
行っていない同じ材質のカセットに直径１２５ｍｍのシ
リコンウェハ２５枚に装填し塵挨濃度0.５μｍ以上１０
０（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したのち、ウェハ
表面に付着したパーティクルを面板検査装置を使用して
測定したところ、平均値として静電気対策を行った本実
施例のカセット１７０に装填したウェハでは３（個／ｗ
ｆ）であり、静電気対策を行っていないカセットに装填
したウェハでは２５（個／ｗｆ）であり、静電気対策と
して被覆１７０Ａを形成した本実施例のカセット１７０
を使用することによる、ウェハ表面へのパーティクル付
着抑制効果が確認された。

【０１９４】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１７０Ｂの表面に電磁波処理
を施して、当該表面を易塗布性に変化させているので、
母材１７０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着性を
持って塗布できる。また、母材１７０Ｂの表面の難塗布
性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要とな
り、工程が簡略化される。

【０１９５】（実施例９）この実施例９の場合には、パ
ーフロロアルコキシビニルエーテル共重合体からなる母
材１８０Ｂを用いて図１３に例示されるような形状のパ
ーフロロアルコキシビニルエーテル共重合体製カセット
１８０（以下、単にカセット１８０と記す）を製作し、
以下のようにして被覆１８０Ａを形成したものである。

【０１９６】すなわち、まず放射線処理（処理条件：波
長＝0.１ｎｍ、エネルギー＝約１０ｋｅＶ、処理時間＝
６０秒）を母材１８０Ｂの表面に施す。

【０１９７】その後、導電性ポリアニリンを３ｗｔ％含
む熱硬化型塗料を、母材１８０Ｂに対し、引き上げ速度
を１０（ｃｍ／分）に設定し、ディップコート法により
塗布を行った後、４０℃にて３０分間、循環式温風乾燥
機内にて乾燥させた後、紫外光（波長：２５４ｎｍ）を
２時間照射し、硬化させることによって被覆１８０Ａを
形成した。この被覆１８０Ａの厚さは２０μｍ、表面抵
抗値は１０¹⁰Ω／ｓｑであった。

【０１９８】この本実施例のカセット１８０に対して、
静電気の放電特性を評価するために、１０ｋＶの静電気
を印加し、帯電させた後、接地電極を接触させ電圧が５
０Ｖに減衰までの時間を測定したところ３０秒であっ
た。すなわち、本実施例のカセット１８０によれば、高
電圧に帯電したウェハ１１００が装填された場合、ウェ
ハ１１００の電荷を徐々に放電させることが可能とな
り、ウェハ１１００に形成されている図示しない半導体
素子構造の静電破壊を防止することができる。

【０１９９】本実施例のカセット１８０と静電気対策を
行っていない同じ材質のカセットに直径１２５ｍｍのシ
リコンウェハ２５枚に装填し塵挨濃度0.５μｍ以上１０
００（個／ｍ³ ）の雰囲気に１時間放置したのち、ウェ
ハ表面に付着したパーティクルを面板検査装置を使用し
て測定したところ、平均値として静電気対策を行った本
実施例のカセット１８０に装填したウェハでは１０（個
／ｗｆ）であり、静電気対策を行っていないカセットに
装填したウェハでは６０（個／ｗｆ）であり、静電気対
策として被覆１８０Ａを形成した本実施例のカセット１
８０を使用することによる、ウェハ表面へのパーティク
ル付着抑制効果が確認された。

【０２００】また、本実施例の場合には、導電性ポリマ
ーの塗布に先立って、母材１８０Ｂの表面に放射線処理
を施して、当該表面を易塗布性に変化させているので、
母材１８０Ｂに対して導電性ポリマーを良好な密着性を
持って塗布できる。また、母材１８０Ｂの表面の難塗布
性を改善する目的で余分な下塗り等の工程も不要とな
り、工程が簡略化される。

【０２０１】（実施例１０）図１５は、本発明の実施例
１０である収納容器の構成の一例を示す斜視図であり、
図１６は、その断面図である。

【０２０２】この実施例１０の場合には、所望の樹脂か
らなる母材１６０Ｂを用いて図１５に例示されるような
カセットケース１６０（以下、単にカセットケース１６
０と記す）を製作し、導電性の被覆１６０Ａを形成した
ものである。

【０２０３】本実施例のカセットケース１６０は、母材
１６０Ｂからなるカップ状の本体１６１と、同じく母材
１６０Ｂからなり、この本体１６１に嵌合して内部に密
閉空間を形成するキャップ状の蓋体１６２で構成されて
いる。蓋体１６２の上面には、たとえばバーコード等が
設定されたり、ＩＤカード等が保持される管理領域１６
３が設けられており、内部に収納されているウェハやカ
セットの識別や運用管理に用いられる。

【０２０４】このようなカセットケース１６０を使用す
る目的は、内部に、たとえば、ウェハ１１００が装填さ
れた、上述の実施例３〜実施例７に例示されたカセット
１１０〜カセット１５０を収納することにより、搬送や
保管中における外部のパーティクルの付着を防止するた
めである。

【０２０５】そして、本体１６１および蓋体１６２の各
々には、上述の実施例３〜実施例９に例示した物質およ
び条件を用いて母材１６０Ｂの表面を改質した後、導電
性の被覆１６０Ａを形成する。これにより、本体１６１
および蓋体１６２の内外面における帯電が防止され、帯
電に起因するパーティクルの付着が減少する。このた
め、本実施例のカセットケース１６０の内部にウェハ１
１００を保持したカセット１１０〜カセット１５０を収
納することにより、上述の実施例３〜実施例９の場合と
同様に、内部のウェハ１１００に対するパーティクルの
付着を確実に防止できる。また、ウェハ１１００やカセ
ット１１０〜カセット１５０が帯電している場合でも、
当該ウェハ１１００やカセット１１０〜カセット１５０
における静電気の徐放電を実現してウェハ１１００の静
電破壊の防止することが可能となる。

【０２０６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【０２０７】例えば、対象となる板状物としては、前述
した実施例に例示した半導体ウェハに限らず、ＴＦＴガ
ラス基板や光ディスク，レチクル等の精密な表面処理に
広く適用することができる。

【０２０８】また、たとえば、上述の各実施例の説明で
は、所望の母材の表面に導電性ポリマーを塗布する場合
について説明しているが、所望の樹脂に対して所望の比
率で導電性ポリマーを混合した素材を成形して、所望の
導電性を有する収納容器を得てもよい。この場合、用い
る導電性ポリマーと母材の樹脂の親和性に配慮すること
により、従来のような金属やカーボン等の導電性粉末や
繊維等のように母材樹脂に馴染まない素材を混合するこ
とに起因する前述のようなウェハの汚染の懸念はない。

【０２０９】本発明の収納容器は、実施例に挙げたウェ
ハカセットに限定して適用されるものではなく、液晶デ
ィスプレイ（ＴＦＴ）用カセット、カセットケース等絶
縁性樹脂、金属、セラミックスにより構成されている各
種カセット類の導電性付与に適用することが可能であ
る。

【０２１０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を脱しない範囲内
で種々の変更が可能であることはいうまでもない。

【０２１１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０２１２】すなわち、本発明の物品取扱部材および物
品取扱装置ならびにその製造方法によれば、半導体ウェ
ハ等の物品を保持する際に、保持する半導体ウェハ等の
物品に、金属成分等の汚染をさせることなく、清浄かつ
高純度な状態で保持することができる、という効果が得
られる。

【０２１３】また、本発明の物品取扱部材および物品取
扱装置ならびにその製造方法によれば、半導体ウェハ等
の物品を保持する際に、接触部材の表面抵抗値を所定範
囲に制御し、保持した半導体ウェハ等の物品からの放電
電流値を所定範囲に制御して、半導体ウェハ等の物品に
帯電した静電気が放電する際に生じる静電気損傷による
半導体素子破壊等の問題を防止することができる、とい
う効果が得られる。

【０２１４】また、本発明の物品取扱部材および物品取
扱装置ならびにその製造方法によれば、簡略な製造工程
で接触する対象物における帯電防止を実現できるという
効果が得られる。

【０２１５】また、本発明の収納容器によれば、接触す
る対象物に対して汚染や損傷を与えることがない、とい
う効果が得られる。

【０２１６】また、本発明の収納容器によれば、接触す
る対象物における帯電を防止するとともに、帯電した対
象物からの徐放電によって静電破壊を防止することがで
きる、という効果が得られる。

【０２１７】また、本発明の収納容器によれば、簡略な
製造工程で接触する対象物における帯電防止を実現でき
る、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である物品取扱装置の一例を
示す断面図である。

【図２】その製造工程の一例を示すフローチャートであ
る。

【図３】本発明の他の実施例である物品取扱装置の構成
の一例を示す断面図である。

【図４】その一部を拡大して示す断面図である。

【図５】その平面図である。

【図６】その製造工程の一例を示すフローチャートであ
る。

【図７】基板上に導電性樹脂膜を形成する処理の一例を
示すフローチャートである。

【図８】基板上に導電性樹脂膜を形成した状態の一例を
示す概念図である。

【図９】基板上に導電性樹脂膜を形成する処理過程の一
例を示すフローチャートである。

【図１０】基板上に導電性樹脂膜を形成した状態の一例
を示す概念図である。

【図１１】半導体ウェハにおける静電気の放電過程の一
例を示す回路モデル図である。

【図１２】図２のフローチャートに例示される導電性樹
脂被膜の形成工程の変形例を示すフローチャートであ
る。

【図１３】本発明の一実施例である収納容器の構成の一
例を示す斜視図である。

【図１４】その一部の断面図である。

【図１５】本発明の他の実施例である収納容器の構成の
一例を示す斜視図である。

【図１６】その一部の断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ ウェハ吸着部 ３ アース接地端子 ４ 吸着有無スイッチ ５ 接触抵抗 ６ 接触コンデンサ ７ 基板 ８ 導電性樹脂膜 ９ 光硬化型導電性樹脂塗料 １０ 基板 １１ 導電性樹脂膜 ２０ 半導体ウェハ ２１ 導電性真空吸着スピンヘッド ２２ 母材 ２３ 導電性樹脂被膜 ２４ モータシャフト ２５ アース接地端子 ２６ 真空排気用中空穴 ２７ 真空排気 ２８ ウェハ吸着面 ２８ａ ウェハ吸着溝 ２９ 真空排気口 ４０ 半導体ウェハ ４１ 導電性ウェハハンドラ部 ４２ 支持ピン部 ４３ ガイド部 ４４ 母材 ４５ コート膜 ４６ 導電性樹脂被膜 ４７ 取付けボルト ４８ 駆動リンク ４９ 駆動モータ ４９ａ 接地端子 ５１ 滴下ノズル ５２ 与圧配管 ５３ 導電性樹脂被膜 ６０ 薬液容器（収納容器） ６１ 母材 ６２ 導電性樹脂被膜 ６３ 接地端子 ７０ ホトレジスト液 １１０ カセット（ポリエチレン製） １１０Ａ 被覆 １１０Ｂ 母材 １１１ ガイド突起 １１２ 保持溝 １１３ 底板 １１４ 水切り孔 １２０ カセット（パーフロロアルコキシビニルエーテ
ル共重合体製） １２０Ａ 被覆 １２０Ｂ 母材 １３０ カセット（ポリエーテルエーテルケトン樹脂
製） １３０Ａ 被覆 １３０Ｂ 母材 １４０ カセット（アルミニウム製） １４０Ａ 被覆 １４０Ｂ 母材 １５０ カセット（ポリエーテルスルホン樹脂製） １５０Ａ 被覆 １５０Ｂ 母材 １６０ カセットケース １６０Ａ 被覆 １６０Ｂ 母材 １６１ 本体 １６２ 蓋体 １６３ 管理領域 １７０ カセット（ポリ四フッ化エチレン） １７０Ａ 被覆 １７０Ｂ 母材 １８０ カセット（パーフロロアルコキシビニルエーテ
ル共重合体製） １８０Ａ 被覆 １８０Ｂ 母材 １１００ ウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/60 9470−5Ｇ Ｈ０５Ｆ 3/02 Ｌ Ｈ０５Ｆ 3/02 0333−3Ｅ Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｒ Ｈ０１Ｌ 23/56 Ｂ (72)発明者 光石 正弘 滋賀県大津市打出浜８−７−301 (72)発明者 井上 健 大阪府三島郡島本町若山台２−２−22− 104 (72)発明者 末崎 穣 大阪府高槻市宮田町２−15−１

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所望の形状の母材表面を改質し、この母
   材表面に導電性ポリマー、または、導電性ポリマーと硬
   化性樹脂の混合剤を被覆してなることを特徴とする物品
   取扱部材。
2. 【請求項２】 コロナ放電を用いて前記母材表面の改質
   を行ってなることを特徴とする請求項１記載の物品取扱
   部材。
3. 【請求項３】 プラズマ処理を用いて前記母材表面の改
   質を行ってなることを特徴とする請求項１記載の物品取
   扱部材。
4. 【請求項４】 放射線の照射を用いて前記母材表面の改
   質を行ってなることを特徴とする請求項１記載の物品取
   扱部材。
5. 【請求項５】 電磁波の照射を用いて前記母材表面の改
   質を行ってなることを特徴とする請求項１記載の物品取
   扱部材。
6. 【請求項６】 前記母材表面に被覆する前記導電性ポリ
   マー、または硬化性樹脂として、光硬化性導電性ポリマ
   ー、または光硬化性樹脂を用いたことを特徴とする請求
   項１記載の物品取扱部材。
7. 【請求項７】 前記母材表面に被覆する前記導電性ポリ
   マー、または硬化性樹脂として、放射線硬化性導電性ポ
   リマー、または放射線硬化性樹脂を用いたことを特徴と
   する請求項１記載の物品取扱部材。
8. 【請求項８】 前記母材表面に被覆する前記導電性ポリ
   マー、または硬化性樹脂として、熱硬化性導電性ポリマ
   ー、または熱硬化性樹脂を用いたことを特徴とする請求
   項１記載の物品取扱部材。
9. 【請求項９】 所望の形状の母材表面を改質し、この母
   材表面に導電性ポリマー、または、導電性ポリマーと硬
   化性樹脂の混合剤を被覆してなることを特徴とする収納
   容器。
10. 【請求項１０】 前記収納容器は、半導体ウェハを収納
    するウェハ用カセットであることを特徴とする請求項９
    記載の収納容器。
11. 【請求項１１】 前記収納容器は、レチクルを収納する
    レチクル用カセットであることを特徴とする請求項９記
    載の収納容器。
12. 【請求項１２】 前記収納容器は、液晶ディスプレイ基
    板を収納する液晶ディスプレイ用カセットであることを
    特徴とする請求項９記載の収納容器。
13. 【請求項１３】 前記収納容器は、所望の薬品が貯留さ
    れる薬品用容器であることを特徴とする請求項９記載の
    収納容器。
14. 【請求項１４】 請求項１，２，３，４，５，６，７ま
    たは８記載の物品取扱部材を有する物品取扱装置。
15. 【請求項１５】 所望の形状の母材表面を改質する第１
    の工程と、この母材表面に導電性ポリマー、または、導
    電性ポリマーと硬化性樹脂の混合剤を被覆する第２の工
    程とを含むことを特徴とする物品取扱部材の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記第１の工程では、コロナ放電、プ
    ラズマ処理、放射線の照射、電磁波の照射、のうちの少
    なくとも一つを用いて前記母材表面を改質することを特
    徴とする請求項１５記載の物品取扱部材の製造方法。